一種高頻微帶基片式隔離器的製作方法
2023-09-21 15:03:35 2
專利名稱：一種高頻微帶基片式隔離器的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種隔離器，尤其涉及一種高頻微帶基片式隔離器，屬於微波通信領域。
背景技術：
隨著微波通訊的迅速發展，微波電子設備的應用日趨廣泛，整機性能也有很大的提高，對其中的鐵氧體隔離器指標也提出了更高的要求，嵌入式隔離器已經基本不能滿足許多系統貼片的需求，而現有的貼片式隔離器由於工作頻率範圍較低，不能滿足高頻範圍的需要。
實用新型內容實用新型目的:本實用新型的目的在於針對現有技術的不足，提供一種高頻微帶基片式隔離器，其結構簡單，適用於表面貼裝和微電路集成，並且滿足較高頻率範圍的工作要求。技術方案:本實用新型所述的一種高頻微帶基片式隔離器，包括底座、飽和磁矩為5000Gs的尖晶石鐵氧體基片、電阻I旲層、微帶電路和永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片的上表面設置有電阻膜層和微帶電路，所述微帶電路的一隻引腳與電阻膜層連接，電阻膜層用來吸收微波信號，所述微帶電路上設置有永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片固定在底座上，所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.28-0.32mm。進一步地，所述微帶電路通過光刻技術電鍍在所述微波鐵氧體基片上表面。進一步地，所述電阻膜層採用薄膜工藝設置在所述尖晶石鐵氧體基片上，使其能更好的吸收微波信號。進一步地，所述永磁體為釤鈷永磁體，所述底座由磁性金屬材料加工製成,優選為鐵或鐵的合金。進一步地，所述尖晶石鐵氧體基片的厚度優選為為0.3mm。上述技術方案保證永磁體縱向磁化尖晶石鐵氧體基片，尖晶石鐵氧體基片邊緣磁化均勻，接地良好，並且由於底座與尖晶石鐵氧體基片的熱膨脹係數相當，能夠在焊接時保護尖晶石鐵氧體基片，降低了由於焊接而導致尖晶石鐵氧體基片開裂的風險，提高了產品的可靠性。同時，所述尖晶石鐵氧體基片上表面採取拋光處理，利用化學方法去油汙以及雜質粒子，物理方法對表面進行活化、去除吸附，保證電路膜層的附著力。上述高頻微帶基片式隔離器適用於表面貼裝技術，並通過金絲鍵合技術與微波電路相連接。本實用新型與現有技術相比，其有益效果是:本實用新型所述的高頻微帶基片式隔離器，其結構簡單、體積小、重量輕，適用於表面貼裝和微電路集成，並且頻率範圍較高。
圖1為本實用新型的結構示意圖。圖2為本實用新型組裝後的示意圖。
具體實施方式
下面對本實用新型技術方案進行詳細說明，但是本實用新型的保護範圍不局限於所述實施例。如圖1和2所示，一種高頻微帶基片式隔離器，包括鐵鎳合金底座1、飽和磁矩為5000GS的尖晶石鐵氧體基片4、電阻膜層2、微帶電路3和釤鈷永磁體5，所述微帶電路3通過光刻技術電鍍在所述尖晶石鐵氧體基片4上表面，所述電阻膜層2採用薄膜工藝設置在所述尖晶石鐵氧體基片4上表面，所述微帶電路3的一隻引腳與電阻膜層2連接，所述釤鈷永磁體5通過環氧樹脂膠合在微帶電路3上，所述釤鈷永磁體5的中心軸線與微帶電路3的圓盤的中心軸線相重疊，所述尖晶石鐵氧體基片4通過焊錫膏焊接在鐵鎳合金底座I上，所述尖晶石鐵氧體基片4的厚度為0.28-0.32_。所述飽和磁矩為5000GS的尖晶石鐵氧體基片4居裡溫度高，溫度穩定性好，同時減薄基片的厚度能夠使隔離器在高頻範圍內工作。所述高頻微帶基片式隔離器適用於表面貼裝技術，並通過金絲鍵合技術與微波電路相連接。上述隔離器的主要技術指標如下表:
權利要求1.一種高頻微帶基片式隔離器，其特徵在於，包括底座、飽和磁矩為5000GS的尖晶石鐵氧體基片、電阻膜層、微帶電路和永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片的上表面設置有電阻膜層和微帶電路，所述微帶電路的一隻引腳與電阻膜層連接，所述微帶電路上設置有永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片固定在底座上，所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.28-0.32mm。
2.根據權利要求1所述的高頻微帶基片式隔離器，其特徵在於，所述微帶電路通過光刻技術電鍍在所述微波鐵氧體基片上表面。
3.根據權利要求1所述的高頻微帶基片式隔離器，其特徵在於，所述電阻膜層採用薄膜工藝設置在所述尖晶石鐵氧體基片上。
4.根據權利要求1所述的高頻微帶基片式隔離器，其特徵在於，所述永磁體為釤鈷永磁體，所述底座由磁性金屬材料加工製成。
5.根據權利要求1所述的高頻微帶基片式隔離器，其特徵在於，所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.3mm。
專利摘要本實用新型公開一種高頻微帶基片式隔離器，包括底座、飽和磁矩為5000Gs的尖晶石鐵氧體基片、電阻膜層、微帶電路和永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片的上表面設置有電阻膜層和微帶電路，所述微帶電路的一隻引腳與電阻膜層連接，所述微帶電路上設置有永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片固定在底座上，所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.28-0.32mm；本實用新型所述的高頻微帶基片式隔離器，其結構簡單、體積小、重量輕，適用於表面貼裝和微電路集成，並且頻率範圍較高。
文檔編號H01P1/36GK202997017SQ20122063639
公開日2013年6月12日 申請日期2012年11月28日 優先權日2012年11月28日
發明者劉曠希, 唐正龍 申請人:南京廣順電子技術研究所