製造矽太陽能電池的方法

2023-12-10 11:11:12 2

專利名稱：製造矽太陽能電池的方法
技術領域：
本發明涉及製造矽太陽能電池的方法和矽太陽電池。
背景技術：
太陽能電池為通過光伏效應將光能轉換為電能的裝置。現今，由於太陽能電池具 有許多應用，故存在對太陽能電池的高需求。例如，太陽能電池用於計算器等小型裝置的供 電。進一步，由於太陽能電池在交通工具及衛星中的使用，使得對太陽能電池的需求增加。 由於太陽能電池技術是受現今社會喜愛的技術分枝，這使得太陽能電池甚至具有取代現有 發電廠技術的可能。太陽能電池產生的電力為可再生『清潔』電力的事實正是其受喜愛的 原因。太陽能電池包含半導體材料，用於通過光伏效應吸收光子並產生電子。典型的用 於製造太陽能電池的半導體材料為矽。在太陽能電池中，可使用單晶矽或多晶矽形式的矽。現有矽太陽能電池通常包含一組單獨的矽盤，各矽盤的尺寸約15X 15cm。包含現 有的矽盤的此類太陽能電池具有許多缺點。例如，由於單獨的矽盤的尺寸很大，這些單獨的 矽盤背面被使用匯流條(bus bar)電連接。將該匯流條施加至矽盤由作為耗費大量能源的 工藝的高溫擴散工藝所實施。製造太陽能電池所需要的大量能源使製造太陽能電池的成本 效能急劇降低。此外，由於匯流條為非層狀(non-laminar)背面接觸，故太陽能電池背面的電接 觸並不是最佳的。單獨矽盤的典型的大尺寸具有另一缺點模塊中太陽能電池通常為串聯，由此產 生相加電壓。連接太陽能電池(即，串聯單獨的矽盤)的原因為，經由電源線的電力傳輸所 產生的電阻損失可降至最低。然而，假設給定太陽能電池板的有限總面積包含一組單獨的 矽盤，由於單獨的矽盤的尺寸很大，故在該太陽能電池板內僅僅可以使用有限的單獨的矽 盤。同時，為達到高操作電壓，必須串聯連接許多單獨的矽盤。例如，典型的單獨的太陽能 矽盤僅傳送0. 6V的電壓。為獲得66V的太陽能電池板的典型操作電壓，意謂著必須串聯約 100個單獨的矽盤，S卩，如果使用現有尺寸的太陽能電池盤，則需要通常不易取得的廣大的 空間。此外，現有尺寸的太陽能電池盤中的單獨一個所傳送的單獨的電流是相當高的 假設標準矽盤的典型尺寸為156X 156cm，則該矽盤的總面積為243cm2。典型的矽盤在 15%的轉換效率及對應於6安培的電流的0. 6伏特的典型的輸出電壓下傳送3. 6瓦的電 力。然而，由於單獨的匯流條被用於連接太陽能電池盤的背面，匯流條需要設計為高度堅韌 (robust)以承受如此高的電流。這同樣增加了太陽能電池的設計和製造成本。因此，需要提供一種製造改善的矽太陽能電池的方法。

發明內容
提供根據本發明的製造矽太陽能電池方法，其包含提供載體板，將第一接觸圖形施加至載體板，第一接觸圖形包含一組第一層狀接觸(laminarcontact)，將多個矽片 (slice)施加至第一接觸圖形，其中該組的第一層狀接觸中的每一個第一層狀接觸為與最 多兩個矽片空間層狀接觸，並將第二接觸圖形施加至所述多個矽片，其中第二接觸圖形包 含一組第二層狀接觸，其中該組的第二層狀接觸中的每一個第二層狀接觸為與最多兩個矽 片空間層狀接觸。優選地，具有lCmX2CmX50ym的典型尺寸的超薄矽片可用於使用根據本發明的 方法組裝太陽能電池。然而，超薄矽片具有的厚度範圍在10至20微米是優選的。根據本 發明的方法具有的優勢為，眾多的單獨的矽片可通過簡單且便宜的方式彼此串聯。然而，通 常而言，僅需調整第一和第二接觸圖形相對於單獨的矽片的位置，單獨的太陽能電池便可 被配置為傳送大範圍的電流/電壓比。例如，通過第一和第二接觸圖形，可提供單獨的矽片 之間的幾近隨意混合的串聯和並聯互聯。通過根據本發明的方法，其亦可提供『類背面接觸 會巨力(quasi backside contact capability)』0根據本發明的實施例，第一層狀接觸組中的每一個第一層狀接觸為與正好兩個矽 片空間接觸，且第二層狀接觸組中的每一個第二層狀接觸為與正好兩個矽片空間層狀接 觸。通過這樣的接觸，單獨的矽片的簡單串聯化是可能的。根據本發明的實施例，每一個矽片正好與一個第一層狀接觸和一個第二層狀接觸 空間層狀接觸。通過這樣的配置，可以提供單獨的矽片的最佳利用。根據本發明的實施例，此方法進一步包含鈍化和/或抗反射塗敷載體板和/或矽 片。此鈍化具有的優勢為使電荷載流子的複合最小化。此外，抗反射塗層具有的優勢為使 製造的矽太陽能電池吸收的光子數量最大化，因為最小化了由在製造的矽太陽能電池的表 面上的反射而損失的光子數量。根據本發明的實施例，此方法還包含金屬化所述矽片的遠離所述載體板的面。金 屬化所述矽片的遠離所述載體板的面具有的進一步優勢為，在第一次通過矽太陽能電池期 間未被吸收的光子被反射回到矽太陽能電池中，因而增加光子吸收的概率。根據本發明的實施例，該方法進一步包含在將矽片施加到第一接觸圖形之後η摻 雜所述矽片。然而，通常而言，還可以在將矽片施加至第一接觸圖形之前摻雜矽片。根據本發明的實施例，該方法還包含將矽片粘著至第一層狀接觸和/或將矽片粘 著至第二層狀接觸。將矽片粘著至層狀接觸具有的優勢為，因為所有部件彼此粘結，所以可 提供機械上極度穩定的矽太陽能電池。根據本發明的實施例，通過將第一接觸膠施加到該組第一層狀接觸或所述矽片來 實施所述矽片到所述第一層狀接觸的粘著，所述第一接觸膠將所述矽片粘著到所述第一層 狀接觸。此外，通過將第二接觸膠施加到該組第二層狀接觸或所述矽片來實施所述矽片到 所述第二層狀接觸的粘著，所述第二接觸膠將所述矽片粘著到所述第二層狀接觸。例如，通過陽極接合技術來實施所述矽片到所述第一層狀接觸的粘著，和/或其 中通過陽極接合技術來實施所述矽片到所述第二層狀接觸的粘著。根據本發明的實施例，通過印刷或光刻將所述第一或第二接觸圖形施加到所述載 體板。例如，印刷為絲網印刷方法。印刷的執行可通過硬掩模。該情況下，印刷還包含以第 一硬掩模覆蓋載體板，第一硬掩模包含第一開口的圖形，第一開口未覆蓋載體板的為第一 接觸圖形指定的區域。印刷過程還包含通過第一硬掩模將掩蔽材料沉積在載體板上，去除
5第一硬掩模，在載體板上沉積導電材料，以及從載體板去除掩蔽材料，其中剩餘的導電材料 構成第一接觸圖形。關於第二接觸圖形，印刷過程包括以第二硬掩模覆蓋所述多個矽片，第二硬掩模 包含第二開口的圖形，第二開口未覆蓋多個矽片的為第二接觸圖形指定的區域，且通過第 二硬掩模將掩蔽材料沉積在載體板上。所述方法還包含去除第二硬掩模，在所述多個矽片 上沉積導電材料，以及從載體板去除掩蔽材料，其中剩餘的導電材料構成第二接觸圖形。根據本發明的實施例，通過軟模印(soft stamping)技術提供硬掩模。使用軟模 印技術所具有的優勢為，可以簡單快速地將聚合物材料印刷到表面上，聚合物材料被進一 步UV固化並作為掩模。該高速掩模產生過程為大量生產過程的一大優勢。根據本發明的實施例，本方法進一步包含將填充材料施加至矽片，其中填充材料 填充相鄰矽片間的空隙，其中填充材料是電絕緣的。填充材料進一步穩定矽太陽能電池的 配置，因而使太陽能電池在組裝過程期間容易處理。另一方面，本發明涉及矽太陽能電池，太陽能電池包含載體板、第一載體板及第一 接觸圖形，其中第一接觸圖形位於載體板的頂上，第一接觸圖形包含一組第一層狀接觸。太 陽能電池進一步包含多個矽片，多個矽片位於第一接觸圖形的頂上，其中第一層狀接觸的 組中的每一個第一層狀接觸為與最多兩個矽片空間層狀接觸。進一步，矽太陽能電池包含 第二接觸圖形，第二接觸圖形位於多個矽片的頂上，其中第二接觸圖形包含一組第二層狀 接觸，其中第二層狀接觸的組中的每一個第二層狀接觸為與最多兩個矽片空間層狀接觸。根據本發明的實施例，第一接觸圖形相對於第二接觸圖形，沿位移方向位移了矽 片的延伸長度。該位移提供第一接觸圖形、矽片及第二接觸圖形的最佳相關配置，以用於矽 太陽能電池中單獨的矽片的串聯。為獲得串聯化太陽能電池，所需的電內部連接被保持極 度簡單，其減少製造風險並簡化生產過程，致使根據本發明的矽太陽能電池可便宜地生產。根據本發明的實施例，所述第一和/或所述第二接觸圖形對用於通過所述矽片進 行能量轉換的光而言是透明的。例如，所述第一和/或第二接觸圖形的材料包含經摻雜的 ZnO或銦錫氧化物(ITO)。通過使用可透明的接觸圖形，可將第一和第二接觸圖形配置為使 單獨的矽片的所有表面均受到覆蓋，而與電連接之間未有任何中斷或未有任何空隙。這則 允許最大化太陽能電池的功率密度。根據本發明的實施例，矽片包含ρ摻雜矽。進一步，優選地，矽片包含光敏ρ/η結。


本發明下列優選實施例將僅通過參照附圖加以詳述，其中圖la-d示例了根據本發明製造矽太陽能電池的方法；圖2a_c示例了第一和第二層狀接觸相對於矽片的配置；圖3示出一組矽片的布線；圖4為根據本發明的太陽能電池的剖面圖；以及圖5為根據本發明的製造矽太陽能電池的方法的流程圖。
具體實施例方式由相同的參考標號描述下列相似部件。
圖la-d示例根據本發明製造矽太陽電池的方法。如圖Ia所示，在第一步驟中提 供載體板100。接著為圖Ib及Ic所指出的步驟，將第一接觸圖形施加至載體板100。詳細 而言，如圖Ib所示，將掩模102施加至載體板100。如圖Ib所示，掩模為聚合物材料的矩形 網格(grid)。聚合物掩蔽材料可例如通過硬掩模而沉積至載體板100上，其中硬掩模包含 第一開口的圖形，而第一開口覆蓋載體板的為第一接觸圖形指定的區域。可選地，可通過軟 模印將聚合物掩蔽材料102模印至載體板100。圖Ib和Ic未示出在載體板上沉積導電材料，其中由於存在掩蔽材料102，導電材 料僅沉積在載體板的未受掩蔽材料102覆蓋的區域。在圖Ic中，沉積到載體板100上的導 電材料由參考標號104表示。導電材料104構成第一接觸圖形。需注意，上述使用硬掩模技術的印刷方法可由任何其它標準光刻或印刷技術所替 代。然而，由於為了高效率的生產過程而最優化製造矽太陽能電池的方法，故使用硬掩模技 術是較理想的。接著參考圖lc，在圖Ic中，載體板100被第一層狀接觸104覆蓋，而第一層狀接 觸104在電學或空間上受到矩形掩模102的阻隔。在未示於圖1的另一步驟中，去除掩蔽 材料102，而該材料的去除工藝為本技術領域所公知的『剝離』工藝。最後，在圖Id中，載體板和已附著的矽片108被一起示出，其中矽片108被附著至 第一接觸圖形104。可通過諸如撿取和放置技術，將矽片108施加至第一接觸圖形104。為 完成根據本發明的矽太陽能電池，須進一步將第二接觸圖形施加至多個矽片。同樣地，這可 以通過使用已經在圖Ib和Ic中解釋的步驟來完成。圖Id還示出，在相鄰矽片108之間存在空隙110。為提高太陽能電池的穩定性，將 填充材料(此處未顯示)施加至矽片，其中填充材料填充相鄰矽片108之間的空隙110。為提供具高電壓輸出的矽太陽能電池，須串聯單獨的矽片。然而，這必須以適用於 矽太陽能電池大規模生產工藝的方式來完成。圖2示出了解決此問題的方法。圖2a_c示例第一和第二層狀接觸相對於矽片的配置。圖2a為第一層狀接觸104 的頂視圖，第一層狀接觸104通過空隙彼此分隔。意即，在圖2a的頂視圖中可見載體板100 的空白(blank)區域106。在空白區域106中，第一層狀接觸104未覆蓋載體板100。圖2b 示出以矩形陣格(lattice)相對於彼此設置的多個矽片108，其中陣格的總尺寸對應於載 體板100的總尺寸。圖2c示例了形成第二層狀接觸的瓦片(tile)200。與第一層狀接觸104相似，第 二層狀接觸200被空隙206所分隔。將圖2c重疊至圖2a上方將更清楚地得知，第一接觸 圖形104相對於第二接觸圖形200沿位移方向(由左至右，意即圖2a-2c中的水平方向) 位移矽片108的延伸長度。通過參照圖2a中的位置204所指示的二個單獨的矽片位置，可 更清楚第一層狀接觸100相對於第二層狀接觸200的相對配置的目的。將包含單獨的矽片 108陣格的圖2b重疊至圖2a的頂上，位置204對應圖2b陰影區域所指的矽片。重疊圖2b 及2c，圖2b陰影區域所指的矽片對應圖2c矽片位置202。意即，通過第一層狀接觸106，第 一層狀接觸104頂上的單獨的矽片108相對位置，以及單獨的矽片108頂上的第二層狀接 觸200的相對位置，可獲得沿水平方向單獨的矽片108的串聯互連。為更清楚了解此事實，圖3示出了矽片組的布線。如圖3所示，頂水平線路對應於 第二層狀接觸200，其中水平底線路對應第一層狀接觸104。在第一層狀接觸104與第二層
7狀接觸200的之間插入單獨的矽片108。在水平方向交替地連接相鄰矽片108與第一層狀 接觸104及第二層狀接觸200，則可達到沿水平方向單獨的矽片的串聯互連。重要的是，此 處僅需將第一和第二層狀接觸圖形施加至載體板，即可達到串聯化，而不需矽片水平串聯 線路中的額外布線。僅僅對於相鄰垂直串聯化矽片的串聯互連，才需要從頂到底(即，從第 二接觸200至第一接觸104)的額外連接。然而，如果不希望從第二層狀接觸200到第一層狀接觸104的額外連接，則單獨的 水平串聯連接的矽片可關於沿垂直方向的相鄰第一層狀接觸104和沿垂直方向的第二層 狀接觸200互連，這產生進一步的沿垂直方向的矽片並聯化(parallelization)，並且保持 沿水平方向的矽片串聯化。如此則可製造高功率的太陽能電池。圖4示例了根據本發明的太陽能電池的剖面圖。太陽能電池的底部包含載體板 100，其對於從底部入射的光而言是透明的。在載體板100頂上的下一層為第一層狀接觸 104。在圖4的剖面圖中，具有位於左邊和右邊的兩個第一層狀接觸104，其由非導電的填充 材料400所分隔。第一層狀接觸104的頂上為矽片108。而各矽片108由另一非導電性材 料400與相鄰矽片108分隔。進一步，圖4示出的太陽能電池中央的兩個相鄰矽片108通過第二層狀接觸200 互連，由此提供矽片108的串聯互連。注意，圖3顯示的電路圖，該電路圖對應圖4的太陽 能電池剖面圖4自左至右，電流可自最左邊的矽片108流至下伏的第一層狀接觸104，自 該接觸104至下一個矽片108，自該矽片108至第二層狀接觸200，自第二層狀接觸200至 右邊下一個矽片108，自該矽片108至下伏的第一層狀接觸104，接著再次流至下一個右邊 矽片108。圖4還顯示了諸如鈍化塗層的額外塗層404，以減少降低太陽能電池效能的複合 效應。同樣地，層404可包含提高吸收概率的高度反射材料(例如銀或鋁)，以將入射到載 體板100且未由矽片108所吸收的光線反射回來。圖5為示出了根據本發明的製造矽太陽能電池方法的流程圖。在步驟500中，使 用溼式工作檯(wet bench)實施玻璃載體板的清潔。這可以確保製造不包含任何不希望的 灰塵或泥土的高質量太陽能電池。在步驟500之後為步驟502，該步驟為使用例如印刷或光 刻技術構圖底接觸。在步驟502中，使用硬掩模將聚合物印刷至載體板是優選的，隨後的步 驟504則需固化已印刷的聚合物。例如，此固化可為熱固化或UV固化。被印刷到載體板上的聚合物以負像印刷(negative print)方式而覆蓋未被第一 接觸圖形(其於步驟506中被沉積到載體板上)所覆蓋的區域。例如，步驟506可通過濺 射來實施第一接觸圖形材料如AlZnO的沉積。隨後的步驟508同樣為對包含已沉積的第一 接觸圖形的載體板的清潔步驟。圖5未示出剝離步驟，S卩，從載體板去除已印刷的聚合物， 因為太陽能電池的進一步的製造步驟已不再需要該聚合物掩模。在清潔步驟508之後，在步驟510中，將接觸膠(contact glue)沉積到先前已在 步驟506沉積的第一接觸圖形上。例如，將接觸膠沉積到接觸圖形上可使用現有印刷技術 來完成，其例如使用SMD硬掩模。除了使用接觸膠之外，還可以使用陽極接合將矽片固定至 接觸圖形。在步驟512中，通過撿取和放置技術將矽片設置在接觸圖形上。如果在步驟510 中使用了接觸膠，則在步驟514中實施接觸膠的固化。在步驟506中，由於印刷的聚合物的存在，僅特定區域由第一接觸所覆蓋，並且由於步驟512中矽片被放置於該接觸的頂上，故相鄰放置的矽片間存在空隙。在步驟516中， 使用絕緣聚合物填充空隙。在步驟518中，使用例如熱或UV固化技術使聚合物固化。在最 後的步驟520中，使用印刷布線技術在頂側連接奇數矽片。然而，通常而言，在頂側連接奇 數矽片可使用上述用於沉積第一接觸圖形的相同步驟加以實施，即，步驟502、504和506。該技術可以確保減少太陽能技術的矽材料使用達90%。這可以確保極大的成 本減低。製造過程可進一步允許高度的組裝自動化。通過簡單的連接技術可獲得背面接 觸。可以簡單地配置電池以用於任何隨意的電壓/電流比率，典型地從0.6V/12A到高達 220V/0. 06A。參考標號列表100 載體板102 掩模104 第一層狀接觸106 空白板108 矽片110 空隙200 第二層狀接觸202 位置204 位置206 空隙400 填充物404 塗層
權利要求
一種製造矽太陽能電池的方法，所述方法包括以下步驟提供載體板(100)；將第一接觸圖形施加到所述載體板(100)，所述第一接觸圖形包含一組第一層狀接觸(104)；將多個矽片(108)施加到所述第一接觸圖形，其中該組第一層狀接觸(104)中的每一個第一層狀接觸為與最多兩個矽片(108)空間層狀接觸；以及將第二接觸圖形施加到所述多個矽片(108)，其中所述第二接觸圖形包含一組第二層狀接觸(200)，其中該組第二層狀接觸(200)中的每一個第二層狀接觸為與最多兩個矽片(108)空間層狀接觸。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，該組第一層狀接觸(104)中的每一個第一層狀接觸為與正好兩個矽片(108)空間層狀 接觸，該組第二層狀接觸(200)中的每一個第二層狀接觸為與正好兩個矽片(108)空間層狀 接觸。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其中每一個矽片為正好與一個第一層狀接觸和一 個第二層狀接觸空間層狀接觸。
4.根據上述權利要求中任一項所述的方法，還包括所述載體板(100)和/或所述矽片 (108)的鈍化和/或抗反射塗敷。
5.根據上述權利要求中任一項所述的方法，還包括金屬化所述矽片(108)的遠離所述 載體板(100)的面。
6.根據上述權利要求中任一項所述的方法，還包括在將所述矽片(108)施加到所述第 一接觸圖形之後，η摻雜所述矽片(108)。
7.根據上述權利要求中任一項所述的方法，還包括將所述矽片(108)粘著到所述第一 層狀接觸(104)和/或將所述等矽片(108)粘著到所述第二層狀接觸(200)。
8.根據權利要求7所述的方法，其中通過將第一接觸膠施加到該組第一層狀接觸(104)或所述矽片(108)來實施所述矽片 (108)到所述第一層狀接觸(104)的粘著，所述第一接觸膠將所述矽片(108)粘著到所述第 一層狀接觸(104)，和/或通過將第二接觸膠施加到該組第二層狀接觸(200)或所述矽片(108)來實施所述矽片 (108)到所述第二層狀接觸(200)的粘著，所述第二接觸膠將所述矽片(108)粘著到所述第 二層狀接觸(200)。
9.根據權利要求7或8所述的方法，其中通過陽極接合技術來實施所述矽片(108)到 所述第一層狀接觸(104)的粘著，和/或其中通過陽極接合技術來實施所述矽片(108)到 所述第二層狀接觸(200)的粘著。
10.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中通過印刷或光刻將所述第一或第二 接觸圖形施加到所述載體板(100)。
11.根據權利要求10所述的方法，其中所述印刷為絲網印刷方法。
12.根據權利要求11所述的方法，其中通過硬掩模實施所述印刷。
13.根據權利要求11所述的方法，其中所述印刷還包括用第一硬掩模覆蓋所述載體板(100)，所述第一硬掩模包含第一開口的圖形，所述第一 開口未覆蓋所述載體板(100)的為所述第一接觸圖形指定的區域；通過所述第一硬掩模將掩蔽材料(102)沉積在所述載體板(100)上；去除所述第一硬掩模；在所述載體板(100)上沉積導電材料；從所述載體板(100)去除所述掩蔽材料(102)，其中剩餘的導電材料構成所述第一接 觸圖形。
14.根據權利要求12所述的方法，其中所述印刷還包括以第二硬掩模覆蓋所述多個矽片(108)，所述第二硬掩模包含第二開口的圖形，所述第 二開口未覆蓋所述多個矽片(108)的為所述第二接觸圖形指定的區域； 通過所述第二硬掩模將掩蔽材料沉積在所述載體板(100)上； 去除所述第二硬掩模； 在所述多個矽片(108)上沉積導電材料；從所述載體板(100)去除所述掩蔽材料，其中剩餘的導電材料構成所述第二接觸圖形。
15.根據權利要求13或14所述的方法，其中通過軟模印技術提供所述硬掩模。
16.根據上述權利要求中任一項所述的方法，還包括將填充材料(400)施加到所述矽 片(108)，其中所述填充材料(400)填充相鄰矽片(108)之間的空隙(110)，其中所述填充 材料(400)是電絕緣的。
17.一種矽太陽能電池，所述太陽能電池包括 載體板(100)；第一接觸圖形，所述第一接觸圖形位於所述載體板(100)的頂上，所述第一接觸圖形 包含一組第一層狀接觸(104)；多個矽片(108)，所述多個矽片(108)位於所述第一接觸圖形的頂上，其中該組第一層 狀接觸(104)中的每一個第一層狀接觸與最多兩個矽片(108)空間層狀接觸；第二接觸圖形，所述第二接觸圖形位於所述多個矽片(108)的頂上，其中所述第二接 觸圖形包含一組第二層狀接觸(200)，其中該組第二層狀接觸(200)中的每一個第二層狀 接觸為與最多兩個矽片(108)空間層狀接觸。
18.根據權利要求16所述的太陽能電池，其中所述第一接觸圖形相對於所述第二接觸 圖形沿位移方向位移了矽片的延伸長度。
19.根據權利要求17或18所述的太陽能電池，其中所述第一和/或所述第二接觸圖形 對用於通過所述矽片(108)進行能量轉換的光而言是透明的。
20.根據上述權利要求17到19中任一項所述的太陽能電池，其中所述第一和/或第二 接觸圖形的材料包含經摻雜的ZnO或銦錫氧化物(ITO)。
21.根據上述權利要求17到20中任一項所述的太陽能電池，其中所述矽片(108)包含 P摻雜的矽。
22.根據上述權利要求17到21中任一項所述的太陽能電池，其中所述矽片(108)包含光敏ρ/η結。
全文摘要
本發明涉及製造矽太陽能電池的方法，所述方法包括提供載體板(100)；將第一接觸圖形施加到所述載體板(100)，所述第一接觸圖形包含一組第一層狀接觸(104)；將多個矽片(108)施加到所述第一接觸圖形，其中該組第一層狀接觸(104)中的每一個第一層狀接觸為與最多兩個矽片(108)空間層狀接觸；以及將第二接觸圖形施加到所述多個矽片(108)，其中所述第二接觸圖形包含一組第二層狀接觸(200)，其中該組第二層狀接觸(200)中的每一個第二層狀接觸為與最多兩個矽片(108)空間層狀接觸。
文檔編號H01L31/18GK101939850SQ200980104281
公開日2011年1月5日 申請日期2009年1月13日 優先權日2008年2月7日
發明者G·普非伊費爾, H-J·埃克爾曼, R·K·克勞斯, T·穆格 申請人:國際商業機器公司