熔絲結構的形成方法
2023-07-27 22:19:31 1
專利名稱:熔絲結構的形成方法
技術領域:
本發明涉及半導體工藝領域,特別涉及一種熔絲結構的形成方法。
背景技術:
隨著半導體工藝水平的改進以及集成電路複雜度的提高,半導體元器件也變得更 容易受各種缺陷所影響,而單個元器件如電晶體或者存儲單元的失效,往往會導致整個集 成電路的功能缺陷。常見的解決方法是在集成電路中形成一些可以熔斷的連接線,也就是 熔絲(fuse)結構,以確保集成電路的可用性。一般而言,熔絲結構用於連接集成電路中的冗餘電路(redundancycircuit),在電 路出現缺陷時,將熔絲熔斷,使用冗餘電路來修復或取代出現缺陷的電路。熔絲結構經常用 於內存中,在內存晶片生產完成時,若其中有部分存儲單元出現功能問題,就可以通過熔絲 結構用冗餘的存儲單元來取代,實現修復的目的。另外,熔絲結構還常見於可編程電路中, 根據用戶需要,使用熔絲結構對電路中的標準邏輯單元進行編程,用以實現特定的功能。圖1至圖2給出了現有技術熔絲結構形成方法的剖面結構示意圖。如圖1所示,提供半導體襯底100,所述半導體襯底100上依次形成有熔絲結構 101,第一介質層103,第二介質層104。所述半導體襯底100的材料可以是單晶、多晶、或非 晶結構的矽或矽鍺,所述半導體襯底100上形成有由柵極102、源極(未示出)、漏極(未示 出)構成的MOS電晶體。所述熔絲結構101為多晶矽熔絲(poly fuse)或金屬熔絲(metal fuse),所述熔絲結構101下方有隔離結構(未示出),所述隔離結構的形成方法為矽的局部 氧化法(L0C0Q或淺溝槽隔離(STI)等方法。所述第一介質層103的材料選自氧化矽、有 機矽酸鹽玻璃、硼矽玻璃等,所述第一介質層103內形成有栓塞103a。所述第二介質層104 的材料選自氧化矽、有機矽酸鹽玻璃、硼矽玻璃等,所述第二介質層104內形成有互連和通 孔結構10如。根據實際工藝,所述第二介質層104內還可以形成有更多層的金屬互連結構 和通孔結構。如圖2所示,對所述第一介質層103和第二介質層104進行刻蝕,在所述熔絲結構 101的上方形成開口。形成所述開口的目的在於由於所述熔絲結構101 —般是通過使用 較大的電流或者電壓來熔斷,在熔斷的過程中會產生大量的熱量和生成物,所述開口有助 於排出熱量和相應的生成物,防止內部電路受到損傷。在所述開口的形成過程中,為了防止刻蝕過程對熔絲結構101造成損傷,同時也 為了防止所述熔絲結構101與空氣接觸被氧化,所述開口底部會殘留一定厚度的第一介質 層103a,所述殘留的第一介質層103a的厚度視實際工藝需要而定。但是,現有技術在刻蝕 過程中無法精確控制殘留的第一介質層103a的厚度,如果刻蝕量過大,則會損傷到所述熔 絲結構101 ;如果刻蝕過小,則使得所述殘留的第一介質層103a的厚度偏大,在所述熔絲結 構101熔斷時,產生的生成物無法脹破所述殘留的第一介質層103a,從而造成生成物無法 向上排出,導致橫向膨脹而損壞內部電路。而且,隨著工藝水平和電路複雜性的提高,金屬 互連結構的層數逐漸增多,因此所述熔絲結構101上堆積的介質層的總厚度變得很大,使得刻蝕過程的精度更加難以控制。因此,需要一種新的熔絲結構的形成方法,以有效控制熔絲結構上方殘留的介質 層的厚度,避免熔絲結構在熔斷時發生橫向膨脹對電路造成損傷。
發明內容
本發明解決的問題是提供一種熔絲結構的形成方法,能夠有效的控制熔絲結構上 方殘留的介質層的厚度,避免熔絲結構在熔斷時發生橫向膨脹對電路造成損傷。為解決上述問題,本發明提供了一種熔絲結構的形成方法,包含下列步驟提供半導體襯底,所述半導體襯底上形成有熔絲結構;在所述半導體襯底上形成第一介質層,所述第一介質層覆蓋熔絲結構並具有目標厚度;在所述第一介質層上形成刻蝕終止層;在所述刻蝕終止層上形成第二介質層;對所述第二介質層進行選擇性刻蝕,在所述熔絲結構上方形成開口,所述開口底 部露出刻蝕終止層。可選的,所述目標厚度為2000至12000A。可選的,所述第二介質層的材料選自氧化矽、有機矽酸鹽玻璃或硼矽玻璃。可選的,所述刻蝕終止層的材料與第二介質層的材料不同。可選的,所述刻蝕終止層的材料選自氮氧化矽(SiON)、氮化矽(SiN)或富矽氧化 物(SRO)。可選的,所述刻蝕終止層的厚度為300至1000A。可選的,所述選擇性刻蝕為幹法刻蝕,刻蝕氣體為C4F8、02、CO和Ar的混合氣體。可選的,在形成刻蝕終止層之後、形成第二介質層之前還包括對所述刻蝕終止層 進行刻蝕,去除所述熔絲結構區域之外的刻蝕終止層。可選的,所述熔絲結構為多晶矽熔絲或金屬熔絲。可選的,所述第二介質層為多層結構,第二介質層內形成有通孔或互連結構。與現有技術相比,上述技術方案具有以下優點在熔絲結構的上方形成具有目標 厚度的第一介質層,並在第一介質層上形成刻蝕終止層,通過選擇性刻蝕使得開口的形成 過程不會損傷所述第一介質層,從而有效的控制熔絲結構上方殘留的介質層的厚度,避免 熔絲結構在熔斷時發生橫向膨脹對電路造成損傷。
圖1至圖2是現有技術熔絲結構形成方法的剖面結構示意圖;圖3是本發明實施例的熔絲結構形成方法的流程示意圖;圖4至圖8是本發明實施例的熔絲結構形成方法的剖面結構示意圖;圖9至圖13是本發明的另一實施例的熔絲結構形成方法的剖面結構示意圖。
具體實施例方式在熔絲結構的形成過程中,為了提高器件的可靠性,需要有效的控制熔絲結構上方殘留的介質層的厚度,本發明在熔絲結構的上方形成具有目標厚度的第一介質層,並在 第一介質層上形成刻蝕終止層,使得開口形成過程中的刻蝕過程在刻蝕終止層自動停止, 從而有效的控制熔絲結構上方殘留的介質層的厚度,避免熔絲結構在熔斷時發生橫向膨脹 對電路造成損傷。為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更為明顯易懂,下面結合附圖對本發明 的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節以便於充分理解本發明。但是本發明能夠以多種不 同於在此描述的其它方式來實施,本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類 似推廣。因此本發明不受下面公開的具體實施方式
的限制。為了保證器件的可靠性,需要有效控制熔絲結構上方殘留的介質層厚度。現有技 術僅僅是簡單的在熔絲結構上方刻蝕形成開口,受刻蝕設備和刻蝕方法的精度所限,很難 保證殘留的介質層在目標厚度範圍內。本發明通過在熔絲結構上方形成具有目標厚度的第 一介質層和刻蝕終止層,使得開口形成過程中的刻蝕過程在刻蝕終止層自動停止,有效的 控制了熔絲結構上方殘留的介質層的厚度,避免熔絲結構在熔斷時發生橫向膨脹對電路造 成損傷。圖3給出了本發明實施例的流程示意圖。如圖3所示,執行步驟Si,提供半導體襯 底,所述半導體襯底上形成有熔絲結構;執行步驟S2,在所述半導體襯底上形成第一介質 層,所述第一介質層覆蓋熔絲結構並具有目標厚度;執行步驟S3,在所述第一介質層上形 成刻蝕終止層;執行步驟S4,在所述刻蝕終止層上形成第二介質層;執行步驟S5,對所述第 二介質層進行選擇性刻蝕,在所述熔絲結構上方形成開口,所述開口底部露出刻蝕終止層圖4至圖8為本發明實施例的熔絲結構形成方法的剖面結構示意圖。下面結合圖 3對本發明的實施例進行詳細說明。參考圖3和圖4,執行步驟Si,提供半導體襯底,所述半導體襯底上形成有熔絲結 構。在本實施例中具體包括提供半導體襯底200,在所述半導體襯底200上形成有熔絲結 構 201。所述半導體襯底200的材質可以是單晶矽、多晶矽、非晶矽中的一種,所述半導體 襯底200還可以是絕緣體上矽(SOI,Silicon On Insulator)結構或矽上外延層結構。所 述半導體襯底200中形成有半導體器件,本實施例中為MOS電晶體,所述MOS電晶體包括源 極(未示出)、漏極(未示出)和柵極202。所述熔絲結構201為多晶矽熔絲或者金屬熔 絲,本實施例中為多晶矽熔絲。所述熔絲結構201下方形成有隔離結構(未示出),所述隔 離結構的形成方法為矽的局部氧化法(LOCOS)或淺溝槽隔離(STI)等方法參考圖3和圖5,執行步驟S2,在所述半導體襯底上形成第一介質層,所述第一介 質層覆蓋熔絲結構並具有目標厚度。在本實施例中具體包括在所述半導體襯底200上 形成第一介質層203,所述第一介質層203覆蓋所述熔絲結構201並具有目標厚度。所述 第一介質層203的材料選自氧化矽、有機矽酸鹽玻璃、硼矽玻璃等,本實施例中優選為氧化 矽,其形成方法為化學氣相沉積(CVD)。所述第一介質層203具有目標厚度,其厚度範圍為 2000至12000A,所述目標厚度主要取決於實際工藝中熔絲結構201的具體結構,本實施例 中為多晶矽熔絲,所述目標厚度為2000至12000 A,優選為2000至8000 A,進一步優選為 5000 A。
所述第一介質層203主要用作半導體器件與金屬互連層之間的層間介質層,在後 續工藝中,需要在其內部形成接觸孔和栓塞(Plug)由於在本發明中所述第一介質層203的 厚度為目標厚度,與現有技術相比,其厚度較薄。參考圖3和圖6,執行步驟S3,在所述第一介質層上形成刻蝕終止層。在本實施例 中具體包括在所述第一介質層203上形成刻蝕終止層204。所述刻蝕終止層204的材料選自氮氧化矽、氮化矽或富矽氧化層,其形成方法為 等離子增強型化學氣相沉積(PECVD),形成的厚度為300至1000A。本實施例中所述刻蝕終 止層204的材料優選為氮化矽,厚度優選為300A。所述刻蝕終止層204的目的是在後續的刻蝕過程中充當阻擋層,使得刻蝕過程停 止在所述刻蝕終止層204上。為了實現上述目的,刻蝕終止層204應該選擇與形成在其上 的層間介質層不同的材料,從而在後續的選擇性刻蝕中利用刻蝕過程的高選擇性,使得刻 蝕過程在刻蝕終止層204處停止,保證熔絲結構201上方的介質層的厚度不會過薄或過厚。參考圖3和圖7,執行步驟S4,在所述刻蝕終止層上形成第二介質層。本實施例中 具體包括在所述刻蝕終止層204上形成第二介質層,在本實施例中所述第二介質層為多 層結構,包括第一層間介質層205和第二層間介質層206。所述第一層間介質層205和第二層間介質層206的材料選自氧化矽、有機矽酸鹽 玻璃、硼矽玻璃等,本實施例中優選為氧化矽,形成方法為化學氣相沉積。所述第一層間介質層205內形成有栓塞205a。需要說明的是,與現有技術相比,由 於所述第一介質層203的厚度較薄,無法直接在其內部形成栓塞,因此,由第一介質層203、 刻蝕終止層204和第一層間介質層205共同構成一層介質層,然後在它們內部形成栓塞。其 形成過程包括對所述第一介質層203、刻蝕終止層204和第一層間介質層205進行刻蝕, 在所述MOS電晶體的柵極202上方形成接觸孔開口,之後使用導電材料進行填充,形成栓塞 20 ,本實施例中所述栓塞20 為鎢栓塞。與現有技術相比,由於在所述第一介質層203和 第一層間介質層205之間形成有刻蝕終止層204,因此,在刻蝕形成接觸孔開口的過程中, 針對所述刻蝕終止層204的材料,需要對現有技術的刻蝕菜單進行調整。所述第二層間介質層206內形成有通孔和互連結構206a。在本實施例中,所述通 孔和互連結構206a的形成方法為雙鑲嵌工藝,填充金屬為銅,填充方法為電鍍法。參考圖3和圖8,執行步驟S5,對所述第二介質層進行選擇性刻蝕,在所述熔絲結 構上方形成開口,所述開口底部露出刻蝕終止層。本實施例中具體包括使用選擇性刻蝕 在所述熔絲結構201上方形成開口 207,所述開口 207底部露出刻蝕終止層204。本實施例 中所述選擇性刻蝕為幹法刻蝕,主要反應氣體為C4F8、02、CO和Ar的混合氣體,由於刻蝕過 程中反應氣體的高選擇性,所述第一層間介質層205和第二層間介質層206中的氧化矽材 料在刻蝕過程中被刻穿形成開口 207,而由氮化矽材料構成的刻蝕終止層204並不會被刻 穿。本實施例中所述選擇性刻蝕為輕度的過刻,所述刻蝕終止層204在刻蝕中受到略微的 損傷,其上的第一層間介質層205和第二層間介質層206被刻蝕去除,使得開口 207底部露 出所述刻蝕終止層204。上述步驟結束後,所述熔絲結構201上方殘留的介質層包括第一介質層203和刻 蝕終止層204。由於所述第一介質層203具有目標厚度,因此防止了由於形成開口的刻蝕 過程不穩定造成的熔絲結構201上方殘留的介質層過薄或過厚的問題,既不會對熔絲結構201造成損傷,又有利於熔斷過程中產生的熱量和生成物的排出,有效的提高了器件的可靠 性。需要說明的是,由於開口 207形成以後,所述熔絲結構201上方殘留的介質層包括 第一介質層203和刻蝕終止層204,因此在形成第一介質層203和刻蝕終止層204的過程 中,要計算刻蝕終止層204的厚度對最終殘留在熔絲結構201上方的介質層厚度的影響。在 本實施例中,所述熔絲結構101為多晶矽熔絲,為了能使熔絲在熔斷時能夠脹破其上殘留 的介質層,形成開口後殘留的介質層厚度優選為2000至8000 Α,作為一個優選的實施例, 綜合考慮所述第一介質層203和刻蝕終止層204的厚度,本實施例中的第一介質層203的 目標厚度優選為5000 A,其上形成的刻蝕終止層204的厚度優選為300 A。圖9至圖13為本發明的另一實施例的熔絲結構形成方法的剖面結構示意圖。下 面結合圖3對本發明的另一實施例進行簡要的說明。如圖3和圖9所示,執行步驟Si,執行步驟Si,提供半導體襯底,所述半導體襯底 上形成有熔絲結構。在本實施例中具體包括提供半導體襯底300,在所述半導體襯底300 上形成有熔絲結構301。所述半導體襯底300上還形成有半導體器件,本實施例中為MOS電晶體,包括源極 (未示出)、漏極(未示出)和柵極302。所述半導體襯底300的材料與之前所述的實施例 一致,所述熔絲結構301的材料與之前所述的實施例實施例一致。如圖3和圖10所示,執行步驟S2,在所述半導體襯底上形成第一介質層,所述第一 介質層覆蓋熔絲結構並具有目標厚度。在本實施例中具體包括在所述半導體襯底300上 形成第一介質層303,所述第一介質層303覆蓋所述熔絲結構301並具有目標厚度。所述第 一介質層303的材料和形成方法與之前所述的實施例一致。如圖3和圖11所示,執行步驟S3,在所述第一介質層上形成刻蝕終止層。在本實 施例中具體包括在所述第一介質層303上形成刻蝕終止層304。所述刻蝕終止層304的 材料和形成方法與之前所述的實施例一致。在形成所述刻蝕終止層304之後,對所述刻蝕終止層304進行刻蝕,將所述熔絲結 構301區域以外的刻蝕終止層304去除,形成的結構如圖11所示。如圖3和圖12所示,執行步驟S4,在所述刻蝕終止層上形成第二介質層。本實施 例中具體包括在所述刻蝕終止層304上形成第二介質層,在本實施例中所述第二介質層 為多層結構,包括第一層間介質層305和第二層間介質層306,其材料和形成方法與之前所 述的實施例一致。所述第一層間介質層305內形成有栓塞30 ,所述第二層間介質層306內形成有 通孔和互連結構306a。形成栓塞30 的過程包括對所述第一層間介質層305、第一介質 層303進行刻蝕,形成接觸孔開口,之後在所述接觸孔開口內填充金屬鎢,形成栓塞306a。 由於之前已經將所述熔絲結構301區域以外的刻蝕終止層304去除,因此,在形成接觸孔開 口的過程中,只需要對所述第一層間介質層305和第一介質層303進行刻蝕,並未涉及刻蝕 終止層304,因此不需要對現有技術的刻蝕菜單進行調整。如圖3和圖13所示,執行步驟S5,使用選擇性刻蝕在所述熔絲結構上方形成開 口,所述開口底部露出刻蝕終止層。本實施例中具體包括使用選擇性刻蝕在所述熔絲結構 301上方形成開口 307,所述開口 307底部露出刻蝕終止層304。所述選擇性刻蝕過程與之前所述的實施例一致。如上所述,本發明在熔絲結構的上方形成具有目標厚度的第一介質層,並在第一 介質層上形成刻蝕終止層,使得開口形成過程中的刻蝕過程在刻蝕終止層自動停止,從而 有效的控制熔絲結構上方殘留的介質層的厚度,避免熔絲結構在熔斷時發生橫向膨脹對電 路造成損傷。本發明雖然已以較佳實施例公開如上,但其並不是用來限定本發明,任何本領域 技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內,都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發 明技術方案做出可能的變動和修改,因此,凡是未脫離本發明技術方案的內容,依據本發明 的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾,均屬於本發明技術方案 的保護範圍。
權利要求
1.一種熔絲結構的形成方法,其特徵在於,包括 提供半導體襯底,所述半導體襯底上形成有熔絲結構;在所述半導體襯底上形成第一介質層,所述第一介質層覆蓋熔絲結構並具有目標厚度;在所述第一介質層上形成刻蝕終止層; 在所述刻蝕終止層上形成第二介質層;對所述第二介質層進行選擇性刻蝕,在所述熔絲結構上方形成開口,所述開口底部露 出刻蝕終止層。
2.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法,其特徵在於,所述目標厚度為2000至12000A。
3.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法,其特徵在於,所述第二介質層的材料 選自氧化矽、有機矽酸鹽玻璃或硼矽玻璃。
4.根據權利要求3所述的熔絲結構的形成方法,其特徵在於,所述刻蝕終止層的材料 與第二介質層的材料不同。
5.根據權利要求4所述的熔絲結構的形成方法,其特徵在於,所述刻蝕終止層的材料 選自氮氧化矽、氮化矽或富矽氧化物。
6.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法,其特徵在於,所述刻蝕終止層的厚度 為 300 至1000 A。
7.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法,其特徵在於,所述選擇性刻蝕為幹法 刻蝕,刻蝕氣體為C4F8、02、CO和Ar的混合氣體。
8.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法,其特徵在於,在形成刻蝕終止層之後、 形成第二介質層之前還包括對所述刻蝕終止層進行刻蝕,去除所述熔絲結構區域之外的 刻蝕終止層。
9.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法,其特徵在於,所述熔絲結構為多晶矽 熔絲或金屬熔絲。
10.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法,其特徵在於,所述第二介質層為多層 結構,第二介質層內形成有通孔或互連結構。
全文摘要
一種熔絲結構的形成方法,包括提供半導體襯底,所述半導體襯底上形成有熔絲結構;在所述半導體襯底上形成第一介質層,所述第一介質層覆蓋熔絲結構並具有目標厚度;在所述第一介質層上形成刻蝕終止層;在所述刻蝕終止層上形成第二介質層;對所述第二介質層進行選擇性刻蝕,在所述熔絲結構上方形成開口,所述開口底部露出刻蝕終止層。本發明有效的控制了熔絲結構上方殘留的介質層的厚度,提高了器件的可靠性。
文檔編號H01L21/768GK102054765SQ20091020883
公開日2011年5月11日 申請日期2009年10月29日 優先權日2009年10月29日
發明者匡金, 張明敏, 祝孔維, 趙志勇 申請人:無錫華潤上華半導體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司