一種雷射crt的製作方法
2023-05-29 13:01:46 1
專利名稱：一種雷射crt的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及電子技術領域，具體涉及一種CRT。
背景技術：
CRT是一種是用陰極射線管的顯示器，其主要由玻璃罩、電子槍、偏轉線圈、應激面板。應激面板上塗覆有螢光塗層。CRT的工作原理為電子槍陰極發出電子束，經強度控制、聚焦和加速後變成細小的電子流，再經過偏轉線圈的作用向正確目標偏離，轟擊到塗覆有螢光塗層的應激面板上。這時螢光塗層被啟動，就發出光線來。傳統的CRT技術被用於電視機、電腦屏幕應用中，另外CRT技術也可被用於投影光機結構中，但往往效率不高，而且受亮度限制。
實用新型內容本實用新型的目的在於，提供一種雷射CRT，解決以上技術問題。本實用新型所解決的技術問題可以採用以下技術方案來實現一種雷射CRT，包括一真空管，所述真空管包括一漏鬥形的玻璃罩，所述玻璃罩的廣角端設有一應激面板，所述玻璃罩的另一端設有電子槍，其特徵在於，所述電子槍包括一陰極，所述陰極與所述應激面板之間設有一 Gl電極；所述陰極加載有正電壓，所述Gl電極加載有負電壓；所述應激面板採用一雷射面板，所述雷射面板加載正電壓；所述雷射面板包括至少兩個雷射腔，至少兩個所述雷射腔沿厚度方向排列成所述雷射面板；所述雷射腔包括一增益介質層、反射層，所述反射層分別設置在所述增益介質層的前方和後方。本實用新型的陰極處能發出高速電子束，足夠強度的電子束射入雷射面板上後， 就會產生雷射效應，進而產生雷射。本實用新型具有能消除雷射散斑、功率較大、可控性好等優點。上述設計的光源，還可用於背投式和正投式的光源。還包括一雙驅動器調製系統，所述雙驅動器調製系統分別連接所述陰極和所述Gl 電極。雙驅動器調製系統用於調製陰極和Gl電極響應控制信號，雙驅動器調製系統通過從高到低調整電壓來調製陰極，並通過Gl電極來調節低電壓。雙驅動器調製系統能實現高解析度。所述陰極採用浸漬式陰極，所述浸漬式陰極連接一加熱器。浸漬式陰極能產生高密度電子電流，能比傳統的陰極承載更高的負荷。另外，浸漬式陰極物理尺寸小、能提供低電容配置。因此浸漬式陰極能提供高帶寬的視頻和高負載，最終能提供更亮的屏幕亮度。所述Gl電極採用一低電容電極，所述Gl電極與所述陰極之間的距離為0.003 0. 004英寸。即Gl電極與陰極之間的距離為0. 0762mm 0. 1016mm。所述Gl電極與所述雷射面板之間還設有一 G2電極，所述G2電極連接一電子束電流控制系統。通過電子束電流控制系統的控制，G2電極用來控制電子束電流，進而改變電
3流強度。G2電極處的電壓決定了雷射面板前方外界屏幕的亮度。所述G2電極優選採用一低電容電極。所述G2電極與所述雷射面板之間還設有一 G3電極，所述G3電極前方設有一磁力聚焦線圈。G3電極也可採用一低電容電極。G3電極和磁力聚焦線圈結合運行將電子束進行預聚焦。另外，G3電極還能對真空管起到電弧防護作用。所述磁力聚焦線圈前方設有一偏轉線圈。以便用於將電子束偏轉到外界屏幕的理想位置。所述雷射腔包括部分反射層和完全反射層，所述部分反射層設置在所述增益介質層的前方，所述完全反射層設置在所述增益介質層的後方。以便光子在雷射腔內多次激發。還包括一雷射面板冷卻系統，所述雷射面板冷卻系統包括設置在所述雷射面板周邊的歧管、熱交換系統、冷卻液，所述冷卻液設置在所述歧管內，所述熱交換系統連接所述歧管的入口和出口。冷卻液通過歧管流經整個雷射面板周邊，雷射面板被冷卻，冷卻液溫度上升。升溫的冷卻液從出口離開歧管，從而進入熱交換系統，進行冷卻和冷卻液重新循環。所述冷卻液採用絕緣、透明的冷卻液。以便雷射面板冷卻系統隔離高電壓，省去了其他電隔離系統的設置。所述冷卻液可以採用介質冷卻液，如3M公司製造的Fluorinert， 也可以採用全氟液體或其他非導電流體。所述雷射面板周邊可以設置至少兩條歧管，至少兩條所述歧管相互聯通，至少兩條所述歧管中的至少一條連接所述熱交換系統。以便更加有效均勻的冷卻雷射面板。有益效果由於採用上述技術方案，本實用新型產生的雷射光源，具有能消除雷射散斑、功率較大、可控性好等優點。本實用新型作為投影設備的光源時，具有高解析度、高亮度等顯著優點。
圖1為本實用新型結構示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型實現的技術手段、創作特徵、達成目的與功效易於明白了解，下面結合具體圖示進一步闡述本實用新型。參照圖1，一種雷射CRT，包括一真空管，真空管包括一漏鬥形的玻璃罩10，玻璃罩 10的廣角端設有一應激面板，玻璃罩10的另一端設有電子槍，電子槍包括一陰極17，陰極 17與應激面板之間設有一 Gl電極18 ；陰極17加載有正電壓，Gl電極18加載有負電壓。應激面板採用一雷射面板11，雷射面板加載正電壓。雷射面板11包括至少兩個雷射腔，至少兩個雷射腔沿厚度方向排列成雷射面板11。雷射腔包括一增益介質層14、反射層，反射層包括部分反射層16和完全反射層15，分別設置在增益介質層14的前方和後方。本實用新型的陰極17處能發出高速電子束13，足夠強度的電子束13射入雷射面板11上後，就會產生雷射效應，進而產生雷射。本實用新型具有能消除雷射散斑、功率較大、可控性好等優點。 上述設計的光源，還可實現背投式和正投式的光源。陰極17採用浸漬式陰極，浸漬式陰極連接一加熱器23。浸漬式陰極能產生高密度電子電流，能比傳統的陰極承載更高的負荷。另外，浸漬式陰極物理尺寸小、能提供低電容配置。因此浸漬式陰極17能提供高帶寬的視頻和高負載，最終能提供更亮的屏幕亮度。Gl電極18採用一低電容電極，Gl電極18與陰極17之間的距離為0. 003 0. 004 英寸。即Gl電極18與陰極17之間的距離為0.0762mm 0. 1016mm。在具體實施時，通過選擇Gl電極18與陰極17之間不同的間距就能得到不同的截止電壓。還包括一雙驅動器調製系統24，雙驅動器調製系統24分別連接所述陰極17和所述Gl電極18。雙驅動器調製系統24用於調製陰極17和Gl電極18響應控制信號，雙驅動器調製系統24通過從高到低調整電壓來調製陰極17，並通過Gl電極18來調節低電壓，最終達到0值。雙驅動器調製系統24能實現高解析度。本實用新型設有雙驅動器調製系統 24後，在相反方向驅動Gl電極18和陰極17，即雙驅動配置。雙驅動器調製系統24的每個雙視頻放大器只需要匹配50%的所需總電壓，即通過單一放大器驅動一個電極，另一個電極保持固定負電壓即可。雙驅動模式的速度增加可以轉化為更小的雷射、更快的讀寫速度， 從而提供更高的屏幕解析度。Gl電極18與所述雷射面板11之間還設有一 G2電極19，G2電極19連接一電子束電流控制系統25。通過電子束電流控制系統25的控制，G2電極19用來控制電子束電流， 進而改變電流強度。G2電極19處的電壓決定了雷射面板11前方外界屏幕的亮度。G2電極19優選採用一低電容電極。G2電極19與所述雷射面板11之間還設有一 G3電極20，G3電極20前方設有一磁力聚焦線圈21。G3電極20也可採用一低電容電極。G3電極20和磁力聚焦線圈21結合運行將電子束13進行預聚焦。另外，G3電極20還能對真空管起到電弧防護作用。磁力聚焦線圈21前方設有一偏轉線圈22。以便用於將電子束13偏轉到外界屏幕的理想位置。還包括一雷射面板冷卻系統，雷射面板冷卻系統包括設置在雷射面板周邊的歧管 26、熱交換系統27、冷卻液，冷卻液設置在所述歧管26內，熱交換系統27連接歧管26的入口 28和出口 29。冷卻液通過歧管26流經整個雷射面板周邊，雷射面板被冷卻，冷卻液溫度上升。升溫的冷卻液從出口 29離開歧管，從而進入熱交換系統27，進行冷卻和冷卻液重新循環。冷卻液採用絕緣、透明的冷卻液。以便雷射面板冷卻系統隔離高電壓，省去了其他電隔離系統的設置。冷卻液可以採用介質冷卻液，如3M公司製造的Fluorinert，也可以採用全氟液體或其他非導電流體。雷射面板周邊可以設置至少兩條歧管，至少兩條歧管相互聯通，至少兩條所述歧管中的至少一條連接熱交換系統。以便更加有效均勻的冷卻雷射面板。實施方式一參照圖1，雙驅動器調製系統24來調製陰極17的電壓從+75v至 0v，同時調製Gl電極18的電壓從-75v至0v。因此用於視頻信號的管中電壓波動幅度為 150v(-75v 75v)，截止電壓也在這個波動範圍內。G2電極19的電壓設置在IOOOv 2000v範圍內。以便決定外界屏幕的亮度。G3 電極20的電壓設置為5000v的固定電壓。以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特徵和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和範圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型範圍內。本實用新型要求保護範圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
權利要求1.一種雷射CRT，包括一真空管，所述真空管包括一漏鬥形的玻璃罩，所述玻璃罩的廣角端設有一應激面板，所述玻璃罩的另一端設有電子槍，其特徵在於，所述電子槍包括一陰極，所述陰極與所述應激面板之間設有一 Gl電極；所述陰極加載有正電壓，所述Gl電極加載有負電壓；所述應激面板採用一雷射面板，所述雷射面板加載正電壓；所述雷射面板包括至少兩個雷射腔，至少兩個所述雷射腔沿厚度方向排列成所述雷射面板；所述雷射腔包括一增益介質層、反射層，所述反射層分別設置在所述增益介質層的前方和後方。
2.根據權利要求1所述的一種雷射CRT，其特徵在於還包括一雙驅動器調製系統，所述雙驅動器調製系統分別連接所述陰極和所述Gl電極。
3.根據權利要求2所述的一種雷射CRT，其特徵在於所述陰極採用浸漬式陰極，所述浸漬式陰極連接一加熱器。
4.根據權利要求2所述的一種雷射CRT，其特徵在於所述Gl電極採用一低電容電極， 所述Gl電極與陰極之間的距離為0. 0762mm 0. 1016mm。
5.根據權利要求4所述的一種雷射CRT，其特徵在於所述Gl電極與所述雷射面板之間還設有一 G2電極，所述G2電極連接一電子束電流控制系統。
6.根據權利要求5所述的一種雷射CRT，其特徵在於所述G2電極與所述雷射面板之間還設有一 G3電極，所述G3電極前方設有一磁力聚焦線圈，G3電極採用一低電容電極。
7.根據權利要求6所述的一種雷射CRT，其特徵在於所述磁力聚焦線圈前方設有一偏轉線圈。
8.根據權利要求1至7中任意一項所述的一種雷射CRT，其特徵在於還包括一雷射面板冷卻系統，所述雷射面板冷卻系統包括設置在所述雷射面板周邊的歧管、熱交換系統、冷卻液，所述冷卻液設置在所述歧管內，所述熱交換系統連接所述歧管的入口和出口。
9.根據權利要求8所述的一種雷射CRT，其特徵在於所述冷卻液採用絕緣、透明的冷卻液，所述冷卻液採用介質冷卻液。
10.根據權利要求8所述的一種雷射CRT，其特徵在於所述雷射面板周邊設置至少兩條歧管，至少兩條所述歧管相互聯通，至少兩條所述歧管中的至少一條連接所述熱交換系統。
專利摘要本實用新型涉及電子技術領域，具體涉及一種CRT。一種雷射CRT，包括真空管，真空管包括玻璃罩，玻璃罩的廣角端設有應激面板，玻璃罩的另一端設有電子槍，電子槍包括陰極，陰極與應激面板之間設有G1電極。陰極加載有正電壓，G1電極加載有負電壓。應激面板採用一雷射面板，雷射面板加載正電壓。由於採用上述技術方案，本實用新型具有能消除雷射散斑、功率較大、可控性好等優點。本實用新型作為投影設備的光源時，具有高解析度、高亮度等顯著優點。
文檔編號H01J29/89GK202307780SQ201120326710
公開日2012年7月4日 申請日期2011年9月1日 優先權日2011年9月1日
發明者伯納德·K·凡塞爾, 夏忠平, 張學淵, 趙健, 麥可·D·田伯瑞, 鍾偉傑 申請人:上海顯恆光電科技股份有限公司