發光特性良好的等離子體顯示面板的製作方法
2023-06-07 20:21:41
專利名稱：發光特性良好的等離子體顯示面板的製作方法
技術領域：
本發明涉及在彩色電視接收機的顯示器等中使用的等離子體顯示面板。
背景技術：
近年來，對以高清晰度為首要目標的高品位、大畫面的電視的要求越來越高，其中，在CRT、液晶顯示器(以下，記為LCD)、等離子體顯示面板(以下，記為PDP)等各顯示領域中，適合於要求的產品的開發正在進行中。
迄今為止作為電視的顯示器廣泛地使用的CRT在在解析度、圖像質量方面良好，但伴隨畫面的變大，深度和重量都變大，這一點在40英寸以上的大畫面的情況下是不適合的。此外，LCD具有功耗少、驅動電壓也低的優良的性能，但在製作大畫面方面，在技術上存在困難。
與此不同，PDP能用小的深度來實現大畫面，在市場上已在出售50英寸級的製品。
PDP可大致分為直流型(DC型)和交流型(AC型)，現在適合於大型化的AC型正在成為主流。
在用RGB進行彩色顯示的一般的交流面放電型PDP中，隔開一定間隔平行地配置前覆蓋板和後板，在前覆蓋板上將顯示電極配置成條狀，從其上起覆蓋了由鉛玻璃構成的電介質層。另一方面，在後板上，在與顯示電極正交的方向上將尋址電極和間壁配置成條狀，在間壁間的間隙中配置了紅、綠、藍的紫外線激勵螢光體層。而且，在被兩板間的間壁隔開的放電空間內封入了放電氣體。
作為放電氣體的組成，一般使用氦[He]與氙[Xe]的混合氣體系列或氖[Ne]與氙[Xe]的混合氣體系列，關於其封入壓力，考慮將放電電壓抑制到250V以下，通常將其設定為100～500Torr(約10～70KPa)的範圍內(例如參照M.Nobrio，T.Yoshioka，Y.Sano，K.Nunomura，SID94』Digest 727～730，1994)。
PDP的發光原理基本上與螢光燈相同，通過對顯示電極施加電壓來發生通常的輝光放電，從Xe發生紫外線(Xe共振線，波長為147nm)，使螢光體產生激勵發光，但由於放電能量的變成紫外線的變換效率或變成螢光體中的可見光的變換效率差，故難以如螢光燈那樣得到高的亮度。
關於這一點，在「應用物理Vol.51，No.3，1982年，p.344～347」中記載了，在He-Xe，Ne-Xe系列的氣體組成的PDP中，被供給的電能量只有約2％被利用於紫外線發射，最終被利用為可見光的約為0.2％(參照「光學技術通信，Vol.34，No.1，1996年，p.25」，「FLATPANEL DISPLAY(平板顯示器)96』Part5-3」，「NHK技術研究第31卷第1號昭和54年p.18」)。
根據這樣的背景，在PDP中希望有與以往相比以高亮度來顯示的技術。
例如，在現在的40～42英寸級的電視用的PDP中，在NTSC的像素水平(像素640×480個，單元間距0.43mm×1.29mm，1單元的面積0.55mm2)的情況下，得到了約1.2lm/w和400cd/m2的面板效率和畫面亮度(例如，「FLAT-PANEL DISPLAY 1997 Part5-1P198」)，但希望能達到與CRT相近的約3～5lm/w和500cd/m2的水平。
此外，一般來說，在PDP那樣的顯示器中，也希望實現高精細化。在PDP中，通過將間壁間距或電極間距離設定得小，可實現高精細化，但如果實現高精細化，則發光面積變小，亮度下降。因而，在PDP中，進一步希望有在使發光效率提高以實現高亮度的同時、將放電電壓抑制得較低的技術。
例如，在近年來被期待的全規格的42英寸級的高清晰度電視中，像素數為1920×1125，單元間距為0.15mm×0.48mm。此時，1單元的面積為0.072mm2，與NTSC的情況相比，為1/7～1/8。由於存在單元面積越小發光量越少的趨勢，故在用以往那樣的單元結構作成42英寸的高清晰度電視用的PDP的情況下，預期發光效率降低為約0.15～0.17lm/w，亮度降低為約50～60cd/m2。
因而，在42英寸的高清晰度電視用的PDP中，如果打算得到與現行的NTSC的CRT相近的亮度(500cd/m2)，則必須使發光效率提高到10倍以上(5lm/w以上)(例如，參照「FLAT-PANEL DISPLAY1997 Part5-1 P.200」)。
發明的公開本發明的目的在於，在PDP中，與以往的PDP相比，使亮度、發光效率大幅度地提高。
為此，在本發明的PDP中，將面板結構設定成，通過對顯示電極對之間施加放電維持電壓有選擇地在電介質層中蓄積了電荷的放電空間中發生放電時，在放電空間中發生換算電場強度為37V/cm·KPa以上的電場。
再有，在放電空間中發生的電場強度在放電空間中並不是均勻的，而是在每個空間區域中不同，但在電場強度最大的空間區域中為37V/cm·KPa以上即可。
在此，在上述的顯示電極對之間施加的放電維持電壓是只在電介質層中蓄積了壁電荷的放電空間中發生放電、在電介質層中沒有蓄積壁電荷的放電空間中不發生放電的電壓，是比在全部的放電空間中發生放電的「放電開始電壓」低的電壓。
在具有上述那樣的面板結構的PDP中，由於在驅動時在放電空間內發生換算電場強度為37V/cm·KPa以上那樣的與以往的PDP相比強的電場，故可得到與以往的PDP相比好很多的面板亮度和發光效率。
作為其主要的原因之一，可舉出以下2點原因，即，在以往的PDP中，在放電時在放電空間內發生的紫外線主要是波長為147nm的Xe共振線，而通過如上述那樣發生強電場，在放電空間內發生高能量的電子，與此相隨，發生大量的波長為173nm的Xe受激準分子(分子線)，以及，關於螢光體的對於紫外線的激勵效率(發射效率)，對於Xe分子線的激勵效率比對於Xe共振線的激勵效率大很多。
但是，在PDP的面板結構中，決定在各電極對之間在放電時在放電空間內發生的電場的強度的因素主要是，顯示電極對間的間隙、電介質層的厚度和介電常數、在放電空間內封入了的Xe量。因而，為了實現37V/cm·KPa以上那樣的高的換算電場強度，適當地設定這些各構成要素是有效的，具體地說，最好如下述那樣來設定各構成要素，還最好將這些設定組合起來。
關於在放電空間內包含的Xe量，最好使放電氣體中的Xe含量為5％以上，使其封入壓力比現有的一般的封入壓力大，為66。5KPa以上至200KPa以下。
關於電介質層的厚度，最好比現有的一般的厚度薄，設定為3～35微米。在此所說的厚度，是在電介質層中構成對的顯示電極中在彼此相對的部分上形成的部分的厚度。
再有，雖然該電介質層的厚度越小越有效，但考慮絕緣耐壓，希望在金屬電極上將電介質層的厚度定為10微米以上。
關於電極對間的間隙，最好在面對放電空間之處設定為20～90微米。
此外，為了進一步提高PDP的發光效率，將電介質層的介電常數設定成比作為現有的一般的介電常數的11～13低、即6～11的範圍內是有效的。此外，在顯示電極對由Ag電極或Cr-Cu-Cr電極那樣的金屬電極構成的情況下，最好將電介質層的介電常數設定在6～9的範圍內。
這是因為，如果電介質層的介電常數低，則面板的電容量(將PDP看作電容器時的電容)小。由於在驅動電路中的功耗與面板的電容大致成比例，故面板的電容越低、驅動電路中的功耗就越低。
特別是，如上所述在將電介質層的厚度設定為小到35微米以下的情況下，由於存在電容變大的趨勢，故最好調整成通過將電介質層的介電常數設定得較小(6～11)，以便不使面板的電容變大。
在此，如果將電介質層作成2層以上的多層結構，則通過各層的厚度或各層中使用的電介質材料的選擇，由於可容易地設定電介質層整體的介電常數，故如上所述，也可容易地將電介質層的介電常數調整為6～11或6～9的範圍內。
此外，使一對顯示電極的形狀彼此不同而成為非對稱，或在其至少一方上相對於對面的顯示電極形成突出的凸部，在增強電場強度、增加紫外線的發光量、使PDP的亮度、發光效率進一步提高方面是有效的。
附圖的簡單說明
圖1是示出本發明的實施形態的交流面放電型PDP的主要結構的斜視圖。
圖2是示出將驅動電路連接到上述PDP上的PDP顯示裝置的結構圖。
圖3是示出在驅動上述PDP時對各電極施加脈衝的時序的時序圖的一例。
圖4是圖1中示出的PDP中的主要剖面圖。
圖5是示出在上述PDP中在用金屬電極形成了顯示電極時的一例的圖。
圖6是示出在上述PDP中只在配置總線電極的區域上配置了第2電介質層時的一例的圖。
圖7是示出在上述PDP中在顯示電極為非對稱時的一例的圖。
用於實施發明的最佳形態圖1是示出本發明的實施形態的交流面放電型PDP1的主要部分的斜視圖，在本圖中，部分地示出了PDP1的處於中央部的顯示區域。
該PDP1是這樣構成的，在前面玻璃基板11上配置了顯示電極(掃描電極12、維持電極13)、電介質層14、保護層15而構成的前面面板10和在背面玻璃基板21上配置了尋址電極22、電介質層23的背面面板20在使顯示電極12、13與尋址電極22相對的狀態下互相平行地隔開一定間隔地配置。而且，通過用條狀的間壁24隔開前面面板10與背面面板20的間隙，形成放電空間30，在該放電空間30內封入了放電氣體。
此外，在該放電空間30內，在背面面板20一側配置了螢光體層25。再有，以紅、綠、藍的順序重複排列了螢光體層25。
顯示電極12、13與尋址電極22都是條狀的，在與間壁24正交的方向上配置了顯示電極12、13，在與間壁24平行的方向上配置了尋址電極22。而且，在放電空間30的掃描電極12與尋址電極22交叉的部位(放電單元)中，以與螢光體的顏色相當的顏色發光。這樣，在PDP1中，成為將各色放電單元排列成矩陣狀的面板結構。
尋址電極22是金屬電極(例如，銀電極或Cr-Cu-Cr電極)，厚度例如為5微米。在40英寸級的高清晰度電視用PDP的情況下，相鄰的尋址電極22相互間的間隔設定為約0.2mm或在其之下。
顯示電極12、13也可作成在由ITO、SnO2、ZnO等的導電性金屬氧化物構成的寬度寬(例如，寬度150微米)的透明電極12a、13a上層疊了寬度窄(例如，寬度30微米)的總線電極12b、13b(銀電極、Cr-Cu-Cr電極)的電極結構，也可與尋址電極22同樣地只用金屬電極來形成。
一般來說，為了確保電極的電阻低且放電單元內的放電面積寬，當然最好將顯示電極12、13作成層疊電極，但只用金屬電極來形成顯示電極12、13的做法在減小面板的電容這一點或容易製造這一點上是有利的，特別是在精細的面板結構的情況下，可以說只用金屬電極來形成是較為理想的。
電介質層14是由覆蓋配置了前面玻璃基板11的顯示電極12的整個表面而配置的電介質物質構成的層，也可用PbO類低熔點玻璃或ZnO類低熔點玻璃、或將其組合起來的層疊物來形成。
保護層15是用氧化鎂(MgO)構成的薄層，覆蓋了電介質層14的整個表面。
電介質層23是與電介質層14相同的層，但混合了TiO2粒子，也兼有高效地使已發光的可見光反射到前面面板10一側的可見光反射層的作用。TiO2的對於電介質玻璃的混合量通常為10～30％。
間壁24由玻璃材料構成，突出地設置在背面面板20的電介質層23的表面上，其高度例如為100微米。
作為構成螢光體層25的螢光體材料的例子，可舉出以下的材料。
藍色螢光體BaMgAl10O17Eu3+或BaMgAl14O23Eu3+綠色螢光體Zn2SiO4Mn紅色螢光體(YxGd1-x)BO3Eu3+圖2是示出將驅動電路100連接到PDP1上的PDP顯示裝置的結構的圖。
如本圖中所示，將掃描驅動器102連接到掃描電極12上，將維持驅動器103連接到維持電極13上，將數據驅動器104連接到尋址電極22上，將面板控制電路101連接到這些各驅動器201～104上。而且，如以下所說明的那樣，按照面板控制電路101指示從各驅動器102～104對各電極12、13、22施加電壓。
在PDP1中，為了表現中間灰度，將1幀(1TV場)時分割為多個子幀(子場)被用於利用其組合表現的驅動方式(場內時分割灰度顯示方式)。
例如，在NTSC方式的電視圖像中，由於以每1秒間60幅場構成了圖像，故將1TV場的時間設定為16.7ms，一般來說，1TV場由8個子場構成，將各子場的點亮時間的比設定為1、2、4、8、16、32、64、128。而且，通過組合在各子場中的點亮/非點亮，以256階段來控制各放電單元的1TV場內的點亮時間(表現積累了被點亮的子場的點亮時間的灰度)。
圖3是在1個子場中對各電極施加脈衝的時序圖的一例。驅動電路100通過在1子場中進行以下一系列的工作來驅動PDP1。
在初始化期間中，通過對全部的掃描電極12一併地施加初始化脈衝，對全部的放電單元的狀態進行初始化。
在尋址期間中，一邊依次對掃描電極12施加掃描脈衝，一邊對尋址電極22…中的已被選擇的電極施加數據脈衝，由此，在打算使之點亮的放電單元的電介質層14上蓄積壁電荷，寫入1個畫面部分的像素信息。
在放電維持期間中，在規定的時間之間，一併地對全部的顯示電極12、13施加交流的電壓脈衝。
然後，在一度發生了放電的放電單元中，在規定的時間之間繼續發光而點亮，但在不發生放電的放電單元中，在規定的時間之間維持非點亮的狀態。這樣，通過有選擇地點亮放電單元來顯示圖像。
在放電維持期間的最後，通過對掃描電極12一併地施加寬度窄的擦除脈衝，擦除在各放電單元中留下的壁電荷。
在上述放電維持期間中，將對顯示電極12、13施加的電壓(將其記為「通常的維持電壓」)設定為，在寫入期間中蓄積了壁電荷的放電單元中，通過使電介質層表面的電位超過放電開始電壓來產生放電，另一方面，在沒有蓄積壁電荷的放電單元中不引起放電。
即，「通常的維持電壓」由PDP的面板結構決定其範圍，依賴於放電單元的尺寸、顯示電極的間隙、電介質層的厚度等。而且，一般來說，該「通常的維持電壓」是比放電單元的放電開始電壓低的電壓(放電開始電壓-50V～放電開始電壓的範圍)。
如果施加在顯示電極間的電壓比其高很多，則在打算點亮的放電空間以外也點亮了，另一方面，如果施加在顯示電極間的電壓比其低很多，則產生在打算點亮的放電空間內也點不亮的點亮不良。
再有，上述放電開始電壓可用下述的方法來測定，即，一邊用眼觀察PDP，一邊稍微使從面板驅動裝置對PDP的顯示電極對施加的電壓增加，讀取PDP的放電單元的一個或規定個數(例如3個)以上開始點亮時的施加電壓，將其作為放電開始電壓來記錄。
(用來在放電空間中使強電場發生的面板結構的特徵)圖4是圖1中示出的PDP中的主要剖面圖。
在本實施形態中的PDP1中，在各顯示電極12、13之間施加與上述「通常的維持電壓」相當的電壓時，將面板結構設定成在放電空間30內發生具有37V/cm·KPa以上的換算電場強度的強電場。
在PDP1的面板結構中，決定在顯示電極12、13之間在放電時在放電空間30內發生的電場強度的因素主要是，顯示電極12、13間的間隙、電介質層14的形狀、在放電空間30內封入了的Xe量。
為了發生高的電場強度的電場，增加放電氣體中的Xe的量、將顯示電極間的間隙d設置得小、將電介質層的厚度m設定得小、選擇介電常數小的材料作為電介質層中使用的材料這些做法是有效的。
考慮這些情況，在本實施形態中的PDP1中，如以下那樣來設定。
關於放電氣體的組成，使用迄今為止在PDP中一般使用的Ne-Xe系列、He-Ne-Xe系列、Ne-Xe-Ar系列氣體的某一種，但將放電氣體中的Xe含量設定為5％以上至90％以下。
而且，關於放電氣體的封入壓力，在現有的PDP中通常為約10～70KPa的範圍，而在PDP1中，設定為66.5KPa～200KPa的範圍。
關於電介質層14的厚度，設定為35微米以下。該厚度相對於在現有一般的PDP中電介質層的厚度約為40微米來說，是小的。
這裡所說的電介質層14的厚度是對於維持放電影響大的部分、即，在顯示電極12、13上彼此相對的尖端部分上的厚度(在顯示電極12、13為層疊電極的情況下，是透明電極12a、13a上的厚度)。
該厚度如薄的話，是有利的，更為理想的是使該厚度為25微米以下。但是，如果考慮絕緣耐壓，則希望使該厚度為3微米以上，在構成顯示電極12、13的金屬電極上，設定為10微米以上。即，在顯示電極12、13單獨由金屬電極構成的情況下，希望在顯示電極12、13上整體地為10微米以上，如圖4那樣在顯示電極12、13為層疊電極的情況下，希望在總線電極上設定為10微米以上。
關於電介質層的介電常數，在現有的PDP中，通常大多為11～13，但在PDP1中，設定為6以上至不到11的低值。
特別是，在如上所述地將電介質層14的厚度設定為小到35微米以下的情況下，由於存在面板的電容增加的趨勢，故最好合併使用以這種方式將電介質層14的介電常數設定得小(6～11)的做法，以抑制面板的電容的增加。
在此，所謂「電介質層的介電常數」，指的是顯示電極12、13上的電介質層14的介電常數。
關於顯示電極的間隙，在現有的PDP中，大多為約100微米，而在PDP1中，將顯示電極12、13的間隙設定為窄到20～90微米。
關於PDP1中的各顯示電極12、13的形狀，基本上為單純的帶狀，顯示電極12、13的間隙也是一樣的，但例如如後述的圖7中示出的例子那樣，也有顯示電極12、13的間隙是不一樣的情況。
此時，作為顯示電極12、13的間隙，重要的是經電介質層14面對放電空間30的部分(實際上產生放電的部分)的間隙，在與間壁24重疊的部分中由於與放電關係不大，故該部分的間隙不太重要。因而，在經電介質層14面對放電空間30的部分中，將顯示電極12、13的間隙設定為20～90微米即可。
為了在維持放電時在放電空間30內發生換算電場強度為37V/cm·KPa以上的強電場，可認為關於放電氣體的組成和封入壓力、電介質層14的厚度和介電常數、顯示電極12、13的間隙的全部，最好如上述那樣來設置。
但是，這些全部的設定條件不一定都是必要的，例如，由於如後述的圖7的情況那樣通過改進顯示電極的形狀也可容易地發生強電場，故即使不具備上述全部的設定條件，可認為也能得到換算電場強度為37V/cm·KPa以上的強電場。
利用這樣的PDP1的面板結構的設定，如果用驅動電路100在顯示電極12、13之間施加「通常的維持電壓」，則就在放電空間30內發生具有37V/cm·KPa以上的換算電場強度的強電場。而且，伴隨以這種方式發生強電場，可得到比現有的PDP良好的面板亮度和發光效率。
關於在放電空間30內發生的換算電場強度的上限，可認為沒有必要特別地規定，但在PDP中實際上測定了的換算電場強度，如實施例的表1中所記載的那樣，為300V/cm·KPa以下。
(放電空間內的電場強度與面板亮度和發光效率的關係)
如下述那樣來考察上述如果在維持放電時在放電空間30內可得到強電場(高的換算電場強度)，則與現有的PDP相比可得到良好的亮度和發光效率的原因。
在現有的一般的PDP中，關於在放電空間內在放電時發生的電場，可認為換算電場強度為30V/cm·KPa以下。此時，在放電時在放電空間內發生的紫外線主要是Xe共振線，該共振線在螢光體層中的激勵效率(發射效率)低。與此不同，如果在放電時在放電空間30內發生換算電場強度為37V/cm·KPa以上的強電場，則伴隨在放電空間30內發生高能量的電子，發生很多Xe受激準分子(分子線)，紫外線中的Xe受激準分子的比例超過Xe共振線的比例。
而且，該Xe受激準分子與Xe共振線相比，在螢光體層25中的激勵效率(發射效率)高很多。
即，由於Xe共振線中存在自身吸收，故難以照射到螢光體層上，此外，由于波長為短至147nm的波長，故在螢光體層中變換為可見光的效率也較低。與此不同，由於Xe受激準分子中的自身吸收少，故容易照射到螢光體層25上，此外，由于波長為約173nm的長波長，故在螢光體層25中變換為可見光的效率也高很多。於是，如果發生Xe受激準分子，則可得到發生Xe共振線時的約2倍或在其之上的激勵效率。
再有，關於如果發生強電場則容易發生受激準分子這一點，在電氣學會研究會資料(放電研究會小田昭紀等人ED-96-221，平成8年10月1日)中示出了，為了發生受激準分子，必須有高的能量和高的Xe濃度。此外，在Ushio技術情報志、Lightedge，No.11 1997年10月號，P.12～13中記載了，高電場強度和高氣壓是容易產生受激準分子的條件。
此外，關於紫外線中的分子線的比例越多、對螢光體照射紫外線時的激勵效率越高這一點，在文獻(參照「OplusE」，No.195，1996年2月，P.99～100)中示出了，在波長約140～200nm的範圍內，RGB各色的螢光體中的激勵光譜中顯示出波長越增加就越變高的趨勢。
此外，在PDP1中，由於如上所述將電介質層14的介電常數設定為6以上至不到11，故可將面板的電容抑制得較小。因而，相應地減少在驅動PDP1時的在驅動電路100中的功耗，這一點也有助於提高PDP的發光效率(參照「電氣學會論文集A，118卷15號平成10年pp.537～542」)。
再有，如果將電介質層14的介電常數設定得較低，則由於不僅在放電維持時、而且在尋址放電時，也減少驅動電路100的功耗，故在這一點上也有助於提高發光效率。
(關於換算電場強度和電介質層的介電常數的詳細的說明)關於換算電場強度，在已知文獻(放電手冊，第3部第2章，P.128～129)中也已說明，但在將電場強度設為E、將放電氣體的壓力設為p時，用E/p來表示換算電場強度。
而且，在將放電電壓設為Vs、將電極對的間隙設為d時，如下面的式1中所示，可從放電電壓Vs和pd積導出該換算電場強度E/p。
換算電場強度E/p(V/cm·KPa)＝Vs/(pd)…式1再有，在式1中出現的放電電壓Vs與pd積之間存在Pashen法則，在表示pd積與放電電壓Vs的關係的Paschen曲線中，已知存在表示放電電壓Vs為最小值的pd積(Paschen最小值)。
關於在PDP1的放電空間30內發生的電場的換算電場強度，基本上可使用上述式1的關係來計算。
所謂「在放電空間30內發生具有37V/cm·KPa以上的換算電場強度的強電場」這一點，不意味著在放電空間30的整個區域中必須是37V/cm·KPa以上的換算電場強度，而是意味著在電場強度最強的區域中可得到37V/cm·KPa以上的換算電場強度即可。這一點可根據圖4得到說明。
在圖4中，示出了通過在顯示電極對12、13之間施加電壓在放電空間30內發生電力線a1、a2、a3、a4的情況。在此，電力線的密度表示電場強度。
一般來說，在放電空間中放電時，在每個區域中電力線的密度都不同。在圖4中，在電力線a1、a2、a3、a4通過了的放電空間30內，在內側空間區域(電力線a1一側)中電力線的密度高(電場強度較高)、在外側空間區域(電力線a4一側)中電力線的密度低(電場強度較低)。
在此，如果在電場強度高的內側空間區域中可得到37V/cm·KPa以上的換算電場強度，則即使在外側空間區域中的換算電場強度不到37V/cm·KPa，與現有的PDP相比也能得到充分地良好的面板亮度和發光效率。
可使用LCR計(例如，Hewlett Packard公司制的4284A)來測定PDP1中的電介質層14的介電常數。
具體的測定方法是這樣的，連接在前面面板10上鄰接的多條顯示電極12、13，將其作為共用電極。其次，在電介質層14上形成Ag電極，使其覆蓋該共用電極，通過在該Ag電極與共用電極之間施加交流電壓(頻率10kHz)，來測定電介質層的靜電電容C(在LCR計上直接顯示該電容C)。
使用下述式2，從靜電電容C的測定值來計算電介質層14的介電常數ε。
C＝εS/m…式2(在此，S是共用電極的面積，m是電介質層14的厚度)(關於PDP1的效果)如以上已說明的那樣，在PDP1中，通過如上述那樣來設定放電氣體的組成和封入壓力、電介質層14的厚度和介電常數、顯示電極12、13的間隙，在維持放電時發生換算電場強度為37V/cm·KPa以上的電場，由此，可得到高的面板亮度和發光效率。
由於即使對於PDP1的放電開始電壓也可抑制得低至約150～190V，故可利用驅動電路100以與現有的PDP同等或比其低的驅動電壓來驅動，也可將功耗抑制得較低。
此外，雖然在實施例中要詳細地敘述，但現有的一般的PDP的面板亮度約為400cd/m2(參照文獻「FLAT-PANEL DISPLAY 1997，P198」)，而在PDP1中，可得到約800～1650cd/m2的面板亮度。即，在PDP1中，與現有的PDP相比，可得到約2倍～3倍、或更高的面板亮度。
(關於電介質層14的形態)如上述圖4中所示那樣，可作為單層來形成電介質層14，但通過按順序層疊互不相同的電介質材料來作成層疊了多層的多層結構。
雖然在製造方法的部分中還要說明，但如果用多層結構來形成電介質層14，則由於可調整各層的厚度的比率並可選擇在各層中使用的電介質材料，故可比較容易地設定電介質層14整體的介電常數。
在將電介質層14作成多層結構的情況下，可考慮將顯示電極12、13上的整體均勻地作成多層結構的形態和部分地作成多層結構的形態。
在圖5中，顯示電極12、13由金屬電極構成，作為電介質層14，示出了在整個前面玻璃基板11上形成了第1電介質層14a和第2電介質層14b的例子。這樣，在用金屬電極形成了顯示電極12、13的情況下，最好將電介質層14作成在整個顯示電極12、13的區域上均勻地層疊了第1電介質層14a和第2電介質層14b的結構。
另一方面，在顯示電極是層疊型的情況下，同樣可在整個顯示電極12、13的區域上均勻地層疊第1電介質層14a和第2電介質層14b，但也可以是以下示出的變例。
(電介質層14的變例)在圖6中，顯示電極12、13是在透明電極12a、13a上層疊了總線電極12b、13b的層疊型，作為電介質層，示出了配置了在整個前面玻璃基板11上配置的第1電介質層14a和在第1電介質層14a上只在配置了總線電極12b、13b的區域上配置的第2電介質層14b的例子。關於各層的厚度，例如，將第1電介質層14a的厚度設定為3～5微米，將第2電介質層14b的厚度設定為15～25微米。
通過以這種方式形成電介質層，可使總線電極12b、13b上的電介質層的厚度m1比沒有放置總線電極12b、13b的透明電極12a、13a上的電介質層的厚度m2厚。
由此，可起到以下那樣的效果。
在具有在透明電極12a、13a上配置了總線電極12b、13b的層疊型顯示電極12、13的PDP1中，在驅動時在掃描電極12與尋址電極22之間進行尋址放電時，雖然主要在總線電極12b與尋址電極22之間產生放電，但由於總線電極12b突出於透明電極12a上形成，故如果總線電極12b上的電介質層薄，就容易發生絕緣擊穿。
與此不同，在圖6的例子中，由於即使在電介質層14中也經重疊了第1電介質層14a和第2電介質層14b的厚度m2的部位進行尋址放電，故可避免在尋址放電時的絕緣擊穿，由此，可進行良好的寫入。
另一方面，在掃描電極12與維持電極13間進行了維持放電時，雖然主要在透明電極12a與透明電極12a之間產生放電，但該放電即使在電介質層14中也經只存在第1電介質層14a的部位(厚度m1)來進行。即，由於在維持放電時主要經電介質層的厚度小的部位進行放電，故可在放電單元內得到高的電場強度。因此，可在放電單元中以高亮度發光。
(關於顯示電極的形狀)圖7是示出在PDP1中顯示電極12、13為非對稱形狀的例子的圖，是從背面面板20看前面面板10的正視圖。
圖中，用在上下方向上延伸的虛線記載了的帶狀的區域是間壁24所處的區域。用該間壁24和橫方向的虛線圍成的框內相當於1個放電單元。
在上述圖4的例子中，作為透明電極12a、13a沿總線電極12b、13b被形成為帶狀、顯示電極12、13為對稱形狀的結構進行了說明，但在該圖7中示出的例子中，使顯示電極12、13中的一方的形狀變形，成為彼此非對稱的形狀。
通過以這種方式使顯示電極12、13成為非對稱，在維持放電時在顯示電極12、13之間發生所謂的不平等電場，在放電單元內產生強的電場強度(參照「放電手冊，第3部第1章，P.115～124」)。
於是，如本例那樣使顯示電極對12、13成為非對稱的形狀這一點，對於在放電單元內產生強的電場方面是有利的。
具體地說，在圖7的例子中，在維持電極13中，將透明電極13a作成沿總線電極13b分布的島狀。而且，將島狀的各透明電極13a配置成從總線電極13b起相對於另一方的電極(掃描電極12)形成以針狀突出的凸部。
此時，凸部尖端與掃描電極12的間隙相當於顯示電極對之間的間隙。而且，如果在維持放電時在顯示電極12、13之間施加電壓，則靜電電荷集中於由透明電極13a形成的突出部的尖端，形成不平等電場。如果以這種方式形成不平等電場，則在放電單元內容易產生強的電場強度。
由透明電極13a形成的突出部的尺寸隨單元間距不同而不同，例如在42英寸的高清晰度電視用的PDP中，由於顯示電極寬度方向的單元間距約為480微米，故將由透明電極13a形成的凸部的突出量設定為約150微米是適度的，關於凸部的寬度，雖然約1微米是可以的，但如果也考慮容易製作，則設定在10～50微米的範圍內是適當的。
再有，在圖7的例子中，顯示電極13是層疊型的，突出部由透明電極13a形成，但在顯示電極13由金屬電極構成的情況下，如果在金屬電極本身上形成凸部，則也起到同樣的效果。
此外，在圖7的例子中，在各放電單元中各配置了1個突出部。也可在各放電單元中形成2個以上的該突出部，但為了提高靜電電荷的集中密度來提高電場強度，希望在各放電單元中只設置1個突出部。
(關於PDP1的製造方法)就上述PDP1的製造方法，說明其具體例。
前面面板10的製作在由鹼石灰玻璃構成的前面玻璃基板11(厚度2mm)的表面上形成顯示電極12、13。
在將顯示電極12、13作成透明電極與總線電極的層疊型的情況下，利用濺射法均勻地形成厚度為約0.12微米的ITO膜，其後，通過用光刻法構圖為條狀，形成透明電極12a、13a。接著，在前面玻璃基板11的整個表面上形成感光性的銀膏，用光刻法構圖為條狀，通過將其加熱到550℃對銀膏進行焙燒，在上述透明電極12a、13a上形成總線電極12b、13b。
在顯示電極12、13隻由金屬電極形成的情況下，可使用在整個面上塗敷感光性銀膏、通過用光刻法對其進行構圖來形成銀電極的方法或用濺射法在整個面上按順序形成Cu層、Cr層、Cr層、通過用光刻法對其進行構圖來形成Cu-Cr-Cr電極的方法。
其次，形成電介質層14。首先，說明電介質層14為單層的情況。
通過用3個輥混合具有約600℃以下的軟化點的電介質玻璃粉末(重量比55～70％)與一種粘結劑(重量比30～45％)來製造雙覆蓋用或印刷用膏，其中，上述粘結劑由乙基纖維素或丙烯酸樹脂和重量比1～20％的萜品醇或醋酸卡必丁醇的溶劑構成。
上述電介質玻璃粉末可通過對電介質玻璃材料進行粉碎來得到，但為了形成優質的電介質層，最好設定下述的粉碎條件，即，在該粉碎時使用溼式噴射研磨機(Nanomizer社制)，粉碎到平均粒徑為0.1微米～1.5微米，玻璃粉末的最大粒徑為平均粒徑的3倍以內。即，通過以這種方式粉碎玻璃材料，由於可防止在以後的焙燒時發生氣泡，故電介質層14的電性質變得均勻，也難以產生PDP驅動時的電介質層14的絕緣擊穿。
此外，在上述膏中，為了提高塗敷性能，根據需要可添加重量比0.1～0.5％的可塑劑。作為可塑材料，例如可舉出酞酸二辛酯、酞酸二丁基、磷酸三苯酯、磷酸三丁基等或分散劑、丙三醇單油酸酯、山梨糖醇酐倍半羥橋、homogenol(Kao Corporation社製品名)、烷基芳基的磷酸酯。然後，用雙覆蓋法或絲網印刷法在前面玻璃基板11上塗敷已製造的膏，在乾燥了後，在比電介質玻璃材料的軟化點稍高的溫度下進行焙燒。由此形成電介質層14。
為了如上所述將電介質層14的介電常數抑制得低到6～11，可用ZnO類玻璃作為電介質玻璃材料。這是因為，在迄今為止在電介質玻璃層中使用的PbO類玻璃中，電介質大多是介電常數較高的、即介電常數約為10～12的玻璃，而ZnO類玻璃的介電常數大多低到約7。
其次，在將電介質層14作成由第1電介質層14a和第2電介質層14b構成的二層結構的情況下，與上述的用單層形成的情況相同，形成第1電介質層14a，接著在其上用同樣的方法形成第2電介質層14b即可。
但是，在選定各電介質玻璃材料時，使第2電介質層14b的電介質玻璃材料的軟化點比第1電介質層14a的電介質玻璃材料的軟化點低，在對第2電介質層14b進行焙燒時，最好在比第1電介質層14a的電介質玻璃材料的軟化點低的溫度下進行焙燒。
作為第1電介質層14a的電介質玻璃材料的具體例，可舉出以軟化點為550℃～575℃、介電常數為9～11的PbO-B2O3-SiO2-Al2O3為主成分的PbO類玻璃或以軟化點為550℃～575℃、介電常數為6～7的ZnO-B2O3-SiO2-K2O-CuO為主成分的ZnO類玻璃。
作為第2電介質層14b的電介質玻璃材料的具體例，可舉出以軟化點為440℃～475℃、介電常數為9～13的PbO-B2O3-SiO2-CaO為主要成分的PbO類玻璃或以軟化點為450℃～480℃、介電常數為6～7的ZnO-B2O3-SiO2-K2O為主成分的ZnO類玻璃。
在選定第1電介質層14a的第2電介質層14b的各電介質玻璃材料時，如果使用介電常數低(介電常數約為7)的材料作為某-方的電介質玻璃材料，則即使使用介電常數高(介電常數約為11～13)的材料作為另一方的電介質玻璃材料，也可將電介質層14整體的介電常數抑制得較低(介電常數不到11)。
接著，在電介質層14上形成由MgO構成的保護層15。除了真空蒸鍍法或濺射法外，可利用CVD法(熱CVD法或等離子體CVD法)來形成該保護層15，厚度例如為1.0微米。如果利用CVD法來形成，則可形成(100)面或(110)面取向的MgO層。
背面面板20的製作在背面玻璃基板21(厚度2mm)的表面上形成尋址電極22。該尋址電極22可通過利用絲網印刷法以一定的間隔將銀膏塗敷為條狀後焙燒形成。
接著，在形成背面玻璃基板21的尋址電極22的一側的整個面上形成電介質層23。
與電介質層14同樣地形成電介質層23。例如，對於玻璃粉末(平均粒徑為0.1微米～3.5微米)，混合重量比為20％的TiO2(平均粒徑為0.1微米～0.5微米)，製作電介質玻璃膏，以厚度20～30微米塗敷該膏，通過在540℃～580℃下進行焙燒來形成。
其次，在電介質層23上在尋址電極22相互間使用玻璃材料形成間壁24。例如在重複地對玻璃膏進行了絲網印刷後，通過焙燒可形成該間壁24。
其次，在間壁24相互間的槽中形成螢光體層25。
在槽中塗敷包含紅色(R)螢光體、綠色(G)螢光體、藍色(B)螢光體的某一種的螢光油墨、通過乾燥、焙燒，可形成螢光體層25。
作為螢光體油墨的塗敷方法，也可使用絲網印刷法等的方法，但在精細的面板結構的情況下，如果使用通過一邊從極細的噴嘴噴出螢光體油墨一邊進行掃描來塗敷的方法，即使在精細的面板結構的情況下也可在各槽中均勻地塗敷螢光體油墨。此時，作為各色螢光體，最好使用平均粒徑約為3微米的螢光體粉末。
面板的密封使用密封用玻璃來貼合以這種方式製造的前面面板10與背面面板20的外緣部之間。
其後，對兩面板間的內部抽氣以達到高真空(約1×10-4Pa)，以規定的壓力在其中封入放電氣體。
通過以上所述可製造PDP1，但如果在密封時也在間壁24的頂部上塗敷密封玻璃來密封，則由於即使在放電氣體的封入壓力比大氣壓高的情況下，前面面板10與背面面板20也牢固地被緊密接觸，故可提高PDP1的結構強度。
(關於應用於相對放電型的PDP的情況)以上，對於面放電型的PDP1進行了說明，但本發明也可應用於相對型的PDP。
在相對放電型的PDP中，構成對的顯示電極被配置在前面面板一側和背面面板一側，此外，將構成對的顯示電極相互間配置成夾住放電空間而互相正交，但關於在各顯示電極上形成電介質層、顯示電極經電介質層面對放電空間這些方面與面放電型的PDP是相同的。
即使在這樣的相對放電型的PDP中，如果將面板結構設定成在維持放電時在放電空間內發生換算電場強度為37V/cm·KPa以上的電場，則也可得到良好的亮度和發光效率。此外，關於為了發生換算電場強度為37V/cm·KPa以上的電場而被認為是所希望的面板結構(顯示電極間的距離、電介質層的厚度及介電常數、放電氣體中的Xe量及封入壓力)，可應用在面放電型的PDP1中已說明的內容。
〔實施例〕基於上述實施形態，並根據以下說明的那樣的條件，製造了在表1、2的試樣編號1～20中示出的實施例的面放電型的PDP。表1
表2
(帶有*的試樣編號21～24是比較例)
作為藍色螢光體，都使用了BaMgAl10O17Eu3+。
如表1、2中所示，放電氣體使用Ne-Xe系列、Ne-Xe-Ar系列、Ne-Xe-Ar-He系列的某一種，設定成放電氣體中所佔的Xe的分壓為5～90％的範圍內，放電氣體的封入壓力為66.5～200KPa的範圍內。
關於顯示電極12、13的類型，雖然在試樣編號1～16的PDP中在表中沒有記載，但它是在ITO透明電極上層疊了金屬電極的層疊型。此外，如表中記載的那樣，試樣編號17～20是金屬電極，在試樣編號17、18的PDP中，是銀電極，在試樣編號19、20的PDP中，是Cr-Cu-Cr電極。
此外，關於顯示電極12、13的形狀，表中記載為「平行」的形狀表示是單純的帶狀，記載為「一方呈凸狀」的形狀表示如圖7中示出的例子那樣在顯示電極13上形成了凸部。
如表1、2中所示，將電介質層的結構作成單層結構或二層結構。在顯示電極是層疊結構的情況下，在將電介質層的結構作成二層結構的情況下，如圖6中所示，只在金屬電極上形成了第2層。
作為構成電介質層的各電介質材料，使用了具有表1、2中示出的介電常數的材料。
具體地說，作為介電常數為9以上的電介質玻璃，使用了以PbO-B2O3-SiO2-Al2O3為主成分的PbO類玻璃，作為介電常數為7以下的電介質玻璃，使用了以ZnO-B2O3-SiO2-K2O為主成分的ZnO類玻璃。
電介質層的膜厚(表1、2的「電極尖端部分的膜厚」)為3～25微米。再有，表1、2中的「電介質的整體膜厚」，在電介質層為二層結構的情況下，指的是第1層與第2層重疊了的部分的電介質層的膜厚。於是，在顯示電極是層疊結構且電介質層為二層結構的情況下，「電介質的整體膜厚」的值比「電極尖端部分的膜厚」的值大。
另一方面，作為比較例的面放電型PDP，製造了表2的試樣編號21～24中示出的PDP。
比較例的PDP的結構與實施例的PDP的結構相同，但被設定成電介質層的膜厚為30微米以上，介電常數為11，顯示電極(透明電極)的間隙為80微米以上，放電氣體為Ne-Xe系列(Xe量為3～5體積％)。
(性能比較試驗)一邊驅動如上述那樣製造的實施例和比較例的各PDP，一邊研究了在放電空間中的換算電場強度、紫外線波長、面板亮度、面板亮度的變化率(加速壽命試驗)。
一邊以放電電壓180V、頻率30kHz使各PDP工作，一邊測定了放電空間中的換算電場強度、紫外線波長和面板亮度。
根據上述式1，通過一邊考慮各種參數一邊在放電空間內進行3維模擬，通過求出換算電場強度來進行放電空間中的換算電場強度的測定。
關於面板亮度的變化率，在比通常的驅動條件嚴酷的條件(放電電壓200V、頻率50kHz)下以24小時使其驅動，計算驅動後的亮度對於驅動前的亮度的變化值，將其作為面板亮度的變化率。再有，各準備5個試樣，求出5個試樣平均值。
實驗結果和考察實驗結果如表1、2中所示。根據該結果，如以下那樣進行了考察。
在試樣編號1～20的實施例中，放電空間中的電場強度為37V/cm·KPa以上，作為紫外線的波長，主要觀察到Xe受激準分子的波長173nm。另一方面，在試樣編號21～24的比較例中，放電空間中的電場強度不到37V/cm·KPa，作為紫外線的波長，主要觀察到Xe共振線的波長147nm。
此外，在試樣編號1～20的實施例中，與試樣編號21～24的比較例相比，得到了2倍至3倍以上的面板亮度。
由此，如果放電空間中的電場強度為37V/cm·KPa以上，則與放電空間中的電場強度不到37V/cm·KPa的情況相比，可知紫外線中的Xe受激準分子量變多，同時面板亮度有很大的提高。
此外，在試樣編號1～20的實施例中，與試樣編號21～24的比較例相比，可知在面板亮度的變化率方面也約為1/3～1/5，實施例的PDP在耐久性方面也良好。其原因可認為是，由於Xe受激準分子的波長比共振線的波長長，故紫外線與螢光體碰撞時的能量比較穩定，施加到螢光體上的損傷較小。
在其它方面，也如以下那樣來考察。
試樣編號1～20的實施例與試樣編號21～24的比較例相比，在放電空間中的Xe量比較高，面板亮度也高。此外，即使在試樣編號9～20之間比較面板亮度，也存在放電氣體中的Xe量越大面板亮度越高的趨勢。此外，如果放電氣體中的Xe的比例相同，則可看到封入壓力高的一方其面板亮度高的趨勢。
由此可知，放電空間中的Xe量越大就越容易得到高的面板亮度，但這一點可認為是由於放電空間中的Xe量越大Xe受激準分子的發生量越大的緣故。
試樣編號8的實施例與試樣編號24的比較例在放電氣體中的Xe量為5％、封入壓力為66.5KPa這一點上是同等的，但在試樣編號8中，換算電場強度高達37V/cm·KPa，而在試樣編號24中換算電場強度低至26V/cm·KPa。
由此可知，在放電空間中發生的換算電場強度不只由放電氣體中的Xe量來決定，也由電介質層的厚度及介電常數、顯示電極的間隙等的條件來控制。
試樣編號1、2、6、8～10、14、16、17、19的實施例與試樣編號22、24的比較例的電介質層都是單層結構，但如果在這些結構間比較電介質層的厚度與放電空間中的換算電場強度，則可看到電介質層的厚度越小放電空間中的換算電場強度越強的趨勢。
試樣編號3～5、7、11～13、15、18、20的實施例與試樣編號21、23的比較例的電介質層都是二層結構，但如果在這些結構間比較電極尖端部分處的電介質層的厚度與放電空間中的換算電場強度，則可看到電極尖端部分處的電介質層的厚度越小放電空間中的換算電場強度越強的趨勢。
如果在試樣編號1～20的實施例之間比較顯示電極的間隙與放電空間中的換算電場強度，則可看到顯示電極的間隙越小放電空間中的換算電場強度越高的趨勢。
由此可知，電介質層的厚度越小、此外顯示電極的間隙越小、越容易在放電空間中得到高的換算電場強度。
如果在試樣編號1～20的實施例之間比較顯示電極的形狀為平行狀的結構與一方為凸狀的結構，則可看到一方為凸狀的結構與顯示電極的形狀為平行狀的結構相比、放電空間中的換算電場強度強、面板亮度也高的趨勢。
由此可知，顯示電極對的形狀為非對稱的結構與顯示電極對的形狀為對稱的結構相比，在放電空間中容易得到高的換算電場強度。
產業上利用的可能性本發明的PDP可適用於計算機及電視等的顯示裝置，特別適合於進行大型且精細的顯示的顯示裝置。
權利要求
1.一種等離子體顯示面板，其中，在一對基板間配置間壁組，在被該間壁組隔開的各空間中設有螢光體，同時封入放電氣體，形成放電空間，將多個顯示電極對配置成經電介質層面對上述各放電空間，通過在上述電介質層中蓄積電荷來進行寫入，通過對上述顯示電極對之間施加規定的維持電壓，有選擇地在電介質層中蓄積了電荷的放電空間中發生放電，通過將伴隨該放電而發生的紫外線在螢光體層中變換為可見光來進行顯示，其特徵在於將面板結構設定成，在對上述顯示電極對之間施加上述規定的維持電壓時，在上述放電空間中發生具有37V/cm·KPa以上的換算電場強度的電場。
2.如權利要求1中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於在上述放電氣體中包含氙，在對上述顯示電極對之間施加上述規定的維持電壓時，伴隨放電而發生的紫外線包含其量比氙共振線多的氙分子線。
3.一種等離子體顯示面板，其中，在一對基板間配置間壁組，在被該間壁組隔開的各空間中設有螢光體，同時封入放電氣體，形成放電空間，將多個顯示電極對配置成經電介質層面對上述各放電空間，通過在上述電介質層中蓄積電荷來進行寫入，通過對上述顯示電極對之間施加規定的維持電壓，有選擇地在電介質層中蓄積了電荷的放電空間中發生放電，通過將伴隨該放電而發生的紫外線在螢光體層中變換為可見光來進行顯示，其特徵在於將上述放電氣體中的Xe含量和封入壓力、上述顯示電極對的間隙以及上述電介質層的厚度和介電常數設定成，在對上述顯示電極對之間施加上述規定的維持電壓時，在該放電空間中發生具有37V/cm·KPa以上的換算電場強度的電場。
4.如權利要求3中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述放電氣體的Xe含量為5％以上至90％以下。
5.如權利要求4中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述放電氣體的封入壓力為66.5KPa以上至200KPa以下。
6.如權利要求3中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於電介質層的在上述顯示電極對的彼此相對的部分上的厚度為3微米以上至35微米以下。
7.如權利要求6中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述電介質層的介電常數為6以上至不到11。
8.如權利要求7中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於層疊互不相同的2種以上的電介質材料來形成上述電介質層。
9.如權利要求3～7的任一項中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述顯示電極對的間隙在面對上述放電空間之處為20微米以上至90微米以下。
10.一種等離子體顯示面板，其中，在表面上並行地配置了多對顯示電極並在其上覆蓋了電介質層的第1板和在表面上並行地配置了多個尋址電極的第2板在上述顯示電極與尋址電極交叉地相對的狀態下經間壁互相平行地配置，在被上述第1板和第2板之間的間壁隔開的各空間中形成螢光體層，同時封入放電氣體，形成放電空間，通過在上述顯示電極與尋址電極之間進行寫入放電，在上述電介質層中蓄積電荷，通過施加規定的維持電壓，有選擇地在電介質層中蓄積了電荷的放電空間中發生放電，通過將伴隨該放電而發生的紫外線在螢光體層中變換為可見光來進行顯示，其特徵在於將面板結構設定成，在對上述顯示電極對之間施加上述規定的維持電壓時，在上述放電空間中發生具有37V/cm·KPa以上的換算電場強度的電場。
11.一種等離子體顯示面板，其中，在表面上並行地配置了多對顯示電極並在其上覆蓋了電介質層的第1板和在表面上並行地配置了多個尋址電極的第2板在上述顯示電極與尋址電極交叉地相對的狀態下經間壁互相平行地配置，在被上述第1板和第2板之間的間壁隔開的各空間中形成螢光體層，同時封入放電氣體，形成放電空間，通過在上述顯示電極與尋址電極之間進行寫入放電，在上述電介質層中蓄積電荷，通過施加規定的維持電壓，有選擇地在電介質層中蓄積了電荷的放電空間中發生放電，通過將伴隨該放電而發生的紫外線在螢光體層中變換為可見光來進行顯示，其特徵在於將上述放電氣體中的Xe含量和封入壓力、上述顯示電極對的間隙以及上述電介質層的厚度和介電常數設定成，在對上述顯示電極對之間施加上述規定的維持電壓時，在上述放電空間中發生具有37V/cm·KPa以上的換算電場強度的電場。
12.如權利要求11中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述放電氣體的Xe含量為5％以上至90％以下。
13.如權利要求12中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述放電氣體的封入壓力為66.5KPa以上至200KPa以下。
14.如權利要求10中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述電介質層的在上述顯示電極對的彼此相對的部分上的厚度為3微米以上至35微米以下。
15.如權利要求14中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述電介質層的介電常數為6以上至不到11。
16.如權利要求15中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於層疊2種以上的電介質材料來形成上述電介質層。
17.如權利要求11～16的任一項中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述顯示電極對的間隙在面對上述放電空間之處為20微米以上至90微米以下。
18.如權利要求17中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於構成上述對的顯示電極相互間的形狀互不相同。
19.如權利要求17中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於在構成對的顯示電極的至少一方上形成了朝向相對的顯示電極而突出的凸部。
20.如權利要求19中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於相對於各放電空間，設置了1個或2個以上的上述凸部。
21.如權利要求17中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述顯示電極是金屬電極，上述電介質層的介電常數為6以上至9以下。
22.如權利要求21中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於層疊互不相同的2種以上的電介質材料來形成上述電介質層。
23.如權利要求17中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述各顯示電極是在透明電極層上層疊了總線的結構，上述電介質層在總線上的厚度比在透明電極上的厚度厚。
24.如權利要求23中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述電介質層由第1層和第2層構成，上述第1層由第1電介質材料構成，以整體地覆蓋各顯示電極的方式並以3～25微米的厚度被形成，上述第2層由第2電介質材料構成，在覆蓋上述第1層上的上述總線的區域上被形成。
25.如權利要求1、2、3、10、11的任一項中所述的等離子體顯示面板，其特徵在於上述電介質層包含通過對平均粒徑為0.1微米以上至1.5微米以下的玻璃粉末進行燒結而形成的層。
26.一種等離子體顯示面板顯示裝置，其特徵在於，具備權利要求1、2、3、10、11的任一項中所述的等離子體顯示面板；以及對該等離子體顯示面板的各電極施加電壓的驅動電路。
全文摘要
本發明的目的在於,在PDP中,與以往的PDP相比,使亮度、發光效率大幅度地提高。為此,在本發明的PDP中,將面板結構設定成,通過對顯示電極對之間施加放電維持電壓有選擇地在電介質層中蓄積了電荷的放電空間中發生放電時,在放電空間中發生換算電場強度為37V/cm·KPa以上的電場。這樣,為了實現37V/cm·KPa以上那樣的高的換算電場強度,在面板結構中適當地設定顯示電極對間的間隙、電介質層的厚度和介電常數、在放電空間內封入了的Xe量是有效的。
文檔編號H01J11/24GK1345457SQ00805494
公開日2002年4月17日 申請日期2000年1月28日 優先權日1999年1月28日
發明者青木正樹, 鹽川晃, 高田祐助, 村井隆一 申請人:松下電器產業株式會社