包含有用於減小熱應力的緩衝層的靜電吸盤的製作方法

2023-10-11 05:18:14 3

專利名稱：包含有用於減小熱應力的緩衝層的靜電吸盤的製作方法
技術領域：
示例的實施例涉及一種在處理腔內的靜電吸盤，尤其是涉及一種覆蓋有緩衝層的 靜電吸盤，該緩衝層用於減小使用靜電吸盤進行處理的過程中的熱應力並使所述熱應力導 致產生的靜電吸盤的裂紋最小。
背景技術：
大體而言，用於製造半導體裝置和諸如液晶顯示器(LCD)裝置之類的平板裝置的 工藝，包括諸如化學氣相沉積(CVD)之類的沉積工藝和諸如反應離子蝕刻工藝之類的蝕刻 工藝。在上述沉積工藝和蝕刻工藝中，需要將諸如矽晶片和玻璃面板之類的襯底緊固在處 理腔內的電極片上，以提高工藝可靠性。通常用靜電吸盤(ESC)將所述襯底緊固在所述處 理腔內的電極片上。圖1是圖示在處理腔中的現有的靜電吸盤的剖視圖。參考圖1，現有的靜電吸盤100包括含有鋁的主體101、上面固定地定位有襯底的 基板102、安裝在基板102內部且產生靜電力的電極103、用於將高壓施加到所述電極的端 子104以及包圍住端子104的絕緣構件105。通過端子104將高壓從外部電源施加到電極103上，會在電極103處產生靜電力， 然後，在靜電力的作用下，基板102上的襯底被吸向基板102，並被緊固到靜電吸盤100上。在現有的沉積工藝或者蝕刻工藝中，基板102由所述處理腔內的等離子體 (plasma)加熱，由於處理腔內的等離子體溫度高，通常靜電吸盤100的基板102是處於大的 熱應力下。尤其是，熱從基板102傳遞到鋁主體101，從而使主體101在各個方向熱膨脹。 由於主體101、基板102和絕緣構件105的熱係數通常互不相同，熱應力會施加在主體101、 基板102和絕緣構件105上。在現有的靜電吸盤100中，在主體101、基板102和絕緣構件 105互相接觸的邊界區域的上端部A處熱應力最大。由於基板102的強度比主體101和絕緣構件105的強度小得多，在所述邊界區域 的上端部A處的熱應力對基板102的影響比對主體101和絕緣構件105的影響大得多，因 此在靠近所述邊界區域的上端部A處的基板102的下方部分產生裂紋。隨著靜電吸盤100 被重複操作，所述裂紋會擴散到基板102的上方部分直到整個基板102，最終，基板102由於 裂紋而斷裂。因此，強烈需要一種改進的靜電吸盤，其中因熱應力而產生的裂紋可以被最小化， 從而防止靜電吸盤的故障。

發明內容
示例實施例提供一種包括緩衝層的用於靜電吸盤的的端子單元以及形成所述端 子單元的方法，所述緩衝層用於吸收在使用靜電吸盤的操作過程中的熱應力。示例實施例還提供具有上述端子單元的靜電吸盤和製造該靜電吸盤的方法。根據一些示例實施例，提供一種靜電吸盤(ESC)，包括具有穿透孔的主體；設置在所述主體上的基板，在該基板上通過靜電力緊固有襯底，所述基板具有與所述主體的穿透 孔對應的插入部分以及定位於所述基板的內側且通過所述插入部分局部暴露出來的電極； 具有通過所述主體的穿透孔和所述基板的插入部分與所述電極形成接觸的端子單元；以及 緩衝層，所述緩衝層設置在所述端子與所述主體和所述基板中的至少一個之間的邊界區域 處且吸收所述主體的熱應力。在示例實施例中，所述主體包括傳導性材料，所述端子單元包括介入在所述主體 和所述穿透孔中的端子之間的絕緣構件，使得所述緩衝層被設置在所述主體和所述絕緣構 件之間的邊界區域處。所述緩衝層進一步被設置在所述絕緣構件和所述基板之間的邊界區 域處。在一個示例實施例，所述基板和所述緩衝層包括基於陶瓷材料的材料。所述緩衝 層的孔隙度等於或者高於所述基板的孔隙度。所述緩衝層的孔隙度是在大約2%至大約 10%的範圍內。所述緩衝層的厚度是在大約100 μ m至大約250 μ m的範圍內。所述緩衝層 的表面粗糙度是在大約0. 1 μ m至大約2 μ m的範圍內。根據一些示例實施例，提供一種用於靜電吸盤的端子單元，包括電連接到電源且 將電施加給電極以產生靜電力的端子；局部包圍住所述端子的絕緣構件，使得所述端子與 周圍環境由所述絕緣構件電絕緣開；以及設置在所述端子和所述絕緣構件中的至少一個上 並吸收從周圍施加的熱應力的緩衝層。根據一些示例實施例，提供一種製造靜電吸盤的方法。製備具有穿透孔的主體，對 應於所述穿透孔提供端子單元。所述端子具有用於吸收在所述主體表面上的熱應力。所述 主體和所述端子單元可以互相組合，使得所述端子單元穿透所述穿透孔，並從所述主體的 頂部表面突出。在所述主體上形成下基板，使得所述端子的頂部表面暴露出來，在所述下基 板上形成電極，使得所述電極與所暴露出來的端子單元接觸。在所述下基板和所述電極上 形成上基板。根據一些示例實施例，提供一種形成用於靜電吸盤的端子單元的方法。以這種方 式製備端子，即使得所述端子穿透所述靜電吸盤的主體，並電連接到外部電源。所述端子插 入在絕緣體中，使得所述端子的端部暴露出來。在所述端子的暴露面上形成緩衝層，該緩衝 層吸收周圍環境施加的熱應力。在一個示例實施例中，所述緩衝層按照下述方式形成從所述端子上除去所述絕 緣體，從而將所述端子的端部暴露出來，並且在暴露出來的端子上塗覆有所述緩衝層。所述 緩衝層可以通過常壓等離子噴塗工藝塗覆在所述端子上。在形成所述緩衝層之後，可以進 一步在所述緩衝層上進行倒角工藝，從而使緩衝層的邊沿部分變圓。根據一些示例實施例，所述ESC的熱應力可以被吸收到所述ESC中的緩衝層，因此 可以充分減少由所述熱應力造成的裂紋，從而增加了 ESC的耐久性壽命。


從下面的詳細描述結合附圖將會更清楚地理解示例實施例。圖1是圖示在處理腔內的現有技術的靜電吸盤的剖視圖；圖2是圖示根據本發明構思的示例實施例的靜電吸盤的剖視圖。
具體實施例方式下文將參考示出了一些示例實施例的附圖來更充分地描述各種示例實施例。本發 明可以具體化為許多不同的形式，而並不能解釋為受到此處所羅列的實施例的限制。相反， 提供這些示例實施例是為了使得本披露詳盡和完整，並且使本領域的技術人員完全了解本 發明的範圍。在附圖中，為了清楚起見，其中的層和區域的尺寸和相對尺寸可能會被放大。應理解，當稱元件或者層是在另一元件或者層「上」、與另一元件或者層「耦接」或 者「連接」時，它可以是直接在另一元件或者層上、與其他元件或者層直接連接或者耦接，或 者是有居於中間的元件或者層。相反，當稱一個元件是「直接在另一元件或者層之上」、與另 一元件或者層「直接耦接」或者「直接連接」，那麼就沒有居於中間的元件或者層。通篇中相 同標號指的是相同的元件。本說明書中所使用的措詞「和/或」包括所羅列的相關聯的項 目中的一項或多項的所有組合。應理解，雖然此處可能使用第一、第二、第三等等措詞來描述各種部件、元件、區 域、層和/或部分，但這些部件、元件、區域、層和/或部分不應當受到這些措詞的限制。這 些措詞僅用於區分一個部件、元件、區域、層或者部分與另一個區域、層或者部分。因此，在 不偏離本發明的教導時，下文討論的第一部件、組件、區域、層或者部分可以被稱為是第二 部件、組件、區域、層或者部分。在本說明書中，可能會使用諸如「在……下方」、「在……下面」、「下」、「在……上
方」、「上」等等之類與空間位置相關的措詞，以使附圖中圖示的一個部件或者特徵與另一個 部件或者特徵的關係描述起來容易。要理解的是，與空間位置相關的措詞旨在涵蓋除了附 圖中所描述的裝置的方位之外，裝置在使用中或者操作中的不同方位。例如，如果附圖中的 裝置翻轉過來，則描述為在其它部件或者特徵「下面」或者「下方」的部件的方位為在所述 其它部件或者特徵的「上方」。因此，示例的措詞「在……下面」可以涵蓋上面和下面兩個方 位。該裝置可作另外的朝向(轉動90度或者在其它朝向)，本說明書中所使用的空間相對 位置的描述將作相應的解釋。本說明書中所用的術語的目的只是為了描述具體的示例實施例，並不旨在限制本 發明。如本說明書中所使用的單數形式「一個」和「所述」還旨在包括複數形式，除非在上 下文中另有明確表述。進一步應當理解的是，在說明書中所用的措辭「包括」，明確說明了存 在有所描述的特徵、整體(integer)、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除出現或者附 加一個或多個其它特徵、整體(integer)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。在本文中，參考剖視圖來描述本發明示例的實施例，這些剖視圖是本發明理想化 的實施例(和中間結構)的示意圖。這樣，預期會產生例如因製造技術和/或公差所造成 的圖示形狀的變化。因此，本發明示例的實施例不應當被理解為受到此處所圖示的區域的 特定形狀的限制，而是包括例如由製造所造成的形狀的偏差。例如，顯示為矩形的植入區， 通常具有圓形或曲線形的特徵和/或在其邊緣形成植入密度的梯度，而非從植入區域到非 植入區域的二元變化。類似的，通過植入形成的埋入區會導致在該埋入區和發生植入的表 面之間的區域中有一些植入。因此，所示的區域的本質是示意性的，並且其形狀並不意欲示 出部件區域的精確形狀，也不意欲限制本發明的範圍。除非另有定義，本說明書中使用的所有術語(包括科技術語)的意思和本發明所 屬領域技術的普通技術人員通常所理解的一致。還應理解的是，諸如常用字典中所定義的
6那些術語應當被理解為具有與相關技術領域中的意思一致，不應解釋為理想化或者過度刻 板的含義，除非另有定義。接下來將參考附圖來詳細描述示例實施例。圖2是圖示根據本發明構思的示例實施例的靜電吸盤的剖視圖。參考圖2，根據本發明構思的示例實施例的靜電吸盤(ESC) 200包括主體201、安裝 在主體201上且內部包括電極203的基板202、具有將來自外部電源(圖中未示)的高壓施 加到電極203的端子204和包圍住端子204的絕緣構件205的端子單元、以及用於吸收主 體201的熱應力的緩衝層206。在處理腔內待處理的襯底(圖中未示)被固定地定位在基 板202上，並且緩衝層206被定位於主體201和基板202的邊界區域的至少一部分上。在示例實施例中，主體201可以包括諸如鋁之類的傳導性材料，並且作為靜電吸 盤200的底座支架。在主體201的中央部分製備穿透孔207，包括端子204和絕緣構件205 的端子單元插入所述穿透孔207，從而穿透所述主體201。在示例實施例中，基板202可以包括電介質材料並可以由常壓等離子噴塗(APS) 藝塗覆在主體201上。基板202可以包括具有電介質材料的陶瓷材料。陶瓷材料的例子 可以包括氧化鋁(Al2O3)、氧化釔(Y2O3)、氧化鋁(Al2O3)和氧化釔(Y2O3)的混合物、氧化鋯 (&02)、碳化鋁(AlC)、氮化鈦(TiN)、氮化鋁(AlN)、碳化鈦(TiC)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣 (CaO)、氧化鈰(CeO2)、氧化鈦(TiO2)、碳化硼(BxCy)、氮化硼(BN)、二氧化矽(SiO2)、碳化矽 (SiC)、釔鋁柘榴石(YAG, Y3Al5O12)、多鋁紅柱石(鋁矽酸鹽，3A1203 · 2Si03)、氟化鋁(AlF3) 等等。這些材料可以單獨使用或者組合使用。所述襯底被緊固在基板202上，並通過靜電力固定地定位，所述靜電力可以通過 施加在安裝在基板202內部的電極203上的電能產生。基板202的頂部表面是平的，從而 可以將所述襯底水平地定位於基板202上。在本示例的實施例中，電極203基本上平行於 基板202的頂部表面安裝。在基板202的中央部分提供插入部分208，端子204插入在插入部分208中。端 子204可以經由基板202的插入部分208與電極203形成接觸。因此，端子204可以穿過 穿透孔207插入主體201中，並穿過基板202的插入部分208延伸到電極203。也就是說， 端子204可以穿過主體201的穿透孔207和基板202的插入部分208耦接到電極203上。如上所述，電極203可以安裝在基板202中，經由端子204將高壓施加到電極203 上。因此，可以將靜電力施加到基板202上的襯底，該襯底被緊固到基板202上。也就是說， 所述襯底通過所述靜電力被固定地定位在基板202上。例如，電極203可以包括諸如鎳(Ni)之類的傳導性材料。在本發明示例實施例中，可以通過連續的常壓等離子噴塗(APQ工藝將電極203 形成於基板202中。首先，可以經由第一 APS塗覆工藝在主體201上形成下基板20加，可 以經由APS塗覆工藝或者絲網印刷工藝在下基板20 上形成電極層(圖中未示)。可以 通過圖案化工藝將所述電極層在下基板20 上形成為電極203。然後，可以在下基板20 上通過第二 APS塗覆工藝形成有充分厚度的上基板202b，以覆蓋電極203。例如，可以將下基板層20 形成為大約400 μ m至600 μ m的厚度，電極203可以 具有大約5 μ m至大約65 μ m的厚度。此外，可以將上基板202b形成為大約400 μ m至大約 750 μ m的厚度。
端子204穿過穿透孔207和插入部分208連接到電極203，高壓通過端子204從外 部電源(圖中未示)施加到電極203上。端子204可以包括諸如鎢(W)、鉬(Mo)和鈦(Ti) 之類的傳導性金屬材料。在一個示例實施例中，絕緣構件205介入在主體201和端子204之間，從而使主體 201和端子204可以互相電絕緣。例如，絕緣構件205可以包括燒結陶瓷材料，因為燒結陶 瓷材料中的孔少得多，從而使主體201和端子204之間的電絕緣最大化。例如，絕緣構件205可以具有大約2000 μπι的厚度，並具有大約0. Iym至大約 2 μ m的表面粗糙度，以使表面阻力最小化，並防止電弧。在本例中，絕緣構件205可以具有 大約1 μ m或者更小的表面粗糙度。在一個示例實施例中，緩衝層206被定位在主體201和絕緣構件205的第一邊界 區域的一部分上、基板202和絕緣構件205的第二邊界區域以及基板202和端子204的第 三邊界區域上。例如，緩衝層206可以包括陶瓷材料。陶瓷材料的例子包括氧化鋁(Al2O3)、 氧化釔(Y2O3)、氧化鋁(Al2O3)和氧化釔(Y2O3)的混合物、氧化鋯(&02)、碳化鋁(AlC)、氮 化鈦(TiN)、氮化鋁(AlN)、碳化鈦(TiC)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鈰(CeO2)、氧化 鈦(TiO2)、碳化硼(BxCy)、氮化硼(BN)、二氧化矽(SiO2)、碳化矽(SiC)、釔鋁柘榴石(YAG， Y3Al5O12)、多鋁紅柱石(鋁矽酸鹽，3Al203 *2Si03)、氟化鋁(AlF3)等等。這些陶瓷材料可以 單獨使用或者組合使用。在所述第一、第二和第三邊界區域可以通過APS塗覆工藝形成緩 衝層206。例如，緩衝層206可以具有大約100 μ m至大約250 μ m的厚度，更優選的是，具有 大約150 μ m至大約200 μ m的厚度。當緩衝層206具有大於大約250 μ m的厚度時，會在緩 衝層206內很容易產生細孔，這樣會造成緩衝層206中出現裂紋，當小於大約100 μ m的厚 度時，緩衝層206往往太薄以至於使得緩衝層206難以吸收主體201的熱應力。另外，與絕緣構件205 —樣，緩衝層206可以具有大約0. 1 μ m至大約2 μ m的表面 粗糙度，以使表面阻力最小化，並防止電弧。在本例中，緩衝層206可以具有大約1 μ m或更 小的表面粗糙度。緩衝層206可以吸收靜電吸盤200的熱應力，該熱應力是在等離子沉積 工藝或者等離子蝕刻工藝過程中因溫度的增加而造成的。現有的ESC的鋁主體會由於現有 的ESC在等離子工藝中的高溫而導致熱膨脹，各種熱應力會施加給現有的ESC，在同樣的等 離子工藝中，本發明的ESC的主體的熱膨脹可以被吸收到緩衝層206中。因此，所述ESC的 主體的熱應力不會施加到所述絕緣構件上。尤其是，緩衝層206可以充分防止應力集中在 所述ESC的邊沿點(對應於圖1中的部分A)，因此防止了在所述ESC的主體201和絕緣構 件205之間的邊界區域的裂紋，從而增加了所述ESC的耐久性壽命。在本示例實施例中，緩衝層206的孔隙度(porosity)與基板202的孔隙度相同或 者比基板202的孔隙度大，從而使熱應力的吸收性最大化並使所述ESC的裂紋最小化。也 就是說，緩衝層206的孔隙度與下基板20 或者上基板202b的孔隙度相同，或者比它們的 大。例如，緩衝層206可以具有大約2%至大約10%的孔隙度，更優選的是，大約2%至大約 7%。當緩衝層206的孔隙度超過10%時，所述緩衝層中的所述孔往往過多，這樣會降低緩 衝層206的強度，最終使緩衝層206從絕緣構件205和基板202上分開，而低於大約2%的 孔隙度，往往容易且迅速地產生裂紋，使得緩衝層206難以吸收熱應力。進一步地，緩衝層206的邊沿部分可以形成為圓形或者倒角的，從而可以從緩衝層206上除去尖銳的部分。當所述緩衝層包括尖銳的邊沿部分時，所述熱應力會集中在所 述尖銳部分，裂紋會迅速從緩衝層206的尖銳邊沿部分生長出來。再次參考圖2，由於主體201在ESC200的中央部分有斜面S，導致下基板20 的 中心厚度A比下基板20 的周邊厚度B大。因此，下基板20 在ESC200中央部分處的密 度比在ESC200周邊處的密度小。但是，由於下基板20 的厚度較大，會充分減少通過在 ESC200的中央部分處的下基板20 的細孔所洩漏的電流，從而防止在主體201和電極203 之間產生電弧。另外，由於下基板20 在ESC200的中央部分處具有較大的厚度，可以充分防止在 主體201和絕緣構件205的所述第一邊界區域產生裂紋，從而防止在主體201和電極203 之間產生電弧。在主體201和下基板20 之間可以加入膠粘層(圖中未示)，從而牢牢地將主體 201和下基板20 緊固在一起。所述膠粘層的熱係數可以在所述主體的熱係數和下基板 202a的熱係數之間變化，從而可以使主體201的熱應力被吸收到所述膠粘層，而不會完全 施加到下基板20 上。所述膠粘層可以包括諸如鎳-鋁合金之類的金屬合金。 再次參考圖2，在主體201、端子204和絕緣構件205上可以以這種構造形成下基 板20加，即使得下基板20 在ESC200的周邊部分的頂部表面比端子204的頂部表面高。 因此，上基板202b在ESC中央部分處的中心厚度C大於在ESC200的周邊部分處的周邊厚 度D。因此，當高壓通過端子204施加在電極203上時，可充分防止在電極203和定位在上 基板202b上的襯底之間產生電弧。之後，詳細描述製造圖2所示的ESC200的方法。首先，將所述端子單元安裝在主體201上。所述端子單元包括端子204、絕緣構件 205和緩衝層206。端子204可以電連接到外部電源，以操作ESC200。絕緣構件205包圍 住端子204，從而可以將主體201和端子204彼此電絕緣。緩衝層206形成於絕緣構件205 的一部分上，可以吸收ESC200中的熱應力，從而減少ESC200中由於熱應力導致的裂紋。可以單獨處理具有預定尺寸和形狀的絕緣體(圖中未示)和製備端子204。然後， 將端子204插入並穿過處理過的絕緣體中，從而可以以這樣的構造提供端子204和所述絕 緣體的組合，即使得所述端子可以被所述絕緣體局部包圍住。包圍端子204的絕緣體作為 絕緣構件205。然後，在端子204的一部分上形成緩衝層206。例如，可以從端子204的端 部除去所述絕緣體，從而在端子204處形成緩衝區域。在端子204的端部的所述緩衝區域 上形成緩衝層206。另外，端子204和絕緣構件205的邊沿部分可以形成為圓形，或者是倒角的。之後， 可以通過平整化工藝將緩衝層206平整化，從而降低它的表面粗糙度。包括端子204、絕緣 構件205以及緩衝層206的端子單元穿透主體201的穿透孔207，從而將所述端子單元與主 體201組合起來。然後，在主體201上以這種構造形成基板202，即使得電極203可以安裝在基板 202的內部。也就是說，下基板20 首先形成於主體201上，然後在下基板20 上形成所 述電極層(圖中未示)。所述電極層在下基板20 上可以被圖案化為電極203。然後，在 下基板20 上形成足夠厚度的上基板202b以覆蓋電極203。特別是，可以分別在下基板20 的表面、電極層的表面和上基板202b的表面進行平整化處理，從而充分地降低了所述表面的粗糙度，增加了表面平坦度。在本示例實施例中，在主體201上可以以這種構造形成下基板20加，即使得穿透 主體201的端子204的頂部表面不會被下基板20 覆蓋住。例如，在形成基板層20 之 前，可以先在端子204的頂部表面形成掩膜層(圖中未示)，在形成基板20 之後將該掩膜 層從端子204上除去。除此之外，可以在主體201上形成預備的下基板(圖中未示)，可以 從主體201局部除去該預備的下基板的中央部分，從而形成一個開口(圖中未示)，通過該 開口可以將端子204的頂部表面暴露出來。根據一些示例實施例，所述ESC的熱應力會被所述ESC中的緩衝層所吸收，從而可 以充分減少由熱應力造成的裂紋，從而增加了所述ESC的耐久性壽命。上述是示例實施例的舉例說明，不應被理解為是其限制。雖然已經描述了一些示 例實施例，本領域技術人員應當知曉，在本質上不脫離本發明的創新教導和優點的情況下， 可以對示例實施例進行許多可能的修改。相應地，所有這些修改旨在被包括在權利要求所 限定的本發明的範疇內。在權利要求中，裝置加功能的句式旨在涵蓋此處所描述的用於執 行所詳述的功能的結構，它不僅涵蓋結構上的等同物且同時也涵蓋等同結構。因此，要理解 的是，前面的描述是各種示例實施例的舉例說明，不應解讀為受到所揭示的具體示例實施 例的限制，對所揭露的示例實施例以及其它示例實施例的修改旨在被包含在權利要求的範 疇內。
權利要求
1.一種靜電吸盤，包括具有穿透孔的主體；設置在所述主體上的基板，在該基板上通過靜電力緊固有襯底，所述基板具有與所述 主體的穿透孔對應的插入部分以及被定位於所述基板之內並通過所述插入部分被局部暴 露出來的電極；端子單元，其具有通過所述主體的穿透孔和所述基板的插入部分與所述電極形成接觸 的端子；以及緩衝層，其設置在所述主體和所述基板中的至少一個與所述端子之間的邊界區域，並 吸收所述主體的熱應力。
2.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述主體包括傳導性材料，所述端子單元包 括設置在所述主體和在所述穿透孔中的端子之間的絕緣構件，使得所述緩衝層被設置在所 述主體和所述絕緣構件之間的邊界區域。
3.根據權利要求2所述的靜電吸盤，其中所述緩衝層還被設置在所述絕緣構件和所述 基板之間的邊界區域。
4.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述基板和所述緩衝層包括基於陶瓷材料的 材料。
5.根據權利要求4所述的靜電吸盤，其中所述緩衝層的孔隙度等於或者高於所述基板 的孔隙度。
6.根據權利要求5所述的靜電吸盤，其中所述緩衝層的孔隙度在大約2%至大約10% 的範圍內。
7.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述緩衝層的厚度在大約IOOym至大約 250 μ m的範圍內。
8.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述緩衝層的表面粗糙度在大約0.Iym至大 約2μπι的範圍內。
9.一種用於靜電吸盤的端子單元，包括電連接到電源並給電極供電以產生靜電力的端子；局部包圍住所述端子的絕緣構件，使得所述端子通過所述絕緣構件與周圍環境電絕 緣；以及緩衝層，其設置在所述端子和所述絕緣構件的至少一個上且吸收從周圍施加的熱應力。
10.一種製造靜電吸盤的方法，包括製備具有穿透孔的主體；提供對應於所述穿透孔且具有緩衝層的端子單元，所述緩衝層用於吸收所述主體表面 上的主體的熱應力；組合所述主體和所述端子單元，使得所述端子單元穿透所述穿透孔，並從所述主體的 頂部表面突出；在所述主體上形成下基板，使得所述端子的頂部表面暴露出來；在所述下基板上形成電極，使得所述電極與所述暴露出來的端子單元形成接觸；以及在所述下基板和所述電極上形成上基板。
11.一種形成用於靜電吸盤的端子單元的方法，包括形成穿透所述靜電吸盤的主體且電連接到外部電源的端子； 將所述端子插入絕緣體中，使得所述端子的端部暴露出來；以及 在所述端子的暴露面上形成緩衝層，該緩衝層吸收從周圍施加的熱應力。
12.根據權利要求11所述的方法，其中形成所述緩衝層包括從所述端子上除去所述絕緣體，從而將所述端子的端部暴露出來；以及 將所述緩衝層塗覆在所述暴露出來的端子上。
13.根據權利要求12所述的方法，其中塗覆所述緩衝層包括在所暴露出來的端子上進 行常壓等離子噴塗工藝。
14.根據權利要求11所述的方法，在形成所述緩衝層之後，還包括進行倒角工藝，從而 使邊沿部分成為圓形。
全文摘要
在靜電吸盤(ESC)中包括用於吸收熱應力的緩衝層，所述靜電吸盤包括具有穿透孔的主體以及設置在所述主體上的基板。所述基板具有與所述主體的穿透孔對應的插入部分以及被定位於所述基板之內並通過所述插入部分被暴露出來的電極。所述ESC包括端子單元，所述端子單元具有通過所述穿透孔和所述基板的插入部分與所述電極接觸的端子；以及緩衝層，其設置在所述主體和所述基板中的至少一個與所述端子之間的邊界區域，並吸收所述主體的熱應力。因此，ESC的熱應力被吸收到所述緩衝層，從而充分減少了由熱應力造成的裂紋由此增加了ESC的耐久性壽命。
文檔編號H01L21/02GK102150233SQ200980135897
公開日2011年8月10日 申請日期2009年9月8日 優先權日2008年9月9日
發明者崔正德, 崔鎮植 申請人:高美科株式會社