一種Array板光刻膠的剝離方法
2023-05-14 22:29:01
專利名稱：一種Array板光刻膠的剝離方法
技術領域：
本申請涉及IXD領域,更具體地說，涉及一種Array板光刻膠的剝離方法。
背景技術：
IXD (Liquid-Crystal Display)液晶平板顯示器近年來已經逐步替代CRT(Cathode Ray Tube)陰極射線管顯示器成為主流，並且已經充分的普及。特別是TFT-LCD (Thin-Film Transistor Liquid-Crystal Display)薄膜電晶體顯示器目前迅速成為新世紀的主流產品。TFT-LCD面板可視為兩片玻璃基板中間夾著一層液晶，上層的玻璃基板是與彩色濾光片(Color Filter)結合,而下層的玻璃則有薄膜電晶體鑲嵌於上形成Array板。通過 Array板的薄膜電晶體對像素電場的控制，從而控制液晶分子的偏轉，從而控制光線的偏極性，再利用偏光片決定像素(Pixel)的明暗。此外，上層玻璃因與彩色濾光片貼合，形成每個畫素各包含紅藍綠三顏色，這些發出紅藍綠色彩的畫素便構成了面板上的影像畫面。Array板的製作過程採用光刻技術，最常用的就是5MASK工藝，每道工序都包括清洗、成膜、塗布、預烘、曝光、顯影、乾濕刻、後烘、PR剝離等主要工序。隨著人們對FTF-IXD廣品品質的要求提聞，聞PPI、廣視角等聞端廣品應運而生，而這些高端產品對殘留物、底層膜殘留等的控制更加嚴格，輕微的殘留物就可能導致功能缺陷。然而在實際生產過程中，需要對光刻製程中出現問題的Array板產品進行返修，返修過程中需要將Array板表層的光刻膠剝離，現有技術中一般採用的是溼法光刻膠剝離的方法，直接在Array板的光刻膠表面噴淋光刻膠剝離液，光刻膠剝離液與光刻膠進行化學反應，進而除去光刻膠。但是，由於光刻膠圖形的邊沿區域的光刻膠比較薄，或是在曝光顯影的步驟中，顯影液不是很乾淨的時候容易在過孔處留下很薄的一層光刻膠，這層很薄的光刻膠在後烘步驟中容易過烘，導致返修時不易剝離乾淨，會殘留下一些光刻膠。
發明內容
有鑑於此,本申請提供一種Array板光刻膠的剝離方法,能夠在Array板進行返修時，徹底剝離掉Array板上的光刻膠。為實現上述目的，本申請提供了如下技術方案—種Array板光刻膠的剝離方法,用於對Array板的光刻膠剝離返修,其特徵在於，包括對所述Array板表面的光刻膠進行幹法剝離，去除光刻膠的過烘部分；在已經去除過烘部分的光刻膠上塗覆光刻膠剝離液，與所述已經去除過烘部分的光刻膠進行反應，將所述已經去除過烘部分的光刻膠從所述Array板上剝離。優選的，上述的方法，對所述Array板表面的光刻膠進行幹法剝離，去除光刻膠的過烘部分包括
等離子態工藝氣體中的活性離子與光刻膠進行化學反應，同時帶電粒子對光刻膠進行轟擊，去除光刻膠的過烘部分。優選的，上述的方法，對所述Array板表面的光刻膠進行幹法剝離，去除光刻膠的過烘部分包括等離子態工藝氣體中的帶電粒子對所述Array板表面的光刻膠進行物理轟擊，去除光刻膠的過烘部分。優選的，上述的方法，在已經去除過烘 部分的光刻膠上塗覆光刻膠剝離液包括將光刻膠剝離液噴淋在已經除去過烘部分的光刻膠上。優選的，上述的方法，在已經去除過烘部分的光刻膠上塗覆光刻膠剝離液包括將已經除去過烘部分光刻膠的Array板浸泡在光刻膠剝離液中。優選的，上述的方法，還包括清洗已經徹底清除光刻膠的Array板。通過以上方案可知,本申請公開了一種Array板光刻膠的剝離方法,用於對Array板的光刻膠剝離返修，包括對所述Array板表面的光刻膠進行幹法剝離，去除光刻膠的過烘部分；在已經去除過烘部分的光刻膠上塗覆光刻膠剝離液，與所述已經去除過烘部分的光刻膠進行反應，將所述已經去除過烘部分的光刻膠從所述Array板上剝離。在對Array板的光刻膠剝離返修時，採用本申請提供的一種Array板光刻膠的剝離方法，採用幹法剝離，就能去除一層很薄的在光刻製程中的後烘步驟中過烘的光刻膠，在剩餘的光刻膠上塗覆光刻膠剝離液，光刻膠剝離液與光刻膠進行反應，除去剩餘的光刻膠，就能夠徹底剝離掉Array板上的光刻膠。
為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本申請提供的一種Array板光刻膠的剝離方法實施例I的流程圖；圖2為本申請提供的一種Array板光刻膠的剝離方法實施例I的幹法剝離過烘部分時剝離掉的光刻膠示意圖；圖3為本申請提供的一種Array板光刻膠的剝離方法實施例I的流程圖；圖4為本申請提供的一種Array板光刻膠的剝離方法實施例2的流程圖。
具體實施例方式下面將結合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本申請保護的範圍。本申請的方法應用於對Array板的光刻膠剝離返修過程中。如圖1，示出了本申請實施例I提供的一種Array板光刻膠的剝離方法的流程圖，包括步驟SlOl :對所述Array板表面的光刻膠進行幹法剝離，去除光刻膠的過烘部分；在本步驟採用對所述Array板表面的光刻膠進行幹法剝離的方法進行光刻膠剝離，主要目的是剝離掉光刻膠的過烘部分，同時也會將別的部分的光刻膠的表層剝離掉，剝離掉的光刻膠層示意圖如圖2所示，過烘部分為陰影標識部分。幹法剝離的方法有一種等離子體化學刻蝕的方法步驟SlOll :等離子態工藝氣體中的活性離子與光刻膠進行化學反應，同時帶電粒子對光刻膠進行轟擊，去除光刻膠的過烘部分。依據需要剝離的光刻膠的過烘部分的厚度設定氣體成分、氣體流量、腔室壓力、射頻功率、刻蝕時間等工藝條件，依據設定好的工藝條件，氣體轟擊光刻膠，進行光刻膠刻蝕。 將Array板置入真空腔室，通入氣體比如氧氣，開啟射頻電源將所述通入的氣體達到輝光放電狀態，氧電離產生氧離子、游離態氧原子0'氧分子和電子等混合的等離子體，用等離子態的氣體，轟擊光刻膠表面，其中具有超強氧化能力的游離態氧原子0*在高頻電壓作用下與光刻膠化學反應，生成一氧化碳、二氧化碳等氣體，氣體離開Array板表面，同時帶電粒子對光刻膠進行轟擊，使光刻膠粒子離開光刻膠表面，去除了光刻膠。幹法剝離的方法還包括一種等離子體刻蝕的方法步驟S 1012 :等離子態工藝氣體中的帶電粒子對所述Array板表面的光刻膠進行物理轟擊，去除光刻膠的過烘部分。根據需要剝離的光刻膠的過烘部分的厚度設定射頻功率、刻蝕時間等工藝條件，依據設定好的工藝條件，等離子態的氣體中帶電粒子物理轟擊Array板表面光刻膠，光刻膠粒子被轟擊離開光刻膠表面，除去了光刻膠。步驟S102 :在已經去除過烘部分的光刻膠上塗覆光刻膠剝離液，與所述已經去除過烘部分的光刻膠進行反應，將所述已經去除過烘部分的光刻膠從所述Array板上剝離。如圖3所示的一種Array板光刻膠的剝離方法的流程圖，本步驟具體包括步驟S1021 :根據去除了過烘部分的光刻膠的厚度，即需要用光刻膠剝離液除去的光刻膠部分的厚度，設定工藝參數；將光刻膠剝離液塗覆在Array板的光刻膠上的方法包括將光刻膠剝離液噴淋在Array板上或是將Array板直接浸泡在光刻膠剝離液中。將光刻膠剝離液塗覆在Array板的光刻膠上的方法採用將光刻膠剝離液噴淋在Array板上時根據去除了過烘部分的光刻膠的厚度，也就是需要用光刻膠剝離液除去的光刻膠部分的厚度，設定工藝參數的包括光刻膠剝離液的成分和溫度、光刻膠剝離液噴淋的壓力、噴嘴的擺動速度和角度等。將光刻膠剝離液塗覆在Array板的光刻膠上的方法採用將Array板直接浸泡在光刻膠剝離液中時根據去除了過烘部分的光刻膠的厚度，也就是需要用光刻膠剝離液除去的光刻膠部分的厚度，設定工藝參數的包括光刻膠剝離液的成分和溫度、浸泡的時間等。步驟S1022 :依據設定好的工藝條件，對已經去除過烘部分的光刻膠進行光刻膠剝離液塗覆，光刻膠剝離液與光刻膠進行化學反應，將已經去除過烘部分的光刻膠從Array板上剝離。如圖4，示出了本申請實施例2提供的一種Array板光刻膠的剝離方法的流程圖，本方法是在實施例I的基礎上，還包括步驟S103 :清洗已經徹底清除光刻膠的Array板。為了 Array板返修的後續步驟,需要對除去光刻膠的Array板進行清洗。用高純水衝洗完成光刻膠剝離的Array板，除去上面附著的溶液和雜質等。本申請的實施例中，等離子化的氣體為氧氣，實際生產中不局限於這一種氣體。本申請的實施例中，用高純水衝洗完成光刻膠剝離的Array板，但不局限於此，只要達到清潔Array板的作用即可。
需要說明的是，本說明書中的各個實施例均採用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。對於裝置類實施例而言，由於其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法實施例的部分說明即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本申請。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本申請的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本申請將不會被限制於本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的範圍。
權利要求
1.一種Array板光刻膠的剝離方法,用於對Array板的光刻膠剝離返修,其特徵在於，包括 對所述Array板表面的光刻膠進行幹法剝離，去除光刻膠的過烘部分； 在已經去除過烘部分的光刻膠上塗覆光刻膠剝離液，與所述已經去除過烘部分的光刻膠進行反應，將所述已經去除過烘部分的光刻膠從所述Array板上剝離。
2.根據權利要求I所述的方法，其特徵在於，對所述Array板表面的光刻膠進行幹法剝離，去除光刻膠的過烘部分包括 等離子態工藝氣體中的活性離子與光刻膠進行化學反應，同時帶電粒子對光刻膠進行轟擊，去除光刻膠的過烘部分。
3.根據權利要求I所述的方法，其特徵在於，對所述Array板表面的光刻膠進行幹法剝離，去除光刻膠的過烘部分包括 等離子態工藝氣體中的帶電粒子對所述Array板表面的光刻膠進行物理轟擊，去除光刻膠的過烘部分。
4.根據權利要求I所述的方法，其特徵在於，在已經去除過烘部分的光刻膠上塗覆光刻膠剝離液包括 將光刻膠剝離液噴淋在已經除去過烘部分的光刻膠上。
5.根據權利要求I所述的方法，其特徵在於，在已經去除過烘部分的光刻膠上塗覆光刻膠剝離液包括 將已經除去過烘部分光刻膠的Array板浸泡在光刻膠剝離液中。
6.根據權利要求I所述的方法，其特徵在於，還包括 清洗已經徹底清除光刻膠的Array板。
全文摘要
本申請公開了一種Array板光刻膠的剝離方法，用於對Array板的光刻膠剝離返修，包括對所述Array板表面的光刻膠進行幹法剝離，去除光刻膠的過烘部分；在所述已經去除過烘部分的光刻膠上塗覆光刻膠剝離液，與所述已經去除過烘部分的光刻膠進行反應，將所述已經去除過烘部分的光刻膠從所述Array板上剝離。在對Array板的光刻膠剝離返修時，採用本申請提供的一種Array板光刻膠的剝離方法，對光刻膠採用幹法剝離，就能去除一層很薄的在後烘製程中被過烘的光刻膠，然後再利用光刻膠剝離液將剩餘的光刻膠剝離，就能夠徹底剝離掉Array板上的光刻膠。
文檔編號G03F7/42GK102778821SQ20121029070
公開日2012年11月14日 申請日期2012年8月15日 優先權日2012年8月15日
發明者於春崎, 任思雨, 劉興華, 李建華, 胡君文, 謝凡, 陳建榮 申請人:信利半導體有限公司