一種提高eeprom良率和讀取可靠性的方法
2023-10-17 04:01:34 2
專利名稱：一種提高eeprom良率和讀取可靠性的方法
技術領域：
本發明涉及EEPROM檢測領域，特別涉及一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法。
背景技術：
在現有的非易失存儲器中，EEPROM因其可按位操作、數據保持時間長、擦寫次數多而被廣泛使用，尤其適用於要求信息經常更新和高可靠的場合。EEPROM生產時工藝相對複雜，控制難度相對較大。事實上，在同一晶元乃至同一晶片的不同位置，無論怎樣控制工藝， 其各種參數都會有細微變化，並呈正態分布。對任何單個晶片而言，如果存在哪怕是單個 EEPROM單元失效，那麼該晶片就是廢品。這就要求通過合理的設計和篩選，來克服參數在一定範圍內的變化，使其不會對出廠產品的品質產生影響。目前對EEPROM的檢測主要通過比較法進行，在進行測試時，將EEPROM上的所有存儲單元均與同一位線(bitline)連接，同一位線上的各EEPROM單元在同一時刻只能有一個被選中。當所選中的單元上存儲「0」時，EEPROM的閾值電壓為負值，當其柵與讀取電源連接時，其所在支路有電流流過；而當所選中的單元上存儲「1」時，EEPROM的閾值電壓大於所加的讀取電源，EERPOM單元所在支路的電流近似為零。設置介於「0」和「 1 」所對應EEPROM 單元電流的中間值作為一個參考單元電流，這樣通過實際EEPROM單元與該參考單元電流的比較確定該EEPROM單元是否有效。而事實上，由於EEPROM器件本身會存在漏電，當EEPROM單元存儲「 1 」，其EERPOM 單元所在支路可能存在漏電電流，特別是個別單元的漏電電流可能會影響讀出值的正確性；而在EEPROM單元存儲「0」時，由於工藝的不均勻性，其閾值電壓的大小不一，其個別單元的「0」值讀出的正確性也可能會受到影響。這樣如果將參考單元電流簡單的設定為介於 「0」和「 1 」所對應EEPROM單元電流的中間值則可能會對EEPROM良率和讀取可靠性造成影響。
發明內容
針對上述現有技術的不足，本發明要解決的技術問題是提供一簡單易行、效果顯著、可有效提高EEPROM良率和讀取可靠性測試方法。為解決上述技術問題，本發明採用如下技術方案一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法，其特徵在於，其包括如下步驟1)在所測試晶元的不同位置，選取不同分組，檢測各分組EEPROM單元在存儲「0」 及「1」時的支路電流，並以測得的上述支路電流值實際分布情況作為參考確定參考單元電流區間；2)選取參考單元電流區間的最小值採用電流比較法來測試EEPROM的「1」狀態，選取參考單元電流區間的最大值採用電流比較法來測試EEPROM的「0」狀態；3)以參考單元電流區間最大值和最小值的中間值作為EEPROM的參考單元電流的出廠設定值，對步驟幻中判定有效的EEPROM分別採用電流比較法對該EEPROM的「1」狀態和「0」狀態進行測試來作為最終的判定結果。優選的，在步驟幻、3)中的電流比較法採用靈敏放大器進行比較，所述靈敏放大器包括要檢測的EEPR0M、參考單元、第一電流源、第二電流源及比較放大器，第一電流源分別與EEPROM及比較放大器的同相端連接，所述第二電流源分別與參考單元及比較放大器的反相端連接，根據比較放大器輸出結果即可判定要檢測的EEPROM單元是否有效。優選的，所述參考單元的電流值可調節。上述技術方案具有如下有益效果該方法通過確定參考單元電流區間來設定參考單元電流的值，從而實現對參考單元電流值的平移，克服了由於參考單元電流設定固定值而帶來的可能使EEPROM單元在測試中出現大批失效的問題，提高了測試良率；同時該方法通過首先採用選取參考單元電流區間的最小值來測試EEPROM的「1」狀態，選取參考單元電流區間的最大值來測試EEPROM的「0」狀態」的步驟可先篩選出少數失效的EEPROM單元，從而預留出讀取EEPROM 「 1 」狀態和「0」狀態的檢測餘量，提高了出廠後EEPROM讀取的可靠性。
圖1為本發明實施例的結構示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明的優選實施例進行詳細介紹。該提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法在進行實施時，首先在所要測試晶元的不同位置，選取不同分組，檢測各分組EEPROM單元在存儲「0」及「 1」時的支路電流，並以測得的上述支路電流值實際分布情況作為參考確定參考單元電流區間。然後選取參考單元電流區間的最小值採用電流比較法來測試EEPROM的「1」狀態，選取參考單元電流區間的最大值採用電流比較法來測試EEPROM的「 0 」狀態。上述電流比較法採用靈敏放大器進行比較，該靈敏放大器包括要檢測的EEPR0M、 參考單元、第一電流源II、第二電流源12及比較放大器1，EEPR0M包括數個EEPROM單元，每個EEPROM單元由管M3、M5組成。參考單元的結構與EEPROM單元的結構相同，其由管M4、 M6組成，參考單元採用與EEPROM單元相同的結構可使參考單元與EEPROM單元的工作環境更加的相似，從而提高檢測的精確性，該參考單元可根據需要進行調節。第一電流源Il分別與EEPROM單元及比較放大器1的同相端連接，第二電流源12分別與參考單元及比較放大器1的反相端連接，這樣根據比較放大器1輸出結果即可判定要檢測的EEPROM單元是否有效。在進行測試時，每個EEPROM單元均與同一位線(bitline)連接，同一位線上的各 EEPROM單元在同一時刻只能有一個被選中，當所選中的單元上存儲「0」時，EEPROM的閾值電壓為負值，當其柵與讀取電源連接時，其所在支路有電流流過；而當所選中的單元上存儲 「1」時，EEPROM的閾值電壓大於所加的讀取電源，EERPOM單元所在支路的電流近似為零。以選取參考單元電流區間的最小值採用電流比較法來測試EEPROM的「1」狀態，選取參考單元電流區間的最大值採用電流比較法來測試EEPROM的「0」狀態，這樣就可先篩選出少數失效的EEPROM單元，從而預留出讀取EEPROM 「 1，，狀態和「0」狀態的檢測餘量，提高了出廠後 EEPROM讀取的可靠性。最後以上述參考單元電流區間最大值和最小值的中間值作為EEPROM的參考單元電流的出廠設定值，對經上述篩選後判定有效的EEPROM分別採用電流比較法對該EEPROM 的「1」狀態和「0」狀態進行測試，以此來作為最終的判定結果。該方法通過確定參考單元電流區間來設定參考單元電流的值，從而實現對參考單元電流值的平移，克服了由於參考單元電流設定固定值而帶來的可能使EEPROM單元在測試中出現大批失效的問題，提高了測試良率。為了便於理解，現舉例對本發明方法做進一步的描述首先在所測試晶元的不同位置，選取不同分組，檢測各分組EEPROM單元在存儲「0」及「1」時的支路電流，並以測得的上述支路電流值實際分布情況作為參考確定參考單元電流區間；然後以選取參考單元電流區間的最小值a作為參考單元電流採用電流比較法來測試EEPROM的「1」狀態，選取參考單元電流區間的最大值b作為參考單元電流採用電流比較法來測試EEPROM的「0」狀態，從而可篩選掉一部分失效的EEPROM單元。最後以參考單元電流區間最大值b和最小值a的中間值(a+b)/2作為EEPROM的參考單元電流的出廠設定值。以上對本發明實施例所提供的一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法進行了詳細介紹，對於本領域的一般技術人員，依據本發明實施例的思想，在具體實施方式
及應用範圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發明的限制，凡依本發明設計思想所做的任何改變都在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法，其特徵在於，其包括如下步驟1)在所測試晶元的不同位置，選取不同分組，檢測各分組EEPROM單元在存儲「0」及 「1」時的支路電流，並以測得的上述支路電流值實際分布情況作為參考確定參考單元電流區間；2)選取參考單元電流區間的最小值採用電流比較法來測試EEPROM的「1 」狀態，選取參考單元電流區間的最大值採用電流比較法來測試EEPROM的「 0 」狀態；3)以參考單元電流區間最大值和最小值的中間值作為EEPROM的參考單元電流的出廠設定值，對步驟2)中判定有效的EEPROM分別採用電流比較法對該EEPROM的「 1 」狀態和 「0」狀態進行測試來作為最終的判定結果。
2.根據權利要求1所述的一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法，其特徵在於 在步驟幻、3)中的電流比較法採用靈敏放大器進行比較，所述靈敏放大器包括要檢測的 EEPR0M、參考單元、第一電流源、第二電流源及比較放大器，第一電流源分別與EEPROM及比較放大器的同相端連接，所述第二電流源分別與參考單元及比較放大器的反相端連接，根據比較放大器輸出結果即可判定要檢測的EEPROM單元是否有效。
3.根據權利要求2所述的一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法，其特徵在於所述參考單元的電流值可調節。
全文摘要
本發明公開了一種提高EEPROM良率和讀取可靠性的方法，該方法通過確定參考單元電流區間來設定參考單元電流的值，從而實現對參考單元電流值的平移，克服了由於參考單元電流設定固定值而帶來的可能使EEPROM單元在測試中出現大批失效的問題，提高了測試良率；同時該方法通過首先採用選取參考單元電流區間的最小值來測試EEPROM的「1」狀態，選取參考單元電流區間的最大值來測試EEPROM的「0」狀態」的步驟可先篩選出少數失效的EEPROM單元，從而預留出讀取EEPROM「1」狀態和「0」狀態的檢測餘量，提高了出廠後EEPROM讀取的可靠性。
文檔編號G11C29/08GK102163461SQ20111011229
公開日2011年8月24日 申請日期2011年5月3日 優先權日2011年5月3日
發明者萬海軍, 韓興成, 韓雨亭 申請人:蘇州聚元微電子有限公司