基板及其製造方法、以及半導體裝置及其製造方法

2023-05-22 07:15:06

專利名稱：：基板及其製造方法、以及半導體裝置及其製造方法
技術領域：
：本發明涉及基板及其製造方法、以及半導體裝置及其製造方法。
背景技術：
：半導體封裝大致分成將外部端子配置在封裝周邊的周圍型、和將外部端子配置在封裝下面的面積型。周圍型是如圖40(a)(c)所示，以DIP、SOP、QFP為代表的封裝。如圖40(d)所示，周圍型是在被稱之為晶片焊盤(diepad)201的晶片搭載部上搭載IC元件210，用金屬線等連接IC元件210上的電極和引線框架的引線203，然後殘留引線203的外周部的一部分，將除此之外的全部用樹脂密封，由此來製造。引線203中的樹脂封裝內側的部分被稱為內部端子，樹脂封裝外側的部分被稱為外部端子。另外，面積型如圖41(a)以及(b)、和圖42(a)以及(b)所示，是以BGA為代表的封裝，在基板211上搭載IC元件210，利用金屬線或焊料、金屬焊盤來電連接基板211和IC元件210，進而將IC元件210等用樹脂密封，由此來製造。如圖41(a)以及(b)所示，用金屬線213連接基板211和IC元件210也被稱為金屬線型BGA。另外，如圖42(a)以及(b)所示，基板211和IC元件210被焊盤223連接，這也被稱為焊盤型BGA。特別是在焊盤型BGA中，也有如圖42(a)以及(b)所示未進行樹脂密封的類型的結構。如圖41(a)圖42(b)所示，面積型的外部端子不是引線，而是成為在基板211的背面搭載的電極(或者焊料球)225。進而，近年來，如圖43(a)(i)所示，利用電鍍在金屬板231上形成電柱狀的端子233以及晶片焊盤235，然後在晶片焊盤235上搭載IC元件210，進行利用金屬線213的IC元件210和端子233的連接，然後進行樹脂密封，從樹脂成型部236剝下金屬板231，製作切斷成各產品的封裝。如果詳細說明，在圖43(a)以及(b)中，首先，在金屬板231上塗布抗蝕劑，對其實施曝光顯影處理，形成抗蝕劑圖案237。接著，如圖43(c)所示，在從抗蝕劑圖案237下露出的金屬板231的表面，例如利用電鍍形成銅，形成電柱狀的端子233和晶片焊盤235，隨後如圖43(d)所示，除去抗蝕劑圖案。接著，如圖43(e)所示，在利用電鍍形成的晶片焊盤235上搭載IC元件210，進行引線鍵合。然後，如圖43(f)所示，對IC元件210以及金屬線213等進行樹脂密封。接著，如圖43(g)所示，從樹脂成型部236剝下金屬板231。然後，如圖43(h)和(i)所示，將樹脂成型部236切斷成各產品，完成封裝。另外，專利文獻1中公開的技術是，在對平板狀的引線框架的支承部的一個面進行半蝕刻之後，在引線框架的晶片焊盤上搭載IC元件，接著進行引線鍵合和樹脂密封，然後，對一個面被半蝕刻的支承部的另一個面進行磨削而除去支承部，由此完成周圍型封裝。專利文獻2中公開的技術是，通過將布線配置成俯視下自基板的中心向外側呈放射狀，以提高面積型封裝的通用性。專利文獻l:特開平2—240940號公報專利文獻2:特開2004—281486號公報在以往的技術中，就周圍型封裝、面積型封裝、圖43(a)(i)所示的封裝、專利文獻1中記載的封裝的任一種而言，作為ic元件搭載面，需要晶片焊盤或內插件等基板，對應於IC元件的大小、來自IC元件的外部輸出數(即引線數或球數)，需要固有的引線框架或固有的基板、或(電柱形成用的)固有的光致掩模。特別是在少量多品種的產品中，與產品的生產相一致，需要擁有大量的引線框架或基板、或光致掩模，而妨礙製造成本的降低。另外，在專利文獻2中，通過將布線配置成從基板的中心向外側的放射狀，完成與晶片尺寸的大小相對應的面積型封裝。但是，在該技術中，需要按照與自基板中心放射狀延伸的布線在俯視下必然重疊的方式配置IC元件的焊盤端子，所以關於焊盤端子的布局，其設計的自由度降低。即，儘管封裝的通用性提高，但另一方面，加在IC元件上的限制也增加。
發明內容該發明正是鑑於上述的情況而完成的發明，其目的在於，提供不會使加在IC元件上的限制增加且能使搭載IC元件的基板的規格共用化的基板及其製造方法、以及半導體裝置及其製造方法。為了實現上述目的，發明1的基板是用於固定IC元件的基板，具備具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面、且在俯視下沿縱向以及橫向排列的多根金屬支柱；和通過從所述第一面至所述第二面之間的一部分將所述多根金屬支柱相互連結的連結部；在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面上，形成有識別標記。在這裡，本發明的"第一面"例如是與IC元件的焊盤端子連接的一側的面，"第二面"例如是與母插件連接的一側的面。另外，本發明的"一部分"可以是第一面與第二面之間的中間部分，還可以是自中間部分至第二面之間且包括該第二面的部分。在本發明的"一部分"包括第二面的情況下，連結部形成在中間部分和第二面之間，例如其下方的面形成為與第二面在一個面上。發明2的基板是用於固定IC元件的基板，具備具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面、且在俯視下沿縱向以及橫向排列的多根金屬支柱；和對所述多根金屬支柱的所述第二面進行支承的支承基板；所述支承基板和所述多根金屬支柱藉助粘接劑進行接合，在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面上，形成有識別標記。在這裡，本發明的"支承基板"例如是玻璃基板。發明3的基板例如是在發明1或發明2的基板中，其特徵在於，上述多根金屬支柱的每一個形成為相同的形狀且具有相同的尺寸。通過發明13的基板，作為用於搭載IC元件的晶片焊盤，或者作為IC元件的外部端子，可以利用多根金屬支柱，根據被任意設定的IC固定區域的形狀以及大小，可以分別使用多根金屬支柱作為晶片焊盤或外部端子。因此，對於IC元件的每種，沒有必要準備固有的晶片焊盤或固有的引線框架、固有的基板(內插件等)，裝配半導體裝置。對於多種IC元件，不對其焊盤端子的布局(配置位置)施加限制，可以使作為元件搭載以及外部端子使用的基板的規格共用化。由此，可以有助於降低基板的製造成本。另外，通過發明13，在一部分金屬支柱的第一面上形成有與其他上述金屬支柱有區分的識別標記。因此，即便在多根金屬支柱例如為相同形狀、相同尺寸、且相同顏色的情況下，也可以以上述識別標記為記號準確識別特定的金屬支柱。發明4的基板的製造方法，是用於固定IC元件的基板的製造方法，包括對具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面的金屬板至少從所述第一面進行部分蝕刻，以形成在俯視下沿縱向以及橫向排列的多根金屬支柱的工序；和在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的第一面上形成識別標記的工序；在形成所述多根金屬支柱的工序中，按照所述多根金屬支柱在所述第一面和所述第二面之間相互連結的方式，進行所述蝕刻。在這裡，本發明的"金屬板"例如是銅板。通過發明4的製造方法，可以製造發明1的基板。發明5的基板的製造方法，是用於固定IC元件的基板的製造方法，包括將具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面的金屬板的所述第二面貼附在支承基板上的工序；在將所述金屬板的所述第二面貼附在所述支承基板上的工序之後，從所述第一面對所述金屬板進行部分蝕刻，以形成在俯視下沿縱向以及橫向排列的多根金屬支柱的工序；和在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的第一面上形成識別標記的工序。通過發明5的製造方法，可以製造發明2的基板。發明6的基板的製造方法，是在發明4或發明5的製造方法中，其特徵在於，在所述形成識別標記的工序中，利用噴墨法或雷射打標，使所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面著色，以形成所述識別標記。在這裡，關於使第一面著色的"著色材料"，例如使用耐熱性異色墨液、或異色鍍敷等。通過發明6的製造方法，沒有必要根據識別標記的形成位置準備多種掩模原版，所以可以有助於降低製造成本。發明7的半導體裝置，具有多根金屬支柱，具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面，並在俯視下沿縱向以及橫向排列，其中包括第一金屬支柱以及第二金屬支柱；IC元件，其被固定在所述第一金屬支柱的所述第一面上；第一導電部件，其對所述第二金屬支柱的所述第一面和所述IC元件的焊盤端子進行連接；和樹脂，其對所述多根金屬支柱的一部分、所述IC元件以及所述第一導電部件進行密封；所述多根金屬支柱的所述第二面從所述樹脂露出，在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面上，形成有識別標記。在這裡，本發明的"樹脂"例如是模壓樹脂。當設模壓樹脂的膨脹率為od、阻焊劑的膨脹率為(x2、底層填料的膨脹率為a3時，其大小關係例如為al<a3(32。彈性模量越小越柔軟，彈性模量越大越硬。即，模壓樹脂比阻焊劑或底層填料更硬。通過發明7的半導體裝置，作為用於搭載IC元件的晶片焊盤，或者作為IC元件的外部端子，可以利用多根金屬支柱，根據被任意設定的IC固定區域的形狀以及大小，可以分別使用多根金屬支柱作為晶片焊盤或外部端子。因此，對於IC元件的每種，沒有必要準備固有的晶片焊盤或固有的引線框架、固有的基板(內插件等)，裝配半導體裝置。對於多種IC元件，不對其焊盤端子的布局(配置位置)施加限制，可以使作為元件搭載以及外部端子使用的基板的規格共用化。由此，可以有助於降低半導體裝置的製造成本。另外，通過發明7的半導體裝置，不是像以往的晶片焊盤那樣金屬集中在一處。作為晶片焊盤或外部端子發揮功能的金屬支柱在樹脂封裝內分散配置，所以可以分散水分的凝集位置，減輕水蒸氣壓的集中。因此，在與吸溼以及加熱相伴隨的可靠性試驗中，可以抑制樹脂封裝的破裂，提高半導體裝置的可靠性。進而，通過發明7的半導體裝置，即便在多根金屬支柱例如具有相同形狀和相同尺寸且為相同顏色的情況下，也能夠以上述識別標記為記號準確識別安裝有IC元件的金屬支柱(即第一金屬支柱)。因此，可以高精度地在第一金屬支柱上對位IC元件，可以將IC元件安裝於第一金屬支柱且少有位置不正。發明8的半導體裝置，是在發明7的半導體裝置中，其特徵在於，所述多根金屬支柱中包括第三金屬支柱以及第四金屬支柱，所述半導體裝置還包括固定在所述第三金屬支柱的所述第一面上的無源部件；和連接所述第四金屬支柱的所述第一面和所述無源部件的端子部的第二導電部件；所述無源部件和所述第二導電部件被所述樹脂密封。只要是這樣的結構，即便在多根金屬支柱例如為相同形狀、相同尺寸、且相同顏色的情況下，也可以以上述識別標記為記號準確識別安裝有無源部件的金屬支柱(即第三金屬支柱)。因此，可以在第三金屬支柱上高精度對位無源部件，可以在第三金屬支柱上安裝無源部件且不存在位置不正。發明9的半導體裝置的製造方法，包括準備基板的工序，該基板具備多根金屬支柱，具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面且在俯視下沿縱向以及橫向排列，其中包括第一金屬支柱以及第二金屬支柱；和通過從所述第一面至所述第二面之間的一部分相互連結所述多根金屬支柱的連結部；在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面上形成有識別標記；利用所述識別標記對所述第一金屬支柱進行識別的工序；在識別出的所述第一金屬支柱的所述第一面上固定所述IC元件的工序；在固定所述IC元件的工序之後，用第一導電部件對所述IC元件的焊盤端子和所述第二金屬支柱的所述第一面進行連接的工序；用樹脂對所述IC元件以及所述第一導電部件、和所述多根金屬支柱中所述第--面側的部位進行密封的工序；和在所述利用樹脂進行密封的工序之後，從所述第二面對所述連結部進行蝕刻以將其除去的工序。發明10的半導體裝置的製造方法，包括準備基板的工序，該基板具備多根金屬支柱，具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面且在俯視下沿縱向以及橫向排列，其中包括第一金屬支柱以及第二金屬支柱；對所述多根金屬支柱的所述第二面進行支承的支承基板；所述支承基板和所述多根金屬支柱藉助粘接劑進行接合，在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面上形成有識別標記；利用所述識別標記對所述第一金屬支柱進行識別的工序；在識別出的所述第一金屬支柱的所述第一面上固定所述IC元件的工序；在固定所述IC元件的工序之後，用第一導電部件對所述IC元件的焊盤端子和所述第二金屬支柱的所述第一面進行連接的工序；向所述支承基板上供給樹脂，並用所述樹脂對所述IC元件以及所述多根金屬支柱的一部分、和所述第一導電部件進行密封的工序；和從所述樹脂以及由該樹脂密封的所述多根金屬支柱的所述第二面，剝離所述支承基板的工序。通過發明9、IO的製造方法，可以不使施加給IC元件的限制增加，且使搭載IC元件的基板的規格共用化，所以可以降低半導體裝置的製造成本。另夕卜，即便在多根金屬支柱例如為相同形狀、相同尺寸、且相同顏色的情況下，也可以以上述識別標記為記號準確識別安裝有IC元件的金屬支柱(即第一金屬支柱)。因此，可以在第一金屬支柱上高精度對位IC元件，可以在第一金屬支柱上安裝IC元件且不存在位置不正。發明11的半導體裝置的製造方法，是在發明9或發明10的半導體裝置的製造方法中，其特徵在於，還具有以所述識別標記為記號對所述第二金屬支柱進行識別的工序，在用所述第一導電部件連接所述IC元件和所述第二金屬支柱的工序中，利用線狀的所述第一導電部件，對以所述識別標記為記號而被識別出的所述第二金屬支柱的所述第一面和所述IC元件的所述焊盤端子進行連接。在這裡，本發明的"線狀的第一導電部件"例如為金屬線。只要是這樣的結構，即便在多根金屬支柱例如為相同形狀、相同尺寸、且相同顏色的情況下，也可以以上述識別標記為記號準確識別安裝有線狀的第一導電部件的金屬支柱(即第二金屬支柱)。因此，可以在第二金屬支柱上高精度地安裝線狀的第一導電部件。圖1是表示第一實施方式的基板10的製造方法的圖。圖2是表示第一實施方式的基板10的製造方法的圖。圖3是表示第一實施方式的半導體裝置100的製造方法的圖。圖4是表示第一實施方式的劃片工序的圖。圖5是表示基板10的形狀的一例的圖。圖6是表示基板10中識別標記8的形成位置的一例的圖。圖7是表示半導體裝置100的截面形狀的一例的圖。圖8是表示第二實施方式的半導體裝置110的製造方法的圖。圖9是表示第三實施方式的半導體裝置120的製造方法的圖。圖10是表示半導體裝置120的截面形狀的一例的圖。圖11是表示第四實施方式的半導體裝置130的結構例的圖。圖12是表示第五實施方式的半導體裝置140的製造方法的圖。圖13是表示第五實施方式的半導體裝置140的製造方法的圖。圖14是表示第六實施方式的基板20的製造方法的圖。圖15是表示第六實施方式的基板20的製造方法的圖。圖16是表示第六實施方式的半導體裝置150的製造方法的圖。圖17是表示第七實施方式的半導體裝置160等的結構例的圖。圖18是表示第八實施方式的半導體裝置190的製造方法的圖。圖19是表示接線柱5的側面形狀的其他例子的圖。圖20是表示第九實施方式的基板50的製造方法的圖d圖21是表示第九實施方式的基板50的製造方法的圖。圖22是表示第九實施方式的基板50的製造方法的圖。圖23是表示第九實施方式的基板50的製造方法的圖。圖24是表示第九實施方式的基板50的製造方法的圖。圖25是表示第九實施方式的基板50的製造方法的圖。圖26是表示基板50的結構例的圖。圖27是表示接線柱40的截面形狀的一例的圖。圖28是表示第九實施方式的半導體裝置200的製造方法的圖。圖29是表示第九實施方式的半導體裝置200的製造方法的圖。圖30是表示第九實施方式的半導體裝置200的製造方法的圖。圖31是表示第九實施方式的半導體裝置200的製造方法的圖。圖32是表示第九實施方式的半導體裝置200的製造方法的圖。圖33是表示第九實施方式的半導體裝置200的結構例的圖。圖34是表示第九實施方式的半導體裝置200的結構例的圖。圖35是表示接線柱4的格柵狀的配置例的圖。圖36是表示半導體裝置200的結構例的圖。圖37是表示接線柱40的鋸齒狀的配置例的圖。圖38是表示半導體裝置200的其他製造方法的圖。圖39是表示第十實施方式的半導體裝置300的結構例的圖。圖40是表示現有例的圖。圖41是表示現有例的圖。圖42是表示現有例的圖。圖43是表示現有例的圖。圖中l一銅板，2a、2b—光致抗蝕劑，2a，、2b，一抗蝕劑圖案，3a、3b—鍍敷層，3a，、3b,—(形成圖案前的)鍍敷層，4a、4b—凹部，5、140、l德、140b—接線柱，6—連結部，7a、7b—光致抗蝕劑，7a，、7b，一抗蝕劑圖案，8—識別標記，10、20、150—基板，11、41、151—IC元件，12一粘接劑，13、33、153、153a、153b—金屬線，14、161—模壓樹脂，15一刀片(blade),16—阻焊劑，17—端子部，18—突起部，19一焊料球，21—母插件，22—底層填料、布線層，31—無源部件，32—焊料，34—端子部，35—絕緣性樹脂，42—電極，100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、300—半導體裝置，121—支承基板。具體實施例方式以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。(1)第一實施方式在該第一實施方式中，首先對基板的製造方法進行說明，接著對在該基板上安裝IC元件製造半導體裝置的方法進行說明。其中，在該第一實施方式中，作為基板的製造方法的一個例子，對圖1以及圖2所示的兩種製造方法迸行說明。圖1是應用了半添加法(semiadditivemethod)的製造方法，圖2是應用了減成法(subtractivemethod)的製造方法。在對該兩種製造方法進行了說明之後，在圖3中，對IC元件的安裝以及樹脂密封的工序進行說明，在圖4中，對劃片工序進行說明。圖1(a)(f)是表示本發明的第一實施方式的基板10的製造方法(半添加法)的剖視圖。首先，如圖1(a)所示準備銅板1。銅板1的俯視下的縱向、橫向尺寸比由銅板1作成的半導體裝置的封裝外形大即可。另外，銅板1的厚度例如為0.100.30mm左右。接著，如圖1(b)所示，在銅板1的表面以及背面分別塗布光致抗蝕劑2a以及2b。該光致抗蝕劑2a以及2b例如可以是正型，也可以是負型。然後，如圖1(c)所示，對光致抗蝕劑進行曝光和顯影處理，露出形成有多個圓筒狀電極(以下稱為接線柱)的區域，形成對此外的區域進行覆蓋的抗蝕劑圖案2a'以及2b'。在這裡，在銅板1的表面形成抗蝕劑圖案2a'，並且在銅板1的背面形成抗蝕劑圖案2b，。接著，如圖l(d)所示，例如利用電鍍法，在從抗蝕劑圖案2a'以及2b，露出的區域(即形成接線柱的區域)的銅板1上形成鍍敷層3a以及3b。在這裡，在銅板1的表面形成鍍敷層3a，並且在銅板1的背面形成鍍敷層3b。其中，在圖l(d)中，分別以二層結構表示鍍敷層3a以及3b，但鍍敷層3a以及3b可以是二層以上的層疊結構，也可以是單層結構。例如，鍍敷層3a以及3b可以採用由Ni(下層)/Pd(中層)/Au(上層)構成的三層結構、Ni(下層)/Au(上層)構成的二層結構、或由Ag構成的單層結構。在鍍敷層3a以及3b採用如上所述的結構的情況下，優選較厚地形成Ni層或Ag層。接著，如圖1(e)所示，從銅板1的表面以及背面分別除去抗蝕劑圖案。此外，如圖1(f)所示，以鍍敷層3a為掩模從表面側對銅板1進行蝕刻，形成凹部4a，並且以鍍敷層3b為掩模從背面側對銅板1進行蝕刻，形成凹部4b。在這裡，分別從表面以及背面對銅板1進行半蝕刻，形成多個接線柱5，並且形成剖視下橫向連結這些接線柱5的連結部6。即，在多個接線柱5之間銅板1被完全蝕刻而消失之前(即，貫通前)停止蝕刻。此外，通過這樣的半蝕刻，完成處於由自銅板l的表面至背面之間的一部分相互連結接線柱的狀態的基板io。如圖1(f)所示的銅板1的半蝕刻，例如是通過浸漬式或噴射式的溼式蝕刻來進行的。另外，蝕刻液使用例如氯化鐵溶液、或者鹼性的蝕刻溶液(以下稱為鹼性溶液)。其中，當鍍敷層3a以及3b例如是由Ni/Pd/Au、或者Ni/Au構成時，上述蝕刻液優選使用鹼性溶液。Ni難以溶於鹼性溶液，所以如圖1(f)所示，可以按照使鍍敷層3a以及3b分別從接線柱5的表面以及背面向外側鼓出的方式使其有殘留。另外，同樣地，當鍍敷層3a以及3b例如是由Ag構成時，上述蝕刻液優選使用氯化鐵溶液。由於Ag難以溶於氯化鐵溶液，所以如圖1(f)所示，可以按照使鍍敷層3a以及3b分別從接線柱5的表面以及背面向外側鼓出的方式使其有殘留。另外，分別形成在銅板1的表面以及背面的凹部4a以及4b，可以分別形成相同深度，還可以形成不同深度。例如，在利用噴射式的溼式蝕刻形成凹部4a以及4b的情況下，將表面側的蝕刻時間設定成背面側的蝕刻時間的2倍。由此，在表面側形成例如深0.1mm的凹部4a，並且在背面側形成深0.05mm的凹部4b。另外，在如圖1(f)所示的半蝕刻中，通過蝕刻液，銅板1的露出的表面會發生氧化而發黑。因此，在可以在半蝕刻之後清洗基板IO而除去發黑的氧化層。通過這樣的清洗處理，可以從銅板1的露出面除去氧化層，可以使銅板1恢復亮度。另外，在該清洗處理之後，可以在銅板1的露出面上塗布防氧化材料。由此，可以在以後的裝配工序中放置銅板1的氧化。另外，在圖1(e)中，可以在對銅板1進行蝕刻之前，在銅板1的表面以及背面分別新形成鍍敷保護用的光致抗蝕劑(未圖示)。在銅板1的蝕刻工序中，以被該光致抗蝕劑覆蓋的鍍敷層3a以及3b為掩模對銅板1進行蝕刻，所以可以保護鍍敷層3a以及3b免受蝕刻液的損害。另外，該鍍敷保護用的光致抗蝕劑，可以在形成凹部4a以及4b之後直接殘留。由此，可以在以後的裝配工序中繼續保護鍍敷層3a以及3b。該鍍敷保護用的光致抗蝕劑可以殘留在鍍敷層3a以及3b雙方，還可以僅殘留在鍍敷層3b。當僅在鍍敷層3b殘留有光致抗蝕劑時，即便是在以後的裝配工序中，也可以繼續保護鍍敷層3b。另外，這樣的鍍敷保護用的光致抗蝕劑，可以不是在銅板1的蝕刻之前形成，而是在銅板1的蝕刻之後形成。即便是這樣的結構，即便在以後的裝配工序中，也可以繼續保護鍍敷層3a以及3b。接著，關於另一個基板的製造方法，邊參照圖2邊進行說明。圖2(a)(g)是表示本發明的第一實施方式的基板10的製造方法(減成法)的剖視圖。在圖2中，對於結構與圖1相同的部分，附加相同的符號，並省略其詳細說明。首先，如圖2(a)所示準備銅板1。接著，如圖2(b)所示，例如利用電鍍法在銅板1的表面以及背面分別形成鍍敷層3a，以及3b，。與圖1一樣，在圖2(b)中，分別以二層結構表示鍍敷層3a，以及3b，，但鍍敷層3a'以及3b'可以是二層以上的層疊結構，也可以是單層結構。鍍敷層3a以及3b可以採用例如由Ni(下層)/Pd(中層)/Au(上層)構成的層疊結構、Ni(下層)/Au(上層)構成的層疊結構、或由Ag構成的單層結構。在鍍敷層3a，以及3b，採用如上所述的結構的情況下，優選較厚地形成Ni層或Ag層。接著，如圖2(c)所示，在銅板1的表面以及背面分別塗布光致抗蝕劑7a以及7b。此外，如圖2(d)所示，對光致抗蝕劑7a以及7b進行曝光和顯影處理，形成覆蓋形成有接線柱的區域並露出其以外的區域的抗蝕劑圖案7a'以及7b'。由此，如圖2(e)所示，已形成圖案的鍍敷層3a以及3b分別形成在銅板]的表面以及背面。在這裡，當鍍敷層3a以及3b例如是由Ni/Pd/Au、或者Ni/Au構成時，鍍敷層的蝕刻液例如使用王水。另外，當鍍敷層3a以及3b例如是由Ag構成時，蝕刻液例如使用硝酸溶液。在如此對鍍敷層進行蝕刻之後，如圖2(f)所示，以抗蝕劑圖案7a，以及7b'、和被其覆蓋的鍍敷層3a以及3b為掩模，從表面側以及背面側對銅板1分別進行蝕刻。由此，在銅板1的表面側形成凹部4a，並且在其背面側形成凹部4b。即便在該圖2所示的製造方法中，與圖l所示的製造方法一樣，分別從表面以及背面對銅板1進行半蝕刻，形成多個接線柱5，並且形成剖視下橫向連結這些接線柱5的連結部6。即，在於多個接線柱5之間銅板1被完全蝕刻而消失之前(即，貫通前)停止蝕刻。此外，通過這樣的半蝕刻，完成處於由自銅板1的表面至背面之間的一部分相互連結接線柱5的狀態的基板10。如圖2(f)所示的銅板1的半蝕刻例如是通過浸漬式或噴射式的溼式蝕刻來進行的。蝕刻液使用例如氯化鐵溶液、或者鹼性溶液。其中，當鍍敷層3a以及3b例如是由Ni/Pd/Au、或者Ni/Au構成時，蝕刻液優選使用鹼性溶液。另外，當鍍敷層3a以及3b例如是由Ag構成時，上述蝕刻液優選使用氯化鐵溶液。通過這樣的蝕刻液的選擇，如圖2(f)所示，可以按照使鍍敷層3a以及3b分別從接線柱5的表面以及背面向外側鼓出的方式使其有殘留。另外，分別形成在表面以及背面的凹部4a以及4b，可以分別形成相同深度，還可以形成不同深度。例如，在利用噴射式形成凹部4a以及4b的情況下，與圖l的製造方法一樣，通過調整溼式蝕刻的所需時間，可以在表面側形成例如深0.1mm的凹部，並且在背面側形成深0.05mm的凹部。另外，在形成這些凹部4a以及4b之後，與圖l的製造方法一樣，可以清洗基板IO而除去發黑的氧化層。由此，可以使銅板l恢復亮度。進而，可以在該清洗處理之後，在銅板1的露出面上塗布防氧化材料。由此，可以防止以後的銅板1的氧化。然後，如圖2(g)所示，從基板IO除去抗蝕劑圖案。其中，圖2(g)的抗蝕劑除去工序，在本實施方式並不是必須的工序。在本實施方式中，可以在基板10的兩面殘留抗蝕劑圖案。另外，在圖2(g)中，可以僅除去基板10的表面側的抗蝕劑圖案，直接殘留背面側的抗蝕劑圖案。由此，可以在以後的裝配工序中將抗蝕劑圖案用作鍍敷層3a以及3b、或者鍍敷層3b的保護膜。另外，在該圖2所示的製造方法中，可以不通過溼式蝕刻之類的化學加工進行圖2(c)(e)的工序，而是通過物理加工來進行。例如，通過噴砂處理或使用了切削工具的處理，也可以部分除去鍍敷層3a以及3b。噴砂處理是例如部分地噴出玻璃粒子對鍍敷層3a以及3b進行切削的處理，但通過調整此時的玻璃粒子的噴出量和噴出壓力等，可以進行如圖2(e)所示的鍍敷層3a以及3b的加工。圖5是表示基板10的形狀的一例的圖。利用圖l(a)(f)所示的方法形成的基板10的結構與利用圖2(a)(g)所示的方法形成的基板10的結構相同，如果立體觀察其形狀，則例如如圖5所示。即，基板IO具有縱向和橫向排列的多個接線柱5，這些接線柱5成為由自表面至背面之間的一部分(例如厚度方向的中間部分)相互連結的結構。另外，各接線柱5的側面彎曲成該接線柱5的直徑從表面或背面向中間部分慢慢增寬(即成為碗狀)。接著，對在該基板10上安裝裸露狀態的IC元件製造半導體裝置的方法進行說明。圖3(a)(e)是表示本發明的第一實施方式的半導體裝置100的製造方法(識別標記形成樹脂密封工序)的剖視圖。如圖3(a)所示，首先，在基板10的表面形成識別標記8。在這裡，基板10所具有的多個接線柱5例如分別為相同形狀、相同尺寸、且為相同顏色。另外，例如俯視下觀察時的縱向相鄰的接線柱5間的距離(各接線柱5的中心的距離)全部相等，俯視下觀察時的橫向相鄰的接線柱5間的距離(各接線柱5的中心的距離)全部相等。為此，當將IC元件安裝(固定)於基板10時，有可能無法對基板10中的IC固定區域進行識別，無法高精度將IC元件與IC固定區域對位。其中，此時，縱向相鄰的接線柱5間的距離和橫向相鄰的接線柱5間的距離可以不完全相等。因此，在本實施方式中，例如利用噴墨法或雷射打標，使希望的位置的接線柱5表面(上面)著色，形成識別標記8。在利用噴墨法形成識別標記8的情況下，其著色材料例如可以採用耐熱性異色墨液，或者採用異色鍍敷等。其中，在異色鍍敷的情況下，除了噴墨法以外，還可以蓋上掩模進行鍍敷處理。但是，在使用掩模的該方法中，與希望形成識別標記8的位置相對應，需要多種掩模原版，所以也有可能招致製造成本的提高。所以，在該識別標記8的形成工序中，與進行已蓋上掩模的鍍敷處理相比，更優選進行利用噴墨法或雷射打標的處理。另外，識別標記8可以使用分配器形成，還可以使用印刷法形成。圖6是表示識別標記8的配置位置的一例的圖。識別標記8的配置位置可以固定IC元件的區域(即IC固定區域)的內側或其外側均可，或者還可以是內側或其外側雙方。圖6是表示將識別標記8配置在IC固定區域的外側的情況，在IC固定區域(例如俯視下成矩形)的對角線的延長線上，從該區域隔開一定的距離形成有識別標記8。識別標記8的配置間隔(間距)例如是一定的。另外，關於識別標記8的顏色，可以著色成在將IC元件安裝在基板10上時能用照相機等迸行識別的程度。在圖6中，作為一個例子，表示形成黑色的識別標記8的情況。其中，在圖6中，在一個IC固定區域中例如對應有兩個識別標記8，但在IC元件和基板10的對位精度有寬裕(即不如此要求高精度)的產品的情況下，在一個IC固定區域中可以對應有一個識別標記8。在利用例如引線鍵合進行IC元件和接線柱5的連接的產品中，對位精度方面存在寬裕(即對位不如此要求高精度)的產品也是較多的，關於這樣的產品，還可以將與一個IC固定區域對應的識別標記8的數量設定得較少。例如，可以在IC固定區域的對角線的交點、或者劃線的對角線的交點形成一個識別標記8。另外，在例如通過面朝下進行IC元件和接線柱5的連接的產品中，對位精度沒有寬裕(即對位要求高精度)的產品也是較多的。關於這樣的產品，也可以將與一個IC固定區域對應的識別標記的數量設定得較多。例如，可以在一個IC固定區域對應有三個識別標記8。如此，在本實施方式中，與半導體裝置的種類(機種)或其安裝方式、對位的要求精度等相一致，在基板10上僅以需要的數量形成識別標記8。接著，如圖3(b)所示，以識別標記8為記號識別IC固定區域。例如，識別自識別標記8在一定方向(在圖3(b)中剖視下為右側方向)上位於隔開一定距離的位置上的某區域為IC固定區域。此外，在己識別的IC固定區域上將IC元件11對位，在己對位的狀態下，在位於IC固定區域的多個接線柱5上安裝IC元件11。通過這樣的方法，可以使IC元件11與IC固定區域高精度地對位，可以將IC元件11安裝在基板10上且較少發生位置不正。其中，在該晶片貼裝工序中，利用粘接劑12安裝IC元件11和接線柱5。使用的粘接劑12例如是熱固化膏狀或片狀。接著，如圖3(c)所示，位於IC固定區域以外的區域(即從IC元件的正下方向外的區域)的接線柱5的上面、與設置在IC元件11的有源面上的焊盤端子例如通過金屬線13連接。在這裡，可以以識別標記8為記號來識別成為外部端子的接線柱5，在所識別的接線柱5上連接金屬線13的一端。通過這樣的方法，可以從多個接線柱5中準確識別成為外部端子的接線柱5，能夠在所識別的接線柱5上高精度地安裝金屬線13。其中，在識別標記8與接線柱5或鍍敷層3a—樣具有導電性的情況下，例如可以在形成有識別標記8的接線柱5上連接金屬線13，將該接線柱5用作外部端子。接著，如圖3(d)所示，用模壓樹脂14密封包括IC元件11、金屬線13以及接線柱5的基板10的整個上方。模壓樹脂14例如是熱固化性的環氧樹脂等。在該樹脂密封工序中，例如包括IC元件11的基板10的表面側覆蓋空腔，對其內側進行減壓，向被減壓的空腔內提供模壓樹脂14。通過在這樣的減壓下的樹脂供給，能夠以良好的填充性向空腔內供給模壓樹脂14，能夠如圖3(d)所示，用模壓樹脂14掩埋凹部4a且沒有間隙。隨後，從背面側對連結各接線柱5的連結部6進行蝕刻並除去。該連結部6的蝕刻與形成凹部4a以及4b時一樣，例如使用氯化鐵溶液或鹼性溶液進行。由此，如圖3(e)所示，可以電斷開相鄰的各接線柱5，將與金屬線13連接的接線柱5分別用作電獨立的外部端子成為可能。另外，各接線柱5通過模壓樹脂14來固定其表面側的部位，所以在除去連結部之後也可以保持其位置。其中，當作為鍍敷層3b的保護膜在背面側殘留未圖示的光致抗蝕劑時，在連結部的蝕刻之後除去該光致抗蝕劑。另外，在鍍敷層3b是鍍Ag層的情況下，可以除去鍍Ag層，進行其他的鍍敷處理。即，可以除去鍍Ag層，然後，重新貼附其他種類的鍍層作為鍍敷層3b。作為其他種類的鍍層，例如可以舉出Ni/Pd/Au、或者Ni/Au、焊料等。關於這樣的鍍敷層3b的重新貼附，當在背面側形成有光致抗蝕劑時，可以在除去該光致抗蝕劑之後進行，另外，當未在背面側形成有光致抗蝕劑時，可以在除去連結部之後進行。接著，對模壓樹脂14進行劃片而使其單片化。在該劃片工序中，沿著劃線將模壓樹脂14分割成單個的樹脂封裝，並且切斷未成為製品的樹脂的空白部分並除去。另外，模壓樹脂14的切斷例如是以接線柱5背面露出的部分為記號進行的。在該劃片工序中，可以如圖4(a)所示用端子尺寸以上的刀片15切割端子部(即接線柱5)，還可以如圖4(b)所示使用半蝕刻幅度尺寸以下的刀片15切割端子之間(即，相鄰的一個接線柱5和另一個接線柱5之間)。另外，如圖4(a)所示，可以對形成有識別標記8的接線柱5進行切割。由此，完成半導體裝置IOO。其中，當對形成有識別標記8的接線柱5進行切割(g卩，劃線和識別標記8重疊)時，該識別標記8當然不會在半導體裝置IOO的內部殘留。另外，當識別標記8比劃線還位於內側時，在劃片後也會有識別標記8殘留於半導體裝置100的內部。根據劃線和識別標記8的位置關係，有識別標記8殘留於半導體裝置100的內部的情況、和不殘留的情況。由此，通過本發明的第一實施方式，作為用於搭載IC元件11的晶片焊盤，或者作為IC元件ll的外部端子，可以利用多個接線柱5，根據任意設定的IC固定區域的形狀以及大小，可以將多個接線柱5作為晶片焊盤或外部端子分別使用。因此，對於每種IC元件ll，沒有必要準備固有的晶片焊盤或固有的引線框架、固有的基板10(內插件等)來裝配半導體裝置IOO。針對多種IC元件ll，不對其焊盤端子的布局(配置位置)施加限制，可以使作為元件搭載以及外部端子使用的基板10的規格共用化。由此，可以有助於降低半導體裝置的製造成本。另外，不是像以往的晶片焊盤那樣金屬集中在一處。作為晶片焊盤或外部端子發揮功能的接線柱5在樹脂封裝內分散配置，所以可以分散水分的凝集位置，減輕水蒸氣壓的集中。因此，在與吸溼以及加熱相伴隨的可靠性試驗(即，在將由模壓樹脂14構成的樹脂封裝載置於高溼度的氣氛中的狀態下實施加熱處理，檢查樹脂封裝是否發生異常的試驗)中，可以抑制樹脂封裝的破裂，提高半導體裝置100的可靠性。進而，與半導體裝置的種類(機種)或其安裝方式、對位的要求精度等相一致，在基板10上僅以需要的數量形成識別標記8。此外，在晶片貼裝工序中，以識別標記8為記號來識別IC固定區域。通過這樣的方法，可以正確識別IC固定區域。因此，可以使IC元件11與IC固定區域高精度地對位，可以在位於IC固定區域上的接線柱5上安裝IC元件11且少有位置不正。另外，如圖7所示，剖視下看接線柱5的側面是彎曲的，相鄰接線柱5之間的凹部4a以及4b在剖視下成為碗狀。由此，與接線柱5的側面未發生彎曲(即，接線柱5的側面相對於表面以及背面是垂直的)的情況相比，可以增加模壓樹脂14和接線柱5側面的接觸面積，可以提高模壓樹脂14和接線柱5的接合力。進而，在各接線柱5的表面分別形成的鍍敷層3a從表面向外側鼓出，22如圖7的虛線所示，鍍敷層3a和接線柱5在剖視下的形狀成為"T"字形。由此，鍍敷層3a的鼓出部分被模壓樹脂14卡住，可以得到基於鍍敷層3a的錨固效果。由此，通過本發明的第一實施方式，實施下述a)、b)的雙重防脫落措施，因此可以向模壓樹脂14側壓住接線柱5，可以防止接線柱5從模壓樹脂14脫落。a)接線柱5的側面的彎曲形狀b)基於鍍敷層3a和接線柱5的T字形的錨固效果在該第一實施方式中，銅板1與本發明的"金屬板"相對應，銅板1的表面與本發明的"第一面"相對應，銅板1的背面與本發明的"第二面"相對應。另外，接線柱5與本發明的"金屬支柱"相對應，安裝有IC元件11的接線柱5與本發明的"第一金屬支柱"相對應，隔著鍍敷層3a與金屬線13連接的接線柱5與本發明的"第二金屬支柱"相對應。進而，金屬線13與本發明的"第一導電部件"相對應，模壓樹脂14與本發明的"樹脂"相對應。另外，具有識別標記8的基板10與本發明的"基板"相對應。(2)第二實施方式圖8(a)(c)是表示本發明的第二實施方式的半導體裝置110的製造方法的剖視圖。在這裡進行說明的是，在圖3(e)所示的背面貫通(即，連結部6的除去)之後，用抗蝕劑掩埋位於基板10的背面側的凹部4b，並且在背面側的鍍敷層3b使用Ni/Pd/Au、Ni/Au或者在背面側的鍍敷層3b追加錫焊而形成的情況。其中，關於圖8(a)(c)，對於結構與在第一實施方式中說明的各圖相同的部分，附加相同的符號，並省略其詳細說明。在圖8(a)中，直至背面貫通工序為止均與第一實施方式相同。在該第二實施方式中，在背面貫通之後，向基板10的背面側塗布阻焊劑16，掩埋凹部4b。接著，對該阻焊劑16進行曝光、顯影處理，部分除去阻焊劑16，如圖8(b)所示，使鍍敷層3b露出，並且在凹部4b內殘留阻焊劑16。在這裡，當阻焊劑16是正型時，使用僅對形成有凹部4b的區域進行遮光的光致掩模(未圖示)，對阻焊劑16進行曝光。另外，當阻焊劑16是負型時，使用僅對形成有接線柱5的區域進行遮光的光致掩模(未圖示)對阻焊劑16進行曝光。由此，可以在凹部4b內殘留阻焊劑16。接著，如圖8(c)所示，在已露出的鍍敷層3b的表面形成焊料鍍層等的端子部17。然後，對模壓樹脂14進行劃片而將其單片化。該劃片工序可以如圖4(a)所示用端子尺寸以上的刀片15切割接線柱5，還可以如圖4(b)所示使用半蝕刻幅度尺寸以下的刀片15切割接線柱5之間。根據劃線和識別標記8的位置關係，有識別標記8殘留於半導體裝置110的內部的情況、和未殘留的情況。由此，完成半導體裝置no。如此，通過本發明的第二實施方式，向凹部4b中埋入阻焊劑16，所以與第一實施方式相比，相鄰的接線柱5的連結力較強。另外，在接線柱5的厚度方向的中間部分有圓盤狀的突起部18，該突起部18通過阻焊劑16被固定在模壓樹脂14側。該突起部18是從表面以及背面側分別進行的溼式蝕刻的邊界部分。該突起部18例如可以說是在接線柱5的剖視情況下寬度比其他部分更寬的部分。通過本發明的第二實施方式，實施下述a)c)的三重防脫落措施，因此可以向模壓樹脂M側壓住接線柱，可以防止接線柱從模壓樹脂14脫落。a)接線柱5的側面的彎曲形狀b)通過鍍敷層3a和接線柱5的T字形的錨固效果c)通過阻焊劑16的脫落按壓(包括突起部18的固定)第二實施方式中與本發明的對應關係，與第一實施方式相同。(3)第三實施方式圖9(a)(c)是表示本發明的第三實施方式的半導體裝置120的製造方法的剖視圖。在這裡進行說明的是，在圖3(e)的背面貫通(即，連結部6的除去)之後，用阻焊劑16掩埋位於基板10的背面側的凹部4b，通過在鍍敷層3b上搭載焊料球19的情況。其中，關於圖9(a)(c)，對於結構與在第一、第二實施方式中說明的各圖相同的部分，附加相同的符號，並省略其詳細說明。在圖9(a)中，直至背面貫通工序為止均與第一實施方式相同。在該第三實施方式中，在背面貫通之後，向基板10的背面塗布阻焯劑16，掩埋凹部4b。在這裡，將阻焊劑16塗得比第二實施方式還厚。接著，對該阻焊劑16進行曝光、顯影處理，部分除去阻焊劑16，如圖9(b)所示，使鍍敷層3b露出，並且在凹部4b內殘留阻焊劑16。在這裡，如圖9(b)所示，形成阻焊劑16的(露出鍍敷層3b的)開口部，且其比第二實施方式小，使阻焊劑16漫上接線柱5偵U。在這裡，作為阻焊劑16，例如使用樹脂。特別是作為阻焊劑16，優選使用熱膨脹率比模壓樹脂14的熱膨脹率還大的樹脂。另外，作為阻焊劑16，優選使用彈性模量比模壓樹脂14的彈性模量還小的樹脂。然後，如圖9(c)所示，在從阻焊劑16露出的鍍敷層3b上搭載焊料球19。在這裡，由於阻焊劑16而鍍敷層3b的露出面變得狹窄(即縮小)，所以能夠以隆起的方式(即，剖視下成為蘑菇型)形成焊料球19。通過該焊料球19，得到穩定的安裝端子面積、高度(同平面性)，所以二次安裝性變得有利。隨後，對模壓樹脂14進行劃片並將其單片化。該劃片工序如圖4(a)或者圖4(b)所示。即，可以如圖4(a)所示用端子尺寸以上的刀片15切割接線柱5，還可以如圖4(b)所示使用半蝕刻幅度尺寸以下的刀片15切割接線柱5之間。另外，可以如圖4(a)所示切割形成有識別標記8的接線柱5。根據劃線和識別標記8的位置關係，有識別標記8殘留於半導體裝置120的內部的情況、和未殘留的情況。由此，完成半導體裝置120。如此，通過本發明的第三實施方式，與第二實施方式一樣，在凹部4b中掩埋有阻焊劑16，所以與第一實施方式相比，相鄰的接線柱5的連結力較強。另外，如圖10所示，在接線柱5的厚度方向的中間部分，有通過分別從表面和背面側進行的溼式蝕刻形成的圓盤狀的突起部18，該突起部18通過阻焊劑16被固定在模壓樹脂14側。進而，在凹部4b中掩埋的阻焊劑16漫上接線柱5側，通過該漫上的部分按壓鍍敷層3b的外周部。另外，該阻焊劑16的漫上接線柱5側的部分被焊料球19按壓。只要是這樣的結構，可以用阻焊劑16按壓形成有鍍敷層3b的接線柱5，可以用焊料球19按壓該阻焊劑16。通過本發明的第三實施方式，實施下述a)d)的四重防脫落措施，因此可以向模壓樹脂14側壓住接線柱，可以防止接線柱5從模壓樹脂14的脫落。a)接線柱5的側面的彎曲形狀b)通過鍍敷層3a和接線柱5的T字形的錨固效果c)通過阻焊劑16的按壓(包括突起部18的固定和基於漫上結構的從下側的按壓這兩者)d)通過蘑燕型焊料球19的按壓第三實施方式中與本發明的對應關係，與第一實施方式相同。(4)第四實施方式圖11是表示本發明的第四實施方式的半導體裝置130的構成例的剖視圖。在圖11中，對結構與在第一第三實施方式中說明的各圖相同的部分附加相同的符號，並省略其詳細說明。圖11所示的半導體裝置130是將在第一實施方式中劃片後的半導體裝置100(參照圖7)安裝在母插件21上，通過向模壓樹脂14和母插件21之間注入底層填料22而形成的。g卩，在該半導體裝置130中，設置在接線柱5的背面上的鍍敷層3b和設置在母插件21的表面上的布線層23被接合，在模壓樹脂14和母插件21之間，接線柱5的從模壓樹脂14露出的部分、鍍敷層3b和布線層23被底層填料22密封。由此，通過在二次安裝之後注入底層填料22，可以提高IC元件11和母插件21的連接可靠性。在這裡，作為底層填料22，例如使用樹脂。特別是作為底層填料22，優選使用熱膨脹率比模壓樹脂14的熱膨脹率還大的樹脂。另外，作為底層填料22，優選使用彈性模量比模壓樹脂14的彈性模量還小的樹脂。第四實施方式中與本發明的對應關係，與第一實施方式相同。(5)第五實施方式在上述的第一實施方式中，對在將IC元件11安裝在基板IO上之後對連結部6進行蝕刻並將其除去的情況進行說明。但是，在本發明中，可以在IC元件ll的安裝之前對連結部6進行蝕刻。在第五實施方式中，對這樣的方法進行說明。圖12(a)圖13(d)是表示本發明的第五實施方式的半導體裝置140的製造方法的剖視圖。在圖12以及圖13中，對結構與在第一第四實施方式中說明的各圖相同的部分附加相同的符號，並省略其詳細說明。在圖12(a)中，基板10例如是通過在圖1或圖2中說明的方法製造的。在基板10的背面塗布阻焊劑16掩埋凹部4b。在這裡，例如與第三實施方式一樣，較厚地塗布阻焊劑16。此外，從表面一側對連結相鄰的各接線柱5的連結部6進行蝕刻並將其除去。該連結部6的蝕刻例如使用氯化鐵或鹼性溶液進行。由此，如圖12(b)所示，可以電斷開相鄰的各接線柱5。其中，在該第五實施方式中，在對連結部進行蝕刻時，向凹部4b埋入阻焊劑16。為此，在除去連結部之後，也會通過阻焊劑16將相鄰的各接線柱5維持在連結狀態。接著，對阻焊劑16實施曝光、顯影處理，部分地除去阻焊劑16，如圖12(c)所示，使鍍敷層3b露出，並且在凹部4b內有阻焊劑16殘留。在這裡，例如與第三實施方式一樣，使阻焊劑16漫上接線柱5側。接著，識別標記的配置是利用噴墨法或雷射打標，使希望的位置的接線柱5表面(上面)著色，形成識別標記8。在利用噴墨法形成識別標記8的情況下，其著色材料例如可以採用耐熱性異色墨液，或者採用異色鍍敷等。其中，形成識別標記8的工序，可以在部分除去阻焊劑16的工序之前進行，但為了防止在除去阻焊劑16的工序或在其之前的工序即設置在識別標記8的工序之後進行的工序中所形成的識別標記8受到損傷或被除去，優選在除去阻焊劑16的工序之後、或者在即將進行後述的晶片貼裝工序之前，形成識別標記8。接著，如圖13(a)所示，通過粘接劑12將IC元件11安裝在位於IC固定區域的多個接線柱5上。在該晶片貼裝工序中，以識別標記8為記號將IC元件11識別為IC固定區域，將IC元件11對位於所識別的IC固定區域。此外，在將IC元件11對位於IC固定區域的狀態下，在位於IC固定區域的多個接線柱5上安裝IC元件11。通過這樣的方法，可以高精度地使IC元件11和IC固定區域對位，可以將IC元件11安裝於基板IO上且少有位置不正。接著，如圖13(b)所示，例如用金屬線13連接IC固定區域以外的區域(即從IC元件的正下方向外的區域)的接線柱5的上面、與設置在IC元件11的有源面上的焊盤端子。在這裡，可以以識別標記8為記號來識別成為外部端子的接線柱5，在所識別的接線柱5上連接金屬線13的一端。通過這樣的方法，可以從多個接線柱5中準確識別成為外部端子的接線柱5，可以在所識別的接線柱5上高精度地安裝金屬線13。接著，如圖13(c)所示，用模壓樹脂14密封包括IC元件11、金屬線13以及接線柱5的基板10的整個上方。模壓樹脂14例如是熱固化性的環氧樹脂等。在該樹脂密封工序中，例如包括IC元件11的基板10的表面側覆蓋空腔，對其內側進行減壓，向被減壓的空腔內提供模壓樹脂14。通過在這樣的減壓下的樹脂供給，能夠如圖13(c)所示，用模壓樹脂14掩埋凹部4a且沒有間隙。接著，如圖13(d)所示，在從阻焊劑16露出的鍍敷層的表面搭載焊料球19。在這裡，與第三實施方式一樣，由於阻焊劑16而鍍敷層3b的露出面變得狹窄(即縮小)，所以能夠使焊料球19在剖視下的形狀成為蘑菇型。隨後，對模壓樹脂14進行劃片並將其單片化。該劃片工序如圖4(a)或者圖4(b)所示，可以切割形成有識別標記8的接線柱5。根據劃線和識別標記8的位置關係，有識別標記8殘留於半導體裝置140的內部的情況、和未殘留的情況。由此，完成半導體裝置140。如此，通過本發明的第五實施方式，與第一實施方式一樣，以識別標記8為記號來識別IC固定區域，在所識別的IC固定區域對位IC元件11。因此，可以將IC元件11高精度地對位於IC固定區域，可以在位於IC固定區域的接線柱5上安裝IC元件11且少有位置不正。另外，通過本發明的第五實施方式，實施下述a)d)的四重防脫落措施，因此可以向模壓樹脂14側壓住接線柱，可以防止接線柱5從模壓樹脂14的脫落。a)接線柱5的側面的彎曲形狀b)通過鍍敷層3a和接線柱5的T字形的錨固效果c)通過阻焊劑16的脫落按壓(包括突起部18的固定和漫上結構)d)通過蘑菇型焊料球19的脫落按壓.進而，通過本發明的第五實施方式，在除去由銅板構成的連結部6之後，也可以通過阻焊劑I6來維持相鄰的各接線柱5的連結狀態。為此，例如可以在圖12(c)所示的狀態下使基板10流通，即便在不具有進行銅板的蝕刻或阻焊劑的塗布、曝光以及顯影處理的裝置的裝配工序(設備)中，也可以裝配半導體裝置140。在該第五實施方式中，連結部6以及阻焊劑16與本發明的"連結部"對應。其他對應關係與第一實施方式相同。(6)第六實施方式在上述的第一實施方式中，如圖1以及圖2所示，對從表面以及背面分別對銅板1進行半蝕刻製造基板10的情況進行了說明。但是，本發明的基板的製造方法並不限於此。例如，可以僅對銅板1的表面實施半蝕刻來製造基板。在第六實施方式中，對這一點進行說明。其中，在該第六實施方式中，作為基板的製造方法的一例，對圖M以及圖15所示的兩種製造方法進行說明。圖14是應用了半添加法的製造方法，圖15是應用了減成法的製造方法。在對該兩種製造方法進行說明之後，圖16中對IC元件的安裝以及樹脂密封的工序進行說明。圖14(a)(f)是表示本發明的第六實施方式的基板20的製造法方法(半添加法)的剖視圖。在圖14中，對結構與在第一^^第五實施方式中說明的各圖相同的部分附加相同的符號，並省略其詳細說明。首先，如圖14(a)所示準備銅板1。接著，如圖14(b)所示，向銅板1的表面以及背面分別塗布光致抗蝕劑2a以及2b。然後，如圖14(c)所示，對光致抗蝕劑2a以及2b實施曝光以及顯影處理，形成露出形成有接線柱5的區域並覆蓋其以外的區域的進行覆蓋的抗蝕劑圖案2a'以及2b，。在這裡，在銅板1的表面形成抗蝕劑圖案2a，，並且在銅板1的背面形成抗蝕劑圖案2b'。接著，如圖14(d)所示，例如利用非電解鍍敷法，在從抗蝕劑圖案2a，以及2b，露出的區域(即形成接線柱5的區域)的銅板l上形成鍍敷層3a以及3b。在形成鍍敷層3a以及3b之後，如圖14(e)所示，從銅板I的表面以及背面分別除去抗蝕劑圖案。然後，如圖14(f)所示，以鍍敷層3a為掩模從表面側對銅板l進行半蝕刻，形成凹部4a。在該圖14(f)的工序中，僅從表面側對銅板l進行蝕刻，不從背面側進行蝕刻。這樣的僅在單面進行的蝕刻可以利用噴射式的溼式蝕刻來實行。例如，作為蝕刻液，例如選擇氯化鐵溶液或鹼性溶液，將其以噴霧的方式噴到銅板1的表面側，由此形成凹部4a。其中，凹部4a的深度可以是銅板1的厚度的一半，也可以比其深或比其淺。另外，基於與第一實施方式相同的理由，可以在半蝕刻之後清洗基板20，還可以在清洗處理之後(包括凹部的內面)向銅板1的表背面塗布防氧化材料。另外，在圖14(e)中，可以在對銅板1進行蝕刻之前，在銅板1的表面以及背面分別新形成鍍敷保護用的光致抗蝕劑(未圖示)。在銅板1的蝕刻工序中，以被該光致抗蝕劑覆蓋的鍍敷層3a為掩模從表面側對銅板1進行蝕刻。因此，可以保護鍍敷層3a以及3b免受蝕刻液的損害。另外，該鍍敷保護用的光致抗蝕劑，可以在形成凹部4a之後直接殘留。由此，可以在以後的裝配工序中繼續保護鍍敷層3a以及3b。該鍍敷保護用的光致抗蝕劑可以形成在鍍敷層3a以及3b雙方，還可以僅殘留在鍍敷層3b。另外，這樣的鍍敷保護用的光致抗蝕劑，可以不是在銅板1的蝕刻之前形成，而是在銅板1的蝕刻之後形成。即便是這樣的結構，即便在以後的裝配工序中，也可以繼續保護鍍敷層3a以及3b。接著，關於另一個製造方法，邊參照圖15邊進行說明。圖15(a)(g)是表示本發明的第六實施方式的基板20的製造方法(減成法)的剖視圖。在圖15中，對於結構與在第一^^第五實施方式中說明的各圖相同的部分，附加相同的符號，並省略其詳細說明。首先，如圖15(a)所示準備銅板1。接著，如圖15(b)所示，例如利用非電解鍍敷法在銅板1的表面以及背面分別形成鍍敷層3a'以及3b，。此外，如圖15(c)所示，在銅板1的表面以及背面分別塗布光致抗蝕劑7a以及7b。接著，如圖15(d)所示，對光致抗蝕劑7a以及7b進行曝光和顯影處理，形成覆蓋形成有接線柱的區域並露出其以外的區域的抗蝕劑圖案7a，以及7b，。此外，如圖15(e)所示，以抗蝕劑圖案7a'以及7b，為掩模分別對鍍敷層3a，以及3b，進行蝕刻而將其除去。由此，如圖3015(e)所示，己形成圖案的鍍敷層3a以及3b分別形成在銅板1的表面以及背面。接著，如圖15(f)所示，以抗蝕劑圖案7a'、和被其覆蓋的鍍敷層3a為掩模，從表面側對銅板1進行半蝕刻。由此，在銅板1的表面側形成凹部4a。在該圖15(f)的工序中，僅從銅板l的表面側進行蝕刻，不從背面側進行蝕刻。這樣的僅從表面側的蝕刻例如可以通過噴射式的溼式蝕刻來實行。在這裡，作為蝕刻液，例如選擇氯化鐵溶液或鹼性溶液，以噴霧的形式將其噴到銅板1的表面側，由此形成凹部4a。其中，在銅板1的表面形成的凹部的深度可以是銅板1的厚度的一半，還可以比其深或比其淺。另外，基於與第一實施方式相同的理由，可以在半蝕刻之後清洗基板20，還可以在清洗處理之後(包括凹部的內面)在銅板1的表背面塗布防氧化材料。接著，如圖15(g)所示，從基板20除去抗蝕劑圖案。其中，圖15(g)的抗蝕劑除去工序，在本實施方式並不是必須的工序，是一個例子。在本實施方式中，可以在基板20的兩面殘留抗蝕劑圖案。另外，在圖15(g)中，可以僅除去基板20的表面側的抗蝕劑圖案，直接殘留背面側的抗蝕劑圖案。由此，可以在以後的裝配工序中將抗蝕劑圖案用作鍍敷層3b的保護膜。另外，在圖15所示的製造方法中，可以不通過溼式蝕刻之類的化學加工進行圖15(c)(e)的工序，而是通過物理加工來進行。與第一實施方式一樣，可以通過噴砂處理或使用了切削工具的處理，部分除去鍍敷層。圖16(a)(d)是表示本發明的第六實施方式的半導體裝置150的製造方法(識別標記加工樹脂密封工序)的剖視圖。在圖16中，對於結構與在第一第五實施方式中說明的各圖相同的部分，附加相同的符號，並省略其詳細說明。在圖16(a)中，首先，準備利用圖14或者圖15的方法製造的基板20，在該基板20的表面形成識別標記8。在這裡，與第一實施方式一樣，例如通過噴墨法或雷射打標，使希望的位置的接線柱5上面著色，形成識別標記8。接著，以識別標記8為記號識別IC固定區域，在己識別的IC固定區域上對位IC元件11。此外，在IC固定區域的多個接線柱5上，隔著粘接劑12安裝IC元件ll。接著，如圖16(b)所示，例如用金屬線13連接IC固定區域以外的區域(即從IC元件的正下方向外的區域)的接線柱5的上面、與設置在IC元件ll的有源面上的焊盤端子。在這裡，可以以識別標記8為記號來識別成為外部端子的接線柱5，在所識別的接線柱5上連接金屬線13的一端。通過這樣的方法，可以從多個接線柱5中準確識別成為外部端子的接線柱5，可以在所識別的接線柱5上高精度地安裝金屬線13。接著，如圖16(c)所示，用模壓樹脂14密封包括IC元件11、金屬線13以及接線柱5的基板10的整個上方。模壓樹脂14例如是熱固化性的環氧樹脂等。在該樹脂密封工序中，例如包括IC元件11的基板20的表面側覆蓋空腔，對其內側進行減壓，向被減壓的空腔內提供模壓樹脂14。通過在這樣的減壓下的樹脂供給，能夠如圖16(c)所示，用模壓樹脂14掩埋凹部4a且沒有間隙。隨後，以鍍敷層3b為掩模，從背面側對基板20進行蝕刻而除去連結部6，如圖16(d)所示，電斷開相鄰的各接線柱5。該基板20的蝕刻例如使用氯化鐵溶液或鹼性溶液進行的。由此，將與金屬線13連接的接線柱5分別用作電獨立的外部端子成為可能。其中，當作為鍍敷層3b的保護膜在背面側殘留未圖示的光致抗蝕劑時，在連結部的蝕刻之後除去該光致抗蝕劑。另外，在鍍敷層3b是鍍Ag層的情況下，可以除去鍍Ag層，進行其他的鍍敷處理。即，可以除去鍍Ag層，然後，重新貼附其他種類的鍍層作為鍍敷層3b。作為其他種類的鍍層，例如可以舉出M/Pd/Au、或者Ni/Au、焊料等。關於這樣的鍍敷層3b的重新貼附，當在背面側形成有光致抗蝕劑時，可以在除去該光致抗蝕劑之後進行，另外，當未在背面側形成有光致抗蝕劑時，可以在除去連結部之後進行。接著，對模壓樹脂14進行劃片而使其單片化。該劃片工序如圖4(a)或圖4(b)所示，可以切割形成有識別標記8的接線柱5。根據劃線和識別標記8的位置關係，有識別標記8殘留於半導體裝置150的內部的情況、和不殘留的情況。由此，完成半導體裝置150。由此，通過本發明的第六實施方式，與第一實施方式一樣，作為用於32搭載IC元件11的晶片焊盤，或者作為IC元件11的外部端子，可以利用多個接線柱5，根據任意設定的IC固定區域的形狀以及大小，可以將多個接線柱5作為晶片焊盤或外部端子分別使用。因此，與第一實施方式一樣，可以使作為元件搭載以及外部端子使用的基板20的規格共用化。由此，可以有助於降低半導體裝置的製造成本。另外，通過本發明的第六實施方式，與第一實施方式一樣，以識別標記8為記號識別IC固定區域，在所識別的IC固定區域對位IC元件11。因此，可以高精度地將IC元件11對位於IC固定區域，可以將IC元件11安裝於位於IC固定區域的接線柱5上且少有位置不正。進而，通過本發明的第六實施方式，實施下述a)、b)的雙重防脫落措施，因此可以向模壓樹脂14側壓住接線柱5，可以防止接線柱5從模壓樹脂14脫落。a)接線柱5的側面的彎曲形狀b)基於鍍敷層3a和接線柱5的T字形的錨固效果在該第六實施方式中，具有識別標記8的基板20與本發明的"基板"相對應。其他對應關係與第一實施方式相同。(7)第七實施方式在上述的第一第六實施方式中，對在具有多個接線柱5的基板10或20上搭載IC元件11的情況進行了說明。但是，在本發明中，在基板10或20上搭載的元件並不限於IC元件11，例如可以是電阻元件、電容元件等無源部件。圖17(a)(c)是表示本發明的第七實施方式的半導體裝置160、170、180的構成例的剖視圖。在圖17中，對結構與在第一第六實施方式中說明的各圖相同的部分附加相同的符號，並省略其詳細說明。關於圖17(a)所示的半導體裝置160，是無源部件31被焊料32固定在接線柱5的表面、且該無源部件31與IC元件11的電連接(即連線)在母插件(未圖示)側進行的類型的裝置。在圖17(a)中，該半導體裝置160的接線柱5的背面側的部位從模壓樹脂14露出，且接線柱5的側面在剖視下是彎曲的。另外，焊料32層例如是在安裝無源部件31之前將膏狀焊料32塗布在接線柱5的表面，在安裝時對該膏狀焊料32實施回流處理，由此形成。關於圖17(b)所示的半導體裝置170，是無源部件31被焊料32固定在接線柱5上、且該無源部件31與IC元件11的電連接由金屬線33等進行的類型的裝置。在該半導體裝置170中，接線柱5的背面側的部位從模壓樹脂14露出，且接線柱5的側面在剖視下是彎曲的。另外，就無源部件31的端子部34而言，用Au或Ag等鍍敷其表面，端子部34和接線柱5的表面被金屬線33連接。進而，與IC元件11連接的金屬線13的一部分和與無源部件31連接的金屬線33的一部分，與相同的接線柱5的表面連接。通過金屬線13、接線柱5、和金屬線33,IC元件11和無源部件31進行電連接。關於圖17(c)所示的半導體裝置180，是無源部件31被絕緣性樹脂35固定在接線柱5上、且該無源部件31與IC元件11的電連接由金屬線33等進行的類型的裝置。在該半導體裝置180中，與圖17(b)所示的半導體裝置170的不同點在於，接合無源部件31和接線柱5的接合部件不是焊料，而是絕緣性樹脂35。其他結構完全相同。由此，關於本發明的第七實施方式的半導體裝置160、170、180，作為用於搭載IC元件11或無源部件31的晶片焊盤，另外，作為IC元件11或無源部件31的外部端子，可以分別利用多個接線柱5。此外，根據任意設定的IC固定區域的形狀以及大小、和固定無源部件31的區域的形狀以及大小，可以將多個接線柱5作為晶片焊盤或外部端子分別使用。因此，與第一實施方式一樣，可以使基板10的規格共用化，可以有助於降低半導體裝置的製造成本。另外，在本發明的第七實施方式中，在晶片貼裝工序中，可以以識別標記8為記號識別安裝有無源部件31的區域(以下稱為規定區域)，在所識別的規定區域對位無源部件31。通過這樣的方法，可以在規定區域高精度地對位無源部件31，可以在位於規定區域的多個接線柱5上安裝無源部件31且少有位置不正。另外，在引線鍵合工序中，以識別標記8為記號識別成為外部端子的接線柱5，在所識別的接線柱5上分別連接金屬線13、33的一端。通過這樣的方法，可以從多個接線柱5中準確識別成為外部端子的接線柱5，能夠在所識別的接線柱5上高精度地分別安裝金屬線13、33。進而，通過本發明的第七實施方式，實施下述a)、b)的雙重防脫落措施，因此可以向模壓樹脂14側壓住接線柱5，可以防止接線柱5從模壓樹脂14脫落。a)接線柱5的側面的彎曲形狀b)基於鍍敷層3a和接線柱5的T字形的錨固效果在該第七實施方式中，安裝有無源部件31的接線柱5與本發明的"第三金屬支柱，，相對應，與無源部件31電連接的接線柱5與本發明的"第四金屬支柱"相對應。另外，焊料32或金屬線33與本發明的"第二導電部件"相對應。其他對應關係與第一實施方式相同。(8)第八實施方式在上述的第一第七實施方式中，對使用金屬線13電連接多個接線柱5和IC元件11的情況(即，引線鍵合方式)進行了說明。但是，本發明並不限於引線鍵合方式，例如可以是面朝下方式。在第八實施方式中，對該點進行具體說明。圖18(a)(e)是表示本發明的第八實施方式的半導體裝置190的製造方法的剖視圖。在圖18中，對於結構與在第一第七實施方式中說明的各圖相同的部分，附加相同的符號，並省略其詳細說明。在圖18(a)中，首先，準備利用圖1或者圖2的方法製造的基板10，在該基板10的表面形成識別標記8。在這裡，與第一實施方式一樣，例如通過噴墨法或雷射打標，使希望的位置的接線柱5上面著色，形成識別標記8。其中，與引線鍵合方式相比，在面朝下方式中，要求IC元件41和基板10的對位具有更高的精度，所以例如可以相對於一個IC固定區域形成兩個以上的識別標記8。接著，如圖18(b)所示，在使IC元件41的有源面朝向基板10的狀態下，以識別標記8為記號識別IC固定區域，將IC元件41對位於已識別的IC固定區域。此外，如圖18(c)所示，在將IC元件41定位於IC固定區域的狀態下，向基板10—側按壓IC元件41，使在IC元件41的有源面上形成的多個電極42分別與和它們各自對應的多個接線柱5上面接合。在這裡，電極42例示是由金屬構成的焊盤，其配置間隔(pitch)可以被設計成接線柱5的間距的整數倍。由此，IC元件41被安裝在基板IO上，IC元件41的電極42和接線柱5被電連接。其中，作為電極42，可以使用利用電鍍形成由金屬構成的焊盤、或焊料焊盤等。接著，如圖18(d)所示，用模壓樹脂14密封包括IC元件41的基板10的整個上方。模壓樹脂14例如是熱固化性的環氧樹脂等。在該樹脂密封工序中，例如包括IC元件41的基板10的表面側覆蓋空腔，對其內側進行減壓，向被減壓的空腔內提供模壓樹脂14。由此，能夠以良好的填充性向空腔內供給模壓樹脂14，能夠用模壓樹脂14掩埋凹部4a且沒有間隙。隨後，從背面側對連結各接線柱5的連結部6進行蝕刻而將其除去。由此，如圖18(e)所示，可以電斷開相鄰的各接線柱5，可以將接線柱5分別用作電獨立的外部端子。然後，對模壓樹脂14進行劃片而使其單片化。該劃片工序如圖4(a)或圖4(b)所示，可以切割形成有識別標記8的接線柱5。根由此，完成半導體裝置190。由此，通過本發明的第八實施方式，與引線鍵合方式一樣，根據任意設定的IC固定區域的形狀以及大小，可以將多個接線柱5作為晶片焊盤或外部端子分別使用。因此，與第一實施方式一樣，可以使作為元件搭載以及外部端子使用的基板10的規格共用化。由此，可以有助於降低半導體裝置的製造成本。另外，通過本發明的第八實施方式，與第一實施方式一樣，以識別標記8為記號識別IC固定區域，在所識別的IC固定區域對位IC元件41。因此，可以高精度地將IC元件41對位於IC固定區域，可以將IC元件41安裝於位於IC固定區域的接線柱5上且少有位置不正。進而，通過本發明的第八實施方式，實施下述a)、b)的雙重防脫落措施，因此可以向模壓樹脂14側壓住接線柱5，可以防止接線柱5從模壓樹脂14脫落。a)接線柱5的側面的彎曲形狀b)基於鍍敷層3a和接線柱5的T字形的錨固效果在該第八實施方式中，電極42與本發明的"第一導電部件"相對應。其他對應關係與第一實施方式相同。其中，在上述的第一第八實施方式中，以在基板10上形成的凹部4a以及4b在剖視下的形狀(以下稱為截面形狀)為碗形的情況為例進行說明。但是，凹部4a以及4b的截面形狀並不限於此。例如，如圖19(a)(e)所示，凹部4a以及4b的截面形狀可以為將橢圓橫著放倒的形狀。此時，面向凹部4a以及4b的接線柱5的側面成為縮頸形狀。如果這樣的結構，在圖19(d)中，在對IC元件11和基板10的表面側的部位進行樹脂密封時，成為縮頸抓住模壓樹脂14這樣的形態。因此，在圖19(d)以後的工序中，可以得到基於縮頸的錨固效果，可以更牢靠地防止接線柱5從模壓樹脂14脫落。另外，如圖19(a)(e)所示的縮頸形狀例如可以通過噴射式的溼式蝕刻形成。在噴射式中，通過將蝕刻溶液的噴霧角度設定成與銅板的表面垂直，可以促進蝕刻在深度方向上的進行，通過使其傾斜，可以促進蝕刻的橫向進行(即側面蝕刻)。進而，也可以通過提高蝕刻液的噴霧壓力來提高蝕刻速度。因此，例如利用噴射式進行銅板的蝕刻，並且在蝕刻過程中適當變化蝕刻溶液相對於銅板表面的噴霧角度、噴霧壓力，由此可以使接線柱5的側面在剖視下成為縮頸形狀。(9)第九實施方式圖20圖25是表示本發明的第九實施方式的基板50的製造方法的圖。如果進行詳細說明，則圖20(a)、圖21(a)以及圖23(a)為仰視圖，圖20(b)、圖21(b)以及圖23(b)是分別用Xl—X，l線、X2—X'2線、X4—X，4線將圖20(a)、圖21(a)以及圖23(a)切斷時的剖面圖。另外，圖25(a)(c)是表示圖24(c)以後的製造工序的剖面圖。首先，準備如圖20(a)以及(b)所示的銅板101。銅板101在剖視下的縱、橫尺寸比由銅板101作成的半導體裝置的封裝外形大即可。另外，銅板101的厚度h例如為0.100.30mm左右。接著，如圖21(a)以及(b)所示，用抗蝕劑103全面覆蓋銅板101的上面，並且銅板101的下面形成露出其部分表面的抗蝕劑圖案105。如圖21(a)以及(b)所示，抗蝕劑圖案105的形狀例如為圓形，其圓心之間的距離(即間距)例如為0.51.0mm左右，直徑O為0.20.3mm左右。接著，如圖22所示，以該抗蝕劑圖案105為掩模對銅板101的下面進行半蝕刻(即，蝕刻至銅板101的厚度方向的中途)，在銅板101的下面側形成凹部107。銅板101的蝕刻例如使用氯化鐵溶液。然後，如圖23(a)以及(b)所示，在銅板101的上下兩面鍍敷銀(Ag)或鈀(Pd)等的金屬薄膜109。其中，該金屬薄膜109的鍍敷可以在銅板101的蝕刻之前進行。另外，在這樣的鍍敷處理等前後或與其同時，準備如圖24(a)所示的支承基板121,如圖24(b)所示在支承基板121的上面塗布粘接劑。支承基板121例如是玻璃基板。另外，粘接劑123例如是阻焊劑、紫外線固化粘接劑(即UV粘接劑)或熱固化粘接劑等。此外，如圖24(c)所示，將己實施鍍敷處理的銅板101的下面按壓在塗布有粘接劑123的支承基板121的上面而將其粘接。接著，如圖25(a)所示，在銅板101的上面形成在形成有凹部107的區域開口並覆蓋其以外的區域的抗蝕劑圖案131。此外，如圖25(b)所示，以該抗蝕劑圖案131為掩模對銅板101進行蝕刻直至貫通，形成多個圓柱狀電極(即，接線柱)40。在從銅板101形成多個接線柱40之後，如圖25(c)所示，從接線柱40的上面除去抗蝕劑圖案。由此，完成基板50。然後，例如通過噴墨法或雷射打標，使位於希望的位置的接線柱40表面(上面)著色，形成識別標記8。在利用噴墨法形成識別標記8的情況下，其著色材料例如可以採用耐熱性異色墨液，或者採用異色鍍敷等。如圖26所示，在支承基板121上形成多個由銅板101形成的接線柱40，它們互相以相同形狀和相同尺寸在縱向、橫向分別以等間隔配置。另外，在一部分接線柱40的表面形成有與其他接線柱40有區分的識別標記8。圖27(a)(c)是表示接線柱40的截面形狀的一例的圖。如圖27(a)(c)所示。利用上述製造方法形成的接線柱40的上面以及下面的直徑(D1、02可以為相同大小，也可以是(D1小於02，還可以是Ol大於02。各種情況都各有優點。艮P，如圖27(a)所示，為了形成0>1=0>2的接線柱40，可以使用掩模區域(即覆蓋的區域)的形狀以及大小相同的抗蝕劑圖案105、131(參照圖21以及圖25)，從下面以及上面分別蝕刻銅板IOI。此時，抗蝕劑圖案105、131可以由相同種類的光致掩模形成，所以與使用不同種類的光致掩模情況相比，可以進一步降低基板50的製造成本。另外，如圖27(b)所示，當形成012的接線柱40時，為了使支承基板121和接線柱40的粘接面積較大且接線柱40的姿態穩定，在後面說明的IC元件的安裝工序(即晶片貼裝工序)或樹脂密封工序中，可以降低接線柱40顛倒的可能性。進而。如圖27(c)所示，當形成OlxD2的接線柱40時，可以在接近支承基板121的一側確保接線柱一接線柱之間的間隙較寬，樹脂向該間隙的填充變得比較容易。其中，如圖27(b)所示，為了形成0>12的接線柱40,使在銅板101的下面形成的抗蝕劑圖案105的掩模區域和在銅板101的上面形成的抗蝕劑圖案Bl的掩模區域為相同的圓形，並且使抗蝕劑圖案105的掩模面積大於抗蝕劑圖案131的掩模面積即可。g卩，可以使抗蝕劑圖案105的開口面積小於抗蝕劑圖案Bl的開口面積。由此，在銅板101的上面進行範圍比下面更廣的蝕刻，所以OK①2。另外，如圖27(c)所示，為了形成01>02的接線柱40，使在銅板101的下面形成的抗蝕劑圖案105的掩模區域和在銅板101的上面形成的抗蝕劑圖案131的掩模區域為相同的圓形，並且使抗蝕劑圖案105的掩模面積小於抗蝕劑圖案131的掩模面積即可。由此，在銅板101的下面進行範圍比上面更廣的蝕刻，所以01〉02。進而，在利用光刻法分別在銅板101上形成抗蝕劑圖案105、131的工序中，例如可以以銅板101的外形為記號進行光致掩模的對位。通過這樣的方法，可以相對於銅板101以高位置精度分別形成抗蝕劑圖案105、131，可以充分減少在抗蝕劑圖案105、131之間的相對位置不正量。接著，對在該基板50上安裝裸露狀態的IC元件製造半導體裝置200的方法進行說明。圖28圖32是表示本發明的第九實施方式的半導體裝置200的製造方法的圖。如果進行詳細說明，則圖28(a)圖32(a)是表示IC元件151的晶片尺寸例如為2mm方形時的俯視圖。另外，圖28(b)圖32(b)是表示IC元件151的晶片尺寸例如為lmm方形時的俯視圖。進而，圖28(c)圖32(c)是用Y9—Y'9線Y13—Y，13線切斷圖28(b)圖32(b)時的剖面圖。在圖28(a)(c)中，首先，在IC固定區域的接線柱40上(或者IC元件151的背面側)塗布粘接劑(未圖示)。在這裡使用的粘接劑例如是熱固化膏或片。接著，以識別標記8為記號，識別IC固定區域，將IC元件151對位於已識別的IC固定區域。然後，在已對位的狀態下，使IC元件151的背面接觸IC固定區域的多個接線柱40上並固定(晶片貼裝工序)。接著，如圖29(a)(c)所示，例如用金屬線153連接IC固定區域以外的區域的(即，從IC元件151的正下方向外的區域)的接線柱40的上面、和IC元件151表面的焊盤端子。在這裡，可以以識別標記8為記號，識別成為外部端子的接線柱40，在所識別的接線柱40上連接金屬線153的一端。此外，如圖30(a)(c)所示，用模壓樹脂161密封包括IC元件151、金屬線153、接線柱40以及識別標記8的支承基板121的整個上方(樹脂密封工序)。模壓樹脂161例如是熱固化性的環氧樹脂等。如上所述，支承基板121例如是玻璃基板，是熱膨脹係數比較小的材料，所以即便是在樹脂密封工序中加熱20(TC左右，俯視下在縱向和橫向也幾乎沒有擴展。因此，在樹脂密封工序期間，也可以持續保持相鄰接線柱40間的距離大致恆定。然後，如圖31(a)(c)所示，將內包有IC元件151的模壓樹脂161從支承基板剝離。關於從支承基板的剝離，當使用紫外線固化型粘接劑作為粘接劑123時，可以通過UV(紫外線)照射使粘接力降低然後進行剝離。或者，可以施加機械力將內包有IC元件151的模壓樹脂161從支承基板剝離。另外，剝離後的粘接劑可以殘留在樹脂側，還可以殘留在支承基板側。圖34(a)是粘接劑123殘留在模壓樹脂161側的情況，圖34(b)是粘接劑123與支承基板一起被除去的情況。在本發明中，可以是圖34(a)以及(b)的任意形態。其中，在從支承基板剝離模壓樹脂161之後，成為從其剝離面露出金屬薄膜109的狀態。接著，在圖31(a)(c)中，例如使用墨液以及雷射。在模壓樹脂161的上面(即未露出端子的一側的面)標上產品標記(未圖示)等。此外，如圖32(a)(c)所示，在模壓樹脂161的整個上面連續粘貼例如紫外線固化膠帶(UV膠帶)163。此外，使用刀片切斷模壓樹脂161使其與產品外形一致。在該劃片工序中，將模壓樹脂161分割成各個樹脂封裝162，並且切斷不會成為產品的樹脂的空白部分而將其除去。另外，樹脂的切斷例如是以從模壓樹脂161的下面(即，露出端子的一側的面)露出的接線柱40為記號進行的。由此，如圖33(a)、(b)所示，完成了由IC元件151、接線柱40、金屬線153、和將它們密封的樹脂封裝162構成的半導體裝置200。從樹脂封裝露出的接線柱40(即外部端子)可以原封不動，也可以像BGA那樣搭載焊料球等。其中，表1表示第九實施方式的半導體裝置200的應用晶片尺寸、晶片下的(外部)端子數、最大外部端子數以及封裝外形的一例。表1tableseeoriginaldocumentpage41在表l中，間距是指相鄰接線柱之間的距離，是從一個接線柱中心到另一個接線柱中心的距離。如表1以及圖35(a)所示，間距例如為0.5mm左右。另外，應用晶片尺寸是指被樹脂封裝密封的IC元件的晶片尺寸(IC元件在俯視下的形狀例如是正方形)。另外，最大外部端子數是通過樹脂封裝進行樹脂密封的接線柱40的最大數，封裝外形是樹脂封裝在俯視下的縱向或橫向長度(樹脂封裝在俯視下的形狀例如是正方形)。如表l以及圖35(b)所示，在接線柱40於俯視下分別整齊地縱向以及橫向排列的狀態下，即當俯視下配置在正柵上的各交點位置(以下簡稱為"配置成格柵狀")時，固定IC元件的區域(即IC固定區域)以及樹脂密封的區域(即密封區域)的面積越大，則各區域所含的接線柱40也就越多。根據上述說明，通過本發明的第九實施方式，作為用於搭載IC元件151的晶片焊盤，或者作為IC元件151的外部端子，可以利用接線柱40，根據任意設定的IC固定區域的形狀以及大小，可以將接線柱40作為晶片焊盤或外部端子分別使用。S卩，接線柱40成為晶片焊盤，也成為外部端子。因此，沒有如同以往技術那樣，對於每種IC元件151準備固有的晶片焊盤或固有的引線框架、固有的基板(內插件等)，裝配半導體裝置。對於多種IC元件151，不對其焊盤端子的布局施加限制，可以使作為元件搭載以及外部端子使用的基板50的規格共用化。由此，可以有助於降低半導體裝置的製造成本。另外，如圖25(a)(c)等所示，可以在接線柱40的下面側的外周面形成金屬薄膜109。因此，當將接線柱40的下面例如焊接在母插件等上時，可以自接線柱的下面向其外周面廣泛載置焊料，可以以高接合強度連接接線柱40和母插件。進而，如圖36(a)(c)所示，不像以往的晶片焊盤那樣金屬集中在一處。作為晶片焊盤或外部端子發揮功能的接線柱40在樹脂封裝162內分散配置，所以可以分散水分的凝集位置，減輕水蒸氣壓的集中。因此，在與吸溼以及加熱相伴隨的可靠性試驗中，可以抑制樹脂封裝162的破裂，提高半導體裝置的可靠性。其中，圖36(a)(c)表示IC元件151的尺寸例如是2mm方形的情況，在圖36(a)中，為了避免附圖的複雜化，省略了樹脂封裝163的標記。另外，通過本發明的第九實施方式，與第一實施方式一樣，以識別標記8為記號來識別IC固定區域，在所識別的IC固定區域對位IC元件151。因此，可以將IC元件151高精度地對位於IC固定區域，可以在位於IC固定區域的接線柱40上安裝IC元件151且少有位置不正。在該第九實施方式中，銅板101與本發明的"金屬板"相對應，銅板42101的表面與本發明的"第一面"相對應，銅板101的背面與本發明的"第二面"相對應。另夕卜，接線柱40與本發明的"金屬支柱"相對應，安裝有IC元件151的接線柱與本發明的"第一金屬支柱"相對應，通過金屬薄膜109與金屬線153連接的接線柱40與本發明的"第二金屬支柱，，相對應。進而，金屬線153與本發明的"第一導電部件"相對應，模壓樹脂161與本發明的"樹脂"相對應。另外，具有識別標記8的基板50與本發明的"基板"相對應。，其中，在該第九實施方式中，如圖35(b)所示，對接線柱40於俯視下分別整齊地縱向以及橫向排列的狀態、即俯視下配置成格柵狀的情況進行說明。但是，接線柱40的配置並不限於此。例如，如圖37所示，接線柱40可以是奇數列和偶數列彼此錯幵半個間距且奇數行和偶數行彼此錯開半個間距的狀態，即俯視下配置成鋸齒狀。即便是這樣的結構，接線柱40也可以成為晶片焊盤或外部端子的任意，所以不會像以往技術那樣需要專用的晶片焊盤。另外，由於形成有識別標記8，所以與柵格狀的情況一樣，可以準確識別IC固定區域。另外，在該第九實施方式中，關於形成接線柱40的側面的銅板101的蝕刻工序，是對從銅板101的上下兩面分兩次進行該工序的情況進行了說明。但是，該蝕刻工序也可以不是分兩次進行，可以控制成一次。艮口，如圖38(a)所示，首先，在下面未形成凹部的平坦銅板101的下面鍍敷Ag等的金屬薄膜109。接著，將已實施該鍍敷處理的銅板101的下面按壓在塗布有粘接劑123的支承基板121的上面而將其粘接。此外，如圖25(b)所示，以未圖示的抗蝕劑圖案為掩模對銅板101進行蝕刻直至貫通，形成多個接線柱40。在從銅板101形成多個接線柱40之後，除去抗蝕劑圖案，然後，如圖25(c)所示，以識別標記8為記號，在IC固定區域的接線柱40上安裝IC元件151。然後，藉助金屬線153，將IC元件151的焊盤端子連接在IC固定區域以外的接線柱40上。通過這樣的方法，可以將蝕刻工序從兩次減至一次，所以可以縮短製造基板50所需的時間，可以降低製造成本。但是，在圖38(a)(c)的方法中，在接線柱40的側面未形成Ag等的金屬薄膜109，所以與分兩次進行蝕刻的情況相比，金屬薄膜109的塗布面積少。因此，當將接線柱40的下面焊接在例如母插件等上時，認為接線柱40和母插件的接合強度有可能降低。(10)第十實施方式在上述的第九實施方式中，如圖36(a)(c)所示，是對在樹脂封裝162內僅配置一片IC元件151的情況(即單晶片封裝)進行了說明，但本發明並不限於此。圖39是表示本發明的第十實施方式的半導體裝置300的構成例的圖。如果進行詳細說明，則圖39(a)以及(b)是表示半導體裝置300的構成例的俯視圖，圖39(c)是用X20—X'20線將圖39(b)切斷時的剖面圖。在圖39(a)中，為了避免附圖的複雜化，省略了模壓樹脂161的標記。其中，在圖39(a)(c)中，對於和在第九實施方式中說明的圖20圖38相同結構的部分附加相同符號，並省略對其的詳細說明。如圖39(a)(c)所示，在本發明中，可以在樹脂封裝162中配置兩個以上的IC元件151。IC元件151可以是同種，也可以是外形或焊盤端子的數量互不相同的異種。如此，以裸露晶片的狀態用一個樹脂封裝162密封多個IC元件151的MCM的製造方法也可以與上述的實施方式相同。艮卩，如圖39(a)所示，首先，以識別標記8為記號分別識別第一IC固定區域和第二IC固定區域。接著，在第一IC固定區域的接線柱40上安裝第一IC元件151，並且在第二IC固定區域的接線柱40上安裝第二IC元件151(晶片貼裝工序)。此外，用金屬線153等連接在IC固定區域以外的區域配置的接線柱40和IC元件151的焊盤端子。在這裡，可以以識別標記8為記號識別成為外部端子的接線柱40，在所識別的接線柱40上連接金屬線153的一端。接著，如圖39(b)以及(c)所示，例如用熱固化性的環氧樹脂等密封IC元件151、金屬線153以及接線柱40(樹脂密封工序)。然後，將密封有IC元件151的樹脂從支承基板(未圖示)剝離，按照使兩個IC元件151—並包含在相同封裝中的方式對模壓樹脂161進行劃片，由此分割成各樹脂封裝162。44如此，通過本發明的第十實施方式，與第九實施方式一樣，接線柱40成為晶片焊盤，也成為外部端子。因此，在裝配MCM時，對於每種IC元件151，不必準備固有的晶片焊盤或固有的引線框架、固有的基板(內插件等)，可以降低其製造成本。另外，對於半導體裝置300的結構本身，與第九實施方式一樣，作為晶片焊盤或外部端子發揮功能的接線柱40在樹脂封裝162內分散配置，所以可以分散水分在樹脂封裝162內的凝集位置，減輕水蒸氣壓的集中。因此，在與吸溼以及加熱相伴隨的可靠性試驗中，可以抑制樹脂封裝162的破裂，提高半導體裝置的可靠性。進而，以識別標記8為記號來識別兩個IC固定區域，在所識別的兩個IC固定區域一個一個對位IC元件151。因此，可以將兩個IC元件151高精度地分別對位於IC固定區域，可以分別兩個安裝IC元件151且少有位置不正。其中，在本發明中，如圖39(a)所示，可以將IC固定區域以外的區域的接線柱40用作金屬線153的中繼端子。即，可以將藉助金屬線153a與IC元件151的焊盤端子連接的接線柱40a，藉助金屬線153b與其他接線柱40b連接。通過這樣的方法，即使不改變接線柱40的配置位置，也可以將IC元件151的焊盤端子引出至任意位置，所以可以實質上變更半導體裝置300的外部端子。因此，可以進一步提高例如如圖26所示的基板20的通用性。進而，如圖39(a)所示，可以藉助金屬線153以及接線柱40電連接IC元件151兩者的焊盤端子。另外，關於識別標記8與接線柱40或鍍敷層一樣具有導電性的情況，例如可以如圖39(a)所示，在形成有識別標記8的接線柱40上連接金屬線153，將該接線柱40用作外部端子或中繼端子。由此，可以進一步提高半導體裝置的設計自由度。第十實施方式中與本發明的對應關係與第九實施方式相同。權利要求1、一種基板，用於固定IC元件，具備具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面、且在俯視下沿縱向以及橫向排列的多根金屬支柱；和通過從所述第一面至所述第二面之間的一部分將所述多根金屬支柱相互連結的連結部；在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面上，形成有識別標記。2、一種基板，用於固定IC元件，具備具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面、且在俯視下沿縱向以及橫向排列的多根金屬支柱；和對所述多根金屬支柱的所述第二面進行支承的支承基板；所述支承基板和所述多根金屬支柱藉助粘接劑進行接合，在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面上，形成有識別標記。3、根據權利要求1或2所述的基板，其特徵在於，所述多根金屬支柱的每一個形成為相同的形狀且具有相同的尺寸。4、一種用於固定IC元件的基板的製造方法，包括對具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面的金屬板至少從所述第一面進行部分蝕刻，以形成在俯視下沿縱向以及橫向排列的多根金屬支柱的工序；和在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的第一面上形成識別標記的工序；在形成所述多根金屬支柱的工序中，按照所述多根金屬支柱在所述第一面和所述第二面之間相互連結的方式，進行所述蝕刻。5、一種用於固定IC元件的基板的製造方法，包括將具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面的金屬板的所述第二面貼附在支承基板上的工序；在將所述金屬板的所述第二面貼附在所述支承基板上的工序之後，從所述第一面對所述金屬板進行部分蝕刻，以形成在俯視下沿縱向以及橫向排列的多根金屬支柱的工序；和在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的第一面上形成識別標記的工序。6、根據權利要求4或5所述的基板的製造方法，其特徵在於，在所述形成識別標記的工序中，利用噴墨法或雷射打標，使所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面著色，以形成所述識別標記。7、一種半導體裝置，具有多根金屬支柱，具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面，並在俯視下沿縱向以及橫向排列，其中包括第一金屬支柱以及第二金屬支柱；IC元件，其被固定在所述第一金屬支柱的所述第一面上；第一導電部件，其對所述第二金屬支柱的所述第一面和所述IC元件的焊盤端子進行連接；和樹脂，其對所述多根金屬支柱的一部分、所述IC元件以及所述第一導電部件進行密封；所述多根金屬支柱的所述第二面從所述樹脂露出，在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面上，形成有識別標記。8、根據權利要求7所述的半導體裝置，其特徵在於，所述多根金屬支柱中包括第三金屬支柱以及第四金屬支柱，所述半導體裝置還包括固定在所述第三金屬支柱的所述第一面上的無源部件；和連接所述第四金屬支柱的所述第一面和所述無源部件的端子部的第二導電部件；所述無源部件和所述第二導電部件被所述樹脂密封。9、一種半導體裝置的製造方法，包括準備基板的工序，該基板具備多根金屬支柱，具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面且在俯視下沿縱向以及橫向排列，其中包括第一金屬支柱以及第二金屬支柱；和通過從所述第一面至所述第二面之間的一部分相互連結所述多根金屬支柱的連結部；在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面上形成有識別標記；利用所述識別標記對所述第一金屬支柱進行識別的工序；在識別出的所述第一金屬支柱的所述第一面上固定所述IC元件的工序；在固定所述IC元件的工序之後，用第一導電部件對所述IC元件的焊盤端子和所述第二金屬支柱的所述第一面進行連接的工序；用樹脂對所述IC元件以及所述第一導電部件、和所述多根金屬支柱中所述第一面側的部位進行密封的工序；和在所述利用樹脂進行密封的工序之後，從所述第二面對所述連結部進行蝕刻以將其除去的工序。10、一種半導體裝置的製造方法，包括準備基板的工序，該基板具備多根金屬支柱，具有第一面以及朝向與所述第一面相反一側的第二面且在俯視下沿縱向以及橫向排列，其中包括第一金屬支柱以及第二金屬支柱；對所述多根金屬支柱的所述第二面進行支承的支承基板；所述支承基板和所述多根金屬支柱藉助粘接劑進行接合，在所述多根金屬支柱中任意金屬支柱的所述第一面上形成有識別標記；利用所述識別標記對所述第一金屬支柱進行識別的工序；在識別出的所述第一金屬支柱的所述第一面上固定所述IC元件的工序；在固定所述IC元件的工序之後，用第一導電部件對所述IC元件的焊盤端子和所述第二金屬支柱的所述第一面進行連接的工序；向所述支承基板上供給樹脂，並用所述樹脂對所述IC元件以及所述多根金屬支柱的一部分、和所述第一導電部件進行密封的工序；和從所述樹脂以及由該樹脂密封的所述多根金屬支柱的所述第二面，剝離所述支承基板的工序。11、根據權利要求9或IO所述的半導體裝置的製造方法，其特徵在於，還具有以所述識別標記為記號對所述第二金屬支柱進行識別的工序，在用所述第一導電部件連接所述ic元件和所述第二金屬支柱的工序中，利用線狀的所述第一導電部件，對以所述識別標記為記號而被識別出的所述第二金屬支柱的所述第一面和所述ic元件的所述焊盤端子進行連接。全文摘要本發明提供不會使加在IC元件上的限制增加且能使搭載IC元件的基板的規格共用化的基板及其製造方法、以及半導體裝置及其製造方法。所述基板是用於固定IC元件並將其焊盤端子引出到外部的基板，具有俯視下縱向以及橫向排列的多個接線柱(5)、和用從表面至背面之間的一部分相互連結多個接線柱(5)的連結部(6)，在一部分接線柱(5)的表面形成有與其他接線柱有區分的識別標記(8)。作為用於搭載IC元件的晶片焊盤，或者作為IC元件的外部端子，可以利用多個接線柱(5)，根據任意設定的IC固定區域的形狀以及大小，可以將多個接線柱(5)作為晶片焊盤或外部端子分別使用。文檔編號H01L21/48GK101359650SQ20081013014公開日2009年2月4日申請日期2008年7月30日優先權日2007年7月31日發明者庄司正宣,藤田透申請人:精工愛普生株式會社