具有放大器輸出級和過電流檢測裝置的電子器件的製作方法

2024-03-06 22:24:15

專利名稱：具有放大器輸出級和過電流檢測裝置的電子器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及具有放大器輸出級和用於檢測該輸出級的輸出過電流 的過電流檢測裝置的電子器件。本發明進一步涉及用於檢測電子器件 的放大器輸出級的過電流的方法。
背景技術：
在絕緣體上矽(silicon-on-insulator， SOI)技術中的功率電晶體對 傳送晶片(handler wafer)的熱阻顯著地大於在體效應技術中的功率 電晶體。因此，對於在放大器的輸出器件中同樣數量的耗散功率，SOI 工藝的器件更容易遭受自加熱。由於例如在所述放大器輸出端短路導 致的過度的自加熱會損害該輸出器件。增加該輸出器件的物理尺寸可 以減少熱阻，但是通常最大輸出電流和由此帶來的功率耗散會同步增 加。
平均起來，對於標稱信號，輸出器件上跨接的電壓將會是供電電 壓一半左右的某個值。此外，對於電容性負載，信號電流在時間上在 兩個輸出器件之間被分流。該最大值並非全時被達到。因此，在任意 給定輸出器件中，信號功率通常會大大低於短路時的最大功率，在短 路時最大電流和電壓被施加到其中一個輸出器件上。
普通的用於檢測給定器件是否處於過熱狀態的方法僅涉及監視它 的溫度。對某種技術(例如SOI)這種方法還包括在所述輸出器件中 增加溫度傳感器件。該器件外的傳感器是無用的，因為絕緣氧化物阻 止熱量傳播到所述溫度傳感器上。為了避免發生在所述輸出器件一側 的高電壓，該傳感器必須被併入到高壓MOS或雙極電晶體的另一側。 因此，熱量必須從耗散區傳播到該傳感器，耗散區通常靠近漏極或集 電極，傳感器則位於其中某一側。特別在高壓SOI技術中，這個過程需要一個相當長的時間，因為熱量必須穿過一層非常薄的矽。結果， 所述的檢測過熱的方法太慢且不足以保護器件。
另一種檢測過熱的方法是監視電流和電壓以通過計算它們的乘積 得到耗散功率的等價值。根據最壞情況下的管芯溫度(die temperature),功率和熱阻抗可被用於計算所述輸出器件是否可能太 熱。在放大器中檢測輸出電壓是個複雜的任務，因為輸出電壓可能高 於可施加於電晶體柵極或基極的電壓。該方法要求電路使用高壓器件 來經受住高壓，這進而也消耗了許多晶片面積。
一種用於檢測可能過熱的較簡單的方法是僅測量電流。根據這種 方法，可能在最壞情況信號條件下發生的最大電流將被確定，任何超 出該水平的電流被評估為故障狀況。輸出器件的尺寸必須被設計以使 得它們能在最壞條件周圍溫度條件下經受住這一電流，進而在最壞情 況信號條件下經受住過熱。
這個概念可通過在該電流測量單元上增加一種低通濾波器來改 良，該低通濾波器的時間常數與輸出器件的熱時間常數相匹配。通過 這種方法，預測的輸出器件的溫度的準確性提高了。因此，該電流檢 測機制不會響應瞬間峰值電流水平而觸發，而是響應平均值。
美國專利No.6，014,059公開了一種具有過電流檢測機制的功率放 大器。該放大器包括用於放大輸入信號以提供放大後的輸出信號的晶 體管，和用於控制在輸入端接收到的輸入信號的模塊。該模塊生成控 制信號，該控制信號基本上跟隨在選定溫度範圍內的電晶體的溫度。 該用於控制該輸入信號的模塊控制該輸入信號，以使得該控制信號免 於超出通過平均水平檢測器預設定的水平。該平均水平檢測器的時間 常數可以等於器件的"熱時間常數"。

發明內容
本發明的目的是提供具有輸出級和改進的過電流檢測電路的電子 器件，以及用於改進過電流檢測的方法。
該目的是通過根據權利要求1的電子器件和根據權利要求8的方
法實現的。因此，向電子器件提供放大器輸出級和用於檢測該輸出級的輸出 過電流的過電流檢測裝置。該過電流檢測裝置包括水平檢測裝置，用 於檢測超出第一輸出電流水平的輸出電流水平，和定時檢測裝置，用 於檢測輸出電流超出第一電流水平的持續時間，其中第一電流水平是 最大電流水平。因此，輸出電流在幅度方面受到控制，即，控制該幅 度是否超出第一水平，和各個幅度超出預定的第一水平的持續時間。 現有技術解決方案通過使用均值低通濾波器得到該輸出電流的平均 值，以實現對應輸出器件的熱時間常數的時間常數，而本發明在過電 流持續無法接受的時間長度時，檢測超出預定水平的過電流和故障狀 況。
根據本發明的一個方面，輸出級包括高側輸出器件和低側輸出器 件。根據這種配置，過電流檢測裝置包括電流差檢測裝置，用於檢測 流經低側輸出器件的低側輸出電流和流經高側輸出器件的高側輸出電 流之間的差，其中過電流檢測裝置通過該電流差檢測裝置檢測該電流 差是否超出預定的第一電流水平。因此，該電流差檢測裝置允許檢測 高側和低側輸出器件的過電流的差。已知的過電流控制機制只檢測輸 出端電流的混合總量，而不區分高側和低側電流。然而，對於許多應 用來說，放大器輸出級的高側和低側輸出電流在正常操作中幾乎相等。 因此，該電流差檢測裝置通過測量關於高側和低側電流之差的故障狀 況建立了附加的安全措施。
根據本發明的另一個方面，過電流檢測裝置包括第一比較裝置， 以確定低側輸出電流和高側輸出電流的差是否超出預定的正的第一電 流水平，和第二比較裝置，以確定低側輸出電流和高側輸出電流的差 是否超出預定的負的第二電流水平。因此，流經該輸出級的高側和低 側器件的這兩個過電流被獨立地，例如通過兩個不同的比較器而被檢
在本發明另一優選實施例中，第一和第二比較裝置被操作性地耦 合到定時檢測裝置上，且該定時檢測裝置包括一個單獨的定時器。該 定時器被操作性地耦合到的第一和第二比較裝置上，例如耦合到兩個 比較器上，以建立過電流定時控制。通常地，此時過電流僅在該輸出級的輸出器件之一中發生。因此，可以僅使用一個定時器作為定時檢 測裝置，以在同一時間段內檢測在第一比較裝置或第二比較裝置之一 上的過電流。這種方式可以減少電路的複雜度。優選地，該電子器件進一步包括陰極射線管(CRT)，在其中輸出級被耦合到該CRT的陰極。該CRT和該放大器輸出級可被布置在顯 示裝置，例如電視機，計算機顯示器或類似的東西中。根據本發明的具 有如上的特點的輸出級特別適用於控制CRT的電流，因為CRT對於 放大器輸出級主要表現為電容性負載。儘管本發明對所有技術，如雙極，或MOS (金屬氧化物矽)，都 是有用的，但本發明對於絕緣體上矽(SOI)技術特別有用。因此， 具有如上特點的電子器件特別是放大器輸出級，被規定為至少部分是 用絕緣體上矽技術實現的。由於在絕緣體上矽(SOI)技術中的功率 電晶體對傳送晶片(handler wafer)的熱阻顯著地大於在體效應技術 中的功率電晶體，本發明特別適合防止在絕緣體上矽技術中的器件的 過熱。本發明還提供了下述方法，該方法用於檢測電子器件的放大器輸 出級的過電流。該方法包括檢測超出第一輸出電流水平的輸出電流 水平的步驟，和檢測輸出電流超出該第一輸出電流水平的持續時間的 步驟。因此，針對波幅和超出預定電流水平的時間來測量該輸出級的 輸出電流，而非如現有技術中已知的那樣，針對輸出電流平均值來進 行測量。根據本發明的另一個方面，該輸出級包括高側輸出器件和低側輸 出器件。目前，用於檢測輸出電流水平超出第一輸出電流水平的步驟 包括確定流經低側輸出器件的低側輸出電流和流經高側輸出器件的高 側電流之差的步驟。此外，該方法包括檢測所確定的電流之差是否超 出預定的第一電流水平的步驟。優選地，將低側輸出電流和高側輸出 電流之差與正的第一電流水平相比較，和將低側輸出電流和高側輸出 電流之差與負的第二電流水平相比較。因此，本發明提供了過電流檢測裝置和相應的方法，允許對於特 定信號輸出功率而非在故障狀況下的功率優化輸出器件。根據本發明的過電流檢測裝置和方法區分了故障狀況如短路，和正常信號。這是 通過監視在輸出器件中的電流和測量電流脈衝的持續時間達到的。檢 測故障狀況後，該輸出器件必須被保護或被切斷。根據本發明，定時信息被用來區別正常信號和故障狀況。與已知 解決方案比，不只是通過輸出器件之一的電流的平均水平被測量，而 且該過電流檢測機制還確定了該電流脈衝持續了多久。從該事實中引 出的附加的好處是對於某些應用來說如此保護的放大器的負載主要是 電容性的。因此，在正常信號條件下的輸出電流連續向一個方向流動， 直到該負載電容被完全充電或放電為止。此外，這種電流只在一段有 限時間發生。該電流水平探測器被設定在下述水平，該水平被這樣選 定在這個水平上即使電流無限長，輸出器件也不會被損壞。定時檢 測裝置被設置到一個時間，使得如果最壞故障狀況發生，該定時器會 在輸出器件被過熱損壞之前被觸發。該最壞故障狀況可以包括在輸出 器件上的最大電壓，流經輸出器件的最大電流，和周圍溫度條件。為 了設置該過電流檢測裝置，可能會執行檢査，以檢査正常信號是否會 導致兩種檢測機制一即定時和電流水平一都被觸發。因此，該電流被 這樣確定如果該最大負載電容在檢測時間中通過最大可能電壓波動 被充電，則該電流可能發生。如果這樣建立的電流水平超出了相應的 最大水平，則最大輸出電流的值或最大持續時間的值必須增加。通常 地，增加最大電流水平是適當的第一選擇。本發明的這些和其它方面將參照下文的實施例以及如下附圖而清 晰顯明，並且將由這些實施例和附圖所闡述。


圖1示出了具有峰值電流檢測電路的放大器的簡化示意圖， 圖2示出了具有低通電流檢測電路的放大器的簡化示意圖，圖3示出了根據本發明第一實施例的具有過電流檢測裝置的放大器的簡化示意圖，圖4示出了根據本發明第二實施例的具有過電流檢測裝置的放大 器的簡化示意圖，圖5示出了根據本發明第三實施例的具有過電流檢測裝置的放大 器的簡化示意圖，圖6示出了根據本發明的一個方面的用於電流檢測機制的電路的 簡化示意圖，圖7示出了根據本發明的一個方面的電流檢測裝置的簡化示意圖，圖8示出了根據本發明的一個方面的比較器級的簡化示意圖，和 圖9示出了根據本發明的一個方面的定時檢測裝置的簡化示意圖。
具體實施方式
圖1示出了根據現有技術的具有峰值電流檢測電路PCDC的放大 器的簡化示意圖。該放大器包括輸出級OS，該輸出級具有兩個金屬 氧化物矽場效應電晶體(MOSFET) THS和TLS。輸出電晶體THS 和TLS被布置為本領域公知的共漏極配置，在這裡第一 (高側)晶體 管THS通過第一電阻RHS被耦合到供電電壓，第二 (低側)電晶體 TLS通過第二電阻RLS被耦合到地。流經輸出級OS的輸出電流10 基於分別跨越電阻RHS和RLS的電壓降而被連續測量。在最壞情況 信號條件下，最大允許輸出電流IO被確定。輸出器件THS和TLS的 尺寸被設計為使得它們可以在最壞情況周圍溫度條件下經受住這個電 流，而不至於過熱。在輸出電晶體THS和TLS上的功率消耗對應於 流經該器件的電流和跨越該器件的電壓的乘積。因此，不止是電流， 而且跨越器件THS， TLS的電壓也需要被確定。在正常操作條件下， 在任意輸出電晶體THS， TLS上的平均電壓通常都小於供電電壓；典 型地處於供電電壓一半附近。基於這一假設，可以算出使得輸出晶體 管THS， TLS可以經受住特定輸出電流的面積，此處該計算考慮到了 適當的電壓。超過最大允許電流水平的輸出電流IO被峰值電流檢測 電路PCDC登記為故障狀況。圖2示出了根據現有技術的包括低通過電流檢測機制OCDM的放 大器的簡化示意圖。與根據圖1解釋的方式相同，輸出級OS包括高側和低側電晶體THS， TLS和兩個相應的電阻RHS， RLS。該低通濾 波器是通過兩個被各自耦合到輸出級OS的高側和低側的附加電容C 建立的。該低通濾波器保證了對於高頻信號只有流經輸出電晶體 THS， TLS的電流IO的平均值被測量。對於正弦波信號，輸出電流以 因子p低於峰值電流。因此，輸出電晶體的面積也以因子p小於圖1 所示電路。即使在故障狀況下，常量(DC)電流IO流過，該電流仍 會正確地被低通電流檢測電路檢測到。只要其頻率保持在低通濾波器 的帶寬中，瞬間電流值就會被檢測到。然而，對於放大器(未示出) 的電容性負載和低頻電流，相應的功率耗散通常較小。短暫的具有高 出低通濾波器帶寬的頻率的電流尖峰被減少或抑制，使得那些電流不 會被過電流檢測電路O C D M作為故障狀況登記。圖3示出了根據本發明第一實施例的具有過電流檢測裝置OCDM 的放大器的簡化示意圖。與圖1和圖2示出的電路類似，該放大器包 括具有高側電晶體THS和低側電晶體TLS和相應的電阻RHS， RLS 的輸出級OS，兩個電晶體以共漏極布置。根據本發明的這一實施例， 過電流檢測裝置OCDM通過使用定時信息區分正常信號和故障狀況。 從而，不但流經輸出器件THS， TLS之一的輸出電流10的平均水平 被檢測到(如圖2所解釋的)，而且過電流脈衝的持續時間也被檢測到。 根據本發明的這一實施例，過電流檢測機制OCDM包括電流水平檢測 機制LDM和定時檢測機制TDM。該電流水平檢測器LDM被設置到 電流水平IDET。該電流水平IDET是這樣被選擇的在該確定水平上 即使輸出電流IO無限長，輸出器件THS， TLS也不會被損壞。另外，定時檢測器TDM被設置到一個時間界限TDET。這個時間 界限TDET被這樣選定的在輸出器件THS, TLS之一被過熱損壞之 前該定時器會指示故障狀況。該最大時間界限TDET參考最壞情況故 障狀況而被選擇，所述最壞情況是在輸出器件THS， TLS上的最大的 電壓降和通過輸出器件THS， TLS的最大允許電流IO。在確定時間界 限TDET時也考慮了最壞情況周圍溫度條件。因此，在這些情況中的 任意一個下，定時檢測機制TDM在該輸出級OS的電晶體THS， TLS 過熱之前觸發。當過電流的允許持續時間被建立時，確定正常信號是否能使得兩個檢測機制TDM和LDM觸發是有用的。對於被耦合到輸 出級OS的電容性負載(未示出)，輸出電流IO向一個方向持續流動， 直到負載電容(未在圖3中示出)被完全充電或放電。這樣的電流永 遠只在一段有限的時間內發生。因此，當最大負載電容在全檢測時間 TDET和最大可能電壓波動上被充電時，輸出電晶體THS， TLS所經 受的電流將被確定。如果此電流水平超過IDET，則IDET或TDET的 值必須被提高。優選地，IDET在第一步提高。與現有技術(例如圖2 中所示的檢測機制)相比，使用的不是低通濾波器，而是定時器。圖4示出了根據本發明第二實施例的被過電流檢測裝置OCDM補 充的放大器的簡化示意圖。為了進一步增加正常信號和故障狀況之間 的區別，流經電晶體THS的高側電流IHS和流經電晶體TLS的低側 電流ILS的差被求值。兩個電流IHS和ILS之差通過電流差檢測裝置 CDDM被確定，該電流差檢測裝置被耦合在輸出級OS和過電流檢測 裝置OCDM之間。因此，僅有流經輸出器件THS， TLS之一的電流 會被檢測到。特別地，對於電容性負載，這是合理的選擇，因為對於 高側和低側電流IHS，ILS，正常信號至少會在平均值上顯得完全相同。 然而，故障狀況通常僅在輸出器件THS， TLS之一導致過電流。晶體 管THS， TLS的面積可以根據應用中可能發生的最壞情況信號求出所 需尺寸。如果對於之前的解決方案，輸出器件THS， TLS所佔用的面 積是以因子p小於現有技術解決方案，那麼如果最大峰值對峰值電壓 低於供電電壓，則本發明這一實施例可以獲得比p更大的因子。當在 正常信號條件下較小DC電流流經輸出級OS時，這一原理也可被使 用，只要這些DC電流保持在低於故障狀況的檢測水平。圖5示出了根據本發明第三實施例的具有過電流檢測機制OCDM 的放大器的簡化示意圖。明顯地，如圖4所解釋的使用高側和低側之 間的電流差的思想可以與如圖3所示的實施例結合使用。圖5示出了 所得到的示意圖。因此，流經輸出器件THS， TLS之一的電流脈衝將 被檢測到。根據圖5的實施例，過電流檢測機制OCDM只是基於電流 水平檢測機制LDM，定時檢測機制TDM，和電流差檢測裝置CDDM。儘管圖3到圖5示出的輸出器件THS， TLS是以共漏極配置的MOS電晶體，電流檢測方案也可以被用於雙極電晶體或者任意其它晶 體管，所述雙極電晶體或其他電晶體被布置為共漏極電路之外的任意 配置，例如共源極，共柵極，共射極，共集電極，或共基極。圖6示出了根據本發明一個方面的用於電流檢測的電路的簡化示意圖。圖6的電路可被用於圖4和圖5示出的實施例。圖6示出的電 流檢測電路適用於檢測高側電流IHS和低側電流ILS之差的絕對值是 否超過預定義水平+/-10￡丁。至於本發明的其它實施例，輸出級OS包括傳感電阻RLS，與輸 出電晶體TLS的漏極串聯。差分對Tla， Tlb將跨越傳感電阻RLS的 電壓轉換成差分輸出電流，該電流是輸出電流ILS的一個成比例副本。 差分對由PMOS電晶體Tla， Tlb組成。然而，在NMOS中的實現也 是可能的。相同的電路被用於測量高側電流IHS。因此，需要兩個差 分對以得到ILS和IHS的成比例副本。需要有第三個對來生成電流檢 測水平+Z-IDET的成比例副本。為了測量IHS減去ILS的電流差，被 測低側電流ILS被從高側電流IHS中減去。該結果被與第一正的電流 水平IDET和第二負的電流水平-IDET比較。因此，所有電流IHS， ILS 必須被測量兩次。圖7示出了根據本發明一個方面的電流檢測電路的簡化示意圖。 在此處，完全電流檢測電路被示出。在這個電路中，電晶體Tla—Tld 組成兩個測量低側電流ILS的差分對。電晶體T2e和T2f組成一個測 量高側電流IHS的差分對，輸出電流被T2a到T2d分流成兩路。晶體 管T3a到T3d組成兩個測量參考電流IDET的差分對。所有電流被求 和，使得在R1， R2和R3， R4上的電壓差建立預期的電流測量。如 果電阻RHS和RLS被假定為具有相同的值，並且電阻R1到R4也基 本上相等，且所有差分對都具有1/2gm的跨導，則跨越R1， R2和R3， R4的電壓是v(R,, R2)=RLS gm R, (iHS-iLS-IDET) [V]v(R3, R4)=RLS gm R, (iLS-iHS-IDET) [V]如果電阻RHS和RLS的值較小，則MOS差分對的跨導gm也較 小，以節省電流，於是，電壓v(Rl， R2)和v(R3， R4)也較小。因此，需要具有大增益的比較器。圖8示出了適當的比較器的例子。圖8示出了根據本發明一個方面的比較器的簡化示意圖。該比較器包括5個類似的級，每級都是由兩個電晶體T5a， T5b到T9a， T9b， 兩個相應的電阻R5a， R5b到R9a， R9b，和一個電流源15到19， 組成。第一級的電晶體T5a， T5b被耦合到圖7所示電阻R3， R4。每 一級被以同樣的方式耦合到各自的下一級，以增加電路的增益。這五 級的最後一級被耦合到包括電晶體T10a， T10b和電流鏡的電路，該 電路的輸出被耦合到提供比較器的輸出信號HCLSD (高電流低側檢 測)電晶體Tll。需要圖8所示的兩個完整的比較器級 一個用於圖7所示跨越電 阻R1， R2的電壓降， 一個用於圖7所示跨越電阻R3， R4的電壓降。 該比較器級後跟隨定時檢測裝置TDM，該裝置用來測量比較器生成的 信號的脈衝持續時間。由於該放大器的輸出級OS中的電流不能同時 高於IDET和低於-IDET，因此只有兩個比較器之一能觸發。因此，僅 需要一個定時器作為定時檢測裝置。電路在圖9中示出。圖9示出了根據本發明一個方面的包括定時器級的定時檢測裝置 TDM的簡化示意圖。信號HCHSD (高電流高側檢測)和HCLSD (高 電流低側檢測)是兩個比較器各自的輸出，兩個比較器基本上與圖8 所示的相同。信號HCHSD， HCLSD以反饋配置輸入到一個異或門和 兩個與非門。與非門的輸出被輸入到兩個倒相器。倒相器的輸出 OCHSD (過電流高側檢測)和OCLSD (過電流低側檢測)顯示是否 在如圖3 — 5示出的輸出級OS的高側(即電晶體THS)或低側(即晶 體管TLS)檢測到過電流。定時器的核心包括電晶體Tll，電容Cll 和電流源Ill以及二極體Zll和放大器。異或門的輸出是電晶體Tll的輸入。在正常條件下兩個輸入信號 HCHSD禾BHCLSD都為低，所以異或門的輸出也為低。因此，電晶體 Tll被打開且電容Cll保持在放電狀態。在這種情況下，輸出信號 OCHSD和OCLSD都為低。如果輸入信號HCHSD和HCLSD之一為 高，電晶體Tll會被關閉且電流源Ill開始給電容Cll充電。當電容 Cll上的電壓達到參考電壓VREF時，該放大器的輸出變高，且與非門之一 (依賴於輸入HCHSD或HCLSD中哪一個為高)將其輸出降 為低。因此，相應的輸出信號OCHSD或OCLSD會變成高。在定時 器輸入端的異或門被用於消除HCHSD和HCLSD都為高的情況。三 個與非門以雙穩態反饋結構被安置，它們使得OCHSD和OCLSD不 能同時為高。輸出信號OCHSD和OCLSD現在指示通過輸出級OS的 輸出器件THS， TLS的過電流被檢測到。基於信號OCHSD， OCLSD， 將會採取措施以保護輸出器件THS， TLS。然而，本發明聚焦在檢測 過電流而非消除或者減少過電流的手段。根據本發明的過電流檢測機制可以被應用於任何需要保護短路的 放大器，例如寬帶視頻輸出放大器(或RGB放大器)，優選地在SOI 技術中，該放大器將直接驅動陰極射線管(CRT)的陰極。根據這種 應用，在顯像管閃爍時，若干保護二極體強制該放大器輸出至供電電 壓或地。特別地，對於SOI技術，本發明可以解決輸出電晶體在閃爍 期間的過度的自加熱所產生的問題。另外，所提及的應用涉及高達 30MHz的信號頻率，該頻率遠高於輸出器件的熱時間常數且CRT的 陰極基本上表現為電容性負載。應當注意的是，上述實施例示出而非限制了本發明，且本領域技術人 員可以設計出許多種可供選擇的實施例而不脫離附加的權利要求的範圍。 權利要求中所有參考標記不應被理解為限制權利要求。"包括"這個詞並 不排除權利要求所列出的那些之外的其它元件或步驟的存在。在元件和步 驟之前的"一個"("a"或"an")並不排除多個此類元件或步驟的存在。 在列數出若干種裝置的設備權利要求中，這些裝置中的若干可通過一項或 同樣的硬體來實現。在相互之間有所不同的從屬權利要求中述及了某些手 段並不意味著這些手段的組合不能用於提供好處。進一步地，在權利要求中的任何參考標記不應被認為是限制該權利要 求的範圍。
權利要求
1.一種電子器件，具有放大器輸出級(OS)和用於檢測輸出級(OS)的輸出過電流(IHS，ILS)的過電流檢測裝置(OCDM)，該過電流檢測裝置(OCDM)包括-水平檢測裝置(LDM)，用於檢測超出第一輸出電流水平(IDET)的輸出電流(IO)水平，和-定時檢測裝置(TDM)，用於檢測輸出電流(IO)超出作為最大電流水平的第一電流水平(IDET)的持續時間。
2. 根據權利要求1所述的電子器件，其中輸出級(OS)包括高 側輸出器件(THS)和低側輸出器件(TLS)，且過電流檢測裝置(OCDM)進一步包括電流差檢測裝置(CDDM)，用於檢測流經低側輸出器件(TLS) 的低側輸出電流(ILS)和流經高側輸出器件(THS)的高側輸出電流(IHS)之差，其中電流差檢測裝置(CDM)檢測電流之差是否超出 預定的第一電流水平(IDET)。
3. 根據權利要求2所述的電子器件，其中過電流檢測裝置 (OCDM)包括第一比較裝置，用於確定低側輸出電流(ILS)和高側輸出電流(IHS)之差是否超出預定的正的第一電流水平(IDET); 和第二比較裝置，用於確定低側輸出電流(ILS)和高側輸出電流(IHS) 之差是否超出預定的負的第二電流水平(-IDET)。
4. 根據權利要求3所述的電子器件，在其中第一和第二比較裝置 被操作性地耦合到定時檢測裝置(TDM)，定時檢測裝置(TDM)包 括單個定時器，該定時器被操作性地耦合到第一和第二比較裝置。
5. 根據權利要求1或2所述的電子器件，進一步包括陰極射線管 (CRT),其中輸出級(OS)被耦合到陰極射線管(CRT)的陰極。
6. 根據權利要求5所述的電子器件，至少部分用絕緣體上矽技術 實現。
7. —種顯示裝置，包括根據權利要求l， 5或6所述的電子器件。
8. —種用於檢測電子器件的放大器輸出級(OS)的過電流的方 法，該方法包括以下步驟-—檢測超出第一輸出電流水平(IDET)的輸出電流(10， IHS， ILS)水平，和—檢測輸出電流(IO， IHS， ILS)超出第一輸出電流水平(IDET)的持續時間。
9. 根據權利要求8所述的方法，其中輸出級(OS)包括高側輸 出器件(THS)和低側輸出器件(TLS)，並且檢測超出第一輸出電流 水平(IDET)的輸出電流水平的步驟包括-一確定流經低側輸出器件(TLS)的低側輸出電流(ILS)和流 經高側輸出器件(THS)的高側輸出電流(IHS)之差，和一檢測所確定的電流之差是否超出預定的第一電流水平 (IDET)。
10. 根據權利要求9所述的方法，其中檢測所確定的電流之差是 否超出預定的第一電流水平(IDET)的步驟進一步包括如下步驟—將低側輸出電流(ILS)和高側輸出電流(IHS)之差與正的 第一電流水平(IDET)進行比較，禾口一將低側輸出電流(ILS)和高側輸出電流(IHS)之差與負的 第二電流水平(-IDET)進行比較。
全文摘要
本發明提供了具有放大器輸出級(OS)和用於檢測該輸出級(OS)的輸出過電流(IHS，ILS)的過電流檢測裝置(OCDM)的電子器件。該過電流檢測裝置(OCDM)包括用於檢測超出第一輸出電流水平(IDET)的輸出電流(IO)的水平檢測裝置(LDM)和用於檢測所述輸出電流(IO)超出作為最大電流水平的第一電流水平(IDET)的持續時間的定時檢測裝置(TDM)。
文檔編號H03F1/52GK101273526SQ200680035128
公開日2008年9月24日 申請日期2006年9月19日 優先權日2005年9月26日
發明者保盧斯·P·F·M·布魯因, 邁克·H·斯普利託夫 申請人:Nxp股份有限公司