電路裝置的製作方法
2023-07-27 18:47:11 1
專利名稱：電路裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種電路裝置，特別是涉及一種具有抑制導電圖案相互之間的漏電流的結構的電路裝置。
背景技術：
參照圖6說明現有型的半導體裝置100的結構。圖6(A)是半導體裝置100的平面圖，圖6(B)是其剖面圖(參照專利文獻1)。
參照圖6(A)，在半導體裝置100的中央部形成有由導電材料構成的接合區102，在接合區102周圍接近配置多條引線101的一端。引線101的一端介由金屬細線105和半導體元件104電連接，另一端自密封樹脂103露出。密封樹脂103具有密封半導體元件104、接合區102及引線101且將其一體地支承的作用。
專利文獻1特開平11-340257號公報但是，在所述的半導體裝置100中，當電位相差很大的引線101相互接近時，在兩者之間有可能產生漏電流。特別是存在當一個引線101的阻抗高時，由於該漏電流流入阻抗高的引線101，在裝置內部構成的電流的特性發生變化的問題。
本發明是著眼於上述的問題點而開發的，本發明的主要目的在於，提供一種具有抑制圖案間的漏電流的結構的電路裝置。
發明內容
本發明的電路裝置，具有電路元件和導電圖案，其特徵在於，包括第一導電圖案，其和所述電路元件的高阻抗的輸入端子連接；第二導電圖案，其接近所述第一導電圖案而設置；保護導電圖案，其延伸設置在所述第一導電圖案和所述第二導電圖案之間。
另外，本發明的電路裝置具有如下特徵，所述保護導電圖案採用電位最接近所述第一導電圖案的所述導電圖案。
另外，本發明的電路裝置具有如下特徵，利用所述保護導電圖案將所述第一導電圖案包圍。
另外，本發明的電路裝置具有如下特徵，具有由第一配線層及第二配線層構成的多層配線結構，並在所述第一配線層或第二配線層上形成所述保護導電圖案。
另外，本發明的電路裝置具有如下特徵，露出所述導電圖案的背面，利用密封樹脂將所述電路元件及所述導電圖案密封。
另外，本發明的電路裝置具有如下特徵，所述第一導電圖案被連接在OP放大器的輸入端子上。
另外，本發明的電路裝置具有如下特徵，所述保護導電圖案和接地電位連接。
根據本發明的電路裝置，可通過在電位不同的導電圖案之間延伸設置保護導電導電圖案來抑制裝置內部的漏電流。由此，可提高內裝於裝置內的電路的特性。另外，由於可在安裝襯底側形成省去用於防止漏電流的結構，故可簡化安裝襯底的圖案結構。
圖1是表示本發明電路裝置的平面圖(A)、剖面圖(B)、剖面圖(C)；圖2是表示本發明電路裝置的平面圖(A)、剖面圖(B)；圖3是表示本發明電路裝置的平面圖(A)、剖面圖(B)；圖4是表示本發明電路裝置的剖面圖；圖5是表示本發明電路裝置的剖面圖；圖6是表示現有的電路裝置的平面圖(A)、剖面圖(B)。
具體實施例方式
參照圖1說明本實施方式的電路裝置10的結構。圖1(A)是電路裝置10A的平面圖，圖1(B)及圖1(C)是其剖面圖。
參照圖1(A)，本實施方式的電路裝置10具有電路元件13和規定的導電圖案12，並一體地樹脂模製。另外，具有與電路元件13的高阻抗輸入端子連接的第一導電圖案12A和接近第一導電圖案設置的第二導電圖案12B。還具有在第一及第二導電圖案之間延伸設置的保護導電圖案12C，防止第一導電圖案12A和第二導電圖案12B之間的漏電流。以下詳細地說明各要素及相關結構。
第一導電圖案12A、第二導電圖案12B及保護導電圖案12C由銅等金屬構成。並且，這些導電圖案12由在利用蝕刻形成的分離槽19內填充的密封樹脂18分離。
在此，電路元件13由半導體元件13A及晶片元件13B構成。另外，電路元件13可採用LSI晶片、電晶體裸片、二極體等有源元件。另外，電路元件13還可採用片狀電阻、片狀電容、或電感元件等無源元件。半導體元件13A的其背面固定粘接在由導電圖案12形成的墊片上。並且，介由金屬細線15將半導體元件13A的表面電極和由導電圖案12構成的焊盤電連接。另外，半導體元件13A也可以利用倒裝法連接。片狀元件13B其兩端電極介由焊錫等焊料固定粘接在導電圖案12上。
密封樹脂18由採用注入模形成的熱塑性樹脂或採用傳遞模形成的熱硬性樹脂構成。並且，密封樹脂18具有密封裝置整體的作用，同時，還具有機械地支承裝置整體的功能。參照圖1(B)，密封樹脂18使導電圖案12的背面露出外部而密封電路元件13、金屬細線15及導電圖案12。
另外，導電圖案12露出的密封樹脂18的下面，除形成外部電極17的位置外，被由樹脂構成的抗蝕劑16覆蓋。外部電極17由焊錫等焊料構成，形成在導電圖案12的背面。
參照圖1(A)，具體說明本發明的優點即抑制漏電流的導電圖案12的結構。
參照圖1(A)的第一區域A1，第一導電圖案12A介由金屬細線15和半導體元件13A電連接。並且，該第一導電圖案12A和其它導電圖案比較，是阻抗高的導電圖案。例如，第一導電圖案12A可連接在OP放大器(Operational Amplifier)的倒相輸入部或非倒相輸入部。因此，第一導電圖案12A的阻抗是例如數百千歐姆至數百萬歐姆程度，非常高。換而言之，流經第一導電圖案12A的電流非常小。具體地，流經連接於運算放大器的輸入端子的第一導電圖案12A的電流的值是例如數微安程度。在此，第一導電圖案12A連接在作為IC的半導體元件13A上，也可以連接在上述的其它電路元件13上。
第二導電圖案12B接近上述的第一導電圖案12A而設置。該第二導電圖案12B是和上述的第一導電圖案12A電位不同的導電圖案。例如，第二導電圖案12B可採用電位高於第一導電圖案12A的圖案或電位低於第一導電圖案12A的圖案。例如，第二導電圖案12B採用施加數十伏特電壓的圖案。
這樣，第一導電圖案12A和第二導電圖案12B的電位不同。由此，有可能由於該電位差自第二導電圖案12B向第一導電圖案12A流入漏電流。考慮到第一導電圖案12A的阻抗高、第二導電圖案12B的電位高，該問題是顯著的。其理由是有可能因漏電流導致產生運算放大器的誤動作。因此，在本申請中，通過保護導電圖案12C來解決該問題。
保護導電圖案12C延伸設置在第一導電圖案12A和第二導電圖案12B之間，抑制第一導電圖案12A和第二導電圖案12B之間產生的漏電流。在此，保護導電圖案12C直線型延伸設置在第一導電圖案12A和第二導電圖案12B之間。保護導電圖案12C採用與第二導電圖案12B相比電位更接近第一導電圖案12A的導電圖案。另外最好是，保護導電圖案12C也可以採用在構成電路裝置10A的導電圖案12中電位最接近第一導電圖案12A的導電圖案12。另外，保護導電圖案12C可採用和內裝於裝置的電路元件13電連接的導電圖案12。
在電路裝置10A內部沒有電位接近第一導電圖案12A的導電圖案12時，可從電路裝置外部引入接近第一導電圖案12A的電位。具體地，可介由外部電極17從安裝電路裝置10A的襯底側的導電路將電位引至保護導電圖案12C上。在這樣的情況下，保護導電圖案12C不必和電路元件13連接。由此，這時，可僅由延伸設置在第一導電圖案12A和第二導電圖案12B之間的配線部構成保護導電圖案12C。
考慮第一導電圖案12A採用運算放大器的輸入端子。將運算放大器的輸入電位較小地設定時，保護導電圖案12C可採用和接地電位連接的導電圖案12。通過該結構，即使從電位高的第二導電圖案12B向第一導電圖案12A側流入漏電流時，其漏電流也被保護導電圖案12C吸收。另外，如上所述，由於第一導電圖案12A和保護導電圖案12C電位近似，故在兩者之間基本不產生漏電流。
參照圖1(A)的第二區域A2說明用於解決由漏電流引起的問題的另一結構。在此，包圍第一導電圖案12A周圍形成保護導電圖案12C。通過該結構，可進一步提高防止漏電流流入第一導電圖案12A的效果。另外，即使在第一導電圖案12A被電位不同的第二導電圖案12B包圍的情況下，也可以通過該結構防止漏電流流入。在此，環狀的保護導電圖案12C被電連接在電路元件13上，但如上所述，也可以自電路裝置10A的外部引入電位。
參照圖1(A)的第三區域A3，說明用於解決漏電流引起的問題的其它結構。在此，保護導電圖案12C介由配線部12D從分開的導電圖案12引入。電位接近第一導電圖案12A的導電圖案有從第一導電圖案12A分開的情況。此時，可通過延伸設置配線部12D形成保護導電圖案12C。在此，也可以使用金屬細線15來代替由導電圖案12構成的配線部12D。
參照圖1(C)，在此，電路元件13採用半導體元件13A及片狀元件13B。這樣，也可以使多個電路元件13內裝在電路裝置10A內。
參照圖2說明另一實施方式的電路裝置10B的結構。圖2(A)是電路裝置10B的平面圖，圖2(B)是其剖面圖。該圖所示的電路裝置10B的基本結構和圖1所示的10A相同，不同點在於導電圖案12的延伸結構。以該不同點為中心說明。
參照圖2(A)的第四區域A4，本實施方式的保護導電圖案12C延伸設置在作為電路元件13的半導體元件13A的下方。電位接近位於該區域A4的第一導電圖案12A的導電圖案12E位於平面上隔著半導體元件13A的位置。具體地，第一導電圖案12A和電位接近該圖案的導電圖案12E位於電路裝置10B的相對的周邊部附近。在本申請中，可介由延伸設置在半導體元件13A下方的配線部12D將保護導電圖案12C和導電圖案12E電連接。即，除配置電路元件13的區域外可不配置圖案而直線連接導電圖案12之間。
參照圖2(A)的第五區域5A，在第一導電圖案12A和第二導電圖案12B之間延伸設置的保護導電圖案12C未和電路元件13電連接。即，保護導電圖案12C形成作為配線部延伸設置的部分，介由外部電極17和電路裝置10B的外部連接。通過該結構，即使在電路裝置10B內部的導電圖案12中沒有電位與第一導電圖案12A近似的導電圖案12時，也可以從外部得到該電位。
參照圖2(B)，說明電路裝置10B的斷面結構。導電圖案12由覆蓋樹脂24覆蓋，在該覆蓋樹脂24的表面固定粘接有半導體元件13A。通過該結構，可在配置半導體元件13A等電路元件13的區域的下方配置導電圖案12，故可提高配線密度。另外，和電路元件13電連接的位置的導電圖案12上面自覆蓋樹脂24露出。這裡，從覆蓋樹脂24露出構成焊盤的區域的導電圖案12的上面。
參照圖3說明其它實施方式的電路裝置10C的結構。圖3(A)是電路裝置10C的平面圖，圖3(B)是其剖面圖。該圖所示的電路裝置10C的基本結構和圖1所示的電路裝置10A相同，不同點在於具有多個配線層。以該不同點為中心說明。
參照圖3(A)，作為上層配線層的第一配線層20由實線表示，作為下層配線層的第二配線層21由虛線表示。參照該圖的第六區域A6，第一導電圖案12A、第二導電圖案12B及保護導電圖案12C由第一配線層20形成。這樣，同樣可利用由第一配線層20構成的保護導電圖案12C抑制同樣由第一配線層20構成的第一導電圖案12A和第二導電圖案12B之間發生的漏電流。
參照同圖的第七區域A7，在此，第一導電圖案12A及第二導電圖案12B由第一配線層20構成，保護導電圖案12C由第二配線層構成。即，參照圖3(B)，可通過由下層的第二配線層21構成的保護導電圖案12C來抑制上層的第一配線層20相互之間的漏電流。在此的保護導電圖案12C也可以介由連接部23和第一配線層20或電路元件13電連接。另外，在此的保護導電圖案12C也可以和第一配線層20或電路元件13電連接。
參照同圖的第八區域A8，在此，第一導電圖案12A及第二導電圖案12B由第一配線層20構成。然後，利用由第二配線層21構成的配線部12D配置保護導電圖案12C。因此，即使和第一導電圖案12A電位近似的導電圖案12位於與第一導電圖案12A分開的位置時，也可以利用在第二配線層21上形成的配線部12D來進行圖案的配置。
參照圖3(B)，在此，具有由介由絕緣層32層積的第一配線層20及第二配線層21構成的雙層配線層。第一配線層20和第二配線層21介由貫通絕緣層32的連接部23電連接。另外，配線層的結構也可以構成三層以上的配線結構。
在上述的說明中，說明了用於抑制上層的第一配線層20相互之間的漏電流的結構，但也可以利用同樣的結構來抑制下層的第二配線層21相互之間的漏電流。即，可通過在第一配線層20上形成保護導電圖案12C，防止第二配線層21相互之間的漏電流。另外，也可通過在第二配線層21上設置保護導電圖案12C，防止第一配線層20相互之間的漏電流。另外，也可以在第一配線層20及第二配線層21兩層上形成同樣形狀的保護導電圖案12C，進一步通過防止漏電流的效果。
參照圖4，說明其它實施方式的電路裝置10D的結構。該圖剖面表示的電路裝置10D的基本結構和圖3所示的電路裝置10C相同。不同點在於，具有支承襯底31。該支承襯底31可採用玻璃環氧襯底等樹脂制襯底、陶瓷襯底、金屬襯底等周知的襯底。
參照圖5的剖面圖說明安裝在安裝襯底25上的電路裝置10A的結構。在此，用圖1說明的電路裝置10A說明，但以下的結構也可以適用其它圖說明的電路裝置10。
介由由在導電圖案12背面形成的焊料構成的外部電極17將電路裝置10A固定粘接在在安裝襯底25表面形成的導電路26上。第一導電圖案12A介由外部電極17連接在第一導電路26A上。第二導電圖案12B介由連接電極17連接在第二導電路26B上。另外介由外部電極17將保護導電圖案12C連接到安裝襯底25側的保護導電路26C上。在此，安裝襯底25側的保護導電路26C不必和保護導電圖案12C連接，也可以連接到電位接近第一導電圖案12A的其它部分。
通過在電路裝置10A內部設置保護導電圖案12C，可抑制漏電流流入第一導電圖案12A。另外，可通過在安裝襯底25側也設置保護導電路26C，提高該效果。具體地，即使在導電路26的表面附著有塵埃等時，也可以抑制導電路26相互之間產生的漏電流。
權利要求
1.一種電路裝置，具有電路元件和導電圖案，其特徵在於，包括第一導電圖案，其和所述電路元件的高阻抗的輸入端子連接；第二導電圖案，其接近所述第一導電圖案而設置；保護導電圖案，其延伸設置在所述第一導電圖案和所述第二導電圖案之間。
2.如權利要求1所述的電路裝置，其特徵在於，所述保護導電圖案採用電位最接近所述第一導電圖案的所述導電圖案。
3.如權利要求1所述的電路裝置，其特徵在於，由所述保護導電圖案包圍所述第一導電圖案。
4.如權利要求1所述的電路裝置，其特徵在於，具有由第一配線層及第二配線層構成的多層配線結構，並在所述第一配線層或第二配線層上形成所述保護導電圖案。
5.如權利要求1所述的電路裝置，其特徵在於，露出所述導電圖案的背面，利用密封樹脂將所述電路元件及所述導電圖案密封。
6.如權利要求1所述的電路裝置，其特徵在於，所述第一導電圖案被連接在OP放大器的輸入端子上。
7.如權利要求1所述的電路裝置，其特徵在於，所述保護導電圖案和接地電位連接。
全文摘要
一種電路裝置，其具有抑制圖案間的漏電流的結構。本實施方式的電路裝置10具有電路元件12和規定的導電圖案12，一體地樹脂模製而成。還具有與電路元件13的高阻抗輸入端子連接的第一導電圖案12A和接近第一導電圖案設置的第二導電圖案12B。還具有在第一及第二導電圖案之間延伸設置的保護導電圖案12C，構成防止第一導電圖案12A和第二導電圖案12B之間的漏電流的結構。
文檔編號H01L23/12GK1602137SQ20041001191
公開日2005年3月30日 申請日期2004年9月24日 優先權日2003年9月24日
發明者加藤敦史, 中野敦史 申請人:三洋電機株式會社