晶圓及其可接受測試方法
2023-10-22 07:25:17 3
晶圓及其可接受測試方法
【專利摘要】本發明公開一種晶圓，包括形成於其上且呈矩陣排列的晶片，所述晶片被劃分到多個測試區域，每個測試區域包含至少四個呈矩陣排列的晶片，所述每個測試區域的晶片之間的間隔區域形成位於所述測試區域內的劃片槽，所述每個測試區域中的劃片槽中設有至少兩個對準圖形，且在橫向的劃片槽中和縱向的劃片槽中分別至少設置一個對準圖形。還公開一種晶圓可接受測試方法，利用上述設置在橫向的和縱向的劃片槽中對準圖形將測試區域進行定位。上述晶圓和測試方法，能夠有效避免因誤認對準圖形而造成的晶圓損壞。
【專利說明】晶圓及其可接受測試方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體製造【技術領域】，特別是涉及一種晶圓可接受測試方法和一種晶圓。
【背景技術】
[0002]WATCwafer acceptance test,晶圓可接受測試)是晶片製造過程中的重要步驟,用於檢測晶圓上的晶片是否符合預期的設計目標，也即晶片的電學參數是否符合客戶需求。
[0003]WAT的是分區域(block)進行的，每次測試一個區域。一個區域包含多個晶片(die)，多個晶片相互之間都間隔開來，其中晶片之間間隔的區域稱之為劃片槽或切割道(subscribe line)。為了準確定位測試區域的位置，通常都要在晶圓上設置一些對準圖形，以輔助對準。對準圖形就設置在上述的劃片槽內，並且其圖形與晶片上的電路圖形截然不同，以利於分辨。
[0004]然而，傳統的WAT方法中，由於探針程序的對位精度不夠，在劃片槽內的對準圖形比較接近時，若發生誤認對準圖形的情況，就會導致定位偏移。這樣探針就不能準確落在測試點，而劃傷晶片的其他部分，導致晶圓報廢。
【發明內容】
[0005]基於此，有必要提供一種能夠精確定位的晶圓可接受測試方法。
[0006]此外，還提供一種使得WAT方法能夠準確定位測試區域的晶圓。
[0007]—種晶圓，包括形成於其上且呈矩陣排列的晶片，所述晶片被劃分到多個測試區域，每個測試區域包含至少四個呈矩陣排列的晶片，所述每個測試區域的晶片之間的間隔區域形成位於所述測試區域內的劃片槽，所述每個測試區域中的劃片槽中設有至少兩個對準圖形，且在橫向的劃片槽和縱向的劃片槽中分別至少設置一個對準圖形。
[0008]在其中一個實施例中，所述對準圖形設置在相互距離最遠的橫向的和縱向的劃片槽中。
[0009]一種晶圓可接受測試方法，包括如下步驟:在每個測試區域的劃片槽中設置至少兩個對準圖形，且在橫向的劃片槽中和縱向的劃片槽中分別至少設置一個對準圖形；採用低倍基準對位調整晶圓在測試臺上的角度；採用高倍基準對位對測試區域進行定位，具體包括:分別定位所述設置在橫向的劃片槽中的對準圖形和設置在縱向的劃片槽中的對準圖形；定義測試模塊；核對晶圓對位信息並進行測試。
[0010]在其中一個實施例中，在採用低倍基準對位調整晶圓在測試臺上的角度的步驟之前，還對晶圓的邊緣進行對位。
[0011]在其中一個實施例中，所述採用低倍基準對位調整晶圓在測試臺上的角度的步驟包括利用低倍對位模塊下的上、中、下、左、右5個對位模塊調整晶圓的角度。
[0012]在其中一個實施例中，採用高倍基準對位對測試區域進行定位的步驟包括利用高倍對位模塊下的上、中、下、左、右5個對位模塊對測試區域進行定位。[0013]上述的晶圓和測試方法，在利用對準圖形進行對準時，由於分別設置在橫向和縱向的劃片槽中，二者的相對坐標固定，當其中一個對準圖形被誤認時，另一個對準圖形的位置必然產生偏移(一般是偏移到晶片的位置)，而對準圖形和晶片上的電路圖形不可能相同或相似。當由於其中一個被誤認而產生偏移時，另一個對準圖形無法在錯誤的位置被識別，因而不能對測試區域進行定位，後續的測試步驟就無法進行，因此可以有效避免因誤認對準圖形而造成的晶圓損壞。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]圖1為一實施例的晶圓示意圖；
[0015]圖2為圖1中A部分的局部放大圖；
[0016]圖3為一實施例的晶圓可接受測試方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0017]如圖1所示，為一實施例的晶圓示意圖。該晶圓10包括形成於其上且呈矩陣排列的晶片100，所述晶片100被劃分到多個測試區域200。測試區域200的劃分可以根據測試需要或者以功能區域進行劃分。每個測試區域200包含至少4個呈矩陣排列的晶片100。
[0018]如圖2所示，是圖1中A部分的局部放大圖。在晶圓10中，晶片100並不是緊密排列的，而是相互之間具有60-100微米的間隔，即劃片槽或切割道(subscribe line)。本實施例的晶圓10即在每個測試區域200中的劃片槽中設有兩個對準圖形202、204，且分別設置在橫向的劃片槽中和縱向的劃片槽中。其他測試區域200中的對準圖形的位置可參照A部分進行設置。
[0019]上述的晶圓10，在利用對準圖形202、204進行對準時，由於分別設置在橫向和縱向的劃片槽中，二者的相對坐標固定，當其中一個對準圖形被誤認時，另一個對準圖形的位置必然產生偏移(一般是偏移到晶片的位置)，而對準圖形和晶片上的電路圖形不可能相同或相似。當由於其中一個被誤認而產生偏移時，另一個對準圖形無法在錯誤的位置被識別，因而不能對測試區域200進行定位，後續的測試步驟就無法進行，因此可以有效避免因誤認對準圖形而造成的晶圓損壞。
[0020]在一個優選的實施例中，對準圖形202、204設置在相互距離最遠的橫向的和縱向的劃片槽中。這樣，當其中一個對準圖形被誤認時，另一個對準圖形的位置會產生最大的偏移，有利於避免錯誤。
[0021]如圖3所示，為一實施例的晶圓可接受測試方法的流程圖。該方法包括如下步驟。
[0022]SlOl:在每個測試區域的劃片槽中設置兩個對準圖形，且所述兩個對準圖形分別設置在橫向的劃片槽中和縱向的劃片槽中。具體可以參考圖2中的方式設置對準圖形。
[0023]S102:對晶圓的邊緣進行對位。如圖1中所示的晶圓10，具有兩個削平的邊緣，利用該邊緣進行粗對位，將晶圓放置在測試臺上的正確位置。
[0024]S103:採用低倍基準對位調整晶圓在測試臺上的角度。本步驟包括利用低倍對位模塊下的上、中、下、左、右5個對位模塊調整晶圓的角度。
[0025]S104:採用高倍基準對位對測試區域進行定位。本步驟具體包括:分別定位所述設置在橫向的劃片槽中的對準圖形和設置在縱向的劃片槽中的對準圖形。同樣的，高倍基準對位利用高倍對位模塊下的上、中、下、左、右5個對位模塊對測試區域進行定位。
[0026]定位完成之後即可進行測試工作，即執行以下步驟。
[0027]S105:定義測試模塊。
[0028]S106:核對晶圓對位信息並進行測試。
[0029]上述測試方法，由於分別利用設置在橫向和縱向的劃片槽中的對準圖形202、204進行對準，而二者的相對坐標固定，當其中一個對準圖形被誤認時，另一個對準圖形的位置必然產生偏移(一般是偏移到晶片的位置)，而對準圖形和晶片上的電路圖形不可能相同或相似。當由於其中一個被誤認而產生偏移時，另一個對準圖形無法在錯誤的位置被識別，因而不能對測試區域200進行定位，後續的測試步驟就無法進行，因此可以有效避免因誤認對準圖形而造成的晶圓損壞。
[0030]以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對本發明專利範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本發明的保護範圍。因此，本發明專利的保護範圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種晶圓，包括形成於其上且呈矩陣排列的晶片，所述晶片被劃分到多個測試區域，每個測試區域包含至少四個呈矩陣排列的晶片，所述每個測試區域的晶片之間的間隔區域形成位於所述測試區域內的劃片槽，其特徵在於，所述每個測試區域中的劃片槽中設有至少兩個對準圖形，且在橫向的劃片槽和縱向的劃片槽中分別至少設置一個對準圖形。
2.根據權利要求1所述的晶圓，其特徵在於，所述對準圖形設置在相互距離最遠的橫向的和縱向的劃片槽中。
3.一種晶圓可接受測試方法，包括如下步驟: 在每個測試區域的劃片槽中設置至少兩個對準圖形，且在橫向的劃片槽和縱向的劃片槽中分別至少設置一個對準圖形； 採用低倍基準對位調整晶圓在測試臺上的角度； 採用高倍基準對位對測試區域進行定位，具體包括:分別定位所述設置在橫向的劃片槽中的對準圖形和設置在縱向的劃片槽中的對準圖形； 定義測試模塊； 核對晶圓對位信息並進行測試。
4.根據權利要求3所述的晶圓可接受測試方法，其特徵在於，在採用低倍基準對位調整晶圓在測試臺上的角度的步驟之前，還對晶圓的邊緣進行對位。
5.根據權利要求3所述的晶圓可接受測試方法，其特徵在於，所述採用低倍基準對位調整晶圓在測試臺上的角度的步驟包括利用低倍對位模塊下的上、中、下、左、右五個對位模塊調整晶圓的角度。
6.根據權利要求3所述的晶圓可接受測試方法，其特徵在於，採用高倍基準對位對測試區域進行定位的步驟包括利用高倍對位模塊下的上、中、下、左、右五個對位模塊對測試區域進行定位。
【文檔編號】H01L23/544GK104009020SQ201310062594
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年2月27日 優先權日:2013年2月27日
【發明者】連曉謙, 凌耀君 申請人:無錫華潤上華科技有限公司