直流穩壓電源電路的製作方法
2023-05-16 15:21:56
專利名稱：直流穩壓電源電路的製作方法
技術領域：
本發明涉及直流穩壓電源電路，特別是關於，使用PNP型電晶體作為輸出電晶體，輸出線路沒有連接用於電流檢測的電阻的低損失型直流穩壓電源電路中，具有抑制所述輸出電晶體的功率損耗，保護該輸出電晶體的功能的直路穩壓電源電路。
圖7是表示典型的已有技術的直流穩壓電源電路1的電氣結構的方框圖。該直流穩壓電源電路1是通用的所謂三端子穩壓器(regulator)，在從輸入端子T1到輸出端子T2的輸出線路2、3之間，連接著NPN型輸出電晶體Tr1，而輸出線路3上連接著電流檢測電阻S1。
所述輸出端子T2和接地端子T3之間連接著分壓電阻S2、S3，其連接點4連接於差動放大器5的反轉輸入端子上。在所述差動放大器5的非反轉輸入端子上加以基準電壓Vref。從而，所述連接點4的電位比所述基準電壓Vref低得越多，所述差動放大器5給驅動電晶體Tr2的基極以越是大的電流。所述驅動電晶體Tr2的集電極連接於所述輸入端子T1，射極連接於所述輸出電晶體的Tr1的基極。從而，所述連接點4的電位越是比基準電壓Vref低，通過輸出電晶體Tr1輸出越是大的電流，以此進行恆定電壓動作。
而在輸出電晶體Tr1的基極和射極之間連接著電阻S4、S5，而S4和S5的連接點6的電位被輸入過電流保護電路7和輸入輸出間電壓檢測電路8。過電流保護電路7根據所述連接點6和輸出端子T2之間的電壓檢測流經輸出線路3的電流，一旦發生過電流即由所述差動放大器5抑制通往驅動電晶體Tr2的驅動電流，消除所述過電流狀態。
而輸入輸出間電壓檢測電路8檢測所述連接點6和輸入端子T1之間的電壓，一旦該電壓變大，從而輸出電晶體Tr1的功率損耗變大，即抑制通往所述驅動電晶體Tr2的驅動電流。
從而，該直流穩壓電源電路1的輸出電流Io和輸出電壓Vo的關係特性曲線如圖8所示那樣成「7」字形。在該圖8中，符號α1、α2、α3對應於輸入電壓Vi和所述輸出電壓Vo之差、即輸入輸出間電壓Vi-o，該輸入輸出間電壓Vi-o越大，如符號α1～α3所示，輸出電流Io越減少，於是，對於輸出電晶體Tr1的功率損失增大，用抑制輸出電流Io的辦法來保護該輸出電晶體Tr1。
這裡，輸出電晶體Tr1的功率損失Po如式(1)所示Po＝Vi-o×Io ……(1)從而，要使功率損失Po限制於規定水平以內，保護輸出電晶體Tr1，在輸入輸出間電壓Vi-o增大，輸入電壓Vi上升的情況下，必須抑制輸出電流Io。
圖9是另一已有技術的直流穩壓電源電路11的電氣結構的方框圖。在該直流穩壓電源電路11，輸入線路12和輸出線路13之間連接著PNP型輸出電晶體Tr11。在輸出端子T12和接地端子T13之間連接著分壓電阻S11、S12，S11和S12的連接點14的電位被輸入差動放大器15的反轉輸入端子。在該差動放大器15的非反轉輸入端子輸入所述基準電壓Vref，從而，所述連接點14的電位比所述基準電壓Vref低得越多，就輸出越大的驅動電流。
所述差動放大器輸出的驅動電流給了驅動電晶體Tr12的基極。驅動電晶體Tr12的集電極連接於所述輸入線路12，射極連接於驅動電晶體Tr13的基極。驅動電晶體Tr13集電極連接於所述輸出電晶體Tr11的基極，射極經電阻S13接地。從而，所述驅動電流由成達林頓(Darlington)連接的驅動電晶體Tr12、Tr13放大，輸出電晶體Tr11得以驅動。
又，所述連接點14的電位和電阻S13的端子電壓被輸入短路—過電流保護電路16，該過電流保護電路16在連接點14的電位低下的短路狀態和電阻13的端子電壓上升的過電流狀態下，通過線路17由線路18旁路、抑制所述差動放大器15供給驅動電晶體Tr12的驅動電流，進行輸出電晶體Tr11的保護動作。
這樣，直流穩壓電源電路11可以不在輸出線路13設置所述電流檢測電阻S1而在低損耗條件下進行電源供應。換句話說，這樣的直流穩壓電源電路11不能直接檢測輸出線路13的輸出電流，因而檢測連接點14的電壓下降，所述差動放大器15根據其值產生驅動電流。可是，輸出電流Io和輸出電壓Vo的關係如
圖10所示，成「7」字形，像所述圖8所示的直流穩壓電源電路1那樣，對於輸入輸出間電壓Vi-o的增大，希望有從符號α11到α12所示的變化，可是卻和希望相反，幾乎不變。從而，根據所述式(1)，隨著輸入輸出間電壓Vi-o的增加、輸入電壓Vi的增加，輸出電晶體Tr11的功率損耗Po增大，有可能損壞，有必要使輸出電晶體Tr11的額定電流留有餘量。
另一方面，為了防止發生這種不合適的情況，考慮了將輸出電晶體Tr11做成所謂多集電極結構，對於集電極的主電極，設置例如1/100程度的檢測電極，根據流經該檢測電極的電流求集電極電流的方法。
但是，在集成電路上實現輸出電晶體Tr11的情況下，這樣的結構是可能實現的，一旦該直流穩壓電源電路11應該供給的輸出電流Io變大，由於該直流穩壓電源電路11做成輸出電晶體Tr11的元件和其餘部分構成的集成電路兩晶片，輸出電晶體Tr11不能採用所述多集電極結構，故仍然存在不能防止輸出電晶體Tr11損壞的問題。
本發明的目的在於，提供能夠保護輸出電晶體，使其不被在該電晶體產生的損耗所破壞的直流穩壓電源電路。
為了達到上述目的，本發明的直流穩壓電源電路具備作為貫通元件連接於輸入輸出端子之間的PNP型電晶體、對應於輸出端子的電壓的分壓與預定的基準電壓之差控制所述電晶體基極的驅動電流的驅動電流供給裝置，以及檢測所述輸入輸出端子之間的電壓，對應於該檢測結果，使所述驅動電流供給裝置控制的驅動電流受到抑制的驅動電流抑制裝置。
採用上述結構，PNP型電晶體連接於輸入輸出端子之間，將輸出端子的電壓的分壓與預定的基準電壓加以比較，根據兩者之差，驅動電流供給裝置控制所述電晶體基極的驅動電流，從而控制輸出電壓，也就是說，在輸出線路上沒有連接電流檢測電阻，而能控制輸出電壓的低損耗型直流穩壓電源電路中，設置驅動電流控制裝置，檢測輸入輸出端子之間的電壓，根據其檢測結果，該端子之間的電壓越大越是對所述驅動電流加以抑制。
從而，這是一個由分別形成電晶體和它的控制電路的兩片晶片構成的直流穩壓電源電路，即使不能直接檢測電晶體的輸出電流，也能夠抑制輸出電流，防止該電晶體的損耗增大而破壞電晶體。對於例如輸入電壓的增大，能夠抑制輸出電流，從而抑制電晶體的損耗。而因此也就沒有必要過分增加電晶體的額定電流，可以縮小晶片的尺寸。
最好是設置，所述驅動電流一增加，或一旦達到預定值以上，即使所述驅動電流抑制裝置主動起作用的動作控制裝置。採用這種結構，一旦檢測出所述驅動電流例如從對應於無負載的值開始增加，或超過規定閾值，動作控制裝置即使所述驅動電流抑制裝置起作用。從而能夠用檢測輸入輸出端子間的電壓的所述驅動電流抑制裝置內的差動放大器等，在低負載時，還有特別是在電晶體的基極—射極間的閾值電壓低下的高溫時，防止輸出電壓的並非預期的上升。
最好是設置，一旦檢測出所述電晶體的基極—射極間的電壓上升即能使所述驅動電流抑制裝置主動工作的動作控制裝置。採用該結構，一旦檢測出所述基極—射極間電壓從例如無負載和與此相近的狀態對應的電壓上升到額定負載對應的電壓，動作控制裝置即使所述驅動電流控制裝置主動工作。從而將電晶體及其控制電路封裝成一體，在電晶體和控制電路的周圍溫度大致相等時，藉助於能夠用決定電晶體及其導通閾值用的電阻等的簡單結構實現的動作控制裝置，可以控制驅動電流抑制裝置的動作。總之，將用於動作控制的結構加以簡化，可以防止如上所述的低負荷且高溫時輸出電壓的並非預期的上升。
本發明還有的其他目的、特徵、和優點從下述記載可以充分了解。本發明的好處在參照附圖進行的下述說明中可以明白。
圖1是本發明一實施形態的基本的直流穩壓電源電路的電氣結構方框圖。
圖2是表示本發明的直流穩壓電源電路的輸入輸出間電壓Vi-o的變化對應的功率損耗Po的變化曲線。
圖3是表示本發明的直流穩壓電源電路的輸入輸出間電壓Vi-o的變化對應的輸出電流Io的變化曲線。
圖4是本發明另一實施形態的具體的直流穩壓電源電路的電氣迴路圖。
圖5是說明本發明的直流穩壓電源電路的恆壓控制動作的曲線圖。
圖6是本發明又一實施形態的具體的直流穩壓電源電路的電氣迴路圖。
圖7是表示已有技術的典型的直流穩壓電源電路的電氣結構的方框圖。
圖8是說明圖7所示的直流穩壓電源電路的恆壓控制動作用的曲線圖。
圖9是表示其他已有技術的直流穩壓電源電路的電氣結構的方框圖。
圖10是用於說明圖9所示的直流穩壓電源電路的恆壓控制動作的曲線圖。
下面根據圖1～圖3對本發明的一實施形態加以說明。
圖1是表示本發明一實施形態的直流穩壓電源電路20的電氣結構的方框圖。該直流穩壓電源電路20是將PNP型輸出電晶體Q1連接於輸入端子P1和輸出端子P2之間作為通過元件的低損耗型直流穩壓電源電路，由該輸出電晶體Q1和，其餘的電路元件成一體化的集成電路構成的控制電路A0的兩片晶片構成。所述控制電路A0具有基準電壓發生電路A1、分壓電路A2、誤差放大電路A3、基極驅動電路A4(驅動電流供給裝置)和驅動電流抑制電路A5(驅動電流抑制裝置)。在所述控制電路A0設有分別對應於輸出電晶體Q1的射極、基極、集電極的端子P11、P12、P13，同時設有接地端子P3。
在端子P11和接地端子P3之間設置基準電壓發生電路A1，該基準電壓發生電路A1用輸入電壓Vi做成預定的基準電壓Vref，又在端子13和接地端子P3之間設置由分壓電阻R1、R2構成的分壓電路A2，該分壓電路A2輸出將輸出端子P2的輸出電壓Vo分壓成的電壓Vadj(調整用電壓)。這樣得到的電壓Vadj和所述基準電壓Vref之差由誤差放大電路A3放大。該誤差放大電路A3以差動放大器構成，端子P11和接地端子P3之間的電壓、即所述輸入電壓Vi作為電源電壓加在該誤差放大電路A3上。所述誤差放大電路A3的輸出供給基極驅動電路A4，該基極驅動電路A4，對應於所述誤差放大電路A3的輸出，所述電壓Vadj比基準電壓Vref低得越多，也就是輸出電壓Vo越低，通過端子P12越多地引入輸出電晶體Q1的基極的驅動電流Id，使輸出電流Io增加，這樣來實現恆定電壓動作。
又，基極驅動電路A4，一旦所述驅動電流Id變大，即抑制於預定電平，以此實行過電流保護，同時隨著所述電壓Vadj的下降抑制所述驅動電流Id，進行短路保護動作。
還有，在本實施形態，所述端子P11、P13之間設置驅動電流抑制電路A5，一旦輸入輸出間電壓Vi-o達到預定值以上，該驅動電流抑制電路A5即使基極驅動電路A4抑制驅動電流Id的引入。
圖2和圖3分別表示與輸入輸出間電壓Vi-o的變化對應的功率損耗Po和輸出電流Io的變化。在沒有設置所述驅動電流抑制電路A5的結構中，相對於輸入輸出電壓Vi-o的增加，功率損耗Po的增加如參考符號γ1所示。因此，將輸入輸出間電壓Vi-o的額定值為V1，以其設計餘量為V2時，輸出電晶體的安全工作區域為Po1。與此相反，如本實施形態設置驅動電流抑制電路A5，以此，相對於輸入輸出間電壓Vi-o的增加，抑制功率損耗Po如參考符號γ2所示，藉助於此，可以將所述安全工作區域限制在Po2的更狹窄的範圍內。
同樣地，輸出電流Io也可以抑制於如參考符號γ11到γ12所示的範圍，可以將輸出電晶體Q1的安全工作區域限制於參考符號γ21到γ22所示的狹窄區域。
這樣，由輸出電晶體Q1和控制電路A0兩片晶片構成的，輸出線路上沒有連接電流檢測電阻，能夠降低損耗的直流穩壓電源電路20，能夠抑制輸入輸出間電壓Vi-o大的時候輸出電晶體Q1的功率損耗，同時在輸出短路時進行保護。而且以此使得輸出電晶體Q1的額定電流不必隨便增大，可以縮小晶片尺寸。
下面根據圖4和圖5對本發明的其他實施形態加以說明。
圖4是本發明其他實施形態的直流穩壓電源電路21的電氣迴路圖。該直流穩壓電源電路21顯示出所述直流穩壓電源電路20的具體結構，對應的部分標以相同的參考符號。該直流穩壓電源電路21中，控制電路22由，恆壓電路23(驅動電流供給裝置)、過電流保護電路24、短路保護電路25、驅動電流抑制電路26(驅動電流抑制裝置)、動作控制電路27(動作控制裝置)和分壓電路28構成。
在輸出端子P2和接地端子P3之間連接著由分壓電阻R1、R2構成的分壓電路28，從這兩個分壓電阻R1、R2的連接點、輸出調整用端子29輸出由輸出電壓Vo分壓的電壓Vadj，加到恆壓電路23內的差動放大器31的反轉輸入端子。在所述差動放大器31的非反轉輸入端子上，輸入未圖示的基準電壓發生電路產生的基準電壓Vref。
所述恆壓電路23由該差動放大器31、和成達林頓(Darlington)連接的驅動電晶體Q2、Q3構成。驅動電晶體Q2的集電極經端子P11連接到端子P1，被加以輸入電壓Vi，射極通過短路保護電路25內的電阻R3、R4和過電流保護電路24內的電阻R5連接於接地端子P3，同時，連接於驅動電晶體Q3的基極。驅動電晶體Q3的集電極通過端子P12連接於輸出電晶體Q1的基極，射極通過所述電阻R4、R5連接於接地端子P3。
從而，所述電壓Vadj越是比基準電壓Vref低，差動放大器31越是將大電流輸入驅動電晶體Q2的基極，因此，輸出電晶體Q1的驅動電流Id增加，輸出電壓保持一定的恆壓工作狀態得以實現。
所述短路保護電路25，由所述驅動電晶體Q2的射極電流流過的電阻R3、通過該電阻R3的電流和通過所述驅動電晶體Q3的驅動電流Id流過的所述電阻R4、由所述電阻R4的端電壓驅動而導通/截止的電晶體Q4、以及能夠將流向所述驅動電晶體Q2的驅動電流旁路的一對旁路電晶體Q5、Q6構成。
該短路保護電路25在式(2)的條件下動作，Vadj+VBE5≈VBE4+R5×Id ……(2)其中VBE5為旁路電晶體Q5導通所需要的基極—射極間電壓，VBE4為電晶體Q4導通時所需要的基極—射極間電壓，也就是說，用旁路電晶體Q5、Q6旁路、抑制從所述差動放大器31流往驅動電晶體Q2的驅動電流，使其成為與輸出電壓Vo對應的驅動電流Id，實現圖5所示的「7」字形的特性，在輸出電壓下降的情況下保護輸出電晶體Q1。而且，一旦輸出端子P2完全接地，即變成Vadj＝0伏特，上述(2)式變成VBE5＝(R4+R5)×Ids ……(3)以Ids表示的輸出電晶體Q1的基極電流受到抑制，短路保護動作得以實現。
所述動作控制電路27由兩個電晶體Q7、Q8及其偏置電阻R6、R7構成。電晶體Q7與上述電晶體Q4並聯設置，所述電阻R4產生的端電壓經電阻R6後電壓下降，而後被輸入其基極。而電晶體Q7的集電極通過電阻R7連接於輸入端子P1，該電晶體Q7一旦導通，由該集電極電流產生的電阻R7的端電壓即導致開關電晶體Q8導通。從而，一旦所述驅動電流Id變得比由電阻R4、R6和電晶體Q7的基極—射極間電壓VBE7決定的閾值電壓還大，經開關電晶體Q8加在所述輸入端子P1的輸入電壓Vi被加在驅動電流抑制電路26上，該驅動電流抑制電路26主動起作用。
驅動電流抑制電路26由，構成電流鏡像電路的一對電晶體Q9、Q10和電阻R8、R9、由所述動作控制電路27的輸出驅動的電晶體Q11及其偏置電阻R10、以及電晶體Q12構成。成對的電晶體Q9、Q10的射極分別通過電阻R8、R9連接於所述輸入端子P1。電晶體Q9的集電極通過電阻R11和經過電晶體Q11到端子P13連接於輸出端子P2。電晶體Q12用於上述電流鏡像電路的輸出，其射極連接於電晶體Q9、Q10的基極和電晶體Q10的集電極，基極連接於電阻R11和電晶體Q9的集電極的連接點上，從集電極向線路32輸出如下所述與輸入輸出間電壓Vi-o對應的電流If。所述動作控制電路27的電晶體Q8一旦導通，由電阻R10在電晶體Q11的基極上加上偏壓，以此使該電晶體Q11導通，所述電流If被輸出到所述線路32。
而過電流保護電路24由，與所述電晶體Q5、Q6一樣能夠將差動放大器31流往驅動電晶體Q2的驅動電流加以旁路的旁路電晶體Q13和進行該旁路用的所述電阻R5及R12所構成。流經所述線路32的電流If流往旁路電晶體Q13的基極。而電阻R5的端電壓經輸入電阻R12輸入該旁路電晶體Q13的基極。從而，該過電流保護電路24，按照旁路電晶體Q13導通所需要的基極—射極間電壓VBE13滿足式(4)的要求動作，VBE13≈R12×If+R5×(If+Id)……(4)從而，一旦由於過電流，所述輸入輸出間電壓Vi-o變大，電流If變大，上式的R12×If、R5×If變大，R5×Id變小，亦即驅動電流Id受到抑制。於是對於過電流的保護動作得以進行。
在如上構成的控制電路22中，本發明的驅動電流控制電路26對輸出電晶體Q1的損耗Po的抑制動作詳細敘述如下。輸出電晶體Q1的輸出電流Io表達如下Io＝hFE×Id ……(5)(其中，hFE為輸出電晶體Q1的電流放大率)，因此根據上述式(1)，功率損耗Po為Po＝Vi-o×hFE×Id ……(6)從而被理解為，對應於電流放大率hFE和輸入輸出間電壓Vi-o的關係，以及該輸入輸出間電壓Vi-o，可以用控制輸出電晶體Q1的驅動電流Id的方法，將功率損耗Po控制在規定水平以下。
與此相應，在所述驅動電流抑制電路26的動作狀態下，式(7)成立。
Vi-o＝2×VBE+R11×I11+V8+VCE11(sat)……(7)其中，VBE為電晶體Q9、Q10、Q12導通所需要的基極—射極間電壓，I11為流經電阻R11的電流值，V8為在電阻R8的電壓降，VCE11(sat)為電晶體Q11的集電極—射極間的飽和電壓。
而由於電晶體Q9、Q10的電流鏡像動作，I11≈If。從而，在所述式(7)，假如Vi-o＝3伏特，VBE＝0.7伏特，R11＝10千歐姆，V8＝0.2伏特，VCE11(sat)＝0.1伏特，則If＝130微安。而如果Vi-o＝20伏特，則If＝1.83毫安。
從而，根據所述式(4)，與這樣的電流If的增加成反比，驅動電流Id減少，上述功率損耗Po被控制在規定水平以下，這樣的驅動電流Id的抑制動作得以實現。藉助於此，如圖5的參考符號β1到β2、β3所示，隨著輸入輸出間電壓Vi-o的增大，輸出電流得到抑制。
這樣，用輸出電晶體Q1和控制電路22兩片晶片構成，在輸出線路上不連接電流輸出電阻，實現低損耗的直流穩壓電源電路21，對於輸出電晶體Q1的功率損耗Po的增大，輸出電流Io受到抑制，因此能夠防患於未然，防止輸出電晶體Q1受損傷。而且因此可以不必隨便增大輸出電晶體Q1的額定電流，可以縮小晶片尺寸。
而且，一旦驅動電流抑制電路26經常主動工作，在接近無負載狀態下輸入電壓Vi高的情況下，電流經過電晶體Q9、Q11流往輸出端子P2。另一方面，電晶體基極—射極間的閾值電壓，每上升攝氏1度降低2毫伏。因此，特別是在高溫狀態下，隨著上述基極—射極間電壓VBE的下降，輸出電壓Vo發生並非希望的上升，但是，由於動作控制電路27的作用，一旦驅動電流Id減少，驅動電流抑制電路26不主動工作，從而，也不會發生上面所說的不希望的情況。
下面根據圖6對本發明的又一實施形態加以說明。
圖6是本發明的又一實施形態的直流穩壓電源電路41的電氣迴路圖。該直流穩壓電源電路41類似於上述直流穩壓電源電路21，對應的部分使用相同的參考符號，省略其說明。該直流穩壓電源電路41中，動作控制電路27a由開關電晶體Q21、電阻R21構成，開關電晶體Q21的基極連接於上述驅動電晶體Q3的集電極，即輸出電晶體Q1的基極，集電極連接於上述電阻R10和電晶體Q11的基極，射極經電阻R21連接於上述輸入端子P1。
上述直流穩壓電源電路21中，一旦驅動電流Id達到規定水平以上，驅動電流抑制電路26即主動起作用，而也可以像這個直流穩壓電源電路41那樣，檢測輸出電晶體Q1的基極—射極間電壓的上升，使驅動電流抑制電路26主動起作用。這樣的結構，採用將輸出電晶體Q1和控制電路22成一體封裝等措施，適於在能夠使開關電晶體Q21和輸出電晶體Q1處於相同溫度環境的情況下實施，可以簡化進行動作控制所需的結構。
而且與該結構一樣在輸出電晶體和控制電路成一體構成的情況下可能實施的、上述輸出電晶體為多集電極構造的結構相比，該結構也由於輸出電晶體Q1不需要特殊構造，可以實現低成本。
還有，上述動作控制中，也可以檢測例如所述驅動電流Id變得比無負載值還大，或以超過規定的變化率變大等，檢測所述驅動電流Id的增加。
在發明的詳細說明一項中說明的具體實施狀態或實施例是為了清楚說明本發明的技術內容，不應該限定於這樣的具體例子狹義地加以解釋，在本發明的精神和下述權利要求書的範圍內，可以進行各種變更後加以實施。
權利要求
1.一種直流穩壓電源電路，沒有在輸入輸出端子間連接電流檢測電阻，其特徵在於，具備作為貫通元件連接於輸入輸出端子之間的PNP型電晶體、對應於輸出端子的電壓的分壓與預定的基準電壓之差控制所述電晶體基極的驅動電流的驅動電流供給裝置，以及檢測所述輸入輸出端子之間的電壓，對應於該檢測結果，使所述驅動電流供給裝置控制的驅動電流受到抑制的驅動電流抑制裝置。
2.根據權利要求1所述的直流穩壓電源電路，其特徵在於，還具備，所述驅動電流一增加，或超過預定值，即使所述驅動電流抑制裝置主動工作的動作控制裝置。
3.根據權利要求1所述的直流穩壓電源電路，其特徵在於，還具備，一旦檢測到所述電晶體的基極—射極間電壓上升，即使所述驅動電流抑制裝置主動工作的動作控制裝置。
4.一種直流穩壓電源電路，沒有在輸入輸出端子間連接電流檢測電阻，其特徵在於，具備作為貫通元件連接於輸入端子和輸出端子之間的PNP型輸出電晶體、根據從所述輸入端子來的輸入電壓作成預定的基準電壓的基準電壓發生電路、將輸出端子的輸出電壓分壓，輸出調整用的電壓的分壓電路、將所述調整用的電壓和所述基準電壓之差放大後加以輸出的誤差放大電路、對應於所述誤差放大電路的輸出，調整用的電壓越是比基準電壓低，越多地輸入所述輸出電晶體基極的驅動電流的基極驅動電路、以及檢測所述輸入輸出端子之間的電壓，對應於該檢測結果，使所述基極驅動電路的驅動電流的輸入受到抑制的驅動電流抑制電路。
5.根據權利要求4所述的直流穩壓電源電路，其特徵在於，由設置所述輸出電晶體的晶片和集所述基準電壓發生電路、所述分壓電路、所述誤差放大電路、所述基極驅動電路以及所述驅動電流抑制電路為一體的控制電路的晶片，兩片晶片構成。
6.一種直流穩壓電源電路，沒有在輸入輸出端子間連接電流檢測電阻，其特徵在於，具備作為貫通元件連接於輸入端子和輸出端子之間的PNP型輸出電晶體、將所述輸出端子的輸出電壓分壓，輸出調整用的電壓的分壓電路、對應所述調整用的電壓和所述預定的基準電壓之差，控制所述輸出電晶體基極的驅動電流，使所述輸出電壓保持一定的恆壓電路、隨著所述調整用的電壓的下降，抑制所述驅動電流，對應所述輸出電壓的下降，進行所述輸出電晶體的保護動作的短路保護電路、輸出所述輸入輸出端子之間的電壓對應的電流，使所述驅動電流受到抑制的驅動電流抑制電路、使所述驅動電流抑制電路主動工作的動作控制電路、以及在所述驅動電流超過預定值時，或根據所述驅動電流抑制電路來的電流，抑制所述驅動電流，進行過電流保護動作的過電流保護電路。
7.根據權利要求6所述的直流穩壓電源電路，其特徵在於，所述動作控制電路，一旦所述驅動電流增加或超過預定值，即使所述驅動電流抑制電路主動工作。
8.根據權利要求6所述的直流穩壓電源電路，其特徵在於，所述動作控制電路，一旦檢測到所述輸出電晶體的基極—射極間電壓上升，即使所述驅動電流抑制電路主動工作。
9.根據權利要求6所述的直流穩壓電源電路，其特徵在於，由設置所述輸出電晶體的晶片和集所述分壓電路、所述恆壓電路、所述短路保護電路、所述驅動電流抑制電路、所述動作控制電路以及所述過電流保護電路為一體的控制電路的晶片，兩片晶片構成。
全文摘要
本直流穩壓電源電路具備接於輸入輸出端子間的PNP型輸出電晶體、以輸出端壓的分壓與基準電壓之差控制輸出電晶體基極驅動電流的基極驅動電路和根據檢測到的輸入輸出端子間的電壓抑制基極驅動電路的驅動電流的電路，輸入輸出間電壓越大該抑制電路越使基極驅動電路流往輸出電晶體的驅動電流受到抑制，並抑制輸出電流。以此使不在輸出線路上連接電流檢測電阻，具有集成化控制電路的電源的輸出電晶體功率損耗受抑制，防止其損傷。
文檔編號G05F1/10GK1164686SQ9611080
公開日1997年11月12日 申請日期1996年7月10日 優先權日1995年7月13日
發明者仲島明生, 佐藤功 申請人:夏普株式會社