具有反射接合焊盤的發光器件及製造具有反射接合焊盤的發光器件的方法

2023-05-21 13:03:46 1

專利名稱：具有反射接合焊盤的發光器件及製造具有反射接合焊盤的發光器件的方法
技術領域：
本發明涉及半導體發光器件以及製造發光器件的方法.
背景技術：
半導體發光器件，例如發光二極體(LED)或雷射二極體，在很多 應用中被廣泛使用.正如本領域技術人員熟知的，半導體發光器件包 括具有被配置用於在其通電時發射相干和/或非相干光的一個或多個 半導體層的半導體發光元件.如本領域技術人員所熟知的，發光二極 管或雷射二極體，總體上包括在微電子襯底上的二極體區域.微電子 襯底可以是，例如，砷化鎵，磷化鎵，其合金，碳化矽和/或藍寶石. LED的繼續發展已經帶來能褒蓋可見光謙或更遠的高效率和機械穩固 的光源。這些特徵，與固態器件的潛在的長使用壽命相耦合，可實現 多種新顯示應用，並可將LED置於與牢固確立的白熾燈和螢光燈竟爭 的位置上。
許多發展興趣和商業活動近期集中在製造在碳化矽中或上面的 LED,因為這些LED能發射在可見光譜的藍色/綠色部分中的輻射.參 見，例如，Edmond等人的趙目為"Blue Light-Emitting Diode With High External Quantum Efficiency"的美國專利5， 416， 342，其被 賦予本申請的受讓人，在此併入其公開的全部內容作為參考.對LED 還有很多關注，包括在碳化矽村底上的氮化鎵基二極體區域，因為這 些器件還可發射具有高效率的光，參見，例如，Linthicum等人的趙 目為"Pendeoepitaxial Gallium Nitride Semiconductor Layers On Silicon Carbide Substrates"的美國專利6， 177， 688，在此併入其 公開的全部內容作為參考.
傳統LED的效率會因它們不能發射由它們的有源區產生的所有光 而受到限制.當LED被通電時，從它的有源區發出的光(在所有方向 上)可能由於例如光吸收線接合焊盤而被阻止脫離該LED.典型地，在 氮化鎵基LED中，提供電流擴展接觸層以改善跨越發光器件的截面的
栽流子注入的均勻性.電流通過接合烀盤和p型接觸注入到LED的p 側。p型接觸層提供基本上均勻的栽流子注入到有源區中.這樣，跨越 有源區的基本均勻的光子發射可由電流擴展層的使用獲得，例如基本 上透明的P型接觸層.然而，線接合焊盤一般不是透明結構，且因此 入射到線接合焊盤上的從LED的有源區發射的光子可被線接合焊盤吸 收。例如，在一些情況下，入射到線接合焊盤上的大約70%的光可被 吸收.這樣的光子吸收可減少從LBD逃逸的光的f並會降低LED的效 率。

發明內容
本發明的一些實施例提供發光器件和/或製造包括半導體材料的 有源區和在有源區上的笫一接觸的發光器件的方法.配罝笫一接觸以 便由有源區發射的光子穿過第一接觸.在第一接觸上提供吸收光子的 線接合焊盤.該線接合焊盤具有小於第一接觸的面積的面積.反射結 構設置在第一接觸和線接合焊盤之間以便該反射結構具有比笫一接觸 小的面積。從笫一接觸與有源區相對地提供笫二接觸.
在一些實施例中，反射結構具有與線接合焊盤基本相同的面積. 例如，反射結構可全同於線接合焊盤.在一些實施例中，反射結構沒 有延伸超過線接合焊盤.
在本發明的一些實施例中，P型半導體材料設置在第一接觸和有源 區之間。在本發明的其它實施例中，n型半導體材料設置在笫一接觸和 有源區之間.有源區可以是III族氮化物基有源區.
在本發明的特定實施例中，反射結構包括反射金屬層.反射結構 可與線接合焊盤自對準.在本發明的一些實施例中，反射結構包括第 一接觸的粗糙化區城並且線接合焊盤直接在第一接觸上.粗糙化區域 可與線接合焊盤自對準.
在本發明的另外的實施例中，反射結構包括第一接觸的粗糙化區 域和在第 一接觸的粗糙化區域上的反射金屬層.


圖1是示出根據本發明的一些實施例的具有反射接合焊盤結構的 半導體發光器件的截面困.
圖2A和2B是示出根據本發明的一些實施例的半導體器件的製造 的截面圖。
圖3是根據本發明的另外的實施例的發光器件的截面困.
具體實施例方式
現在將參考附圖更全面地描述本發明，其中示出了本發明的實施 例。然而，本發明不應該理解為局限於這裡所列出的實施例.更確切 地說，提供這些實施例以便本公開將是全面的和完整的，並且將向本 領域技術人員全面傳達本發明的範圍.在附圖中，為了清楚起見放大 了層和區域的厚度.類似的數字始終代表類似的元件.如在這裡使用 的，術語"和/或"包括相關列舉的項的一個或多個的任何和所有組合.
這裡使用的術語只是描述具體實施例的目的，並不意味著限制本 發明。如這裡使用的，單數形式"一"、"一個"和"該"還意味著 包括複數形式，除非上下文另外清楚地說明了.還將理解的是，當用 在該說明書中時，術語"包括"和/或"包含"規定存在所述的特徵、 整數、步驟、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或者增加一個 或者多個其它特徵、整數、步驟、搮作、元件、部件、和/或其組合.
將理解的是，當稱元件，例如層、區域或者襯底在另一個元件"上 面"或者延伸到其"上面"時，它可以直接在另一個元件上面或者直 接延伸到另一個元件上面或者還可以存在插入元件，相比之下，當稱 元件"直接"在另一個元件"之上"或者"直接"延伸到另一個元件
"之上"時，則不存在插入元件.還將理解的是，當稱元件"連接" 或者"耦接"到另一元件時，它可以直接連接或者輛接到另一元件或 者可以存在插入元件.相比之下，當稱元件"直接連接"或者"直接 耦接"到另一元件時，則不存在插入元件.在整個說明書中類似的數 字表示類似的元件.
將理解的是，儘管這裡可以使用術語第一、笫二等等描述多個元 件、部件、區域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區域、層和 /或部分不應當受到這些術語的限制.僅僅使用這些術語來區分一個 元件、部件、區域、層或者部分和另一個區域、層或者部分.因此， 在不脫離本發明的教導的情況下，可以將下面所述的笫一元件、部件、 區域、層或者部分稱做第二元件、部件、區域、層或者部分.
而且，相對術語，例如這裡可以使用"下"或者"底部"和"上" 或者"頂部"描述困中所示的一個元件和另一元件的關係.將理解的 是，相對術語意味著除了困中所描述的方向之外還包括器件的不同方 向。例如，如果困中的器件翻轉，那麼描述為在其它元件的"下"側 上的元件將定向為其它元件的"上"側上.因此，根據困的具體方向， 示例性術語"下"可以包括"下"和"上"的方向.類似地，如果其 中一個圖中的器件翻轉，描述為在其它元件"下面"或者"下方"的 元件將定向為在其它元件的"上面".因此，示例性術語"下面"或 者"下方"可以包括上面和下面的方向.
這裡參考截面困描述本發明的實施例，這些截面困是本發明的理 想實施例的示意性表示.因而，例如，預期會出現因製造技術和/或 容差導致的圖示的形狀的變化.因此，本發明的實施例不應當解釋為 局限於這裡所示的區域的具體形狀，而是包括由例如製造導致的形狀 的偏離.例如，被示為矩形的刻蝕區將通常具有錐形的、圃形的或者 曲線的特徵.因此，困中所示的區域實際上是示意性的，並且它們的 形狀不旨在示出器件的區域的精確形狀，也不旨在限制本發明的範圍。
除非另外限定，這裡使用的所有術語(包括技術術語和科學術語) 與本發明所述領域的普通技術人員通常所理解的具有相同的意義.還 將理解的是，例如通常在字典中限定的那些術語應當解釋為具有和它 們在相關領域的上下文中的意義一致的意義，並且將不以理想化的或 者太正式的意義來解釋，除非這裡明確如此限定.
本領域技術人員還將理解的是，對和另一特徵"相鄰"設置的結 構或特徵的引用可以具有與該相鄰特徵重疊或者位於該相鄰特徵下面 的部分。
儘管在這裡公開的LED的多種實施例包括襯底，但是本領域技術 人員將理解，其上生長包括LED的外延層的結晶外延生長襯底可被去 除，且獨立的外延層可安裝在替換的支撐襯底或基座上，其可具有比 原始襯底更好的熱、電、結構和/或光特性。在這裡描述的本發明不局 限於具有結晶外延生長襯底的結構且可以結合其中外延層從它們的原 始生長襯底被去除並被接合到替換的支撐襯底的結構一起使用.
本發明的一些實施例通過降低和/或阻止線接合伴盤的光子吸收
可提供改善的發光器件的效率.由此，本發明的一些實施例可提供發 光器件和製造具有在線接合焊盤和發光器件的歐姆接觸之間的反射結 構的發光器件的方法.通過反射在線接合焊盤區域中入射的光子，由 線接合焊盤吸收的光子數重可減少.在本發明的一些實施例中，發光 器件效率的增加可與線接合伴盤的大小成比例.
本發明的實施例可以尤其適合在氮化物基發光器件中使用，例如
ffl族氮化物基器件.如這裡使用的，術語"m族氮化物"指的是在氮
和周期表中的m族元素，通常為鋁(Al)、鎵(Ga)和/或銦(In) 之間形成的那些半導體化合物.該術語還指的是三元和四元化合物， 例如AlGaN和AlInGaN.如本領域技術人員所理解的，m族元素可以 和氮結合形成二元的(例如GaN)、三元的(例如AlGaN、 AlInN)和 四元的(例如AlInGaN)化合物.這些化合物都具有經驗式，其中一
摩爾的氮和全部一摩爾的m族元素結合.因此，通常使用分子式例如
Al,GahN描述它們，其中0<x<l.然而，儘管這裡本發明的實施例參 考III族氮化物基發光器件來描述，例如氮化鎵基發光器件，但是本 發明的特定實施例可適合用在其它半導體發光器件中，例如GaAs和/ 或GaP基器件.
根據本發明的一些實施例的發光器件可包括發光二極體，雷射二 極管和/或其它半導體器件，其包括一個或多個半導體層，其可包括 矽，碳化矽，氮化鎵和/或其它半導體材料、襯底，其可包括藍寶石， 矽，碳化矽和/或其它微電子襯底、和一個或多個接觸層，其可包括金 屬和/或其它導電層.在一些實施例中，可提供紫外線，藍色和/或綠 色LED。半導體發光器件的設計和製造對本領域技術人員來說是熟知的 且不需要在這裡詳細描述.
例如，根據本發明的一些實施例的發光器件可包括製造在碳化矽 襯底上的例如氮化鎵基LED的結構和/或雷射器結構，例如由North Carolina, Durham的Cree， Inc.製造和出售的那些器件.本發明可 以適合與提供有源區的LED和/或雷射器結構一起使用，例如在美國專 利Nos.6， 201， 262; 6，187， 606; 6, 120, 600; 5， 912， 477; 5, 739, 554; 5, 631, 190 ; 5, 604, 135 ; 5, 523, 589 ; 5, 416, 342 ; 5, 393, 993 ; 5, 338, 944; 5,210,051; 5, 027, 168; 5, 027, 168; 4， 966, 862和/或 4, 918, 497中所描述的，在此併入其公開的全部內容作為參考.其它 適合的LED和/或雷射器結構在下述中被描述在2003年1月9日公 開的題目為"Group III Nitride Based Light Emitting Diode Structures With a Quantum Well and Superlattice, Group III Nitride Based Quantum Well Structures and Group III Nitride Based Superlattice Structures"的公開的美國專利公布號No. US 2003/0006418 Al，與其同時提交的題目為"GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH AN INDIUM
CONTAINING CAPPING STRUCTURE"的美國專利申請序列號No._(代
理人案號No. 5308 - 204IP)，以及趙目為"Light Emitting Diodes Including Modifications for Light Extraction and Manufacturing Methods Therefor"的'〉開的美國專利'>布號No. US 2002/0123164 Al。而且，塗有鱗的LED也可適用於本發明的實施例， 例如在2003年9月9日提交的題目為"Phosphor-Coated Light Emitting Diodes Including Tapered Sidewalls and Fabrication Methods Therefor"的美國申請序列號No. 10/659， 241中所描述的那 些，在此併入其公開的全部內容作為參考.這些LED和/或雷射器可被 配置用於操作使得光發射通過襯底發生.在這樣的實施例中，可構圖 襯底以便增強器件的光輸出，這例如在上面引用的美國專利公布號No. US 2002/0123164 Al中被描述.這些結構可按照這裡所描迷的被修改
以提供根據本發明的一些實施例的反射結構.
這樣，例如，本發明的實施例可與具有不同形狀或大小的接合伴
盤的發光器件一起使用.發光器件可在不同的襯底上，例如碳化矽， 藍寶石，氮化鎵，矽或其它適合用於提供III族氮化物器件的襯底. 發光器件可適於隨後的單數並安裝在合適的栽體上.發光器件可包 括，例如單量子阱，多量子阱和/或體有源區器件.本發明的一些實施 例可與利用在器件的P側上的隧穿接觸的器件一起使用.
圖1是根據本發明的一些實施例的發光器件的截面示意困.正如 在圖l中所看到的，村底10，例如n型碳化矽襯底，具有設置在其上 的可選的n型半導體層12,例如氮化鎵基層.n型半導體層12可包括 多層，例如緩衝層等.在本發明的一些實施例中，n型半導體層12被 提供作為摻雜矽的AlGaN層，其可以是均勻的或梯度組分，以及摻雜 矽的GaN層.
儘管這裡參考碳化矽襯底描述，但是在本發明的一些實施例中其
它襯底材料可被使用.例如，藍寶石襯底，GaN或其它材料可被使用. 在這種情況下，接觸20可位於例如接觸n型半導體層12的凹進中， 以便提供器件的笫二接觸.還可使用其它設置.
有源區14，例如單或雙異質結構，量子阱，多重子阱或其它這樣 的有源區可提供在n型半導體層上.正如這裡所使用的，術語"有源 區"是指發光器件的半導體材料的區域，其可以是一個或多個層和/或 其部分，其中當工作時由器件發射的光子的相當大的部分通過栽流子
複合產生。在本發明的一些實施例中，有源區指的是其中由器件發射 的基本上所有的光子通過栽流子複合產生的區域.
在圖1中還示出了可選的p型半導體層16.該p型半導體材料層 16可以例如是氮化鎵基層，例如GaN層.在本發明的特定實施例中，p 型半導體層16包括摻雜鎂的GaN. p型半導體層16可包括一個或多個 層並可以是均勻的或梯度組分.在本發明的一些實施例中，P型半導體 層16是有源區14的一部分.
還設置了提供與p型半導體材料層16歐姆接觸的接觸金屬的笫一 接觸金屬層18.在一些實施例中，笫一接觸金屬層18可起到電流擴展 層的作用。在本發明的特定實施例中，其中P型半導體材料層16是 GaN，第一接觸金屬層18可以是Pt.在本發明的特定實施例中，笫一 接觸金屬層18是光可透過的並且在一些實施例中基本上是透明的以便 由有源區14發射的光子可通過第一接觸金屬層18.在一些實施例中， 第一接觸金屬層18可以是相對薄的Pt層.例如，第一接觸金屬層18 可以是大約54A厚的Pt層.線接合焊盤22或其它光吸收區域提供在 第一接觸金屬層18上。在本發明的一些實施例中，第一接觸金屬層18 被提供作為非常薄的具有小於大約IOA的厚度的層，如在與其同時提 交的題目為"ULTRA-THIN 0HMIC CONTACTS FOR P-TYPE NITRIDE LIGHT
EMITTING DEVICES"的美國臨時專利申請序列號No._(代理人案
號No. 5308 - 463PR)中所描述的，在此併入其公開的全部內容作為參 考。
還設置了提供與n型半導體材料歐姆接觸的接觸金屬的笫二接觸 金屬層20.第二接觸金屬層20可提供在與有源區14相對的襯底10 的一側上.第二接觸金屬層20還可提供在襯底10的與有源區14相同
的側上.正如上面所討論的，在本發明的一些實施例中，第二接觸金屬
層20可提供在n型半導體材料層12的一部分上，例如，在凹進中或 在包括有源區的臺面的基底處.而且，在本發明的一些實施例中，可 選的背側注入或附加外延層可提供在襯底10和第二接觸金屬層20之間。
如圖l進一步示出的，反射結構通過設置在線接合烀盤22和笫一 金屬接觸層18之間的反射金屬層30來提供.反射金屬層30具有與第 一接觸金屬層18上的線接合焊盤22的面積基本上相同的形狀和/或面 積。在本發明的一些實施例中，反射金屬層30具有比線接合焊盤22 稍大的面積，然而在本發明的其它實施例中，反射金屬層30還可具有 比線接合焊盤22稍小的面積.這樣的變化可以例如是製造容差的結果 或由製造次序、對準容差等導致的變化.在特定實施例中，反射金屬 層30還可具有與線接合焊盤22完全相同的面積.反射金屬層30可以 是銀(Ag)，鋁(Al)或其它反射導電金屬的層.
通過在吸收光子的線接合焊盤和有源區間提供反射結構，由線接 合焊盤吸收的光子的量可降低.而且，藉助與線接合焊盤面積基本上 相同的反射結構，還可提供穿過P接觸金屬層的光子發射.從而，可 增加從器件的所有光提取.
圖2A和2B示出根據本發明的一些實施例用來形成具有圖1所示 的反射結構的發光器件的操作.如困2A所示，製造發光器件的各個層 /區域。發光器件的製造中的具體操作將取決於被製造的結構，並在這 裡被併入作為參考的美國專利和/或申請中被描述和/或是本領域技術 人員所熟知的，且因此不需要在此重複.圖2A還示出具有窗口 42的 掩模40的形成，其暴露相應於將形成線接合焊盤22的區域的第一接 觸層18的一部分.
利用掩模40沉積反射層30以與線接合焊盤22的區域基本上對 準，如圖2B所示.沉積反射導電金屬的技術是本領域技術人員熟知的 並且不需要在這裡進一步描述.在反射層30形成後，線接合焊盤22 可形成在窗口 42中.這樣，在本發明的一些實施例中，線接合焊盤22 和反射層30可自對準.線接合焊盤22可例如通過下述形成形成一 層或多層金屬，由其形成線接合焊盤22，然後平面化這些層以提供線 接合焊盤22.掩模40接下來可被去除.可選擇地，掩模40可由絕緣
材料構成，例如Si02和/或A1N，並可保留在器件上作為例如鈍化層或 者被去除.可替換地，反射金屬和/或接合焊盤金屬的層可以被毯式沉 積，然後被蝕刻以提供反射層30和線接合烀盤22,
圖3示出根據本發明的另外的實施例的發光器件.在困3中，第 一接觸金屬層18包括在線接合焊盤22的區域外的第一部分55和在線 接合焊盤22的區域內的第二部分57.第二部分57包括粗糙化區域 50，其中第一接觸金屬層18的表面提供比由第一接觸金屬層18的第 一部分55的表面提供的更大的入射到表面上的光子的內反射.例如， 粗糙化區域50可包括有角度的表面，光子從其被反射而不是通過.粗 糙化區域50可具有與在第一接觸金屬層18上的線接合焊盤22的面積 相同的形狀和/或面積.在本發明的一些實施例中，粗糙化區域50具 有比線接合焊盤22稍大的面積，而在本發明的其它實施例中，粗糙化 區域50具有比線接合焊盤22稍小的面積.在本發明的具體實施例中， 粗糙化區域具有與線接合壞盤22完全相同的形狀和面積.
粗糙化區域50可通過例如蝕刻形成線接合烀盤22的區域來提 供。這樣的蝕刻可使用圖2A示出的掩模40，其可在線接合焊盤22形 成前提供.粗糙化界面的其它技術也可被使用.
通過在線接合烊盤下面提供粗糙化區域，有角度的表面可被提供 作為反射結構，其增加了向後進入接觸層的光的內反射.這樣，由線 接合焊盤吸收的光的量可降低.
儘管參考具體的發光器件結構在圖1到3中示出了本發明的實施 例，但是還可提供根據本發明的一些實施例的其它的結構.這樣，本 發明的實施例可通過包括上面所描述的一個或多個不同的反射結構的 任何發光結構來提供.例如，根據本發明的一些實施例的線接合伴盤 反射結構可結合在此被併入作為參考的美國專利和/或申請中所討論 的示例性發光器件結構來提供.
本發明的實施例已經參考線接合烀盤22被描述.如這裡所使用 的，術語接合焊盤指的是吸收光的接觸結構，隨後將線接合到其.接 合焊盤可以是單層或多層，可以是金屬和/或金屬合金和/或可以是均 勻的或非均勻的組分.
本發明的實施例已經參考提供在p型半導體材料的接觸上的線接 合焊盤被描述，然而，可替換地，線接合焊盤可以提供給ii型半導體
材料，例如襯底10.在這種情況下，上面描述的反射結構能設置在第 二接觸金屬層20和在該層上的線接合焊盤之間.而且，任何適合的接 觸金屬和/或反射金屬可用於第一和笫二接觸金屬層18和20以及反射 層30.例如，金屬和反射層以及層的堆疊可如在下述中所描述的那樣 來提供2002年9月5日公開的且題目為"Light Emitting Diodes Including Modifications For Light Extraction and Manufacturing Methods Therefore " 的美國專利公布號 No. US2002/0123164 Al，和/或2003年9月11日'>開的且題目為 "Reflective 0h邁ic Contacts For Silicon Carbide Including a Layer Consisting Essentially of Nickel， Methods of Fabricating Same, and Light Emitting Devices Including the Same"的美國專利公布號No. US2003/0168663 Al，在此併入其公開的
全部內容作為參考.
而且，儘管本發明的實施例已經參考搮作的具體順序被描述，然 而可以提供所描述的順序的變化同時仍受益於本發明的教導.由此， 兩個或更多步驟可結合成在這裡所描述的順序以外執行的單個或多個 步驟。由此，本發明的實施例不應該解釋為局限於這裡描述的操作的 具體順序，除非在此另外說明.
本領域技術人員可以理解，本發明的各個實施例已經結合困1-3 被單獨描述.然而可以提供根據本發明的各個實施例的圖l-3的實施 例的組合和子組合.例如，困l和3的結構可通過在粗糙化區域50上 提供反射層30而被組合.
在附圖和說明書中，已經公開了本發明的實施例，並且儘管採用 了特定的術語，但是它們只是在 一般的和描述性的意義上來使用的， 並且不是用於限制的目的，本發明的範閨在下面的權利要求中被闡 明。
權利要求
1.一種發光器件，包括包括半導體材料的有源區；在有源區上的第一接觸，配置該第一接觸以便由有源區發射的光子通過該第一接觸；在第一接觸上的吸收光子的線接合焊盤，該線接合焊盤具有小於第一接觸的面積的面積；反射結構，其設置在第一接觸和線接合焊盤之間且具有小於第一接觸的面積的面積；以及從第一接觸與有源區相對的第二接觸。
2. 權利要求l的發光器件，進一步包括設置在笫一接觸和有源區 之間的P型半導體材料.
3. 權利要求l的發光器件，進一步包括在笫一接觸和有源區之間 的n型半導體材料。
4. 權利要求l的發光器件，其中有源區包括III族氮化物基有源區。
5. 權利要求l的發光器件，其中反射結構包括反射金屬的層.
6. 權利要求l的發光器件，其中反射結構與線接合焊盤自對準，
7. 權利要求l的發光器件，其中反射結構包括笫一接觸的粗糙化 區域並且其中線接合焊盤直接在第 一接觸上.
8. 權利要求7的發光器件，其中該粗糙化區域與線接合焊盤自對準。
9. 權利要求l的發光器件，其中反射結構包括 第一接觸的粗糙化區域；和在第 一接觸的粗糙化區域上的反射金屬層.
10. 權利要求1的發光器件，其中反射結構沒有延伸超過線接合烀盤。
11. 權利要求l的發光器件，其中反射結構具有與線接合伴盤基本相同的面積.
12. 權利要求1的發光器件，其中反射結構基本上全同於線接合焊盤。
13. —種製造發光器件的方法，包括形成半導體材料的有源區；在有源區上形成笫一接觸，配置該笫一接觸以便由有源區發射的 光子通過該第一接觸；在第一接觸上形成反射結構並具有小於笫一接觸的面積的面積；在反射結構上形成吸收光子的線接合壞盤，該線接合焊盤具有比 第一接觸的面積小的面積；以及形成從第一接觸與有源區相對的的第二接觸.
14. 權利要求13的方法，進一步包括形成設置在笫一接觸和有源 區之間的P型半導體材料.
15. 權利要求13的方法，進一步包括在第一接觸和有源區之間形 成n型半導體材料.
16. 權利要求13的方法，其中形成有源區包括形成III族氮化物 基有源區。
17. 權利要求13的方法，其中形成反射結構包括形成反射金屬的層。
18. 權利要求13的方法，其中形成反射結構並形成線接合伴盤包括在第一接觸上形成掩模層，該掩模層具有開口，其暴露相應於在 第 一接觸上的線接合焊盤的位置的第 一接觸的 一部分； 在掩模層的開口中沉積反射金屬層；以及 在掩模層的開口中的反射金屬層上形成線接合焊盤.
19. 權利要求13的方法，其中形成反射結構包括使笫一接觸的區 域變粗糙並且其中形成線接合烀盤包括在第 一接觸上直接形成線接合 焊盤。
20. 權利要求19的方法，其中使笫一接觸的區域變粗糙並形成線接合焊盤包括在第一接觸上形成掩模層，該掩模層具有開口，其暴露相應於在 第一接觸上的線接合焊盤的位置的笫 一接觸的 一部分；粗糙化被掩模層的開口暴露的第一接觸的該部分；並且 在掩模層的開口中的第一接觸的粗糙化部分上形成線接合焊盤.
21. 權利要求13的方法，其中形成反射結構包括 形成第一接觸的粗糙化區域；以及 在第 一接觸的粗糙化區域上形成反射金屬層.
22. 權利要求13的方法，其中反射結構沒有延伸超過線接合烀盤。
23. 權利要求33的方法，其中反射結構具有與線接合烀盤基本相同的面積.
24. 權利要求33的方法，其中反射結構與線接合烀盤基本全同.
全文摘要
發光器件包括半導體材料的有源區(14)和在有源區上的第一接觸(18)。配置第一接觸(18)以便由有源區(14)發射的光子通過第一接觸。吸收光子的線接合焊盤(22)提供在第一接觸上。線接合焊盤(22)具有小於第一接觸的面積的面積。反射結構(30)設置在第一接觸(18)和線接合焊盤(22)之間以便反射結構(30)具有與線接合焊盤基本上相同的面積。相對於有源區從第一接觸提供第二接觸(20)。反射結構(30)可僅設置在第一接觸和線接合焊盤之間。還提供了製造這種器件的方法。
文檔編號H01L33/42GK101103467SQ200580025319
公開日2008年1月9日 申請日期2005年3月30日 優先權日2004年7月27日
發明者D·T·埃默森, K·W·哈貝雷恩, M·J·伯格曼, V·米茨科夫斯基 申請人:克裡公司