發光元件驅動電路及其相關的像素電路與應用的製作方法

2023-06-25 03:08:36 1

發光元件驅動電路及其相關的像素電路與應用的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種發光元件驅動電路及其相關的像素電路與應用，且其電路架構（5T1C或6T1C）在搭配適當的操作波形下，可以使得流經有機發光二極體的電流不會隨著電源電壓（Vdd）受到電流電阻電壓降（IR?Drop）的影響而改變，而且也不會隨著用以驅動有機發光二極體的薄膜電晶體的臨界電壓漂移（Vth?shift）而有所不同。如此一來，將可大大地提升所應用的有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。
【專利說明】發光元件驅動電路及其相關的像素電路與應用

【技術領域】
[0001] 本發明是有關於一種平面顯示技術，且特別是有關於一種具有自發光特性的發光 元件（light-emitting component,例如有機發光二極體（0LED)，但並不限制於此）驅動電 路及其相關的像素電路與應用。

【背景技術】
[0002] 由於多媒體社會的急速進步，半導體元件及顯示裝置的技術也隨之具有飛躍性的 進步。就顯示器而言，由於主動式矩陣有機發光二極體（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)顯示器具有無視角限制、低製造成本、高應答速度(約為液晶的百 倍以上)、省電、自發光、可使用於可攜式機器的直流驅動、工作溫度範圍大以及重量輕且可 隨硬體設備小型化及薄型化等等優點以符合多媒體時代顯示器的特性要求。因此，主動式 矩陣有機發光二極體顯示器具有極大的發展潛力，可望成為下一世代的新穎平面顯示器， 藉以取代液晶顯示器（liquid crystal display, IXD)。
[0003] 目前主動式矩陣有機發光二極體顯示面板主要有兩種製作方式，其一是利用低溫 多晶矽（LTPS)的薄膜電晶體（TFT)加工技術來製作，而另一則是利用非晶矽（a-Si)的薄膜 電晶體（TFT)加工技術來製作。其中，由於低溫多晶矽的薄膜電晶體加工技術需要比較多 道的光罩加工而導致成本上升。因此，目前低溫多晶矽的薄膜電晶體加工技術主要應用在 中小尺寸的面板上，而非晶矽的薄膜電晶體加工技術則主要應用在大尺寸的面板上。
[0004] 一般來說，採用低溫多晶矽的薄膜電晶體加工技術所製作出來的主動式矩陣有機 發光二極體顯示面板，其像素電路中的薄膜電晶體的形態可以為P型或N型，但由於P型薄 膜電晶體傳導正電壓有較好的驅動能力，故而現今多以選擇P型薄膜電晶體來實施。然而， 選擇P型薄膜電晶體來實現有機發光二極體像素電路的條件下，流經有機發光二極體的電 流不僅會隨著電源電壓（Vdd)受到電流電阻電壓降（IR Drop)的影響而改變，而且還會隨著 用以驅動有機發光二極體的薄膜電晶體的臨界電壓漂移（Vth shift)而有所不同。如此一 來，將會連帶影響到有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。


【發明內容】

[0005] 有鑑於此，為了提升有機發光二極體顯示器的亮度均勻性，本發明的一示範性實 施例提供一種發光元件驅動電路，其包括：驅動單元、發光控制單元，以及數據儲存單元。其 中，驅動單元耦接於一電源電壓與發光元件之間，且包含驅動電晶體。驅動單元用以在一發 光階段，控制流經發光元件的驅動電流。發光控制單元耦接於驅動單元與發光元件之間，用 以在所述發光階段，反應於一發光致能信號而傳導來自驅動單元的驅動電流至發光元件。 [0006] 數據儲存單元耦接驅動單元，且包含一儲存電容。數據儲存單元用以：在一數據寫 入階段，反應於一寫入掃描信號而通過儲存電容以對一數據電壓與關聯於驅動電晶體的臨 界電壓進行儲存；以及於所述發光階段，反應於所述發光致能信號而控制儲存電容的端電 壓。在所述發光階段，驅動單元反應於儲存電容的跨壓而產生流經發光元件的驅動電流，且 流經發光元件的驅動電流不受驅動電晶體的臨界電壓以及所述電源電壓的影響。
[0007] 在本發明的一示範性實施例中，驅動電晶體的柵極耦接儲存電容的第一端，而驅 動電晶體的源極則耦接至所述電源電壓。在此條件下，發光控制單元包括：發光控制晶體 管，其柵極用以接收所述發光致能信號，而其源極則耦接至驅動電晶體的漏極。另外，發光 元件的第一端耦接發光控制電晶體的漏極，而發光元件的第二端則耦接至一參考電位。再 者，發光元件可以為有機發光二極體，故而發光元件的第一端為有機發光二極體的陽極，且 發光元件的第二端為有機發光二極體的陰極。
[0008] 在本發明的一示範性實施例中，數據儲存單元可以還包括：寫入電晶體、採集晶體 管，以及電壓控制電晶體。其中，寫入電晶體的柵極用以接收所述寫入掃描信號，寫入晶體 管的源極用以接收所述數據電壓，而寫入電晶體的漏極則耦接至儲存電容的第二端。採集 電晶體的柵極用以接收所述寫入掃描信號，採集電晶體的源極耦接驅動電晶體的柵極與儲 存電容的第一端，而採集電晶體的漏極則耦接驅動電晶體的漏極。電壓控制電晶體的柵極 與源極耦接在一起以接收所述發光致能信號，而電壓控制電晶體的漏極則耦接至儲存電容 的第二端與寫入電晶體的漏極。
[0009] 在本發明的一示範性實施例中，驅動電晶體、發光控制電晶體、寫入電晶體、採集 電晶體以及電壓控制電晶體皆可以為P型電晶體。在此條件下，發光元件驅動電路可以為 有機發光二極體驅動電路，且此有機發光二極體驅動電路會先後進入所述數據寫入階段與 所述發光階段。其中，在所述數據寫入階段，所述寫入掃描信號為致能，而所述發光致能信 號為禁能；此外，在所述發光階段，所述發光致能信號為致能，而所述寫入掃描信號為禁能。 [0010] 在本發明的一示範性實施例中，數據儲存單元可以還用以在一重置階段，反應於 一重置掃描信號而初始化儲存電容的第一端電壓。在此條件下，數據儲存單元可以還包括： 重置電晶體，其柵極與源極耦接在一起以接收所述重置掃描信號，而其漏極則耦接至儲存 電容的第一端。其中，重置電晶體也可為P型電晶體。
[0011] 在本發明的一示範性實施例中，在數據儲存單元具有重置電晶體的條件下，有機 發光二極體驅動電路會先後進入所述重置階段、所述數據寫入階段以及所述發光階段。其 中，在所述重置階段，所述重置掃描信號為致能，而所述寫入掃描信號與所述發光致能信號 為禁能。在所述數據寫入階段，所述寫入掃描信號為致能，而所述重置掃描信號與所述發光 致能信號為禁能。在所述發光階段，所述發光致能信號為致能，而所述重置掃描信號與所述 寫入掃描信號為禁能。
[0012] 本發明的另一示範性實施例提供一種具有所提的發光元件驅動電路的像素電路， 且此像素電路可以為有機發光二極體像素電路。
[0013] 本發明的再一示範性實施例提供一種具有所提的有機發光二極體像素電路的有 機發光二極體顯示面板。
[0014] 本發明的又一示範性實施例提供一種具有所提的有機發光二極體顯示面板的有 機發光二極體顯示器。
[0015] 基於上述，本發明提供一種發光元件驅動電路及其相關的像素電路與應用，且其 電路架構（5T1C或6T1C)在搭配適當的操作波形下，可以使得流經有機發光二極體的電流 不會隨著電源電壓（Vdd)受到電流電阻電壓降（IR Drop)的影響而改變，而且也不會隨著 用以驅動有機發光二極體的薄膜電晶體的臨界電壓漂移（Vth shift)而有所不同。如此一 來，將可大大地提升所應用的有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。
[0016] 為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖作詳 細說明如下。
[0017] 然而，應了解的是，上述一般描述及以下【具體實施方式】僅為例示性及闡釋性的，其 並不能限制本發明所欲主張的範圍。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 下面的附圖是本發明的說明書的一部分，示出了本發明的示例實施例，附圖與說 明書的描述一起說明本發明的原理。
[0019] 圖1為本發明一示範性實施例的(有機發光二極體）像素電路10的示意圖；
[0020] 圖2為圖1的有機發光二極體像素電路10的實施電路圖；
[0021] 圖3為圖1的有機發光二極體像素電路10的操作波形圖；
[0022] 圖4為圖1的有機發光二極體像素電路10的另一實施電路圖；
[0023] 圖5為圖4的有機發光二極體像素電路10的操作波形圖。
[0024] 附圖標記說明：
[0025] 10 :(有機發光二極體）像素電路；
[0026] 101 :發光元件(有機發光二極體）；
[0027] 103 :發光元件驅動電路；
[0028] 105 :驅動單元；
[0029] 107 :發光控制單元；
[0030] 109 :數據儲存單元；
[0031] T1 :驅動電晶體；
[0032] T2 :發光控制電晶體；
[0033] T3 :寫入電晶體；
[0034] T4 :採集電晶體；
[0035] T5 :電壓控制電晶體；
[0036] T6 :重置電晶體；
[0037] Cst:儲存電容；
[0038] IMD :驅動電流；
[0039] Vdata:數據電壓；
[0040] Vdd :電源電壓；
[0041] Vss:參考電壓；
[0042] VH、VL:高低電平；
[0043] S[n_l]:重置掃描信號；
[0044] S [η]:寫入掃描信號；
[0045] LE :發光致能信號；
[0046] Ρ0 :重置階段；
[0047] Ρ1 :數據寫入階段；
[0048] Ρ2 :發光階段；
[0049] A、B:節點。

【具體實施方式】
[0050] 現將詳細參考本發明的示範性實施例，在附圖中說明所述示範性實施例的實例。 另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件代表相同或類似部分。
[0051] 圖1為本發明一示範性實施例的(有機發光二極體）像素電路10的示意圖，而 圖2為圖1的有機發光二極體像素電路10的實施電路圖。圖3為圖1的有機發光二極 管像素電路10的操作波形圖。請合併參照圖1、圖2以及圖3,本示範性實施例的像素電 路10包括發光元件（light-emitting component,例如：有機發光二極體（0LED) 101，但並 不限制於此，故而像素電路10可以視為有機發光二極體像素電路）與發光元件驅動電路 (light-emitting component driving circuit)103。其中，發光兀件驅動電路 103 包括驅 動單元（driving unit)105、發光控制單元（light-emitting control unit)107,以及數據 儲存單兀（data storage unit) 109。
[0052] 在本示範性實施例中，驅動單元105稱接於電源電壓（power supply voltage)Vdd 與有機發光二極體101 (即，發光元件)之間，且包含驅動電晶體（driving transistor)T1。 而且，驅動單元105用以在發光階段（light enable phase)，控制流經有機發光二極體101 的驅動電流（driving current) I0UiD。
[0053] 另外，發光控制單元107耦接於驅動單元105與有機發光二極體(發光元件)101之 間。而且，發光控制單元107用以在發光階段，反應於發光致能信號（light enable signal) LE而傳導來自驅動單元105的驅動電流I0LED至有機發光二極體101。
[0054] 再者，數據儲存單元109稱接驅動單元105,且包含儲存電容（storage capacitor)Cst。而且，數據儲存單元109會在數據寫入階段（data-writing phase),反應 於寫入掃描信號S[n](註：寫入掃描信號S[n]可為當下掃描線上的信號，且由第[η]級的 柵極驅動電路所提供，但並不限制於此)而通過儲存電容Cst以對數據電壓（data voltage) Vdata與關聯於驅動電晶體T1的臨界電壓（threshold voltage, Vth(T1))進行儲存。甚 至，數據儲存單元109還會在發光階段，反應於發光致能信號LE而控制儲存電容Cst的端 電壓（terminal voltages)。
[0055] 在本示範性實施例中，驅動單元105在發光階段，反應於儲存電容Cst的跨壓 (cross-voltage)而產生流經有機發光二極體101的驅動電流I aED,且此驅動電流I^d不 受電源電壓Vdd與驅動電晶體Τ1的臨界電壓（Vth(Tl))的影響。換言之，流經有機發光二 極管101的驅動電流1_理想上或實質上與電源電壓Vdd以及驅動電晶體T1的臨界電壓 (Vth(Tl))無關。
[0056] 除此之外，發光控制單元107包括發光控制電晶體（light-emitting control transistor) T2。另外，數據儲存單元109還包括寫入電晶體（writing transistor) T3、採集電晶體（collection transistor) T4，以及電壓控制電晶體（voltage-control transistor) T5〇
[0057] 在本示範性實施例中，驅動電晶體ΤΙ、發光控制電晶體Τ2、寫入電晶體Τ3、採集晶 體管Τ4以及電壓控制電晶體Τ5皆可以採用Ρ型電晶體（P-type transistor)來實施，但 並不限制於此，例如P型薄膜電晶體（P_type thin-film-transistor，P_type TFT)。而且， 應用圖2所示的(有機發光二極體）像素電路10在其中的有機發光二極體顯示面板（OLED display panel)可以利用低溫多晶娃（LTPS)、非晶娃（a-Si)或非晶銦鎵鋅金屬氧化物 (a-IGZO)的薄膜電晶體（TFT)加工技術製作而成，但並不限制於此。
[0058] 另外，在圖2所示的(有機發光二極體）像素電路10的電路結構上（5T1C)，驅動晶 體管T1的柵極（gate)耦接儲存電容Cst的第一端(也即，節點A)，而驅動電晶體T1的源極 (source)則稱接至電源電壓Vdd。
[0059] 發光控制電晶體T2的柵極用以接收發光致能信號LE，而發光控制電晶體T2的源 極則耦接至驅動電晶體T1的漏極（drain)。有機發光二極體(發光元件)101的陽極（anode， 即發光元件的第一端）耦接發光控制電晶體T2的漏極，而有機發光二極體(發光元件）101 的陰極（cathode,即發光元件的第二端)則稱接至參考電位（reference voltage,例如為接 地電位，但並不限制於此)。
[0060] 寫入電晶體T3的柵極用以接收寫入掃描信號S [η]，寫入電晶體T3的源極用以接 收數據電壓Vdata，而寫入電晶體Τ3的漏極則耦接至儲存電容Cst的第二端(也即，節點 B)。採集電晶體T4的柵極用以接收寫入掃描信號S [η]，採集電晶體T4的源極耦接驅動晶 體管Τ1的柵極與儲存電容Cst的第一端(也即，節點Α)，而採集電晶體Τ4的漏極則耦接驅 動電晶體T1的漏極。電壓控制電晶體T5的柵極與源極耦接在一起以接收發光致能信號 LE，而電壓控制電晶體T5的漏極則耦接至儲存電容Cst的第二端（也即，節點B)與寫入晶 體管T3的漏極。
[0061] 再者，在圖2所示的(有機發光二極體）像素電路10的運作過程中，發光元件驅動 電路103 (即，有機發光二極體驅動電路)會先後進入數據寫入階段與發光階段，分別例如圖 3所示的P1與P2。在本示範性實施例中，在數據寫入階段P1，僅有寫入掃描信號S[n]會致 能；另外，在發光階段P2,僅有發光致能信號LE會致能。
[0062] 換言之，在數據寫入階段P1，寫入掃描信號S[n]為致能，而發光致能信號LE為禁 能；另外，在發光階段P2,發光致能信號LE為致能，而寫入掃描信號S[n]為禁能。當然，寫 入掃描信號S [η]與發光致能信號LE的高低電平（VH，VL)皆可視實際設計/應用需求而決 定。
[0063] 在此值得解釋的是，由於圖2所示的(有機發光二極體)像素電路10中的驅動晶體 管T1、發光控制電晶體T2、寫入電晶體T3、採集電晶體T4以及電壓控制電晶體T5的形態皆 為P型，故而可知的是，驅動電晶體T1、發光控制電晶體T2、寫入電晶體T3、採集電晶體T4 以及電壓控制電晶體T5為低電平致能（low active)。由此，現有針對寫入掃描信號S[n] 與發光致能信號LE會致能的表述，即表示寫入掃描信號S [η]與發光致能信號LE處於低電 平（low level)。
[0064] 基此，在數據寫入階段P1，由於僅有寫入掃描信號S[n]會致能，所以驅動電晶體 T1、寫入電晶體T3與採集電晶體T4會同時處於導通（0N)的狀態，而發光控制電晶體T2與 電壓控制電晶體T5會反應於發光致能信號LE的禁能而同時處於關閉（OFF)的狀態，藉以避 免有機發光二極體101有突然亮起的誤動作，從而得以維持顯示圖像的對比。在此條件下， 驅動電晶體T1與採集電晶體T4可以視為/等效成一二極體（diode)，且此時儲存電容Cst 的第一端（即，節點A)電壓為Vdd-Vth (T1)，而儲存電容Cst的第二端（S卩，節點B)電壓為 數據電壓Vdata。其中，Vth(Tl)為驅動電晶體T1的臨界電壓。換言之，此時儲存電容Cst 兩端的壓差為Vdd-Vth(Tl)-Vdata。
[0065] 緊接著，在發光階段P2,由於僅有發光致能信號LE會致能，所以驅動電晶體T1、發 光控制電晶體Τ2與電壓控制電晶體Τ5皆處於導通（0Ν)的狀態，而寫入電晶體Τ3與採集 電晶體T4則處於關閉（OFF)的狀態。基此，驅動電晶體T1將反應於儲存電容Cst的跨壓 (cross-voltage)而產生不受電源電壓Vdd與驅動電晶體T1的臨界電壓（Vth(Tl))影響的 驅動電流I_ D以流經有機發光二極體101。
[0066] 更清楚來說，在圖2所示的電路架構下，驅動電晶體T1在發光階段P2所產生的驅 動電流I_D可以表示為如下方程式（1):
[0067]

【權利要求】
1. 一種發光元件驅動電路，其特徵在於，包括： 一驅動單兀，稱接於一電源電壓與一發光兀件之間，且包含一驅動電晶體，用以在一發 光階段，控制流經該發光元件的一驅動電流； 一發光控制單元，耦接於該驅動單元與該發光元件之間，用以在該發光階段，反應於一 發光致能信號而傳導來自該驅動單元的該驅動電流至該發光元件；以及 一數據儲存單元，耦接該驅動單元，且包含一儲存電容，用以：在一數據寫入階段，反應 於一寫入掃描信號而通過該儲存電容以對一數據電壓與關聯於該驅動電晶體的一臨界電 壓進行儲存；以及在該發光階段，反應於該發光致能信號而控制該儲存電容的端電壓， 其中，在該發光階段，該驅動單元反應於該儲存電容的跨壓而產生流經該發光元件的 該驅動電流，且該驅動電流不受該驅動電晶體的該臨界電壓以及該電源電壓的影響。
2. 根據權利要求1所述的發光元件驅動電路，其特徵在於，該驅動電晶體的柵極耦接 該儲存電容的第一端，該驅動電晶體的源極耦接該電源電壓，且該發光控制單元包括： 一發光控制電晶體，其柵極用以接收該發光致能信號，而其源極則耦接至該驅動晶體 管的漏極， 其中，該發光元件的第一端耦接該發光控制電晶體的漏極，而該發光元件的第二端則 耦接至一參考電位， 其中，該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體 的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極。
3. 根據權利要求2所述的發光元件驅動電路，其特徵在於，該數據儲存單元還包括： 一寫入電晶體，其柵極用以接收該寫入掃描信號，其源極用以接收該數據電壓，而其漏 極則耦接至該儲存電容的第二端； 一採集電晶體，其柵極用以接收該寫入掃描信號，其源極耦接該驅動電晶體的柵極與 該儲存電容的第一端，而其漏極則耦接該驅動電晶體的漏極；以及 一電壓控制電晶體，其柵極與源極耦接在一起以接收該發光致能信號，而其漏極則耦 接至該儲存電容的第二端與該寫入電晶體的漏極。
4. 根據權利要求3所述的發光元件驅動電路，其特徵在於，該驅動電晶體、該發光控制 電晶體、該寫入電晶體、該採集電晶體以及該電壓控制電晶體皆為P型電晶體。
5. 根據權利要求4所述的發光元件驅動電路，其特徵在於，該發光元件驅動電路為一 有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該數據寫入階段與該發 光階段， 其中，在該數據寫入階段，該寫入掃描信號為致能，而該發光致能信號為禁能， 其中，在該發光階段，該發光致能信號為致能，而該寫入掃描信號為禁能。
6. 根據權利要求4所述的發光元件驅動電路，其特徵在於，該數據儲存單元還用以在 一重置階段，反應於一重置掃描信號而初始化該儲存電容的第一端電壓， 其中，該數據儲存單元還包括：一重置電晶體，其柵極與源極耦接在一起以接收該重置 掃描信號，而其漏極則耦接至該儲存電容的第一端， 其中，該重置電晶體為P型電晶體。
7. 根據權利要求6所述的發光元件驅動電路，其特徵在於，該發光元件驅動電路為一 有機發光二極體驅動電路，且該有機發光二極體驅動電路先後進入該重置階段、該數據寫 入階段以及該發光階段， 其中，在該重置階段，該重置掃描信號為致能，而該寫入掃描信號與該發光致能信號為 _會泛， 其中，在該數據寫入階段，該寫入掃描信號為致能，而該重置掃描信號與該發光致能信 號為禁能， 其中，在該發光階段，該發光致能信號為致能，而該重置掃描信號與該寫入掃描信號為 禁能。
8. -種像素電路，其特徵在於，包括： 一發光兀件，用以在一發光階段，反應於一驅動電流而發光； 一驅動單元，耦接於一電源電壓與該發光元件之間，且包含一驅動電晶體，用以在該發 光階段，控制流經該發光元件的該驅動電流； 一發光控制單元，耦接於該驅動單元與該發光元件之間，用以在該發光階段，反應於一 發光致能信號而傳導來自該驅動單元的該驅動電流至該發光元件；以及 一數據儲存單元，耦接該驅動單元，且包含一儲存電容，用以：在一數據寫入階段，反應 於一寫入掃描信號而通過該儲存電容以對一數據電壓與關聯在該驅動電晶體的一臨界電 壓進行儲存；以及於該發光階段，反應於該發光致能信號而控制該儲存電容的端電壓， 其中，在該發光階段，該驅動單元反應於該儲存電容的跨壓而產生流經該發光元件的 該驅動電流，且該驅動電流不受該驅動電晶體的該臨界電壓以及該電源電壓的影響。
9. 根據權利要求8所述的像素電路，其特徵在於，該驅動電晶體的柵極耦接該儲存電 容的第一端，該驅動電晶體的源極耦接該電源電壓，且該發光控制單元包括： 一發光控制電晶體，其柵極用以接收該發光致能信號，而其源極則耦接至該驅動晶體 管的漏極， 其中，該發光元件的第一端耦接該發光控制電晶體的漏極，而該發光元件的第二端則 耦接至一參考電位， 其中，該發光元件為一有機發光二極體，且該發光元件的第一端為該有機發光二極體 的陽極，而該發光元件的第二端為該有機發光二極體的陰極， 其中，該像素電路為一有機發光二極體像素電路， 其中，該驅動單元、該數據儲存單元以及該發光控制單元組成一有機發光二極體驅動 電路。
10. 根據權利要求9所述的像素電路，其特徵在於，該數據儲存單元還包括： 一寫入電晶體，其柵極用以接收該寫入掃描信號，其源極用以接收該數據電壓，而其漏 極則耦接至該儲存電容的第二端； 一採集電晶體，其柵極用以接收該寫入掃描信號，其源極耦接該驅動電晶體的柵極與 該儲存電容的第一端，而其漏極則耦接該驅動電晶體的漏極；以及 一電壓控制電晶體，其柵極與源極耦接在一起以接收該發光致能信號，而其漏極則耦 接至該儲存電容的第二端與該寫入電晶體的漏極。
11. 根據權利要求10所述的像素電路，其特徵在於，該驅動電晶體、該發光控制晶體 管、該寫入電晶體、該採集電晶體以及該電壓控制電晶體皆為P型電晶體。
12. 根據權利要求11所述的像素電路，其特徵在於，該有機發光二極體驅動電路先後 進入該數據寫入階段與該發光階段， 其中，在該數據寫入階段，該寫入掃描信號為致能，而該發光致能信號為禁能， 其中，在該發光階段，該發光致能信號為致能，而該寫入掃描信號為禁能。
13. 根據權利要求11所述的像素電路，其特徵在於，該數據儲存單元還用以在一重置 階段，反應於一重置掃描信號而初始化該儲存電容的第一端電壓， 其中，該數據儲存單元還包括：一重置電晶體，其柵極與源極耦接在一起以接收該重置 掃描信號，而其漏極則耦接至該儲存電容的第一端， 其中，該重置電晶體為P型電晶體。
14. 根據權利要求13所述的像素電路，其特徵在於，該有機發光二極體驅動電路先後 進入該重置階段、該數據寫入階段以及該發光階段， 其中，在該重置階段，該重置掃描信號為致能，而該寫入掃描信號與該發光致能信號為 _會泛， 其中，在該數據寫入階段，該寫入掃描信號為致能，而該重置掃描信號與該發光致能信 號為禁能， 其中，在該發光階段，該發光致能信號為致能，而該重置掃描信號與該寫入掃描信號為 禁能。
15. -種具有如權利要求8所述的像素電路的有機發光二極體顯示面板。
16. -種具有如權利要求15所述的有機發光二極體顯示面板的有機發光二極體顯示 器。
【文檔編號】G09G3/32GK104123908SQ201310200354
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年5月27日 優先權日:2013年4月24日
【發明者】廖文堆, 王宗裕, 韓西容, 黃志鴻, 王文俊 申請人:勝華科技股份有限公司