有機電致發光器件及其製備方法

2023-09-11 02:36:50 3

有機電致發光器件及其製備方法
【專利摘要】本發明涉及一種有機電致發光器件及其製備方法，該有機電致發光器件為層狀結構，該層狀結構為：依次層疊的玻璃基底、陽極層、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；所述散射層包括金屬摻雜層與鐵鹽摻雜層；其中，所述金屬摻雜層的材質包括高功函數金屬與螢光發光材料，所述鐵鹽摻雜層的材質包括鐵鹽與空穴摻雜材料。本發明有機電致發光器件的散射層提高空穴的注入能力，提高光色純度，提高器件的導電性，使空穴注入的勢壘降低，從而提高空穴注入效率，從而有利於提高出光效率。
【專利說明】有機電致發光器件及其製備方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及光電子器件領域，尤其涉及一種有機電致發光器件。本發明還涉及該有機電致發光器件的製備方法。

【背景技術】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報導了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術製備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發光器件(OLED)。1V下亮度達到1000cd/m2，其發光效率為1.511m/W、壽命大於100小時。
[0003]現有發光器件中，器件內部的光只有18%左右是可以發射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差)。具體而言，當現有發光器件的玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達玻璃，就會發生全反射，引起了全反射的損失，從而導致整體出光性能較低。


【發明內容】

[0004]本發明的目的在於解決上述現有技術存在的問題和不足，提供一種有機電致發光器件及其製備方法以提高有機電致發光器件的出光效率。
[0005]本發明針對上述技術問題而提出的技術方案為:一種有機電致發光器件，該有機電致發光器件為層狀結構，該層狀結構為:依次層疊的玻璃基底、陽極層、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；所述散射層包括金屬摻雜層與鐵鹽摻雜層；其中，
[0006]所述金屬摻雜層的材質包括功函數為-4.0?-5.5eV的高功函數金屬與螢光發光材料，所述鐵鹽摻雜層的材質包括鐵鹽與空穴摻雜材料；
[0007]所述的螢光發光材料為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)；
[0008]所述的空穴摻雜材料為2，3，5，6_四氟-7，7，8，8，_四氰基-對苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(IT-NATA)和二萘基-N，N ' -二苯基-4，4'-聯苯二胺(2T-NATA)。
[0009]進一步地，所述高功函數金屬與所述螢光發光材料摻雜質量比為0.5:1?2:1 ;所述鐵鹽與所述空穴摻雜材料的摻雜質量比為0.1:1?0.4:1。
[0010]進一步地，所述高功函數金屬為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au);所述鐵鹽為氯化鐵(FeCl3)溴化鐵(FeBr3)或硫化鐵(Fe2S3)15
[0011]進一步地，所述玻璃基底的折射率為1.8以上，可見光透過率為90%以上。所述可見光的波長優選為400nm。
[0012]進一步地，所述金屬摻雜層的厚度為50?200nm，所述鐵鹽摻雜層的厚度為40?10nm0
[0013]進一步地，所述陽極層的材質為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；
[0014]所述空穴注入層的材質為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)；
[0015]所述空穴傳輸層的材質為I, 1-二 [4_[N,N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N' -(1-萘基)_N，N' -二苯基-4，4'-聯苯二胺(NPB);
[0016]所述發光層的材質為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4,-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I'-聯苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)；
[0017]所述電子傳輸層的材質為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯並咪唑(TPBI)；
[0018]所述電子注入層的材質為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化M(LiF)0
[0019]所述陰極層的材質為銀(Ag)、鋁(Al) j^(Pt)或金(Au)。
[0020]本發明還還提出一種有機電致發光器件的製備方法，其包括如下步驟:
[0021](a)在玻璃基底上通過磁控濺射設備來製備陽極層；
[0022](b)使用熱阻蒸鍍設備在步驟(a)製得的陽極層上製備金屬摻雜層，然後在所述金屬摻雜層上製備鐵鹽摻雜層，從而得到所述散熱層；其中，
[0023]所述金屬摻雜層的材質包括摻雜質量比為0.5:1?2:1高功函數金屬與突光發光材料，所述鐵鹽摻雜層的材質包括摻雜質量比為0.1:1?0.4:1鐵鹽與空穴摻雜材料；
[0024]所述的螢光發光材料為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4 '-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，Ρ -聯苯或8-羥基喹啉鋁；
[0025]所述的空穴摻雜材料為2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷、
4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺或二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯苯二胺；
[0026]( c )在步驟(b )製得的散射層上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，從而得到所述的有機電致發光器件。
[0027]進一步地,在所述步驟(a)中，所述磁控派射設備的加速電壓為300?800V,磁場為50?200G，功率密度為I?40W/cm2。
[0028]進一步地，在所述步驟(b)中，所述熱阻蒸鍍設備的蒸鍍速率為0.1?lnm/s，所述金屬摻雜層的厚度為50?200nm，所述鐵鹽摻雜層的厚度為40?lOOnm。
[0029]進一步地，在所述步驟(c )中，所述空穴傳輸層、發光層以及電子傳輸層的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,所述陰極層的蒸鍍速率為I?10nm/s。
[0030]所述散射層的各組分的性能如下:所述散射層的空穴摻雜材料可提高空穴的傳輸速率，同時，其HOMO能級較低，可進一步提高空穴的注入能力；所述散射層的金屬的功函數較高，可提高空穴的注入能力，；所述散射層的螢光發光材料與發光層的一致，可對發光光色進行補充，提高光色純度，有效提高發光效率，並且，使發光顏色穩定，衰減速度降低；所述散射層的鐵鹽摻雜層由鐵鹽與空穴注入材料組成，鐵鹽的載流子濃度較高，可提高器件的導電性，鐵鹽層可降低層間的勢壘，使空穴注入的勢壘降低，從而提高空穴注入效率；空穴摻雜材料可提高空穴的注入能力以及傳輸速率，從而有利於提高出光效率。上述HOMO能級是源自前線軌道理論的說法，是指已佔有電子的能級最高的軌道，是給予電子的能力的表徵。
[0031]總而言之，與現有技術相比，本發明的機電致發光器件及其製備方法，具有以下的優點:本發明有機電致發光器件的散射層提聞空穴的注入能力，提聞光色純度，提聞器件的導電性，使空穴注入的勢壘降低，從而提高空穴注入效率，從而有利於提高出光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1是本發明實施例1的有機電致發光器件的結構示意圖。
[0033]圖2是實施例1的有機電致發光器件與對比例的電流密度與電流效率的關係圖。

【具體實施方式】
[0034]以下結合實施例，對本發明予以進一步地詳盡闡述。
[0035]實施例1
[0036]如圖1所示，本實施例中的有機電致發光器件為層狀結構，每層依次為:
[0037]玻璃基底101、陽極層102、金屬摻雜層103、鐵鹽摻雜層104、空穴注入層105、空穴傳輸層106、發光層107、電子傳輸層108、電子注入層109以及陰極層110。所述金屬摻雜層103和所述鐵鹽摻雜層104組成所述散熱層。該有機電致發光器件的結構為玻璃基底/1T0/Ag: BCzVBi/FeCl3: F4-TCNQ/Mo03/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag,其中斜杆 「 / 」 表示層狀結構，冒號「:」表不相互摻雜。)
[0038]上述有機電致發光器件依次按如下步驟製備:
[0039](一)鍍膜的預處理
[0040]取出玻璃牌號為N-LASF44的玻璃基底101，用蒸餾水、乙醇衝洗乾淨後，放在異丙醇中浸泡一個晚上。
[0041](二)陽極層的製備
[0042]將經步驟(一)製備的的玻璃基底101置於磁控濺射設備下，將磁控濺射設備的工藝參數設置為700V的加速電壓、120G的磁場以及250W/cm2的功率密度，使用磁控濺射設備在玻璃基底101上製備陽極層102，陽極層102材料為銦錫氧化物(ITO)且厚度為80nm。
[0043](三)散射層的製備
[0044]將經步驟(二)製備的玻璃基底101置於熱阻蒸鍍設備下，將熱阻蒸鍍設備的工藝參數設置為0.2nm/s的蒸鍍速率和8X10_4Pa的工作壓強，將靶材設定為銀和4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯苯，使用熱阻蒸鍍設備在陽極層102上蒸鍍金屬摻雜層103，使金屬摻雜層103的厚度為120nm，金屬摻雜層103中銀和4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，1'-聯苯的摻雜質量比為1.2:1 ;
[0045]將熱阻蒸鍍設備的靶材設定為氯化鐵和2，3，5，6-四氟_7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷，使用熱阻蒸鍍設備在金屬摻雜層103上蒸鍍鐵鹽摻雜層104，使鐵鹽摻雜層104的厚度為60nm，鐵鹽摻雜層104中氯化鐵和2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷的摻雜質量比為0.2:1，從而製得散熱層。
[0046](四)有機電致發光器件的製備
[0047]使用熱阻蒸鍍製備在鐵鹽摻雜層104上依次蒸鍍材料為三氧化鑰且厚度為30nm的空穴注入層105、材料為N，N' -(1-萘基)-1^ - 二苯基-4,4'-聯苯二胺且厚度為50nm的空穴傳輸層106、材料為4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯苯且厚度為22nm的發光層107、材料為3-(聯苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2, 4- 二唑且厚度為IlOnm的電子傳輸層108、材料為氟化銫且厚度為Inm的電子注入層109 ;接著將熱阻蒸鍍製備的蒸鍍速率調節為2nm/s，使用熱阻蒸鍍製備在電子注入層109上蒸渡材料為銀且厚度為120nm的陰極層110，從而得到所需要的電致發光器件。
[0048]圖2為本實施例1有機電致發光器件與一般器件的流明效率與電流密度的關係圖。所述一般器件的結構為玻璃基底/IT0/W03/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag。圖2中，橫坐標為電流密度的大小，縱坐標為流明效率的大小，曲線I為實施例1有機電致發光器件的電流密度與流明效率的關係曲線，曲線2為對比例器件的電流密度與流明效率的關係曲線。從圖2可以看到，在不同電流密度下，實施例1的流明效率都比對比例的要大，最大的流明效率為
10.51m/W，而對比例的僅為7.llm/W，而且對比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明本發明所製備的散射層可提高空穴的注入能力，對發光光色進行補充，提高光色純度，有效提聞發光效率，提聞器件的導電性，提聞空穴的注入能力以及傳輸速率，從而有利於提聞出光效率。
[0049]實施例2
[0050]本實施例中的有機電致發光器件為層狀結構，每層依次為:玻璃基底、陽極層、金屬摻雜層、鐵鹽摻雜層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層。
[0051]所述金屬摻雜層和所述鐵鹽摻雜層組成所述散熱層。所述有機電致發光器件的結構為玻璃基底 /IZ0/A1:ADN/FeBr3: 1T-NATA/W03/NPB/ADN/TAZ/CsN3/A1，其中斜杆 「/」 表示層狀結構，冒號「:」表示相互摻雜。上述有機電致發光器件依次按如下步驟製備:
[0052](一)鍍膜的預處理
[0053]取出玻璃牌號為N-LAF36的玻璃基底，用蒸餾水、乙醇衝洗乾淨後，放在異丙醇中浸泡一個晚上。
[0054](二)陽極層的製備
[0055]將經步驟(一)製備的玻璃基底置於磁控濺射設備下，將磁控濺射設備的工藝參數設置為300V的加速電壓、50G的磁場以及40W/cm2的功率密度，使用磁控濺射設備在玻璃基底上製備材料為銦鋅氧化物(IZO)且厚度為80nm的陽極層。
[0056](三)散射層的製備
[0057]將經步驟(二)製備的玻璃基底置於熱阻蒸鍍設備下，將熱阻蒸鍍製備的工藝參數設置為lnm/s的蒸鍍速率和2X KT3Pa的工作壓強，將熱阻蒸鍍製備的靶材設定為鋁和9，10- 二 - β -亞萘基蒽，使用熱阻蒸鍍設備在陽極層上蒸鍍金屬摻雜層，使金屬摻雜層的厚度為200nm，金屬摻雜層中鋁和9，10- 二 - β -亞萘基蒽的摻雜質量比為0.5:1 ;
[0058]將熱阻蒸鍍製備的靶材設定為溴化鐵和4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺，使用電子束蒸鍍設備在金屬摻雜層上蒸鍍鐵鹽摻雜層，使鐵鹽摻雜層的厚度為lOOnm，鐵鹽摻雜層中溴化鐵和4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺的摻雜質量比為0.1: 1，從而製得散熱層。
[0059](四)有機電致發光器件的製備
[0060]使用熱阻蒸鍍製備在鐵鹽摻雜層上依次蒸鍍材料為三氧化鎢且厚度為40nm的空穴注入層、材料為N，N' -(1-萘基)4，& - 二苯基-4,4'-聯苯二胺且厚度為45nm的空穴傳輸層、材料為9，10- 二 - β -亞萘基蒽且厚度為8nm的發光層、材料為1，2，4-三唑衍生物且厚度為65nm的電子傳輸層、材料為疊氮銫且厚度為1nm的電子注入層；再接著將熱阻蒸鍍製備的蒸鍍速率調節為lOnm/s，使用熱阻蒸鍍製備在電子注入層上蒸渡材料為鋁且厚度為SOnm的陰極層，從而得到所需要的電致發光器件。
[0061]實施例3
[0062]本實施例中的有機電致發光器件為層狀結構，每層依次為:
[0063]玻璃基底、陽極層、金屬摻雜層、鐵鹽摻雜層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層。所述金屬摻雜層和所述鐵鹽摻雜層組成所述散熱層。該有機電致發光器件的結構為玻璃基底/AZO/Pt: DCJTB/Fe2S3: 2T_NATA/V205/TCTA/DCJTB/Bphen/Cs2C03/Au,其中斜杆「/」表不層狀結構，冒號「:」表不相互摻雜。上述有機電致發光器件依次按如下步驟製備:
[0064](一)鍍膜的預處理
[0065]取出玻璃牌號為N-LASF31A的玻璃基底，用蒸餾水、乙醇衝洗乾淨後，放在異丙醇中浸泡一個晚上。
[0066](二)陽極層的製備
[0067]將經步驟(一)製備的玻璃基底置於磁控濺射設備下，將磁控濺射設備的工藝參數設置為800V的加速電壓，200G的磁場，以及lW/cm2的功率密度，使用所述磁控濺射設備在所述玻璃基底上製備材料為鋁鋅氧化物且厚度為300nm的陽極層。
[0068](三)散射層的製備
[0069]將經步驟(二)製備的玻璃基底置於熱阻蒸鍍設備下；將熱阻蒸鍍設備的蒸鍍速率設定為0.lnm/s，熱阻蒸鍍設備的靶材設定為鉬和4-(二腈甲基)-2- 丁基_6_(1，I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃，使用熱阻蒸鍍設備在陽極層上蒸鍍金屬摻雜層，使金屬摻雜層的厚度為50nm，金屬摻雜層中鉬和4- (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃的摻雜質量比為2:1;
[0070]將熱阻蒸鍍設備的靶材設定為硫化鐵和二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯苯二胺，使用熱阻蒸鍍設備在金屬摻雜層上蒸鍍鐵鹽摻雜層，使鐵鹽摻雜層的厚度為40nm，鐵鹽摻雜層中硫化鐵和二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯苯二胺的摻雜質量比為0.4:1，從而製得散熱層。
[0071](四)有機電致發光器件的製備
[0072]使用熱阻蒸鍍製備在玻璃基底上的鐵鹽摻雜層上依次蒸鍍材料為五氧化二釩且厚度為20nm的空穴注入層、材料為4，4'，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺且厚度為60nm的空穴傳輸層、材料為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃且厚度為1nm的發光層、材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉且厚度為200nm的電子傳輸層、材料為碳酸銫且厚度為0.5nm的電子注入層；再接著將熱阻蒸鍍製備的蒸鍍速率調節為lnm/s，使用熱阻蒸鍍製備在電子注入層上蒸渡材料為金且厚度為10nm的陰極層，從而得到所需要的電致發光器件。
[0073]實施例4
[0074]本實施例中的有機電致發光器件為層狀結構，每層依次為:
[0075]玻璃基底、陽極層、金屬摻雜層、空穴摻雜層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層。所述金屬摻雜層和所述鐵鹽摻雜層組成所述散熱層。該有機電致發光器件的結構為玻璃基底ITO/Au:Alq3/Fe2S3:F4-TCNQ/Mo03/NPB/AIq3//TPBi/LiF/Pt，其中斜杆「/」表示層狀結構，冒號「:」表示相互摻雜。上述有機電致發光器件依次按如下步驟製備:
[0076](一)鍍膜的預處理
[0077]取出玻璃牌號為N-LASF41A的玻璃基底，用蒸餾水、乙醇衝洗乾淨後，放在異丙醇中浸泡一個晚上。
[0078](二)陽極層的製備
[0079]將經步驟(一)製備的玻璃基底置於磁控濺射設備下，將磁控濺射設備的工藝參數設置為600V的加速電壓，100G的磁場，以及30W/cm2的功率密度，使用磁控濺射設備在玻璃基底上製備材料為銦錫氧化物且厚度為ISOnm的陽極層。
[0080](三)散射層的製備
[0081]將經步驟(二)製備的玻璃基底置於熱阻蒸鍍設備下，將熱阻蒸鍍設備的工藝參數設置為0.5nm/s的蒸鍍速率和2X10_4Pa的工作壓強，熱阻蒸鍍設備的靶材設定為金和8-羥基喹啉鋁，使用熱阻蒸鍍設備在玻璃基底上的陽極層上蒸鍍金屬摻雜層，使金屬摻雜層的厚度為80nm，金屬摻雜層中金和8-羥基喹啉鋁的摻雜質量比為1:1 ;
[0082]將熱阻蒸鍍設備的設定為硫化鐵和2，3，5，6-四氟_7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷，使用電子束蒸鍍設備在金屬摻雜層上蒸鍍鐵鹽摻雜層，使鐵鹽摻雜層的厚度為60nm，鐵鹽摻雜層中硫化鐵和2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷的摻雜質量比為0.3:1，從而製得散熱層。
[0083](四)有機電致發光器件的製備
[0084]使用熱阻蒸鍍製備在金屬摻雜層上依次蒸鍍材料為三氧化鑰且厚度為SOnm的空穴注入層、材料為N，N' -(1-萘基)_N，N' - 二苯基-4，4'-聯苯二胺且厚度為60nm的空穴傳輸層、材料為8-羥基喹啉鋁且厚度為40nm的發光層、N-芳基苯並咪唑且厚度為35nm的電子傳輸層、材料為氟化鋰且厚度為Inm的電子注入層；再接著將熱阻蒸鍍製備的蒸鍍速率調節為6nm/s，使用熱阻蒸鍍設備在電子注入層上蒸渡材料為鉬且厚度為10nm的陰極層，從而得到所需要的電致發光器件。
[0085]與現有技術相比，本發明的機電致發光器件及其製備方法，存在以下的優點:本發明有機電致發光器件的散射層提高空穴的注入能力，提高光色純度，提高器件的導電性，使空穴注入的勢壘降低，從而提高空穴注入效率，從而有利於提高出光效率。
[0086]上述測試與製備設備為高真空鍍膜系統(瀋陽科學儀器研製中心有限公司)，美國海洋光學Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學性能，日本柯尼卡美能達公司的CS-100A色度計測試亮度和色度。
[0087]上述內容，僅為本發明的較佳實施例，並非用於限制本發明的實施方案，本領域普通技術人員根據本發明的主要構思和精神，可以十分方便地進行相應的變通或修改，故本發明的保護範圍應以權利要求書所要求的保護範圍為準。
【權利要求】
1.一種有機電致發光器件，該有機電致發光器件為層狀結構，其特徵在於，該層狀結構為:依次層疊的玻璃基底、陽極層、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層，所述散射層包括金屬摻雜層與鐵鹽摻雜層；其中， 所述金屬摻雜層的材質包括高功函數金屬與螢光發光材料，所述鐵鹽摻雜層的材質包括鐵鹽與空穴摻雜材料； 所述的螢光發光材料為4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4』-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-聯苯或8-羥基喹啉鋁； 所述的空穴摻雜材料為2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺或二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯苯二胺。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述高功函數金屬與所述螢光發光材料摻雜質量比為0.5: f 2:1 ;所述鐵鹽與所述空穴摻雜材料的摻雜質量比為0.1:1 ?0.4:1。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述高功函數金屬為銀、招、鉬或金；所述鐵鹽為氣化鐵、漠化鐵以及硫化鐵。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述玻璃基底的折射率為1.8以上，可見光透過率為90%以上。
5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述金屬摻雜層的厚度為5(T200nm，所述鐵鹽摻雜層的厚度為4(Tl00nm。
6.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於， 所述陽極層的材質為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物； 所述空穴注入層的材質為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩； 所述空穴傳輸層的材質為1，1-二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4，4』，4』』-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N' -(1-萘基)-1& - 二苯基-4，4'-聯苯二胺； 所述發光層的材質為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4』-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-聯苯或8-羥基喹啉鋁； 所述電子傳輸層的材質為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯並咪唑； 所述電子注入層的材質為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。
7.一種有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，包括如下步驟: Ca)在玻璃基底上通過磁控濺射設備來製備陽極層； (b)使用熱阻蒸鍍設備在步驟(a)製得的陽極層上製備金屬摻雜層，然後在所述金屬摻雜層上製備鐵鹽摻雜層，從而得到所述散熱層；其中， 所述金屬摻雜層的材質包括摻雜質量比為0.5: f 2:1高功函數金屬與螢光發光材料，所述鐵鹽摻雜層的材質包括摻雜質量比為0.1:1"?.4:1鐵鹽與空穴摻雜材料； 所述的螢光發光材料為4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4』-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-聯苯或8-羥基喹啉鋁； 所述的空穴摻雜材料為2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺或二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯苯二胺； (c)在步驟(b)製得的散射層上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，從而得到所述的有機電致發光器件。
8.根據權利要求7所述的製備方法，其特徵在於，在所述步驟(a)中，所述磁控濺射設備的加速電壓為30(T800V，磁場為5(T200G，功率密度為f40W/cm2。
9.根據權利要求7所述的製備方法，其特徵在於，在所述步驟(b)中，所述熱阻蒸鍍設備的蒸鍍速率為0.f lnm/s，所述金屬摻雜層的厚度為5(T200nm，所述鐵鹽摻雜層的厚度為 40?100nm。
10.根據權利要求7所述的製備方法，其特徵在於，在所述步驟(c)中，所述空穴傳輸層、發光層以及電子傳輸層的蒸鍍速率為0.f lnm/s，所述陰極層的蒸鍍速率為f lOnm/s。
【文檔編號】H01L51/54GK104466016SQ201310438727
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月24日 優先權日:2013年9月24日
【發明者】周明傑, 黃輝, 張振華, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司