開關管的製作方法及開關管的蝕刻設備的製作方法

2023-06-29 01:54:26 2

專利名稱：開關管的製作方法及開關管的蝕刻設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示技術領域，特別是涉及一種開關管的製作方法及開關管的蝕刻設備。
背景技術：
在TFT (Thin Film Transistor,薄膜電晶體)的製作工藝中，5次光刻工藝相對於7次光刻工藝而言，其生產周期更短，成品率更高，能夠有效減少TFT陣列形成的曝光次數，因此，在現代TFT-IXD的生產過程中，通常採用5次光刻工藝來完成TFT的製作。5次光刻工藝一般分為背溝道蝕刻型(Back channel Etching TFT)和背溝道阻擋型(Etch StopTFT),而背溝道蝕刻型相對背溝道阻擋型其製程更簡單，更適合大批量生產。如圖I所示，採用背溝道蝕刻型工藝製作TFT的過程中，在玻璃基板I上依次形成TFT的柵極2、絕緣層3、a-Si層4、n+a-Si層5以及源漏極6之後，對a_Si層4和n+a-Si層5進行蝕刻以形成TFT的溝道7。其中，在TFT的溝道7的蝕刻過程中，主要採用一步蝕刻的方法，使用同樣的氣體流量，同樣的功率和同樣的壓力去蝕刻a-Si層4和n+a-Si層5，即一步完成對a_Si層4和n+a-Si層5的蝕刻，並且在過蝕刻時也採用同樣的參數進行蝕刻，使得在整個溝道7的蝕刻過程中蝕刻的能量都較強勁，溝道7會受到幹法蝕刻等離子體的轟擊，a-Si層4容易受到破壞，進而導致TFT電性不良；其次，在形成溝道7後，溝道7是裸露在最外面的，在形成保護氮化娃CVD (Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積)的過程中，由於溝道7的裸露，使得溝道7會受到來自CVD等離子體的轟擊，進一步導致TFT電性性能更差。

發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種開關管的製作方法及開關管的蝕刻設備，能夠減小對開關管的損傷，提高開關管的電性性能。為解決上述技術問題，本發明採用的一個技術方案是提供一種開關管的製作方法，包括在玻璃基板上依次形成開關管的控制電極、絕緣層、有源層以及源漏金屬層；將源漏金屬層進行圖案化處理以暴露有源層，並相應形成開關管的輸入電極和輸出電極；對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻以形成開關管的溝道。其中，有源層包括鄰近絕緣層的非晶矽層以及形成於非晶矽層之上的n+非晶矽層；將源漏金屬層進行圖案化處理以暴露有源層的步驟包括將源漏金屬層進行圖案化處理以暴露n+非晶娃層。其中，對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的步驟包括使用具有第一能量的等離子體蝕刻暴露的n+非晶矽層以暴露非晶矽層；使用具有第二能量的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層以除去部分非晶矽層，第二能量小於第一能量，進而逐步降低蝕刻速度。其中，使用具有第二能量的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層的步驟包括減小產生
4等離子體所需的功率以使用具有第二能量的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層。其中，對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的步驟包括使用具有第一濃度的等離子體蝕刻暴露的n+非晶矽層以暴露非晶矽層；使用具有第二濃度的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層以除去部分非晶矽層，第二濃度小於第一濃度，進而逐步降低蝕刻速度。其中，使用具有第二濃度的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層以除去部分非晶矽層的步驟包括降低產生等離子體的蝕刻氣體的氣體流量以使用具有第二濃度的等離子體蝕刻暴露的非晶娃層。為解決上述技術問題，本發明採用的另一個技術方案是提供一種開關管的蝕刻設備，蝕刻設備用於在開關管的製作過程中對開關管的有源層進行蝕刻，其中，包括蝕刻裝置，用於對開關管的有源層進行蝕刻以形成開關管的溝道；控制裝置，用於控制蝕刻裝置的蝕刻速度，以使蝕刻裝置以逐步降低蝕刻速度的方式對有源層進行蝕刻。其中，有源層包括非晶矽層以及形成於非晶矽層之上的n+非晶矽層；控制裝置具體用於控制蝕刻裝置產生具有第一能量的等離子體，以使用具有第一能量的等離子體蝕刻η+非晶矽層，以暴露非晶矽層；在暴露非晶矽層之後，控制裝置具體用於控制蝕刻裝置產生具有第二能量的等離子體，以使用具有第二能量的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層，以除去部分非晶矽層，第二能量小於第一能量，進而逐步降低蝕刻速度其中，控制裝置包括第一控制模塊，第一控制模塊用於控制蝕刻裝置產生等離子體所需的功率，以使得蝕刻裝置產生不同能量的等離子體。其中，有源層包括非晶矽層以及形成於非晶矽層之上的η+非晶矽層；控制裝置具體用於控制蝕刻裝置產生具有第一濃度的等離子體，以使用具有第一濃度的等離子體蝕刻η+非晶矽層，以暴露非晶矽層；在暴露非晶矽層之後，控制裝置具體用於控制蝕刻裝置產生具有第二濃度的等離子體，以使用具有第二濃度的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層，以除去部分非晶矽層，第二濃度小於第一濃度，進而逐步降低蝕刻速度。本發明的有益效果是本發明開關管的製作方法中，在形成開關管的溝道的過程中，以逐步降低蝕刻速度的方式對有源層進行蝕刻，而不是一步完成蝕刻過程，在逐步減小蝕刻速度的過程中，使得對有源層的蝕刻強度也在逐漸變小，由此能夠降低對溝道的損傷，提高開關管的電性性能和可靠性。


圖I是現有技術中採用一步蝕刻的方法製作的TFT薄膜電晶體的結構示意圖；圖2是本發明開關管的製作方法的一實施方式的流程圖；圖3是本發明開關管的製作過程的一實施方式的示意圖；圖4是圖2中對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的一實施方式的流程圖；圖5是本發明開關管的製作過程中對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的一實施方式的示意圖；圖6是圖2中對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的另一實施方式的流程圖7是圖2中對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的又一實施方式的流程圖；圖8是本發明開關管的製作過程中對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的另一實施方式的示意圖；圖9是本發明開關管的蝕刻設備的一實施方式的結構示意圖。
具體實施例方式下面將結合附圖和實施方式對本發明進行詳細描述。參閱圖2和圖3，本發明開關管的製作方法的一實施方式中，包括步驟步驟101 :在玻璃基板10上依次形成開關管的控制電極11、絕緣層12、有源層13以及源漏金屬層14。開關管為三端式控制開關，為了清楚表述本發明開關管的製作過程，結合圖3所示的製作過程示意圖進行說明。如圖3所示，子步驟Sll中，首先將玻璃基板10清洗乾淨並烘乾後，在玻璃基板10上濺射一金屬層，將該金屬進行圖案化處理以形成開關管的控制電極11。之後，在控制電極11上依次形成絕緣層12、有源層13以及源漏金屬層14。其中，絕緣層12 —般採用氮化矽，用於阻隔有源層13和控制電極11，使得開關管具有較高的輸入電阻；有源層13主要是用於實現開關管的通電導通而斷電斷開的控制作用；源漏金屬層14用於形成開關管的輸入電極和輸出電極，其一般採用鋁合金、金屬鋁或金屬鉻製作。步驟S102 :將源漏金屬層14進行圖案化處理以暴露有源層13，並相應形成開關管的輸入電極141和輸出電極142。對應圖3的子步驟S12中，對源漏金屬層14進行塗布光刻膠、曝光、蝕刻、剝離光刻膠等圖案化工藝製程後，以相應形成開關管的輸入電極141和輸出電極142，並暴露出部分有源層13。本實施方式的有源層13具體包括鄰近絕緣層12的非晶矽層(a-Si層)131和形成於非晶矽層131之上的n+非晶矽層(n+a-Si層)132，其中，非晶矽層131是開關管的核心層，開關管的電學特性和功能主要由這一層的質量決定，n+非晶矽層132是為了提高和改善非晶矽層131與輸入電極141、輸出電極142之間的歐姆結合而製作的半導體摻雜層。形成開關管的輸入電極141和輸出電極142後暴露相應的部分η.非晶娃層132。其中，本實施方式的開關管可以是薄膜電晶體，開關管的控制電極11對應為薄膜電晶體的柵極，開關管的輸入電極141和輸出電極142對應為薄膜電晶體的源極和漏極。當然，開關管還可以是其他的三端式控制開關，如三極體等，此處不進行限定。步驟S103 :對暴露的有源層13以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻以形成開關管的溝道15。對應於圖3的子步驟S13，採用逐步降低蝕刻速度的方式對有源層13進行幹法蝕刻，以形成開關管的溝道15。本實施方式中，採用等離子體幹蝕刻方式對有源層13進行蝕刻。等離子體幹蝕刻是以物理濺射為主併兼有化學反應的過程，其主要是利用有化學反應性氣體產生具有化學活性的等離子體，使經過電場加速的高能等離子體轟擊被蝕刻材料，以除去不需要的材料。具體地，本實施方式對有源層13的幹法蝕刻分兩步進行，並且通過逐步降低等離子體的能量的方式來逐步降低蝕刻速度，參閱圖4和圖5，對暴露的有源層13以逐步降低蝕
6刻速度的方式進行蝕刻的具體步驟包括步驟S201 :使用具有第一能量的等離子體蝕刻暴露的n+非晶矽層132以暴露非晶娃層131。在步驟S102中對源漏金屬層14進行圖案化處理後暴露了有源層13中的n+非晶矽層132。對應於圖5中的子步驟S21，本步驟S201為有源層13的第一次蝕刻，對暴露的n+非晶矽層132進行等離子體轟擊以除去部分的n+非晶矽層132，從而暴露出位於對應除去的n+非晶矽層132之下的非晶矽層131。其中，除去n+非晶矽層132的等離子體具有第一能量。通過調整等離子體發生設備的相關參數，例如調整產生等離子體的功率密度參數，可使等離子體得到相應的轟擊能量以蝕刻有源層13，而第一能量所對應的功率密度的範圍可以為上射頻源(Source RF)功率密度範圍在O. 07 O. Iff/cm2之間，例如可以是O. 08W/cm2，而下射頻源(Bias RF)功率密度範圍在O. 05、. 08ff/cm2之間，例如可以是O. 07W/cm2，具體地可根據實際需要進行調整，此處不進行限制。步驟S202 :使用具有第二能量的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層131以除去部分非晶矽層131，第二能量小於第一能量，進而逐步降低蝕刻速度。在步驟S201中完成對有源層13的第一次蝕刻之後，暴露出位於η.非晶矽層132之下的非晶矽層131，開始進行有源層13的第二次蝕刻。參閱圖5中的子步驟S22，通過調整產生等離子體所需的功率密度參數，使蝕刻用的等離子體得到第二能量以對暴露的非晶矽層131進行第二次蝕刻，以除去部分非晶矽層131，從而形成開關管的溝道15。具體地，第二能量所對應的功率密度的範圍可以為上射頻源功率密度範圍在O. 05、. 07ff/cm2之間，例如可以是O. 05W/cm2，而下射頻源功率密度範圍在O. 03、. 05ff/cm2之間，例如可以是O. 04W/cm2，具體地可根據實際需要進行調整。其中，第二能量小於第一次蝕刻時的第一能量，從而逐步降低對有源層13的蝕刻速度，以避免第二次蝕刻時等離子體能量過高而對非晶矽層131造成損壞。而對於具有第二能量的等離子體，可通過減小等離子體發生設備在產生等離子體時所需的功率來獲取。舉例而言，在對暴露的有源層13進行蝕刻之前，暴露的n+非晶矽層132的厚度為400埃，非晶矽層131的厚度為1300埃。等離子體發生設備為雙射頻源等離子體蝕刻設備。對有源層13進行第一次蝕刻時，即對暴露的n+非晶矽層132進行蝕刻，等離子體發生設備產生等離子體的上射頻源功率為4000W，下射頻源功率為3000W，從而使得產生的等離子體得到相應的第一能量，蝕刻時間設置為20秒，以保證n+非晶矽層132蝕刻乾淨，儘可能少的殘留在非晶矽層131上。完成第一次蝕刻後，進行有源層13的第二次蝕刻，即蝕刻暴露的非晶矽層131。此時將等離子體發生設備產生等離子體的上射頻源功率調整為3000W，下射頻源功率調整為2500W，相對於第一次蝕刻時的功率有所減小，從而使得產生的等離子體的第二能量小於第一能量，進而使得第二次蝕刻的速度小於第一次蝕刻的速度。將第二次蝕刻的時間設置為15秒，在完成第二次蝕刻後，形成了開關管的溝道15，而殘留的非晶矽層131的厚度也變為950埃左右。當然，除了調整產生等離子體所需的功率參數以控制等離子體的能量外，還可以通過調整影響等離子體的能量的其他參數來控制等離子體能量，使等離子體的第二能量小於第一能量，具體的可根據實際情況進行選擇。通過上述方式，將有源層13的蝕刻分為兩步進行，而不是一步完成，並且兩步蝕刻中通過逐步減小產生等離子體所需的功率使第二次蝕刻的等離子體能量小於第一次蝕刻的等離子體能量，從而減小了第二次蝕刻時等離子體轟擊非晶矽層131的能量，能夠減少等離子體的能量過高而對非晶矽層131造成的損傷，提高了開關管的電性性能和可靠性。此外，等離子體的濃度大小也會影響等離子體蝕刻的速度，對於逐步降低蝕刻速度，也可以採用逐步降低等離子體濃度的方式進行。具體為，參閱圖6，並結合圖5，對暴露的有源層13以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的具體步驟包括步驟S301 :使用具有第一濃度的等離子體蝕刻暴露的n+非晶矽層以暴露非晶矽層。此步驟為對有源層13進行的第一次蝕刻，蝕刻用的等離子體的濃度為第一濃度，以對暴露的η+非晶矽層132進行蝕刻。步驟S302 :使用具有第二濃度的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層以除去部分非晶矽層，第二濃度小於第一濃度，進而逐步降低所述蝕刻速度。對有源層13進行第二次蝕刻，本實施方式中，降低等離子體的濃度，以使用比第一濃度更小的等離子體濃度蝕刻暴露的非晶矽層131。具體地，通過降低等離子體發生設備中產生等離子體的蝕刻氣體的氣體流量以此降低等離子體的濃度。等離子體的濃度降低，在進行有源層13的第二次蝕刻時，使得蝕刻速度比第一次蝕刻的蝕刻速度小。除了採用降低蝕刻氣體的氣體流量來降低等離子體濃度外，本實施方式還可以通過降低產生等離子體的腔體壓力來降低等離子體的濃度，使第二濃度小於第一濃度，此處不進行具體限制。本實施方式在對有源層13進行兩步蝕刻的過程中，通過降低蝕刻氣體的氣體流量來降低等離子體的濃度，使第二濃度小於第一濃度，以逐步降低蝕刻有源層13的速度，能夠減小對非晶娃層131的損傷，提聞開關管的電性性能。在上述實施方式中，對有源層13的幹法蝕刻分兩步進行，在這兩步蝕刻步驟的過程中，在進行第二步蝕刻(即對有源層13的第二次蝕刻)可以通過降低等離子體的能量或降低等離子體的濃度來實現逐步降低蝕刻速度，也可以通過同時降低等離子體的能量和等離子體的濃度來實現，對此不進行具體限制。在另一實施方式中，也可以分三步步驟進行蝕亥IJ。具體地，參閱圖7和圖8，在對暴露的有源層23以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的過程中，包括步驟步驟S401 :使用具有第一能量的等離子體蝕刻暴露的η+非晶矽層232以暴露非晶娃層231。此步驟為有源層23的第一次蝕刻，對應於圖7的子步驟S31，主要是除去η.非晶矽層232，從而暴露出非晶矽層231。步驟S402 :使用具有第二能量的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層231以除去部分非晶矽層231，第二能量小於第一能量。完成第一次蝕刻後，通過等離子體發生設備獲得具有第二能量的等離子體對非晶矽層231進行蝕刻以除去部分的非晶矽層231，如圖7中的子步驟S32所示一樣。並且，調整等離子體發生設備的相關參數，減小產生等離子體所需的功率，使第二能量小於第一能量，以減小蝕刻速度。
步驟S403 :使用具有第三能量的等離子體蝕刻部分剩餘的非晶矽層231以除去剩餘的部分非晶矽層231，第三能量小於第二能量，進而逐步降低蝕刻速度。本步驟為對有源層23的第三蝕刻，對應於圖7的子步驟S33，即過蝕刻剩餘的非晶矽層231以除去剩餘的部分非晶矽層231，從而形成開關管的溝道24。其中，本實施方式中，在完成步驟S302的第二次蝕刻之後，再次減小等離子體發生設備產生等離子體所需的功率，以獲得具有第三能量的等離子體，使得第三能量小於第二能量，進而減小等離子體轟擊剩餘的非晶矽層231的能量，由此能夠減小對非晶矽層231的損傷，提高開關管的可靠性。當然，在上述三個步驟中，也可以通過逐步降低等離子體的濃度以逐步降低蝕刻速度，每個步驟中採用的等離子體濃度不相同，且後一步驟中的等離子體濃度小於前一步驟中的等離子體濃度，具體的實現方式可參考上述實施方式進行，在此不進行一一贅述。此外，上述三個步驟中，也可以同時降低等離子體能量和等離子體濃度來逐步降低蝕刻速度，，對此也不進行具體限制。參閱圖9，本發明還提供開關管的蝕刻設備的一實施方式，其中，本實施方式的開關管為上述各實施方式所述的開關管，蝕刻設備用於在開關管的製作過程中對開關管的有源層進行蝕刻。具體地，結合圖3所示的開關管，蝕刻設備包括蝕刻裝置41和控制裝置42。蝕刻裝置41用於對開關管的有源層13進行蝕刻以形成開關管的溝道16，控制裝置42用於控制蝕刻裝置41的蝕刻速度，以使得蝕刻裝置41以逐步降低蝕刻速度的方式對有源層13進行蝕刻。其中，有源層13包括非晶矽層131和n+非晶矽層132。控制裝置42具體用於控制蝕刻裝置41產生具有第一能量的等離子體，以使用具有第一能量的等離子體蝕刻n+非晶矽層132，從而暴露非晶矽層131。在暴露非晶矽層131之後，控制裝置42具體用於控制蝕刻裝置41產生具有第二能量的等離子體，以使用具有第二能量的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層131，以除去部分非晶矽層。並且，使第二能量小於第一能量，進而逐步降低蝕刻速度。 進一步地，控制裝置42包括第一控制模塊421，第一控制模塊421用於控制蝕刻裝置41產生等離子體所需的功率。在蝕刻完η.非晶矽層132之後，第一控制模塊421控制蝕刻裝置41減小產生等離子體所需的功率，以使得蝕刻裝置41產生具有第二能量的等離子體，並使得第二能量小於第一能量，從而降低蝕刻速度。當然，還可以通過控制蝕刻裝置41所產生的等離子體的濃度來逐步降低蝕刻速度。此時，控制裝置42還包括第二控制模塊422，第二控制模塊422用於控制蝕刻裝置41產生的等離子體的濃度。在蝕刻完η+非晶矽層132之後，第二控制模塊422控制蝕刻裝置41減小等離子體的濃度，以使得蝕刻裝置41產生具有第二濃度的等離子體，並使得第二濃度小於第一濃度，從而降低蝕刻速度。通過上述方式，本實施方式的開關管的蝕刻設備對開關管的有源層13以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻，能夠降低對非晶矽層131的損傷，進而提高開關管的電性性能和可靠性。以上所述僅為本發明的實施方式，並非因此限制本發明的專利範圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護範圍內。
權利要求
1.一種開關管的製作方法，其特徵在於，包括在玻璃基板上依次形成開關管的控制電極、絕緣層、有源層以及源漏金屬層；將所述源漏金屬層進行圖案化處理以暴露有源層，並相應形成所述開關管的輸入電極和輸出電極；對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻以形成開關管的溝道。
2.根據權利要求I所述的方法，其特徵在於，所述有源層包括鄰近所述絕緣層的非晶矽層以及形成於所述非晶矽層之上的n+非晶娃層;所述將所述源漏金屬層進行圖案化處理以暴露有源層的步驟包括將所述源漏金屬層進行圖案化處理以暴露所述n+非晶矽層。
3.根據權利要求2所述的方法，其特徵在於，所述對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的步驟包括使用具有第一能量的等離子體蝕刻暴露的n+非晶矽層以暴露非晶矽層；使用具有第二能量的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層以除去部分所述非晶矽層，所述第二能量小於第一能量，進而逐步降低所述蝕刻速度。
4.根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，所述使用具有第二能量的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層的步驟包括減小產生等離子體所需的功率以使用具有第二能量的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層。
5.根據權利要求2所述的方法，其特徵在於，所述對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻的步驟包括使用具有第一濃度的等離子體蝕刻暴露的n+非晶矽層以暴露非晶矽層；使用具有第二濃度的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層以除去部分所述非晶矽層，所述第二濃度小於第一濃度，進而逐步降低所述蝕刻速度。
6.根據權利要求5所述的方法，其特徵在於，所述使用具有第二濃度的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層以除去部分所述非晶矽層的步驟包括降低產生等離子體的蝕刻氣體的氣體流量以使用具有第二濃度的等離子體蝕刻暴露的非晶矽層。
7.一種開關管的蝕刻設備，所述蝕刻設備用於在開關管的製作過程中對開關管的有源層進行蝕刻，其特徵在於，包括蝕刻裝置，用於對開關管的有源層進行蝕刻以形成所述開關管的溝道；控制裝置，用於控制所述蝕刻裝置的蝕刻速度，以使所述蝕刻裝置以逐步降低蝕刻速度的方式對有源層進行蝕刻。
8.根據權利要求7所述的設備，其特徵在於，所述有源層包括非晶矽層以及形成於所述非晶矽層之上的n+非晶矽層；所述控制裝置具體用於控制所述蝕刻裝置產生具有第一能量的等離子體，以使用所述具有第一能量的等離子體蝕刻n+非晶矽層，以暴露所述非晶矽層；在暴露所述非晶矽層之後，所述控制裝置具體用於控制所述蝕刻裝置產生具有第二能量的等離子體，以使用所述具有第二能量的等離子體蝕刻所述暴露的非晶矽層，以除去部分非晶矽層，所述第二能量小於第一能量，進而逐步降低所述蝕刻速度。
9.根據權利要求8所述的設備，其特徵在於，所述控制裝置包括第一控制模塊，所述第一控制模塊用於控制所述蝕刻裝置產生等離子體所需的功率，以使得所述蝕刻裝置產生不同能量的等離子體。
10.根據權利要求7所述的設備，其特徵在於，所述有源層包括非晶矽層以及形成於所述非晶矽層之上的n+非晶矽層；所述控制裝置具體用於控制所述蝕刻裝置產生具有第一濃度的等離子體，以使用所述具有第一濃度的等離子體蝕刻n+非晶矽層，以暴露所述非晶矽層；在暴露所述非晶矽層之後，所述控制裝置具體用於控制所述蝕刻裝置產生具有第二濃度的等離子體，以使用所述具有第二濃度的等離子體蝕刻所述暴露的非晶矽層，以除去部分非晶矽層，所述第二濃度小於第一濃度，進而逐步降低所述蝕刻速度。
全文摘要
本發明公開了一種開關管的製作方法，包括在玻璃基板上依次形成開關管的控制電極、絕緣層、有源層以及源漏金屬層，對源漏金屬層進行圖案化處理後暴露有源層，之後對暴露的有源層以逐步降低蝕刻速度的方式進行蝕刻以形成開關管的溝道。本發明還公開一種開關管的蝕刻設備。通過上述方式，本發明能夠減小對開關管溝道的損傷，提高開關管的可靠性。
文檔編號H01L21/336GK102938379SQ20121047682
公開日2013年2月20日 申請日期2012年11月21日 優先權日2012年11月21日
發明者闕祥燈 申請人:深圳市華星光電技術有限公司