電子發射源、其製備方法以及採用該電子發射源的電子發射器件的製作方法
2023-06-04 19:58:36
專利名稱：電子發射源、其製備方法以及採用該電子發射源的電子發射器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及電子發射源、其製備方法以及採用該電子發射源的電子發射器件。具體而言，本發明涉及減輕了碳基材料在燒結過程的退化(degradation)的電子發射源、其製備方法以及採用該電子發射源的電子發射器件。
背景技術：
電子發射器件是這種顯示器在當陽極和陰極上施加了電壓時產生的電場下，陰極電子發射源發射的電子碰撞陽極板的螢光粉層裡的螢光粉，發光產生圖像。
碳基材料，包括具有良好電子導電性的碳納米管(CNT)，具有的優點比如良好的導電性和場改進效應(field enhancement effect)、低功函、良好的場發射性質、低驅動電壓和在大面積上製備器件。所以，預計碳基材料是電子發射器件的理想電子發射源。
可以通過採用例如化學氣相沉積(CVD)或者採用利用含CNT的、形成電子發射源的組合物的塗漿(paste)方法在襯底上生長CNT來製備CNT基的電子發射源。就塗漿法而言，優點在於電子發射源可以以低成本在大面積上製備。例如，在美國專利No.6436221中討論了含有CNT的、形成電子發射源的組合物。
採用碳基材料的常規電子發射源製備方法涉及燒結組合物以形成電子發射源。燒結工藝在惰性氣體氣氛中進行，以防由於碳基材料比如CNT的熱分解導致電子發射退化。
但是，在惰性氣體氣氛中燒結並不能確保充分去除了用於製備該電子發射源的有機材料等，從而導致電子發射能力退化。具體而言，當在電子發射源的製備中採用含鉛玻璃料組分時，就發生CNT的熱分解。因此，隨著電子發射器件製備工藝的進行，電子發射退化可能更加嚴重。
發明內容
本發明提供了製備電子發射源的組合物、使用該組合物的電子發射源、製備該電子發射源的方法、以及通過採用該電子發射源提高了可靠性的電子發射器件，其中所述組合物在空氣氣氛中燒結並在燒結過程中減輕了碳基材料，比如碳納米管(CNT)的退化。
根據本發明的一個方面，提供了電子發射源，其包括碳基材料；和至少一種平均顆粒直徑為100-1000nm的、選自Al2O3、TiO2和SiO2的金屬氧化物。基於1重量份的碳基材料，該金屬氧化物的含量為5-100重量份。
電子發射源優選還包括，基於1重量份碳基材料，0.25-10重量份的無鉛(Pb)玻璃料。元鉛玻璃料優選是氧化錫-五氧化二磷(SnO-P2O5)。
根據本發明的另一方面，提供了電子發射源，其包括碳基材料；和無鉛玻璃料。無鉛玻璃料是SnO-P2O5。基於1重量份的碳基材料，無鉛玻璃料含量優選是0.25-10重量份。
根據本發明的又一方面，提供了電子發射源，其包括被設置成互相面對的第一襯底和第二襯底；在第一襯底上形成的陰極；與在第一襯底上形成的陰極電連接的電子發射源，其包括碳基材料和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物；在第二襯底上形成的陽極；和由電子發射源發射的電子導致發光的螢光層。
根據本發明的另一方面，提供了電子發射源，其包括被設置成互相面對的第一襯底和第二襯底；在第一襯底上形成的陰極；與在第一襯底上形成的陰極電連接的電子發射源，其包括碳基材料和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物，而且其中基於1重量份的碳基材料，金屬氧化物含量為5-100重量份；在第二襯底上形成的陽極；和由電子發射源發射的電子導致發光的螢光層。
根據本發明的另一方面，提供了電子發射源，其包括被設置成互相面對的第一襯底和第二襯底；在第一襯底上形成的陰極；與在第一襯底上形成的陰極電連接的電子發射源，包括碳基材料和Pb玻璃料；在第二襯底上形成的陽極；和由電子發射源發射的電子導致發光的螢光層。
根據本發明的另一方面，提供了電子發射源，包括被設置成互相面對的第一襯底和第二襯底；在第一襯底上形成的陰極；和在第一襯底上形成的陰極電連接的電子發射源，包括碳基材料和Pb玻璃料，其中基於1重量份的碳基材料，無鉛玻璃料的含量是0.25-10重量份；在第二襯底上形成的陽極；和由電子發射源發射的電子導致發光的螢光層。
根據本發明的另一方面，提供了形成電子發射源的組合物，其包括碳基材料；由樹脂組分和溶劑組分構成的載體；和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物。基於1重量份的碳基材料，所述金屬氧化物的含量優選為5-100重量份。金屬氧化物的顆粒直徑優選經過調整使得10重量％顆粒尺寸分布的顆粒直徑(D10)和90重量％顆粒尺寸分布的顆粒直徑(D90)的差值為300nm或更低。
基於1重量份的碳基材料，該組合物優選還包括0.25-10重量份的Pb玻璃料。所述無鉛玻璃料優選是SnO-P2O5。
根據本發明的另一方面，提供了形成電子發射源的組合物，其包括碳基材料；由樹脂組分和溶劑組分構成的載體；和無Pb玻璃料。所述無鉛玻璃料優選是SnO-P2O5。基於1重量份的碳基材料，無鉛玻璃料含量優選是0.25-10重量份。
根據本發明的另一方面，提供了形成電子發射源的方法，該方法包括製備形成電子發射源的組合物，其包括碳基材料；由樹脂組分和溶劑組分構成的載體；和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物；在襯底上印刷該形成電子發射源的組合物；和在氧氣氣體氣氛中或者含有氧氣和氮氣的混合氣體的氣氛中，燒結所印刷的組合物。
根據本發明的另一方面，提供了形成電子發射源的方法，該方法包括製備形成電子發射源的組合物，其包括碳基材料；由樹脂組分和溶劑組分構成的載體；和無Pb玻璃料；在襯底上印刷該形成電子發射源的組合物；和在氧氣氣體氣氛中或者含有氧氣和氮氣的混合氣體的氣氛中，燒結所印刷的組合物。
該形成電子發射源的組合物優選還包括至少一種選自光刻膠樹脂、光引發劑和填料的組分；印刷該形成電子發射源的組合物優選包括用該形成電子發射源的組合物塗覆襯底；和根據襯底的電子發射源面積進行曝光和顯影。
該印刷組合物的燒結優選在350℃-500℃的溫度進行。
當參考下面的詳述並結合附圖考慮而更深入地了解本發明時，對本發明的更完全理解以及本發明的許多伴隨的優點將變得顯而易見，在附圖中相同的附圖標記表示相同或相似的部分，其中圖1是根據本發明實施方案的電子發射器件的示意剖面圖；和圖2-4是用於製備形成本發明製備實施例1和3以及對比製備實施例1的電子發射源的組合物的Al2O3、無鉛玻璃料和含鉛玻璃料的差熱分析(DTA)圖。
具體實施例方式
下面參考其中給出了本發明的示例性實施方案的附圖，對發明進行了更充分地描述。
本發明提供了形成電子發射源的組合物，其包括碳基材料、載體、和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物。該形成電子發射源的組合物可以進一步包括無鉛(Pb)玻璃料。該無鉛玻璃料可以是氧化錫-五氧化二磷(SnO-P2O5)，但不限於此。
如上所述，優選在本文中使用的金屬氧化物的平均顆粒直徑是100-1000nm。如果該金屬氧化物的平均顆粒直徑小於100nm，那麼金屬氧化物顆粒難以分散。另一方面，如果超過1000nm，則難以發射電子和注入空穴。
該金屬氧化物10重量％的顆粒的顆粒直徑(D10)和90重量％的顆粒的顆粒直徑(D90)之間的差值是300nm或更低，尤其是10-300nm。如果D10和D90的差值超過300nm，那麼在場發射中會誘發電弧放電。
優選，金屬氧化物的平均顆粒直徑為100-1000nm，並且同時該金屬氧化物的最小顆粒直徑(Dmin)和最大顆粒直徑(Dmax)分別是10nm-1300nm。如果金屬氧化物的最小顆粒直徑(Dmin)小於10nm，則難以製備漿料。另一方面，如果金屬氧化物的最大顆粒直徑(Dmax)超過1300nm，則難以發射電子和注入空穴，並可能誘發電弧放電。
基於1重量份的碳基材料，金屬氧化物的含量優選是5-100重量份，更優選是10-60重量份。
金屬氧化物在該形成電子發射源的組合物中的存在，使得可以在空氣氣氛中燒結，從而有效防止了該碳基材料，比如CNT的退化。
本發明還提供了基本由碳基材料、載體和無Pb玻璃料組成的形成電子發射源的組合物。
在本發明的這個方面，基於1重量份的碳基材料，無Pb玻璃料的含量優選是0.25-10重量份。如果無Pb玻璃料的含量低於0.25重量份，那麼電子發射源的粘合性下降。另一方面，如果超過10重量份，則電子發射性質降低。
本發明採用的碳基材料具有優異的導電性和電子發射性質，用於在電子發射器件操作中向陽極板的螢光層發射電子以激發螢光層的螢光粉。碳基材料的非限制性實施例包括碳納米管、石墨、金剛石、富勒烯和碳化矽。最優選的是碳納米管。
在本發明的形成電子發射源的組合物中所含的載體用以調節該形成電子發射源的組合物的可印刷性和粘度。該載體由樹脂組分和溶劑組分構成。樹脂組分優選是至少一種選自纖維素樹脂(比如乙基纖維素和硝基纖維素)、丙烯酸樹脂(比如聚酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯)、和乙烯樹脂(比如聚醋酸乙烯酯、聚乙烯醇縮丁醛和聚乙烯醚)，但不限於此。這些樹脂組分中的一些也可以充當光刻膠樹脂。
溶劑組合物優選是選自松油醇、丁基卡必醇(BC)、丁基卡必醇乙酸酯(BCA)、甲苯和texanol的至少一種。優選松油醇。
基於1重量份的碳基材料，樹脂組分的含量優選是1-5重量份，更優選是2-3重量份。
基於1重量份的碳基材料，溶劑組分含量優選是5-15重量份，優選8-12重量份。如果構成載體的樹脂組分和溶劑組分的含量在上述範圍以外，則該形成電子發射源的組合物的可印刷性和流動性下降。具體而言，如果構成載體的樹脂組分和溶劑組分的含量超過15重量份，則會嚴重妨礙乾燥。
本發明的形成電子發射源的組合物需要時可以還包括至少一種選自光刻膠樹脂、光引發劑和填料的組分。
可以在本發明中使用的光刻膠是用於圖案化電子發射源的材料。光刻膠樹脂的非限制例子包括丙烯酸酯基單體、二苯酮基單體、苯乙酮基單體和噻噸酮基單體。具體而言，光刻膠樹脂可以是環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、2，4-二乙基蒽酚酮(2，4-diethyloxanthone)、或者2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮。基於1重量份的碳基材料，光刻膠含量可以是3-10重量份，優選5-8重量份。如果光刻膠含量低於3重量份，則曝光靈敏性下降。相反，如果超過10重量份，則顯影較差。
光引發劑用於在曝光時引發光刻膠樹脂的交聯反應。光引發劑可以是二苯酮，但不限於此。基於1重量份的碳基材料，光引發劑含量可以是3-10重量份，優選5-8重量份。如果光引發劑含量低於3重量份，則由於交聯反應效率低而使圖案化困難。相反，如果超過10重量份，則生產成本增加。
填料是用於提高在襯底上附著不充分的納米無機材料的導電性。填料可以是Ag或Au，但不限於此。
下面將詳細描述採用上述形成電子發射源的組合物形成電子發射源的方法。
首先，根據上述組分和其含量製備形成電子發射源的組合物。該形成電子發射源的組合物如上所述，所以省略了對它的詳細描述。
接下來，將該形成電子發射源的組合物印刷在襯底上。本文所用的術語「襯底」是指用於形成電子發射源的襯底。襯底類型可以根據所需的電子發射源器件而變，這在本領域技術人員的知識範圍內。例如，在製備包括位於陰極和陽極之間的柵電極的電子發射器件時，襯底可以是陰極。在製備包括位於陰極下側的柵電極的電子發射器件時，襯底可以是使該陰極和柵電極絕緣的絕緣層。
印刷該形成電子發射源的組合物的操作根據光刻膠樹脂是否存在而不同。當形成電子發射源的組合物包括光刻膠樹脂時，不要求單獨的光刻膠圖案化。也就是說，將該形成電子發射源的組合物塗覆在襯底上，隨後根據所需的電子發射源面積進行曝光和顯影。
另一方面，當該形成電子發射源的組合物中不包含光刻膠樹脂時，要求其中採用了單獨光刻膠圖案化的光刻法。也就是說，光刻膠薄膜形成在襯底上並圖案化形成光刻膠圖案，然後在上面已經形成了該光刻膠圖案的襯底上印刷該形成電子發射源的組合物。
印刷的形成電子發射源的組合物在氧氣氣氛或者含有1000ppm或更少氧氣，具體10-500ppm氧氣的氮氣氣氛中燒結。通過在氧氣氣氛中燒結，包含在該形成電子發射源的組合物中的碳基材料有效粘附到襯底上，通過蒸發去除載體，其它的材料比如無機粘合劑被熔化並隨後固化，從而改善電子發射源的耐久性。
根據在該形成電子發射源的組合物中所含載體的蒸發溫度和時間，確定燒結溫度。通常，燒結溫度在350-500℃，優選450℃。如果燒結溫度低於350℃，則載體蒸發不充分。另一方面，如果超過500℃，則製造成本增加，而且襯底可能遭到破壞。
需要時，所得的燒結產品可以被活化。活化可以通過如下進行用能夠通過加熱固化成薄膜的溶液，例如含有聚醯亞胺的表面處理劑，塗覆所得的燒結產品，隨後加熱並剝離通過加熱形成的膜。可替換地，活化也可以通過在由驅動源驅動的滾筒表面上形成粘性部分，並在預定壓力下用該滾筒壓制所得的燒結產品而進行。通過活化，納米尺寸的無機材料可以被暴露在電子發射源的表面上或者垂直排列成行。
根據上述方法形成的電子發射源包括碳基材料和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物。在有些情況下，電子發射源可以還包括無Pb玻璃料。
本發明的電子發射源還可以基本由碳基材料和無Pb玻璃料組成。
根據本發明，通過在氧氣存在下燒結，在形成電子發射源的組合物中的含碳有機化合物被更有效地熱分解，使得燒結後在電子發射源裡沉積的碳含量顯著降低。
本發明的這種電子發射源的電流密度在5V/μm時是400-1100μA/cm2，更優選是600-1100μA/cm2。具有這種電流密度的電子發射源適用於顯示器件或者用作背光單元的電子發射器件。
圖1示出了包括如上所述電子發射源的電子發射器件的例子。
圖1是根據本發明實施方案具有三極體結構的電子發射器件圖。參見圖1，電子發射器件200包括上板201和下板202。上板201包括上部襯底190、設置在上部襯底190的下表面190a上的陽極180、和設置在陽極180的下表面180a上的螢光層170。
下板202包括下部襯底110，所述下部襯底110和上部襯底190平行並分離以限定內部空間；以條形圖案形式設置在下部襯底110上的陰極120；以條形圖案形式設置以和陰極120相交的柵電極140；設置在柵電極140和陰極120之間的絕緣層130；由絕緣層130和柵電極140限定的電子發射孔；在電子發射孔169中設置成高度比柵電極140低、並與陰極120電連接的電子發射源160。電子發射源160如上所述，因此省略了對其的詳細描述。
上板201和下板202保持在比大氣壓低的真空壓力中。在上板201和下板202之間設置有隔板192，用於支持上板201和下板202並限定發射空間210。
在陽極180施加用於加速從電子發射源160發射的電子所需的高壓，使得電子可以和螢光層170高速碰撞。螢光層170的螢光粉當受到電子激發時發出可見光，此時從高能級躍遷到低能級。
柵電極140用於使電子容易從電子發射源160發射。絕緣層130限定電子發射孔169，用於將電子發射源160和柵電極140絕緣。
儘管此處已經示出了具有圖1所示的三極體結構的電子發射器件，但是具有除了三極體結構以外的二極體結構等的電子發射器件，也落在本發明的範圍內。而且，本發明也可以應用於其中柵電極設置在陰極下表面上的電子發射器件中，以及應用到具有格柵/網格結構的電子發射器件中，所述格柵/網格結構用以防止柵電極和/或陰極被電弧(假定由放電現象產生)損壞以及聚焦電子發射源發射的電子。當然，上述電子發射器件的結構也可以應用到顯示器件中。
下面，將通過實施例更具體描述本發明。但是，下面的實施例僅僅用於示例，本發明並不限於這些實施例或被這些實施例限制。
製備實施例1在10g松油醇中加入1g CNT粉末(MWNT，Iljin Nanotech，Korea)、10g Al2O3(顆粒直徑500nm)、5g聚酯丙烯酸酯和5g二苯甲酮，攪拌，製備形成電子發射源的組合物。
製備實施例2按照和製備實施例1相同的方式製備形成電子發射源的組合物，除了用TiO2代替Al2O3。
製備實施例3按照和製備實施例1相同的方式製備形成電子發射源的組合物，除了用SnO-P2O5代替10g Al2O3。
對比製備實施例1按照和製備實施例1相同的方式製備形成電子發射源的組合物，除了用PbO作為含Pb玻璃料代替Al2O3。
採用1g在製備實施例1-3和對比製備實施例1中製備的每種組合物製備樣品。每個樣品在氮氣氣氛中於450℃初次燒結5小時，然後在空氣氣氛中於450℃二次燒結。測量初次燒結和二次燒結之後的電子發射量。下表1列出了在初次燒結和二次燒結後電子發射量的差，用殘餘量(％)表示。
表1
如同表1所示，考慮對比製備實施例1，在二次燒結後的電子發射量顯著減少。相反，考慮製備實施例1-3，即使在二次燒結後電子發射量的保持也讓人滿意。
為了確定加入用於製備形成電子發射源的組合物的Al2O3和無Pb玻璃料的影響，進行了下列試驗。
測試1對三種樣品，即，CNT、CNT和Al2O3的混合物、和Al2O3，進行差熱分析(DTA)，分析結果如圖2所示。
測試2對三種樣品，即，CNT、CNT和無Pb玻璃料的混合物、和無Pb玻璃料，進行DTA，分析結果如圖3所示。
測試3對三種樣品，即，CNT、CNT和作為含Pb玻璃料的PbO的混合物、和PbO，進行DTA，分析結果如圖4所示。
參見圖4，和CNT的DTA相比，促進CNT退化的含Pb玻璃料的DTA在較低溫出現了放熱峰。參見圖2和3，和CNT的DTA相比，Al2O3和無Pb玻璃料的DTA在較高溫出現了放熱峰。從這些DTA結果可以發現，Al2O3和無Pb玻璃料有效防止了CNT的退化。
實施例1將製備實施例1製備的形成電子發射源的組合物印刷在襯底的電子發射源區域上，該襯底上包括Cr柵電極、絕緣層和ITO電極。然後採用圖案掩模和類似的曝光裝備用2000mJ/cm2的曝光能量進行曝光。曝光後所得的結構用丙酮顯影，並在氧氣和氮氣的混合氣體(氧氣濃度約1000ppm)中於450℃燒結，從而形成電子發射源。
然後，設置其上包括有螢光層和由ITO製成的陽極的襯底，使其和其上包括有電子發射源的襯底互相面對，然後在這兩個襯底之間形成隔板，在這兩個襯底之間維持單元間隙，從而完成電子發射器件。
實施例2和3採用製備實施例2和3製備的形成電子發射源的組合物替代在製備實施例1中製備的形成電子發射源的組合物，按照和實施例1相同的方式，製備電子發射器件。
對比實施例1採用對比製備實施例1製備的形成電子發射源的組合物替代在製備實施例1中製備的形成電子發射源的組合物，按照和實施例1相同的方式，製備電子發射器件。
採用脈衝電源和電流表測量在實施例1-3和對比實施例1中製備的電子發射器件的電流密度。
根據電流密度的測量結果，和對比實施例1的電子發射器件相比，實施例1-3的電子發射器件顯示出電流密度特性得到改進，繼而電子發射特性得到改進。
根據本發明的形成電子發射源的組合物可以在電子發射源的形成過程中在空氣氣氛中燒結。所以，可以顯著降低燒結後的碳沉積以及燒結時的CNT退化，從而形成了具有高電流密度的電子發射源，這和常規電子發射源形成方法不同。使用由此形成的電子發射源使得可以製備可靠性得到改進的電子發射器件。
權利要求
1.一種電子發射源，包括碳基材料；和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物。
2.權利要求1的電子發射源，其中，基於1重量份的碳基材料，所述金屬氧化物的含量為5-100重量份。
3.權利要求1的電子發射源，還包括0.25-10重量份的無鉛(Pb)玻璃料，基於1重量份的碳基材料。
4.權利要求3的電子發射源，其中所述無Pb玻璃料是氧化錫-五氧化二磷(SnO-P2O5)。
5.一種電子發射源，包括碳基材料；和無Pb玻璃料。
6.權利要求5的電子發射源，其中所述無Pb玻璃料是SnO-P2O5。
7.權利要求5的電子發射源，其中，基於1重量份的碳基材料，所述無Pb玻璃料的含量為0.25-10重量份。
8.一種電子發射器件，包括設置成互相面對的第一襯底和第二襯底；在所述第一襯底上形成的陰極；與在所述第一襯底上形成的所述陰極電連接的電子發射源，其包括碳基材料和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物；在所述第二襯底上形成的陽極；和螢光層，其由所述電子發射源發射的電子導致發光。
9.一種電子發射器件，包括設置成互相面對的第一襯底和第二襯底；在所述第一襯底上形成的陰極；與在所述第一襯底上形成的所述陰極電連接的電子發射源，其包括碳基材料和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物，其中基於1重量份的碳基材料，所述金屬氧化物的含量是5-100重量份；在所述第二襯底上形成的陽極；和螢光層，其由所述電子發射源發射的電子導致發光。
10.一種電子發射器件，包括設置成互相面對的第一襯底和第二襯底；在所述第一襯底上形成的陰極；與在所述第一襯底上形成的所述陰極電連接的電子發射源，其包括碳基材料和無Pb玻璃料；在所述第二襯底上形成的陽極；和螢光層，其由所述電子發射源發射的電子導致發光。
11.一種電子發射器件，包括設置成互相面對的第一襯底和第二襯底；在所述第一襯底上形成的陰極；與在所述第一襯底上形成的所述陰極電連接的電子發射源，其包括碳基材料和無Pb玻璃料，其中基於1重量份的碳基材料，所述無Pb玻璃料的含量是0.25-10重量份；在所述第二襯底上形成的陽極；和螢光層，其由所述電子發射源發射的電子導致發光。
12.一種形成電子發射源的組合物，包括碳基材料；由樹脂組分和溶劑組分構成的載體；和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物。
13.權利要求12的組合物，其中，基於1重量份的碳基材料，所述金屬氧化物的含量是5-100重量份。
14.權利要求12的組合物，其中所述金屬氧化物的顆粒直徑經過調整使得10重量％顆粒尺寸分布的顆粒直徑(D10)和90％顆粒尺寸分布的顆粒直徑(D90)的差值是300nm或更小。
15.權利要求12的組合物，還包括0.25-10重量份的無Pb玻璃料，基於1重量份的碳基材料。
16.權利要求15的組合物，其中所述無Pb玻璃料是SnO-P2O5。
17.一種形成電子發射源的組合物，包括碳基材料；由樹脂組分和溶劑組分構成的載體；和無Pb玻璃料。
18.權利要求17的組合物，其中所述無Pb玻璃料是SnO-P2O5。
19.權利要求17的電子發射源，其中，基於1重量份的碳基材料，所述無Pb玻璃料的含量為0.25-10重量份。
20.一種形成電子發射源的方法，所述方法包括製備形成所述電子發射源的組合物，其包括碳基材料；由樹脂組分和溶劑組分構成的載體；和至少一種選自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均顆粒直徑為100-1000nm的金屬氧化物；將所述形成電子發射源的組合物印刷在襯底上；和在氧氣氣氛中或者含有氧氣和氮氣的混合氣體的氣氛中燒結所述印刷的組合物。
21.一種形成電子發射源的方法，所述方法包括製備形成所述電子發射源的組合物，其包括碳基材料；由樹脂組分和溶劑組分構成的載體；和無Pb玻璃料；將所述形成電子發射源的組合物印刷在襯底上；和在氧氣氣氛中或者含有氧氣和氮氣的混合氣體的氣氛中燒結所述印刷的組合物。
22.權利要求20的方法，其中所述形成電子發射源的組合物還包括至少一種選自光刻膠樹脂、光引發劑和填料的組分；和其中印刷所述形成電子發射源的組合物包括用所述形成電子發射源的組合物塗覆所述襯底；和根據所述襯底的電子發射源面積曝光和顯影。
23.權利要求21的方法，其中所述形成電子發射源的組合物還包括至少一種選自光刻膠樹脂、光引發劑和填料的組分；和其中印刷所述形成電子發射源的組合物包括用所述形成電子發射源的組合物塗覆所述襯底；和根據所述襯底的電子發射源面積曝光和顯影。
24.權利要求20的方法，其中燒結所述印刷的組合物在350-500℃的溫度進行。
25.權利要求21的方法，其中燒結所述印刷的組合物在350-500℃的溫度進行。
全文摘要
一種形成電子發射源的組合物，其包括碳基材料；由樹脂組分和溶劑組分構成的載體；和至少一種選自Al
文檔編號H01J1/304GK1828802SQ200610058899
公開日2006年9月6日 申請日期2006年3月2日 優先權日2005年3月2日
發明者柳美愛, 樸鍾換, 河在相, 李晶姬 申請人:三星Sdi株式會社