一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備的製作方法

2023-10-29 04:33:12 1

專利名稱：一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備和利用上述設備製備OLED導電層的方法。
背景技術：
蒸髮式真空鍍膜是通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。蒸發鍍膜設備蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待系統抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和 時間(或決定於裝料量)，並與源和基片的距離有關。對於大面積鍍膜，常採用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。在上述的鍍膜過程中，鍍膜需要在真空過程中，在一次次的鍍膜過程中，需要多次抽真空，然後打開真空室，再次抽真空、鍍膜，打開真空室，如此反覆，很不方便。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種鍍膜效率高的半導體薄膜材料的真空蒸發設備和利用上述設備製備OLED導電層的方法。為了解決上述的技術問題，本實用新型的技術方案是一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備，包括真空室和真空室內的蒸發器，所述蒸發器下方設置有主動軸和從動軸，所述主動軸帶動從動軸上的半導體薄膜材料基材通過蒸發器下的蒸發區，並對通過蒸發區的半導體薄膜材料基材進行卷取。在所述主動軸和從動軸之間設置有冷卻輥，所述冷卻輥兩邊設置有託輥，從動軸上的半導體薄膜材料基材在託輥與冷卻輥之間穿過與主動軸連接。在所述冷卻輥的上方設置有隔板，所述隔板將蒸發器的蒸發區隔離。利用上述半導體薄膜材料的真空蒸發設備製備OLED導電層的方法，其包括以下步驟(I)將OLED基材卷在從動軸上，OLED基材穿過託輥與冷卻輥之間，然後連接在主動軸上；(2)對真空室進行抽真空，保持真空度30_50Pa ；(3)開啟蒸發器，蒸發器表面溫度升高到960-1050°C，保持5_10分鐘；(4)啟動電機帶動主動軸，保持OLED基材的勻速行走，行走速度為0. 16-lmm/s ；(5)主動軸在帶動OLED基材行走的同時，對OLED基材進行卷取；(6)在對從動軸上的OLED基材蒸發完畢時，關閉蒸發器及主動軸電機，經過10-15分鐘後，開啟真空室，取出已形成有導電層的OLED基材。[0016]本實用新型在鍍膜過程中，通過蒸發區的基材只需要卷在主動軸上便可，不需要反覆的打開真空室來拿出基材，提高鍍膜的效率。
以下結合附圖
和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明。附圖為本實用新型半導體薄膜材料的真空蒸發設備的結構示意圖。
具體實施方式
如附圖所示，一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備，包括真空室I和真空室I內的蒸發器7，所述蒸發器7下方設置有主動軸2和從動軸3，所述主動軸2帶動從動軸3上的半導體薄膜材料基材8通過蒸發器7下的蒸發區，並對通過蒸發區的半導體薄膜材料基材 8進行卷取。在所述主動軸2和從動軸3之間設置有冷卻輥4，所述冷卻輥4兩邊設置有託輥5，從動軸3上的半導體薄膜材料基材8在託輥5與冷卻輥4之間穿過與主動軸2連接。為了防止汙染，在所述冷卻輥4的上方設置有隔板6，所述隔板6將蒸發器7的蒸發區隔離。在鍍膜過程中，通過蒸發區的基材只需要卷在主動軸2上便可，不需要反覆的打開真空室來拿出基材，提高鍍膜的效率。利用上述半導體薄膜材料的真空蒸發設備製備OLED導電層的方法，其包括以下步驟(I)將OLED基材卷在從動軸3上，OLED基材穿過託輥5與冷卻輥4之間，然後連接在主動軸2上；(2)對真空室I進行抽真空，保持真空度30_50Pa ；(3)開啟蒸發器7，蒸發器表面溫度升高到960-1050°C，保持5_10分鐘；(4)啟動電機，帶動主動軸2，保持OLED基材的勻速行走，行走速度為0. 16-lmm/s ；(5)主動軸2在帶動OLED基材行走的同時，對OLED基材進行卷取；(6)在對從動軸3上的OLED基材蒸發完畢時，關閉蒸發器7電源及主動軸2電機，經過10-15分鐘後，開啟真空室1，取出已形成有導電層的OLED基材。上述實施例不以任何方式限制本實用新型，凡是採用等同替換或等效變換的方式獲得的技術方案均落在本實用新型的保護範圍內。
權利要求1.一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備，包括真空室(I)和真空室(I)內的蒸發器(7)，其特徵在於所述蒸發器(7)下方設置有主動軸(2)和從動軸(3)，所述主動軸(2)帶動從動軸(3)上的半導體薄膜材料基材(8)通過蒸發器(7)下的蒸發區，並對通過蒸發區的半導體薄膜材料基材(8)進行卷取。
2.根據權利要求I所述的半導體薄膜材料的真空蒸發設備，其特徵在於在所述主動軸⑵和從動軸(3)之間設置有冷卻輥(4)，所述冷卻輥(4)兩邊設置有託輥(5)，從動軸(3)上的半導體薄膜材料基材(8)在託輥(5)與冷卻輥(4)之間穿過與主動軸(2)連接。
3.根據權利要求2所述的半導體薄膜材料的真空蒸發設備，其特徵在於在所述冷卻輥(4)的上方設置有隔板(6)，所述隔板(6)將蒸發器(7)的蒸發區隔離。
專利摘要本實用新型公開了一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備，包括真空室和蒸發器，蒸發器下方設置有主動軸和從動軸，主動軸帶動基材通過蒸發器下的蒸發區，並對通過蒸發區基材進行卷取，通過蒸發區的基材只需要卷在主動軸上便可，不需要反覆的打開真空室來拿出基材，提高鍍膜的效率。本實用新型還公開了製備OLED導電層的方法，其包括以下步驟(1)將OLED基材卷在從動軸上，基材穿過託輥與冷卻輥之間，然後連接在主動軸上；(2)對真空室進行抽真空，保持真空度30-50Pa；(3)開啟蒸發器；(4)啟動電機帶動主動軸，保持基材勻速行走；(5)主動軸在帶動OLED基材行走的同時，對OLED基材進行卷取；(6)蒸發完畢時，關閉蒸發器及主動軸電機，開啟真空室，取出基材。
文檔編號C23C14/24GK202543301SQ20122012404
公開日2012年11月21日 申請日期2012年3月29日 優先權日2012年3月29日
發明者楊耀武, 蘇怡, 蘇曉燕 申請人:常熟卓輝光電科技有限公司