內部多個電晶體工作特性各不相同的顯示裝置的製作方法
2023-06-12 14:38:16 3
專利名稱：內部多個電晶體工作特性各不相同的顯示裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及顯示裝置，具體涉及包括場效應電晶體的顯示裝置。
伴隨這些有機EL顯示裝置，施加到驅動TFT的OLED柵極電極的亮度數據驅動容限隨著各個驅動TFT的電流驅動能力而改變，這將在下面討論。
另一方面，最近這些年來，含有半導體器件的設備變得更小、更輕，這樣要求安裝的TFT更小。而且，希望通過使用更小的TFT使這些電晶體的耗電更少。
根據本發明的較佳實施例涉及顯示裝置。該顯示裝置包括驅動光學元件的驅動電晶體；在驅動電晶體中設置數據的開關電晶體，其中涉及電流驅動能力的電晶體工作特性各不相同。這裡，涉及電流驅動能力的工作特性可以是例如電流轉換因子，接通電阻等等。上述電流轉換因子是施加到電晶體柵極的電壓轉換到漏極-源極電流的因子。因此，可以這樣設計開關電晶體和驅動電晶體使得他們根據顯示裝置的特性有關於驅動能力的最佳特性。
該驅動電晶體和開關電晶體可以是場效應電晶體，而且這些電晶體的製作方法使得柵極長度或柵極寬度互不相同。例如，一個電晶體的柵極長度比另一個更短，和/或一個電晶體的柵極寬度比另一個更窄，這樣該電晶體的尺寸將更小，耗電能夠減少。
驅動電晶體的電流驅動能力可製成比開關電晶體更小。因此，開關電晶體的開關功能將提高而驅動電晶體的驅動容限將變得更寬。
驅動電晶體的製作方法使得柵極寬度比開關電晶體的更窄。而且，該開關電晶體的製作方法使得其柵極長度比驅動電晶體更短。
此外，驅動電晶體的製作方法使得驅動電晶體的柵極寬度比開關電晶體的更窄，同時開關電晶體的製作方法使得開關電晶體的柵極長度比驅動電晶體更短。因此，電晶體的尺寸將更小而能耗可減小。
開關電晶體可以包括多個互相串聯的電晶體。這個結構能夠提高開關電晶體的存儲工作特性。
而且，涉及電流驅動能力的多個電晶體中至少一個的工作特性可以與那些其它電晶體不同。因此，通過至少一個這樣的電晶體可以提高存儲工作特性，而其它電晶體可以用於提高電流驅動能力並且實現低能耗或更小尺寸。
進而，該顯示裝置可以進一步包括反偏置電路，其與光學元件並聯，其中在光學元件兩端的電壓通過在預定的時刻控制反偏置電路反轉。
而且，該顯示裝置進一步包括關閉電路，它關閉將電流供應到光學元件的路徑，其中通過在關閉該路徑的時刻控制所述反偏置電路使光學元件兩端的電壓反轉。
此外，該光學元件可以設計為使得在光學元件一個電極的電位在預定的時刻切換到比光學元件的另一個電極的電位更高或更低。
而且，該顯示裝置可以進一步包括關閉電路，它關閉對光學元件供電的路徑。
請注意，在方法，設備，系統間的上述結構元件和表示的任意組合被本發明實施例所包含並且對其有效。
此外，本發明的概述中不必需描寫所有的必要技術特徵，這樣本發明也是這些描述特徵的分組合。
圖2A和2B是在
圖1示出的顯示裝置中電晶體工作特性的曲線圖。
圖3是根據本發明第二個實施例示出一部分顯示裝置的電路圖。
圖4是在顯示裝置中進一步實施反偏壓電路的電路圖。
圖5示出如圖4所示的顯示裝置的修改實例。
圖6示出有機發光二極體的通用多層結構。
圖7示出另一個多層結構，此處各個元件相對圖6所示的有機發光二極體的通用多層結構以相反的次序堆疊。
圖8示出了一個結構，此處在圖4的顯示裝置中示出的二極體的陽極和陰極電極由陰極和陽極電極分別置換，並且陽極電極連接到電源電位Vff(這是正電位，也是固定電位)。
圖9示出的結構中，在圖5顯示裝置中示出二極體的陽極和陰極電極分別由陰極和陽極電極替換，而陽極電極連接到為固定電壓的供電電位Vff。
圖10是替換圖1的修改電路，此處有機發光二極體有如圖7所示的多層結構。
圖11是替換圖3的修改電路，此處有機發光二極體有如圖7所示的多層結構。
實施例1圖1是根據本發明第一個實施例示出一部分顯示裝置的電路圖。在第一個實施例中，顯示裝置10包括開關電晶體Tr1，驅動電晶體Tr2，電容器C和二極體12。例如，該二極體12是用作亮度元件的有機EL光學元件。
驅動電晶體Tr2是TFT，它控制驅動電流流向二極體12。該開關電晶體Tr1也是TFT，它用於在驅動電晶體Tr2中設置數據的開關。
對於開關電晶體Tr1，其柵極電極連接到柵極線14，開關電晶體Tr1的漏極電極(或源電極)連接到數據線16，而源電極(或漏極電極)連接到驅動電晶體Tr2的柵極電極和電容器C的一個電極。電容器C的其它電極設置為預定電位。連接恆壓源(沒有示出)的數據線16傳送確定流向二極體12的電流的亮度數據。
至於驅動電晶體Tr2，漏極連接到供電線18，而驅動電晶體Tr2的源電極連接到二極體12的陽極。二極體12的陰極接地。供電線18連接到電源(沒有示出)，在那裡施加預定的電壓。
圖2A和2B是示出在圖1中示出的顯示裝置中電晶體的工作特性圖。圖2A示出多個驅動電晶體Tr2的有不同電流驅動能力的漏-源電壓Vds和流向二極體12的電流Id值之間的關係。在這裡示出驅動電晶體Tr2的電流驅動能力越小，電晶體的飽和區域將越寬，而且飽和電流值將越小。
圖2B示出有不同電流驅動能力的兩個驅動電晶體Tr2的柵-源電壓Vgs和流向二極體12的電流Id值之間的關係。這裡示出驅動電晶體Tr2的電流驅動能力越小，在所需發送確定電流I1到二極體12的柵極-源極電壓Vgs1和所需發送另一個電流I2到二極體12的柵極-源極電壓Vgs2之間的容限越寬。
如上所述，驅動電晶體Tr2的電流驅動能力越小，提供到驅動電晶體柵極的亮度數據的驅動容限將越大。
再看圖1，根據本實施例，驅動電晶體Tr2設計為電流驅動能力小於開關電晶體Tr1。例如，電流驅動能力通過電流轉換因子β表示，諸如β＝μ(COx/2)×(W/L)。其中，μ是有效載流子遷移率，COx是每單位面積的柵極氧化膜電容量，W是柵極寬度，L是柵極長度。在這個第一實施例中，製作開關電晶體Tr1和驅動電晶體Tr2，使得其柵極長度或柵極寬度各自不同。這樣，驅動電晶體Tr2的電流轉換因子能夠比開關電晶體Tr1的更小。
根據第一個實施例，為了使驅動電晶體Tr2的電流轉換因子小於開關電晶體Tr1的因子，在驅動電晶體Tr2中的W/L值需要比在開關電晶體Tr1中的更小。為了實現這個條件，例如(1)驅動電晶體Tr2的柵極寬度比開關電晶體Tr1的更窄；(2)開關電晶體Tr1的柵極寬度比驅動電晶體Tr2的更短，等等。
上述設計的優點討論如下(1)除了驅動電晶體Tr2尺寸更小、能耗更低的優點外，通過使驅動電晶體Tr2的柵極寬度比開關電晶體Tr1的更窄，通過降低驅動電晶體Tr2的電流驅動能力使驅動容限更大。
(2)除了開關電晶體Tr1尺寸更小，能耗更低的優點外，通過使開關電晶體Tr1的柵極長度比驅動電晶體Tr2的更短，能夠提高開關電晶體Tr1的開關功能。
此外，(1)和(2)的設計可以互相結合。這樣的結合實現兩種電晶體的尺寸小型化並且由於柵極電容的減小而降低能耗。
在上述實施例中的設計使得電晶體更小，但也可以由其它的設計進行改進。例如，飽和區域，也就是驅動電晶體Tr2的工作區域，它可以通過使驅動電晶體Tr2比開關電晶體Tr1的電流驅動能力更小而加寬。而且，通過使驅動容限更寬而使工作範圍更寬，以加寬驅動電晶體的工作範圍，在顯示裝置中光學元件間的亮度變化將被減小。此外，通過亮度控制可以進行更精確地灰度控制。通過這些有益效果的設計，可以改進電晶體的可靠性。第二個實施例圖3是根據本發明第二個實施例的示出一部分顯示裝置的電路圖。
在第二個實施例中，顯示裝置20與第一個實施例不同，其中顯示裝置20有兩個開關電晶體的，並且第一個開關電晶體Tr1a和第二個開關電晶體Tr1b串連。在圖3中，和第一個實施例相同的元件用相同的標號指示，關於其描述將適當地省略。需要注意，在第二個實施例中，第一開關電晶體Tr1a和第二個開關電晶體Tr1b基本相同。
至於第一個開關電晶體Tr1a，柵極連接到柵極線14，漏極(或源極)連接到數據線16，源極(或漏極)連接到第二開關電晶體Tr1b的漏極(或源極)。對於第二開關電晶體Tr1b，柵極連接到柵極線14，源極(或漏極)連接到驅動電晶體Tr2的柵極和電容器C電極中的一個。
在第二個實施例中，驅動電晶體Tr2設計為使其電流驅動能力比第一開關電晶體Tr1a和第二開關電晶體Tr1b要小。例如，可以設計成(1/β1a+1/β1b)＜1/β2，其中β1a是第一開關電晶體Tr1a的電流轉換因子，β1b是第二開關電晶體Tr1b的的電流轉換因子，而β2是驅動電晶體Tr2的電流轉換因子。
例如，可以有兩種設計使得驅動電晶體Tr2的電流置換因子比兩個開關電晶體Tr1a和Tr1b更小(1)驅動電晶體Tr2的柵極寬度比開關電晶體Tr1a或Tr1b的柵極寬度的一半更窄(不過，這三個電晶體Tr2，Tr1a和Tr1b的柵極長度基本相同)；(2)開關電晶體Tr1a或Tr1b的柵極長度比驅動電晶體Tr2的柵極長度更短(不過，這三個電晶體Tr2，Tr1a和Tr1b的柵極寬度基本相同)；等等。在另一個實例中，如果滿足(1/β1a+1/β1b)＜1/β2，可以進行任意的設計。
根據第二個實施例，開關電晶體由兩個串聯的電晶體Tr1a和Tr1b組成，這樣改進了開關電晶體的存儲工作特性。在這個實施例中涉及驅動電晶體Tr2驅動能力的工作特性和第一個實施例中的相同。第三個實施例根據本發明的第三個實施例與第二個實施例不同，其中第一個開關電晶體Tr1a和第二個開關電晶體Tr1b設計成有涉及驅動能力的不同的工作特性，諸如電流轉換因子。
在第三個實施例中，舉例說，下面的設計將使得驅動電晶體Tr2的電流轉換因子小於兩個開關電晶體Tr1a和Tr1b，並結合(1)驅動電晶體Tr2的柵極寬度窄於(W1a×W1b)/(W1a+W1b)，其中W1a是第一開關電晶體的柵極寬度，W1b是第二個開關電晶體Tr1b的的柵極寬度(不過，這三個電晶體Tr1a，Tr1b和Tr2的柵極長度基本相同)；(2)兩個電晶體Tr1a和Tr1b的柵極長度之和小於驅動電晶體Tr2的柵極長度(不過，這三個電晶體Tr1a，Tr1b和Tr2的柵極寬度基本相同)，等等。
第三個實施例可以設計成能夠極大地減小洩漏電流，例如通過設置第二個開關電晶體Tr1b的(它更靠近驅動電晶體Tr2)電流轉換因子低於第一個開關電晶體Tr1a的。此外，通過使關於多個開關電晶體的驅動能力的工作特性不同，可以提高至少一個電晶體的存儲特性並提高其餘1個或2個電晶體的電流驅動能力，從而能夠降低能耗或減小尺寸。而且在這個實施例中，關於驅動電晶體Tr2驅動能力的工作特性與第一個實施例中的相同。
本發明通過只起示範作用的實施例描述。普通技術人員可以理解各個元件的組合和上述處理可以進行其它各種修改，而這些修改包含在本發明的範圍中。這些修改的實施例將在下面進一步描述。
在上述實施例中，在所描述的設計中，驅動電晶體Tr2的電流驅動能力小於開關電晶體Tr1的驅動能力。不過相反，也可以把電流驅動能力設計為使驅動電晶體Tr2的大於開關電晶體Tr1的。例如，在該顯示裝置用於PDA或便攜電話的例子中(其特點是相對低速的工作環境)，開關電晶體Tr1的開關功能就不特別重要，這樣就可以通過採用降低開關電晶體Tr1的電流驅動能力減小洩漏電流。
在上述實施例中，通過改變電晶體的柵極長度或柵極寬度使開關和驅動電晶體驅動能力的工作特性不同。不過，通過改變柵極隔離器的厚度或改變進入柵極電極的離子數量也可以使這些電晶體驅動能力的工作特性不同。
在上述實施例中，開關電晶體Tr1，Tr1a和Tr1b以及驅動電晶體Tr2表示了n-溝道電晶體，不過他們可以是p-溝道電晶體或p-溝道和n-溝道電晶體的組合。
在第二和第三個實施例中，開關電晶體包括串聯的兩個電晶體Tr1a和Tr1b，但也可以包括三個或更多的電晶體。
此外，在圖1中示出的顯示裝置10可以進一步包括用於關閉電路的關閉電晶體Tr20和用作反偏置電路的反偏置電晶體Tr30(如圖4所示)。在這個例子中，在顯示裝置10中提供了控制信號線15。該控制信號線15發送一個控制信號，通過它在從供電線18處於關閉二極體12的同時啟動關閉電晶體Tr20。該關閉電晶體Tr20用作關閉供電線18和二極體12間路徑的開關。
這裡，驅動電晶體Tr2的漏極連接到關閉電晶體Tr20的源極，並且驅動電晶體Tr2的源極連接到二極體12的陽極。關閉電晶體Tr20的柵極連接到控制信號線15，而關閉電晶體Tr20的漏極連接到供電線18。
上述結構電路的工作過程將在下面討論。當柵極線14的掃描信號變高時，開關電晶體Tr1開啟。當控制信號線15的控制信號變高時，關閉電晶體Tr20開啟。因此，驅動電晶體Tr2的源極與供電線18通電。在數據線16的電位變得和驅動電晶體Tr2的柵極電位相同。這樣，驅動電晶體Tr2柵極-源極電壓的相應電流流過供電線18和二極體12的陽極之間，這樣二極體12以符合電流量的光強度發光。當控制信號線15的控制信號變低時，關閉電晶體Tr20關閉並且在二極體12和供電線18間的路徑關閉。這樣，不論驅動電晶體Tr2的柵極電極中設置的亮度數據是怎樣都關閉二極體12。
這裡，反偏置電晶體Tr30的源極可以連接到負電位Vee，它比連接著二極體12的陰極電極的地電位更低。在這樣的結構中，當控制信號線15變低時，關閉電晶體Tr20變低而反偏置電晶體Tr30開啟。接著，在二極體12陽極的電位變得和負電位Vee相同。當二極體12的陰極接地電位時，陰極電位變得比陽極電位高，二極體12處於反偏狀態。
通過使二極體12處於反偏狀態，在二極體12中保留的電荷將離開而且能夠抑制殘留圖像現象。在相同時間，能夠恢復構成二極體12的有機薄膜的工作特性。作為一般問題，諸如OLED的二極體會遇到有機薄膜的惡化，也就是，如果使用較長的時間亮度會下降，而該下降相對使用液晶的其它光學元件是顯著的。這樣，通過在亮度數據的更新周期中設置OLED為反偏狀態，可以防止顯示質量變差，同時將保留有機薄膜的適當工作特性。
而且參考圖5，可以設計顯示裝置把關閉電晶體Tr20設置在驅動電晶體Tr2和二極體12之間。即，開關電晶體Tr20的源極連接到二極體12的陽極，而關閉電晶體Tr20的漏極連接到驅動電晶體Tr2的源極。類似於圖4示出的例子，當控制信號線15的控制信號變高時開啟關閉電晶體Tr20，而當控制信號線15的控制信號變低時關閉開關電晶體Tr20。在圖5中設計的電路工作和定時類似於圖4所示的電路。
在圖4和圖5示出的顯示裝置中，關閉電晶體Tr20和反偏置電晶體Tr30由控制信號線15，而不是由柵極線14控制開關。不過，該設計不限於此，開關電晶體Tr20和反偏置電晶體Tr30可以由柵極線14替換地控制開關。
通常，諸如OLED的二極體12的多層結構為如圖6所示的在諸如玻璃襯底的隔離襯底上從底部到頂部依次堆疊的陽極層310，空穴傳輸層320，有機EL層330和陰極層340。OLED的多層結構不僅限於圖6中所示，還可以是如圖7所示的在諸如玻璃襯底的隔離襯底上從底部到頂部依次堆疊的諸如陰極層340，有機EL層330，空孔傳輸層320和陽極層310。如果OLED多層結構如圖6所示，OLED的陰極接地電位(為固定電位)。
不過，如果OLED的多層結構如圖7所示，OLED的陽極連接到固定電位。
圖8到11是適於有這類多層結構的OLED的顯示裝置的例子。圖7示出了這樣OLED多層結構的例子，其中圖1示出的顯示裝置10和圖10示出的結構類同。這裡，與圖1相比，二極體12的陽極由陰極替換，由二極體12的陽極現在連接到供電電位Vff(它是正電位和固定電位)。在類似的情況中，如果OLED的多層結構如圖3所示，在圖3中示出的顯示裝置20的結構類同於圖11中的結構。
在二極體12的發射時間中，電流從供電電位Vff通過二極體12和驅動電晶體Tr2流向供電線18(它是地電位)。
圖8示出的結構中，在如圖4的顯示裝置10中示出的二極體12的陽極和陰極由陰極和陽極分別替換，這樣陽極連接到供電電位Vff(它是正電位和供電電位)。不過，連接到負電位Vee的反偏置電晶體Tr30的電極現在連接到比供電電位Vff更高的正電位Vgg。而且，連接到供電線18的關閉電晶體Tr20的電極現在連接到為地位的低電位線Vhh。
在二極體12的發射時間中，電流從供電電位Vff通過驅動電晶體Tr2和關閉電晶體Tr20流向地電位的低電位線Vhh。接著，通過將控制信號線15調低，使關閉電晶體Tr20開啟而反偏置電晶體Tr30關閉。當在二極體12的亮度數據更新周期中，控制信號線15調低時，關閉電晶體Tr20關閉而反偏置電晶體Tr30開啟。結果是，二極體12的陰極電位成為正電位Vgg，該電位比供電電位Vff高，從而二極體12成為反偏置。
在圖9示出的結構中，在圖5所示的顯示裝置中的二極體12的陽極和陰極分別被陰極和陽極替換，這樣陽極連接到供電電位Vff(其為固定電位)。在圖5中示出的被驅動電晶體Tr2連接的該供電線18(正電位)現在改變為負電位線Vii(它是負電位)。而且，連接到負電位Vee的反偏置電晶體Tr30的電極現在連接到比地電位更高的正電位Vgg。當控制信號線15在二極體12的亮度數據更新周期中變高時，反偏置電晶體Tr30導通而關閉電晶體Tr12關閉。這時，在二極體12陰極的電位成為正電位Vgg，它比代表陽極電位的供電電位Vff高，這樣二極體12處於反偏狀態。
在圖8和9示出的顯示裝置中，該關閉電晶體Tr20和反偏置電晶體Tr30不由柵極線14控制開關，而是由控制信號線15控制開關。不過，該設計不限於此，該開關電晶體Tr20和反偏置電晶體Tr30可以用柵極線14替代地控制開關。在這樣的情況中，電晶體結構最好是這樣的類型，即當在驅動電晶體Tr2中設置亮度數據時，關閉電晶體Tr20關閉而反偏置電晶體Tr30開啟。
需要注意在圖3中示出的顯示裝置20可以設計為使得在使用關閉電路和反偏置電路的圖1顯示裝置中進一步使用關閉電路Tr20和反偏置電路Tr30。而且，在圖8和圖9中示出的電路結構可以用於圖3中示出的顯示裝置20。
雖然本發明通過示範實施例進行了描述，可以理解普通技術人員在不背離本發明範圍的情況下可以進一步進行各種改變和替換，而本發明的範圍由附加權利要求限定。
權利要求
1.一種顯示裝置，其特徵在於，包括驅動光學元件的驅動電晶體；和在所述驅動電晶體中設置數據的開關電晶體，其中，有關電流驅動能力的所述電晶體的工作特性製作得各不相同。
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中關於電流驅動能力的所述電晶體特性是電流轉換因子。
3.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中所述驅動電晶體和所述開關電晶體是場效應電晶體，而所述電晶體的製作方法使所述電晶體的柵極寬度各不相同。
4.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中所述驅動電晶體和所述開關電晶體是場效應電晶體，並且所述電晶體的製作方法使所述電晶體的柵極長度各不相同。
5.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中關於電流驅動能力的所述驅動電晶體的工作特性小於所述開關電晶體的工作特性。
6.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中所述驅動電晶體的製作方法使得其柵極寬度比所述開關電晶體的柵極寬度窄。
7.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中所述開關電晶體的製作方法使得其柵極長度比所述驅動電晶體柵極長度短。
8.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中所述驅動電晶體的製作方法使得所述驅動電晶體柵極寬度比所述開關電晶體柵極寬度窄，其中所述開關電晶體的製作方法使得所述開關電晶體柵極長度比所述驅動電晶體的柵極長度短。
9.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中關於電流驅動能力的所述驅動電晶體的工作特性大於所述開關電晶體的工作特性。
10.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中所述開關電晶體包括多個串聯的電晶體。
11.如權利要求10所述的顯示裝置，其特徵在於，其中在所述多個電晶體中至少一個電晶體的關於電流驅動能力的工作特性與其它電晶體的工作特性不同。
12.如權利要求10所述的顯示裝置，其特徵在於，其中關於電流驅動能力的工作特性是電流轉換因子。
13.如權利要求10所述的顯示裝置，其特徵在於，其中構成所述開關電晶體的多個電晶體設置在數據供給源和所述開關電晶體之間，並且關於在數據供給源一側設置的電晶體電流驅動能力的工作特性大於在所述開關電晶體側設置的電晶體的工作特性。
14.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中所述開關電晶體包括串聯的n個電晶體(n為大於或等於2的整數)，它們關於驅動能力的特性基本相同，其中所述開關電晶體的柵極長度基本上等於所述驅動電晶體的柵極長度，並且其中所述驅動電晶體的製作方法使得其柵極寬度比構成所述開關電晶體的電晶體柵極寬度的1/n更窄。
15.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中所述開關電晶體包括串聯的n個電晶體(n是大於或等於2的整數)，其關於驅動能力的工作特性基本相同，其中所述開關電晶體的柵極寬度基本等於所述驅動電晶體的柵極寬度，並且其中構成所述開關電晶體的電晶體製作方法使得其柵極長度比所述驅動電晶體柵極長度的1/n更短。
16.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中光學元件是有機發光二極體。
17.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，進一步包括並聯到光學元件的反偏置電路，其中通過在預定時刻控制所述反偏置電路使光學元件兩端的電壓反轉。
18.如權利要求17所述的顯示裝置，其特徵在於，進一步包括關閉電路，它關閉將電流供應到光學元件的路徑，其中通過在關閉該路徑的時刻控制所述反偏置電路使光學元件兩端的電壓反轉。
19.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，其中設計光學元件使得在預定的時刻，在光學元件一個電極的電位切換到比光學元件另一個電極的電位更高或更低。
20.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於，進一步包括關閉電路，它關閉將電流供應到光學元件的路徑。
全文摘要
製作驅動二極體的驅動電晶體的工作特性，使其根據電流驅動能力與開關電晶體的電流驅動能力不同。該驅動電晶體的電流驅動能力比開關電晶體的電流驅動能力更低。
文檔編號H01L29/786GK1440010SQ03104120
公開日2003年9月3日 申請日期2003年2月11日 優先權日2002年2月18日
發明者土屋博, 野口幸宏, 松本昭一郎 申請人:三洋電機株式會社