雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物的製作方法

2023-05-04 22:20:11

雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物的製作方法
【專利摘要】本發明涉及一種雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，更詳細地講，涉及在形成OLED的絕緣膜中，在適用於雷射熱轉印法(laser?induced?thermal?imaging，LITI)時，可形成雙錐形，且脫模性(anti-stiction)優良的聚醯亞胺光敏性組合物。
【專利說明】雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，更詳細地講，涉及通過使用與基板的粘接力優良的物質，在使用雷射熱轉印法(laser induced thermal imaging,LITI)時,可形成雙錐形(double-taper),且脫模性(anti_stiction)優良的聚醯亞胺光敏性組合物。
【背景技術】
[0002]一般來講,在平板顯示器件(Flat Panel Display Device)中，有機發光顯示器件(OLED)是在絕緣基板上形成陽極電極作為下部電極，在陽極電極上形成包括絕緣膜的有機膜層，在有機膜層上形成陰極電極作為上部電極。有機膜層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、空穴抑制層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一個。有機發光器件具備多個像素，且包括絕緣膜(Pixel Defined Layer，像素定義層)來限定各像素並防止電極的短路且用於各層間的平坦化等。作為絕緣膜，可使用有機物及無機物。
[0003]在使用無機物來形成上述絕緣膜時，優點在於，由於膜本身的牢固性優良從而在上述有機發光層轉印之後去除供體基板(donor substrate)的轉印層時不易被剝離,且能夠以較薄的厚度層壓。然而，上述無機物不僅填充導通孔(via hole)內部的能力脆弱，而且在增加膜厚的情況下，會由於應力而導致在導通孔周邊和第一電極的突出的外圍部分產生龜裂，因而有在第一電極與第二電極之間發生短路的危險。
[0004]而且，在使用一般有機物形成絕緣膜的情況下，在形成上述絕緣膜時，為了形成用以限定像素的開口而通過光刻法及溼式蝕刻進行圖案形成(patterning),則會給作為有機物的發光層帶來損傷。
[0005]為此，作為形成上述絕緣膜的方法之一，可舉出雷射熱轉印法(laser inducedthermal imaging, LITI),這是一種將雷射中所發出的光轉換成熱能,利用所轉換的熱能將轉印層轉印至有機發光顯示裝置的基板而形成有機膜層的方法。雷射熱轉印法不僅能夠通過以雷射感應的成像處理來形成高解析度的圖案(pattern)並能夠製造厚度均勻的薄膜，而且使薄膜貼緊，因而排列精密度非常高，且可多層形成，根據雷射束的大小，自小型基板的超微細圖案至大型基板的均勻像素形成圖案均可容易應對。
[0006]過去，在使用雷射熱轉印法形成絕緣膜的情況下，使用聚醯亞胺類的樹脂作為有機物，而在LITI上適用現有一般聚醯亞胺組合物的情況下，無法形成雙錐形，因而存在工序利潤減少的缺點。
[0007]因此，要求有能夠彌補現有有機絕緣膜的缺點的新的組合物。

【發明內容】

[0008]技術課題
[0009]為了解決如上所述的問題，本發明其目的在於提供一種在適用於LITI法時可形成雙錐形的聚醯亞胺光敏性組合物。[0010]而且，本發明其目的在於提供一種利用上述雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物所製造的絕緣膜及包括該絕緣膜的有機發光顯示器件(OLED)。
[0011]解決問題的方案
[0012]為了達到上述目的，本發明提供一種雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於，包含聚醯亞胺前體、輕基苯乙烯高分子、光敏化合物(PAC, photo activecompound)、以及溶劑，上述聚醯亞胺前體含有1，3-雙(3-氨丙基)四甲基二矽氧烷(SiDA)作為二胺(diamine)類單體，或者，含有N_2 (氨乙基)3-氨丙基三甲氧基矽烷(KBM-603)作為胺類單體，或者，含有3-環氧丙氧丙基三甲氧基娃燒(3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane, GPTS)作為保護基(protecting group)。
[0013]而且，本發明提供一種利用上述聚醯亞胺光敏性組合物製造的絕緣膜。
[0014]而且，本發明提供一種包括上述絕緣膜的有機發光器件。
[0015]發明效果
[0016]本發明的聚醯亞胺光敏性組合物在適用於雷射熱轉印法(laser inducedthermal imaging, LITI)時可形成雙錐形，且脫模性優良，因而能夠有效地用於絕緣膜(Pixel Defined Layer)和包括該絕緣膜的有機發光顯示器件。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是雷射轉印工序的概略圖。
【具體實施方式】
[0018]本發明涉及適用於LITI工法時可形成雙錐形的聚醯亞胺光敏性組合物。
[0019]以下詳細說明本發明。
[0020]本發明的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於，包含聚醯亞胺前體、輕基苯乙烯高分子、光敏化合物(PAC, photo active compound)及溶劑,上述聚醯亞胺前體含有1，3_雙(3-氨丙基)四甲基二矽氧烷(SiDA)作為二胺(diamine)類單體，或者，含有N-2(氨乙基)3_氨丙基三甲氧基矽烷(KBM-603)作為胺類單體，或者，含有3-環氧丙氧丙基三甲氧基娃燒(GPTS)作為保護基(protecting group)。
[0021]優選地，上述聚醯亞胺光敏性組合物的特徵在於，包含:
[0022](I)上述聚醯亞胺前體20?40重量份；
[0023](2)羥基苯乙烯高分子10?20重量份；
[0024](3)光敏化合物3?20重量份；以及，
[0025](4)溶劑70?90重量份。
[0026]以下對各成分進行說明。
[0027](I)聚醯亞胺前體
[0028]聚醯亞胺前體是使胺類或二胺類單體成分與二酐成分在極性有機溶劑中進行兩步縮聚，並在末端鍵結保護基(protecting group)來製造,本發明其特徵是,聚醯亞胺前體含有1，3_雙(3-氨丙基)四甲基二矽氧烷(SiDA)作為二胺(diamine)類單體，或者，含有N-2(氨乙基)3_氨丙基三甲氧基矽烷(KBM-603)作為胺類單體，或者，含有3-環氧丙氧丙基三甲氧基娃燒(3-Glycidoxypropy ltrimethoxysi lane, GPTS)作為保護基(protectinggroup)。
[0029]優選地，上述聚醯亞胺前體為由下述化學式I所示的聚醯亞胺前體。
[0030]化學式I
[0031]
【權利要求】
1.一種雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於， 包含聚醯亞胺前體、羥基苯乙烯高分子、光敏化合物、以及溶劑， 上述聚醯亞胺前體含有1，3_雙(3-氨丙基)四甲基二矽氧烷(SiDA)作為二胺類單體； 或者，含有N-2(氨乙基)3-氨丙基三甲氧基矽烷(KBM-603)作為胺類單體； 或者，含有3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷(GPTS)作為保護基。
2.根據權利要求1所述的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於，含有: (1)聚醯亞胺前體20~40重量份； (2)羥基苯乙烯高分子10~20重量份； (3)光敏化合物3~20重量份；以及 (4)溶劑70~90重量份。
3.根據權利要求1所述的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於， 上述聚醯亞胺前體由下述化學式I所示: 化學式I
4.根據權利要求3所述的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於， 上述化學式I的X是從2，2-雙(3，4-脫水二羧基苯基)-六氟丙烷(6FDA)、5-(2，5-二氧代四氫呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1，2- 二羧酸酐(DOCDA)、或2，3，3』，4』 -聯苯四羧酸二酐(a-BPDA)衍生的4價有機基。
5.根據權利要求3所述的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於， 上述化學式I的Y中的一部分是從4，4』 - 二氨基-3，3』 - 二甲基-二苯甲烷(DADM)或2，2-雙(3-氨基-4-羥基苯基)-六氟丙烷(Bis-APAF)衍生的2價有機基。
6.根據權利要求3所述的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於， 上述Y中的3~50摩爾％是用1，3_雙(3-氨丙基)四甲基二矽氧烷(SiDA)或N_2(氨乙基)3-氨丙基三甲氧基矽烷(KBM-603)衍生的有機基。
7.根據權利要求3所述的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於， 上述R是環氧環己基甲基丙烯酸甲酯(ECMMA): 3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷(GPTS)的比率以摩爾比計為80~99: I~20。
8.根據權利要求1所述的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於， 上述羥基苯乙烯高分子的聚苯乙烯換算重量平均分子量(Mw)為4，OOO~20，000。
9.根據權利要求1所述的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於， 上述溶劑是選自於由醇類、乙二醇烷基醚乙酸酯類、乙二醇烷基醚丙酸酯類、乙二醇單烷基醚類、二乙二醇烷基醚類、丙二醇烷基醚乙酸酯類、丙二醇烷基醚丙酸酯類、丙二醇單烷基醚類、二丙二醇烷基醚類、丁二醇單甲醚類、以及二丁二醇烷基醚類、以及Y - 丁內酯所組成的組中的一種以上。
10.根據權利要求1所述的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物，其特徵在於， 進一步包含交聯劑及表面活性劑。
11.一種OLED絕緣膜，其特徵在於， 利用根據權利要求1所述的雷射熱轉印用聚醯亞胺光敏性組合物並以雷射熱轉印法所製造。
12.根據權利要求11所述的OLED絕緣膜，其特徵在於， 上述絕緣膜具有雙錐形圖案。
13.一種有機發光器件(OLED)，其特徵在於， 包括權利要求11所述的絕緣膜。
【文檔編號】H01L51/50GK103975275SQ201280060276
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2012年11月29日 優先權日:2011年12月6日
【發明者】金炳鬱, 尹赫敏, 金東明, 金鎮祐, 黃致容 申請人:東進世美肯株式會社