等離子顯示器的尋址驅動電路的製作方法

2023-06-01 10:09:21 1

專利名稱：等離子顯示器的尋址驅動電路的製作方法
技術領域：
本發明涉及等離子顯示器領域，具體而言，涉及一種等離子顯示器的尋址驅動電 路。
背景技術：
彩色交流等離子體(AC-PDP)是根據氣體放電的基本原理研製的，通過氣體放電 發出的紫外光激發螢光粉發光來實現顯示。目前，三電極表面放電型AC-PDP是最具競爭力 的一種PDP類型，對於這種AC-PDP大多採用尋址與顯示分離(ADS)技術來實現灰度顯示 的，即將一個電視場分為先後發光的8個或10個或12個子場，每個子場均由準備期、尋址 期和維持期組成，通過適當的子場組合就可以實現256級的灰度顯示。三電極表面放電型AC-PDP的三個電極正交狀分布於前後基板上，放電則在兩個 基板之間進行。前基板水平分布著維持電極(X電極)和掃描電極(Y電極)，在後基板上豎 直分布著尋址電極(A電極)。X電極和Y電極相互平行，並與A電極正交。圖1為相關技術中ADS驅動技術中一個子場的驅動波形的示意圖。如圖1所示， 分為準備期、尋址期和維持期。在準備期，三電極相互配合，擦除上一子場遺留的壁電荷，使 全屏所有顯示單元達到一致的初始狀態；在尋址期，驅動電路對各行按照先奇後偶、自上而 下的順序進行掃描尋址，而在A電極寫入圖像編碼數據，使所有在該子場要顯示的單元積 累起合適的壁電荷；在維持期，X電極和Y電極交替加上維持電壓，使在尋址期積累了壁電 荷的單元產生放電，從而實現圖像的顯示。準備期開始時，三個電極上所加電壓都是0V，但是由於上一場或上一子場維持 期結束時的最後一個維持脈衝加在X電極上，維持放電後在X電極上積累負的壁電荷， 在Y電極上積累了正的壁電荷，因此，在Y電極上先加遠大於著火電壓的寬正斜波電壓 (Vsetup ^ 350V)，使X和Y電極間發生放電，放電後兩個電極上分別積累了正的壁電荷和 負的壁電荷，隨後在Y電極上加一個寬的負斜波電壓(VY ^ 170V)，在X電極上加一正的臺 階電壓(Vb 150V)，使X和Y電極之間緩慢達到著火電壓，進行放電，中和掉X和Y電極上 正的壁電荷和負的壁電荷，最後使全屏所有單元的狀態達到一致的熄滅狀態，隨後的尋址 期就可以準確的尋址到各個單元。傳統A驅動電路如圖2所示，正尋址電壓Va是通過開關 電源產生的，Va直接和數據驅動晶片的Vpp端連接，GND和低壓端連接，整個尋址期正尋址 電壓恆為Va，波形如圖1所示。ADS方法存在一個主要缺點就是尋址佔用的時間過長，而且隨著顯示器解析度的 提高，所需要的尋址時間就更長，尋址時間加長就意味著真正用於維持顯示的時間變短，這 對於提高顯示器的亮度是不利的。為了消除等離子顯示器採用ADS方法時存在的偽輪廓問 題，一般可以採用增加顯示子場的方法，但是增加子場數也意味著尋址時間的大大增加，如 此也會大大減小維持時間。如何減小尋址時間已成為PDP驅動中面臨的一個重要問題，特 別是在高解析度的場合中就顯得更為重要。

發明內容
針對相關技術中ADS技術中存在的尋址佔用時間過長等問題，本發明提供了一種 等離子顯示器的尋址驅動電路，以解決上述問題至少之一。根據本發明，提供了 一種尋址驅動電路。根據本發明的尋址驅動電路除了包括數據驅動晶片，還包括正尋址電壓產生 電路，位於正尋址電壓端Va和數據驅動晶片的VPP端之間，用於在尋址期間內在Vpp端產 生一個以上升斜波形式變化的正尋址電壓。上述正尋址電壓產生電路包括AVa生成電路、電容器、第一功率開關管、第二開 關功率管以及第一二極體，其中，電容器的正極和第一二極體的陰極連接，電容器的負極和 正尋址電壓端Va相連接；第一二極體的陽極和AVa生成電路相連接，電容器的正極與第一 功率開關管的漏極連接，第一功率開關管的源極和Vpp端連接；第二功率開關管的源極和 Va連接，第二功率開關管的漏極和第一功率開關管的源極連接。上述第一功率開關管工作在諧波方式下。上述尋址驅動電路還包括第二二極體以及電阻，其中，第二二極體的陰極與電阻 的一端並接至正尋址電壓產生電路中第一功率開關管的源極，第二二極體的陽極與電阻的 另一端並接至數據驅動晶片的VPP端。上述AVa生成電路生成的電壓AVa滿足以下條件5V彡AVa^ 20Vo上述電容器兩端的電壓為八乂…其中巧乂彡AVa^ 20Vο上述第一功率開關管與第二功率開關管互鎖。上述第一功率開關管與第二功率開關管為以下至少之一功率場效應電晶體 MOSFET、絕緣柵雙極電晶體IGBT。通過本發明，在尋址期間內，正尋址電壓產生電路在Vpp端產生一個以上升斜波 形式變化的正尋址電壓，解決了相關技術中ADS技術中存在的尋址佔用時間過長等問題， 進而可以減小尋址時間，增加維持時間。


此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本申請的一部分，本發 明的示意性實施例及其說明用於解釋本發明，並不構成對本發明的不當限定。在附圖中圖1為相關技術中ADS驅動技術中一個子場的驅動波形的示意圖；圖2為相關技術中尋址驅動電路的電路原理圖；圖3為根據本發明實施例的尋址驅動電路的結構示意圖；圖4為根據本發明優選實施例的尋址驅動電路的電路原理圖；圖5為根據本發明優選實施例的X、Y、A三電極上某一子場的驅動波形。
具體實施例方式下文中將參考附圖並結合實施例來詳細說明本發明。需要說明的是，在不衝突的 情況下，本申請中的實施例及實施例中的特徵可以相互組合。圖3為根據本發明實施例的尋址驅動電路的結構示意圖。如圖3所示，該尋址驅 動電路除了包括數據驅動晶片1，還包括正尋址電壓產生電路2，位於正尋址電壓端Va和數據驅動晶片的VPP端之間，用於在尋址期間內在Vpp端產生一個以上升斜波形式變化 的正尋址電壓。優選地，上述正尋址電壓產生電路包括浮動於Va的Δ Va生成電路、電容器、第一 功率開關管、第二開關功率管以及第一二極體，其中，電容器的正極和第一二極體的陰極連 接，電容器的負極和正尋址電壓端Va相連接；第一二極體的陽極和AVa生成電路相連接， 電容器的正極與第一功率開關管的漏極連接，第一功率開關管的源極和Vpp端連接；第二 功率開關管的源極和Va連接，第二功率開關管的漏極和第一功率開關管的源極連接。其中，上述第一功率開關管可以工作在諧波方式下。在優選實施過程中，通過將第 一功率開關管的柵極連接諧波電路，可以使第一功率開關管工作在諧波方式下。優選地，如圖4所示，上述尋址驅動電路還包括第二二極體D2以及電阻R，其中， 第二二極體的陰極與電阻的一端並接至正尋址電壓產生電路中第一功率開關管的源極，第 二二極體的陽極與電阻的另一端並接至數據驅動晶片的VPP端。上述第二二極體與電阻構成的電路，可以有效限流，防止VPP過衝，防止數據驅動 晶片燒壞，起到了保護數據驅動晶片的作用。優選地，AVa生成電路生成的電壓AVa滿足以下條件5V彡Δ Va彡20V。優選地，上述電容器兩端的電壓為AVa，其中，5V彡AVa彡20V。大量的實驗研究證明，在尋址期使A電極上的尋址電壓變化5V-20V時，可以使總 尋址時間減少30%，有效增加維持時間，有利於提高顯示亮度、改善畫質和減少偽輪廓。其中，在具體實施過程中，第一功率開關管與第二功率開關管互鎖。即當第一功率 開關管打開時，第二功率開關管開閉；當第二功率開關管打開時，第一功率開關管開閉。在優選實施過程中，第一功率開關管與第二功率開關管可以採用但不限於以下至 少之一功率場效應電晶體(MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)。上述尋址驅動電路(也可以稱為A驅動電路)主要是在Va與Vpp之間設置一個正 尋址電壓產生電路，如圖4所示，由AVa生成電路(例如，開關電源電路)產生AVa，AVa 是相對Va的，通過一個二極體D1 (相當於上述第一二極體)和電容C Δ Va (相當於上述電容 器)連接到Va，Va通過一個開關Qpass(相當於上述第二功率開關管)連接到Va0Ut，CAVa 的負極連接到Va，正極連接到開關Qramp (相當於上述第一功率開關管)的漏極端，Qramp 的源極端連接到Vaout，開始階段，圖4中開關Qpass打開，Qramp關閉，Vaout = Va, Vpp端 被拉到Va，在尋址期，圖4中Qrampdn打開，Qpass關閉，Vpp端被拉到Va+ Δ Va,從而產生正 上升斜波尋址電壓，最後，根據尋址數據在A電極上得到上升斜波形式變化的正尋址脈衝， 由於正尋址電壓越來越高，施加在顯示單元氣體上的有效電壓(Vaw+Vy)越大，有效彌補了 由空間離子濃度減小造成的尋址放電延遲，從而可以選擇更短的尋址時間，增加有用的維 持時間，提高顯示亮度、改善畫質和減少偽輪廓。以下結合圖4和圖5進一步描述上述優選實施方式。圖5為根據本發明優選實施例的X、Y、A三電極上某一子場的驅動波形；如圖 5所示，圖中標號①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩為一個子場內驅動波形的各個階段。其中，第 ①②③④⑤為準備期，⑥⑦階段為尋址期，⑧⑨⑩為維持期。如圖4所示，一子場開始的時候，即圖5中①②③④⑤準備期階段，Qramp (即上述 第一功率開關管)關閉，Qpass (即上述第二功率開關管)打開，Vpp端被拉到Va，數據掃描晶片通過控制信號輸出0V，於是A電極上的電壓為OV ；在⑥⑦尋址期階段，圖4的開關 管Qramp打開，Qpass關閉，使Vout電壓將為Va+Δ Va，因此實現Vpp端電壓以斜坡形式上 升到Va+AVa，通過尋址數據被尋址到的單元所在的列的A驅動電路會輸出給該列A電極 一個上升斜波形式的正脈衝，具體波形如圖5所示；在維持期階段中，如圖4所示，Qramp關 閉，Qpass打開此時，Vpp被拉到Va，數據掃描晶片通過控制信號輸出0V，於是A電極上的電 壓為0V，在整個尋址期間，沒有被尋址到的單元上的電壓均為0，後進入下一子場的驅動過 程，重複類似前面講過的10個過程，完成所有子場的Y驅動，同時配合X驅動和A驅動，完 成一場圖像的顯示。需要注意的是，圖4中所示的正尋址電壓產生電路僅僅是本發明的一個優選實施 方式，當然，正尋址電壓產生電路還存在多種同等變形方式和等同替換方式，能夠在尋址期 間內在Vpp端產生一個以上升斜波形式變化的正尋址電壓的正尋址電壓產生電路均在本 發明保護範圍之內。綜上所述，藉助本發明提供的上述實施例，採用一種正尋址電壓產生電路，設置在 傳統Va與Vpp之間，在尋址期間，該電路在負壓Va的基礎上產生正上升斜波尋址電壓，施 加到數據晶片的Vpp端，可以減小尋址時間，增加維持時間，有利於提高顯示亮度、改善畫 質和減少偽輪廓。顯然，本領域的技術人員應該明白，上述的本發明的各模塊或各步驟可以用通用 的計算裝置來實現，它們可以集中在單個的計算裝置上，或者分布在多個計算裝置所組成 的網絡上，可選地，它們可以用計算裝置可執行的程序代碼來實現，從而可以將它們存儲在 存儲裝置中由計算裝置來執行，或者將它們分別製作成各個集成電路模塊，或者將它們中 的多個模塊或步驟製作成單個集成電路模塊來實現。這樣，本發明不限制於任何特定的硬 件和軟體結合。以上所述僅為本發明的優選實施例而已，並不用於限制本發明，對於本領域的技 術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修 改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.一種等離子顯示器的尋址驅動電路，包括數據驅動晶片，其特徵在於，所述尋址驅 動電路還包括正尋址電壓產生電路，位於正尋址電壓端Va和所述數據驅動晶片的VPP端之間，用於 在尋址期間內在所述Vpp端產生一個以上升斜波形式變化的正尋址電壓。
2.根據權利要求1所述的尋址驅動電路，其特徵在於，所述正尋址電壓產生電路包括 AVa生成電路、電容器、第一功率開關管、第二開關功率管以及第一二極體，其中，所述電容 器的正極和所述第一二極體的陰極連接，所述電容器的負極和所述正尋址電壓端Va相連 接；所述第一二極體的陽極和所述AVa生成電路相連接，所述電容器的正極與所述第一功 率開關管的漏極連接，所述第一功率開關管的源極和所述Vpp端連接；所述第二功率開關 管的源極和Va連接，所述第二功率開關管的漏極和所述第一功率開關管的源極連接。
3.根據權利要求2所述的尋址驅動電路，其特徵在於，所述第一功率開關管工作在諧 波方式下。
4.根據權利要求2所述的尋址驅動電路，其特徵在於，尋址驅動電路還包括第二二極 管以及電阻，其中，所述第二二極體的陰極與所述電阻的一端並接至所述正尋址電壓產生 電路中所述第一功率開關管的源極，所述第二二極體的陽極與所述電阻的另一端並接至所 述數據驅動晶片的VPP端。
5.根據權利要求2至4中任一項所述的尋址驅動電路，其特徵在於，所述AVa生成電 路生成的電壓Δ Va滿足以下條件5V彡AVa^ 20Vo
6.根據權利要求2至4中任一項所述的尋址驅動電路，其特徵在於，所述電容器兩端的 電壓為八￥&，其中，5￥彡AVa彡20V。
7.根據權利要求2至4中任一項所述的尋址驅動電路，其特徵在於，所述第一功率開關 管與所述第二功率開關管互鎖。
8.根據權利要求2至4中任一項所述的尋址驅動電路，其特徵在於，所述第一功率開關 管與所述第二功率開關管為以下至少之一功率場效應電晶體M0SFET、絕緣柵雙極電晶體 IGBT。
全文摘要
本發明提供了一種等離子顯示器的尋址驅動電路，該電路除了包括數據驅動晶片，還包括正尋址電壓產生電路，位於正尋址電壓端Va和數據驅動晶片的VPP端之間，用於在尋址期間內在Vpp端產生一個以上升斜波形式變化的正尋址電壓。根據本發明提供的技術方案，可以減小尋址時間，增加維持時間。
文檔編號G09G3/288GK102142225SQ20111011998
公開日2011年8月3日 申請日期2011年5月10日 優先權日2010年9月30日
發明者霍偉 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司