一種定點浸錫機構的製作方法
2023-05-15 21:09:26 2
本發明涉及熱浸鍍設備技術領域,具體涉及一種適用於線圈的定點浸錫機構。
背景技術:
線圈等電氣元件在加工完成後,切割引線腳並對其進行鍍錫處理,使錫金屬或合金沉積在電氣元件的引腳表面,形成均勻緻密、結合力好的金屬層,起到保護防氧化的作用,並令引線腳具有良好的可焊性,為下道工序做準備。目前,市場上的傳統自動浸錫機在對變壓器骨架上的針座上的針腳進行浸錫處理時,由於錫液溫度高且表面波動大,浸錫長度不易控制,不僅無法做到定點浸錫,而且容易燙壞骨架擋牆或者定位腳,從而導致返工率高甚至增加不良品,報廢率高。
技術實現要素:
為了克服現有技術的不足,本發明的目的在於提供一種定點浸錫機構,該浸錫機構在浸錫過程中能做到精準的定點浸錫,浸錫效果好,大大提高了產品的合格率,有效地解決了現有技術中不能定點浸錫、易燙壞骨架擋牆或定位腳的問題。
為解決上述問題,本發明所採用的技術方案如下:
一種定點浸錫機構,其包括錫爐、錫杯和浸錫升降裝置;所述錫爐上開設有熔腔,所述錫爐的一側上設置有用於清除錫面氧化物的刮錫裝置,所述浸錫升降裝置設置在所述錫爐的另一側上;所述錫杯設置在所述錫爐的上方,所述錫杯通過浸錫連接板與所述浸錫升降裝置連接並可隨浸錫升降機構的移動部分浸入熔腔內;所述錫杯包括浸錫板和與所述浸錫板固接的連接臂,所述浸錫板上開設有與骨架針腳相匹配的貫通的浸錫孔、及與骨架定位腳相匹配的避讓孔,所述連接臂與所述浸錫連接板螺接。
作為本發明優選的實施方式,所述浸錫板上向下凹陷形成有浸錫凹槽,所述浸錫孔和避讓孔均設置在所述浸錫凹槽內。
作為本發明優選的實施方式,所述浸錫凹槽的深度為1~2mm。
作為本發明優選的實施方式,所述浸錫孔的直徑為7~9mm。
作為本發明優選的實施方式,所述浸錫連接板上開設有數個均勻布設的第一散熱孔。
作為本發明優選的實施方式,所述刮錫裝置包括可沿豎直方向呈直線往復運動的第一刮錫氣缸、可沿水平方向呈直線往復運動的第二刮錫氣缸和用於清除錫面氧化物的刮錫條;所述第一刮錫氣缸通過氣缸連接板與所述第二刮錫氣缸連接,所述刮錫條設置在所述錫爐的熔腔的上方並與所述第二刮錫氣缸連接。
作為本發明優選的實施方式,所述刮錫條上開設有數個均勻布設的第二散熱孔。
作為本發明優選的實施方式,所述第一刮錫氣缸與所述錫爐之間設置有用於容置錫面氧化物殘渣的錫渣盒,所述錫渣盒靠近所述第一刮錫氣缸的一側上設置有氣缸防護板。
作為本發明優選的實施方式,所述浸錫升降裝置包括升降連接板、兩根導向杆、固定板、連接塊、及可沿豎直方向呈直線往復運動的第一浸錫氣缸和第二浸錫氣缸;兩根所述導向杆的一端分別與所述升降連接板的兩端固定連接、另一端與所述固定板的兩端滑動連接;每根所述導向杆上固定設置有兩個限位器,所述連接塊可滑動地設置在兩根所述導向杆上並位於兩個所述限位器之間;所述第一浸錫氣缸的底部固設在所述連接塊上,所述第二浸錫氣缸的底部固設在所述固定板上,所述第一浸錫氣缸的輸出軸與所述第二浸錫氣缸的輸出軸固定連接。
作為本發明優選的實施方式,所述第一浸錫氣缸和第二浸錫氣缸均為高精度氣缸。
相比現有技術,本發明的有益效果在於:
本發明所述的定點浸錫機構通過在錫杯上開設與線圈骨架相匹配的浸錫孔,利用錫液面的表面張力,當錫杯通過浸錫升降裝置部分沉降至錫液面中時,錫液會在浸錫孔中形成向上凸起的直徑為1~1.5mm的半球狀錫液珠,當線圈骨架的針腳與錫液珠接觸便可完成浸錫,不僅可以達到精準的定點浸錫,浸錫效果好,大大提高了產品的合格率,而且能夠很好地避免了因錫液高溫而容易燙壞骨架定位腳或骨架擋牆。進一步地,浸錫升降裝置包括有用於控制錫杯浸錫深度的第一浸錫氣缸和用於控制刮錫時錫杯與錫液面距離的第二浸錫氣缸,一方面使得骨架針腳的浸錫長度易於精準控制,從而使得浸錫更加精準,浸錫效果好;另一方面通過第二浸錫氣缸精確控制刮錫時錫杯與錫液面距離,使得錫爐內的錫液表面得到有效保溫,從而減少錫液面氧化殘渣的生成,有利於節省昂貴的錫料,降低生產成本。
附圖說明
圖1為本發明所述的定點浸錫機構的立體結構示意圖;
圖2為本發明所述的錫杯的結構示意圖;
圖3為本發明所述的浸錫升降裝置的結構示意圖;
圖4為本發明所述的刮錫裝置的結構示意圖;
圖中,1、錫爐;11、爐體;12、控制箱;13、安裝連接板;2、錫杯;21、浸錫板;22、連接臂;23、浸錫孔;24、避讓孔;25、浸錫凹槽;3、浸錫升降裝置;31、浸錫連接板;32、升降連接板;33、導向杆;34、固定板;35、連接塊;36、第一浸錫氣缸;37、第二浸錫氣缸;38、第一散熱孔;39、限位器;4、刮錫裝置;41、第一刮錫氣缸;42、第二刮錫氣缸;43、刮錫條;44、氣缸連接板;45、導杆;46、第二散熱孔;47、錫渣盒;48、氣缸防護板。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細說明。
如圖1所示,為本發明所述的一種定點浸錫機構,該定點浸錫機構其包括錫爐1、錫杯2和浸錫升降裝置3,錫爐1的一側上設置有用於清除錫面氧化物的刮錫裝置4,錫杯2設置在錫爐1的上方,浸錫升降裝置3設置錫爐1的另一側上並通過浸錫連接板31與錫杯2固定連接,錫杯2在浸錫升降裝置3的控制下可沿豎直方向部分下降至錫爐1內或遠離錫爐1。具體地,錫爐1包括爐體11和設置在爐體11一端的控制箱12,爐體11上開設有充滿有熔融錫液的熔腔,熔腔的底部設置有溫度探針和加熱管,控制箱12分別與溫度探針和加熱管電連接,控制箱12加熱控制熔腔的溫度並使熔腔內的錫液處於熔融狀態,可通過控制箱12控制熔腔內錫液的溫度和狀態,根據實際工作的需要加熱或冷卻,控制方便。進一步地,錫爐1的底部設置有用於將定點浸錫機構安裝在機架上的安裝連接板13,該安裝連接板13的中間設有用於散熱的通孔。
如圖2所示,錫杯2包括浸錫板21和連接臂22,浸錫板21與連接臂22固定連接,連接臂22與浸錫連接板31螺接;為了便於加工生產,浸錫板21與連接臂22一體成型。浸錫板21為由底板和兩個側板構成的u型板,浸錫板21的底板上開設有與線圈骨架針腳相匹配的浸錫孔23和與線圈骨架定位腳相匹配的避讓孔24;浸錫孔23是貫通的,以使錫液通過並與線圈骨架的針腳接觸完成浸錫,避讓孔24不是貫通的,用以保護線圈骨架的定位腳不受高溫的錫液燙壞。本發明通過在錫杯2上開設有浸錫孔23,當錫杯2通過浸錫升降裝置3部分沉降至錫液面中時,利用錫液面的表面張力,錫液會在浸錫孔23中形成向上凸起的直徑為1~1.5mm的半球狀錫液珠,當線圈骨架的針腳與錫液珠接觸便可完成浸錫,不僅可以達到精準的定點浸錫,浸錫效果好,大大提高了產品的合格率,而且能夠很好地避免了因錫液高溫而容易燙壞骨架定位腳或骨架擋牆。浸錫孔23和避讓孔24的位置對應線圈骨架設置,浸錫孔23和避讓孔24的數量可根據實際浸錫的需要確定,避讓孔24的凹陷深度根據實際浸錫的線圈骨架的定位腳尺寸確定。進一步地,為了防止錫杯2部分沉降至錫液面中時錫液從浸錫板21四周流入而燙壞骨架擋牆,浸錫板21的中部上向下凹陷形成有浸錫凹槽25,浸錫孔23和避讓孔24均設置在浸錫凹槽25內;優選地,浸錫凹槽25的凹陷深度為1~2mm。為了使形成的半球狀錫液珠直徑適中且能適用於多種規格的線圈骨架尺寸,優選地,浸錫孔23的直徑為7~9mm。
如圖3所示,浸錫升降裝置3包括升降連接板32、兩根導向杆33、固定板34、連接塊35、及可沿豎直方向作直線往復運動的第一浸錫氣缸36和第二浸錫氣缸37。升降連接板32與浸錫連接板31螺接,為了防止錫杯2的熱量通過升降連接板32和浸錫連接板31傳遞至浸錫氣缸而影響浸錫氣缸的使用壽命,浸錫連接板31上開設有數個均勻布設的第一散熱孔38。兩根導向杆33的其中一端分別與升降連接板32的兩端固定連接、另一端與固定板34的兩端滑動連接;每根導向杆33上固定設置有兩個限位器39,連接塊35可滑動地設置在兩根導向杆33上並位於兩個限位器39之間;第一浸錫氣缸36的底部固設在連接塊35上;第二浸錫氣缸37的底部固設在固定板34上,第一浸錫氣缸36的輸出軸與第二浸錫氣缸37的輸出軸固定連接。第一浸錫氣缸36用於控制錫杯2在錫液內的浸錫深度,通過控制第一浸錫氣缸36的伸縮進程達到控制錫杯2的沉降深度,也即控制錫液珠的直徑大小,從而使得骨架針腳的浸錫長度可控,大大提高浸錫效果;第二浸錫氣缸37用於控制錫杯2刮錫時與錫液面的距離,使得刮錫時錫杯2整體與錫液面之間具有適合的高度,既不會阻礙刮錫裝置4的動作,又使得錫爐1內的錫液表面得到有效保溫,從而減少錫液面氧化殘渣的生成,有利於節省昂貴的錫料,降低生產成本。為了使浸錫更加精準增強浸錫效果,第一浸錫氣缸36和第二浸錫氣缸37均為高精度氣缸。
如圖4所示,刮錫裝置4包括可沿豎直方向作直線往復運動的第一刮錫氣缸41、可沿水平方向作直線往復運動的第二刮錫氣缸42和用於清除錫面氧化物的刮錫條43。第一刮錫氣缸41通過截面呈l形的氣缸連接板44與第二刮錫氣缸42連接,刮錫條43設置在錫爐1的熔腔的上方並與第二刮錫氣缸42連接。其中,第一刮錫氣缸41的結構設置與第一浸錫氣缸36的結構設置相似,第一刮錫氣缸41驅動第二刮錫氣缸42作豎直升降運動,進而使第二刮錫氣缸42帶動刮錫條43作升降運動,通過第一刮錫氣缸41調節刮錫條43伸入到錫爐1熔腔內的高度,使得刮錫條43能夠適應錫爐1熔腔內錫液面高度的變化,順利地刮除錫液表面的氧化物殘渣,因而不需要頻繁地往錫爐1內加入錫料,提高了生產效率。第二刮錫氣缸42設置在氣缸連接板44上且其輸出軸穿過氣缸連接板44與刮錫條43連接,氣缸連接板44的兩側上設置有導杆45,導杆45穿過氣缸連接板44與刮錫條43連接;第二刮錫氣缸42驅動刮錫條43作水平運動。同樣地,防止刮錫條43的熱量傳遞至刮錫氣缸而影響刮錫氣缸的使用壽命,刮錫條43靠近刮錫氣缸的一側上開設有數個均勻布設的第二散熱孔46。第一刮錫氣缸41與錫爐1之間設置有用於容置錫面氧化物殘渣的錫渣盒47,錫渣盒47靠近第一刮錫氣缸41的一側上設置有用於隔熱的氣缸防護板48。
本發明的具體工作過程如下:當錫爐1內的錫液溫度升至生產所需的溫度時,刮錫裝置4開始刮錫,首先,第一刮錫氣缸41驅動第二刮錫氣缸42和刮錫條43作上升運動提高刮錫條43的高度,再由第二刮錫氣缸42驅動刮錫條43作水平運動將刮錫條43送至指定的位置,然後第一刮錫氣缸41驅動第一刮錫氣缸41驅動第二刮錫氣缸42和刮錫條43作下降運動將刮錫條43降低並接觸到錫爐1內的錫面,接著第二刮錫氣缸42驅動刮錫條43作水平運動,從而使刮錫條43在水平運動下將錫面的氧化物和錫渣颳走,此時刮錫工序完成。然後,浸錫升降裝置3開始工作,首先,第二浸錫氣缸37驅動錫杯2作下降運動,直至錫杯2靠近錫爐1內的錫面為止,然後第一浸錫氣缸36繼續驅動錫杯2作下降運動,根據實際的浸錫長度使錫杯2部分沉浸於錫液中,此時錫液會經過浸錫孔23向上凸起形成半圓狀的錫液珠,該錫液珠與線圈骨架的針腳接觸完成定點浸錫,然後第一浸錫氣缸36繼續驅動錫杯2作上升運動,使錫杯2遠離錫液面,接著第二浸錫氣缸37驅動錫杯2作上升運動使錫杯2上升至適合的高度,然後重複下一次刮錫工序。
上述實施方式僅為本發明的優選實施方式,不能以此來限定本發明保護的範圍,本領域的技術人員在本發明的基礎上所做的任何非實質性的變化及替換均屬於本發明所要求保護的範圍。