基板處理設備及使用其的基板處理方法
2023-09-21 00:03:40 2
專利名稱：基板處理設備及使用其的基板處理方法
技術領域：
本發明涉及一種基板處理設備和使用該設備的基板處理方法。
背景技術：
液晶顯示器(LCD)包括液晶板，該液晶板具有上面形成有薄膜電晶體(TFT)的薄膜電晶體基板、上面形成有濾色器層的濾色器基板以及設置在該兩基板之間的液晶層。液晶板本身不發光，所以常常在TFT基板後面設置背光單元以便向液晶板提供光。背光單元所透射的光量取決於液晶分子的配向。
此外，LCD還包括驅動電路以及柵極和數據驅動器，驅動電路驅動液晶板的每個像素，而柵極和數據驅動器從驅動電路接收驅動信號並將電壓供應給數據線和柵極線。
製造濾色器基板和TFT基板必須要通過提供處理溶液處理基板。具體說來，製造基板必須要有顯影工序，利用曝光的感光層形成感光層圖案；要有蝕刻工序，使用顯影工序中形成的感光層圖案形成金屬層圖案或電極圖案；還要有衝洗工序，衝洗經過顯影工序或蝕刻工序的襯底。這些工序分別使用顯影溶液、蝕刻溶液和DI(去離子)水。
處理基板典型地包括在將處理溶液噴灑到基板上時傳送(transport)基板。在傳送工序中，基板處於傾斜位置，以利除去處理溶液。雖然以傾斜狀態移動基板有助於清除處理溶液，但是卻引起了這樣的問題處理溶液從基板高的一端流向低的一端，並積聚在傾斜基板的較低部分。這種積聚造成處理溶液在基板高端和低端之間塗布的厚度不同。這種不均勻的厚度又導致施加在基板上的有效噴灑壓力在傾斜基板的較高部分高於其較低部分。
噴灑壓力的差別導致基板表面處理的不均勻。隨著基板尺寸變大，不均勻性就更差。在使用浸漬法時不會發生這種不均勻處理的問題，在浸漬法中基板被浸入處理溶液中。不過，大家都知道，當基板大過一定尺寸時就難以實施浸漬法了。
近來，隨著基板變得更大，線路寬度和蝕刻輪廓的均勻性成為一個問題。均勻地處理基板是實現線路均勻性的關鍵性因素。不過，如果基板不同部分之間處理條件不同，就難以實現均勻的基板處理。人們期望能有一種無論基板尺寸如何都能均勻處理它的方法。
發明內容
因此，本發明的一方面是提供一種均勻處理基板的基板處理設備。
本發明的另一方面是提供一種均勻處理基板的基板處理方法。
本發明的前述和/或其他方面還通過提供一種基板處理設備而實現，該基板處理設備包括處理溶液分配器、傳送單元和控制器，處理溶液分配器在基板上供應處理溶液，傳送單元傳送基板，而控制器控制傳送單元，使得基板在傾斜狀態下被傳送。該傾斜狀態是通過相對於平行於基板傳送方向延伸的軸進行轉動實現的。基板可以以交替的方式在兩個方向中傾斜。
本發明的另一方面是要提供一種基板處理設備，該設備包括傳送單元和處理溶液分配器，傳送單元以傾斜狀態傳送基板，而處理溶液分配器處於傳送單元上方，它在傾斜基板的較低部分比在傾斜基板的較高部分更強勁地噴灑處理溶液。
根據本發明的實施例，處理溶液分配器包括多個噴嘴，在傾斜基板的較低部分上噴灑處理溶液的噴嘴比在傾斜基板的較高部分上噴灑處理溶液的噴嘴設置得離基板更近。
根據本發明的實施例，處理溶液分配器包括處理溶液管和多個噴嘴，處理溶液管設置在相對於基板傳送方向的橫向上，噴嘴與處理溶液管連接。
根據本發明的實施例，處理溶液管能夠調節其傾斜角。
根據本發明的實施例，處理溶液管與基板平行地設置，在傾斜基板較低部分上噴灑處理溶液的噴嘴比在傾斜基板較高部分上噴灑處理溶液的噴嘴長。
根據本發明的實施例，處理溶液管平行於基板設置，且隨著噴嘴距傾斜基板的較低部分越來越近，噴嘴就越來越長。
根據本發明的實施例，處理溶液管距離傾斜基板的較低部分比距離傾斜基板的較高部分更近。
根據本發明的實施例，處理溶液分配器包括噴嘴和處理溶液管，噴嘴具有在傾斜基板的較高部分上噴灑處理溶液的第一噴嘴和在傾斜基板的較低部分上噴灑處理溶液的第二噴嘴，處理溶液管具有與第一噴嘴相連的第一處理溶液管和與第二噴嘴相連的第二處理溶液管。
根據本發明的實施例，處理溶液分配器包括多個處理溶液管和多個噴嘴，處理溶液管平行於基板的傳送方向設置，噴嘴與處理溶液管相連。
根據本發明的實施例，傾斜基板較高部分和處理溶液管之間的距離比傾斜基板較低部分和處理溶液管之間的距離長。
根據本發明的實施例，在傾斜基板較低部分上噴灑處理溶液的噴嘴距基板近於在傾斜基板較高部分上噴灑處理溶液的噴嘴。
本發明的另一方面是提供一種基板處理方法，包括製備基板和處理溶液，以及以傾斜狀態傳送基板，其中傾斜狀態是通過相對於平行於基板傳送方向延伸的軸旋轉基板實現的。在接收處理溶液的時候以交替方式在兩個方向上旋轉基板。
根據本發明的實施例，所述傳送包括向前和向後傳送基板至少一次。
根據本發明的實施例，基板的傾斜角為3°到7°。
根據本發明的實施例，處理溶液為顯影溶液、蝕刻溶液和衝洗溶液之一。
本發明的另一方面是提供一種基板處理方法，包括在第一處理單元中，在傳送基板時向基板提供處理溶液，其中相對於平行於基板傳送方向延伸的軸旋轉使基板傾斜第一傾斜角。該方法還包括在第二處理單元中，在傳送基板時向基板提供處理溶液，其中基板以小於第一傾斜角的第二傾斜角傾斜；以及，在第三處理單元中，在傳送基板時向基板提供處理溶液，其中基板以第三傾斜角傾斜，第三傾斜角與第一傾斜角反向。
根據本發明的實施例，在第二處理單元中水平地傳送基板。
根據本發明的實施例，第一傾斜角等於第三傾斜角。
本發明的另一方面是提供一種基板處理方法，包括傳送基板和提供處理溶液，通過相對於沿平行於基板傳送方向延伸的軸旋轉使基板向一側傾斜，而提供處理溶液時使施加到傾斜基板較低部分上的處理溶液的噴灑壓力高於施加在傾斜基板較高部分上的壓力。
通過結合附圖堆示範性實施例進行如下描述，本發明的上述和/或其他方面和優勢將變得明了且更易於理解。附圖中圖1是根據本發明第一實施例的基板處理設備的截面圖；圖2是展示根據本發明第一實施例的基板處理設備運行的透視圖；圖3是使用根據本發明第一實施例的基板處理設備的基板處理方法的流程圖；圖4是展示根據本發明第一實施例的基板處理設備的另一種運行的透視圖；圖5是另一種利用根據本發明第一實施例的基板處理設備的基板處理方法的流程圖；圖6是根據本發明第二實施例的基板處理設備的基本部分的透視圖；圖7是根據本發明第二實施例的基板處理設備的基本部分的側視圖；圖8是根據本發明第三實施例的基板處理設備的基本部分的側視圖；圖9是根據本發明第四實施例的基板處理設備的基本部分的側視圖；圖10是根據本發明第五實施例的基板處理設備的基本部分的透視圖；圖11是根據本發明第五實施例的基板處理設備的基本部分的側視圖。
具體實施例方式
現在將詳細參考本發明的示範性實施例，附圖中示出了它們的例子，在所有附圖中相似的附圖標記指示相似的元件。以下參考附圖描述實施例以便解釋本發明。
按照本文用法，基板「向前和向後」移動是指基板可以沿著傳送方向在兩個方向移動。基板「傾斜」或「向一側傾斜」是指相對於平行於傳送方向延伸的軸旋轉基板。一傾斜角與另一角「反向」是指，相對於同一參考線計量的角和角-之間的關係。
第一實施例將參考圖1和2描述根據本發明第一實施例的基板處理設備。
根據本發明第一實施例的基板處理設備1包括多個構造類似的處理單元10a、10b和10c。
處理單元10a、10b、10c的每一個均具有處理室(tub)，且它們連接到相鄰的處理單元10a、10b、10c。在相鄰的處理單元10a、10b和10c之間配備有通道40，通過該通道40在處理單元之間傳送基板100。
在每一處理單元10a、10b、10c的較高部分中設置處理溶液分配器20，以向基板100提供處理溶液23。處理溶液分配器20通過噴灑向基板100提供處理溶液23。在基板100的傳送路線上設置多個處理溶液分配器20，以便向整個基板100上均勻地供應處理溶液23。雖然圖中沒有示出，處理溶液分配器20可以連接到處理溶液存儲罐。
根據處理設備1的用途，處理溶液23可以是顯影溶液、蝕刻溶液或衝洗溶液。
如果處理溶液23為顯影溶液，使用不含金屬成分的有機鹼基溶液，有機鹼成分通過衝洗工序被清除。
如果處理溶液23為蝕刻溶液，根據蝕刻目標的成分蝕刻溶液的精確組分會有所變化。例如，用於Al或Mo的蝕刻溶液包括磷酸、硝酸和醋酸。用於Ta的蝕刻溶液包括氫氟酸和硝酸。用於Cr的蝕刻溶液包括硝酸銨銫(ammonium nitrate caesium)和硝酸。用於ITO(氧化銦錫)的蝕刻溶液包括鹽酸、硝酸和氯化鐵。
如果處理溶液23為衝洗溶液，處理溶液23典型地是DI(去離子)水。為了迅速衝洗，處理單元10a、10b和10c可以不僅包括處理溶液分配器20，還包括公知的「水刀(aqua knife)」，其在垂直於基板100傳送方向的方向中形成有噴嘴。
基板100放在傳送單元30上，在處理單元10a、10b和10c中向前和向後移動，或者在處理單元10a、10b和10c之間傳送。基板100設置在處理溶液分配器20下方，被噴灑處理溶液23，暴露出將被處理溶液23處理的部分。如果處理工序是用於顯影的，就暴露被曝光的感光層。如果處理工序是用於蝕刻的，將被蝕刻的部分，諸如金屬層、透明電極層和/或絕緣層被暴露，而不被蝕刻的部分用感光層覆蓋。如果處理工序是用於衝洗的，就暴露出顯影溶液或蝕刻溶液、由顯影工序剝離的感光層和由蝕刻工序剝離的金屬層。
傳送單元30包括傳送帶型機構。傳送單元30在處理單元10a、10b和10c之間傳送基板100並在處理單元10a、10b或10c之一中向前和向後移動基板100。傳送單元30包括多個彼此平行設置的傳送輥31、支撐體32和側輥33，傳送輥能夠向前或向後轉動，支撐體32與傳送輥31組合併直接接觸基板100的後表面，而側輥33被基板100的移動所轉動。側輥33通過支撐基板100的側表面令基板100保持在傳送單元30上。側輥33沿著基板100的兩側設置。傳送單元30由不和處理溶液23反應或不受其損傷的材料製成。支撐體32優選由諸如塑料的、不會影響基板100的材料製成。傳送單元30包括指示傳送輥31是否轉動和向哪個方向轉動的控制器(未示出)。
控制器控制傳送單元30，使得基板100在交替向一側方向傾斜的狀態下被傳送。在圖2中，相對於參考坐標系35中的表示0°的水平軸而言，第一傾斜角θ1與第二傾斜角θ2具有相反的方向，且每個傾斜角可以是3°到7°。如果傾斜角小於3°，處理溶液23清除得過慢。另一方面，如果傾斜角大於7°，處理溶液在基板100上保持的時間過短。在某些情況下，傾斜角θ1和θ2可以相等。
儘管圖中未示出，傳送單元30可以包括傾斜控制構件，它控制著基板100的側向傾斜方向和傾斜角。傾斜控制構件可以包括活塞裝置。
處理設備1可以用多種方式改進。例如，可以為處理設備1提供超過三個的處理單元10a、10b和10c。
現在，將參考圖3描述利用根據本發明第一實施例的處理設備的基板處理方法。例如，用於在基板100上形成柵極線路的工序如下所述。
柵極金屬層沉積在絕緣基板上並用感光溶液噴灑。然後，通過軟烤(soft-bake)工藝除去感光溶液中的溶劑，藉此形成感光層。隨後，通過有著特定圖案的掩模曝光已經除去溶劑的感光層。然後在隨後的工序中進行顯影。
首先，在步驟100中，將放置在傳送單元30上的基板100移動到第一處理單元10a。當基板100被載進第一處理單元10a時，開始向基板100供應從處理溶液分配器21噴灑的處理溶液23，即顯影溶液。接收到顯影溶液後，基板100就在步驟200中顯影感光層。如果使用的是負性感光溶液，那麼未曝光區域的感光層就與處理溶液23反應並被溶解。如果使用的是正性感光溶液，那麼曝光區域的感光層就與處理溶液23反應並被溶解。在步驟200中，基板100沿著第一傳送方向從第一處理單元10a被傳送向第二處理單元10b。傳送單元30以側向傾斜狀態傳送基板100，這種狀態形成一傾斜角。由於基板100是傾斜的，處理溶液23留在傾斜基板100較低部分的時間比在基板100較高部分長。
沿第一傳送方向傳送基板100一定時間後，傳送單元30在第二傳送方向上傳送基板100，第二傳送方向是第一傳送方向的反方向(步驟300)。在第二傳送方向上傳送基板100的同時，傳送單元30使基板100傾斜以形成第二傾斜角。如果第一傾斜角為，第二傾斜角可以是參考坐標系35中的-(參見圖2)。由於第二傾斜角在第一傾斜角的反方向上，基板100傾斜成第一傾斜角時的下端部分就變成了基板100傾斜成第二傾斜角時的上端部分。類似地，基板100傾斜成第一傾斜角時的上端部分就變成了基板100沿反向傾斜，即傾斜成第二傾斜角時的下端部分。因此，在步驟200中被大量處理溶液23覆蓋的區域在步驟300中就接觸少量的處理溶液23。反之，在步驟200中被被少量處理溶液23覆蓋的區域在步驟300中就接觸大量的處理溶液23。
在步驟300中完成第二傳送方向的傳送之後，傳送單元30沿第一傳送方向將基板100向回傳送(步驟400)。此時，基板100的傾斜方向切換回第一傾斜方向。即使切換傾斜方向，基板100也不會從傳送單元30掉落，因為在基板100的相對側設置了側輥33。
在步驟400中，當基板100沿第一傳送方向移動到達通道40後，在步驟500中，傳送單元30將基板100運出至相鄰的處理單元10b。基板100被運送到第二處理單元10b之後，重複前述過程，並將基板100運出至第三處理單元10c。
期間，另一基板100被傳送至第一處理單元10a並重複上述過程。這樣，可以用一個處理設備1同時處理多個基板，而諸基板在某一時刻則處在不同的處理階段。
通過這些工序，當基板100從第三處理單元10c出來時，就完成了感光層的顯影。由於在顯影過程中基板100是以交替方式側向傾斜的，因而至少部分地解決了顯影溶液不均勻接觸基板100的問題。
顯影工序之後，基板100進行衝洗工序、蝕刻工序和另一衝洗工序。這些工序類似於上述的顯影工序。
由於處理溶液23均勻地接觸整個基板100，因此減少了柵極線路缺乏均勻性的問題。
現在將參考圖4和5描述另一種利用根據本發明第一實施例的基板處理設備的基板處理方法。
基板100在一個處理單元10a、10b或10c中具有單個傾斜角。例如，顯影工序如下所述。
在步驟110中，放在傳送單元30上的基板100被傳送到第一處理單元10a中。當基板100被載進第一處理單元10a時，開始向基板100供應從處理溶液分配器21噴灑的處理溶液23，即顯影溶液，並在步驟210中顯影感光層。從第一處理單元10a向第二處理單元10b傳送基板100，而這一方向被稱為第一傳送方向。此外，基板100在被向側向傾斜的同時被傳送，傾斜的程度與第一傾斜角相同(θ3)。基板100的較低部分接觸處理溶液23的時間比基板100的較高部分長。
傳送單元30可以在第一傳送方向向前移動基板100，或者在第二傳送方向向後移動基板，第二傳送方向與第一傳送方向相反。
在步驟210之後，在步驟310中將基板100傳送到第二處理單元10b。水平地傳送基板100並在步驟410中進行顯影處理。換言之，在第二處理單元10b中的第二傾斜角θ4變為了0°。因此，處理溶液23均勻地接觸基板100。如在第一處理單元10a中那樣，傳送單元30可以向前或向後移動基板100。
接下來，在步驟510中將基板100移動到第三處理單元10c上。
在被傳送到第三處理單元10c的同時，在步驟610中由傳送單元30將基板100向側向傾斜一第三傾斜角θ5。第三傾斜角θ5和第一傾斜角θ3具有同樣大小，但是與第一傾斜角θ3方向相反。即，在第一處理單元10a中是下端的基板100的部分在第三處理單元10c中變成了上端。相反，在第一處理單元10a中是上端的基板100的部分在第三處理單元10c中變成了下端。因此，在步驟210中被大量處理溶液23覆蓋的區域在步驟610中就接觸少量的處理溶液23，而在步驟210中被少量處理溶液23覆蓋的區域在步驟610中就接觸大量的處理溶液23。如上面那些情況一樣，傳送單元30可以向前或向後移動基板100。
期間，另一基板100被載入第一處理單元10a，並重複上述過程。
第二實施例以下將參考圖6和7描述根據本發明第二實施例的基板處理設備。
處理溶液分配器20在垂直於基板100的傳送方向的方向中延伸，並包括多個彼此平行的處理溶液管21和連接到每一處理溶液管21的多個噴嘴22。通過處理溶液罐(未示出)和處理溶液泵(未示出)將處理溶液23供應給處理溶液管21。供應給處理溶液管21的處理溶液23通過噴嘴22噴灑到基板100上。圖6示出了基板為矩形的情況，基板有兩個長邊和兩個短邊。如圖6所示，如果基板100的長邊平行於基板100的傳送方向，則處理溶液管21平行於基板100的短邊之一設置。處理溶液管21之間的空間間隔可以是常數。噴嘴22之間的空間間隔也可以是常數。
現在將描述施加到基板100上的處理溶液23的噴壓。
如圖7所示，置於傳送單元30上的基板100傾斜一預定角度θ6，從而能夠迅速從基板100上除去處理溶液23。在實施例中，基板100的傾斜角θ6可以是3°到7°。
設置於基板100上方的處理溶液管21也傾斜一傾斜角θ7，處理溶液管21的傾斜角θ7大於基板100的傾斜角θ6。處理溶液管21的傾斜角θ7是可調的。由於傾斜角之間的差異，傾斜基板100的較高部分A和噴嘴22之間的距離d1大於傾斜基板100的較低部分B和噴嘴22之間的距離d2。因此，在每一噴嘴22都以同樣噴壓工作的情況下，施加到傾斜基板100較低部分B的噴壓將比施加到傾斜基板100較高部分A的噴壓更大。
利用根據本發明第二實施例的基板處理設備1的基板處理方法如下所述。
當基板100被傳送單元30傳送到處理溶液分配器20下時，通過噴嘴22均勻地在整個基板100上噴灑處理溶液23。噴灑在基板100的傾斜表面的較高部分A上的處理溶液23處理較高部分A，並隨後向下流到基板100的傾斜表面的較低部分B。噴灑到傾斜基板100的較高部分A和較低部分B之間區域上的處理溶液23在處理完基板100後向下流到較低部分B。這樣一來，處理溶液23就積聚在較低部分B上，而較低部分B則浸漬在處理溶液23中。結果，較高部分A是通過噴灑處理溶液23處理的，而較低部分B則是被浸漬在處理溶液23積聚而成的池(pool)中被處理的。基板100的處理沒有均勻性。
在第二實施例中，可以減小傾斜基板100的較低部分B和噴嘴22之間的距離d2，通過噴灑處理傾斜基板100的較低部分B，從而提高施加到基板100的處理溶液23的噴壓。此外，由於處理溶液23強勁的噴壓，積聚在較低部分B上的處理溶液23從基板100被迅速清除。利用這種構造，處理溶液23被噴灑在整個基板100上，藉此均勻地處理基板100。
完成上述處理後，基板100被傳送到下一工序。如果該處理是顯影工序，則下一工序可以是衝洗工序或蝕刻工序。如果該處理是蝕刻工序，下一工序可以是衝洗工序。如果該處理是衝洗工序，下一工序可以是乾燥工序。
第三實施例現在將參考圖8描述根據本發明第三實施例的基板處理設備。
在該實施例中，基板100的傾斜角θ6與處理溶液管21的傾斜角θ8相同。下端B附近的噴嘴22做得比上端A附近的噴嘴22長。這樣一來，長噴嘴22距傾斜基板100的較低部分B要比噴嘴22長度與較高部分A附近的噴嘴22相同時更近。利用這種構造，基板100的較高部分A和噴嘴22之間的距離d3要比較低部分B和噴嘴22之間的距離d4長。如果每一噴嘴22都以相同的噴壓噴灑處理溶液23，那麼施加到傾斜基板100的較低部分B的噴壓要比較高部分A更強勁，藉此均勻地處理基板100。
第四實施例現在將參考圖9描述根據本發明第四實施例的基板處理設備。
基板100的傾斜角θ6與處理溶液管21的傾斜角θ8相同。處理溶液管21包括第一處理溶液管21a和第二處理溶液管21b，第一處理溶液管21a為傾斜基板100的較高部分A供應處理溶液23，第二處理溶液管21b為傾斜基板100的較低部分B供應處理溶液23。噴嘴22包括與第一處理溶液管21a相連的第一噴嘴22a和與第二處理溶液管21b相連的第二噴嘴22b。儘管未在圖中示出，第一處理溶液管21a和第二處理溶液管21b的每一個均連接到相應的處理溶液泵，該泵在不同的壓力下供應處理溶液23。在第四實施例中，從與第二處理溶液管21b相連的第二噴嘴22b噴灑的處理溶液23的噴壓高於從與第一處理溶液管21a相連的第一噴嘴22a噴灑的處理溶液的噴壓。結果，施加到傾斜基板100的較低部分B的處理溶液23的噴壓高於較高部分A，藉此均勻地處理基板100。
第五實施例現在將參考圖10和11描述根據本發明第五實施例的基板處理設備。
處理溶液管21平行於基板100的傳送方向設置。處理溶液管21可以間隔恆定的距離。類似地，噴嘴22可以間隔恆定的距離。
隨著處理溶液管21距傾斜基板100的較低部分B越來越近，處理溶液管21和基板100之間的距離在變小。這樣一來，傾斜基板100的較高部分A和噴嘴22之間的距離d5大於較低部分B和噴嘴22之間的距離d6。由於間隔距離的變化，噴灑在基板100的傾斜表面的較低部分B上的處理溶液23比在較高部分A上的要更強勁，藉此均勻地處理基板100。
以上實施例可以用各種方式改進。例如，基板和處理溶液管的傾斜角可以不同，而且噴嘴的長度是可變的。此外，基板在任一方向上的側向傾斜角可以隨著處理溶液的噴壓而調節，以獲得所需的均勻度。
儘管上述實施例以LCD用的基板為例，基板還可以是像OLED(有機發光二極體)的平板顯示器或半導體晶片的基板。
儘管已經展示並描述了本發明的幾個實施例，本領域的技術人員應當理解，無需脫離本發明的遠離和精神，可以在這些實施例中做出變化，而且本發明的範圍在權利要求或其等價要件中限定。
權利要求
1.一種基板處理設備，包括向基板上供應處理溶液的處理溶液分配器；傳送基板的傳送單元；以及控制所述傳送單元的控制器，使得所述基板在傾斜狀態下被傳送，所述傾斜狀態通過相對於平行於所述基板的傳送方向延伸的軸進行旋轉而實現，其中所述旋轉以交替方式在兩個方向進行。
2.一種基板處理設備，包括以傾斜狀態傳送基板的傳送單元；以及處理溶液分配器，置於所述傳送單元上方，且在所述傾斜基板的較低部分比在所述傾斜基板的較高部分更加強勁地噴灑處理溶液。
3.如權利要求2所述的基板處理設備，其中所述處理溶液分配器包括較低部分噴嘴和較高部分噴嘴，且其中，在所述傾斜基板的較低部分上噴灑處理溶液的較低部分噴嘴設置得比在所述傾斜基板的較高部分上噴灑處理溶液的較高部分噴嘴距所述基板更近。
4.如權利要求2所述的基板處理設備，其中所述處理溶液分配器包括在垂直於所述基板的傳送方向的方向上延伸的處理溶液管；以及與所述處理溶液管連接的多個噴嘴。
5.如權利要求4所述的基板處理設備，其中所述處理溶液管設置成具有一可調傾斜角。
6.如權利要求4所述的基板處理設備，其中所述處理溶液管平行於所述基板設置，並且，在所述傾斜基板的較低部分上噴灑處理溶液的噴嘴之一長於在所述傾斜基板的較高部分上噴灑處理溶液的噴嘴之一。
7.如權利要求4所述的基板處理設備，其中所述處理溶液管平行於所述基板延伸，並且所述噴嘴隨著它們接近所述傾斜基板的較低部分而變長。
8.如權利要求4所述的基板處理設備，其中所述處理溶液管距離所述傾斜基板的較低部分比距離所述傾斜基板的較高部分更近。
9.如權利要求2所述的基板處理設備，其中所述處理溶液分配器包括噴嘴和處理溶液管，所述噴嘴具有在所述傾斜基板的較高部分上噴灑處理溶液的第一噴嘴和在所述傾斜基板的較低部分上噴灑處理溶液的第二噴嘴，所述處理溶液管具有與所述第一噴嘴相連的第一處理溶液管和與所述第二噴嘴相連的第二處理溶液管。
10.如權利要求2所述的基板處理設備，其中所述處理溶液分配器包括多個平行於所述基板的傳送方向設置的處理溶液管和多個與所述處理溶液管相連的噴嘴。
11.如權利要求10所述的基板處理設備，其中所述傾斜基板的較高部分和所述處理溶液管之間的距離比所述傾斜基板的較低部分和所述處理溶液管之間的距離長。
12.如權利要求10所述的基板處理設備，其中在所述傾斜基板的較低部分上噴灑處理溶液的噴嘴比在所述傾斜基板的較高部分上噴灑處理溶液的噴嘴距所述基板更近。
13.一種基板處理方法，包括製備基板和處理溶液；以及以傾斜狀態傳送所述基板，其中所述傾斜狀態是通過相對於平行於所述基板的傳送方向延伸的軸旋轉所述基板實現的，其中所述基板在接收處理溶液的同時以交替方式在兩個方向上旋轉。
14.如權利要求13所述的基板處理方法，其中所述傳送包括向前和向後傳送所述基板。
15.如權利要求13所述的基板處理方法，其中所述傾斜狀態具有大約3°到大約7°的傾斜角。
16.如權利要求13所述的基板處理方法，其中所述處理溶液為顯影溶液、蝕刻溶液和衝洗溶液之一。
17.一種基板處理方法，包括在傳送一以第一傾斜角傾斜的基板的同時，在第一處理單元中向所述基板提供處理溶液，所述第一傾斜角通過相對於平行於所述基板的傳送方向延伸的軸旋轉而實現；在傳送以第二傾斜角傾斜的所述基板的同時，在第二處理單元中向所述基板提供所述處理溶液，所述第二傾斜角小於所述第一傾斜角；以及在傳送以第三傾斜角傾斜的所述基板的同時，在第三處理單元中向所述基板提供所述處理溶液，所述第三傾斜角與所述第一傾斜角反向。
18.如權利要求17所述的基板處理方法，其中所述基板在所述第二處理單元中水平傳送，從而所述第二傾斜角為零。
19.如權利要求17所述的基板處理方法，其中所述第一傾斜角大小等於所述第三傾斜角。
20.一種基板處理方法，包括傳送一向側向傾斜的基板，所述側向傾斜通過相對於平行於所述基板的傳送方向延伸的軸旋轉而實現；以及提供處理溶液，使得施加在所述傾斜基板的較低部分上的處理溶液的噴壓高於施加在所述傾斜基板的較高部分上的噴壓。
全文摘要
本發明公開了一種基板處理設備及使用其的基板處理方法，該基板處理設備包括處理溶液分配器、傳送單元和控制器，處理溶液分配器在基板上提供處理溶液，傳送單元傳送基板，而控制器控制傳送單元使得基板以傾斜狀態被傳送。相對於平行於基板的傳送方向延伸的軸旋轉基板使其向側向傾斜。該旋轉可以以交替方式在兩個方向進行。該設備可以不考慮基板的尺寸而用於均勻地處理基板。
文檔編號B05B3/00GK1725074SQ20051008334
公開日2006年1月25日 申請日期2005年7月12日 優先權日2004年7月19日
發明者李榮植, 金基鉉, 趙弘濟, 林官澤, 李在敬 申請人:三星電子株式會社