氣密端子的製造方法及利用該方法製造的氣密端子的製作方法
2023-06-21 10:40:51
專利名稱：氣密端子的製造方法及利用該方法製造的氣密端子的製作方法
技術領域：
本發明涉及對由金屬或導電性陶瓷那樣的導電性材料與玻璃進行接合的氣密端子的製造方法。另外涉及接合寬度狹窄、接合部精度高且接合部厚度薄的氣密端子。
背景技術：
以往，作為對金屬或導電性陶瓷那樣的導電性材料與玻璃進行接合的方法，有將玻璃加熱至高溫或低溫、而與金屬等進行接合的玻璃接合法，或利用粘接劑進行封止的接合法。前者包含稱為陽極接合法或電壓接合法等的方法。日本專利特公昭53-28747號公報及「Interfacial Phenomena in AnodicBonding of Glass to Kovar Alloy」by Morsy Amin Morsy，Keito Ishizaki，KenjiIkeuchi and Masao Ushio(焊接學會1998年，第16卷，第2號)對陽極接合作了介紹。陽極接合法是，在將玻璃與導電性材料密接的狀態下流動電流，將玻璃中的組成成分、即形成網格結構的Na2O3等作為鹼金屬離子，排除至使玻璃與導電性材料密接的界面的相反側，通過化學結合而使玻璃與導電性材料的界面牢固接合的方法。
另外，後者的利用粘接劑進行封止的接合法稱為釺焊法，能可靠地接合，氣密封止性優良。比如，在將透明玻璃板接合在雷射二極體用氣密端子的金屬制筒狀體的底面上的場合，將玻璃用作粘接材料並使其加熱溶融的方法是以往實施的一般的方法。
圖12表示雷射二極體用金屬制圓筒狀的氣密端子120的結構。氣密端子120由金屬制筒狀體121、玻璃板122和玻璃環123構成。金屬制筒狀體121由衝壓成形製成，在圓筒狀的下部具有凸緣部。玻璃板122是將硼矽酸鹽的透明玻璃板用機械加工而切割成圓盤狀的板。另外，玻璃環123是將低融點的粉末玻璃予以衝壓成形的。
氣密端子的製造方法，首先，為了去掉金屬制筒狀體表面上的油脂等汙垢，組裝前進行酸洗處理。處理後如圖13所示，將金屬制筒狀體131、玻璃板132和玻璃環133插入稱為封止夾具的碳制夾具內。封止夾具由下封止夾具136和上封止夾具135構成。下封止夾具136在對零件進行組裝、放入加熱爐內期間，對零件進行定位。金屬制筒狀體131與玻璃板132通過玻璃環133接合，為了可靠地確保氣密性，上封止夾具135起到對玻璃進行流動的作用。
如圖13所示，組裝順序容易，將金屬制筒狀體131插入下封止夾具136內，將低融點玻璃環133、由硼矽酸鹽構成的玻璃板132插入金屬制筒狀體131內的底部。插入後，載放上封止夾具135並放入低溫爐，使低融點的玻璃環133軟化，將金屬制筒狀體131與玻璃板132接合。接合後，對金屬制筒狀體131實施無電解鎳電鍍，得到雷射二極體用氣密端子。
圖14表示雷射二極體用氣密端子140的例子。圖14所示的氣密端子140，是雷射透過率也可以比較低的雷射二極體用氣密端子的例子。氣密端子140由金屬制筒狀體141和玻璃板142構成。金屬制筒狀體141利用衝壓成形，在圓筒的下部具有凸緣部。玻璃板142是將硼矽酸鹽的粉末玻璃衝壓成形為圓盤狀而成的。
氣密端子的製造方法，為了去掉金屬制筒狀體表面上的油脂等汙垢，而在組裝前進行酸洗處理。處理後如圖15所示，將金屬制筒狀體151、玻璃板152插入稱為封止夾具的碳制的夾具內。封止夾具由下封止夾具156和上封止夾具155構成。下封止夾具156在對零件進行組裝、放入加熱爐內期間，對零件進行定位。金屬制筒狀體151與玻璃板152接合，為了可靠地確保氣密性，上封止夾具155起到對玻璃進行流動的作用。
如圖15所示，組裝順序容易，將金屬制筒狀體151插入下封止夾具156內，將由硼矽酸鹽構成的玻璃板152插入金屬制筒狀體151內的底部。插入後，載放上封止夾具155並放入高溫爐，使硼矽酸鹽的玻璃板152軟化，將金屬制筒狀體151與硼矽玻璃板152接合。接合後，對金屬制筒狀體151實施無電解鎳電鍍，在其上面再進行電氣鍍金，得到雷射二極體用氣密端子。
但是，在上述傳統例中，為了玻璃接合，需要將玻璃加熱到軟化點以上，溫度太高，存在著通過接合被封止的元件被破壞的危險。而且，由於接合玻璃厚度有限，包裝的整個高度變高。此外，傳統的陽極接合法的氣密性不充分，作為接合技術還未被確立。另一方面，在使用粘接劑的場合，粘接劑硬化時產生氣體，也容易隨時間發生變化。另外，需要釺焊的設備，粘接劑的價格也貴。而且，為了使用粘接劑，接合部分不得不隆起。
本
發明內容
本發明的目的在於，提供一種廉價、可靠性高的高真空的氣密端子。另外，本發明的目的在於，提供一種即使接合也不會發生氣體，接合部不用溶融就可接合的氣密端子的製造方法。而且，本發明的目的還在於，提供一種接合部的厚度薄、位置精度相對於接合寬度較高的氣密端子的製造方法。
為了達到上述目的，本發明的氣密端子的製造方法是，將成為外框的筒狀體的開口部與平板狀的玻璃板的外緣部進行陽極接合，其特徵在於，陽極接合的面的寬度為0.04～200mm，表面粗糙度為0.20μm以下，筒狀體由Fe、Ni和Co中至少1種構成的金屬或以這些金屬為主要成分的合金或導電性陶瓷所構成，玻璃板含有鹼金屬離子，陽極接合後的接合部分的惰性氣體的透過量為1.0×10-15Pa·m3/s～1.0×10-8Pa·m3/s。
本發明的氣密端子由上述方法製造，其特徵在於，玻璃板的外緣部與筒狀體的開口部形狀吻合地成形，以使玻璃板與筒狀體的開口部嵌合。另外，本發明的氣密端子由上述方法製造，其特徵在於，筒狀體由含有Mo和W中至少1種的導電性陶瓷構成。而且，本發明的氣密端子由上述方法製造，其特徵在於，是構成筒狀體內搭載有壓電元件或水晶片的水晶振蕩器或水晶振動器的氣密端子容器。
附圖的簡單說明圖1是表示表面粗糙度與He透過量的關係的圖(實施例1)。
圖2是表示接合寬度與He透過量的關係的圖(實施例1)。
圖3是表示本發明的雷射二極體用氣密端子結構的剖視圖(實施例2)。
圖4是表示用於製造本發明的雷射二極體用氣密端子的陽極接合裝置的剖視圖(實施例2)。
圖5是表示He透過量的測量方法的概念圖。
圖6A是表示本發明的表面安裝型水晶振子(氣密端子)的結構的俯視圖，圖6B是其剖視圖(實施例3)。
圖7是表示用於製造本發明的表面安裝型水晶振子(氣密端子)的陽極接合裝置的剖視圖(實施例3)。
圖8是表示本發明的雷射二極體用氣密端子結構的剖視圖(實施例4)。
圖9A是表示本發明的表面安裝型水晶振子(氣密端子)的結構的俯視圖，圖9B是其剖視圖(實施例5)是表示。
圖10是表示用於製造本發明的表面安裝型水晶振子(氣密端子)的陽極接合裝置的剖視圖(實施例5)。
圖11是表示He透過量的測量方法的概念圖。
圖12是表示傳統型的雷射二極體用氣密端子結構的剖視圖。
圖13是表示用於製造傳統型雷射二極體用氣密端子的封止夾具結構的剖視圖。
圖14是表示傳統型的雷射二極體用氣密端子結構的剖視圖。
圖15是表示用於製造傳統型雷射二極體用氣密端子的封止夾具結構的剖視圖。
具體實施例方式
(氣密端子的製造方法)如圖3所示，本發明氣密端子30的製造方法，其特徵在於，將成為外框的筒狀體31的開口部與平板狀的玻璃板32的外緣部進行陽極接合。通過對導電性材料的接合寬度及接合面的表面粗糙度進行控制，可製造氣密封止性高的端子。本發明通過陽極接合，接合的玻璃為軟化點以下的溫度，只要施加電壓就可接合。因此，被封止的元件沒有因高溫而遭破壞的危險，又可實現高精度水晶振子及振蕩器等所需的氣密封止。而且，不必使用接合玻璃及粘接劑，導電性材料與玻璃直接接合，故接合部的厚度變薄，能使組件整體高度降低。而且，不需要高價的粘接劑，消除了硬化時排出氣體及隨時間變化的問題。另外，可容易地減少組裝的部件、縮短製造時間、提高產品合格率、降低設備費用、防止環境汙染等。
陽極接合的面，出於提高氣密封止性，寬度需要取為0.04mm以上，最好在0.08mm以上。陽極接合的面，厚度越厚氣密封止性越好，但氣密端子大多作為精細零件進行使用，而且考慮到陽極接合的方便性等，陽極接合的面的寬度可限制在200mm左右以下。另一方面，陽極接合的部分，出於提高氣密封止性，表面粗糙度(算術平均粗糙度Ra)需要在0.20μm以下，最好在0.15μm以下。
成為氣密端子外框的筒狀體具有陽極接合的開口部，考慮到接合性良好，筒狀體的材質是Fe、Ni和Co中的至少1種構成的金屬或以這些金屬為主要成分的合金或導電性陶瓷。這裡，主要成分是指含有80％以上。另外，筒狀體可使用含有Mo和W中的至少1種的導電性陶瓷。另外，筒狀體的開口部(截面)的外形可做成圓形或四角形，本發明也包括橢圓形、三角形或五角形等多角形的場合。另一方面，筒狀體的深度可根據用途調節。比如，在雷射二極體用氣密端子的場合，可將筒狀體的深度做深，比如，在表面安裝型的水晶振子的場合，可將筒狀體的深度做淺。
平板狀的玻璃板與筒狀體的開口部陽極接合。被陽極接合的部分是玻璃板的外緣部。玻璃板的材質是硼矽酸鹽玻璃、或磷酸鹽玻璃等，可使用內部含有可電荷移動的鹼金屬離子的各種組成的玻璃。玻璃中含有鹼金屬成分在10％以上的玻璃容易進行陽極接合，較佳。另外，比如如圖3所示，玻璃板32的外緣部與筒狀體31的開口部的形狀吻合地成形，以使玻璃板32與筒狀體31的開口部嵌合。圖3所示的例子中，玻璃板32的外緣部切削加工成凸緣狀，具有凹凸，以與筒狀體31的開口部嵌合。通過將這樣的玻璃板進行接合，組件整體的高度降低。而且，因為能將玻璃板正確地與筒狀體接合，故可製造氣密封止性好的端子。
為了提高氣密封止性、不對收放在氣密端子內的元件的動作有不良影響，陽極接合後的接合部分的惰性氣體透過量需要在1.0×10-8Pa·m3/s以下，最好在1.0×10-11Pa·m3/s以下。另一方面，惰性氣體透過量的下限，越低氣密封止性越好，但因製造上的困難性等，透過量的下限為1.0×10-15Pa·m3/s。接合部的惰性氣體透過量，可利用檢漏器等進行測量。另外，作為惰性氣體，可使用氦(He)等。本發明的氣密端子因其氣密封止性好，可有效地用作構成在筒狀體內搭載壓電元件或水晶片的水晶振蕩器或水晶振子的氣密端子容器。
用於陽極接合的裝置及方法，使用以往公知的。比如，外加電壓最好為500V～1000V左右，接合溫度最好為300℃～500℃左右，接合時間最好為5分鐘～60分鐘。比如，進行接合的筒狀體的外緣部(凸緣部)的寬度為0.3mm，材質為科瓦鐵鎳鈷合金(R)時，可外加電壓為500V、接合溫度為320℃、在5分鐘以內進行接合。
(氣密端子)如圖3所示，本發明的氣密端子30，其特徵在於，通過陽極接合法將成為外框的筒狀體31的開口部與平板狀的玻璃板32的外緣部進行接合製成，進行陽極接合的面的寬度為0.04～200mm，表面粗糙度為0.20μm以下，筒狀體31由Fe、Ni和Co中的至少1種構成的金屬或以這些金屬為主要成分的合金或導電性陶瓷構成，玻璃板32含有鹼金屬離子，陽極接合後的接合部分的惰性氣體透過量為1.0×10-15Pa·m3/s～1.0×10-8Pa·m3/s。
本發明的氣密端子由上述方法製造，其特徵在於，玻璃板的外緣部與筒狀體的開口部形狀吻合地成形，以使玻璃板與筒狀體的開口部嵌合。另外，本發明的氣密端子由上述方法製造，其特徵在於，筒狀體由含有Mo和W中至少1種的導電性陶瓷構成。而且，本發明的氣密端子由上述方法製造，其特徵在於，構成在筒狀體內搭載了壓電元件或水晶片的水晶振蕩器或水晶振動器的氣密端子容器。
實施例1為了確認進行陽極接合的面的表面粗糙度與惰性氣體即氦(He)的透過量的關係、以及進行陽極接合的面的寬度與He的透過量的關係，而作了接合實驗。實驗中，作為筒狀體使用科瓦鐵鎳鈷合金(R)，作為玻璃板使用科瓦鐵鎳鈷合金(R)用玻璃，嘗試了筒狀體的開口部與玻璃板的外緣部的陽極接合。科瓦鐵鎳鈷合金(R)是西屋電氣公司制的玻璃封止線金屬材料，其成分為Fe54％、Ni28％、Co18％。另外，科瓦鐵鎳鈷合金(R)用玻璃使用了含有Na+13％的硼矽酸鹽玻璃。
陽極接合，首先使用圖4所示結構的陽極接合裝置，將熱源即加熱器48設定為上升至500℃，其上放上非導電性的陶瓷板47。為了防止氣密端子接合時的偏移，在陶瓷板47上放上了銅等導電性金屬材料製成的封止夾具46。然後，將玻璃板42和筒狀體41按圖4所示的位置關係在封止夾具46內配置、組裝。其結果，筒狀體的開口部與玻璃板的外緣部接觸。然後，施加大約10分鐘的700V的直流電壓，產生玻璃板-金屬間的原子移動，從而實施陽極接合。
圖1表示表面粗糙度與He透過量的關係。另外，圖2表示進行接合的面的寬度與He透過量的關係。都是科瓦鐵鎳鈷合金(R)與玻璃接合後，利用檢漏器對He透過量進行測量，從這些值對透過量的推移進行預估得到的。對科瓦鐵鎳鈷合金(R)與Fe-Ni42用的玻璃的接合也進行了實驗。其結果，利用目測確認到了可證明玻璃內部的鹼金屬離子移動的環，但不能接合。這是因為科瓦鐵鎳鈷合金(R)與玻璃的熱膨脹係數不同引起的。
He透過量的測量使用了氦檢漏器(ULCVAC公司制的HELIOT301)。測量方法是，首先，如圖5所示，在試料臺57上塗敷矽油脂58a，其上載放橡膠板56。然後，在橡膠板56上塗敷矽油脂58b，將構成氣密端子50的筒狀體51的凸緣部分載放安裝在橡膠板56上。然後，將He從He排出噴嘴59排出，利用氦檢漏器54藉助配管55對從構成氣密端子50的筒狀體51和玻璃板52的接合部洩漏的He進行了檢測。
圖1的特性曲線表示表面粗糙度與He透過量的關係。從特性曲線A可見，為了使He的透過量為1.0×10-8Pa·cm3/s以下，需要使接合面的表面粗糙度為0.20μm以下，最好在0.15μm以下。另外，圖2的特性曲線表示接合的面的寬度與He透過量的關係。實驗是針對接合面的粗糙度為0.20μm以下的試料進行的。從特性曲線B可見，為了使He的透過量為1.0×10-8Pa·cm3/s以下，需要使接合面的寬度作成0.04mm以上，最好在0.08mm以上。
實施例2製造了圖3所示的結構的雷射二極體用氣密端子30。氣密端子30金屬制筒狀體31和玻璃板32構成。金屬制筒狀體31由Fe、Ni和Co的合金構成，經衝壓成形製成，呈圓筒狀，下部具有凸緣部。另外，玻璃板32由硼矽酸鹽玻璃構成，含有Na+，嵌插於金屬制筒狀體31內的底部的部位用機械加工切割成圓盤狀。為了便於接合，玻璃板32最好具有與金屬制筒狀體31儘可能接近的熱膨脹係數。科瓦鐵鎳鈷合金(R)的熱膨脹係數約為47×10-7/℃，故使用了具有50×10-7/℃的熱膨脹係數的科瓦鐵鎳鈷合金(R)密封用的硼矽酸鹽玻璃。
作為封止順序，首先，將金屬制筒狀體1的開口部即接合面研磨處理成接近鏡面的狀態，儘可能減小平面度，提高光滑度。這是因為使用通過表面相互密接，產生表面原子的結合，直接以固相進行接合的陽極接合方法的緣故。通過接合實驗發現，表面粗糙度(算術平均粗糙度Ra)為0.10μm，接合寬度為1mm時，DC可取為500V～1000V，對被接合物進行加熱的熱源溫度取為300℃～500℃，在5分鐘～10分鐘之間進行陽極接合。
為此，本實施例中，首先使用圖4所示結構的陽極接合裝置，將熱源即加熱器48設定為上升至500℃，其上放上非導電性的陶瓷板47。為了防止氣密端子接合時的偏移，放上了銅等導電性金屬材料製成的封止夾具46。然後，將玻璃板42和筒狀體41按圖4所示的位置關係在封止夾具46內配置、組裝。其結果，筒狀體的開口部與玻璃板的外緣部接觸。然後，外加大約10分鐘的700V的直流電源，產生玻璃板-金屬間的原子移動，從而實施陽極接合。然後，使用不易對氧化膜產生影響的稀鹽酸，對金屬制筒狀體41實施無電解鎳電鍍處理，得到雷射二極體用氣密端子。對於所得到的氣密端子，為了確認金屬制筒狀體41與玻璃板42的接合部的氣密性，與實施例1相同地利用檢漏器對接合部的He透過量進行了測量。其結果，He的透過量為5×10- 10Pa·m3/s。
實施例3製造了圖6A及圖6B所示的結構的表面安裝型水晶振子。圖6A是俯視圖，圖6B是圖6A中由A-A剖切時的剖視圖。水晶振子的結構為，將成為外框的陶瓷製的筒狀體61用由平板狀的透明硼矽酸鹽構成的玻璃板62進行封止。在筒狀體61內，水晶片68由錫焊材料65與內部電極64粘接。本實施例中，使用了以Fe、Ni、Co為主要成分的導電性陶瓷構成的筒狀體61、含有Na+的硼矽酸鹽玻璃板62。首先，對筒狀體61的開口部67的表面進行鏡面研磨，使表面粗糙度為0.10μm以下。另外，接合的寬度取為1mm。鏡面研磨後，在洗淨工序，利用乙醇類溶液對研磨屑等異物進行完全的衝洗。鏡面研磨形成的接合面的翹度(平面度)做成約為2.0μm以下，整體平坦。洗淨後，利用焊錫材料65將水晶片68粘接在內部電極64上。
粘接後，如圖7所示，在真空爐內，將搭載了水晶片後的筒狀體71插入封止夾具76內。然後，將透明的由硼矽酸鹽構成的平板狀的玻璃板72放在筒狀體71上，使筒狀體71的開口部與玻璃板72的外緣部接觸。然後，安裝成對筒狀體71側施加陽極的電壓，對玻璃板72側施加陰極的電壓。此時，封止夾具76內的溫度約為320℃，施加大約5分鐘的直流電壓500V進行陽極接合，得到水晶振子即氣密端子。利用可抽真空的爐，使製造在真空環境下進行。其結果，能容易地進行需高精度的封止。
對於所得到的氣密端子，為了確認陶瓷製筒狀體與硼矽酸鹽玻璃板的接合部的氣密性，利用氦檢漏器對接合部的He透過量進行了測量。測量方法是，首先，將封止的水晶振子放入槽內壓力約為3.0kg/cm3的He槽內，約2小時後，取出水晶振子。然後，將水晶振子110放入圖11所示結構的測量槽115內的網116內，利用氦檢漏器(ULCVAC公司制的HELIOT301)114對從筒狀體與玻璃板的接合部的He透過量進行了測量。其結果，He的透過量為1×10-10Pa·m3/s。
實施例4製造了圖8所示的結構的雷射二極體用氣密端子80。氣密端子80由金屬制筒狀體81和玻璃板82構成。成為外框的筒狀體81由Fe、Ni的合金構成，經衝壓成形製成。筒狀體81下部具有凸緣部，表面在由電鍍形成的Ni上再進行Au的電鍍。、玻璃板82具有將嵌插於金屬制筒狀體81內的底部的部位用機械加工切割成凸圓狀的旋轉，材質是硼矽酸鹽玻璃，含有Na+。硼矽酸鹽玻璃，需要使用具有與形成筒狀體81的金屬儘可能接近的熱膨脹係數的材料。本實施例中，筒狀體81使用Fe-Ni50，熱膨脹係數約為98×10-7/℃，故使用了具有約100×10-7/℃的熱膨脹係數的硼矽酸鹽玻璃。
作為封止順序，首先，將金屬制筒狀體81的開口部即接合面研磨處理成接近鏡面的狀態，減小平面度，提高光滑度。這是因為使用通過表面相互密接，產生表面原子的結合，直接以固相進行接合的陽極接合方法的緣故。本實施例中，表面粗糙度取為0.10μm，接合寬度取為1mm。氣密端子的接合，是使用實施例2的圖4所示的結構的接合製造進行的。將熱源即加熱器48設定為上升至300℃，在加熱器48上放上非導電性的陶瓷板47。
為了防止接合時的偏移，在陶瓷板47上放上了銅等導電性金屬材料製成的封止夾具46。然後，將玻璃板42和筒狀體41按圖4所示的位置關係在封止夾具46內配置、組裝。其結果，筒狀體的開口部與玻璃板的外緣部接觸。然後，外加大約30分鐘的500V的直流電流，產生玻璃板-金屬間的原子移動，從而實施陽極接合，得到雷射二極體用的氣密端子。對於所得到的氣密端子，為了確認金屬制筒狀體與玻璃板的接合部的氣密性，與實施例1相同地對接合部的He透過量進行了測量。其結果，He的透過量為5×10-10Pa·m3/s。
實施例5製造了圖9A及圖9B所示的結構的表面安裝型水晶振子。圖9A是俯視圖，圖9B是圖9A中由B-B剖切時的剖視圖。水晶振子的結構為，將成為外框的筒狀體91用由平板狀的透明硼矽酸鹽構成的玻璃板92進行封止。在筒狀體91內，水晶片98由錫焊材料95與內部電極94粘接。本實施例中，使用了以Fe、Ni、Co為主要成分的合金構成的筒狀體91、含有Na+的硼矽酸鹽玻璃板92。首先，在搭載水晶片98之前，對筒狀體91的開口部的表面上印刷漿化的Mo材料，形成Mo層。印刷後，以約1400℃進行燒結，提高Mo層96與筒狀體91的密接強度。接著，對Mo層96的表面進行鏡面研磨，使表面粗糙度作成0.10μm，接合的面的寬度作成1mm。
鏡面研磨後，進行洗淨，利用乙醇類溶液對研磨屑等異物進行完全的衝洗。鏡面研磨形成的接合面的翹度(平面度)做成約為2.0μm以下。Mo層96根據設計方便等，比如也可是W層。然後，利用焊錫材料95將水晶片98粘接在內部電極94上。粘接後，如圖10所示，在氮氣環境的爐內，將玻璃板102插入設置在加熱器108上的下側封止夾具106內。然後，將搭載了水晶片98的筒狀體101載放在玻璃板102上，其上載放上側封止夾具109。在封止夾具內，筒狀體的開口部與玻璃板的外緣部接觸。
然後，封止夾具的內部溫度取為約450℃，安裝成使筒狀體101側成為陽極，玻璃板102側成為陰極。施加大約20分鐘的直流電壓600V進行陽極接合，得到水晶振子即氣密端子。製造時的環境也可是真空環境，該場合能容易進行高精度的封止。為了確認所得到的氣密端子的筒狀體與玻璃板的接合部的氣密性，與實施例3相同地對He透過量進行了測量。其結果，He的透過量為1×10-10Pa·m3/s。
這裡揭示的實施形態及實施例全是例示，本發明並不受其限制。本發明的範圍由權利要求書表示而不是上述說明的內容，包含與權利要求書均等的意義及範圍內的所有的變更。
產業上利用的可能性本發明能製造廉價、可靠性高的高真空氣密端子。而且，接合時不發生氣體，接合部不用溶融就可接合。而且，可製造接合部的厚度薄、相對於接合寬度其位置精度高的氣密端子。
權利要求
1.一種氣密端子(30)的製造方法，將成為外框的筒狀體(31)的開口部與平板狀的玻璃板(32)的外緣部進行陽極接合，其特徵在於，陽極接合的面，寬度為0.04～200mm，表面粗糙度為0.20μm以下，所述筒狀體(31)由Fe、Ni和Co中的至少1種構成的金屬、或以這些金屬為主要成分的合金或導電性陶瓷構成，所述玻璃板(32)含有鹼金屬離子，陽極接合後的接合部分的惰性氣體透過量為1.0×10-15Pa·m3/s～1.0×10-8Pa·m3/s。
2.一種氣密端子，由權利要求1所述的方法製造，其特徵在於，玻璃板(32)的外緣部與筒狀體(31)的開口部形狀吻合地成形，以使玻璃板(32)與筒狀體(31)的開口部嵌合。
3.一種氣密端子，由權利要求1所述的方法製造，其特徵在於，筒狀體(31)由含有Mo和W中至少1種的導電性陶瓷構成。
4.一種氣密端子，由權利要求1所述的方法製造，其特徵在於，是構成在筒狀體(31)內搭載有壓電元件或水晶片的水晶振蕩器或水晶振動器的氣密端子容器。
全文摘要
本發明提供價廉、可靠性高的高真空氣密端子(30)。本發明的氣密端子(30)的製造方法是，將成為外框的筒狀體(31)的開口部與平板狀的玻璃板(32)的外緣部進行陽極接合，陽極接合的面的寬度為0.04～200mm，表面粗糙度為0.20μm以下，筒狀體(31)由Fe、Ni和Co中的至少1種構成的金屬、或以這些金屬為主要成分的合金或導電性陶瓷構成，玻璃板(32)含有鹼金屬離子，陽極接合後的接合部分的惰性氣體透過量為1.0×10
文檔編號H01L23/10GK1625804SQ03802928
公開日2005年6月8日 申請日期2003年1月22日 優先權日2002年1月31日
發明者福島大輔, 山本英文 申請人:恩益禧肖特電子零件有限公司