複合傳感器、電子設備的製作方法

2023-05-13 04:47:41 2

專利名稱：複合傳感器、電子設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及將加速度傳感器元件、振動型角速度傳感器元件等多個傳感器元件收 容於同一封裝件的複合傳感器及電子設備。
背景技術：
用於複合傳感器中的傳感器元件根據種類其尺寸或最佳使用環境不同。例如，在 檢測可動部的動作的加速度傳感器元件中，從過渡響應或耐衝擊性的觀點來說，要求低Q 值。另一方面，在振動型角速度傳感器元件中，要求比加速度傳感器元件高的Q值。任意一 種傳感器元件都具備可動部，Q值的設計利用圍繞傳感器元件的可動部的氣體的粘性而進 行，因此，需要改變圍繞每個傳感器元件的氣體的壓力。具體而言，加速度傳感器元件利用氣體所引起的阻尼效果，因此，需要在大氣壓附 近進行密封，振動型角速度傳感器元件減少氣體產生的影響，因此，需要進行減壓密封。另外，通常，加速度傳感器元件的尺寸從其構造角度來說比振動型角速度傳感器 元件的尺寸小。已知有將加速度傳感器元件與角速度傳感器元件收容於同一封裝件的複合傳感 器(例如，參照專利文獻1)。另外，已知有將加速度傳感器晶片(元件)與角速度傳感器晶片(元件)設置於 同一基板的結構(例如，參照專利文獻2)。專利文獻1日本特開2002-5950號公報(第4頁，圖1)專利文獻2日本特開平10-10148號公報(第3頁，圖1)然而，在將加速度傳感器元件與角速度傳感器元件收容於同一封裝件時，雖然獲 得耐外部衝擊強的構造，但沒有將圍繞各傳感器元件的氣體調節到最佳壓力。因此，當將封 裝件整體在大氣壓下密封時，角速度傳感器元件的Q值降低，特性惡化。另一方面，當將封 裝件整體減壓密封時，加速度傳感器元件的Q值變大，過渡響應特性產生問題。另外，在將 加速度傳感器元件與角速度傳感器元件設置於同一基板的情況下，雖然能夠實現小型化、 低成本化，但這種情況也沒有將圍繞各傳感器元件的氣體調節到最佳壓力。進而，若在封裝件內設置存在壓力差的多個空間，則在壓力不同的空間之間產生 洩漏，難以抑制長期的特性變動。

發明內容
本發明為了解決上述課題中的至少一部分而提出，能夠通過以下的方式和適用例 來實現。 [適用例1] 一種複合傳感器，其具備包括收容器和蓋體的封裝件；至少由所述收容器與所 述蓋體劃分的壓力不同的多個空間；配置於壓力高的空間與壓力低的空間的種類不同的傳 感器元件。另外，在某種實施方式中，所述複合傳感器的特徵在於，具有封裝件，所述封裝件具備具有第一氣壓的第一空間；具有比所述第一氣壓低的第二氣壓的第二空間，其中， 在所述第一空間配置有加速度傳感器元件，在所述第二空間配置有振動型角速度傳感器元 件，所述第一空間的容積比所述第二空間的容積小。根據該適用例，在封裝件中形成壓力不同的空間，根據壓力配置種類不同的傳感 器元件，因此，能夠充分發揮各傳感器元件的特性。另外，壓力不同的多個空間至少由構成 封裝件的收容器與蓋體劃分，因此，沒有必要在封裝件中裝入其他封裝件而形成壓力不同 的空間。不另外需要多餘的部件，從而能夠獲得小型化、低成本化的複合傳感器。這裡，種類不同的傳感器元件是指檢測對象、檢測原理不同的傳感器元件。例如是 指與驅動對應最佳的Q值不同的傳感器元件。[適用例2]以上述複合傳感器為基礎，本適用例的複合傳感器的特徵在於，所述壓力高的空 間與所述壓力低的空間相比容積小，且配置有加速度傳感器元件，在所述壓力低的空間配 置有振動型角速度傳感器元件。在該適用例中，由於在壓力高的空間配置有加速度傳感器元件，因此，獲得低Q 值，在壓力低的空間配置有振動型角速度傳感器元件，因此，獲得高Q值，從而能夠充分發 揮加速度傳感器元件及振動型角速度傳感器元件的特性。另外，由於壓力低的空間的容積大，因此，即使產生同量的洩漏，也能夠減小對壓 力的影響，從而能夠抑制振動型角速度傳感器元件的長期的特性變動。進而，壓力高的空間的容積小，且配置有與振動型角速度傳感器元件相比小型的 加速度傳感器元件，因此，獲得更小型的複合傳感器。[適用例3]以上述複合傳感器為基礎，本適用例的複合傳感器的特徵在於，在形成所述壓力 高的空間的壁及形成所述壓力低的空間的壁的至少一方設有貫通孔。在該適用例中，當在形成壓力低的空間的壁設有貫通孔時，在形成封裝件後，通過 將封裝件整體置於減壓環境下，從而能夠從貫通孔進行壓力低的空間的減壓，同時獲得壓 力高的空間與壓力低的空間。另一方面，當在形成壓力高的空間的壁設有貫通孔時，在減壓的同時接合收容器 與蓋體，將貫通孔設置在形成壓力高的空間的壁上，從而也能夠導入氣體並設置空間之間 的壓力差。[適用例4]以上述複合傳感器為基礎，本適用例的複合傳感器的特徵在於，形成所述壓力高 的空間的底面的高度與形成所述壓力低的空間的底面的高度彼此不同。在本適用例中，配置種類不同的傳感器元件的空間的底面不位於同一面內，由此， 能夠降低各傳感器元件的振動引起的相互作用。另外，壓力高的空間和壓力低的空間的位 置關係的自由度增加，能夠使收容器與蓋體的接合簡單。[適用例5]以上述複合傳感器為基礎，本適用例的複合傳感器的特徵在於，所述收容器及所 述蓋體中至少一方由層疊構造構成。在該適用例中，用於獲得由收容器與蓋體劃分的壓力不同的多個空間的收容器及蓋體的形狀不需要通過成形而能夠通過層疊容易地獲得。另外，即使在容易產生洩漏的層 疊構造中，也能夠達成所述效果。 另外，也可以將所述複合傳感器用於電子設備。在該適用例中，能夠提供一種抑制 傳感器元件的長期的特性變動的電子設備。


圖1的(a)是第一實施方式中的複合傳感器的簡要俯視圖，(b)是沿(a)中A_A的 簡要剖面圖。圖2是表示空氣的壓力與有效粘性係數的關係的圖。圖3是變形例1中的複合傳感器的簡要剖面圖。圖4的(a)是加速度傳感器的簡要俯視圖，(b)是沿(a)中A-A的簡要剖面圖，(c) 是沿(a)中B-B的簡要剖面圖。圖5是第二實施方式中的複合傳感器的簡要剖面圖。圖6是第三實施方式中的複合傳感器的簡要剖面圖。圖7是第四實施方式中的複合傳感器的簡要剖面圖。圖8是變形例2中的複合傳感器的簡要剖面圖。圖9是第五實施方式中的複合傳感器的簡要剖面圖。符號說明10收容器12貫通孔16、19、58形成壓力高的空間的底面20、23 蓋體30封裝件32側壁部40作為種類不同的傳感器元件的加速度傳感器元件50,60作為種類不同的傳感器元件的振動型角速度傳感器元件80作為壓力不同的多個空間的壓力低的空間(容積大的空間)90作為壓力不同的多個空間的壓力高的空間(容積小的空間)100、200、300、400、500、600 複合傳感器111作為壁的底面及形成壓力低的空間的底面
具體實施例方式以下，參照附圖對實施方式進行詳細說明。(第一實施方式)圖1表示本實施方式的複合傳感器100的簡圖。(a)是簡要俯視圖，(b)是沿(a) 中A-A的簡要剖面圖。在圖1中，複合傳感器100具備由收容器10與蓋體20構成的大致長方體的封裝件 30。在封裝件30中收容有加速度傳感器元件40和兩個振動型角速度傳感器元件50、60。收容器10具有凹部11，在凹部11的開口部的周圍形成有階梯部101。另一方面，蓋體20具有凸部21。蓋體20以凸部21進入收容器10的凹部11的方式與收容器10的階 梯部101組合，並通過結合件35進行接合。在凸部21的上表面211與凹部11的底面111之間設有框型的密封部件70。在本實施例中，第一空間90 (比第二空間80容積小的空間)及第二空間80 (比第一空間90容 積大的空間)通過例如密封部件70劃分而形成。此外本實施例的密封部件70作為劃分第 一空間與第二空間的劃分部發揮作用。在圖1的(a)中，容積小的空間90位於偏離容積大的空間80的中心的位置，也可 以配置在容積大的空間80的中心。加速度傳感器元件40配置在容積小的空間90。加速度 傳感器元件40可以是1軸、2軸、3軸中任意一種的加速度傳感器。振動型角速度傳感器元件50、60配置在容積大的空間80。振動型角速度傳感器元 件50與振動型角速度傳感器元件60正交配置，能夠測定兩個方向的角速度。收容器10及蓋體20可以由陶瓷、玻璃等絕緣體或金屬形成。另外，也可以通過成 形樹脂而形成。在使用樹脂的情況下，優選使用透溼率低的液晶聚合物。若蓋體20的材質優選與收容器10的材質相同，則不會因熱膨脹係數不同而產生 的應力導致蓋體20與收容器10的剝落等。接合收容器10與蓋體20的接合件35可以使用焊錫、低熔點玻璃、粘接劑等。在作為收容器10的容積大的空間80的壁的底面111設有貫通孔12。在從貫通 孔12對容積大的空間80內進行減壓後，由密封部件13密封貫通孔12，容積大的空間80被 減壓密封而變成壓力低的空間80。容積小的空間90不特別進行減壓而變成壓力高的空間 90。壓力高的空間90形成接合收容器10與蓋體20時的氣氛的壓力。因此，可以在將壓力 高的空間90的壓力進一步提高而變成比常壓高的壓力中，進行收容器10與蓋體20的接 合。這裡，可以說壓力高的空間90具有第一氣壓，壓力低的空間80具有比第一氣壓低的第 二氣壓。以下，容積大的空間80與壓力低的空間80表示同一空間，容積小的空間90與壓 力高的空間90表示同一空間。如上所述的本實施方式具有以下效果。(1)由於在封裝件30中形成壓力高的空間90與壓力低的空間80，在壓力高的空 間90配置有加速度傳感器元件40，因此，獲得低Q值，在壓力低的空間80配置有振動型角 速度傳感器元件50、60，因此，獲得高Q值，從而能夠充分發揮加速度傳感器元件40及振動 型角速度傳感器元件50、60的特性。(2)由於壓力高的空間90與壓力低的空間80由至少構成封裝件30的收容器10 與蓋體20劃分，因此，不需要在封裝件30中裝入其他封裝件而形成不同壓力的空間，不另 外需要多餘的部件，從而能夠獲得實現小型化、低成本化的複合傳感器100。(3)由於壓力低的空間80的容積大，因此，即使產生相同量的洩漏也能夠減小對 壓力的影響，從而能夠抑制振動型角速度傳感器元件50、60的長期的特性的變動。以下，更詳細地說明因洩漏產生的特性變動。圖2是表示空氣的壓力與有效粘性係數的關係的圖。橫軸表示壓力，縱軸表示有 效粘性係數。在圖2中，在大氣壓附近因壓力變動而受到影響的空氣的粘性係數的變化小，因此可以說加速度傳感器元件40的特性變動小。即可知，不易受到洩漏的影響。反之，在收納振動型角速度傳感器元件50、60的減壓環境下，例如在10 IOOPa中，振動型角速度傳 感器元件50、60容易受到洩漏的影響。因此可知，洩漏對壓力低的空間80的影響大。(4)由於壓力高的空間90的容積小，配置有與振動型角速度傳感器元件50、60相 比小型的加速度傳感器元件40，因此，能夠獲得更小型的複合傳感器100。(5)由於在形成壓力低的空間80的壁設有貫通孔12，因此，在形成封裝件30後， 將封裝件30整體置於減壓環境下，由此，從貫通孔12進行壓力低的空間80的減壓，從而能 夠同時獲得壓力高的空間90與壓力低的空間80。(變形例1)圖3示出了將收容器10製成絕緣體基板14、例如陶瓷板的層疊結構的情況的簡要 剖面圖。此外，省略了貫通孔12及密封部件13。在圖3中，在將收容器10製成絕緣體基板 14的層疊構造時，可以將第一實施方式中的密封部件70置換為絕緣體基板14。除在收容器10沒有形成承受蓋體20的階梯部101這一點之外，形狀、構造等其他 方面與第一實施方式大致相同。在變形例1中，蓋體20與絕緣體基板14通過接合件35接
I=I O收容器10及蓋體20可以通過將陶瓷、玻璃等絕緣體的基板層疊多片而形成。
本變形例具有以下效果。(6)用於獲得由收容器10和蓋體20劃分的壓力高的空間90及壓力低的空間80 的收容器10及蓋體20的形狀不需要通過成形而能夠通過層疊容易地獲得。另外，即使在 容易發生洩漏的層疊構造中，也能夠達成所述效果。作為加速度傳感器元件40，可以使用例如以下說明的加速度傳感器元件800。圖4示出了加速度傳感器元件800的簡圖。(a)是加速度傳感器元件800的簡要 俯視圖，(b)是沿(a)中A-A的簡要剖面圖，(c)是沿(a)中B-B的簡要剖面圖。圖中表示 X、Y、Z軸方向。另外，圖中的雙向箭頭表示加速度檢測方向，X軸方向為加速度檢測方向。在圖4中，加速度傳感器元件800具備支承體810與可動部820。支承體810具備基板830和形成在基板830上的支承部840。另外，可動部820也 形成在基板830上。基板830由矽基板構成，為了在與可動部820之間保持間隔，在基板830的與可動 部820對置的面上形成有凹部831。凹部831的深度滿足即使在可動部820的Z軸方向 施加衝擊，可動部820向基板830側撓曲也不會產生碰撞。可動部820及支承部840利用例如由構成形成於基板830上的其他區域的作為 集成電路的CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor互補金屬氧化物半導體) 集成電路的配線層850、層間絕緣膜860等構成的層疊構造而形成。作為配線層850，可以 使用例如Al、Cu、Al合金、Mo、Ti、W、Pt等。配線層850還包括在形成CMOS集成電路之際 使用的由TiN、Ti、Tiff, TaN、WN、VN、ZrN, NbN等構成的阻障膜、由TiN、Ti等構成的反射防 止膜。另外，配線層850還包括CMOS的柵電極。柵電極由含有雜質的多晶矽、矽化物、W 等構成。作為層間絕緣膜860，可以使用Si02、TEOS (Tetraethoxysilane四乙氧基矽烷)、BPSG(Borophosphosilicate Glass硼磷矽玻璃)、NSG(Non-doped silicon glass無摻雜矽 玻璃)、S0G(Spin on glass旋制氧化矽玻璃)等。另外，層疊構造也可以包括形成在CMOS 集成電路的最外表面的由SiN、SiO2等構成的保護膜。Al等的配線層850可以通過濺射、真空蒸鍍、CVD (Chemical VaporDeposition化 學氣相沉積)等形成，SiO2等的層間絕緣膜860可以通過CVD、熱氧化、旋塗及燒成等形成。此外，可動部820及支承部840並不局限於利用CMOS集成電路的層疊構造而形 成，也可以獨自形成層疊構造。另外，可動部820及支承部840也可以不具備層疊構造，而由單晶矽形成。支承部840在基板830上形成為大致矩形的框體。支承部840具備固定電極841。 固定電極841在支承部840的一個對置的內表面的大致中央朝向框體的內側形成。固定電 極841的形狀為板狀的長方體。可動部820具備可動電極821、配重部822與彈簧部823、824。配重部822的形狀 形成為大致長方體。可動部820經由支承體的沒有形成固定電極841的剩餘的一對內表面 和兩個彈簧部823、834，保持在大致矩形的框體即支承部840所圍成的大致中心兩處。彈簧部823、824是通過使對置的兩個板簧面對，而在兩端固定的構造。兩個板簧 中的一個板簧與支承部840連接，另一個板簧與配重部822連接。可動電極821形成在配重部822的與固定電極841對置的位置上。可動電極821 也與固定電極841同樣為板狀的長方體。可動電極821與固定電極841隔著間隙870使各自的長方體的寬面面對而對置， 而在電極之間獲得電容。可動電極821與固定電極841的對隔著配重部822而設置對置的兩處，構成當一 側的間隔變寬時另一側的間隔變窄的差動檢測型。在間隙870的緣部871設有狹窄部872。狹窄部872通過如下方法設置在位於 固定電極841的與基板830相反的一側的一邊上的緣部842形成朝向可動電極821的凸部 843。在圖4中，凸部843利用配線層850而形成，但也可以在層間絕緣膜860位於緣部 842的情況下利用層間絕緣膜860來形成凸部843。在圖4的(c)中，凸部843設置在沿固定電極841的Y軸方向延伸的緣部842。在 這種情況下，如圖4的(b)所示，固定電極841的截面形狀成L字型。狹窄部872也可以設置在緣部842的基板830側的緣部844。另外，也可以設置在 兩側的緣部842、844。在這種情況下，固定電極841的截面形狀成凹形的槽。進而，可以在 可動電極821形成凸部843而設置狹窄部872，也可以設置在兩側的緣部842、844之間。與CMOS集成電路一起，在基板830上形成加速度傳感器元件800的情況下的各結 構要素的尺寸沒有特別限定，例如如下所述。可動部820及支承部840的層疊構造的厚度為幾μ m左右，支承部840為幾mm角 左右的框體。層疊構造的各層為Iym左右。可動電極821與固定電極841的電極間距離 即間隙870的寬度為幾μπι左右。另外，配重部822的質量為幾X 10_6g左右。若使用加速度傳感器元件800，則在施加固定電極841與可動電極821之間的距離 變化的X軸方向的加速度時，存在於固定電極841與可動電極821的間隙870的氣體的流動受到設置於間隙870的緣部871的狹窄部872抑制，產生與設有狹窄部872的方向不同 的向Y軸方向的流動。在由該氣體流動所產生擠壓模阻尼的作用下，即使降低壓力高的空 間90的壓力，也能夠獲得大的衰減常數C。因此，能夠構成降低壓力低的空間80與壓力高 的空間90之間的壓力差的結構，能夠將壓力低的空間80與壓力高的空間90的隔壁部即密 封部件70及絕緣體基板14製成較薄，從而能夠實現複合傳感器100的小型化、低成本化。具有能夠利用擠壓模阻尼的構造的加速度傳感器元件並不局限於加速度傳感器 元件800，也能夠獲得同樣的效果。(第二實施方式)圖5表示本實施方式中的複合傳感器200的簡要剖面圖。對與第一實施方式相同的結構要素標註相同的符號。以下，主要對與第一實施方式不同的點為中心進行說明。此 夕卜，省略了貫通孔12及密封部件13。圖5中的複合傳感器200的構造相對於第一實施方式所示的複合傳感器100，在收 容器10的底面111還設有凹部15。另外，蓋體20的凸部22的高度比第一實施方式所示的凸部21高，在組合收容器 10與蓋體20而進行接合之際，凸部22的上表面221與凹部11的底面111接觸，從而閉塞 凹部15，形成容積小的空間(壓力高的空間)90。在形成容積小的空間90的底面16配置 有加速度傳感器元件40。此外，本實施例中的劃分部由蓋體20的凸部22構成。如上所述的本實施方式除上述效果以外，還具有以下的效果。(7)通過將形成配置有加速度傳感器元件40的容積小的空間(壓力高的空間)90 的底面16與形成配置有振動型角速度傳感器元件50、60的容積大的空間(壓力低的空 間)80的底面111不設置在同一面內，從而能夠降低各傳感器元件的振動所產生的相互作 用。(8)由於容積小的空間90的大部分由作為一個構造體的收容器10的凹部15構 成，因此，能夠減少向容積大的空間(壓力低的空間)80的洩漏路徑，進一步抑制洩漏。(第三實施方式)圖6表示本實施方式中的複合傳感器300的簡要剖面圖。對與第一實施方式相同 的結構要素標註相同的符號。以下，主要對與第一實施方式不同的點進行說明。此外，省略 了貫通孔12及密封部件13。在本實施方式中，在收容器10的凹部11設有凸部17，在凸部17設有凹部18。由 側壁部32上的焊接部31將一片板即蓋體23焊接在上述的收容器10上，由此，獲得形成有 容積大的空間80與容積小的空間90的封裝件30。在形成容積小的空間90的底面19配置有加速度傳感器元件40。此外，本實施例 中的劃分部由收容器10的側壁部32構成。如上所述的本實施方式除上述效果以外，還具有以下效果。(9)容積大的空間(壓力低的空間)80與容積小的空間(壓力高的空間)90的位 置關係的自由度增加，能夠將收容器10與蓋體23的焊接部31設置在相同面內，從而能夠 容易地進行縫焊。(第四實施方式)圖7示出了本實施方式中的複合傳感器400的簡要剖面圖。對與第三實施方式相同的結構要素標註相同的符號。以下，主要對與第三實施方式不同的點進行說明。此外，省 略了貫通孔12及密封部件13。在本實施方式中，使用配線用基板51、61將振動型角速度傳感器元件50、60安裝 在凹部11的側面，改變檢測軸。(變形例2)圖8表示本變形例中的複合傳感器500的簡要剖面圖。對與第三實施方式相同的 結構要素標註相同的符號。此外，省略了貫通孔12及密封部件13。以下，主要對與第三實 施方式不同的點進行說明。在本變形例中，配線用基板56配置在底面111，代替了第三實施方式中的凸部17。在配線用基板56形成有凹部57代替第三實施方式中的凹部18，在形成由凹部57 與蓋體23所圍成的容積小的空間90的底面58收容有加速度傳感器元件40。振動型角速度傳感器元件50、60安裝在配線用基板56的側面。如上所述的本實施方式、本變形例具有以下效果。(10)能夠改變振動型角速度傳感器元件50、60的檢測軸。(第五實施方式)圖9是表示本實施方式中的複合傳感器600的簡要剖面圖。對與第一實施方式相 同的結構要素標註相同的符號。此外，省略了貫通孔12及密封部件13。以下，主要對與第 一實施方式不同的點進行說明。在本實施方式中，收容器10為H型構造，與凹部11對置而形成有凹部18。在凹 部18的底面181例如通過熱硬化性樹脂710埋入有倒裝式安裝的傳感器信號處理用集成 電路700。如上所述的本實施方式具有以下效果。(11)還包括傳感器信號處理用集成電路700，從而能夠獲得更小型的複合傳感器 600。除上述實施方式以外，還可以進行各種變更。例如，容積小的空間90內的氣體可以是空氣以外的He、Ne等稀有氣體、氮氣等。 使用比空氣粘性係數大的介質，從而得到更大的阻尼效果。另外，在減壓的同時對收容器10與蓋體20、23進行接合，將貫通孔12設置在形成 容積小的空間90的壁上，從而也能夠導入氣體並設置壓力差。另外，封裝件30、容積小的空間90等並不局限於立方體形，也可以是圓柱形狀等。進而，傳感器信號處理用集成電路700可以收容在容積大的空間與容積小的空間 中任一空間或兩個空間。本申請發明並不局限於上述實施例，本申請發明的複合傳感器100也可以適用於 數位相機、汽車導航系統、可攜式電話、移動PC及遊戲控制器等電子設備。通過使用本申請 發明的複合傳感器，能夠實現抑制傳感器元件長期的特性變動的電子設備。
權利要求
一種複合傳感器，其特徵在於，具有封裝件，所述封裝件具備具有第一氣壓的第一空間；具有比所述第一氣壓低的第二氣壓的第二空間，在所述第一空間配置有加速度傳感器元件，在所述第二空間配置有振動型角速度傳感器元件，所述第一空間的容積比所述第二空間的容積小。
2.根據權利要求1所述的複合傳感器，其特徵在於， 所述封裝件具有收容器、蓋體以及劃分部，所述第一空間及所述第二空間由所述劃分部劃分。
3.根據權利要求1或2所述的複合傳感器，其特徵在於，在形成所述第一空間的壁及形成所述第二空間的壁的至少一方設有貫通孔，所述貫通 孔由密封部件密封。
4.根據權利要求1 3中任一項所述的複合傳感器，其特徵在於，形成所述第一空間的底面的高度與形成所述第二空間的底面的高度彼此不同。
5.根據權利要求1 4中任一項所述的複合傳感器，其特徵在於， 所述收容器及所述蓋體中至少一方由層疊構造構成。
6.一種電子設備，其使用了權利要求1 5中任一項所述的複合傳感器。
全文摘要
本發明提供一種能夠發揮各傳感器元件的特性且抑制長期的特性變動的小型的複合傳感器及電子設備。所述複合傳感器在封裝件(30)形成有壓力高的空間(90)與壓力低的空間(80)，在壓力高的空間(90)配置有加速度傳感元件(40)，因此，獲得低的Q值，在壓力低的空間(80)配置有振動型角速度傳感器元件(50)、(60)，因此，獲得高的Q值，從而能夠充分發揮加速度傳感元件(40)及振動型角速度傳感器元件(50)、(60)的特性。
文檔編號G01P15/125GK101806812SQ20101011743
公開日2010年8月18日 申請日期2010年2月20日 優先權日2009年2月17日
發明者押尾政宏 申請人:精工愛普生株式會社