晶體元件和晶體器件的製作方法

2023-05-31 04:38:56

本發明涉及晶體元件和具有晶體元件的晶體器件。晶體器件例如是晶體振子或者晶體振蕩器。

背景技術：

晶體元件例如由臺面型並且俯視時大致為矩形形狀的晶體片以及設置於晶體片的金屬圖案構成。金屬圖案由一對激勵電極部、一對引出部和一對配線部構成。一對激勵電極部設置於晶體片的兩個主面。一對引出部用於將晶體元件安裝到元件搭載部件，與元件搭載部件的搭載襯墊對置地配置。一對配線部的一端與激勵電極部連接，另一端與引出部連接。晶體元件通過導電性粘接劑而將引出部與元件搭載部件的搭載襯墊電粘接，從而將晶體元件如懸臂梁那樣支撐，並安裝到元件搭載部件。

在這樣的晶體元件中使用的晶體片具有例如包括向彼此相對的方向突出的一對凸部的振動部以及厚度比振動部薄並沿著振動部的外緣設置的周邊部。此時，晶體片的長邊與作為晶體片的晶軸之一的x軸平行，晶體片的短邊與使作為晶體片的晶軸之一的z軸旋轉而得到的z′軸平行。一個凸部具有當在與z′軸平行的朝向且晶體片的厚度方向上進行剖視時相對於一個凸部的主面傾斜的側面以及與一個凸部的主面垂直的側面。另一個凸部具有當在與z′軸平行的朝向且晶體片的厚度方向上進行剖視時相對於另一個凸部的主面傾斜的側面以及相對於另一個凸部的主面傾斜的側面。在進行厚度方向上的俯視時，相對於一個主面的凸部的主面傾斜的側面和與另一個主面的凸部的主面垂直的側面重疊地配置，與一個主面的凸部的主面垂直的側面和與另一個主面的凸部的主面垂直的側面重疊地配置(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2013-197621號公報

這樣的晶體元件構成為當對金屬圖案施加交變電壓時被一對激勵電極部夾住的晶體片的一部分振動，但此時，被一對激勵電極部夾住的振動在俯視時從激勵電極部的外緣向晶體片的外緣、具體來說向朝向凸部的側面的方向傳播。當振動傳播到晶體片的外緣、具體來說凸部的側面時，振動在凸部的側面被反射。以往的晶體元件使用包括具有與一個凸部的主面垂直的側面的一個凸部以及具有與另一個凸部的主面垂直的側面的另一個凸部的晶體片，激勵電極部設置於晶體片的兩個主面、即一個凸部的主面和另一個凸部的主面。因此，從被一對激勵電極部夾住的晶體片的一部分傳播的振動在與凸部的主面垂直的側面處，與相對於凸部的主面傾斜的側面相比，反射的量變大，被激勵電極部夾住的晶體片的一部分的振動與反射的振動結合。其結果是，有可能等價串聯電阻值變大而電特性變差。

技術實現要素：

在本發明中，其目的在於，提供一種能夠降低由於從被激勵電極部夾住的晶體片的一部分傳播的振動在凸部的側面反射而發生的電特性的變化的晶體元件和晶體器件。

為了解決上述課題，本發明涉及一種晶體元件，包括：晶體片，在俯視時形成為大致矩形形狀，並具備振動部以及周邊部，振動部具有向彼此相對的方向突出的第一凸部和第二凸部，周邊部沿著振動部的外緣配置並且厚度比振動部薄；一對激勵電極部，設置於第一凸部的上表面和第二凸部的下表面；一對引出部，沿著晶體片的規定的一邊排列設置；以及配線部，一端與激勵電極部連接，另一端與引出部連接，其中，第一凸部具有相對於設置有激勵電極部的第一凸部的上表面傾斜的第一側面以及與第一側面在規定方向上對置並且與設置有激勵電極部的第一凸部的上表面對置的第二側面，第二凸部具有相對於設置有激勵電極部的第二凸部的下表面傾斜的第三側面以及與第三側面在規定方向上對置並且與設置有激勵電極部的第二凸部的下表面對置的第四側面，第一側面配置成在晶體片的厚度方向上的俯視時與第三側面重疊，第二側面配置成在晶體片的厚度方向上的俯視時與第四側面重疊。

本發明涉及一種晶體元件，包括：晶體片，在俯視時形成為大致矩形形狀，並具備振動部以及周邊部，振動部具有向彼此相對的方向突出的第一凸部和第二凸部，周邊部沿著振動部的外緣配置並且厚度比振動部薄；一對激勵電極部，設置於第一凸部的上表面和第二凸部的下表面；一對引出部，沿著晶體片的規定的一邊排列設置；以及配線部，一端與激勵電極部連接，另一端與引出部連接，其中，第一凸部具有相對於設置有激勵電極部的第一凸部的上表面傾斜的第一側面以及與第一側面在規定方向上對置並且與設置有激勵電極部的第一凸部的上表面對置的第二側面，第二凸部具有相對於設置有激勵電極部的第二凸部的下表面傾斜的第三側面以及與第三側面在規定方向上對置並且與設置有激勵電極部的第二凸部的下表面對置的第四側面，第一側面配置成在晶體片的厚度方向上的俯視時與第三側面重疊，第二側面配置成在晶體片的厚度方向上的俯視時與第四側面重疊。因此，成為第一側面和第二側面相對於第一凸部的上表面傾斜、同時第三側面和第四側面相對於第二凸部的下表面傾斜的狀態。因此，在本發明的晶體元件中，相比於第一側面或者第二側面與第一凸部的上表面垂直的情況以及第三側面或者第四側面與第二凸部的下表面垂直的情況，能夠減輕從被激勵電極部夾住的部分傳播的振動在第一側面、第二側面、第三側面和第四側面反射的量，能夠進一步抑制由於在第一側面、第二側面、第三側面和第四側面反射的振動而電特性變差的量。

附圖說明

圖1是本實施方式的晶體器件的立體圖。

圖2是圖1的a-a剖面的剖視圖。

圖3a是本實施方式的晶體元件的上表面的俯視圖。

圖3b是從上表面透視本實施方式的晶體元件的下表面而得到的俯視透視圖。

圖4a是晶體片的上表面的俯視圖。

圖4b是從上表面透視晶體片的下表面而得到的俯視透視圖。

圖5是用於說明凸部的主面與側面之間的角度的、圖4a的b-b剖面的剖視圖。

圖6是用於說明晶體片的規定的另一邊至側面的距離的、圖4a的b-b剖面的剖視圖。

具體實施方式

圖1是本實施方式的晶體器件的立體圖，圖2是圖1的a-a剖面的剖視圖。圖3a和圖3b是本實施方式的晶體元件120的俯視圖，圖4a和圖4b是晶體片121的俯視圖。圖5和圖6是b-b剖面的晶體片121的剖視圖。

(晶體器件的概略結構)

晶體器件例如是整體上大致為長方體形狀的電子構件。例如，晶體器件的長邊或者短邊的長度是0.6mm～2.0mm，上下方向的厚度是0.2mm～1.5mm。

晶體器件由例如形成有凹部的元件搭載部件110、收容於凹部的晶體元件120、堵塞凹部的蓋體130以及用於將晶體元件120粘接安裝於元件搭載部件110的導電性粘接劑140構成。

元件搭載部件110的凹部通過蓋體130來密封，其內部例如被設為真空或者被封入適當的氣體(例如，氮)。

元件搭載部件110例如由作為元件搭載部件110的主體的基體110a、沿著基體110a的上表面的緣部設置的框體110b、用於安裝晶體元件120的搭載襯墊111以及用於將晶體器件安裝到未圖示的電路基板等的外部端子112構成。在元件搭載部件110處，沿著基體110a的上表面的緣部設置框狀的框體110b，並且形成有凹部。

基體110a和框體110b由陶瓷材料等絕緣材料構成。搭載襯墊111和外部端子112例如通過由金屬等構成的導電層來構成，通過配置於基體110a內的導體(未圖示)而相互電連接。蓋體130例如由金屬構成，通過縫焊等而接合到元件搭載部件110、具體來說是框體110b的上表面。

晶體元件120例如具有用於對晶體片121施加電壓的一對激勵電極部126以及用於將晶體元件120安裝到搭載襯墊111的一對配線部127。

晶體片121是所謂的at切割晶體片。即，在晶體中使由x軸(電氣軸)、y軸(機械軸)和z軸(光軸)構成的正交坐標系xyz繞x軸旋轉30°以上且50°以下(作為一例，35°15′)而定義了正交坐標系xy′z′時，晶體片121是與xz′平面平行地被切出的板狀。

一對激勵電極部126和一對配線部127通過由金屬等構成的導電性材料來構成。一對激勵電極部126例如設置於晶體片121的兩個主面的中央側。一對配線部127例如從激勵電極部126向x軸方向的一側(例如，-x方向側)延伸，沿著晶體片121的規定的一邊的端部具有一對引出部128。

晶體元件120使主面與元件搭載部件110的基體110a的上表面對置地收容於元件搭載部件110的凹部內。引出部128通過導電性粘接劑140粘接到設置於元件搭載部件110的基體110a的搭載襯墊111。由此，晶體元件120如懸臂梁那樣地被支撐於元件搭載部件110。另外，一對激勵電極部126與元件搭載部件110的一對搭載襯墊111電連接，進而，與元件搭載部件110的多個外部端子112中的任意兩個電連接。

這樣構成的晶體器件例如將元件搭載部件的下表面對置地配置於未圖示的電路基板的安裝面，外部端子112通過焊料等而接合到電路基板的襯墊，從而安裝於電路基板。在電路基板例如構成有振蕩電路。振蕩電路經由外部端子112和搭載襯墊111對一對激勵電極部126施加交變電壓而生成振蕩信號。此時，振蕩電路例如利用晶體片121的厚度滑動振動中的基波振動。

(晶體元件的形狀)

圖3a是俯視晶體元件120的上表面而得到的俯視圖，圖3b是上表面透視晶體元件120的下表面而得到的俯視透視圖。另外，圖4a是俯視晶體片的上表面而得到的俯視圖，圖4b從上表面對晶體片121的下表面進行俯視透視的俯視透視圖。圖5和圖6是b-b剖面的剖視圖。

在實施方式中，在將晶體元件120安裝於元件搭載部件110的情況下，將與元件搭載部件110的基體110a的上表面大致平行的面設為主面，將從晶體元件120向元件搭載部件110的基體110a的朝向設為下方向、從元件搭載部件110的基體110a向晶體元件120的朝向設為上方向來說明。

將朝向元件搭載部件110的基體110a的晶體元件120的面設為晶體元件120的下表面，將朝向與晶體元件120的下表面相反一側的晶體元件120的面設為晶體元件120的上表面，將晶體元件120的上表面和晶體元件120的下表面設為晶體元件120的主面。同樣地，將朝向元件搭載部件110的基體110a的晶體片121的面設為晶體片121的下表面，將朝向與晶體片121的下表面相反一側的晶體片121的面設為晶體片121的上表面，將晶體片121的上表面和晶體片121的下表面設為晶體片121的主面。同樣地，將朝向元件搭載部件110的基體110a的振動部122的面設為振動部122的下表面，將朝向與振動部122的下表面相反一側的振動部122的面設為振動部122的上表面，將振動部122的上表面和振動部122的下表面設為振動部122的主面。

另外，將振動部122所具備的凸部、且向元件搭載部件110的與基體110a相反一側突出的凸部設為第一凸部122a，將振動部122所具備的凸部、且向元件搭載部件110的基體110a側突出的凸部設為第二凸部122b。此時，將與元件搭載部件110的基體110a的上表面大致平行的第一凸部122a的面設為第一凸部122a的主面，將與元件搭載部件110的基體110a的上表面大致平行的第二凸部122b的面設為第二凸部122b的主面。

此外，振動部122的上表面和第一凸部122a的主面以相同的含義使用，晶體元件120的上表面和晶體片121的上表面以相同的含義使用。另外，晶體元件120的上表面、晶體片121的上表面、振動部122的上表面和第一凸部122a的主面位於同一平面上。另外，振動部122的下表面和第二凸部122b的主面以相同的含義使用，晶體元件120的下表面和晶體片121的下表面以相同的含義使用。另外，晶體元件120的下表面、晶體片121的下表面、振動部122的下表面和第二凸部122b的主面位於同一平面上。

晶體元件120包括具備第一凸部122a和第二凸部122b的晶體片121以及由激勵電極部126、配線部127和引出部128構成的金屬圖案125。

晶體片121是所謂的臺面型的晶體片，由具有向彼此相對的方向突出的第一凸部122a和第二凸部122b的振動部、傾斜部123及周邊部124構成。通過設為這樣的形狀，與使用平板狀的晶體片的情況相比，能夠提高能量束縛效果，進而，能夠減小等價串聯電阻值。晶體片121的形狀在俯視時大致為矩形，其主面是具有與x軸平行的長邊和與z′軸平行的短邊的矩形。這樣的晶體片121將x軸方向設為長度方向。

振動部122例如是具有與xz′平面平行的一對主面的薄型長方體，其主面是具有與x軸平行的長邊和與z′軸平行的短邊的矩形。在該振動部122的兩個主面(第一凸部122a的主面和第二凸部122b的主面)，設置有一對激勵電極部126。當對該一對激勵電極部126施加交變電壓時，被激勵電極部126夾住的振動部122的一部分由於逆壓電效應和壓電效應，能夠使被激勵電極部126夾住的部分進行厚度滑動振動。此時，關於該厚度滑動振動，也從被激勵電極部126夾住的部分向未被激勵電極部126夾住的振動部122的外緣側傳播厚度滑動振動。

如上所述，在實施方式中，將振動部122所具備的凸部、且向元件搭載部件110的與基體110a相反一側突出的凸部設為第一凸部122a，將振動部122所具備的凸部、且向元件搭載部件110的基體110a側突出的凸部設為第二凸部122b。

第一凸部122a是向上側突出的凸部。第一凸部122a如圖3a所示，是在俯視晶體片121的上表面時具有與x軸平行的長邊和與z′軸平行的短邊的矩形。另外，沿著第一凸部122a的外緣設置有傾斜部123(第一傾斜部123a)。

第二凸部122b是向下側突出的凸部。第二凸部122b如圖3b所示，是在從晶體片121的上表面俯視透視晶體片121的下表面時具有與x軸平行的長邊和與z′軸平行的短邊的矩形。另外，第二凸部122b的主面如圖4a和圖4b所示，與第一凸部122a的主面平行。另外，沿著第二凸部122b的外緣設置有傾斜部123(第二傾斜部123b)。

傾斜部123具有第一傾斜部123a和第二傾斜部123b。傾斜部123的上下方向的厚度如圖5和圖6所示，在對晶體片121進行剖視時，隨著從振動部122朝向周邊部124而逐漸變薄。第一傾斜部123a是沿著第一凸部122a的外緣設置的傾斜部123的一部分。第二傾斜部123b是沿著第二凸部122b的外緣設置的傾斜部123的一部分。

在這裡，如圖5所示，當在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)對晶體片121進行剖視時，將第一傾斜部123a(沿著第一凸部122a設置的傾斜部123)、且位於+x軸方向的側面設為第一側面s11，將第一傾斜部123a、且位於-x軸方向的側面設為第二側面s12。另外，如圖4a和圖5所示，當在xy′平面對晶體片121進行剖視時，將第二傾斜部123b(沿著第二凸部122b設置的傾斜部123)、且位於+x軸方向的側面設為第三側面s13，將第二傾斜部123b、且位於-x軸方向的側面設為第四側面s14。

第一側面s11如圖5所示，是在俯視晶體片121的上表面時第一傾斜部123a的與z′軸平行的面中的位於+x軸側的面。即，第一側面s11相對於通過第一凸部122a的主面(振動部122的上表面)的中心cu的、與x軸垂直的假想線clu，位於x軸的正方向側。第一側面s11與第一凸部122a的主面所成的角度是鈍角(大於90°並且小於180°的角度)、具體來說是135°～155°。

第二側面s12如圖5所示，是在俯視晶體片121的上表面時第一傾斜部123a的與z′軸平行的面中的位於-x軸側的面。即，第二側面s12相對於通過第一凸部122a的主面(振動部122的上表面)的中心cu的、與x軸垂直的假想線clu，位於x軸的負方向側。第二側面s12與第一凸部122a的主面所成的角度是鈍角(大於90°並且小於180°的角度)、具體來說是150°～170°。

第三側面s13如圖5所示，是在從晶體片121的上表面俯視透視下表面時第二傾斜部123b的與z′軸平行的面中的位於+x軸側的面。即，第三側面s13相對於通過第二凸部122b的主面(振動部122的下表面)的中心cd的、與x軸垂直的假想線cld，位於x軸的正方向側。第三側面s13與第二凸部122b的主面所成的角度是鈍角(大於90°並且小於180°的角度)、具體來說是150°～170°。另外，如圖5和圖6所示，當在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)對晶體片121進行剖視時，第三側面s13位於與第一側面s11上下重疊的位置。

第四側面s14如圖5所示，是在從晶體片121的上表面俯視透視下表面時第二傾斜部123b的與z′軸平行的面中的位於-x軸側的面。即，第三側面s13相對於通過第二凸部122b的主面(振動部122的下表面)的中心cd的、與x軸垂直的假想線cld，位於x軸的負方向側。第四側面s14與第二凸部122b的主面所成的角度是鈍角(大於90°並且小於180°的角度)、具體來說是135°～155°。另外，如圖5和圖6所示，當在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)對晶體片121進行剖視時，第四側面s14位於與第二側面s12在上下方向上重疊的位置。

因此，如圖5和圖6所示，在對晶體片121進行剖視的情況下，第一側面s11與第三側面s13位於上下方向上，同時第二側面s12與第四側面s14位於上下方向上。根據其他觀點，在對晶體片121進行俯視透視的情況下，第一側面s11與第三側面s13重疊，同時第二側面s12與第四側面s14重疊。通過這樣，在從被激勵電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時，從激勵電極部126的外緣向振動部122的外緣的方向上傳播的振動的情況下，能夠使傳播方向與側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)所成的角度與側面(第一側面、第二側面、第三側面或者第四側面)垂直的情況相比減小，因此能夠減輕在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的量，能夠抑制由於在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的振動而電特性變差的量。

另外，在本實施方式的晶體片121中，當在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)進行剖視的情況下，第一側面s11與第三側面s13位於上下方向上，同時第二側面s12與第四側面s14位於上下方向上。即，晶體片121在俯視時，上述第一側面s11相對於通過第一凸部122a的主面的中心cu並且與x軸垂直的假想線clu，位於x軸的正方向側，第二側面s12相對於通過第一凸部122a的主面的中心cu並且與x軸垂直的假想線clu，位於x軸的負方向側，第三側面s13相對於通過第二凸部122b的主面的中心cd並且與x軸垂直的假想線cld，位於x軸的正方向側，第四側面s14相對於通過第二凸部122b的主面的中心cd並且與x軸垂直的假想線cld，位於x軸的負方向側。通過這樣，在側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)被反射的振動降低，從而能夠降低對被激勵電極部126夾住的部分的厚度滑動振動造成的影響，能夠抑制電特性變差的量。一般來說，在對激勵電極部126施加電壓而使被激勵電極部126夾住的振動部122的一部分進行厚度滑動振動時，其振動位移在與x軸平行的方向的中心部最大。因此，在與x軸平行的朝向上從側面被反射而傳播的振動容易對被激勵電極部126夾住的部分的厚度滑動振動造成影響。即，在實施方式中，當在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)進行剖視的情況下，通過使第一側面s11與第三側面s13位於上下方向上，同時使第二側面s12與第四側面s14位於上下方向上，從而與當在z′y′平面進行剖視的情況下位於上下方向的情況相比，在側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)被反射了的振動進一步降低，因而，能夠降低對由激勵電極部126夾住的部分的厚度滑動振動造成的影響，能夠抑制電特性變差的量。

另外，在本實施方式的晶體片121中，當在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)進行剖視的情況下，第一凸部122a的主面與第一側面s11所成的角度是鈍角(大於90°並且小於180°的角度)，第一凸部122a的主面與第二側面s12所成的角度是鈍角，第二凸部122b的主面與第三側面s13所成的角度是鈍角，第二凸部122b的主面與第四側面s14所成的角度是鈍角。通過這樣，在從被激勵電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時，在從激勵電極部126的外緣朝向振動部122的外緣的方向上傳播的情況下，能夠使傳播方向與側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)所成的角度與側面(第一側面、第二側面、第三側面或者第四側面)垂直的情況相比進一步減小，因此能夠減輕在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的量，能夠抑制由於在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的振動而電特性變差的量。

具體來說，在本實施方式的晶體片121中，第一凸部122a的主面與第一側面s11所成的角度是135°～155°，第一凸部122a的主面與第二側面s12所成的角度是150°～170°，第二凸部122b的主面與第三側面s13所成的角度是150°～170°，第二凸部122b的主面與第四側面s14所成的角度是135°～155°。通過這樣，在對激勵電極部126施加電壓而使由激勵電極部126夾住的振動部122的一部分進行厚度滑動振動的情況下，能夠進一步降低在側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)反射的振動在與x軸平行的方向上被反射的量，能夠進一步抑制電特性變差的量。特別是，與側面之間的角度以及厚度滑動振動的傳播的方式根據晶體晶圓的切割角度來決定，因此在實施方式中，通過這樣決定側面的角度，抑制電特性變差的量。此外，所成的角度的公差是±3°以內。

周邊部124在俯視晶體片121時，沿著傾斜部123的外緣設置。周邊部124的上下方向的厚度薄于振動部122的上下方向的厚度(第一凸部122a的主面至第二凸部122b的主面為止的距離)。

如圖4a所示，當俯視晶體片121的上表面時，從晶體片121的規定的另一邊(與排列設置有引出部128的晶體片121的規定的一邊對置的邊)到位於x軸的正方向側的第一側面s11為止的距離d11(+)短於從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第一側面s11為止的距離d11(-)。另外，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第二側面s12為止的距離d12(+)短於從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第二側面s12為止的距離d12(-)。

如圖4b所示，當從上表面側俯視透視晶體片121的下表面時，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第三側面s13為止的距離d13(+)短於從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第三側面s13為止的距離d13(-)。另外，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第四側面s14為止的距離d14(+)短於從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第四側面s14為止的距離d14(-)。

晶體片121如圖4b和圖6所示，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第三側面s13為止的距離d13(+)短於從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第一側面s11為止的距離d11(-)。另外，如圖4b和圖6所示，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第四側面s14為止的距離d14(+)短於從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第二側面s12為止的距離d12(-)。即，晶體片121在將相比於假想線clu、cld更位於x軸的正方向側的與x軸垂直的邊設為晶體片121的規定的另一邊時，規定的另一邊與靠近規定的另一邊的第三側面s13的邊之間的距離(d13(+))短於規定的另一邊與遠離規定的另一邊的第一側面s11的邊之間的距離(d11(-))，規定的另一邊與靠近規定的另一邊的第四側面s14的邊之間的距離(d14(+))短於規定的另一邊與遠離規定的另一邊的第二側面s12的邊之間的距離(d12(-))。

通過這樣，在對晶體片121進行剖視的情況下，能夠使第一側面s11與第三側面s13位於上下方向上，同時使第二側面s12與第四側面s14位於上下方向上。根據其他觀點，在對晶體片121進行俯視透視的情況下，能夠使第一側面s11與第三側面s13重疊，同時使第二側面s12與第四側面s14重疊。即，通過這樣，在從被激勵電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時，在從激勵電極部126的外緣朝向振動部122的外緣的方向上傳播的情況下，能夠使傳播方向與側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)所成的角度與側面(第一側面、第二側面、第三側面或者第四側面)垂直的情況相比減小，因此能夠減輕在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的量，能夠抑制由於在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的振動而電特性變差的量。

在晶體片121中，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第一側面s11為止的距離d11(-)等於從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第三側面s13為止的距離d13(-)。即，在晶體片121中，規定的另一邊與遠離規定的另一邊的第一側面s11的邊之間的距離(d11(-))等於規定的另一邊與遠離規定的另一邊的第三側面s13的邊之間的距離(d13(-))，規定的另一邊與靠近規定的另一邊的第二側面s12的邊之間的距離(d12(+))等於規定的另一邊與靠近規定的另一邊的第四側面s14的邊之間的距離(d14(+))。另外，在晶體片121中，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第二側面s12為止的距離d12(+)等於從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第四側面s14為止的距離d14(+)。通過這樣，能夠在俯視透視晶體元件120的情況下，使位於x軸的負方向側的第一側面s11與位於x軸的負方向側的第三側面s13重疊，同時使位於x軸的正方向側的第二側面s12與位於x軸的正方向側的第四側面s14重疊，能夠減輕在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的量。其結果是，能夠抑制由於在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的振動而電特性變差的量。

在這裡，說明這樣的晶體片121的形成方法。這樣的晶體片121的形成方法例如由晶體晶圓準備工序、第一蝕刻工序和第二蝕刻工序構成。在晶體晶圓準備工序中，首先，準備具有由相互正交的x軸、y軸和z軸構成的晶軸的晶體晶圓。此時，晶體晶圓的上下方向的厚度與振動部122的上下方向的厚度相同。另外，晶體晶圓的主面成為與振動部122的主面相同的切割角度。因此，晶體晶圓的主面平行於使與x軸和z軸平行的面以x軸為中心看著x軸的負方向而逆時針地旋轉規定的角度而得到的面。在第一蝕刻工序中，使用光刻技術和蝕刻技術。首先，在晶體晶圓的兩個主面上設置保護金屬膜，在該保護金屬膜上塗敷感光性抗蝕劑，曝光/顯影成規定的圖案。此時，當俯視晶體晶圓時，在成為振動部122的部分殘留有感光性抗蝕劑，在成為傾斜部123和周邊部124的部分未殘留感光性抗蝕劑。其後，浸漬到規定的蝕刻溶液，對晶體晶圓進行蝕刻，直到被蝕刻的晶體晶圓的上下方向的厚度變成周邊部124的上下方向的厚度為止。此時，通過晶體特有的各向異性蝕刻，還形成傾斜部123。最後，將殘留於晶體晶圓的感光性抗蝕劑和保護金屬膜剝離。在第二蝕刻工序中，在第一蝕刻工序後的晶體晶圓的兩個主面設置保護金屬膜，在保護金屬膜上塗敷感光性抗蝕劑，曝光/顯影成規定的圖案。此時，當俯視晶體晶圓時，在成為晶體片121的部分殘留有感光性抗蝕劑。其後，浸漬到規定的蝕刻溶液，對晶體晶圓進行蝕刻。通過如上所述，多個晶體片121能夠以其一部分被連結了的狀態形成於晶體晶圓內。如上所述，凸部的主面與側面之間的角度根據晶體晶圓的切割角度來決定。例如在晶體中，通過使用繞x軸在30°以上且50°以下的範圍內旋轉而與xz′平面平行地被切出的at切割板，第一凸部122a的主面與第一側面s11所成的角度能夠取得135°～155°，第一凸部122a的主面與第二側面s12所成的角度能夠取得150°～170°，第二凸部122b的主面與第三側面s13所成的角度能夠取得150°～170°，第二凸部122b的主面與第四側面s14所成的角度能夠取得135°～155°。進而在晶體中，通過使用繞x軸旋轉35°15′而與xz′平面平行地被切出的at切割板，第一凸部122a的主面與第一側面s11所成的角度能夠取得147°，第一凸部122a的主面與第二側面s12所成的角度能夠取得160°，第二凸部122b的主面與第三側面s13所成的角度能夠取得160°，第二凸部122b的主面與第四側面s14所成的角度能夠取得147°。

接下來，說明晶體片121的各尺寸的實施例。晶體片121在俯視時大致為矩形形狀，長邊的尺寸是0.4mm～1.0mm，短邊的尺寸是0.3mm～0.7mm。第一凸部122a的主面大致為矩形形狀，與晶體片121的長邊平行的尺寸是0.2mm～0.8mm，與晶體片121的短邊平行的尺寸是0.2mm～0.6mm。第二凸部122b的主面大致為矩形形狀，與晶體片121的長邊平行的尺寸是0.2mm～0.8mm，與晶體片121的短邊平行的尺寸是0.2mm～0.6mm。第一凸部122a的主面至第二凸部122b為止的距離(振動部122的上下方向的厚度)是30μm～70μm。另外，周邊部124的上下方向的厚度是10μm～65μm。

從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第一側面s11為止的距離d11(+)是2μm～199μm，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第一側面s11為止的距離d11(-)是30μm～200μm。從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第二側面s12為止的距離d12(+)是230μm～900μm，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第二側面s12為止的距離d12(-)是231μm～952μm。從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第三側面s13為止的距離d13(+)是2μm～199μm，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第三側面s13為止的距離d13(-)是30μm～200μm。從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第四側面s14為止的距離d14(+)是230μm～900μm，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第四側面s14為止的距離d14(-)是231μm～965μm。

設置於這樣的晶體片121的金屬圖案125用於從晶體元件120的外部施加電壓。金屬圖案125既可以是一層，也可以層疊多個金屬層。金屬圖案125沒有特別圖示，例如由第一金屬層和層疊於第一金屬層上的第二金屬層構成。第一金屬層使用與晶體的密合性好的金屬，例如使用鎳、鉻或者鈦中的任意一個。通過使用與晶體的密合性好的金屬，能夠將難以與晶體密合的金屬材料用於第二金屬層。第二金屬層例如使用金、包含金的合金、銀或者包含銀的合金中的任意一個。這樣在第二金屬層中，使用金屬材料中的電阻率較低且穩定的材料。通過使用電阻率較低的材料，能夠降低金屬圖案125自身的電阻率，其結果是，能夠減少晶體元件120的等價串聯電阻值變大的情況。另外，通過將穩定的金屬材料用於第二金屬層，能夠減少與晶體元件120周圍的空氣發生反應而金屬圖案125的重量變化而導致晶體元件120的頻率變化的情況。

激勵電極部126用於對振動部122施加電壓。激勵電極部126為一對，在振動部122的上表面(第一凸部122a的主面)設置有一個激勵電極部126，在振動部122的下表面(第二凸部122b的主面)設置有另一個激勵電極部126。在俯視晶體元件120時，激勵電極部126大致為矩形形狀。另外，一個激勵電極部126被設置成一個激勵電極部126的外緣比第一凸部122a的外緣更位於內側，另一個激勵電極部126被設置成另一個激勵電極部126的外緣比第二凸部122b的外緣更位於內側。

配線部127為一對，用於對激勵電極部126施加電壓，設置於晶體片121的表面。配線部127的一端與激勵電極部126連接，另一端與沿著晶體片121的規定的一邊設置的引出部128連接。

引出部128與配線部127連接。引出部128在將晶體元件120用作晶體器件的情況下，通過導電性粘接劑140與設置於基體110a的上表面的搭載襯墊111電粘接。引出部128為一對，沿著晶體片121的規定的一邊排列設置有兩個。

在這裡，說明將由激勵電極部126、配線部127和引出部128構成的金屬圖案125形成於晶體片121的方法。在這裡，以使用光刻技術和蝕刻技術一體地形成金屬圖案125的情況為例進行說明。首先，準備連結了成為晶體片121的部分的狀態的晶體晶圓，在該晶體晶圓的兩個主面形成成為金屬圖案125的金屬膜。接下來，在該金屬膜上塗敷感光性抗蝕劑，曝光/顯影成規定的圖案。此時，在顯影后，變成在成為金屬圖案125的部分殘留有感光性抗蝕劑的狀態。其後，浸漬到規定的蝕刻溶液，去除未殘留感光性抗蝕劑部分的金屬膜，最後，去除殘留的感光性抗蝕劑。通過這樣，在晶體片121的規定的部分形成有金屬圖案125。此外，說明了同時形成激勵電極部126、配線部127和引出部128的情況，但既可以分別單獨地形成，也可以不使用光刻技術和蝕刻技術而使用濺射技術或者蒸鍍技術來形成，也可以組合光刻技術和蝕刻技術以及濺射技術或者蒸鍍技術來形成。

本實施方式的晶體元件120包括：晶體片121，在俯視時形成為大致矩形形狀，並具備振動部122以及周邊部124，所述振動部122具有向彼此相對的方向突出的第一凸部122a和第二凸部122b，周邊部124沿著振動部122的外緣配置並且厚度比振動部122薄；一對激勵電極部126，設置於第一凸部122a的上表面和第二凸部122b的下表面；一對引出部128，沿著晶體片121的規定的一邊排列設置；以及配線部127，一端與激勵電極部126連接並且另一端與引出部128連接。另外，第一凸部122a具有相對於設置有激勵電極部126的第一凸部122a的上表面傾斜的第一側面s11以及與第一側面s11在規定方向上對置並且與設置有激勵電極部126的第一凸部122a的上表面對置的第二側面s12，第二凸部122b具有相對於設置有激勵電極部126的第二凸部122b的下表面傾斜的第三側面s13以及與第三側面s13在規定方向上對置並且與設置有激勵電極部126的第二凸部122b的下表面對置的第四側面s14，第一側面s11在晶體片121的厚度方向上的俯視時，配置成與第三側面s13重疊，第二側面s12在晶體片121的厚度方向上的俯視時，配置成與第四側面s14重疊。

通過這樣，在從被激勵電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時，在從激勵電極部126的外緣朝向振動部122的外緣的方向上傳播的情況下，能夠使傳播方向與側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)所成的角度與側面(第一側面、第二側面、第三側面或者第四側面)垂直的情況相比減小，因此能夠減輕在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的量，能夠抑制由於在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的振動而電特性變差的量。

另外，在本實施方式的晶體元件120中，第一側面s11位於晶體片121的晶軸的x軸的正方向側，與垂直於x軸的面平行，第二側面s12位於晶體片121的晶軸的x軸的負方向側，與垂直於x軸的面平行，第三側面s13位於晶體片121的晶軸的x軸的正方向側，與垂直於x軸的面平行，第四側面s14位於晶體片121的晶軸的x軸的負方向側，與垂直於x軸的面平行。即，晶體片121在俯視時，第一側面s11相對於通過第一凸部122a的主面的中心cu並且與x軸垂直的假想線clu，位於x軸的正方向側，第二側面s12相對於通過第一凸部122a的主面的中心cu並且與x軸垂直的假想線clu，位於x軸的負方向側，第三側面s13相對於通過第二凸部122b的主面的中心cd並且與x軸垂直的假想線cld，位於x軸的正方向側，第四側面s14相對於通過第二凸部122b的主面的中心cd並且與x軸垂直的假想線cld，位於x軸的負方向側。

通過這樣，在側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)反射的振動降低，從而能夠降低對被激勵電極部126夾住的部分的厚度滑動振動造成的影響，能夠抑制電特性變差的量。一般來說，在對激勵電極部126施加電壓而使被激勵電極部126夾住的振動部122的一部分進行厚度滑動振動時，其振動位移在與x軸平行的方向的中心部最大。因此，在與x軸平行的朝向上從側面被反射而傳播的振動容易對被激勵電極部126夾住的部分的厚度滑動振動造成影響。即，在實施方式中，當在xy′平面(與x軸和y′軸平行的面)進行剖視的情況下，使第一側面s11與第三側面s13位於上下方向上，同時使第二側面s12與第四側面s14位於上下方向上，從而與在z′y′平面進行剖視時位於上下方向的情況相比，能夠進一步降低在側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)反射的振動對由激勵電極部126夾住的部分的厚度滑動振動造成的影響，能夠抑制電特性變差的量。

另外，在本實施方式的晶體元件120中，設置有激勵電極部126的第一凸部122a的上表面與第一側面s11的角度大於90°並且小於180°、具體來說是135°～155°。另外，設置有激勵電極部126的第一凸部122a的上表面與第二側面s12的角度大於90°並且小於180°、具體來說是150°～170°。另外，設置有激勵電極部126的第二凸部122b的下表面與第三側面s13的角度大於90°並且小於180°、具體來說是150°～170°。另外，設置有激勵電極部126的第二凸部122b的下表面與第四側面s14的角度大於90°並且小於180°、具體來說是135°～155°。

通過這樣，在從被激勵電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時，在從激勵電極部126的外緣朝向振動部122的外緣的方向上傳播的情況下，能夠使傳播方向與側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)所成的角度與側面(第一側面、第二側面、第三側面或者第四側面)垂直的情況相比進一步減小，因此能夠減輕在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的量，能夠抑制由於在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的振動而電特性變差的量。

另外，在本實施方式的晶體元件120中，在俯視晶體元件120時，從與x軸垂直的晶體片121的邊、且位於x軸的正方向側的晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第一側面s11的邊為止的距離d11(+)短於從規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第一側面s11為止的距離d11(-)，並且，到位於x軸的正方向側的第三側面s13的邊為止的距離d13(+)短於從規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第一側面s11為止的距離d11(-)。另外，從規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第四側面s14的邊為止的距離d14(+)短於從規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第四側面s14的邊為止的距離d14(-)，並且，從規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第四側面s14的邊為止的距離d14(+)短於到位於x軸的負方向側的第二側面s12的邊為止的距離d12(-)。即，晶體片121在將相比假想線clu、cld更位於x軸的正方向側的與x軸垂直的邊設為晶體片121的規定的另一邊時，規定的另一邊與靠近規定的另一邊的第三側面s13的邊之間的距離(d13(+))短於規定的另一邊與遠離規定的另一邊的第一側面s11的邊之間的距離(d11(-))，規定的另一邊與靠近規定的另一邊的第四側面s14的邊之間的距離(d14(+))短於規定的另一邊與遠離規定的另一邊的第二側面s12的邊之間的距離(d12(-))。

通過這樣，在從被激勵電極部126夾住的部分俯視晶體元件120時，在從激勵電極部126的外緣朝向振動部122的外緣的方向上傳播的情況下，能夠使傳播方向與側面(第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13或者第四側面s14)所成的角度與側面(第一側面、第二側面、第三側面或者第四側面)垂直的情況相比減小，因此能夠減輕在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的量，能夠抑制由於在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的振動而電特性變差的量。

另外，在本實施方式的晶體元件120中，當在xy′平面(與x軸和y′軸平行的平面)對晶體片121進行剖視的情況下，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第一側面s11為止的距離d11(-)等於從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的負方向側的第三側面s13為止的距離d13(-)。另外，在晶體片121中，從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第二側面s12為止的距離d12(+)等於從晶體片121的規定的另一邊到位於x軸的正方向側的第四側面s14為止的距離d14(+)。即，在晶體片121中，規定的另一邊與遠離規定的另一邊的第一側面s11的邊之間的距離(d11(-))等於規定的另一邊與遠離規定的另一邊的第三側面s13的邊之間的距離(d13(-))，規定的另一邊與靠近規定的另一邊的第二側面s12的邊之間的距離(d12(+))等於規定的另一邊與靠近規定的另一邊的第四側面s14的邊之間的距離(d14(+))。

通過這樣，在對晶體元件120進行俯視透視的情況下，能夠使位於x軸的負方向側的第一側面s11與位於x軸的負方向側的第三側面s13重疊，同時使位於x軸的正方向側的第二側面s12與位於x軸的正方向側的第四側面s14重疊，能夠減輕在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的量。其結果是，能夠抑制由於在第一側面s11、第二側面s12、第三側面s13和第四側面s14反射的振動而電特性變差的量。

本實施方式的晶體器件由這樣的晶體元件120、安裝有晶體元件120的元件搭載部件110以及與元件搭載部件110接合併且對晶體元件120進行氣密密封的蓋體130構成。通過這樣，能夠降低由於從被激勵電極部126夾住的晶體片121的一部分傳播的振動在第一凸部122a和第二凸部122b的側面反射而發生的電特性的變化，其結果是，能夠減小等價串聯電阻值。

本發明不限定於以上的實施方式，也可以通過各種方式來實施。

具有晶體元件的晶體器件不限定於晶體振子。例如，也可以是除晶體元件之外還具有對晶體元件施加電壓而生成振蕩信號的集成電路元件(ic)的振蕩器。另外，例如，晶體器件也可以帶恆溫槽。在晶體器件中，也可以適當構成封裝晶體元件的元件搭載部件的構造。例如，元件搭載部件也可以是在上表面和下表面具有凹部的截面h型。

晶體元件的形狀和尺寸不限定於在實施方式中例示的形狀和尺寸，也可以適當設定。激勵電極部的形狀不限定於在俯視時大致為矩形，例如也可以是橢圓形狀。

第一凸部和第二凸部在俯視晶體元件時，其中心既可以與晶體片的中心一致，也可以偏心。

在俯視晶體元件的上表面時通過振動部的上表面(第一凸部的主面)的中心的假想線與在從上表面俯視透視晶體元件的下表面時通過振動部的下表面(第二凸部的主面)的中心的假想線既可以重疊，也可以不重疊。

標號說明

110…元件搭載部件

110a…基體

110b…框體

111…搭載襯墊

112…外部端子

120…晶體元件

121…晶體片

122…振動部

122a…第一凸部

122b…第二凸部

123…傾斜部

123a…第一傾斜部

123b…第二傾斜部

124…周邊部

125…金屬圖案

126…激勵電極部

127…配線部

128…引出部

130…蓋體

140…導電性粘接劑

s11…第一側面

s12…第二側面

s13…第三側面

s14…第四側面

d11(+)、d21(+)…晶體片的規定的另一邊與靠近晶體片的規定的另一邊的第一側面的邊之間的距離(從晶體片的規定的另一邊到位於+x側的第一側面為止的距離)

d11(-)、d21(-)…晶體片的規定的另一邊與遠離晶體片的規定的另一邊的第一側面的邊之間的距離(從晶體片的規定的另一邊到位於-x側的第一側面為止的距離)

d12(+)、d22(+)…晶體片的規定的另一邊與靠近晶體片的規定的另一邊的第二側面的邊之間的距離(從晶體片的規定的另一邊到位於+x側的第二側面為止的距離)

d12(-)、d22(-)…晶體片的規定的另一邊與遠離晶體片的規定的另一邊的第二側面的邊之間的距離(從晶體片的規定的另一邊到位於-x側的第二側面為止的距離)

d13(+)、d23(+)…晶體片的規定的另一邊與靠近晶體片的規定的另一邊的第三側面的邊之間的距離(從晶體片的規定的另一邊到位於+x側的第三側面為止的距離)

d13(-)、d23(-)…晶體片的規定的另一邊與遠離晶體片的規定的另一邊的第三側面的邊之間的距離(從晶體片的規定的另一邊到位於-x側的第三側面為止的距離)

d14(+)、d24(+)…晶體片的規定的另一邊與靠近晶體片的規定的另一邊的第四側面的邊之間的距離(從晶體片的規定的另一邊到位於+x側的第四側面為止的距離)

d14(-)、d24(-)…晶體片的規定的另一邊與遠離晶體片的規定的另一邊的第四側面的邊之間的距離(從晶體片的規定的另一邊到位於-x側的第四側面為止的距離)。