具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法、使用了粘合劑片材的布線基板的製造...的製作方法

2023-07-13 02:35:01 3

具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法、使用了粘合劑片材的布線基板的製造 ...的製作方法
【專利摘要】本發明涉及一種具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法，上述粘合劑片材在支承膜(a)上具有單片化的粘合劑層(b)，該製造方法按如下順序具有以下工序：工序A：對於按順序具有支承膜(a)、粘合劑層(b)及覆蓋膜(c)的粘合劑膜，通過局部半切割而局部地僅切斷粘合劑層(b)及覆蓋膜(c)的工序；工序B：僅剝離上述粘合劑膜的不需要部分的覆蓋膜(c)的工序；工序C：在上述粘合劑膜的覆蓋膜(c)側粘貼膠帶的工序；以及工序D：將上述粘合劑膜的不需要部分的粘合劑層(b)及目標部的覆蓋膜(c)與膠帶一起剝離的工序。本發明提供一種製造在特定位置配置有單片化的粘合劑的粘合劑片材的方法及粘合劑片材的製造裝置。
【專利說明】具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法、使用了粘合劑片材的布線基板的製造方法、半導體裝置的製造方法及粘合劑片材的製造裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及製造在特定位置配置有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的方法。
【背景技術】
[0002]在電子材料中，在將各種部件、例如半導體晶片等安裝於布線基板上時，多使用熱固化型的粘合劑，已知有模片鍵合膜(die bondingfilm) (DAF)和非導電膜(NCF)。
[0003]近年來，作為在布線基板上安裝半導體晶片的方法，逐漸使用倒裝晶片安裝(flipchip assembly)。
[0004]在以往的倒裝晶片安裝中，在將半導體晶片在布線基板上進行了倒裝晶片安裝後，在半導體晶片的周圍塗布樹脂，利用毛細管現象在半導體晶片下側的間隙中填充液態密封樹脂，發揮作為粘合劑的功能(專利文獻I)。
[0005]另一方面，開發有如下先密封技術:在安裝半導體晶片之前在布線基板之上預先形成未固化的密封樹脂，將半導體晶片的凸起(bump)壓入到密封樹脂中，由此，對半導體晶片進行倒裝晶片安裝並密封(專利文獻2)。
[0006]另外，提出有使用掩模將樹脂膜粘貼到布線基板上的方法等(專利文獻3)。
[0007]另一方面，若使用在特定位置配置有單片化的粘合劑的粘合劑片材，則通過進行粘合劑片材與布線基板的位置對齊、並從粘合劑片材上將粘合劑轉印到布線基板上，能夠製造在特定位置配置有粘合劑的布線基板，作為這樣的在特定位置配置有單片化的粘合劑的粘合劑片材的製造方法，通常為使用半切割的方法。(專利文獻4、5、6)。
[0008]專利文獻1:日本特開平11 - 256012號公報
[0009]專利文獻2:日本特開2011 - 207998號公報
[0010]專利文獻3:日本特開2010 - 251346號公報
[0011]專利文獻4:日本特開2009 - 84442號公報
[0012]專利文獻5:日本特開2010 - 45070號公報
[0013]專利文獻6:日本特開2008 - 282945號公報

【發明內容】

[0014]在專利文獻I和專利文獻2所公開的先密封技術中，通過在安裝半導體晶片之前在布線基板上塗布液態樹脂、或者粘貼未固化的粘合劑膜而在布線基板上形成未固化的粘合劑。此時，存在從外界氣體向液態樹脂或粘合劑中捲入氣泡的情況。若在樹脂中產生氣泡，則會成為連接不良、絕緣短路的原因。另外，在使用粘合劑膜的情況下，需要以高的位置精度粘貼粘合劑膜的技術。
[0015] 關於專利文獻3所公開的使用掩模的方法，由於能夠通過改變掩模設計而應對布線基板的設計變更等，所以是通用性優異的方法，但是存在如下課題:由於在掩模所覆蓋的部分和掩模沒有覆蓋的部分之間產生層差、或掩模本身產生變形等原因，而產生粘貼位置的變動。另外，若增大掩模，則會產生掩模本身的加工誤差、彎曲，因此不適於大量生產單一設計的方式。
[0016]關於專利文獻4、5、6所公開的通常的半切割的方法，以粘合劑層具有韌性、且單獨的粘合劑層能夠承受拉伸、搬運等的材料為前提進行設計，但無法適用於粘合劑層脆弱、無法單獨承受拉伸、搬運等的材料。
[0017]鑑於上述課題，本發明涉及在特定位置配置有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法。特別是提供一種對粘合劑層脆弱的粘合劑片材的製造有效的方法。
[0018]為了解決上述課題，本發明的具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法具有以下構成。 即，
[0019]一種粘合劑片材的製造方法，該粘合劑片材在支承膜(a)上具有單片化的粘合劑層(b)，該製造方法按如下順序具有以下工序:
[0020]工序A:對於按順序具有支承膜(a)、粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)的粘合劑膜，通過局部半切割而局部地僅切斷粘合劑層(b)及覆蓋膜(c)的工序；
[0021]工序B:僅剝離上述粘合劑膜的不需要部分的覆蓋膜(C)的工序；
[0022]工序C:在上述粘合劑膜的覆蓋膜(C)側粘貼膠帶的工序；以及
[0023]工序D:將上述粘合劑膜的不需要部分的粘合劑層(b)及目標部的覆蓋膜(C)與膠帶一起剝離的工序。
[0024]在此，「不需要部分」是指被剝離而最終不會留在粘合劑片材上的部分。
[0025]本發明的使用粘合劑片材的布線基板的製造方法具有以下構成。即，
[0026]一種布線基板的製造方法，將通過上述製造方法而得到的粘合劑片材的粘合劑層
(b)側的面、與布線基板的布線側的面進行位置對齊，通過真空層壓或真空壓制而製成粘合劑片材與布線基板的層合體，然後將粘合劑片材的支承膜(a)除去。
[0027]本發明的半導體裝置的製造方法具有以下構成。即，
[0028]一種半導體裝置的製造方法，在通過上述布線基板的製造方法而得到的布線基板上安裝半導體元件。
[0029]本發明的粘合劑片材的製造裝置具有以下構成。即，
[0030]一種粘合劑片材的製造裝置，按順序具有半切割裝置、覆蓋膜剝離裝置、膠帶粘貼裝置及膠帶剝離裝置。
[0031]本發明的具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法中，優選的是，支承膜(a)是在層合界面處能夠剝離的2層構造。
[0032]本發明的具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法中，優選的是，上述膠帶具有支承膜(a』 )及粘合劑層(b』)，上述支承膜(a』 )為聚烯烴。
[0033]本發明的具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法中，優選的是，上述膠帶的厚度為10~40 μ m。
[0034]本發明的具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法中，優選的是，在上述工序D中的剝離中，在使膠帶的彎折角度為Q1、使支承膜(a)的彎折角度為θ2的情況下，QjP 92滿足下式(I)、(II):
[0035]I Θ J < I Θ 21...(I)[0036]I θ J + I θ 2| < 60°...(II)。
[0037]根據本發明的製造方法，能夠製造在特定位置配置有單片化的粘合劑層的粘合劑片材。特別適於粘合劑層脆弱而需要利用支承體的保持那樣的粘合劑片材的製造。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1是本發明的在特定位置配置有單片化的粘合劑層(b)的粘合劑片材的圖。
[0039]圖2是在本發明的半切割中使用的刃具的圖。
[0040]圖3是本發明的粘合劑膜的半切割後的剖視圖。
[0041]圖4是本發明的將覆蓋膜(C)剝離時的不需要部分的圖。
[0042]圖5是本發明的粘合劑膜的覆蓋膜(C)剝離後的圖。
[0043]圖6是本發明的使用了 2層構造的支承膜的情況下的粘合劑膜的半切割後的剖視圖。
[0044]圖7是本發明的工序D的示意圖。
[0045]圖8是在支承膜(a)上連續地存在粘合劑層(b)的本發明的粘合劑片材的圖。
[0046]圖9是將粘合 劑片材切成長條狀後的圖。
[0047]圖10是表示本發明的工序A(對於按順序具有支承膜(a)、粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)的粘合劑膜，通過局部的半切割而局部地僅切斷粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)的工序)的例子的圖，(I)是側視圖，(2)是俯視圖。
[0048]圖11是表示本發明的工序B(僅剝離粘合劑膜的不需要部分的覆蓋膜(C)的工序)的例子的圖。
[0049]圖12是表示本發明的工序C(在粘合劑膜的覆蓋膜(C)側粘貼膠帶的工序)的例子的圖。
[0050]圖13是表示本發明的工序D(將粘合劑膜的不需要部分的粘合劑層(b)及目標部的覆蓋膜(C)與膠帶一起剝離的工序)的例子的圖。
[0051]圖14是本發明的使用了 2層構造的支承膜的情況下的將粘合劑膜的不需要部分剝離後的剖視圖。
[0052]圖15是具有8.7mm見方的開口凹部的基板的俯視圖(I)和剖視圖(2)。
[0053]圖16是表示在具有8.7mm見方的開口凹部的基板的底部形成有單片化的粘合劑層的情況的俯視圖⑴和剖視圖(2)。
【具體實施方式】
[0054]以下，參照圖1~圖13說明本發明的實施方式。
[0055]本發明為一種在支承膜(a)上具有單片化的粘合劑層(b)的粘合劑片材的製造方法，其按如下順序具有以下工序:
[0056]工序A:對於按順序具有支承膜(a)、粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)的粘合劑膜，通過局部半切割而局部地僅切斷粘合劑層(b)及覆蓋膜(c)的工序；
[0057]工序B:僅剝離上述粘合劑膜的不需要部分的覆蓋膜(C)的工序；
[0058]工序C:在上述粘合劑膜的覆蓋膜(C)側粘貼膠帶的工序；以及
[0059]工序D:將上述粘合劑膜的不需要部分的粘合劑層(b)及目標部的覆蓋膜(C)與膠帶一起剝離的工序。
[0060]以下，詳細說明各工序。
[0061]本發明中使用的粘合劑膜需要按順序至少具有支承膜(a)、粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)。支承膜(a)、覆蓋膜(C)的材料等沒有特別限制，能夠使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚碸、聚醯亞胺、聚乙烯(PE)、聚乙酸乙烯酯(PVA)等任意的材料。也可以使用在紙等上層壓膜而成的層合體。可以為了調整與粘合劑層(b)的粘附力而根據需要進行基於脫模劑的表面處理，也可以使用通過UV照射等而使剝離力降低那樣的膜。關於支承膜(a)、覆蓋膜(c)的厚度均沒有特別限定，但優選為10~200 μ m,更優選為20~40 μ m。若為10~200 μ m,則工序搬運所需的硬度充分，能夠更充分地保持粘合劑層(b)，而且硬度也不會過強，因此不會難以彎曲等。覆蓋膜(C)優選比支承膜(a)薄。其理由是，在後述的工序D中的剝離時，支承膜(a)側的硬度強會使剝離容易。另外，對於支承膜(a)也能夠使用具有能夠在界面處剝離的2層構造的膜。
[0062]本發明的粘合劑層(b)的組成沒有特別限制，能夠使用由環氧樹脂、氧雜環丁烷樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂等熱固性或光固性的樹脂、或苯氧基樹脂、聚醚碸、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺等熱塑性樹脂、或者將它們混合而成的樹脂形成的片材。另外，從絕緣可靠性和對於溫度循環的可靠性的觀點出發，可以含有填料。作為這裡所說的填料，能夠使用二氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦、鈦酸鋇等無機粒子、或橡膠和樹脂等有機粒子。
[0063]本發明的粘合劑層(b)可以在常溫下脆弱且在高溫下具有高的流動性，100°C下的熔融粘度可以為3，OOOPa.s以下。100°C下的熔融粘度為3，OOOPa.s以下的粘合劑層(b)在成為高溫時流動性大，能夠合適地用於電路圖案的埋入等，但這樣的粘合劑層(b)在多數情況下脆弱。根據本發明的粘合劑片材的製造方法，即使是100°C下的熔融粘度為3，OOOPa.s以下那樣的粘合劑層(b)，也能夠合適地進行製造。
[0064]作為這樣的粘合劑層(b)的用途，能夠例示半導體安裝用的非導電膜(NCF)。這是因為，NCF要求埋入微細的布線，需要通過加熱而流動化從而變為低粘度。但是，與該特性相應地，在常溫下脆弱，多存在通過單獨的粘合劑層(b)無法承受衝切或切斷、搬運等的情況。但是，根據本發明的粘合劑片材的製造方法，使用支承膜(a)進行切斷等，因此能夠獲得良好的粘合劑片材。
[0065]粘合劑層(b)與支承膜(a)之間的粘附力沒有特別限制，但優選在25°C下不足30N/m。若粘合劑層(b)與支承膜(a)之間的粘附力在25°C下不足30N/m，則能夠高效率地進行後述的工序D:將上述粘合劑膜的不需要部分的粘合劑層(b)及目標部的覆蓋膜(c)與膠帶一起剝離的工序。
[0066]粘合劑層(b)與覆蓋膜(C)之間的粘附力沒有特別限制，優選在25 °C下不足30N/m，並且比粘合劑層(b)與支承膜(a)之間的粘附力低。若粘合劑層(b)與覆蓋膜(C)之間的粘附力在25°C下不足30N/m，則能夠高效率地進行後述的工序B:僅將粘合劑膜的不需要部分的覆蓋膜(c)剝離的工序；以及工序D:將所述粘合劑膜的不需要部分的粘合劑層(b)及目標部的覆蓋膜(c)與膠帶一起剝離的工序。另外，若粘合劑層(b)與覆蓋膜(C)之間的粘附力比粘合劑層(b)與支承膜(a)之間的粘附力低，則能夠抑制粘合劑層(b)的非計劃的剝離等。在此，「非計劃的剝離」是指，無法在期望的界面處剝離，而在不期望的界面處產生剝離的現象。
[0067]本發明中使用的粘合劑膜的製造方法的例子如下所示。首先，將作為粘合劑層(b)的原料的樹脂、填料、各種添加劑以及溶劑攪拌混合而製成清漆或糊劑，並將其塗布在基底膜上。作為塗布方法，可以列舉輥式塗布和狹縫塗布等。基底膜的材質沒有限制，能夠使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚碸、聚醯亞胺等任意的材質。在塗布後，根據需要進行乾燥。另外，為了保護粘合劑面，在塗布後或乾燥後，可以粘貼任意的保護膜。保護膜的材料沒有特別限制，但優選聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜或聚乙烯(PE)、聚乙酸乙烯酯(PVA)膜等，根據需要進行同樣的基於脫模劑的表面處理。上述的基底膜和保護膜中的某一方成為支承膜(a)，另一方成為覆蓋膜(C)。關於使哪一方成為支承膜(a)沒有限制。
[0068]工序A為如下工序:對於按順序具有支承膜(a)、粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)的粘合劑膜，通過局部半切割而局部地僅切斷粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)。半切割的方法沒有特別限制，能夠例示使用了尖頂刃具的加壓、輥加工等。在進行半切割時，需要將刃具從覆蓋膜(C)側以貫穿覆蓋膜(C)和粘合劑層(b)、但不貫穿支承膜(a)的水平壓入。例如，在製造圖1所示那樣的在特定位置配置有單片化的粘合劑層(b)的粘合劑片材的情況下，使用圖2所示那樣形狀的刃具進行半切割。半切割後的粘合劑膜的截面如圖3所示。
[0069]工序B是僅將半切割後的粘合劑膜的不需要部分的覆蓋膜(C)剝離的工序。例如，在製造圖1所示那樣的在特定位置配置有單片化的粘合劑層(b)的粘合劑片材的情況下，圖4的4a所示的區域為不需要部分的覆蓋膜(C)，僅將該部分剝離。作為剝離方法，能夠例示提起覆蓋膜(c)等的方法。剝離的角度沒有特別限制，但優選45°~90°。若為該角度，則能夠在不引起粘合劑層(b)的非計劃的剝離等的情況下進行剝離。在覆蓋膜(C)剝離後，不需要部分露出粘合劑層(b)而成為圖5所示那樣的狀態。
[0070]工序C是在上述粘合劑膜的覆蓋膜(C)側粘貼膠帶的工序。在圖5所示的狀態下的粘合劑膜的整個面上粘貼膠帶。膠帶的粘貼方法沒有特別限定，能夠例示利用輥等進行按壓而層壓的手法等。
[0071]另外，膠帶優選具有支承膜(a』)及粘合劑層(b』)。另外，作為支承膜(a』)，由於富有柔軟性而能夠優選使用聚烯烴。通過使用這樣的富有柔軟性的膜，能夠更容易地抑制粘合劑層(b』 )剝離時的破碎或斷裂。
[0072]另外，關於支承膜(a』)的厚度，從在粘合劑層(b』)剝離時不易產生粘合劑層(b』)的斷裂的觀點出發，優選為25μπι以下，更優選為15μπι以下。另外，從操作性的觀點出發，支承膜(a』 )的厚度優選為3μπι以上。
[0073]另外，膠帶整體的厚度沒有特別限定，但優選為10~40μπι。若為該範圍，則能夠確保搬運性，並且減少剝離時的粘合劑層(b)的破碎等。
[0074]工序D是將上述粘合劑膜的不需要部分的粘合劑層(b)及目標部的覆蓋膜(C)與膠帶一起剝離的工序。通過除去不需要部分的粘合劑層(b)和目標部的覆蓋膜(C)，能夠得到作為目標的圖1所示那樣的在支承膜(a)上存在有單片化的粘合劑層(b)的粘合劑片材。
[0075] 對於支承膜(a)使用具有能夠在界面處剝離的2層構造的膜，在工序A中的半切割時，將該2層中的與粘合劑接觸的上層完全切斷，將該2層中的不與粘合劑層接觸的下層不完全地切斷，進行這樣的半切割，並在該2層的界面處進行工序D中的不需要部分的剝離，由此，能夠得到圖2所示那樣的在支承膜(a)上存在有單片化的粘合劑層(b)的粘合劑片材。在工序D中，為了容易進行該2層的界面處的剝離，優選以使該2層間的剝離強度比粘合層與支承膜上層的界面的剝離強度小的方式選擇各材料。
[0076]圖6那樣的構造的粘合劑片材能夠優選地用於在比周圍凹陷的部位粘貼單片化的粘合劑的情況，能夠更優選地用於凹部深的情況或凹部空間的高寬比大、即凹部的深度比凹部開口的大小大的情況。具體而言，可以列舉粘合劑片材向布線基板上被阻焊劑或布線層等包圍的凹狀的部位等的粘貼。在用於這樣的粘貼的情況下，若具有2層構造的支承膜的上層的厚度與粘合劑層的厚度的合計為與凹部的深度相同的程度或為凹部深度以上，則能夠不會產生變形或粘合劑端部的浮起地容易地在凹部底部上粘貼單片化的粘合劑。
[0077]本發明的粘合劑片材的製造方法即使在使用較脆的樹脂來作為粘合劑層(b)的情況下，由於剝離時的應力而斷裂的情況也很少。但是，剝離時對粘合劑層(b)的應力隨著剝離角度的增大而增大，且隨著膠帶硬度的增強而增大。因此，在材質相同的情況下，膠帶優選在不會產生搬運困難的範圍內較薄，剝離角度優選在能夠剝離的範圍內較小。
[0078]因此，剝離時的膠帶與粘合劑片材的剝離角度優選滿足如下所示的關係。即，如圖6所示，在使膠帶的彎曲角度為Q1、使支承膜(a)的彎曲角度為02時，優選使θ」 02同時滿足下述關係。Θ i定義為膠帶的拉拽方向的延長線與剝離前的粘合劑片材的延長線所成的角度，θ2定義為支承膜(a)的拉拽方向的延長線與剝離前的粘合劑片材的延長線所成的角度。
[0079]I1...(I)
[0080]I Θ J + I Θ 2| < 60。...(II) [0081]對於粘合劑層(b)與支承膜(a)剝離時所施加的應力，Θ i的影響比Θ 2大。因此，在I θ」+ | θ2| =定值的條件下，通過使I Q1I < I θ2|，能夠將對粘合劑層(b)的應力抑制得較小。另外，若為I θ」+ | θ2| <60°，則剝離時對粘合劑層(b)的應力不會變得過大，能夠抑制破碎或斷裂等。需要說明的是，粘合劑層(b)的破碎或斷裂會成為灰塵的原因，因此不僅是目標部的粘合劑層(b)，對於不需要部分的粘合劑層(b)，也優選抑制其破碎或斷
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[0082]另外，若在剝離時為35°C以上，則粘合劑層(b)變軟，從而能夠抑制破碎或斷裂，因此優選。另外，若為70°C以下，則粘合劑層(b)不會變得過軟，從而單片化部的形狀和膜厚能夠得以維持，因此優選。
[0083]本發明的具有單片化的粘合劑層(b)的布線基板的製造方法為如下方法:將通過上述製造方法而得到的粘合劑片材的粘合劑層(b)側的面、與布線基板的布線側的面進行位置對齊，通過真空層壓或真空壓制而製成粘合劑片材與布線基板的層合體，然後將粘合劑片材的支承膜(a)除去。
[0084]工序D後得到的在支承膜(a)上具有單片化的粘合劑層(b)的粘合劑片材能夠通過將粘合劑層(b)側的面、與布線基板的布線側的面進行位置對齊並利用真空層壓或真空壓制而製成粘合劑片材與布線基板的層合體來使用。真空壓制和真空層壓在布線基板與粘合劑層(b)之間進入氣泡的情況較少，能夠優選使用。
[0085]對具有單片化的粘合劑層(b)的粘合劑片材的粘合劑層(b)側的面、與布線基板的布線側的面進行的位置對齊沒有特別限定，可以通過照相機對形成在雙方上的用於位置識別的特定形狀進行識別而進行。另外，也可以是，通過在粘合劑片材與布線基板應重疊的特定部位在雙方上設置貫穿孔、並以將這些貫穿孔貫穿的方式插入銷來進行。貫穿孔可以在半切割加工時僅在該部分進行全切割而形成，也可以通過其他工序形成。
[0086]在真空壓制或真空層壓中，可以將單片化的多個粘合劑層(b) —起層合在布線基板上，也可以按每個單片進行。在布線基板的彎曲或層差較大的情況下等，可以通過多個壓頭而獨立地對單片化的多個粘合劑層(b)進行壓制或層壓。
[0087]另外，也可以在粘合劑片材上設置不是用於與布線基板的粘合的、臨時固定用的單片化的粘合劑層，進行位置對齊後緊接著的臨時固定。
[0088]在層合後，通過除去粘合劑片材的支承膜(a)，能夠得到在特定位置具有單片化的粘合劑層(b)的布線基板。粘合劑層(b)向布線基板的轉印可以使用粘合劑片材直接進行，也可以使用將粘合劑片材切斷後的單片。例如，可以製作圖8所示那樣的在支承膜(a)上連續地存在有粘合劑層(b)的粘合劑片材，在將其切斷為目標長度而加工成圖9所示那樣的長條狀後進行轉印。
[0089]本發明的半導體裝置的製造方法為在上述布線基板上安裝半導體元件的方法。
[0090]上述的在特定位置具有單片化的粘合劑層的布線基板能夠利用於通過將半導體元件經由粘合劑層而安裝於布線基板上而製造半導體裝置。例如，能夠通過如下步驟製作半導體裝置:使用倒裝晶片接合機，將由Au或Cu形成有凸起的半導體晶片經由粘合劑層與布線基板的布線連接，然後，通過注塑樹脂將半導體晶片與布線基板密封，由此製作半導體裝直。
[0091]另外，本發明的粘合劑片材的製造裝置按順序具有半切割裝置、覆蓋膜剝離裝置、膠帶粘貼裝置及膠帶剝離裝置。
[0092]作為半切割裝置，只要是對於粘合劑膜能夠通過局部的半切割而局部地僅切斷粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)的裝置，則沒有特別限定，作為例子而使用圖10進行說明。
[0093]如圖10所示，使用粘合劑膜抽出夾具13將粘合劑膜6的一個方向夾住並施加抽出力，由此從粘合劑膜送出輥7抽出粘合劑膜6。接著，粘合劑膜6經由搬運輥(1)8、搬運輥(2) 9而被輸送至粘合劑膜拉緊輥11。邊通過該粘合劑膜拉緊輥11抑制粘合劑膜6的鬆弛邊使用粘合劑膜切斷刃具10將粘合劑膜6切斷，由此，成為能夠在吸附固定臺(I) 12的臺上進行處理的大小。
[0094]接著，對於吸附固定臺(1)12的臺上的粘合劑膜6，利用安裝在上部板14上的半切割用的刃具3並通過局部的半切割而局部地僅切斷粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)。在此，上部板14是上下可動式的，通過使其向吸附固定臺(I) 12方向移動而將半切割用的刃具3按壓到粘合劑膜6上，由此，能夠將覆蓋膜(C)、粘合劑層(b)切斷並對支承膜(a)進行半切害I]。在製造粘合劑片材時，能夠使用這些機構將殘留在支承膜(a)上的粘合劑部分切離開，以安裝半導體。
[0095]另外，優選在上部板14上除半切割用的刃具3外，還設置貫穿孔15形成用的刃具。由此，能夠在粘合劑膜6上形成貫穿孔15，能夠如上所述地用於位置對齊。需要說明的是，由於為了形成貫穿孔15不僅要將覆蓋膜(C)、粘合劑層(b)切斷，還需要切斷支承膜(a)，所以需要使貫穿孔15形成用的刃具比半切割用的刃具3高出所需要的量。
[0096]作為覆蓋膜剝離裝置，只要能夠僅剝離半切割後的粘合劑膜的不需要部分的覆蓋膜(C)，則沒有特別限定，作為例子而使用圖11進行說明。
[0097]如圖11 (I)所示，覆蓋膜剝離裝置使粘合劑膜6的支承膜(a)側的面吸附在吸附固定臺(2) 16上。另外，使覆蓋膜(C)吸附(粘附)臂17吸附在粘合劑膜6的端部。
[0098]如圖11⑵所示，通過使覆蓋膜(C)吸附(粘附)臂17向遠離吸附固定臺(2)的方向移動，能夠使覆蓋膜(C)剝離。由此，能夠將半切割後的粘合劑膜6上的覆蓋膜(C)剝離。此時，通過半切割而被切離開的部分的覆蓋膜(C)不剝離。
[0099]作為膠帶粘貼裝置，只要是能夠在粘合劑膜的覆蓋膜(C)側粘貼膠帶，則沒有特別限定，作為例子而使用圖12進行說明。
[0100]從膠帶卷出輥18卷出的膠帶5通過膠帶端部按壓輥19而被按壓到通過上述覆蓋膜剝離裝置而將不需要部分的覆蓋膜(c)剝離後的粘合劑膜6上。在此，膠帶層壓輥20為可動式的，在與膠帶端部按壓輥19相鄰的位置，向吸附在吸附固定臺(2) 16上的粘合劑膜6按壓，並從該位置向右方移動(圖12(1))，最終移動至粘合劑膜6的右端(圖12(2))。由此，能夠將膠帶5層壓至粘合劑膜6上。
[0101]作為膠帶剝離裝置，只要能夠將粘合劑膜的不需要部分的粘合劑層(b)及目標部的覆蓋膜(C)與膠帶一起剝離，則沒有特別的限定，作為例子而使用圖12進行說明。
[0102]在通過上述膠帶粘貼裝置將膠帶5層壓至粘合劑膜6上後，使吸附固定臺(2) 16遠離粘合劑膜6，並且使膠帶卷出輥18、膠帶端部按壓輥19也遠離膠帶5。 [0103]圖12為在膠帶剝離裝置中配置有剝離端部固定輥(I) 22、剝離端部固定輥(2)23、剝離移動輥(1)24、剝離移動輥(2)25、剝離移動輥(3)26、剝離移動輥(4) 27、剝離夾具28的圖。
[0104]剝離夾具28具有能夠夾住粘合劑膜6端部並向下方移動的機構。另外，以能夠調整圖12所示的θ」 Θ 2的大小的方式配置有剝離移動輥(1)24、剝離移動輥(2)25、剝離移動輥(3)26、剝離移動輥(4) 27，由此，與膠帶卷繞輥21的相對位置被確定。另外，這些剝離移動輥也可以具有加熱機構。
[0105]在製造粘合劑片材時，邊控制Θ JP Θ 2邊使這些剝離移動輥相對於膠帶卷繞輥21的相對位置向圖12的左方移動。伴隨該動作使膠帶卷繞輥21旋轉而卷繞膠帶5，從而能夠除去粘合劑膜6上的不需要部分的粘合劑層(b)和目標部的覆蓋膜(C)。為了抑制粘合劑層(b)的破碎或斷裂，也可以對這些剝離移動輥的全部或一部分進行加熱，從而對粘合劑膜6進行加熱。
[0106]通過以上步驟能夠得到本發明的粘合劑片材。
[0107]實施例
[0108]以下，更具體地說明本發明的在支承膜(a)上具有單片化的粘合劑層(b)的粘合劑片材的製造方法，但本發明不限定於此。
[0109]各評價方法如下所述。
[0110](I)聚醯亞胺樹脂的紅外吸收光譜的測定
[0111]使用堀場製作所制FT -1R720並通過KBr法進行測定。
[0112](2)聚醯亞胺樹脂的重均分子量的測定
[0113]使用凝膠滲透色譜儀(日本WATERS(株)制Waters2690),通過聚苯乙烯換算而求出重均分子量。色譜柱使用TOSOH (株)制TOSOH TXK — GEL α — 2500、及α — 4000，流動相(moving bed)使用N —甲基一 2 —吡咯烷酮(以下稱為NMP)。
[0114](3)熔融粘度的測定
[0115]將得到的樣品切成φ? 5mm的圓形，使用TA instruments公司制流變儀(AR —
G2)，以應變I %、頻率lHz、5°C /分鐘的升溫速度測定熔融粘度。
[0116](4)粘合劑層(b)與支承膜(a)、覆蓋膜(C)之間的25°C下的剝離力的測定
[0117]將粘合劑膜切成20mm寬度，使用雙面膠帶將其支承膜(a)側的面粘貼在SUS制的基板上。在調溫至25°C的測定室中，將得到的樣品放置在拉伸試驗裝置((株)0RIENTEC制，Tensilon)上並使覆蓋膜(c)向90°方向剝離，以剝離速度50mm/分鐘向90°方向拉拽，測定剝離所需要的力，並將其作為粘合劑層(b)與覆蓋膜(c)之間的25°C下的剝離力。
[0118]另外，將覆蓋膜(C)從粘合劑膜剝離，使用雙面膠帶將粘合劑層(b)側粘貼在SUS制的基板上。在調溫至25°C的測定室中，將得到的樣品放置在拉伸試驗裝置((株)0RIENTEC制，Tensilon)上並使支承膜(a)向90°方向剝離，以剝離速度50mm/分鐘向90°方向拉拽，測定剝離所需要的力，並將其作為粘合劑層(b)與支承膜(a)之間的25°C下的剝離力。
[0119]
[0120]聚醯亞胺樹脂I的合成
[0121]在乾燥氮氣流 下，使2，2 —雙(3 —氨基一 4 一羥基苯基)六氟丙烷(以下，記作BAHF)24.54g(0.067摩爾)、1，3—雙(3—氨基丙基)四甲基二矽氧烷(以下，記作SiDA) 4.97g(0.02摩爾)、作為封端劑的苯胺1.86g(0.02摩爾)溶解於80g的NMP中。在其中將雙(3，4 一二羧基苯基)醚二酐(以下，記作0DPA)31.02g(0.1摩爾)與NMP20g —起加入，使其在20°C下反應I小時，然後在50°C下攪拌4小時。之後，添加15g的二甲苯，使水與二甲苯共沸，並在180°C下攪拌5小時。在攪拌結束後，將溶液投入3L水中而得到白色沉澱的聚合物。將該沉澱過濾回收，並用水清洗3次，然後使用真空乾燥機在80°C下乾燥20小時。測定得到的聚合物固體的紅外吸收光譜，結果在1，780cm —1附近、1，377cm —1附近檢測出由聚醯亞胺引起的醯亞胺結構的吸收峰。得到重均分子量約為25，000的聚醯亞胺樹脂I。
[0122]聚醯亞胺樹脂2的合成
[0123]在乾燥氮氣流下，使2，2 —雙(4 - (3，4 一二羧基苯氧基)苯基)丙烷二酐(以下稱為BPADA)52g(0.1摩爾)、SiDAl0.93g (0.044摩爾)、1，3 -雙(3 —氨基苯氧基)苯15.91g(0.055摩爾)溶解於NMP200g中。接著，在70°C下攪拌I小時。然後，在190°C下攪拌3小時。在攪拌結束後，將溶液投入3L水中而得到白色沉澱的聚合物。將該沉澱過濾回收，並用水清洗3次，然後使用真空乾燥機在80°C下乾燥100小時。測定得到的聚合物固體的紅外吸收光譜，結果在1，780cm — 1附近、1，377cm — 1附近檢測出由聚醯亞胺引起的醯亞胺結構的吸收峰。得到重均分子量約為30，000的聚醯亞胺樹脂2。
[0124]〈苯氧基樹脂>
[0125]YP - 50 (重均分子量60，000~80，000，新日鐵化學(株)制)
[0126]
[0127]157S70(商品名，三菱化學(株)制)
[0128][0129]微囊型固化促進劑NOVACURE HX — 3941HP(商品名，旭化成E-MATERIALS(株)制)
[0130]
[0131]S0 — E2(商品名，(株)ADMATECHS制，球形二氧化矽粒子、平均粒徑(λ 5μπι)
[0132]粘合劑膜I的製作及評價
[0133]對通過合成得到的25g聚醯亞胺樹脂l、30g固態環氧化合物157S70、45g固化促進劑NOVACURE HX 一 3941HP、100g填料SO — E2、和80g溶劑甲基異丁基酮進行調製、攪拌而進行填料及固化促進劑粒子的分散處理。將得到的粘合劑清漆使用逗號塗布器(commacoater)(塗布機)塗布在作為基底膜的厚度38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(AL — 5處理，LINTEC (株)制)的處理面上，在90°C下進行10分鐘乾燥而使其形成乾燥厚度32 μ m的粘合劑層(b)。將厚度25 μ m的保護膜(SK — I處理，LINTEC(株)制)在70°C下貼合在粘合劑層(b)上而得到粘合劑膜I。需要說明的是，在粘合劑膜I中，基底膜成為支承膜(a)，保護膜成為覆蓋膜(C)。
[0134]接下來，將覆蓋膜(C)從粘合劑膜I剝離，以使粘合劑層(b)彼此相對的方式在60°C下進行貼合。重複進行將貼合後的樣品的一方的支承膜(a)剝離、並進一步進行貼合的過程而使其層合，直至粘合劑 層(b)的厚度成為800 μ m。然後，對於將支承膜(a)剝離而得到的樣品，通過流變儀測定熔融粘度，結果100°C下的熔融粘度為700Pa.S。另外，測定粘合劑膜I的支承膜(a)與粘合劑層(b)之間的剝離力，結果為ΙΟΝ/m，粘合劑膜I的覆蓋膜(c)與粘合劑層(b)之間的剝離力為5N/m。
[0135]粘合劑膜2的製作及評價
[0136]除了作為基底膜而使用38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(38E — NSH，藤森產業(株)制)以外，通過與上述粘合劑膜I的製作相同的步驟而製作粘合劑膜2。在粘合劑膜2中，基底膜成為支承膜(a)，保護膜成為覆蓋膜(C)。另外，與上述粘合劑膜I相同地操作並進行了評價，結果100°C下的熔融粘度為700Pa*s，支承膜(a)與粘合劑層(b)之間的剝離力為30N/m，覆蓋膜(c)與粘合劑層(b)之間的剝離力為5N/m。該粘合劑膜2與粘合劑膜I的不同點為，支承膜(a)的脫模處理，由於該差異導致粘附力不同，除了這一點以外的物性與粘合劑膜I為同等程度。
[0137]粘合劑膜3的製作及評價
[0138]對通過合成得到的25g聚醯亞胺樹脂2、30g固態環氧化合物157S70、45g固化促進劑NOVACURE HX 一 3941HP、100g填料SO — E2、和80g溶劑甲基異丁基酮進行調製、攪拌而進行填料及固化促進劑粒子的分散處理。將得到的粘合劑清漆使用逗號塗布器(commacoater)(塗布機)塗布在作為基底膜的厚度38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(AL — 5處理，LINTEC(株)制)的處理面上，在90°C下進行10分鐘乾燥而使其形成乾燥厚度32μπι的粘合劑層(b)。將厚度25 μ m的保護膜(SK — I處理，LINTEC(株)制)在70°C下貼合在粘合劑層(b)上而得到粘合劑膜3。需要說明的是，在粘合劑膜3中，基底膜成為支承膜(a)，保護膜成為覆蓋膜(C)。
[0139]接下來，將覆蓋膜(C)從粘合劑膜3剝離，以使粘合劑層(b)彼此相對的方式在80°C下進行貼合。重複進行將貼合後的樣品的一方的支承膜(a)剝離、並進一步進行貼合的過程而使其層合，直至粘合劑層(b)的厚度成為800 μ m。然後，對於將支承膜(a)剝離而得到的樣品，通過流變儀測定熔融粘度，結果100°C下的熔融粘度為2，500Pa.S。另外，測定粘合劑膜3的支承膜(a)與粘合劑層(b)之間的剝離力，結果為5N/m，粘合劑膜3的覆蓋膜(c)與粘合劑層(b)之間的剝離力為2N/m。
[0140]粘合劑膜4的製作及評價
[0141]對25g苯氧基樹脂YP — 50、30g固態環氧化合物157S70、45g固化促進劑NOVACUREHX - 3941HP、100g填料SO — E2、和80g溶劑甲苯進行調製、攪拌而進行填料及固化促進劑粒子的分散處理。將得到的粘合劑清漆使用逗號塗布器(comma coater)(塗布機)塗布在作為基底膜的厚度38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(38E — NSH，藤森產業(株)制)的處理面上，在90°C下進行10分鐘乾燥而使其形成乾燥厚度32 μ m的粘合劑層(b)。將厚度25 μ m的保護膜(AL - 5處理，LINTEC (株)制)在80°C下貼合在粘合劑層(b)上而得到粘合劑膜4。需要說明的是，在粘合劑膜4中，基底膜成為支承膜(a)，保護膜成為覆蓋膜(C)。
[0142]接下來，將覆蓋膜(C)從粘合劑膜4剝離，以使粘合劑層(b)彼此相對的方式在80°C下進行貼合。重複進行將貼合後的樣品的一方的支承膜(a)剝離、並進一步進行貼合的過程而使其層合，直至粘合劑層(b)的厚度成為800 μ m。然後，對於將支承膜(a)剝離而得到的樣品，通過流變儀測定熔融粘度，結果100°C下的熔融粘度為7，OOOPa.S。另外，測定粘合劑膜4的支承膜(a)與粘合劑層(b)之間的剝離力，結果為ΙΟΝ/m，粘合劑膜4的覆蓋膜(c)與粘合劑層(b)之間的剝離力為2N/m。
[0143]
[0144]31B(日東電工(株)制，厚度53μπι)
[0145]Νο.603#2 5((株)寺岡製作所制，總厚度:34 μ m，支承膜(聚酯，厚度25 μ m)與粘合劑層(厚度9μπι)的2層構造)
[0146]N0.631U#12((株)寺岡製作所制，總厚度:25 μ m，支承膜(聚酯，厚度12 μ m)與粘合劑層(厚度13 μ m)的2層構造)
[0147]UHP0810AT電氣化學工業(株)制，總厚度:90 μ m,支承膜(聚烯烴，80 μ m)與粘合劑層(厚度IOm)的2層構造)
[0148](實施例1)
[0149]以使覆蓋膜(C)側與製作有16個8.5mm見方的四邊形刃具的尖頂刃具((株)塚谷刃具製作所制)接觸的方式，將粘合劑膜I放置在該尖頂刃具之上，使用旋轉模切機(rotary die cutter)((株)塚谷刃具物製作所制)進行覆蓋膜(C)與粘合劑層(b)的半切割。在半切割後，拉拽覆蓋膜(C)的一側的端部，進行覆蓋膜(C)的不需要部分的除去。在除去不需要部分後，使覆蓋膜(c)側為上而將粘合劑膜I固定在實驗臺上，使用輥將31B膠帶粘貼於粘合劑膜的覆蓋膜(c)側，得到粘貼有31B膠帶的片材。接著，邊通過輥按壓剝離部邊將膠帶向相對於實驗臺30°方向拉拽而將膠帶除去。(Q1 = 30°、θ2 = 0° )。在剝離後，得到在支承膜(a)上形成有16個8.5mm見方的粘合劑的粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表1所示。
[0150](實施例2)
[0151]與實施例1相同地操作得到粘貼有31B膠帶的片材，然後，使支承膜(a)為上側而將樣品固定在實驗臺上，邊通過輥按壓剝離部邊向30°方向拉拽基底膜而將膠帶除去。(θι = 0°、Θ 2 = 30° )。在剝離後,得到在支承膜(a)上形成有16個8.5mm見方的粘合劑的粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表1所示。
[0152](實施例3~5)
[0153]除如表1那樣改變了 Θ i以外，與實施例1相同地操作得到粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表1所示。
[0154](實施例6~8)
[0155]除如表2那樣改變了 Θ 2以外，與實施例2相同地操作得到粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表2所示。
[0156](實施例9)
[0157]除替代31B而使用N0.603#25作為膠帶以外，與實施例1相同地操作得到粘合劑片材。需要說明的是，在將N0.603#25粘貼於粘合劑膜的覆蓋膜(c)側時，使N0.603#25的粘合劑層側的面與覆蓋膜(c)側的面對準而進行。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表2所示。
[0158](實施例10)
[0159]除替代31B而使用N0.603#25作為膠帶以外，與實施例2相同地操作得到粘合劑片材。需要說明的是，在將N0.603#25粘貼於粘合劑膜的覆蓋膜(c)側時，使N0.603#25的粘合劑層側的面與覆蓋膜(c)側的面對準而進行。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表2所示。
[0160](實施例11)
[0161]除替代31B而使用N0.631U#12作為膠帶以外，與實施例1相同地操作得到粘合劑片材。需要說明的是，在將N0.631U#12粘貼於粘合劑膜的覆蓋膜(c)側時，使N0.631U#12的粘合劑層側的面與覆蓋膜(c)側的面對準而進行。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表3所示。
[0162](實施例12)
[0163]除替代31B而使用N0.631U#12作為膠帶以外，與實施例2相同地操作得到粘合劑片材。需要說明的是，在將N0.631U#12粘貼於粘合劑膜的覆蓋膜(c)側時，使N0.631U#12的粘合劑層側的面與覆蓋膜(c)側的面對準而進行。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表3所示。
[0164](實施例13、15)
[0165]除如表3那樣改變了 Θ i以外，與實施例11相同地操作得到粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表3所示。
[0166](實施例14、16)
[0167]除如表3那樣改變了 Θ 2以外，與實施例12相同地操作得到粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表3所示。
[0168](實施例17)[0169]以使覆蓋膜(c)側與製作有16個8.5mm見方的四邊形刃具的尖頂刃具((株)塚谷刃具製作所制)接觸的方式，將粘合劑膜2放置在該尖頂刃具之上，使用旋轉模切機(rotary die cutter)((株)塚谷刃具物製作所制)進行覆蓋膜(C)與粘合劑層(b)的半切割。在半切割後，拉拽覆蓋膜(C)的一側的端部，進行覆蓋膜(C)的不需要部分的除去。在除去不需要部分後，使覆蓋膜(C)側為上而將粘合劑膜I固定在實驗臺上，使用輥將N0.631U#12的粘接劑層側的面粘貼於粘合劑膜2的覆蓋膜(c)側，得到粘貼有N0.631U#12的片材。接著，邊通過輥按壓剝離部邊將膠帶向相對於實驗臺30°方向拉拽而將膠帶除去。(Θ i = 30°、Θ 2 = 0° ) ο在剝離後,得到在支承膜(a)上形成有16個8.5mm見方的粘合劑的粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表4所示。
[0170](實施例18、19)
[0171]除如表4那樣改變了粘合劑膜以外，與實施例17相同地操作得到粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表4所示。
[0172](實施例20)
[0173]除替代31B而使用UHP0810AT作為膠帶以外，與實施例1相同地操作得到粘合劑片材。需要說明的是，在將UHP0810AT粘貼於粘合劑膜的覆蓋膜(c)側時，使UHP0810AT的粘合劑層側的面與覆蓋膜(c)側的面對準而進行。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表5所示。
[0174]進行將所得到的粘合劑片材的單片化部分粘貼到圖15⑴和⑵所示的具有8.7mm見方的開口凹部的基板的凹部底部的實驗。以使粘合劑片材的單片化部分的中心與開口凹部的中心一致並使粘合劑片材的單片化部分的4邊與凹部的底部的4邊平行的方式使位置對齊，然後使用真空層壓機(NICHIG0-M0RT0N(株)制CVP300T)進行粘貼。此時，在加熱溫度80°C、加壓力0.5MPa下進行。將沒有空隙和浮起地將粘合劑粘貼於凹部底部的情況作為成功，將觀察到剝離或浮起的情況作為不成功。使用凹部深度X為200 μ m、160 μ m、110 μ m、80 μ m、50 μ m、30 μ m的基板進行實驗，結果如表6所不。
[0175](實施例21)
[0176]除替代31B而使用UHP0810AT作為膠帶以外，與實施例2相同地操作得到粘合劑片材。需要說明的是，在將UHP0810AT粘貼於粘合劑膜的覆蓋膜(c)側時，使UHP0810AT的粘合劑層側的面與覆蓋膜(c)側的面對準而進行。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表5所示。
[0177](實施例22、24)
[0178]除如表5那樣改變了 Θ i以外，與實施例20相同地操作得到粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表5所示。
[0179](實施例23、25) [0180]除如表5那樣改變了 Θ 2以外，與實施例21相同地操作得到粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表5所示。[0181](實施例26)
[0182]以使覆蓋膜(c)側與製作有16個8.5mm見方的四邊形刃具的尖頂刃具((株)塚谷刃具製作所制)接觸的方式，將粘合劑膜2放置在該尖頂刃具之上，使用旋轉模切機(rotary die cutter)((株)塚谷刃具物製作所制)進行覆蓋膜(C)與粘合劑層(b)的半切割。在半切割後，拉拽覆蓋膜(C)的一側的端部，進行覆蓋膜(C)的不需要部分的除去。在除去不需要部分後，使覆蓋膜(C)側為上而將粘合劑膜2固定在實驗臺上，使用輥將UHP0810AT的粘接劑層側的面粘貼於粘合劑膜2的覆蓋膜(c)側，得到粘貼有UHP0810AT的片材。接著，邊通過輥按壓剝離部邊將膠帶向相對於實驗臺30°方向拉拽而將膠帶除去。(Θ i = 30°、Θ 2 = 0° ) ο在剝離後,得到在支承膜(a)上形成有16個8.5mm見方的粘合劑的粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表7所示。
[0183](實施例27、28)
[0184]除如表7那樣改變了粘合劑膜以外，與實施例26相同地得到粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表7所示。
[0185](實施例29)
[0186]以使覆蓋膜(C)側與製作有16個8.5mm見方的四邊形刃具的尖頂刃具((株)塚谷刃具製作所制)接觸的方式，將粘合劑膜I放置在該尖頂刃具之上，使用旋轉模切機(rotary die cutter)((株)塚谷刃具物製作所制)進行覆蓋膜(C)與粘合劑層(b)的半切害I]。在半切割後， 拉拽覆蓋膜(C)的一側的端部，進行覆蓋膜(C)的不需要部分的除去。在除去不需要部分後，使覆蓋膜(C)側為上而將粘合劑膜I固定在以使粘合劑膜I的表面溫度成為30°C的方式進行控制的熱板上，使用輥將31B膠帶粘貼於粘合劑膜的覆蓋膜(c)偵牝得到粘貼有31B膠帶的片材。需要說明的是，熱板的溫度控制通過用熱電偶對粘合劑膜I的表面溫度進行測定而進行。接著，邊通過輥按壓剝離部邊將基底膜向30°方向拉拽而將膠帶除去。(Q1 = O13、θ2 = 30° )。在剝離後,得到在支承膜(a)上形成有16個8.5mm見方的粘合劑的粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。結果如表8所示。
[0187](實施例30~33)
[0188]除如表8所記載的那樣改變了基於熱板的粘合劑膜I的表面溫度以外，與實施例29相同地操作得到粘合劑片材。在實施例33中，沒有觀察到破碎和缺損，但觀察到粘合劑層(b)的變形。
[0189](實施例34)
[0190]將在粘合劑膜I的支承膜的與粘合劑層形成面相反一側的面上層壓粘合631S2#50((株)寺R製作所制)的帶粘附劑的PET膜(PET膜厚度50 μ m，算上粘附劑層的總厚度85 μ m，與PET膜的剝離力6.7N/m)而得到的膜作為帶2層支承膜的粘合劑膜，使用其來代替粘合劑膜1，並在厚度方向上進行直到630#75的中途為止的半切割，除此之外，與實施例20相同地操作得到粘合劑片材。檢查所得到的粘合劑片材的粘合劑部分的破碎等，數出沒有缺損等的粘合劑的個數(成功數)。成功數在16個中為16個。所得到的粘合劑片材的單片化的部分的構造與圖14所示的構造相同。[0191]進行將所得到的粘合劑片材的單片化部分粘貼到圖15⑴和⑵所示的具有
8.7mm見方的開口凹部的基板的凹部底部的實驗。以使粘合劑片材的單片化部分的中心與開口凹部的中心一致並使粘合劑片材的單片化部分的4邊與凹部的底部的4邊平行的方式使位置對齊，然後使用真空層壓機(NICHIG0-M0RT0N(株)制CVP300T)進行粘貼。此時，在加熱溫度80°C、加壓力0.5MPa下進行。將沒有空隙和浮起地將粘合劑粘貼於凹部底部的情況作為成功，將觀察到剝離或浮起的情況作為不成功。使用凹部深度X為200 μ m、160 μ m、110 μ m、80 μ m、50 μ m、30 μ m的基板進行實驗，結果如表9所不。
[0192](比較例)
[0193]以使覆蓋膜(C)側與製作有16個8.5mm見方的四邊形刃具的尖頂刃具((株)塚谷刃具製作所制)接觸的方式，將粘合劑膜I放置在該尖頂刃具之上，使用旋轉模切機(rotary die cutter)((株)塚谷刃具物製作所制)進行覆蓋膜(C)與粘合劑層(b)的半切割。在半切割後，拉拽覆蓋膜(C)的一側的端部，進行覆蓋膜(C)的不需要部分的除去。接著，不粘貼膠帶地嘗試除去粘合劑層(b)的不需要部分，但粘合劑層(b)無法承受拉拽而斷裂，無法得到在支承膜(a)上形成有單片化的粘合劑的粘合劑片材。
[0194][表 1]
[0195]
【權利要求】
1.一種具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法，所述粘合劑片材在支承膜(a)上具有單片化的粘合劑層(b)，所述粘合劑片材的製造方法按如下順序具有以下工序: 工序A:對於按順序具有支承膜(a)、粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)的粘合劑膜，通過局部半切割而局部地僅切斷粘合劑層(b)及覆蓋膜(C)的工序； 工序B:僅剝離所述粘合劑膜的不需要部分的覆蓋膜(C)的工序； 工序C:在所述粘合劑膜的覆蓋膜(C)側粘貼膠帶的工序；以及 工序D:將所述粘合劑膜的不需要部分的粘合劑層(b)及目標部的覆蓋膜(C)與膠帶一起剝離的工序。
2.如權利要求1所述的具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法，其中，支承膜(a)是在層合界面處能夠剝離的2層構造。
3.如權利要求1或2所述的具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法，其中，所述膠帶具有支承膜(a』 )及粘合劑層(b』)，所述支承膜(a』 )為聚烯烴。
4.如權利要求1~3中任一項所述的具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法，其中，所述膠帶的厚度為10~40 μ m。
5.如權利要求1~4中任一項所述的具有單片化的粘合劑層的粘合劑片材的製造方法，其中，在所述工 序D中的剝離中，在使膠帶的彎折角度為Q1、使支承膜(a)的彎折角度為Θ 2的情況下，Θ i和Θ 2滿足下式⑴、(II): Θ」< I θ2|...(I)
Θ J + I Θ 2| < 60。...(II)。
6.一種布線基板的製造方法，其特徵在於，將通過權利要求1~5中任一項所述的製造方法而得到的粘合劑片材的粘合劑層(b)側的面、與布線基板的布線側的面進行位置對齊，通過真空層壓或真空壓制而製成粘合劑片材與布線基板的層合體，然後將粘合劑片材的支承膜(a)除去。
7.一種半導體裝置的製造方法，在通過權利要求6所述的布線基板的製造方法而得到的布線基板上安裝半導體元件。
8.一種粘合劑片材的製造裝置，按順序具有半切割裝置、覆蓋膜剝離裝置、膠帶粘貼裝置及膠帶剝離裝置。
【文檔編號】H01L21/56GK103998552SQ201380004258
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2013年6月26日 優先權日:2012年7月3日
【發明者】片山昌也, 仁王宏之, 野中敏央 申請人:東麗株式會社