真空感應熔煉用冷坩堝系統的製作方法
2023-05-25 16:40:21 1
專利名稱：真空感應熔煉用冷坩堝系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種真空感應熔煉用的冷坩堝系統，尤其是具有改進懸浮能力的高效
率冷坩堝系統。
背景技術：
在熔煉技術中，真空感應熔煉技術屬於比較先進的熔煉技術，它排除了熔煉過程中氣氛和加熱源對爐料的汙染，能製備純度較高的產品。但是，坩堝材料仍然能同爐料產生反應。為了製備對純度要求特別高的產品和熔煉活潑材料，上世紀末出現了懸浮熔煉技術，又稱為冷坩堝真空感應熔煉技術(以下簡稱為"感應冷坩堝技術")——它用金屬(大多為紫銅)坩堝代替陶瓷材料坩堝，並通過電磁場產生一定的懸浮熔煉效果，從而完全排除了坩堝材料的汙染作用。為防止金屬坩堝本身被熔化，這種坩堝必須用水或其它冷卻劑冷卻。
對感應冷坩堝技術的要求主要在兩個方面 第一是對產品的要求——純度高是對懸浮熔煉最突出的要求，而成分準確、均勻和成材率高則是對熔煉技術的基本要求； 第二是對能量效率的要求——這一點對冷坩堝技術特別重要，因為坩堝中循環運行的冷卻水傾向於攜帶和消耗大量能量，這導致冷坩堝技術需要的電源功率本來就大大超過其它熔煉技術，如果由於設計不合理而進一步降低了效率，那就會導致熔煉過程無法進行。 實現這兩個要求的關鍵因素是懸浮能力。如果懸浮能力不足，熔體同坩堝呈接觸或半接觸狀態，這首先將導致汙染發生，取消了懸浮熔煉保證產品純度的關鍵優點；第二是引起爐料溫度降低，熔化不充分，形成凝殼，導致產品成分偏離，成分和組織不均勻，成材率降低；第三是導致熔體的熱量通過坩堝壁被冷卻水大量攜帶，能量消耗大幅度增加。此外，熔體同坩堝接觸還會導致坩堝燒損，引起事故和增加設備成本。 電磁場效果是獲得懸浮能力的保證。良好的電磁場效果取決於幾個因素第一是坩堝設計，包括提供電磁場進入坩堝的途徑和電磁場產生懸浮力的方式兩方面；第二是附屬部件設計，它們不應該阻擋電磁場進入坩堝，不應該吸收電磁場的能量；第三是電磁場特性設計，包括電磁場頻率設計和場強分布設計。 如圖l所示，主感應圈(01)產生的電磁場會被金屬吸收，在封閉的金屬坩堝內電磁場的強度等於零。所以，坩堝設計的關鍵首先是要在金屬坩堝內獲得加熱爐料的電磁場。解決辦法是把坩堝側壁(02)設計成分瓣結構——在坩堝側壁留出若干與坩堝軸線A平行的縫隙C。這樣，就能有相當比例的電磁場B進入坩堝內部。但是，為了保持坩堝的整體性，以往的冷坩堝在其底部(03)沒有縫隙，或者雖然有縫隙，但縫隙不貫穿底部的整個厚度。這使電磁場無法貫穿坩堝底，使坩堝底部空間的電磁場十分微弱。所以，當坩堝內中、上部的爐料能熔化形成熔體(06)時，底部的爐料卻往往熔化不充分而形成凝殼(07)(見圖l和圖2)。此外，這種坩堝底吸收電磁場而形成渦流，使電磁能的很大一部分轉變成熱能，額外地增大了能量消耗。
坩堝設計的技術關鍵之二是如何產生使熔體懸浮的力。在通常的感應冷坩堝技術中，懸浮能力只出現在熔體(06)的周邊——平行於坩堝軸A的磁場B對於沿熔體周邊表層環繞A軸的渦流I產生電磁力F，它的方向指向坩堝軸(見圖2)。力F使熔體脫離坩堝側壁向坩堝的中心軸壓縮，而熔體重力產生的垂直於表面的壓力P使熔體向外擴展。由於P隨熔池深度增加而增大，所以，在這兩種力相互平衡的作用下，熔體(06)就形成了上端細，下端粗的形狀。 上面的分析表明，處於某一位置的熔體獲得懸浮能力的條件取決於以下條件在這個位置a.是否有電磁場；b.是否有渦流；c.電磁場同渦流產生的力在垂直於坩堝內壁的方向上是否有分力(即下文稱其為"懸浮力")。根據這些判斷原則對坩堝底部的分析表明，在以往的冷坩堝中，即便在坩堝底部有熔體，它也幾乎得不到懸浮力。其原因包括在坩堝底部幾乎沒有電磁場，當然也就沒有電磁力；以往的冷坩堝的底面是平面，或大體是平面，這樣，即便在坩堝底部有電磁場，它引起的渦流也只在熔體底面的邊緣，底面的內部則沒有渦流；即便有電磁場和渦流，電磁場對渦流的作用力的方向平行於底面，它在垂直於底面的方向上沒有分量(見圖2)。 關於冷坩堝系統中的其它部件的設計問題，首先是水套設計。以往的水(04)套一般都製作在坩堝底的下端面，它對電磁場進入坩堝形成了嚴重的障礙，而且它大量吸收電磁場形成渦流，將大部分電磁場的能量轉變成熱能而傳送給冷卻水。組裝坩堝的一些裝配件有時也會產生相似的問題。 綜上所述，傳統冷坩堝系統的坩堝設計和附屬部件設計均有一些不合理的缺點。
發明內容
為了提高感應冷坩堝技術懸浮爐料熔體的效果，本發明改進了冷坩堝系統的結構設計一是不僅坩堝的側壁分瓣，坩堝底也分瓣，各瓣之間有貫穿坩堝壁厚的縫隙C，使坩堝內靠近底部區域的電磁場不發生明顯衰減；二是把坩堝底設計成有一定的斜度，使爐料熔體的底面也受到產生懸浮作用的電磁力；三是在坩堝底部設置感應圈，增大懸浮力；四是改變水套和裝配件的結構或取消水套，避免這些附屬部件對電磁場的阻擋和吸收。本發明涉及的冷坩堝系統特指真空感應熔煉技術中用金屬材料(包括紫銅)製作的各種冷坩堝系統，不管坩堝的截面是圓形、矩形、還是其它形狀，不管坩堝底與坩堝壁是否成一體結構，也不管坩堝底部是否留有下注口 。 本發明解決其技術問題所採用的技術方案包括以下幾項措施
1、所述冷坩堝系統不僅坩堝的側壁(02)要分瓣，各瓣之間有貫穿坩堝壁厚的縫隙C，而且坩堝底(03)也要有分瓣結構，分瓣的方式包括以坩堝軸為中心輻射分瓣(見圖8和圖9)，以平行線的方式分瓣(見圖10)，以蛇行線的方式分瓣，或以其它方式分瓣。無論用哪種分瓣方式，分瓣的縫隙都要平行於坩堝的軸線。分瓣之間的縫隙C要貫穿坩堝底的厚度(見圖3)。縫隙沿著底面的長度T至少要達到坩堝底面直徑S的1 1. 2倍，最好等於坩堝底面直徑S。這樣，電磁場才能在阻力較小的條件下通過坩堝底貫穿全部爐料，使底部爐料也能被充分加熱和熔化。 2、所述冷坩堝系統坩堝底(03)的內壁要有一定的斜度，內壁各點的斜度可以完全相同，也可以不完全相同。坩堝底的內壁可以是球冠面、圓錐面或有其它截面形狀的錐面，還可以是其它類型向下凹的斜面、曲面或具有複合形狀的面。 前面已經指出，電磁場能通過分瓣的坩堝底(03)進入坩堝，使爐料底部得到加熱
而形成熔體；有斜度的坩堝底使熔體底面存在渦流I，它在磁場B的作用下能產生方向指向
坩堝軸線A的作用力F，從而使熔體底面獲得脫離坩堝底面的懸浮能力(圖4. 1和4. 2)。 根據懸浮力等於力F在垂直於坩堝底面方向上的分力q(圖4. 3)，由於 q二FXSina(式中a是底面D對於水平方向W的傾角)，所以a越大則懸浮力
q越大。 但是，增大a會延長坩堝的尺寸，浪費昂貴的坩堝材料，增加坩堝的製造難度，也
增加了熔體的散熱面積。所以，除了在靠近坩堝側壁的區域和坩堝最底部的區域之外，坩堝
底面的斜度角a應該控制在IO。 80°的範圍，最好控制在30。 60°的範圍。 在坩堝底面分瓣和帶有斜度的情況下，熔體側面受到電磁作用力的情況與傳統冷
坩堝系統中的情況相似。 3、電磁力F總是垂直於磁力線B的。觀察圖5中熔體(06)底部表面點0處的磁場B和受力F。只有當主感應圈略微向下移動，0點處的B才與A平行，與A垂直的力F才沿水平方向W。上面一段的分析實際上是以這個條件為前提的。 當主感應圈略微向上移動，O點處的B則與A產生正交角P，力F與水平方向W的
交角P則偏向下方(圖5. l)，生產的懸浮力較小q = FX Sin a XSinP 。 為了使熔體底部得到懸浮力，最好使主感應圈的位置比正常位置偏低一些。例如，
使主感應圈的下端面比坩堝底的內壁低0. 05 0. 5H，最好低0. 10 0. 3H(H指坩堝的高度)。 使主感應圈大量向下移動能使O點處B的13角成為負角，這可以使力F與水平方向W的交角13偏向上方(圖5.2)，產生理想的懸浮作用。但是，這樣設置主感應圈的位置對爐料的整體熔化過程不利。 坩堝下方可以另外裝設一個與坩堝同軸線的輔助感應圈(08)(圖6)。輔助感應圈可以是圓錐形螺線管(見圖7. 1)、平面螺線管圖(見7.2)或直徑小於主感應圈的圓柱螺線管(見圖7.3)，還可以是其它形狀的螺線管。輔助感應圈的供電頻率與主感應圈的供電頻率可以不同，也可以相同。 這些輔助感應圈(08)能產生圖5. 2所期望得到的磁場。換一種解釋這些輔助感應圈產生的磁場B在坩堝底(03)附近的方向接近於平行坩堝底的內壁，它與熔體(06)底面渦流I產生的垂直於的作用力F'的方向就接近垂直於坩堝底(03)的內壁，向著斜上方，所以能產生得到增強的懸浮能力(圖7)。輔助感應圈還有其它有利作用，例如增強坩堝內底部區的電磁場強度，提高熔體底部的溫度；在坩堝底部留有下注口 (09)實行底鑄的情況下，輔助感應圈還有控制注口開閉，控制底鑄熔體流速等作用。 在裝有輔助感應圈的系統中，主感應圈(01)仍然要對熔體的側面和底面產生懸浮力F。輔助感應圈的設置附加了一個懸浮力F'，而且此力的方向對於懸浮作用更加有效。
4、坩堝底(03)的外壁可以是平面，也可以是帶有斜度的表面，其形狀可以與坩堝底內壁的相同，也可以不同。將坩堝底的外壁也製作成帶有斜度的外形(圖6和圖7)將有利於安裝輔助感應圈(09)，這使輔助感應圈更加靠近熔體(06)的底面，產生更加明顯的懸浮能力。
5、堝壁和坩堝底的冷卻通道的進口和出口分別通過進水導管和回水導管(10) (以下通稱為"冷卻導管")連接到進水水套和回水水套(04)(見圖8和圖9)。進水水套和 回水水套可以是分體結構，也可以連接在一起。水套一般裝在坩堝的上方或下方，也可以是 各在一方。此外，為了消除水套阻擋電磁場和產生渦流損失等不利影響，堝壁和坩堝底的冷 卻通道可以分別直接將進水導管接入進水總管和將回水管接入回水總管，取消水套(04)。
水套(04) —般是與坩堝共軸線的環狀腔體(見圖8和圖9)。但是，必須在環的某 個位置M處切斷，然後把兩個斷口分別焊死，對斷口間隙兩側的端面進行絕緣以避免形成 導電迴路。為了保證水套的剛度，可以用裝配件(11)結合水套環斷口的兩側，在裝配件與 水套之間可以襯以絕緣墊(12)，避免形成短路(見圖9)。 水套環(04)環內應該有足夠的空間，以便減小對於電磁場進入坩堝的阻礙；水套 的外形尺寸也不要太大，否則對電磁場也有阻擋作用。對於圓截面坩堝，水套環的內徑巧和 外徑r2應該按照巧> 0. 2R，最好> 0. 6R ;和r2《2R，最好《1. 5R的原則設計(R是坩堝的 內徑)(見圖8)。對於其它截面形狀的坩堝，水套尺寸可以參考圓截面坩堝的原則設計。
為了減少水套對電磁場能量的吸收，水套的位置應該離開坩堝端面一定的距離。 沿著坩堝軸線的方向，應該使水套離坩堝端面的距離S > 0. 02H，S > 0. 2H則更好。式中H 是坩堝的總高度(見圖8)。但是，當不大計較電磁場的能量損失時，水套(04)也可以裝在 離坩堝很近的位置，甚至直接裝在坩堝的端面。 本發明的有益效果是提高了電磁場的效果，其辦法包括通過坩堝底分瓣彌補了 以往坩堝底部電磁場微弱的缺陷；設計有斜度的坩堝底使底部的熔體能夠獲得懸浮力；在 坩堝下方設置感應圈，增強熔體底部的電磁場和懸浮力；改進水套和裝配件設計，在一些條 件下取消水套，防止這些部件阻擋和吸收電磁場。電磁場效果的提高導致熔體懸浮能力增 強，而良好的懸浮能力則是產品純度高，成分準確、均勻，成材率高等因素最重要的保證，是 大幅度提高熔煉過程的能量效率的先決條件。
下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。 圖1是傳統冷坩堝系統的結構示意圖(只在坩堝右側畫出了主感應圈)。 圖2是在傳統冷坩堝中，磁場作用於熔體表面的渦流產生作用力的示意圖。 圖3是實施例1的冷坩堝系統的結構示意圖(只在坩堝右側畫出了主感應圈)。 圖4. 1是在實施例1的冷坩堝中，磁場作用於熔體底面的渦流產生作用力的全貌 示意圖。 圖4. 2是在實施例1的冷坩堝中，磁場作用於熔體底面的渦流產生作用力的底部 放大圖。 圖4. 3是在實施例1的冷坩堝中，磁場作用於熔體底面的渦流產生作用力的熔體 底面受力F的分解示意圖。 圖5顯示主感應圈位於熔體(06)底部表面點0處的磁場B和受力F情況。 圖5. 1顯示主感應圈略向上移的磁場力F示意圖。 圖5. 2顯示主感應圈下移的磁場力F示意圖。 圖6是實施例2的冷坩堝系統的結構示意圖(只在坩堝右側畫出了主感應圈)。
圖7是在實施例2的冷坩堝中，磁場作用於熔體底面的渦流產生作用力的示意圖。 圖7. 1是安裝圓錐形輔助感應圈的冷坩堝系統的底部放大圖. 圖7. 2是安裝平面輔助感應圈的冷坩堝系統的底部放大圖。 圖7. 3是安裝圓柱輔助感應圈的冷坩堝系統的底部放大圖。 圖8是在實施例3的冷坩堝中水套設計的示意圖。 圖9是實施例3的冷坩堝系統包括水套和裝配件的結構示意圖。 圖10是實施例4的冷坩堝系統不使用水套的結構示意圖。 在以上各圖中，Ol.主感應圈，02.坩堝壁，03.坩堝底，04.水套，05.坩堝上的冷卻 通道，06.爐料熔體，07.爐料凝殼，08.輔助感應圈，09.坩堝下注口，IO.冷卻導管，ll.裝 配件，12.絕緣墊，13.冷卻總管，14.加固元件，15.高溫檔片。A是坩堝中軸線，B是電磁場 的磁力線，C是坩堝分瓣之間的縫隙，D是坩堝底面的方向線，E是坩堝底部不分瓣無縫隙的 部分，I是熔體表面的渦流，F是主感應圈磁場作用於熔體渦流產生的電磁力，F'是輔助感 應圈磁場作用於熔體渦流產生的電磁力，H是坩堝壁的高度，K是水套端面到坩堝端面的最 近的距離，M是水套和裝配件的切斷口， P是熔體重力產生的壓力，S是坩堝底面的直徑，T 是坩堝底面縫隙的線尺寸，W是水平面的方向線，a是坩堝內底面與水平面的夾角，q是力 F在垂直於熔體底面方向的分力，u是力F在平行於熔體底面方向的分力，R是坩堝內徑，巧 是水套環的內徑，r2是水套環的外徑。
具體實施方式
實施例1 : 實施例1的冷坩堝系統的結構見圖3。在此例中，紫銅冷坩堝的側壁(02)為圓筒 形，紫銅坩堝底(03)的內壁是半球面。此坩堝不僅側壁(02)分瓣，而且坩堝底(03)也分 瓣，分瓣之間的間隙C貫穿坩堝壁和坩堝底的厚度，在坩堝底，縫隙C的長度T等於坩堝底 的直徑S。 冷坩堝的這種結構使主感應圈(01)產生的電磁場能順利通過坩堝底(03)貫穿坩
堝的整個內部空間，使坩堝內包括坩堝底部的爐料能全部被加熱而完全熔化。 圖4. 1和圖4. 2顯示了在這種結構的坩堝中爐料的受力分析由於坩堝底(03)的
內壁有斜度，所以主感應圈(01)在坩堝中產生的電磁場B能在熔體(04)的底面感應出渦
流I。磁場B同渦流I相互作用，對於熔體底面產生了方向指向坩堝軸線的電磁力F， F克
服熔體的壓力P，使熔體底面脫離坩堝的底面，產生了懸浮能力。 考慮到主感應圈位置對熔體底面懸浮力的影響(圖5)，把主感應圈略微向下進行 了移動。 實施例2 : 實施例2的冷坩堝系統的結構見圖6。在此例中，雖然紫銅冷坩堝側壁(02)仍然 為圓筒形，但是紫銅坩堝底(03)的內、外表面都是圓錐面，圓錐角為120° (坩堝底對於水 平面的傾角為30。)。在坩堝底的尖端開有直徑2cm的下注口 (07)。 與實施例1相同的是坩堝不僅側壁(02)分瓣，而且坩堝底(03)也分瓣，分瓣之間 的間隙C貫穿坩堝壁和坩堝底的厚度，坩堝底的縫隙C貫穿坩堝底的直徑。這種結構使主 感應圈(01)產生的電磁場能順利通過坩堝底，使坩堝內的爐料能全部被加熱而完全熔化。主感應圈(01)對熔體底面產生懸浮力的情況也與實施例1的情況相似。 與實施例1不同，本實施例除了主感應圈(01)之外，在坩堝的下方還安裝了圓錐
形的輔助感應圈(06)。在坩堝底(02)的內壁，輔助感應圈產生的磁力線B的方向接近於與
此內壁平行。這樣，B與沿熔體底面環繞坩堝軸線A流動的感應渦流I相互作用，所產生的
作用力F'的方向就接近於垂直坩堝底的內壁，從而產生了更加顯著的懸浮作用(見圖7和
圖7.1)。 從圖7. 2和圖7. 3可見，在坩堝下方用平面螺線管或直徑小於主感應圈的圓柱螺 線管代替圓錐形螺線管時，對於懸浮力也能產生相似的作用。
實施例3 : 實施例3的冷坩堝系統的結構見圖8和圖9。圖8顯示了冷坩堝所使用的環型水 套的尺寸設計和位置設計，圖9則是該冷坩堝系統的實際結構。 該坩堝具有圓截面，紫銅製作。坩堝壁(02)分16瓣，直徑R二 120mm。坩堝底 (03)為分體結構，按輻射方向分為8瓣，有下注口，圓錐筒形，圓錐角為120° ，它直接裝在 坩堝壁的下端面。坩堝的總高度H二 250mm。 坩堝壁分為16瓣，每4片坩堝片是一個冷卻單元，加上坩堝底的一個單元，總計5 個冷卻單元。所以，坩堝有5支進水導管和5支回水導管(10)。坩堝壁的冷卻導管從坩堝 片側壁的下端引出，分別接入進水水套和回水水套(04)。 不鏽鋼水套(04)為環形腔體，內徑巧=100mm，外徑r2 = 160mm。水套在坩堝下 方，水套的上端面離坩堝的下端面的距離H二 100mm。 為了切斷渦流迴路，將水套製作了一個斷口 M。為了保證水套的剛度，用裝配件小
片(11)結合了斷口M兩側的水套，在小片與水套表面之間襯了絕緣墊(12)。 坩堝壁的上端面用環片形的紫銅裝配件(11)拼裝，在它與坩堝的表面之間襯了
絕緣墊(12)。為了切斷渦流迴路，也將裝配件環片製作了一個斷口M。用紫銅加固片(14)
結合了環片的斷口兩側，在加固片與裝配件環片之間也襯了絕緣墊(12)。為了防止熔體的
高溫直接輻射坩堝上口的絕緣片(12)，所以在坩堝片的上端頭製作了擋片(15)。 實施例4: 實施例四的冷坩堝系統的結構見圖10。 此例的冷坩堝由10片坩堝片組成，它們分成2組a、 b、 c、 d、 e是一組，其它坩堝 片是第二組。 這個坩堝只有4支從坩堝片引出冷卻導管(10)，所以，坩堝不設置水套，而是將冷 卻導管直接接入冷卻總管(13)——2支進水管接入進水總管；而2支回水管接入回水總管。
這種設計使坩堝的結構進一步簡化，而且消除了水套阻擋電磁場和產生渦流損失 等不利影響。
權利要求
真空感應熔煉用冷坩堝系統，包括坩堝壁、坩堝底、冷卻管道、主感應圈、輔助感應圈和水套，冷坩堝系統的側壁02和坩堝底03均為分瓣結構，各瓣之間有縫隙C，其特徵在於所述分瓣之間的縫隙C貫穿坩堝壁和坩堝底的厚度，縫隙C平行於坩堝的軸線，坩堝底03的內壁為帶有斜度的球冠面或錐面，主感應圈的下端面比坩堝底的內壁低0.05～0.5H，在坩堝下方設置有與坩堝同軸線的輔助感應圈08。
2. 根據權利要求l所述的真空感應熔煉用冷坩堝系統，其特徵在於在坩堝底部，所述 縫隙C沿著底面的長度T等於坩堝底直徑S的1 1. 2倍。
3. 根據權利要求1所述的真空感應熔煉用冷坩堝系統，其特徵在於坩堝內壁各點的 斜度可以完全相同，也可以不完全相同。
4. 根據權利要求1所述的真空感應熔煉用冷坩堝系統，其特徵在於坩堝底面內壁相 對於水平面的斜度角a在10° 80°之間，最好控制在30。 60°的範圍。
5. 根據權利要求1所述的真空感應熔煉用冷坩堝系統，其特徵在於坩堝底的外壁帶 有斜度。
6. 根據權利要求1所述的真空感應熔煉用冷坩堝系統，其特徵在於堝壁和坩堝底的冷卻通道分別通過進水導管或回水導管10與進水水套或回水水套04連接。
7. 根據權利要求1或6所述的真空感應熔煉用冷坩堝系統，其特徵在於堝壁和坩堝 底的冷卻通道可以分別直接將進水導管接入進水總管和將回水管接入回水總管。
8. 根據權利要求1或6所述的真空感應熔煉用冷坩堝系統，其特徵在於所述水套04 是與坩堝共軸線的環狀腔體，水套環中間切斷，斷口分別焊死並絕緣。
9. 根據權利要求1或6所述的真空感應熔煉用冷坩堝系統，其特徵在於水套04的位 置沿著坩堝的軸線方向，離坩堝端面的距離S > 0. 02H。
10. 根據權利要求l所述的真空感應熔煉用冷坩堝系統，其特徵在於所述主感應圈的 下端面比坩堝底的內壁低0. 1 0. 3H。
全文摘要
本發明涉及一種真空感應熔煉用的冷坩堝系統，尤其是具有改進懸浮能力的高效率冷坩堝系統，為了提高感應冷坩堝技術懸浮爐料熔體的效果，本發明改進了冷坩堝系統的結構設計一是不僅坩堝的側壁分瓣，坩堝底也分瓣，使坩堝內靠近底部區域的電磁場不發生明顯衰減；二是把坩堝底設計成有一定的斜度，使爐料熔體的底面也受到產生懸浮作用的電磁力；三是在坩堝底部設置感應圈，增大懸浮力；四是改變水套和裝配件的結構或取消水套，避免這些附屬部件對電磁場的阻擋和吸收。本發明涉及的冷坩堝系統特指真空感應熔煉技術中用金屬材料(包括紫銅)製作的各種冷坩堝系統。
文檔編號F27D9/00GK101776390SQ20091010241
公開日2010年7月14日 申請日期2009年1月14日 優先權日2009年1月14日
發明者康寧, 李碚 申請人:貴州貴航能發裝備製造有限公司