高耐熱性酞菁的製作方法

2023-05-03 01:11:36 2

專利名稱：高耐熱性酞菁的製作方法
技術領域：
本發明涉及高耐熱性酞菁。
背景技術：
顏料，在塗料、噴墨墨、濾色器等中使用，與染料相比耐光性、耐候性、耐熱性、耐水性等的耐久性優異的色材。但是，其中特別是關於耐熱性，例如在濾色器中使用的顏料，在200°C以上的高溫處理時，有時進行粗大化男性、有時凝聚等，在現狀的顏料中並不能充分滿足產業界的要求。因此，提案有如專利文獻I那樣通過在顏料粒子周圍凝膠狀地塗敷金屬化合物的方法來提高該顏料的耐熱性的方法、如專利文獻2那樣將顏料和鹽化合物混合來使用的方法等，但需要使不含有顏料以外的物質的耐熱性提高的顏料。對於在產業界廣泛使用的酞菁顏料，也存在與上述同樣的問題。進而酞菁，是除了在作為顏料那樣的色材的用途以外還在有機光導體(OPC)那樣的電荷產生材料、半導體材料、催化劑、太陽能電池用途等中使用的物質，因此，請求耐熱性提高了的酞菁。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:特開2011-57772號公報專利文獻2:特開2011-138095號公報專利文獻3:專 利第4461304號公報

發明內容
發明所要解決的課題 鑑於上述，本發明提供高耐熱性酞菁。用於解決課題的手段本發明的第I方面涉及發明，提供高耐熱性酞菁，其特徵在於，其為將在溶劑中溶解了酞菁原料的酞菁溶液和酞菁析出溶劑混合而析出了的酞菁，上述析出了的酞菁的分解溫度比上述酞菁原料的分解溫度高10°C以上。本發明的第2方面涉及的發明，為第I方面記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，上述析出了的酞菁含有分解溫度為440°C以上的銅酞菁。本發明的第3方面涉及的發明，為第I方面記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，上述析出了的酞菁含有分解溫度為515°C以上的溴化氯化酞菁鋅。本發明的第4方面涉及的發明，為第I方面記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，上述酞菁溶液是將2種以上的酞菁原料在溶劑中溶解了的溶液，上述析出了的酞菁，含有上述2種以上的酞菁原料的固溶體，上述析出了的酞菁的分解溫度，比將上述2種以上的酞菁原料分別在溶劑中溶解了了的2種以上的酞菁溶液分別與酞菁析出溶劑混合而析出了的2種以上的酞菁混合物的分解溫度高10°C以上。
本申請發明的第5方面涉及的發明，為第I方面記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，上述析出了的酞菁的分解溫度為530°C以上，且上述析出了的酞菁含有銅酞菁和溴化氯化酞菁鋅的固溶體。本申請發明的第6方面涉及的發明，為第I方面 第5方面的任一者記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，上述分解溫度，通過熱重.差示熱同時測定而算出。本申請發明的第7方面涉及的發明，為第I方面 第6方面的任一項記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，上述分解溫度，是通過熱重 差示熱同時測定而算出的分解溫度，其測定條件，是在大氣氛圍下的測定，升溫速度為每分鐘5°C，參照樣品為α氧化鋁，樣品重量為 10mg±0.5mg。本申請發明的第8方面涉及的發明，為第I方面 第7方面的任一項記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，上述分解溫度，是通過熱重 差示熱同時測定而得到的TG曲線的重量減少開始溫度Pl中的切線LI和重量減少結束溫度P2中的切線L2的交點R的溫度TR。本申請發明的第9方面涉及的發明，為第8方面記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，熱重.差示熱同時測定中的從40°C到重量減少開始溫度Pl的重量減少率為3%以下，且上述析出了的酞菁，含有溴化氯化酞菁鋅、或銅酞菁與溴化氯化酞菁鋅的固溶體。本申請發明的第10方面涉及的發明，為第I方面 第9方面的任一項記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，上述析出了的酞菁，由粒徑為IOOnm以下的粒子構成。

認為:在對顏料進行微細化了的情況下，特別是在使用粉碎法而對顏料進行了微細化的情況下，顏料粒子的耐熱性差，但本發明涉及的高耐熱性酞菁，由粒徑為IOOnm以下的粒子構成，且具備高耐熱性。本申請發明的第11方面涉及的發明，為第I方面 第10方面的任一項記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，其為如下得到的酞菁:在對向配設的、可接近.分離的、至少一方相對於另一方相對地進行旋轉的至少2個處理用面之間形成的薄膜流體中，將上述酞菁溶液和上述酞菁析出溶劑混合,使酞菁微粒析出，由此得到酞菁。在使用粉碎法將顏料進行了微細化的情況下，顏料粒子的形狀成方形，但本發明涉及的高耐熱性酞菁，為大致球狀粒子，且具備高耐熱性。本發明的第12方面涉及的發明，為第4方面記載的高耐熱性酞菁，其特徵在於，其為如下得到的酞菁:在對向配設了的、可接近.分離的、至少一方相對於另一方相對地進行旋轉的至少2個處理用面之間形成的薄膜流體中，將上述酞菁溶液和上述酞菁析出溶劑混合，使酞菁微粒析出，由此得到酞菁；相對於與上述酞菁析出溶劑混合了的上述酞菁溶液中的2種以上的酞菁原料之比的、上述析出了的酞菁微粒的一次粒子中的2種以上的酞菁的固溶比，為精度25%以內。發明的效果通過本發明，可提供耐熱性比目前為止高的酞菁。


圖1是本發明的實施方式涉及的流體處理裝置的概略剖面圖。圖2(A)是圖1中所示的流體處理裝置的第I處理用面的概略平面圖，⑶是同裝置的處理用面的主要部分放大圖。
圖3(A)是同裝置的第2導入路的剖面圖，(B)是用於說明同第2導入部的處理用面的主要部分放大圖。圖4是無金屬酞菁的分子結構。圖5是在實施例5中製作了的高耐熱性酞菁微粒的熱重.差示熱同時測定(TG.DTA測定)的結果。圖6的N0.1 5是分別在實施例1 5中製作了的高耐熱性酞菁微粒的TEM像。圖7是實施例1 5中製作了的高耐熱性酞菁微粒的粒度分布測定結果。圖8是實施例3中製作了的高耐熱性酞菁微粒的STEM-EDS分解結果，(a)及(b)為酞菁微粒的高分解能TEM像(HRTEM像)，(c)是溴(Br)的映射像，Cd)是銅(Cu)的映射像，Ce)是鋅(Zn)的映射像。圖9是實施例1中製作了的酞菁微粒和作為比較例I的、實施例1的酞菁原料的、熱重.差示熱同時測定(TG.DTA測定)的結果。
具體實施例方式(酞菁:種類及結晶類型)對於本申請發明中的酞菁原料而言，對於其種類沒有特別限定。作為酞菁的代表例，圖4中示出無金屬酞菁的分子結構。另外，也可以是將圖4中的位於分子結構的中心的2個氫原子用周期表上的其它元素或原子團(單數或複數以及單獨或多種)取代了的構造的酞菁顏料。作為位於中心的元素或原子團，沒有特別限定。例如可以舉出H、Cu、Zn、T1、TiO, Co、L1、Be、Na、Ma、Al、S1、K、Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、N1、Ga、Ge、As、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Ro、Pd、Os、Ir、Pt、Ag、 Cd、In、Sn、Sb、Ba、La、Hf、Ta、W、Re、Au、Hg、Tl、Pb、Ac、Th、Pa、Np等。另外，也可以是分子結構的一部分取代為其它官能團的酞菁衍生物，也可以是新合成的酞菁。另外，上述酞菁原料也可以分別單獨使用，另外，即使是多個以上的混合物也可實施。進而，上述酞菁的結晶類型沒有特別限定。另外，即使是多個結晶類型的混合物也可實施。(高耐熱性的定義I)本發明涉及的高耐熱性酞菁，是將在溶劑中溶解了酞菁原料的酞菁溶液和酞菁析出溶劑混合而析出了的酞菁，其特徵在於，析出了的酞菁的分解溫度比上述酞菁原料的分解溫度高10°c以上。例如，在酞菁原料為銅酞菁的情況下，上述析出了的酞菁的分解溫度，比銅酞菁的分解溫度高，優選為440°C以上，更優選為450°C以上，另外，在酞菁原料為溴化氯化酞菁鋅的情況下，上述析出了的酞菁的分解溫度，比溴化氯化酞菁鋅的分解溫度高，優選為515°C以上，更優選為525°C以上。另外，本發明涉及的高耐熱性酞菁，也可以是將在溶劑中溶解了 2種以上的酞菁原料的酞菁溶液和酞菁析出溶劑混合而析出了的酞菁。特徵在於，上述析出了的酞菁的分解溫度，比將2種以上的酞菁原料分別在溶劑中溶解了的2種以上的酞菁溶液分別與酞菁析出溶劑混合而析出了的2種以上的酞菁混合物的分解溫度高10°C以上。2種以上的酞菁混合物的混合比例，為上述酞菁溶液中的2種以上的酞菁原料的溶解比(摩爾比)。
另外，本發明涉及的高耐熱性酞菁中，將在溶劑中溶解了 2種以上的酞菁原料的酞菁溶液和酞菁析出溶劑混合而析出了的酞菁，形成上述2種以上的酞菁原料的固溶體。關於酞菁的固溶體化的分析方法沒有特別限定，但優選顯微分析。特別優選可分析微小區域中的元素的分布狀態、該元素的重量比或摩爾比的分析方法。例如可以舉出在透射電子顯微鏡觀察下的能量分散型X射線分光分析(TEM-EDS)或在掃描電子顯微鏡觀察下的能量分散型X射線分光分析(SEM-EDS)、高分解能TEM (HRTEM)、高角環形暗場掃描透射顯微鏡法(HAADF-STEM)、使用了掃描透射電子顯微鏡(STEM)的元素映射、在掃描透射電子顯微鏡觀察下的能量分散型X射線分光分析(STEM-EDS)等。(高耐熱性的定義2:TG.DTA測定方法、及分解溫度的定義)將本發明涉及的高耐熱性酞菁的分解溫度如下進行定義。圖5中示出本發明涉及的高耐熱性酞菁(實施例5)的、熱重 差示熱同時測定(以下，為TG.DTA測定)產生的結果。本發明涉及的高耐熱性酞菁的分解溫度，是讀取圖5中所示的TG曲線中的重量減少開始溫度Pl及重量減少結束溫度P2，位於TG曲線的Pl中的切線LI和P2中的切線L2的交點R的溫度TR(圖5中，464.4°C )。另外，對於Pl及P2，也可以由TG曲線的微分曲線(DTG曲線)讀取。在本發明中，優選使用七^ X > ^>制的TG -DTA-6300來進行上述TG *DTA測定，另外優選將測定條件設為大氣氛圍下的測定，使升溫速度為每分鐘5°C，參照樣品中使用α氧化鋁，使樣品重量為10mg±0.5mg。(從40°C到分解溫度的重量減少率)本發明涉及的高耐熱性酞菁，特徵在於，上述TG *DTA測定中的從40°C到重量減少開始溫度Pl的重量減少率，比上述酞菁原料的、上述TG.DTA測定中的從40°C到重量減少開始溫度Pl的重量減少率低。另外，本發明涉及的高耐熱性酞菁中，將溶解了 2種以上的酞菁原料的酞菁溶液和酞菁析出溶劑混合而析出了的酞菁，特徵在於，上述TG -DTA測定中的從40°C到重量減少開始溫 度Pl的重量減少率，比將上述2種以上的酞菁原料分別在溶劑中溶解了的2種以上的酞菁溶液分別與酞菁析出溶劑混合而析出了的2種以上的酞菁混合物的、上述TG.DTA測定中的從40°C到重量減少開始溫度Pl的重量減少率低。在該情況下，2種以上的酞菁的混合物的混合比例，為酞菁溶液中的2種以上的酞菁原料的溶解比(摩爾比)。特別是在溴化氯化酞菁鋅或包含溴化氯化酞菁鋅和其以外的固溶體的酞菁中，認為上述TG.DTA測定中的從40°C到重量減少開始溫度Pl的重量減少是氯或溴的脫離所引起的。認為:當將這些酞菁在濾色器中使用時，在高溫處理時脫離的氯或溴成為將濾色器、鋪設了其的顯示裝置、或它們的布線等進行腐蝕的原因等的問題。因此，如本發明，從40°C到重量減少開始溫度Pl的重量減少率低的酞菁，可能可以解決、避免這樣的問題。(粒徑)本發明涉及的高耐熱性酞菁的粒徑沒有特別限定。在對顏料進行了微細化的情況下，特別是使用粉碎法對顏料進行了微細化的情況下，認為顏料粒子的耐熱性差。上述粉碎法中，例如可以舉出使用了珠磨機、噴射磨、輥磨機等的粉碎方法。但是在本發明中，為如下的高耐熱性酞菁:為其一次粒徑為IOOnm以下、優選為50nm以下、更優選為25nm以下的酞菁微粒，且其分解溫度比作為原料使用了的酞菁即酞菁原料的分解溫度高。本發明涉及的高耐熱性酞菁中，在將在溶劑中溶解了 2種以上的酞菁原料的酞菁溶液和酞菁析出溶劑混合而析出了的酞菁中，相對於與上述酞菁析出溶劑混合了的上述酞菁溶液中的2種以上的酞菁原料之比的、析出了的酞菁的一次粒子中的2種以上的酞菁的固溶比為精度25 %以內，優選為10 %以內，更優選為5 %以內。在超過精度25 %的情況下，不對於各個酞菁不僅色調不同，而且由於化學性質，可能對與其溶劑或分散劑的相互作用性或分散性也造成不良影響。相對於與上述酞菁析出溶劑混合了的上述酞菁溶液中的2種以上的酞菁原料之比的、析出了的酞菁的一次粒子中的2種以上的酞菁的固溶比的精度的求得方法，只要可以求得對於一次粒子不同的酞菁的固溶比(成分比/濃度比/摩爾比)就沒有特別限定，但優選使用觀測條件25萬倍以上、優選50萬倍以上、更優選100萬倍以上的、透射電子顯微鏡觀察下的能量分散型X射線分光分析(TEM-EDS)而求得。作為一個例子，在該情況下，可由相對於與酞菁析出溶劑混合了的上述酞菁溶液中的2種以上的酞菁原料之比(摩爾比)的、利用25萬倍以上的TEM觀察而確認了的、優選由對於一次粒子的EDS分析而算出了的固溶比(成分比/濃度比/摩爾比)所求得。另外，作為TEM-EDS分析以外的方法，沒有特別限定，可 以舉出STEM-EDS分析、固體NMR等。另外，對於上述析出了的酞菁，優選相對於通過ICP發光分光分析而求得的固溶比的通過TEM-EDS分析而求得的固溶比為精度20%以內，優選為10%以內，更優選5 %以內。上述ICP發光分光分析，以上述析出了的酞菁的集合體，換句話說，以上述析出了的酞菁的粉體、分散液所含的上述析出了的酞菁的固溶比的分析為目的。作為ICP發光分光分析以外的分析方法，可以舉出TG-DTA、DSC等的熱分析、IR、NMR(溶液)、氣相色譜法、液相色譜法、離子色譜法、XPS、SIMS, TOF-SIMS等。(高耐熱性酞菁的製造方法)作為本發明涉及的高耐熱性酞菁的製造方法，可通過使用後述的本申請的申請人的、專利文獻3中記載了的原理的裝置而製造酞菁來實施。作為本發明涉及的高耐熱性酞菁的製造方法的一例，可使用以下的酞菁微粒的製造方法，其為為將含有在溶劑中溶解了酞菁原料的酞菁溶液的流體和含有酞菁析出溶劑的流體混合而使酞菁析出來製造酞菁微粒的方法，其特徵在於，將上述的各流體，在可接近.分離地相互對向配設、至少一方相對於另一方進行旋轉的處理用面間以上述作為薄膜流體而進行混合，在該薄膜流體中使酞菁微粒析出。以下對於該製造方法進行說明。但該製造方法是一例，本方法不限定於該製造方法。以下，使用附圖對於上述裝置的實施方式進行說明圖1 圖3中所示的流體處理裝置，為與專利文獻5中所記載的裝置同樣，為如下裝置:在可以接近.分離的至少一方相對於另一方相對地旋轉的處理用部中的處理用面之間處理被處理物，即，將被處理流動體中的作為第I被處理流動體的第I流體導入處理用面間，從與導入了上述第I流體的流路獨立、具備與處理用面間的開口部連通的其它流路將被處理流動體中的第2被處理流動體即第2流體導入處理用面間，在處理用面間將上述第I流體和第2流體進行混合 攪拌來進行處理。需要說明的是，在圖1中，U表示上方，S表示下方，在本發明中，上下前後左右僅限於表示相對的位置關係，並不特定絕對的位置。在圖2(A)、圖3(B)中，R表示旋轉方向。在圖3(B)中，C表示離心力方向(半徑方向)。該裝置為如下裝置:作為被處理流動體使用至少2種流體，對於其中至少I種流體，包含至少I種被處理物，具備可以接近 分離地相互對向配設的至少一方相對於另一方旋轉的處理用面，在這些處理用面之間使上述各流體合流而形成薄膜流體，在該薄膜流體中處理上述被處理物。該裝置如上所述，可以處理多個被處理流動體，但也可以處理單一的被處理流動體。該流體處理裝置具備對向的第I及第2的2個處理用部10、20，至少一方處理用部進行旋轉。兩處理用部10、20的對向的面分別成為處理用面。第I處理用部10具備第I處理用面1，第2處理用部20具備第2處理用面2。兩處理用面1、2與被處理流動體的流路連接，構成被處理流動體的流路的一部分。該兩處理用面1、2間的間隔可以適宜改變進行實施，通常調整為Imm以下、例如0.1 μ m至50 μ m左右的微小間隔。由此,通過該兩處理用面1、2間的被處理流動體,成為由兩處理用面1、2所強制的強制薄膜流體。在使用該裝置處理多個被處理流動體的情況下，該裝置與第I被處理流動體的流路連接，形成該第I被處理流動體的流路的一部分，同時，形成與第I被處理流動體不同的第2被處理流動體的流路的一部分。而且，該裝置進行如下流體的處理:使兩流路合流，在處理用面1、2間，混合兩被處理流動體，使其反應等。需要說明的是，在此，「處理」並不限於被處理物反應的方式，也包含不伴隨反應而僅進行混合.分散的方式。具體地進行說明時，具備:保持上述第I處理用部10的第I託架11、保持第2處理用部20的第2託架21、接面壓力賦予機構、旋轉驅動機構、第I導入部dl、第2導入部d2和流體壓力賦予機構P。如圖2(A)所示，在該實施方式中，第I處理用部10為環狀體，更詳細而言，其為圈狀的圓盤。另外，第2處理用部20也為圈狀的圓盤。第1、第2處理用部10、20的材質除金屬之外，可以採用對碳、陶瓷或燒結金屬、耐磨耗鋼、藍寶石、其它金屬實施有固化處理的材料或將硬質材料實施有加襯或塗層、鍍敷等的材料。在該實施方式中，兩處理用部10、20的相互對向的第1、第2處理用面1、2的至少一部分被鏡面研磨。該鏡面研磨的面粗糙度沒有特別限定，優選設為Ra0.01 1.0 μ m，更優選為Ra0.03 0.3 μ m。至少一方的託架可以用電動機等旋轉驅動機構(無圖示)相對於另一方的託架相對進行旋轉。圖1的50表示旋轉驅動機構的旋轉軸，在該例中，該旋轉軸50上所安裝的第I託架11進行旋轉，該第I託架11上所支承的第I處理用部10相對於第2處理用部20進行旋轉。當然，可以使第2處理用部20旋轉，也可以使兩者旋轉。另外，在該例中，將第1、第2託架11、21固定，使第1、第2處理用部10、20相對於該第1、第2託架11、21旋轉也是可以的。第I處理用部10和第2處理用部20至少任一方可與至少任意另一方接近 分離，兩處理用面1、2可以接近.分離。在該實施方式中，第2處理用部20相對於第I處理用部10接近.分離，在設置於第2託架21的收容部41中可以可出沒地收容第2處理用部20。但是也可以與其相反地、第I處理用部10相對於第2處理用部20接近 分離，也可以兩處理用部10、20相互接近.分離。 該收容部41為第2處理用部20的主要收容與處理用面2側相反側的部位的凹部，從平面看，其為呈現圓的即形成為環狀的槽。該收容部41具有可以使第2處理用部20旋轉的充分的間隙，收容第2處理用部20。需要說明的是，第2處理用部20以在軸方向可以僅進行平行移動的方式配置，通過增大上述間隙，第2處理用部20也可以以消除與上述收容部41的軸方向平行的關係的方式使處理用部20的中心線相對於收容部41傾斜而位移，進而，可以以第2處理用部20的中心線和收容部41的中心線在半徑方向偏離的方式進行位移。這樣，希望通過3維且可以位移地保持的浮動機構來保持第2處理用部20。上述被處理流動體，在通過由各種泵、位置能量等構成的流體壓力賦予機構P賦予壓力的狀態下，從第I導入部dl和第2導入部d2導入兩處理用面1、2間。在該實施方式中，第I導入部dl為設置在環狀的第2託架21的中央的流體的通路，其一端從環狀的兩處理用部10、20的內側被導入兩處理用面1、2間。第2導入部d2向處理用面1、2供給和第I被處理流動體進行反應的第2被處理流動體。在該實施方式中，第2導入部d2為設置於第2處理用部20的內部的通路，其一端在第2處理用面2上開口。通過流體壓力賦予機構P所加壓的第I被處理流 動體從第I導入部dl被導入兩處理用部10、20的內側的空間，通過第I處理用面I和第2處理用面2之間，在兩處理用部10、20的外側穿過。在這些處理用面1、2間，從第2導入部d2供給通過流體壓力賦予機構P所加壓的第2被處理流動體，與第I被處理流動體合流，進行混合、攪拌、乳化、分散、反應、晶出、晶析、析出等各種流體處理，從兩處理用面1、2排出至兩處理用部10、20的外側。需要說明的是，也可以通過減壓泵使兩處理用部10、20的外側的環境為負壓。上述接面壓力賦予機構將作用於使第I處理用面I和第2處理用面2接近的方向的力賦予處理用部。在該實施方式中，接面壓力賦予機構設置在第2託架21上，將第2處理用部20向第I處理用部10賦能。上述接面壓力賦予機構，為用於產生第I處理用部10的第I處理用面I和第2處理用部20的第2處理用面2壓在進行接近的方向的力(以下稱為接面壓力)的機構，通過該接面壓力和使流體壓力等的兩處理用面1、2間分離的力的均衡，產生具有nm單位至μπι單位的微小的膜厚的薄膜流體。換言之，通過上述力的均衡，將兩處理用面1、2間的間隔保持在規定的微小間隔。在圖1所示的實施方式中，接面壓力賦予機構配位於上述收容部41和第2處理用部20之間。具體而言，由向將第2處理用部20靠近於第I處理用部10的方向賦能的彈簧43和導入空氣、油等賦能用流體的賦能用流體的導入部44構成，通過彈簧43和上述賦能用流體的流體壓力賦予上述接面壓力。該彈簧43和上述賦能用流體的流體壓力賦予任一方即可，可以為磁力或重力等其它的力。抵抗該接面壓力賦予機構的賦能，由於通過流體壓力賦予機構P所加壓的被處理流動體的壓力、粘性等產生的分離力，第2處理用部20遠離第I處理用部10，在兩處理用面間打開微小的間隔。這樣，利用該接面壓力和分離力的平衡，以μ m單位的精度設定第I處理用面I和第2處理用面2，進行兩處理用面1、2間的微小間隔的設定。作為上述分離力，可以舉出被處理流動體的流體壓或粘性和處理用部的旋轉形成的離心力、對賦能用流體導入部44施加負壓時的該負壓、將彈簧43製成抗張彈簧時的彈簧的力等。該接面壓力賦予機構不是第2處理用部20，可以設置於第I處理用部10，也可以設置於兩者。對上述分離力進行具體說明時，第2處理用部20與上述第2處理用面2同時具備位於第2處理用面2的內側(即，被處理流動體向第I處理用面I和第2處理用面2之間的進入口側)而與該第2處理用面2鄰接的分離用調整面23。在該例中，分離用調整面23作為傾斜面被實施，但也可以為水平面。被處理流動體的壓力作用於分離用調整面23，產生使第2處理用部20從第I處理用部10分離的方向的力。因此，用於產生分離力的受壓面成為第2處理用面2和分離用調整面23。進而，在該圖1的例中，在第2處理用部20中形成有近接用調整面24。該近接用調整面24，為與分離用調整面23在軸方向上相反側的面(在圖1中為上方的面)，被處理流動體的壓力發生作用，產生使第2處理用部20向第I處理用部10接近的方向的力。需要說明的是，作用於第2處理用面2及分離用調整面23的被處理流動體的壓力、即流體壓，可理解為構成機械密封中的開啟力的力。投影於與處理用面1、2的接近 分離的方向、即第2處理用部20的出沒方向(在圖1中為軸方向)正交的假想平面上的近接用調整面24的投影面積Al和投影於該假想平面上的第2處理用部20的第2處理用面2及分離用調整面23的投影面積的合計面積A2的面積比A1/A2被稱為平衡比K，在上述開啟力的調整上是重要的。對於該開啟力，可以通過改變上述平衡線、即近接用調整面24的面積Al，通過被處理流動體的壓力、即流體壓進行調整。滑動面的實面壓P、即接面壓力中的流體壓產生的壓力用下式進行計算。P = PlX (K-k) + Ps在此，Pl表示被處理流動體的壓力即流體壓，K表示上述平衡比，k表示開啟力係數，Ps表示彈簧及背壓力。通過利用該平衡線的調整調整滑動面的實面壓P而使處理用面1、2間為所期望的微小間隙量，形成被處理流動體產生的流動體膜，將生成物等被處理了的被處理物製成微細，另外，進行均勻的反應處理。

需要說明的是， 省略圖示，也可以將近接用調整面24形成具有比分離用調整面23還大的面積的面進行實施。被處理流動體成為通過保持上述微小的間隙的兩處理用面1、2而被強制的薄膜流體，移動至環狀的兩處理用面1、2的外側。但是，由於第I處理用部10旋轉，因此，所混合的被處理流動體不會從環狀的兩處理用面1、2的內側向外側直線地移動，向環狀的半徑方向的移動向量和向周方向的移動向量的合成向量作用於被處理流動體，從內側向外側大致漩渦狀地移動。需要說明的是，旋轉軸50並不限定於垂直配置的旋轉軸，可以為在水平方向配位的旋轉軸，也可以為傾斜配位的旋轉軸。這是因為被處理流動體以兩處理用面1、2間的微細的間隔進行處理，實質上可以排除重力的影響。另外，該接面壓力賦予機構通過與可位移地保持上述第2處理用部20的浮動機構並用，也作為微振動、旋轉對準的緩衝機構起作用。第1、第2處理用部10、20可以將其至少任一方進行冷卻或加熱而調整其溫度，在圖1中，圖示有在第1、第2處理用部10、20上設有溫調機構(溫度調整機構)Jl，J2的例子。另外，可以將所導入的被處理流動體進行冷卻或加熱而調整其溫度。這些溫度也可以用於所處理的被處理物的析出，另外，也可以為了在第1、第2處理用面1、2間的被處理流動體上產生貝納爾對流或馬朗格尼對流而設定。如圖2所示，可以在第I處理用部10的第I處理用面I上形成從第I處理用部10的中心側向外側、即在徑方向伸長的槽狀的凹部13而實施。該凹部13的平面形狀，如圖2(B)所示，可以為將第I處理用面I上彎曲或漩渦狀地伸長而成的形狀或沒有圖示，也可以為筆直地向外方向伸長的形狀、L字狀等地屈曲或彎曲而成的形狀、連續而成形狀、斷續而成的形狀、分支而成的形狀。另外，該凹部13也可作為形成於第2處理用面2而實施，也可作為形成於第I及第2處理用面1、2的兩者而實施。通過形成這樣的凹部13可得到微泵效果，具有可在第I及第2處理用面1、2間抽吸被處理流動體的效果。希望該凹部13的基端達到第I處理用部10的內周。該凹部13的前端由於向第I處理用部面I的外周面側伸長，其深度(橫截面積)採用伴隨從基端向前端逐漸減少的深度。在該凹部13的前端和第I處理用面I的外周面之間設有沒有凹部13的平坦面16。在第2處理用面2上設有上述第2導入部d2的開口部d20的情況下，優選設置於與對向的上述第I處理用面I的平坦面16對向的位置。該開口部d20，期望設於與第I處理用面I的凹部13相比下遊側(在該例子中，外側)。特別優選設置於與通過微泵效果導入時的流動方向轉換成在處理用面間形成的螺旋狀層流的流動方向的點相比外徑側的平坦面16所對向的位置。具體地講，圖2(B)中，優選使從設於第I處理用面I的凹部13的最外側的位置向徑方向的距離η為約0.5mm以上。特別是在從流體中使微粒析出的情況下，優選在層流條件下進行多個被處理流動體的混合微粒的析出。開口部d20的形狀，也可以如圖2(B)、圖3(B)中所示為圓形狀，雖然未圖示，但也可以為卷取作為環狀盤的處理用面2的中央的開口的同心圓狀的圓環形狀。另外，在使開口部為圓環形狀的情況下，該圓環形狀的開口部可以連續，也可以不連續。該第2導入部d2可以具有方向性。例如，如圖3(A)所示，來自上述第2處理用面2的開口部d20的導入方向相對於第2處理用面2以規定的仰角(Θ I)傾斜。該仰角(Θ I)設為超過O度且小於90度 ，進而，在反應速度快的反應的情況下，優選以I度以上且45度以下設置。另外，如圖3(B)所示，來自上述第2處理用面2的開口部d20的導入方向在沿上述第2處理用面2的平面上具有方向性。該第2流體的導入方向在處理用面的半徑方向的成分中為遠離中心的外方向，且在相對於進行旋轉的處理用面間中的流體的旋轉方向的成分中為正向。換言之，以通過開口部d20的半徑方向即外方向的線段為基準線g，具有從該基準線g向旋轉方向R的規定的角度(Θ 2)。關於該角度(Θ 2)，也優選設為超過O度且低於90度。該角度(Θ 2)可以根據流體的種類、反應速度、粘度、處理用面的旋轉速度等各種的條件進行改變而實施。另外，也可以使第2導入部d2完全不具有方向性。上述被處理流體的種類和其流路的數在圖1的例中設為2個，但可以為I個，也可以為3個以上。在圖1的例中，從第2導入部d2在處理用面1、2間導入第2流體，該導入部可以設置於第I處理用部10，也可以設置於兩者。另外，可以對一種被處理流體準備多個導入部。另外，對設置於各處理用部的導入用的開口部而言，其形狀或大小或數量沒有特別限制，可以適宜改變而實施。另外，可以就在上述第I及第2處理用面間1、2之前或更上遊側設置導入用的開口部。
需要說明的是，由於只要在處理用面1、2間進行上述反應即可，因此也可以與上述相反地，從第I導入部dl導入第2流體，從第2導入部d2導入第I流體。即，各溶劑中所謂第1、第2的表述，只不過是具有存在有多種溶劑的第η種這樣的、用於識別的意思而已，也可以存在第3以上的溶劑。在上述裝置中，析出 沈殿或結晶化那樣的處理，如圖1中所示那樣，在可接近 分離地相互對向配設、至少一方相對於另一方進行旋轉的處理用面1、2之間一邊強制性地均勻混合一邊發生。被處理了的被處理物的粒徑、單分散度，可以通過適當調節處理用部10、20的轉數或流速、處理用面1、2間的距離、被處理流動體的原料濃度或被處理流動體的溶劑種類等進行控制。以下，對使用上述的裝置而進行的高耐熱性酞菁微粒的製造方法的具體的方式進行說明。在上述的裝置中，在可接近一分離地相互對向配設、至少一方相對於另一方相對地進行旋轉的處理用面1、2之間形成的薄膜流體中，作為被處理流動體，使酞菁溶液和酞菁析出溶劑混合，使高耐熱性酞菁析出。上述的高耐熱性酞菁的析出反應，與在本申請的圖1中所示的裝置的、可接近 分離地相互對向配設、至少一方相對於另一方進行旋轉的處理用面1、2間一邊強制性地均勻混合一邊發生。首先，由作為一個流路的第I導入部dl，將作為第I流體的酞菁析出溶劑導入可接近 分離地相互對向配設、至少一方相對於另一方進行旋轉的處理用面1、2間，在該處理用面間製作由第I流體構成的薄膜流體即第I流體膜。接著由作為另一個流路的第2導入部d2，將作為第2流體的酞菁溶液直接導入在上述處理用面1、2間形成第I流體膜。如上述，可以在通過被處理流動體的供給壓和作用於進行旋轉的處理用面之間的壓力的壓力平衡而使距離固定了的處理用面1、2間，混合第I流體和第2流體，進行高耐熱性酞菁微粒的析出反應。作為第I流體和第2流體的組合，沒有特別限定，只要是含有在溶劑中溶解了酞菁原料的酞菁溶液的流體和含有酞菁析出溶劑的流體就可實施。所謂酞菁析出溶劑，為可以形成與溶解了酞菁原料的溶劑相比、對於酞菁原料的溶解度低的貧溶劑的溶劑。本發明涉及的高耐熱性酞菁中，將溶解了 2種以上的酞菁原料的酞菁溶液和酞菁析出溶劑混合而析出了的酞菁微粒中的固溶比，通過對於導入處理用面1、2間的酞菁溶液中的不同的2種以上的酞菁原料改變導入的比例(比，例如重量比，或摩爾比)，可以容易地進行控制。作為改變導入處理用面1、2間的酞菁溶液中的不同的2種以上的酞菁原料的導入比例的方法，可以舉出改變酞菁溶液向處理用面1、2間的導入速度及/或酞菁溶液的酞菁原料濃度。例如，在處理用面1、2間導入將2種以上的酞菁原料在溶劑中溶解而調製了的酞菁溶液的情況下，也可以使酞菁溶液向處理用面1、2間的導入速度一定而改變酞菁溶液的酞菁原料濃度，也可以使向處理用面1、2間導入的酞菁溶液的酞菁原料濃度為一定而改變該酞菁溶液的導 入速度。也可以使酞菁溶液向處理用面1、2間的導入速度和酞菁溶液的酞菁原料濃度雙方改變。
除此之外，可以舉出在就要將酞菁溶液導入處理用面1、2間之前或就要與酞菁析出溶劑混合之前進行稀釋而使酞菁溶液的酞菁原料濃度改變等的方法。另外，作為在處理用面1、2間導入酞菁溶液的方法，也可以如上述那樣向處理用面1、2間導入在溶劑中溶解了 2種以上的酞菁原料的酞菁溶液，作為其它的實施方式，也可以調製將2種以上的酞菁原料分別在溶劑中溶解了的第I酞菁溶液、第2酞菁溶液等的多個溶解了酞菁原料的溶液，在就要導入處理用面1、2間前，以達到目標固溶比的方式混合而調製溶解了 2種以上的酞菁原料的酞菁溶液，然後導入處理用面1、2間。需要說明的是，由於只要在處理用面1、2間進行上述反應即可，因此也可以與上述相反地，從第I導入部dl導入第2流體，從第2導入部d2導入第I流體。即，各溶劑中所謂第1、第2的表述，只不過是具有存在有多種溶劑的第η種這樣的、用於識別的意思而已，也可以存在第3以上的溶劑。如上述，除了第I導入部dl、第2導入部d2之外，也可以在處理裝置中設置第三導入部d3，在該情況下，例如可以從各導入部分別向處理裝置導入第I流體、第2流體、第3流體。這樣一來，能夠分別管理各流體的濃度、壓力，能夠更精密地控制析出反應及析出了的酞菁微粒的粒徑的穩定化。需要說明的是，向各導入部導入的被處理流動體(第I流體 第3流體)的組合，可以任意設定。在設置了第4以上的導入部的情況下也同樣，這樣可以將向處理裝置導入的流體細分化。進而，也可以控制上述第1、第2流體等的被處理流動體的溫度，或控制上述第I流體和第2流體等的溫度差(S卩，供給的各被處理流動體的溫度差)。為了控制供給的各被處理流動體的溫度、溫度差，也可以附加測定各被處理流動體的溫度(就要導入處理裝置、更詳細而言、處理用面1、2間之前的溫度)，進行導入處理用面1、2間的各被處理流動體的加熱或冷卻的機構來實施。作為用於溶解酞菁原料的溶劑，沒有特別限定，例如在酸性水溶液的情況下，可優選使用硫酸、鹽酸、硝酸、三氟乙酸、磷酸、發煙硫酸、發煙硝酸等。特別是在製作表面處理了的銅酞菁微粒的情況下，優選 使用發煙硫酸、發煙硝酸等。除此之外，還可使用1-甲基-2-吡咯烷酮、I，3- 二甲基-2-咪唑烷酮、2-吡咯烷酮、ε -己內醯胺、甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N，N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N，N-二甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、六甲基磷醯三胺那樣的醯胺系溶劑、二甲基亞碸、吡啶或它們的混合物等。另外除此之外，也可以將在各種有機溶劑中加入了鹼或酸的物質的溶液中溶解了酞菁原料的溶液作為酞菁溶液來實施。作為可以在上述有機溶劑中加入的鹼，可以舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、甲醇鈉、乙醇鈉等。作為酸、與上述一樣，可以舉出硫酸、鹽酸、硝酸、三氟乙酸、磷酸等。作為酞菁析出溶劑，可使用與溶解了上述酞菁原料的溶劑相比、對於酞菁原料的溶解度較低的溶劑來實施。例如可以舉出水、醇化合物溶劑、醯胺化合物溶劑、酮化合物溶齊L1、醚化合物溶劑、芳香族化合物溶劑、二硫化碳、脂肪族化合物溶劑、腈化合物溶劑、亞碸化合物溶劑、齒素化合物溶劑、酯化合物溶劑、吡啶化合物溶劑、離子性液體溶劑、羧酸化合物溶劑、磺酸化合物溶劑、環丁碸系化合物溶劑等。這些溶劑也可以單獨使用，也可以使用它們2種以上的混合溶劑來實施。如果對於上述的溶劑更詳細地進行說明，則作為水，可以舉出自來水或離子交換水、純水或超純水、RO水等，作為醇化合物溶劑，可以舉出例如甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇、1-甲氧基-2-丙醇等，還可以舉出正丁醇等的直鏈醇、2- 丁醇、叔丁醇等的支鏈醇、乙二醇、二甘醇等的多元醇、丙二醇單甲醚等。作為酮化合物溶劑，例如可以舉出丙酮、甲基乙基酮、環己酮等。作為醚化合物溶劑，例如可以舉出二甲基醚、二乙基醚、四氫呋喃等。作為芳香族化合物溶劑，例如可以舉出苯、甲苯、二甲苯、硝基苯、氯苯、二氯苯。作為脂肪族化合物溶齊IJ，例如可以舉出己烷等。作為腈化合物溶劑，例如可以舉出乙腈等。作為亞碸化合物溶劑，例如可以舉出二甲基亞碸、二乙基亞碸、六亞甲基亞碸、環丁碸等。作為滷素化合物溶劑，例如可以舉出氯仿、二氯甲烷、三氯乙烯、碘仿等。作為酯化合物溶劑，例如可以舉出醋酸乙酯、醋酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、2-(1-甲氧基)丙基乙酸酯等。作為離子性液體，例如可以舉出1-丁基-3-甲基咪唑鎗和PF6-(六氟磷酸離子)的鹽等。作為醯胺化合物溶劑，例如可以舉出N，N- 二甲基甲醯胺、1-甲基-2-吡咯烷酮、2-吡咯烷酮、I，3- 二甲基-2-咪唑烷酮、2-吡咯烷酮、ε -己內醯胺、甲醯胺、N-甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N，N-二甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、六甲基磷醯三胺等。作為羧酸化合物，例如可以舉出2，2-二氯丙酸、方酸等。作為磺酸化合物，例如可以舉出甲磺酸、對-甲苯磺酸、氯磺酸、三氟甲磺酸等。進而，在含有酞菁溶液的流體或含有酞菁析出溶劑的流體或其雙方中，也可以含有嵌段共聚物、高分子聚合物、表面活性劑等的分散劑。另外，上述的分散劑也可以含有與含有酞菁溶液的流體和含有酞菁析出溶劑的流體均不同的第3流體。作為表面活性劑及分 散劑，可使用用於顏料的分散用途的各種各樣的市售品。並不作特別限制，可舉出例如十二烷基硫酸鈉、Neogen R-K(第一工業製藥公司製品)那樣的十二燒基苯橫酸系，solsperse20000> solsperse24000> solsperse26000> solsperse27000>solsperse28000> solsperse41090 (以上為 Avecia 公司製品)，DisperBYK160>DisperBYK161、 DisperBYK162、 DisperBYK163、 DisperBYK166、 DisperBYK170、DisperBYK180、DisperBYK181、DisperBYK182、DisperBYK183、DisperBYK184、DisperBYK190、DisperBYK191、DisperBYK192、DisperBYK2000、DisperBYK2001(以上為Byk-Chemie 公司製品)，PolymerlOO、Polymerl20> Polymerl50> Polymer400> Polymer401>Polymer402> Polymer403> Polymer450> Polymer451 > Polymer452> Polymer453> EFKA-46、EFKA-47、EFKA-48、EFKA-49、EFKA-150U EFKA-1502、EFKA-4540、EFKA-4550 (以上為 EFKAChemical 公司製品)，FLOffLEN DOPA-158, FLOffLEN D0PA-22、FLOffLEN D0PA-17, FLOffLENG-700、FLOffLEN TG-720W、FL0WLEN-730W、FL0WLEN-740W、FL0WLEN-745W (以上為共榮化學公司製品)，AJISPER PAllU AJISPER PB711、AJISPER PB811、AJISPER PB821、AJISPERPW911(以上為味之精公司製品)，J0NCRYL678、J0NCRYL679、J0NCRYL62 (以上為 JohnsonPolymer公司製品)，ACUAL0N KH-10, HI TENOL NF_13(以上為第一工業製藥公司製品)等。這些可以單獨使用，也可以2種以上並用。可知:本發明涉及的高耐熱性酞菁，為將溶解了酞菁原料的酞菁溶液和酞菁析出溶劑混合而析出了的酞菁，析出了的酞菁的分解溫度比上述酞菁原料的分解溫度高10°c以上，具有聞耐熱性。(用途)本發明的聞耐熱性駄青，在塗料、噴墨用墨、熱轉印用墨、調色劑、著色樹脂、濾色器、催化劑、有機光導體那樣的電荷產生材料、半導體材料、太陽能電池用途等各種各樣的用途中可有利利用。實施例以下對於本發明，示出使用與本申請申請人的專利文獻3中記載的裝置相同原理的裝置而製造了高耐熱性酞菁的實施例。但是，本發明並不限定於下述實施例。使用圖1中所示的可接近.分離相互對向配設、至少一方相對於另一方進行旋轉的處理用面1、2之間形成的、薄膜流體中均勻進行攪拌 混合的裝置，使在溶劑中溶解了銅酞菁(以下，Cu-Pc)及/或溴化氯化酞菁鋅(以下，Zn-Pc)的酞菁溶液在薄膜流體中與酞菁析出溶劑合流，在薄膜流體中均勻混合，使酞菁微粒析出。需要說明的是，在以下的實施例中，所謂「從中央」，為上述的、圖1中所示的處理裝置的「從第I導入部dl」的意思；第I流體是指上述的第I被處理流動體;第2流體是指上述的、從圖1中所示的處理裝置的第2導入部d2導入的上述的第2被處理流動體。向帶蓋的容器中量取表I中所示的規定量的酞菁原料、Cu-Pc和Zn-Pc，向其添加發煙硫酸和濃硫酸的混合溶液(5wt% S03-95wt% H2SO4)，蓋上蓋後用攪拌器攪拌溶解5分鐘而製作了酞菁溶液。從中央將純水作為析出第I流體的酞菁的溶劑、以供給壓力/背面壓=
0.3MPaG / 0.02MpaG送液至處理用面1、2間，將上述的酞菁溶液作為第2流體而導入上述處理用面1、2間。將第I流體和第2流體在薄膜流體中混合，而析出酞菁微粒。對於第I流體和第2流體的送液溫度而言，在就要向處理裝置導入前測定第I流體和第2流體的各自的溫度(更詳細地講，就要導入處理用面1、2間前)。對於實驗條件示於表I。以從實施例1到實施例5的順序Cu-Pc的比例變多。對於實施例1及實施例5，製作了 Zn-Pc或Cu-Pc單獨的酞菁微粒。另外，圖6、7中的N0.1、2、3、4、5分別對應於實施例1、2、3、4、5對應。[表 I]
權利要求
1.一種高耐熱性酞菁，其特徵在於，其為將在溶劑中溶解了酞菁原料的酞菁溶液和酞菁析出溶劑混合而析出了的酞菁， 所述析出了的酞菁的分解溫度，比所述酞菁原料的分解溫度高10°c以上。
2.如權利要求1所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於，所述析出了的酞菁含有分解溫度為440°C以上的銅酞菁。
3.如權利要求1所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於，所述析出的酞菁含有分解溫度為515°C以上的溴化氯化酞菁鋅。
4.如權利要求1所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於， 所述酞菁溶液是將2種以上的酞菁原料在溶劑中溶解了的溶液， 所述析出了的酞菁含有所述2種以上的酞菁原料的固溶體， 所述析出的酞菁的分解溫度，比將所述2種以上的酞菁原料分別在溶劑中溶解了的2種以上的酞菁溶液分別與酞菁析出溶劑混合而析出了的2種以上的酞菁的混合物的分解溫度高10°C以上。
5.如權利要求1所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於，所述析出了的酞菁的分解溫度為5300C以上，且所述析出了的酞菁含有銅酞菁和溴化氯化酞菁鋅的固溶體。
6.如權利要求1 5的任一項所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於，所述分解溫度通過熱重 差示熱同時測定而算出。
7.如權利要求1 6的任一項所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於， 所述分解溫度，是通過熱重.差示熱同時測定而算出的分解溫度， 其測定條件是在大氣氛圍下的測定，升溫速度為每分鐘5°C，參照樣品為α氧化鋁，樣品重量為10mg±0.5mg。
8.如權利要求1 7的任一項所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於，所述分解溫度，是通過熱重.差示熱同時測定而得到了的TG曲線的重量減少開始溫度Pl中的切線LI和重量減少結束溫度P2中的切線L2的交點R的溫度TR。
9.如權利要求8所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於， 熱重 差示熱同時測定中的從40°C到重量減少開始溫度Pl的重量減少率為3%以下， 且所述析出了的酞菁，含有溴化氯化酞菁鋅、或銅酞菁與溴化氯化酞菁鋅的固溶體。
10.如權利要求1 9的任一項所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於，所述析出了的酞菁由粒徑為IOOnm以下的粒子構成。
11.如權利要求1 10的任一項所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於，其為如下得到的酞菁:在對向配設了的可接近.分離的至少一方相對於另一方相對地進行旋轉的至少2個處理用面之間形成的薄膜流體中、將所述酞菁溶液和所述酞菁析出溶劑混合、使酞菁微粒析出，由此得到酞菁。
12.如權利要求4所述的高耐熱性酞菁，其特徵在於，其為如下得到的酞菁:在對向配設了的、可接近 分離的、至少一方相對於另一方相對地進行旋轉的至少2個處理用面之間形成的薄膜流體中將所述酞菁溶液和所述酞菁析出溶劑混合、使酞菁微粒析出，由此得到酞菁； 相對於與所述酞菁析出溶劑混合了的所述酞菁溶液中的2種以上的酞菁原料之比的、所述析出了的酞菁微粒的一次粒子中的2種以上的酞菁的固溶比，為精度25%以內。
全文摘要
本發明的課題為提供高耐熱性酞菁。其特徵在於，其為將在溶劑中溶解了酞菁原料的酞菁溶液與酞菁析出溶劑混合而析出了的酞菁，該析出了的酞菁的分解溫度比上述酞菁原料的分解溫度高10℃以上，具有高耐熱性。另外，其特徵在於，上述酞菁溶液也可以在溶劑中溶解了2種以上的酞菁原料，上述析出了的酞菁含有上述2種以上的酞菁原料的固溶體，上述析出了的酞菁的分解溫度，比將上述2種以上的酞菁原料分別在溶劑中溶解了2種以上的酞菁溶液分別與酞菁析出溶劑混合而析出了的2種以上的酞菁的混合物的分解溫度高10℃以上。
文檔編號C09B67/22GK103249781SQ20118005652
公開日2013年8月14日 申請日期2011年11月22日 優先權日2010年11月24日
發明者前川昌輝, 本田大介, 榎村真一 申請人:M技術株式會社