多層成象板的製作方法

2023-04-28 04:15:26 2

專利名稱:多層成象板的製作方法
總的說來，本發明涉及一種電子攝影的成象系統，具體地說，涉及具有兩層含硒層的電子攝影成象板和這種板的應用方法。
利用靜電法，在電子攝影成象板的成象面上成象和顯影是眾所周知的。最廣泛地為人們所用的一種方法是已被(例如，授予chestercarlscon的美國專利2，297，691)說明過的硒板攝影。各種各樣的光感受器可用於電子攝影的成象法中。這種電子攝影成象板包括無機材料、有機材料和它們的混合材料。電子攝影成象板可由相鄰接的兩層組成-其中，一層完成電荷生成功能而另一層完成電荷載流子的遷移功能，或者可以是單層-同時完成生成和遷移兩種功能。
人們已對基於非晶硒的電子攝影成象板作了改進，以便改善全色感光性能，提高速度和改善色彩的再現性。這些器件一般是硒同碲的合金。硒電子攝影成象板可製成具有一層硒-碲合金層的單層器件-起到電荷生成和電荷遷移兩種作用。硒電子攝影成象板也可包含多層，例如一層硒合金遷移層和一層鄰接的硒-碲合金生成層。這些含有硒-碲合金生成層的多層電子攝影成象板以在循環工作期間可變化的電不穩定度為其特徵。例如，含有硒-碲合金生成層(約含重量為10%的碲)和硒砷合金遷移層的多層電子攝影成象板呈現明顯的殘留周期運動-它可由於循環速率、高溫下的熱周期和通過同臨近該電子攝影成象板的燈和電暈放電管之間的不良相互作用而進一步加重。將砷添加到由硒-碲合成的生成層，可增加光感受器的壽命-是僅含硒-碲構成的生成層壽命的1.5至2倍左右。當砷被添加到硒-碲合金的生成層時，該電子攝影成象板的晶化阻力被提高了。在高溼度和/或高溫條件下(該條件常常加速了沒有砷影響的硒合金層的結晶過程)，這些電子攝影成象板明顯增加其壽命。這類晶化問題對於地處熱帶而又不設置空調，或為節約能源在夜間關掉空調機的辦公大樓尤為成問題，然而，對含硒-碲生成層添加了砷通常會增大剩餘電壓和殘留周期運動(residuol cycle-up)。殘留周期運動是因周期工作所增加的殘留電壓量的累積顯影。殘留電壓是在消象周期內，光感受器通過高量級曝光時的光放電後在光感受器表面所測得的電壓。該殘留電壓反映了在一個光電導器件中的光電導層體內或在各層間的邊界上被俘獲的正電荷(在正向充電系統情況下)。人們發現通常殘留周期啟動的速率和其最大飽和值是隨殘留周期率增加而增大的。在溫度高於室溫的情況下，光感受器存貯期間或機器操作期間的光感受器的平衡通常也引起殘留周期運動-其速率和其飽和值的暫時地增大。同樣，安裝在複寫器、複印機或印刷機裡的含硒-碲合金生成層的電子攝影成象板，被連續使用於600至700毫微米範圍的輻照下時，(例如來自鎢燈或螢光照明燈的光)則由於吸收發射光也能引起周期運動的顯著增大。更具體地說，存在於遷移和生成層中的聚集的砷可導致砷穿過遷移層和生成層之間的邊界擴散遷移，從而造成大範圍內的電荷捕獲。這種捕獲引起增強的潛在暗區衰減-它本身又由於形成正象重象而明顯地降低了複製質量。重象是前一個複製周期保留下來的影象。
因此，本發明的一個目的就是為提供一個克服了上述缺點的成象系統。
本發明的另一個目的是為提供一種在快速熱周期工作時能阻止周期運動的電子攝影成象板。
本發明的另一目的是為提供一種能阻止快速交替下周期運動的電子攝影成象板。
本發明的另一目的是為提供一種經均勻照射曝光以後，在周期工作期內能阻止周期運動的電子攝影成象板。
本發明的另一目的是提供這樣一種電子攝影成象板，它能在周期工作期內減小本底電位的周期停頓，並顯示出較低的殘留周期運動。
本發明的另一目的是為提供這樣一種電子攝影成象板它具有在高溼和/或高溫條件下抗結晶作用。
本發明的另一目的是為提供僅用兩層含硒層的電子攝影成象板。
本發明的另一目的是為提供減少光感受器表面磨損和腐蝕的電子攝影成象板。
根據本發明的前述和其它目的，是通過提供這樣一塊電子攝影成象板來實現的它主要包括一個承載襯底;一個電荷遷移層-厚約35至75微米，完全不含砷和碲而主要由硒和一種滷素組成，該滷素選自約含百萬分之4至百萬分之13重量的氯和約含百萬分之8至百萬分之25重量的碘的一組;以及一個光電導的電荷生成層-該層厚度約在1微米和20微米之間，它包括約5%到約20%重量的碲、約0.1%至約4%重量的砷、一種滷素(選自包含多達百萬分之70左右重量的氯和多達約百萬分之140重量的碘)和其餘部分為硒，該電荷生成層的一個表面處於同電荷遷移層呈有效電接觸狀態，而電荷生成層的另一表面暴露在周圍大氣中。這種電子攝影成象板可應用於如下成象方法在該電子攝影成象板的光電導電荷生成層的曝光面上沉積一層完全均勻的正的靜電荷;將電子攝影成象板曝露在影象一樣的電磁輻射圖下，由此，硒-碲-砷合金光電導的電荷生層對它感光，在該電子攝影成象板上形成一幅靜電潛象;用可被靜電吸引的調色劑粒子對該靜電潛象進行顯影，以形成具有影象形狀的調色劑粒子沉積;和將此調色劑粒子沉積翻印到一塊接收板上。該過程可在一自動裝置中重複多次。
襯底可以是不透明的或大體上透明的並可具有許多所需機械性能的適用材料。整塊襯底可由與導電錶面相同的材料構成，也可以說導電錶面只是該襯底上的一個塗層。可以採用任何合適的導電材料。典型的導電材料包括例如，鋁、鈦、鎳、鉻、黃銅、不鏽鋼、銅、鋅、銀、錫等等。該導電層的厚度可根據所要用的光電導板在很寬的範圍內變化。因此，該導電層通常的厚度範圍可從大約50
(埃)至若干釐米。當需要一個柔性電子攝影成象板時，該厚度可在大約100埃至750埃之間。襯底可是任何其他常用的含有有機和無機物的材料。典型的襯底材料包括諸如各種已知樹脂聚二甘醇丁二酸脂、聚碳酸酯、聚醯胺、聚氨基甲酸酯等絕緣非導電材料。有塗層或無塗層襯底可以是柔性的或剛性的，可以有許多形狀，例如，板狀、鼓形輥、旋渦形、無埠的軟帶狀等等。與電荷遷移層相鄰的承載襯底的外表面通常應為諸如氧化鋁、氧化鎳、氧化鈦等類的金屬氧化物。
在某些情況下，為要改善各層間的附著力，可在金屬氧化物表面和以後所加的各層間夾入中間粘結層。若採用這種粘結層，則這些粘結層最好具有0.1微米至5微米左右的乾性厚度。典型的粘結層包括諸如聚酯、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯化合物、聚氨酯、有機玻璃等等及其混合物的有機薄膜。
所述電荷遷移層主要由硒和選自含一定量的氯和碘的某滷素組成。該電荷遷移層應是基本上不含砷和碲，以便將較高的殘留電壓和高背景周期運動效應減至最小。基本上去除遷移層中的砷和碲也就避免了由於升華逸散分餾作用所造成的這些元素聚集在該層的交界面上。分餾作用過大可導致高度的電荷截獲。但即使在淨化以後，仍可能有微量的砷和碲存在於硒中，「基本上無砷和碲」的說法是指遷移層含砷量按重量計約小於百萬分之100的硒，按硒的重量計含碲量約小於百萬分之500。基本上不含砷和碲的電荷遷移層應主要由一種滷素構成(選自含氯按重量約為百萬分之4至百萬分之13或含碘按重量約為百萬分之8至25的滷素)至其餘部分為硒。當氯的濃度按重量計低於約百萬分之4時，則殘留電壓和殘留的周期運動變得非常大。硒板攝影的背景潛在周期運動也變得很大。氯的濃度按重量計超過百萬分之13左右時，導致過大的暗區衰減。為得到最佳結果，遷移層應包含按重量計為百萬分之6至10左右的氯或按重量計為百萬分之13至20左右的碘。這些滷素濃度就是沉積後遷移層中滷的濃度。已沉積在遷移層中的滷素濃度小於合金在熔爐內升華前的滷素濃度，即小於「標稱濃度」。在沉積遷移層中的氯濃度按重量計通常比熔爐內已升華合金中的氯濃度小25%至35%。換句話說，沉積遷移層中的氯濃度一般約是在熔爐內升華前的摻滷合金中的滷素濃度的65%至75%。本文所用的「滷素」一詞意指包括氯和碘。最好選用氯，因為它易於處理而且在薄膜狀態下性能穩定(顯然由於沒有擴散)。電荷遷移層的厚度一般是在大約35微米和75微米之間。若電荷遷移層的厚度延伸到35微米以下，則光感受器的暗區顯影電壓Vddp減小，則實心面積的重現較差。若電荷遷移層的厚度超過75微米左右時，將出現樣帶小珠析出，印製件抹除，以及對光感受器和其他機器零部件的損壞。
採用任何適當的傳統技術，例如，真空蒸發，可沉積遷移層。因此，主要由摻滷硒構成的電荷遷移層可藉助傳統的真空蒸鍍裝置以蒸發的形式形成所需厚度。所要採用置於真空蒸鍍裝置蒸發皿裡的摻滷硒的量，將取決於具體的蒸鍍裝置結構和其他過程變量，以便達到理想的遷移層厚度。蒸發爐內的摻滷硒通常是以注入平均約2毫米大小的粒子的形式裝入的。蒸發期間爐膛壓力數量級可為小於4×10-5託左右。蒸發通常在大約15至55分鐘內完成，合金熔化溫度範圍從大約250℃到約325℃。本領域內的技術人員會懂得和可能採用上述範圍以外的其它時間和溫度。通常人們希望在沉積遷移程的過程中，維持襯底溫度在大約50℃至95℃的範圍內。遷移層所採用的摻滷硒材料可置於傳統的行星式塗層系統進行有效的沉積-在該行星式塗層系統中，在不移動襯底和不降低真空度的情況下，先沉積硒合金生成層接著沉積遷移層材料。順序地沉積含硒層，在本領域內是眾所周知的，而且若願意還可應用其他傳統技術，例如採用活門式蒸發熔爐等使真空度下降從而塗料室充滿第二種塗料。作為製備遷移層的更多的詳情已在授予H.Hewitt的美國專利4，297，424中作了揭示-其總的揭示本文將以予引證。
電荷遷移層位於承載襯底和電荷生成硒-碲-砷光電導合金層之間。由於承載襯底的表面可以是金屬氧化物層，或是粘結劑層，故本文所用的「承載襯底」的說法意指包括金屬氧化物層同其上的粘結劑層或沒有粘結劑層的情況。
光電導電荷生成硒-碲-砷合金層應包括按重量計大約5%到20%的碲，約0.1%至4%的砷，一種滷素(選自按重量計為多達百萬分之70左右的氯和按重量計為多達百萬分之140左右的碘所組成的滷族)，和其餘的部分硒。「硒-碲-砷合金」的說法是指包括摻滷素合金以及未添加滷素的合金兩種情況。對電荷生成層來說，所得到的最佳結果是包含按重量計約10%至13%的碲，約0.5%至2%的砷和少於百萬分之14左右的氯，其餘部分是硒。碲濃度按重量計超出20%左右，則導致光感受器的感光度過高或很高的暗區衰減，而碲的濃度按重量計小於5%左右時，則導致感光度低和複製質量的下降。當砷的濃度按重量計超出大約4%時，光感受器的黑區衰減很大，當砷濃度按重量計降至低於大約0.1%時，非晶硒光感受器對熱結晶的抗力和表面磨損開始惡化。當氯的含量按氯的重量計增加百萬分之70以上時，光感受器開始呈現過大的黑區衰減。
在一個最佳實施例中硒-碲-砷合金生成層可用以下方法製備，即，將添加或未添加滷素的硒-碲-砷合金球粒研磨，由研碎後的材料製成平均直徑約6毫米的合金丸;在一個真空蒸鍍設備中的坩堝內蒸發上述合金丸，-該蒸鍍設備所用的時間/溫度熔爐能使蒸發期間該合金的分餾作用減至最小。以一個典型的熔爐蒸發過程來說，生成層大約在12到30分鐘內形成，在這段時間期間，爐溫從大約20℃增加到約385℃。對於製備生成層的更多詳情已有過揭示，(例如，在授予H.Hewitt的美國專利文獻4，297，424中-其總的揭示精神通過引證被包括在本文內)。
當硒-碲-砷合金光電導生成層具有厚度在大約1微米和約20微米之間時，可得到令人滿意的結果。本發明的光感受器的硒-碲-砷合金提供了電子攝影所需的全部特性並延長了光感受器的壽命。當硒-碲-砷合金生成層的厚度大於約20微米時，通常導致光感受器製造期間砷和碲分餾控制的極大困難。而厚度小於約1微米時則往往導致自動電子攝影複製機、複印機和印表機的生成層快速磨損。當生成層的厚度在大約3微米和約7微米之間時，可獲最佳效果。
通過參考附圖可對本發明的方法和裝置達到更全面的了解，附圖中圖1用圖解說明一個現有技術的典型的多層光感受器，它包括電荷生成層和固定在導電襯底上的遷移層。
圖2用圖解說明本發明的層狀光感受器，它包括電荷生成層和固定在導電襯底上的空穴注入層。
參照圖1，圖示現有技術的電子攝影成象板10，它由襯底12，遷移層14，該層包括摻滷素的硒-砷合金層，和具有硒合金的生成層16等組成。
襯底12可包括任何具有所需機械性能的適用材料。典型的襯底包括鋁、鎳等諸如此類的材料。該層厚度取決於很多因素，包括經濟方面的考慮，和採用了電子攝影成象技術的器件的設計等等因素。這樣，襯底可以相當厚，例如厚達5000微米，也可以很薄如約100微米。襯底可以是柔性或剛性的並可具有如前所述的各種形狀。
遷移層14包括一種摻滷硒-砷合金，不過，也可用不摻雜的合金。存在於該合金中的硒的重量百分比範圍可從約99.5%到99.9%左右，含砷的重量百分比範圍可從大約0.1%到0.5%。存在於摻雜合金層的滷素(諸如氯、氟、碘或溴等)含量的重量百分比為範圍約可從百萬分之10到百萬分之200，其最佳範圍是大約重量的百萬分之20到重量的百萬分之100。最好的滷素是氯。這層通常的厚度範圍從大約15微米到75微米，而其最佳範圍是約25微米到50微米-因受硒板攝影的顯影系統所限，和為經濟上的原因而受攜帶輸送條件所限。
電荷生成層16包括電荷生成硒-碲合金光電導的材料，諸如硒-碲合金、添加滷素的硒-碲合金、硒-碲-砷合金、硒-碲-砷-滷合金等等。採用硒和碲的合金可達到極好的效果。通常，按重量計硒-碲合金可包含大約55%～95%的硒和大約5%至45%的碲(以合金的總重量為100%)。當碲含量約為40%時，該生成層的厚度通常小於1微米左右。硒-碲合金也可包含其它成分，例如按重量計含有約小於5%的砷以便使硒的晶化減至最小和含有約小於百萬分之1000的滷素。
參照圖2，圖中所示的電子攝影成象板20，它包含生成電荷的光電導層22和電荷遷移層24。電荷遷移層24被固定在金屬氧化物層26上。圖1和圖2的電子攝影成象板之間的主要區別在於圖2所示的遷移層24中不含砷，而且滷素的臨界範圍值。某些效應諸如歸因於周期率的周期運動的殘留電壓高溫下的熱循環和同電子攝影成象板周圍的燈和電暈放電管之間的不良作用以及重複的均勻充電，影象樣曝光，顯影，翻印，抹象和清除周期工作過程在圖1和圖2中所示的電子攝影成象板之間也有著顯著的差別。這一區別在以下實施例中再較詳細地闡明。
要顯現本發明的電子攝影成象板上的靜電潛象，可採用任何適合的顯影技術。眾所周知的電子攝影的顯影技術一般包括，例如，格柵顯影、磁刷顯影、液體顯影、粉霧顯影等等。沉積的調色劑影象可通過任何適宜的傳統翻印技術翻印到接收件上，並可藉助任何適用的已知定影技術固定到該接收件上。儘管用調色劑粒子去顯現靜電潛象是更可取的，但也可採用許多別的方法，例如，用一種靜電掃描系統去「閱讀」靜電潛象。藉助任何合適的傳統清除技術，諸如，刷清除、刀片清除、絲網清除等可對光感受器進行有效地清除，以去除翻印後所殘留的任何調色劑粒子。
藉助任何相當的傳統技術，可實現靜電潛象的抹除。典型的傳統抹除技術包括交流電暈放電、負電暈放電、來自光源的照射、同接地導電刷相接觸，以及它們的組合。然而，本發明的成象板特別適用於這樣一個成象系統，在此系統中，成象板對一個生成層敏感的波長的光源曝光，即，予先翻印光，抹除光，熔化幅射洩漏，等等下曝光，由此，成象板放電至每個複製周期的剩餘電壓。對圖1所示類型的多層硒-碲-砷成象板，若在每個複製周期內，通過曝光放電到殘留電壓的話，則殘留周期運動會大大增加。
歸因於周期速率，高溫下的熱周期工作和電子攝影成象板同周圍的燈、熔斷器的不良作用，所造成的殘留周期運動，對精密的，低、高速電子攝影翻印器，複印機和印刷機是非常不希望的，因為這種周期運動終究要在對應於原始文件背景區的複製品區域內出現調色劑顯影，因而得到的是「髒」的複製品。
現根據本發明的具體的幾個最佳實施例，詳細描述本發明，但要知道這些實例僅為了說明，並不想把本發明局限於在此所引證的材料、條件、過程參數等等。除了另有指明外，所有的成分和百分比均以重量百分比計算。
實例Ⅰ通過蒸發摻滷硒-砷合金注射料來製備對照電子攝影成象板-注射料按重量計約含0.5%的砷，約99.5%的硒，並在襯底上形成大約含百萬分之20的氯的摻氯硒-砷電荷遷移層。該摻氯硒-砷合金用不鏽鋼坩堝在大約280℃和約330℃之間的蒸發溫度下，在大約4×10-4託和2×10-5託之間的蒸發壓力下蒸發。所用襯底是一個鎳筒-它已經過熱氧化而生成具有大約500埃至800埃厚的一層外部的鎳的氧化層。該鎳筒的直徑約為8.4釐米。在此蒸發鍍膜操作期間，襯底溫度被維持在大約50℃和約95℃之間。生成的砷滷摻雜的硒遷移層約有55微米和60微米之間的厚度並包含按重量計大約0.5%的砷，99.5%的硒和大約百萬分之14的氯。已鍍膜襯底此後被蒸鍍以硒-碲-砷合金，以形成電荷生成光電導層-該層厚度約為5微米，按重量計包含大約12%到13%碲，大約1%的砷，其餘部分為硒。此種合金是用不鏽鋼坩堝在大約300℃至350℃的蒸發溫度下，在大約2×10-5託的壓力下蒸發的。無論蒸發前的硒-碲-砷合金材料還是沉積所含氯後的硒-碲-砷合金材料，這兩種合金材料都不包含相同的組成成分。這樣得到的電子攝影成象板置於測試設備中以大約13.9Cm/S的表面速度周期性測試該成象板。該成象板先在黑暗中被充電至大約900-1100V之間的正電壓，然後被一個具有可見光譜的藍色區內的光譜(約470毫微米)輸出光源曝光，以使電壓降至大約200V。由於在此測試前充電電流先調好，該正電壓的允許電平取決於該成象板的厚度。一個典型成象板的起始正電位允許的電壓變化可為0-20V。電荷容納電壓範圍為900至1100V時，自動複製器具有良好性能。這個正電位電壓範圍使實心區的複製質量極好-對初次複製的整個影象上的密度無明顯的變化。然後該成象板通過一排氖光燈均勻曝光進行抹除，氖光燈具有可見光譜的綠色區-約520毫微米的峰值輸出。這一過程在室溫環境下重複330次，第330次周期結束時的周期運動的殘留電壓由靜電電壓表測定。在此硒板攝影機裡，每完成一次複製需要3.3轉，即圓筒形的光電導體的周數。這些對照成象板周期運動的平均殘留電壓為160V。周期運動電壓約超過100V對自動電子攝影成象複寫器、複印機和印刷機則是不合乎需要的，因為經過多個周期工作會在複製一致性上產生很大的變化。換句話說，第100次複製應該大致與第一次複製時的影象質量相同。
實例Ⅱ通過採用不鏽鋼坩堝蒸發某種摻氯硒合成物，以形成摻氯遷移層來製備本發明的電子攝影成象部件。除了被蒸發的遷移材料的組成不同外，本例用於沉積遷移層的蒸發步驟與例1中所述步驟相同。本例蒸發前的遷移材料包含按重量計大約百萬分之10的氯，百萬分之100以下的砷，和其餘的均為硒。生成的沉積的摻氯電荷遷移層厚度約在55微米和60微米之間，按重量計包含大約百萬分之7的氯，百萬分之100以下的砷，剩下的均為硒。已經鍍膜的襯底此後採用與例1所述相同的蒸發步驟鍍上一層硒-碲-砷合金以形成光電導電荷生成硒-碲-砷層，該層厚度大約5微米，並包含按重量計大約12%～13%的碲，大約1%的砷和剩餘部分均為硒。這些在沉積遷移層中包含按重量計約百萬分之7的氯的光接受器再經受如例1所述的330次成象周期。對本發明的光感受器來說，經第330次周期工作後的周期運動的殘留電壓小於40V。因此，對照例Ⅰ裡的光感受器的周期工作的殘留電壓比例Ⅱ中的光感受器周期工作的殘留電壓大300%。
實例Ⅲ除了用於形成遷移層的蒸發材料是按重量計大約包含百萬分之5的氯和其餘部分均為硒的摻氯硒材料，之外，重複例Ⅱ的步驟製備別的對照的光感受器。所沉積的遷移層的厚度大約在55微米和60微米之間，並含有大約百萬分之3的氯和剩下部分為硒。用和例Ⅱ所述的相同材料和步驟，製備光電導的電荷生成層一它具有約5微米的厚度並按重量計含有大約12%至13%的碲，約1%的砷和剩餘部分為硒。這裡在遷移層中按重量計包含百萬分之3的氯的光感受器經受例Ⅰ和例Ⅱ所述的相同方法的測試。起始的剩餘電壓近似大於例Ⅱ光感受器的剩餘電壓的250%，在例Ⅱ中，其遷移層是由按重量計包含百萬分之10的氯的蒸發材料製備而成。本例的周期運動的平均殘留電壓約為159V，-與例Ⅰ的光感受器的殘留電壓和周期運動相似。
實例Ⅳ除了厚度為55微米到60微米左右的摻氯硒遷移層是由按重量計為包含百萬分之20的氯和剩餘部分為硒的材料蒸發製成以外，重複例Ⅱ的步驟去製備另外的光感受器。該沉積的遷移層包含按重量計為百萬分之14的氯和剩餘部分為硒。用例Ⅱ所述的相同材料和步驟去製備光電導的電荷生成層，該層具有大約5微米厚並包含按重量計約12%到13%的碲，約1%的砷和剩餘部分為硒。這種光感受器按照例Ⅰ中所述的測試步驟所得結果是小於30V的很低的周期運動的殘留值。然而，從此樣品中觀測到過量的暗區衰減和不良的電荷接收。就例Ⅱ的光感受器而言，按重量計為包含百萬分之7的氯的已沉積遷移層接收的起始正電荷在大約900V到1100V之間，而本例(Ⅳ)含有按重量計為百萬分之14的氯的已沉積遷移層的光感受器接收的起始正電荷其平均值大約小於730V。這種低電荷容納現象在「施樂2830」靜電複印機或「施樂1035」靜電複印機裡導致實心區翻印版的密度微弱。弱實心區密度再現被定義為當在Macbeth RD517密度計上測量時，實心區影象有一個小於1的值即表現出未感光的實心區(例如，一個直徑為1英寸的實心區有幾條黑邊，但其中間被洗掉了)。
實例Ⅴ除了摻氯硒-砷電荷遷移層是由蒸發含有按重量計為大約0.1%的砷，約99.9%的硒和約百萬分之10的氯的材料製成外，重複例Ⅰ中所述步驟去製備別的對照光感受器。生成的摻氯電荷遷移層具有大約55微米到60微米的厚度並包含大約按重量計為99.9%的硒，大約0.1%的砷和大約百萬分之7的氯。用例Ⅰ所述的相同材料和步驟去製備光電導電荷生成層，該層厚度約5微米並包含按重量計為大約12%～13%的碲，約1%的砷和剩餘部分為硒。應用例Ⅰ中所述的測試程序所得結果表明，起始殘留電位比例Ⅱ的光感受器的殘留電壓高約25V，後者具有的沉積遷移層含有按重量計為百萬分之7的氯並由蒸發含有百萬分之10的氯和不含砷的材料製成，所以不含砷。此外，觀測到一個大約較例Ⅱ光感受器的周期運動殘留電壓高70V的周期運動殘留電壓。
實例Ⅵ通過蒸發一種含有按重量計為百萬分之14的氯和剩餘部分為硒的硒混合物，在一襯底上形成一含有百萬分之10的氯和剩餘部分為硒的電荷遷移層來製備本發明的電子攝影成象板。該摻氯硒材料是用不鏽鋼坩堝在大約280℃至330℃的蒸發溫度下和大約4×10-4至2×10-5託的蒸發壓力下蒸發的。所用襯底是一個已經過熱氧化生成外部鎳氧化層的鎳筒，其氧化層厚度約在500埃至800埃之間。該鎳筒的直徑約為8.4Cm。在此蒸發塗鍍操作期間，襯底溫度維持在大約55℃和約95℃之間。生成的沉積摻氯硒遷移層有大約55微米厚並含有大約按重量計為百萬分之10的氯和剩餘部分為硒。此後，這已蒸鍍襯底被蒸鍍一種硒-碲-砷合金以形成電荷生成光電導層-此層厚約5微米並包含按重量計為大約11%的碲，大約1%的砷和剩餘部分為硒。該合金在大約300℃至350℃溫度之間，電壓力約為2×10-5託的不鏽鋼坩堝蒸發。無論是蒸發前的硒-碲-砷合金材料還是沉積後的含氯的硒-碲-砷合金材料，兩種合金材料均不包含相同的組成成分。這樣得到的電子攝影成象板被置於一個試驗設備中進行測試，該設備以大約13.9Cm/秒的表面速度使成象板周期工作成象板先在暗區中被充電至大約1035V的正電壓，然後被一具有光譜輸出為可見光譜的藍色區裡的曝光源曝光，使電壓降至大約250V。然後該成象板通過一組氖光燈均勻曝光而抹除，該光具有可見光譜的綠色區，最大輸出光譜約520毫微米。該過程在室溫環境下被重複330次而第330周期結束時的周期運動的殘留電壓由靜電電壓表測定。本發明的這些成象板的周期運動的平均殘留電壓只有17V。
雖然對本發明已參照具體的最佳實施例作了說明，但本發明並不受這些實例所限，本領域的技術人員將在本發明的精神範圍和權利要求
範圍內考慮和可能作出各種改型和變型。
權利要求
1.一種電子攝影成象板其特徵是，該板主要由承載襯底、電荷遷移層和電荷生成層組成；電荷遷移層的厚度在大約35微米和大約75微米之間，基本上不含砷和碲，而主要由硒和一種滷素組成，滷素則選自由按重量計為百萬分之4左右至百萬分之13左右的氯和選自由按重量計為百萬分之8左右至百萬分之25左右的碘組成的一組滷元素；電荷生成層的厚度在約1微米和約20微米之間，它包含硒、按重量計為5%左右至20%左右的碲、按重量計為0.1%至4%左右的砷及滷素，滷素選自由按重量計高達百萬分之70的氯和多達百萬分之140的碘組成的一組滷元素；上述電荷生成層的一個表面處在和上述電荷遷移層的有效電接觸狀態，而上述電荷生成層的另外一個表面則暴露在周圍的大氣中。
2.根據權利要求
1的電子攝影成象板，其中上述電荷遷移層中的上述滷素選自滷族，滷族由按重量計約百萬分之6至約百萬分之10的氯和約按重量計為百萬分之13至百萬分之20的碘所構成。
3.根據權利要求
2的電子攝影成象板，其中在上述遷移層中的上述滷素是氯。
4.根據權利要求
1的電子攝影成象板，其中，上述電荷生成層包括按重量計大約10%至13%的碲，按重量計約0.5%至約2%左右的砷，少於按重量計約為百萬分之14的氯和剩餘部分為硒。
5.根據權利要求
1的電子攝影成象板，其中，上述承載襯底包括一個金屬氧化物層。
6.根據權利要求
5的電子攝影成象板，其中上述承載襯底包括在金屬層上有一個金屬氧化物層。
7.根據權利要求
1的電子攝影成象板，其中上述承載襯底包括金屬氧化物層和在上述金屬氧化物層和上述電荷生成層之間的粘合劑層。
8.一種電子攝影成象方法其特徵是，包括具有一塊電子攝影成象板，該板主要由承載襯底，電荷遷移層和電荷生成層三部分構成，電荷遷移層約有35微米至75微米厚，基本不含砷和碲，而主要由硒和一種滷素構成，滷素選自按重量計約含百萬分之4至百萬分之13的氯和按重量計約百萬分之8至百萬分之25的碘所構成的一組滷元素;上述電荷生成層約1微米至20微米厚，包括硒、按重量計約為5%至約20%的碲、約0.1%至4%的砷和選自按重量計為包含多達百萬分之70左右的氯和多達百萬分之140左右的碘的一組某種滷素;上述電荷生成層的一個表面處於同上述電荷遷移層的有效電接觸狀態，而上述電荷生成層的另一表面暴露於周圍大氣中;在上述電荷生成層暴露於周圍大氣中的上述表面上，沉積基本均勻的正靜電電荷層;將上述電子攝影成象板暴露在具有影象的電磁輻射圖下，上述光電導電荷生成層對該電磁輻射感光，從而在上述電子攝影成象板上形成一幅靜電潛象;用可被靜電吸引的調色劑粒子對上述靜電潛象進行顯影，以使調色劑粒子以影象形狀沉積;和將上述調色劑粒子沉積轉印到一塊接收件上。
9.根據權利要求
8的電子攝影成象方法，其中上述電荷遷移層中的上述滷素選自包含按重量計為百萬分之6到百萬分之10左右的氯和按重量計為百萬分之13到百萬分之20左右的碘那一組滷素。
10.根據權利要求
8的電子攝影成象方法，其中上述電荷生成層包括以重量計大約10%到13%的碲，約0.5%至2%的砷，約百萬分之14以下的氯和剩餘部分為硒。
專利摘要
電子撮影成象板包括承載襯底，無砷和碲的硒和某種滷組成的電荷遷移層，及電荷生成層(含有硒，按重量另計約為5-20％的碲，0.1-4％的砷和一種滷素)，電荷生成層的一面同電荷遷移層呈有效電接觸狀態，而另一面暴露於空氣。該成像板可一致地用正靜電電荷來充電，經電磁輻射圖曝光在其上形成靜電潛象，對此潛象顯影以影象圖形方式成調色劑粒子沉積，和將該粒子沉積翻印到接收部件上。
文檔編號G03G5/04GK86101342SQ86101342
公開日1986年9月10日 申請日期1986年3月4日
發明者巴裡·A·利斯, 羅伯特·J·弗拉納提, 門羅·J·霍頓 申請人:施樂公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan