卷繞式膜電容器的製作方法

2023-10-07 22:23:14

專利名稱：卷繞式膜電容器的製作方法
巻繞纖電容器
背景技術：
本發明涉及一種巻繞式膜電容器，尤其是一種包括布置在介電膜表面的多 個導電區段的巻繞式膜電容器及其製造方法。
電容器的電容量通常會隨著時間的推移而減少，例如由於自愈、腐蝕或者 一些其它老化效應。這種減少可能不均等地發生，使得在經過一段時間之後， 電容器的一些部分可育獪比其它部分失去更多電容量。類似地，如果多個電容 器或電容器區段並聯或者串聯，那麼， 一段時間之後，這些電容器或區段中的 一些可能比另外的一些失去更多的電容量。
具有內部串聯連接的巻繞式膜電容器是公知的。在這些電容器中，在巻繞 式膜表面上提供的金屬化層，被橫向(即，垂直於巻繞方向)劃分，例如以形 成多個分立的電極。因此，兩個或更多的串聯電容器被形成在單個繞組中，通 常具有一些浮動的、艮環與端子電連接的電極。這些浮動電極將連接至IJ相對引 線的兩個電極之間的電位降細分。
在某些瞎況中，也需要在縱向(即，以巻繞方向)上把金屬化層分成區段，
這些區段由絕緣區域分開。例如，US 5057967描述了一種具有金屬電極圖形的 巻繞式膜電容器，所述金屬電極圖形包括由多個橫向和縱向絕緣間隙相互分隔 開並在兩個方向有規則地排列的多個矩形島電極。而且，從EP 0225822、 DE 19806586、 EP 0640996、 GB 2276765、 EP 0838078、 US 4348714和US 5442516
已知另外的電容器。
商業上可用的金屬化膜的分段通常是以如下方式製造的把油或者相似物 質以規則的預定圖形轉移到膜表面上。然後，蒸發並沉積金屬以形成所述區段。 由於金屬只能沉積在該表面沒有油的區域，貝岫油覆蓋的區域保持絕緣並由此 分開所述區段。通常，用具有固定周長的印刷輥施加上述油。印刷輥在膜的縱 向上滾動，該方向將變為電容器的巻繞方向。所以，所有的圖形都是且必須是 以印刷輥的周長為周期在巻繞方向上自我重複的。
在上述的電容器中，如果所述區段的電容量變得不均勻，貝u電流和電壓在繞組中的分布、並因此的電壓水平在所述區段之間會變化地相當大。這會對電 容器的壽命性能產生影響。特別是，如果區段受損並損失相當量的電容量，則 在受損區段附近的區域會產生高的過電壓。這些過電壓會加速這些附近區域的
老化，並且最終也會損壞這些區域。即使這些區段由已知為柵(gate)的窄金屬
橋相連，至少在保險絲柵被熔化後，上面的問題仍會發生。
因此，改善巻繞纖電容器的可靠性、壽命、禾口/或者壽命的可預測性，仍 是問題。特別地，這些電容器中的高電壓和/或不可預測電壓、特別是過電壓和 過電壓峰值仍是問題。

發明內容
本發明試圖克服上述問題的至少一部分。通過根據權利要求1的巻繞式膜
電容器和M31用於製造權利要求12的巻繞鄉電容器的方法，目標育,實現。 本發明的其它優點、特徵及方面和細節在從屬豐又利要求、說明書和附圖中有明
、根據本發明的一方面，巻繞式膜電容器包括第一介電膜和第二介電膜，沿 著它們各自的長度方向巻繞成繞組，並且彼此巻繞或形成繞組的交替的匝；多 個第一導電區段，沿著第一介電膜的長度方向布置在第一介電膜的第一表面上; 多個第二導電區段，沿著第二介電膜的長度方向布置在第二介電膜的表面上， 或者沿著第一介電膜的長度方向布置在第一介電膜的第二表面上，第二表面與 第一介電膜的第一表面相對，其中，第一導電區段具有沿著第一介電膜的長度 方向逐漸增加的長度，並且第二導電區段具有分別沿著第一，二介電膜的長 度方向逐漸增加的長度，並且，其中繞組每匝的第一和/或第二區段的數量等於 或大於一。伏選地，第二導電區段與第一導電區段電絕緣，例如M第一介電 膜和繊二介電膜。
根據發明的另一個方面，用於製造巻繞^II電容器的的方法包括如下步驟: 第一介電膜和第二介電膜沿著其長度方向(優選地以交替的匝)巻繞成繞組， 藉此在製造過程中，該繞組圍繞著巻軸旋轉；作為圍繞著巻軸旋轉的繞組的旋 轉角度的函數，分別確定沿著第一介電膜長度方向的多個分區分區位置；布置 於第一介電膜表面的第一層，在分區位置被分成多個導電區段。優選地，該方 飾括製造根據權利要求的第1至第11項之一所述的巻繞刻莫電容器的更多的步驟。
任何第一區段的起始可以相對於第二區段的各自相對起始端偏移達在預定 偏移範圍內的偏移量X，或者達約為各自的第一區段長度的一半的偏移量X。第 一導電區段和/或第二導電區段可以根據巻繞角度周期性設置，其中，優選地， 圍繞繞組的中心軸定義巻繞角度。周期可以與匝無關。繞組中的第一介電膜的
每匝或每任何匝者阿以有n個第一區段，n是任何實數，，也，n等於或者大 於l，更優選地，n是自然數。同樣的，在繞組的第二介電膜的每匝或者每任何 匝都可以有n個第二區段。
本發明還涉及用於執行所公開方法的設備並包括用於執fi^個所述方法步 驟的設備零件。這些方法步驟可以經由5更件部件、通過適當的軟體編程的計算 機、二者的結合或者以其它方式執行。而且，本發明還涉及一種所述設備通過 其運行的方法。該發明包括用於執行該設備的^h功能和製造該設備的齡零 件的方法步驟。


通過參考下述的本發明的實施例的說明並結合附圖，將會更好的理解本發 明，其中
圖1示出了現有技術中公知的巻繞式膜電容器； 圖2示出了根據本發明的巻繞 電容器；以及 圖3是作為偏角a的函數的最大場(field)的圖；以及 圖4和圖5示出了製造巻繞式膜電容器的方法。
具體實施例方式
圖1顯示了在本領域中公知的具有分段的巻繞式膜電容器r的截面圖。膜
10'和20'(未示出)彼此巻繞以形成巻繞式膜電容器r的繞組。鄉10'和20' 的每一個上，區段14d，、 14g，、 14h，等和區段24c，、 24f、 24g，等的長度相同(由 於圖l的示意性特性，可能有偏差)。而且，這些區段根據髓各自膜的長度周 期性地布置。這些區段被絕緣分區12'、 22'彼此分開，這些分區也根據各自的 膜10'或20'的長度周期性地布置。在下文，術語"區段"是用來指被在不同長度 位置的兩個絕緣分區定界的一片導電材料。通過膜10'和膜20'(未示出)，膜 20，的區段與膜10'的區段隔離。
這些區段由絕緣區域在橫向方向細分，因此產生若干電極島(electrodeisland)。電極島的一些與外部端子連接以接收一些固定電壓，而另一些電極島 是浮動的，因而產生了例如根據US5， 057， 967公知的內部串聯連接。為了明 瓶假定區段被與在下面的圖4和5相^t也橫向細分，那麼，膜10'的針區段 被細分成四個電極，膜20'的齡區段被再分成三個電極。膜10的針區段的 最外兩個電極，每一個都分別附著於外部端子，而所有其它的電極都是浮動的。 因為繞組(winding)的直徑隨著每一匝而變化，所以根據繞繞組的中心軸 的巻繞角度，區段的布置是非周期性的。而且，這些區段彼此沒有對準，也就 是說，在膜10'的區段和膜20'的區段之間沒有固定的偏移(就絕對長度而言或 相對區段的長度)。
下文，討論區段穀U損害的情況。為了明確，假定膜10'的區段14g'受到 嚴重損害而且失去幾乎所有的電容量，而其它區段具有滿電容量。因此，在損 壞的區段14g'中，僅能積聚標稱的表面電荷的一小部分。與受損區段14g'至少 部分重疊的膜20'的區段是區段24f、 24g'、 24f和24k'。據經驗發現，這些區 段顯示出了尤其增加的老化，並因此它們本身很有可能變得受損。
為了給這種效果做定性的解釋，首先假設除了受損區段14g'和直接相鄰的 區段24f、 24g'、 24j'和24k'之外所有的區段處於標稱的電位。
區段24j'幾乎整個與受損區段14g'重疊，該受損區段14g'是區段24j'朝向 繞組內部的最近鄰。由於在受損區段14g'上的表面電荷較少，因此會在區段24j' 上從內部感應非常少的電荷。另一方面，由於假定下一外部區段14k'正常充電， 那麼該區段14k'會從另一側感應一些電荷到區段24j'上。然而，區段24j'上的感 應電荷的總量會急劇地M^、，因此區段24j'不會達至咜的標稱電位。結果，在區 段14k'和區段24j'之間的電壓會比標稱電壓高很多。
相反的，區段24k'與受損區段14g'僅僅有一小部分重疊。替代的是，區段 24k'的大部分內部表面朝向假定處於標稱電位的區段14h'。因此，在區段24k' 中幾乎感應了全部標源電荷。所以，區段141'和24k'之間的電壓會接近標稱值。
根據相同的論點，在區段14d'和24g'之間以及在導電區段14d'和24f之間 預期有適度增加的電壓。
如果上面的假定(只有直接相鄰的區段的電位發生變化)是不嚴格(relaxed) 的，那麼，整個繞組的電壓分布可以數字地確定，例如通過如J.Ostrowski， R.Hiptmair ， H.Fuhrmann的"Electric 3D Simulation of Metallized Film Capacitor"(可以在網際網路網址http://www.sam.math.ethz.ch/reports/2006上獲得)所推M的計算。 這種計算考慮了，上面所解釋的在區段14g'和24j'之間的電壓的增加，依次導 致了在區段24j'和14g'上的額外的感應電荷，這又導致了在較遠的區段上的額 外的感應電荷等。發明人執行了這種計算。結果發現，與受損區段14d'最近鄰 的區段的電位，特別是區段24j'的電位與標稱電位偏離最大，因lt戰證實了在上 面定性解釋中所使用的假定。從而發現，相對區段之間的最大電壓位於受損區 段附近區域，並且發現其比標稱電壓要大很多(大於標稱電壓的130%)。這解 釋了這些區段老化從而更決地失去它們的電容量這一趨勢的原因。
圖2示出了根據本發明的巻繞式膜電容器1。除了下面描述的方面，巻繞 鄉電容器1可以一般地與圖1的電容器1相類似地構建。特別地，巻繞式膜 電容器具有包括各自的區段14a、 24a、 24b等的膜10和20，這些區段彼此被各 ^^色緣分區(例如12b、 14b)分開。為了清魏見，膜10和20沒有在圖2中 示出。它們示出在後面的圖4和5中。膜10和20是用於使區段14a、 14b等與 區段24a、 24b等電絕緣的電介質。而且，這些區段可以橫向細分成電極島，為 了明確起見，假設這些區段如圖4中示出和說明的那樣橫向細分。但是，下面 討論的效果不局限於浮動和非浮動區段的任何特定布置。
在圖2的巻繞式膜電容器1中，膜10的區段14a、 14b等具有沿著膜10的 長度方向，艮P，沿著巻繞方向逐漸增加的長度。同樣地，膜20的區段24a、 24b 等具有沿著膜20的長度方向逐漸增加的長度。此外，巻繞式膜電容器l的區段 14a、 14b、 24a、 24b等的長度根據巻繞角度有規則地布置。艮口，區段布置得使 得各個膜的每任何匝都有兩個區段。進而，根據圍著線圈(coil)的中心軸的巻 繞角度，這些區段具有周斯性。換句話說，每個區段覆蓋相同的預定巻繞角度。
由此，育&夠實現相對規則的和可預觀啲電壓分布，這促使了電容器的相對 可預測的和/或均勻的老化。這與圖1的布置相反，在圖1中，區段根據長度而 不是根據巻繞角度而具有周斯性，並因此根據巻繞角度，這些區段具有不規則 的圖形。
進而，第一膜10的區段14a、 14b等和膜20的區段24a、 24b等彼lt瀏準。 更精確地說，膜10的任何區段的起始端相對於膜20的區段的M向內或向外 相對的起始端或末端偏移預定的偏移。這個相同的過程可以被用於膜10的區段 的末端，膜10的區段的末端相對於膜20的區段的各個向內或向夕卜相對的起始端或末端偏移預定的偏移。因此，至少多個第一導電區段(14a、 14b)和至少 多個第二導電區段(24a、 24b)彼此重疊。可以ffl51偏移角a定義偏移量，如 圖2所示。在圖2中，偏移角a設為90度。也可以通過分數的偏移(fractional offset),也就是說，通過所偏移的區段長度的分數，來確定偏移量。在圖2中， 分數的偏移量是1/2， g卩，膜10的^區段相對於膜20的^相對區段偏移達 膜10的區段長度的大約一半。每匝區段的數量n、偏移角a和分數的偏移量x
M:如下等式聯繫起來
a= (x/n) *360。。 (1) {皿大約1/2的分數的偏移量。因此，例如每匝3個區段且a^60。，或者每 匝4個區段且a45。，是本發明的優選實施例。
在此和下文，僅考慮縱向(巻繞方向)的情況下定義偏移量。按照該偏移 量的定義，橫向上的潛在移動是無關的。進而，偏移量可依賴於橫截面的特定 選擇。可以使用任何橫截面並且尤其是正交於繞組的巻軸的橫截面來定義區段 的長度。進而，如果在兩個區段之間有任何隔離區域，那麼為了定義偏移量的 目的，這些隔離區域的相等部分被加到和它們各自最相鄰的導電區段中(如圖2 所示)。
在圖2的線圈中，分數的偏移量大約是1/2，屬於膜10或20之一的給定區 段在每側(內部或外部)上具有各個其它膜的兩個相對區段。這些區段中的每 一個都在各自的一側具有給定區段長度的50%的重疊，並且因此具有整賴面 (考慮到區段的兩面，忽略例如12b、 22b的絕緣分區的表面積，而僅考慮圖2 的橫截面)或者該表面的長度方向的25%的重疊。因此，如果任何一個區段受 損，那麼相鄰區段的表面或長度的75%會面對處於大約標稱電位(根據在， 定性討論中使用的假定)的近鄰。因此，沒有單個相鄰的區段會受到受損區段 的非常支配性的影響。相反，四個區段同等地受到較小的影響。進而，這四個 區段中的每個都能依次向其它三個區段傳送電壓幹擾。因此，對於大量導電區 段來說，繞組具有很小幹擾的電壓分布，而不是示出對於僅幾個區段的很大幹 擾的電壓。換句話說，由受損區段感應的電壓不均等性分布在繞組的相對大的 部分上並因此被消弱了，而不是集中在小部分裡。
如圖2所示的布置是更一般布置的特殊瞎況，這也落在本發明的範圍之內。 例如，膜10禾口/或20之一的每各個匝的區段的數量可以被選擇為任何大於或等於一的預定實數n，而且偏差量可以任意選擇。
進而，不但可以根據巻繞角度周斯性地布置區段(如圖2所示)，也可以非 周期性地布置區段。特別地，分數的偏移量可以在預定的範圍內選擇，例如10% 至90%的範圍，以使膜10的每個區段相對於膜20的各個相對區段偏移這樣的 偏移量，即在與膜10的區段相關的預定範圍內的偏移量。對於分數的偏移量的 另外的可能範圍是在35%和65%之間，或者在另一優選的實施例中在45%至 55%之間。^iti也，分數的偏移量是大約1/2，其中"大約"被定義為包括±5%的 公差。儘管，雌地，分數的偏移量!雌擇為l/2或者在以大約值l/2為中心的 範圍內，但是，艦於實施本發明並不是必要的。
進而，可將區段14、 24布置在一個膜的兩個相對的表面上，比如說在第 一膜10的內表面和外表面，而在其它的第二膜20的表面沒有區段。可替換地， 在另一個實施例中，可有區段部分布置在第一膜10的內表面和夕卜表面，也可有 另外的區段部分布置在第二膜20的內表面和外表面。在膜10的內表面上的區 段部分和在膜20夕卜表面上的對應區段部分電接觸並且結合到(combine to)區 段14。與兩個區段部分相鄰的分區在繞組的相同角位置，以使相鄰的區段彼此 相互電絕緣。同樣地，在膜10的夕卜表面上的區段部分和在膜20內表面上的對 應區段部分電連接並結合到區段24。這個實施例具有的優點是區段14和24布 置在膜10和20兩者的表面上。由此，在區段和相鄰電介質之間可能的空洞能 夠MiK結果，在空洞兩端的部分放電的風險就會降低。
圖3是一個區段完全受損後的繞組中最大場的圖。以標淋AC場為單位繪 出了作為偏移角a的函數的這個最大場。圖3是根據上面引用的公開的方法的 數字計算的結果。於此，每匝的區段數量n定為irf (如圖2所示)，並且參數 a是變化的(水平軸)。結果，根據等式(l)，分數的偏移量x是變化的。在垂直 軸上繪出對應於4匝、6匝(對於不同的偏移角a)，禾f!7匝(只對於角01=90°) 的最大場。
發現最大場隨著偏移角a從01=0°到01=90°增加而減小，在01=90°達到最小 (對於6匝)。這樣，雌分數的偏移量x4/2，對應於01=90°。然而，發現任何 偏移量0^20° (且S160。-未示出)(對於分數的偏移量x，大致對應於間隔 10%<x<90%)都會導致最大場的減小。此外，圖3中所示的所有偏移量(包括 偏移量0)具有這樣的優點，即任何膜10和/或20的任何潛在損壞區段與在其它各^ii中任何相鄰的區段的最大相對重疊是已知的，而不論哪個區段損壞。
因此，最終的過電壓由此是在已知的或可預測範圍內。這也對任何偏移量範圍 有效。
儘管圖3所示的結果是對於相對少量的匝數所獲得的，但是預期結果對於
更多的匝數也是有效的，例如大於10匝、大於50匣，甚至大於100匝。這能 夠根據以下的事實推斷得到，考慮到圖3所示的誤差棒，看起來計算的結果不 太1繊於匝數。進而，對稱的考慮表明最小場應該總是在x4/2 (忽略邊界^她) 處，這樣就證實了圖3的主要定性的計算結果。
在下文，參見圖4，說明製造電容器的方法。提供了第一和第二介電膜10 和20。這些膜鵬地包括電絕緣聚合物，例如，聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、 聚碳酸酯、聚醯亞胺、M"苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、 聚酯、環氧樹脂、聚碸或這些聚合物的混合物，這些聚合物還可能包含添加劑 並適於形成具有高介電強度的薄膜。第一膜10和第二膜20形成了通常但不是 必須的固定寬度的延長帶。這些延長帶的厚度，在1,和20|nm之間。
第一介電膜10和第二介電膜20部分或者全部覆蓋導電材料的覆蓋層。該 覆蓋層優選地包括金屬，並且尤其是fflil氣相澱積所施加的金屬化，但是也可 以4頓除金屬以夕卜的其它導電材料，例如碳或半導體材料。
fflil在製造期間圍著巻軸3旋轉，第一介電膜10和第二介電膜20沿著膜 10和20的長度方向5，以交替的匝巻繞成繞組。為了分隔作為巻繞角度(而不 是長度)的函數的連續區段，作為圍繞巻軸3旋轉的繞組的旋轉角度的函數， 分另鵬定沿著第一介電膜10的長度方向的多個分區位置。然後，選擇性的移除 在這些分區位置處的導電層，從而，產生了絕緣區域或分區12a-g、 22a-g。結果， 產生了區段，這些區段am些分區12a-g、 22a-g彼此電絕緣。
育,Sil任何已知技術移除該導電層，例如M (OT雷射或火花輥(spark —roller)。火花輥是在其表面具有與滾軸平行布置的線的輥子。對該線施加高電 壓，這從與線相接觸的膜的任何部分移除導電層，留下橫向絕緣空隙或間隙， 即，分區。由此，分區位置被限定在膜的那些長度位置，在那些位置膜與線相 接觸。火花輥與部分完成的繞組同步旋轉。為了避免火花輥表面沿著各個膜10 或20的表面滑動，tt^地使火花輥與各個膜的表面相距較小距離。橫向絕緣空 隙形成分區12a-g、 22a-g，這些分區在分區位置將各個膜10或20的導電層分成多個導電區段14a-g、 24a-f。
在上面方法的一個變形中，將導電層以預分區段的形式施加於M膜10 或20上。可以用任何已知的方法施加該導電層，例如通過使用導電油墨的印刷 技術。導電層可以在與電容器滾動分開的工序中施加，或者與電容器滾動一起 施加。預分區段具有增加的長度，優iti也使得每匝繞組的區段數量是固定的。 這樣，把層布置在膜表面的步驟與把層分成多個導電區段的步驟可同時進行。 在任何一種情況下，多個區段 為至少4個區段或者至少10個區段。這些區 段 地在長度方向上一個接另一個。
圖5示出了一個與圖4的方法對以的方法。在此，只有當巻繞麟(roll) 的時候，膜10和20才以一個堆疊在另一個的上面。由此，這兩個膜可容易使 用，例如用於布置導電層或用於將這些層分成區段。在圖5中，膜20的區段相 對於膜10的區段橫向移動約它們長度的10%。因此，分數的位移(displacement) 是乂=0.1。
在圖4禾口 5中，示出區段14a-g由絕緣區敏黃向細分成每區段四個電極。 外部的兩個電極延伸至膜10的邊緣並且與端子相連。內部的兩個電極適於浮動。 相似地，區段24a-f被橫向細分成三個浮動電極。這些區段也可以像例如EP 0 225 822Al所述的那樣採用由未覆蓋的帶分開的正方形塊(patch)而圖形化，所述 正方形塊通過在拐角處的覆蓋層的細橋相連接。該覆蓋層的導電率可以較低， 例如它的表面電阻率可以至少為1歐嫁方塊(lD/square)。
任何其它數量的橫向細分都是可能的，並且可能的是非浮動的端子電極位 於膜20上或者兼在膜10和20上。同樣，僅有浮動電極的區段也是可能的。進 而，與圖4所示的布置相反，這些區段可以不用橫向細分，而可以採用漸變的 或均勻的導電覆蓋層。例如，高電壓電容器可以配備內部導電圓柱體和外部導 電圓柱體作為端子電極。然後，這些圓柱體被典型地與布置在它們之間的圖2 中示出的巻繞式膜布置1同心布置。在這個電容器中，巻繞鄉布置1的所有 電極區段14和24是浮動的。
另外的浮動和非浮動區段的結合也是可能的。例如，膜10'的所有區段可以 連接到第一端子以用於接收電壓，並且膜20'的所有區段可以連接至悌二端子以 用於接收相反符號的電壓。可替換地， 一些但不是全部的區段可以是浮動的。
進而，藉助薄金屬橋或保險絲柵，區段可以電連接到同一膜的相鄰區段。可替換地，相鄰的區段可以彼此電絕緣。
電容器可以是乾式的或者是浸漬式的。 電容器是自愈式的。巻繞膜電 容器可以在皿上是圓柱形或者是平壓形的。
所記載的說明使用包括最好的模式的示例公開了本發明，並能使任何本領 域技術人員能夠製造和使用本發明。當根據各種特定實施例描述本發明時，本 領域技術人員應認識到能夠在權利要求的精神和範圍內對本發明進4於修改。例 如，區段的尺寸、形狀、布置和它們的電特性以及基底的尺寸和特性可以根據 電容器的特定目的，在很大範圍內變化。進而，上述實施例的相互非排他的特 性可以相互結合。
權利要求
1、一種卷繞式膜電容器(1)，包括；——第一介電膜(10)和第二介電膜(20)，其沿著介電膜(10，20)各自的長度方向卷繞成繞組，並且形成了繞組的交替的匝，——多個第一導電區段(14a，14b)，其沿著該第一介電膜(10)的長度方向布置在該第一介電膜(10)的第一表面上，以及——多個第二導電區段(24a，24b)，其沿著第二介電膜(20)的長度方向布置在該第二介電膜(20)的表面上，或者沿著第一介電膜(10)的長度方向布置在第一介電膜(10)的第二表面上，該第二表面與該第一介電膜(10)的該第一表面相對，其中，第一導電區段(14a，14b)具有沿著第一介電膜(10)的長度方向逐漸增加的長度，第二導電區段(24a，24b)具有沿著第一或第二介電膜(10，20)的長度方向逐漸增加的長度，並且其中該繞組的每匝的第一和/或第二導電區段(14a，14b，24a，24b)的數量等於或大於1。
2、 根據權利要求1所述的巻繞淵莫電容器，其中至少多個第一導電區 段(14a， 14b)和至少多個第二導電區段(24a， 24b)相互重疊。
3、 根據權利要求l或2所述的巻繞式膜電容器，其中多個第一導電區 段(14a， 14b)的起始端和多個第二導電區段(24a,24b)的起始端^端在 長度方向上相對彼此偏移達在預定的偏移範圍內的偏移量。
4、 根據權利要求2所述的巻繞式膜電容器，其中該預定的偏移範圍是 各^^第一區段長度的10%到90%, im的35%到65%，優選的45%到55%。
5、 根據任一在先的權禾腰求所述的巻繞式膜電容器，其中第一導電區 段(14a， 14b)的起始端和第二導電區段(24a， 24b)的起始端相對彼此偏 移達各個第一區段的長度一半的偏移量。
6、 根據任一在先的權利要求所述的巻繞式膜電容器，其中根據巻繞角 度，周期性地布置第一區段和/麟二區段(14a， 14b， 24a， 24b)的起始端。
7、 根據任一在先的權利要求所述的巻繞式膜電容器，其中該繞組中的 第一介電膜(10)的每匝有n個第一導電區段(14a， 14b)， n是任何實數。
8、 根據權利要求6所述的巻繞式膜電容器，其中該繞組中的第二介電膜(20)的每匝有n個第二導電區段(24a， 24b)。
9、 根據權利要求7或8所述的巻繞式膜電容器，其中n是有理數或自 然數。
10、 根據任一在先的權利要求所述的巻繞式膜電容器，其中至少一些第 一和/或第二導電區段(14a， 14b， 24a， 24b)是浮動電極。
11、 根據任一在先的權利要求所述的巻繞式膜電容器，其中巻糹劍莫電容 M形狀上是圓柱形或者是平壓形的。
12、 一種用於製造巻繞式膜電容器的方法，尤其是一種根據在先的權利 要求之一的方法，該方法包括如下步驟~~^每第一介電膜(10)和第二介電膜(20)沿著膜的長度方向巻繞成繞 組，藉此，在製造期間，該繞組圍繞著巻軸(3)旋轉;一作為圍繞著巻軸(3)旋轉的繞組的旋轉角度的函數，分別確定^第 一介電膜(10)的長度方向的多個分區位置；並且^^每布置在第一介電被膜(10)的表面上的第一層在分區位置處分成多 個導電區段。
全文摘要
一種卷繞式膜電容器(1)包括第一介電膜(10)和第二介電膜(20)，它們沿著介電膜(10，20)各自的長度方向卷繞成繞組，並形成了繞組的交替的匝。多個第一導電區段(14a，14b)沿第一介電膜(10)的長度方向布置在第一介電膜(10)的第一表面上，並且多個第二導電區段(24a，24b)沿第二介電膜的長度方向布置在第二介電膜(20)的表面上或者沿第一介電膜(10)的長度方向布置在第一介電膜(10)的第二表面上。該第一導電區段(14a，14b)具有沿著第一介電膜(10)的長度方向逐漸增加的長度，並且第二導電區段(24a，24b)具有沿著第一介電膜或者第二介電膜(10，20)的長度方向逐漸增加的長度。該繞組中每匝的第一和/或第二導電區段(14a，14b，24a，24b)的數量等於或大於1。
文檔編號H01G4/32GK101601108SQ200680056708
公開日2009年12月9日 申請日期2006年12月21日 優先權日2006年12月21日
發明者H·富爾曼, J·奧斯特羅夫斯基, J·穆德 申請人:Abb研究有限公司