電容的調節方法
2023-09-16 14:39:10 1
電容的調節方法
【專利摘要】本發明揭示了一種電容的調節方法。包括提供前端結構，所述前端結構經過電子輻照處理；檢測所述前端結構的電容值，篩選出電容值低於目標值的前端結構；對篩選出的前端結構進行熱處理。本發明通過熱處理，能夠使得電容值控制在所需要的範圍內，並且波動較小，提高了電容的一致性。此外，本發明的方法成本低廉，效果顯著。
【專利說明】電容的調節方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體【技術領域】，特別是涉及一種電容的調節方法。
【背景技術】
[0002]隨著半導體技術的快速發展，器件的尺寸越來越小，這就使得在MOS管中，溝道(channel)的長度變短。在這種MOS管中，隨著源漏電壓的不斷增加，會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通(punch through)。
[0003]同時，因為高頻器件的廣泛應用，當前市場對低電容器件需求與日俱增。為了達到這樣的目的，許多工藝手段被引入到半導體製造中以降低電容。
[0004]在不改變器件結構的情況下，即保持溝道的長度不變，避免源/漏區之間發生穿通效應，同時又能夠達到降低電容的目的，業內採取了多種手段。其中，利用電子輻照就是一種有效的方法。但是由於電子速能量很大，波動較大，有時電容會降低到控制線以下，穩定性和一致性較差，從而造成良率損失。
[0005]因此，需要對現有技術進行改善，以減少或者避免出現電容過低的問題
【發明內容】
[0006]本發明的目的在於，提供一種電容的調節方法，改善現有技術中電容穩定性和一致性較差的問題。
[0007]為解決上述技術問題，本發明提供一種電容的調節方法，包括:
[0008]提供前端結構，所述前端結構經過電子輻照處理；
[0009]檢測所述前端結構的電容值，篩選出電容值低於目標值的前端結構；
[0010]對篩選出的前端結構進行熱處理。
[0011]可選的，對於所述的電容的調節方法，所述熱處理為在溫度範圍是280°C?320°C的氛圍中，持續加熱60?70分鐘。
[0012]可選的，對於所述的電容的調節方法，採用爐管工藝進行所述熱處理。
[0013]可選的，對於所述的電容的調節方法，採用烘箱烘烤進行所述熱處理。
[0014]可選的，對於所述的電容的調節方法，還包括:檢測經熱處理後的前端結構的電容值，若檢測所述前端結構的電容值低於目標值，則繼續對所述前端結構進行熱處理，並再次檢測所述前端結構的電容值。
[0015]可選的，對於所述的電容的調節方法，若檢測所述前端結構的電容值與目標值相差小於設定值，則在相同的條件下繼續對所述前端結構進行熱處理。
[0016]可選的，對於所述的電容的調節方法，若檢測所述前端結構的電容值與目標值相差大於等於設定值，則繼續對所述前端結構進行熱處理的溫度高於之前進行的熱處理的溫度。
[0017]可選的，對於所述的電容的調節方法，根據設定的規格，若在規定次數的熱處理後，所述前端結構的電容值仍不合格，判定所述前端結構失效。
[0018]與現有技術相比，本發明提供的電容的調節方法中，提供前端結構，所述前端結構經過電子輻照處理；篩選出電容值低於目標值的前端結構，然後對篩選出的前端結構進行至少一次熱處理。相比現有技術，本發明通過熱處理，能夠使得電容值控制在所需要的範圍內，並且波動較小，提高了電容的一致性。此外，本發明的方法成本低廉，效果顯著。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1為本發明實施例中電容的調節方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0020]下面將結合示意圖對本發明的電容的調節方法進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對於本領域技術人員的廣泛知道，而並不作為對本發明的限制。
[0021]為了清楚，不描述實際實施例的全部特徵。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由於不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是複雜和耗費時間的，但是對於本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
[0022]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0023]本發明的核心思想是，對於經過電子輻照處理後的前端結構，通過熱處理，使得電容保持在所需要的範圍內。從而以較低的成本達到使得電容保證穩定性和一致性的效果。
[0024]以下列舉所述電容的調節方法的較優實施例，以清楚說明本發明的內容，應當明確的是，本發明的內容並不限制於以下實施例，其他通過本領域普通技術人員的常規技術手段的改進亦在本發明的思想範圍之內。
[0025]基於上述思想，下面提供電容的調節方法的較優實施例，請參考圖1所示的本發明實施例中電容的調節方法的流程圖，本實施例的電容的調節方法包括:
[0026]步驟SlOl:提供前端結構，所述前端結構經過電子輻照處理。所述前端結構包括襯底，例如矽襯底、絕緣體上矽襯底等，所述襯底中可以形成有埋層，以及形成在襯底上的必要器件層。對所述前端結構進行電子輻照處理，該過程可以採用現有技術中的常用手段，本發明對此不作贅述。
[0027]接著，進行步驟S102:檢測所述前端結構的電容值，篩選出電容值低於目標值的前端結構。通常，經過經過電子輻照，會使得電容值下降，儘管這種下降是較佳的，但是若電容值下降過大，超過最低標準(目標值)，也會導致器件不合格，因此，需要進行電容值的檢測，將電容值過低的篩選出。
[0028]然後，進行步驟S103:對篩選出的前端結構進行熱處理。較佳的，所述熱處理為在溫度範圍是280°C?320°C的氛圍中，持續加熱60?70分鐘。所述熱處理可以是採用爐管工藝進行所述熱處理，也可以是採用烘箱烘烤進行所述熱處理。
[0029]在經過熱處理後，檢測經熱處理後的前端結構的電容值。一般情況下，經過熱處理能夠使得電容值有著一定的回升，並保持較佳的穩定性。但是也會出現經過一次熱處理後儘管有著回升，但是卻依然低於目標值的情況。在這種情況下，繼續對所述前端結構進行熱處理。較佳的，依據電容值與目標值之間的差距來優化熱處理的條件。例如，若檢測所述前端結構的電容值與目標值相差小於設定值，則在相同的條件下繼續對所述前端結構進行熱處理。若檢測所述前端結構的電容值與目標值相差大於等於設定值，則繼續對所述前端結構進行熱處理的溫度高於之前進行的熱處理的溫度。在經過再次的熱處理後，再次檢測所述前端結構的電容值。
[0030]優選的，這一再次進行熱處理的過程循環可以規定為I到2次，若經過這幾次的熱處理後，電容值符合了規定標準，則就認為合格。若還存在前端結構的電容值低於目標值，則可判定為失效。這一循環次數的設定是基於產品需要以及生產時間等各方面綜合考慮後決定的，因此，根據不同的需要，以及每次熱處理後電容值的變化情況，還可以進行更多次數的熱處理。
[0031]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和範圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬於本發明權利要求及其等同技術的範圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種電容的調節方法，包括: 提供前端結構，所述前端結構經過電子輻照處理； 檢測所述前端結構的電容值，篩選出電容值低於目標值的前端結構； 對篩選出的前端結構進行熱處理。
2.如權利要求1所述的電容的調節方法，其特徵在於，所述熱處理為在溫度範圍是2801?3201的氛圍中，持續加熱60?70分鐘。
3.如權利要求2所述的電容的調節方法，其特徵在於，採用爐管工藝進行所述熱處理。
4.如權利要求2所述的電容的調節方法，其特徵在於，採用烘箱烘烤進行所述熱處理。
5.如權利要求3或4所述的電容的調節方法，其特徵在於，還包括:檢測經熱處理後的前端結構的電容值，若檢測所述前端結構的電容值低於目標值，則繼續對所述前端結構進行熱處理，並再次檢測所述前端結構的電容值。
6.如權利要求5所述的電容的調節方法，其特徵在於，若檢測所述前端結構的電容值與目標值相差小於設定值，則在相同的條件下繼續對所述前端結構進行熱處理。
7.如權利要求5所述的電容的調節方法，其特徵在於，若檢測所述前端結構的電容值與目標值相差大於等於設定值，則繼續對所述前端結構進行熱處理的溫度高於之前進行的熱處理的溫度。
8.如權利要求5所述的電容的調節方法，其特徵在於，根據設定的規格，若在規定次數的熱處理後，所述前端結構的電容值仍不合格，判定所述前端結構失效。
【文檔編號】H01L21/67GK104377127SQ201410508364
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年9月28日 優先權日:2014年9月28日
【發明者】徐遠, 蘆冬雲, 鄭耀恆 申請人:上海先進半導體製造股份有限公司