熱輻射半導體晶片和條帶引線襯底及使用其的條帶封裝的製作方法
2023-05-11 06:15:11 5
專利名稱:熱輻射半導體晶片和條帶引線襯底及使用其的條帶封裝的製作方法
技術領域：
本發明的示範性實施例總體而言涉及熱輻射半導體晶片、條帶引線襯底和使用其的條帶封裝。
背景技術：
隨著平板顯示器工業的發展，例如用於便攜電話的液晶顯示器(LCD)、用於計算機的薄膜電晶體(TFT/LCD)和用於家用的等離子體顯示器面板(PDP)，已經發展出條帶封裝作為平板顯示器裝置的元件。隨著平板顯示器朝小尺寸發展，需要相應的條帶封裝的引線圖案的節距更精細。
條帶封裝使用條帶引線襯底並包括帶載封裝(TCP)和膜上晶片(COF)封裝。TCP包括具有窗口的條帶引線襯底和使用內引線鍵合(ILB)法安裝在該條帶引線襯底上的半導體晶片。COF封裝可以包括固體條帶引線襯底和使用倒裝晶片鍵合工藝安裝在條帶引線襯底上的半導體晶片。
在COF封裝中，輸入和輸出端子圖案取代錫球充當外部連接端子。輸入和輸出端子圖案直接貼附到印刷電路板或顯示器面板。
圖1是常規條帶封裝100的平面圖；圖2是沿圖1的線II-II所取的剖面圖；圖3是圖1中的條帶封裝100的半導體晶片10的平面圖。
參考圖1到3，COF封裝100包括條帶引線襯底20和通過凸塊18倒裝晶片鍵合到條帶引線襯底20的半導體晶片10。密封物30通過底部填料(underfill)工藝密封倒裝晶片鍵合部分。凸塊18把半導體晶片10連接到條帶引線襯底20的輸入和輸出引線圖案23和28。
半導體晶片10包括沿有源表面11的邊緣的輸出焊盤12和輸出焊盤16。邏輯單元設置在有源表面11的中心區域中。輸入焊盤12沿半導體晶片10的一個長邊設置。輸入焊盤12包括多個信號焊盤13、功率焊盤14和接地焊盤15。設置功率焊盤14和接地焊盤15使得功率和接地均勻提供到半導體晶片10。
圖4是在圖1的條帶封裝100操作期間發生的熱的溫度分布圖。參考圖4，大部分熱從邏輯單元所處的半導體晶片10的中心區域產生。熱通過連接到半導體晶片10的輸入和輸出引線圖案23和28輻射到印刷電路板40和面板50。
輸入和輸出引線圖案23和28以均勻節距和均勻寬度形成，無論熱的路徑如何，因此導致無效的熱輻射。功率焊盤14和接地焊盤15的分散排布可以導致輸入引線圖案23的長度增加，這會減少條帶封裝100的熱輻射能力。通常，設置在半導體晶片10的外圍區中的輸入引線圖案23長於設置在半導體晶片10的中心區的那些輸入引線圖案23。因此，連接到功率焊盤14和接地焊盤15的外圍上的輸入引線圖案23與設置在半導體晶片10的中心區域的那些相比具有較長的長度。結果，通過連接到功率焊盤14和接地焊盤15的輸入引線圖案23的熱的路徑可以提高，從而減小熱輻射能力。此外，隨著半導體晶片10的頻率和電壓的增加，更多的熱從半導體晶片10產生。
發明內容本發明的示範性實施例提出了一種半導體晶片。該晶片包括沿有源表面的至少一邊的多個輸入焊盤。該輸入焊盤包括功率焊盤和接地焊盤。該晶片包括沿有源表面邊緣的多個輸出焊盤，在輸入焊盤之外。功率焊盤和接地焊盤位於該至少一側的中心區。
本發明的另一示範性實施例提出一種半導體晶片。該晶片包括位於有源表面的一邊的中心區域的多個功率焊盤和接地焊盤。輸入焊盤包括功率焊盤和接地焊盤。該晶片包括沿有源表面外圍的多個輸出焊盤。
本發明的另一示範性實施例提出了一種條帶封裝。該封裝包括半導體晶片，該半導體晶片包括沿有源表面邊緣的輸入焊盤和輸出焊盤。該輸入焊盤位於有源表面一邊，並包括中心位於該一邊的功率焊盤和接地焊盤。條帶封裝包括條帶引線襯底和密封半導體晶片與條帶引線襯底的鍵合部分的密封物。
本發明的另一實施例提出了用於半導體晶片的條帶引線襯底。該襯底包括通過凸塊連接到半導體晶片的多個輸入焊盤和輸出焊盤的引線圖案。該引線圖案包括多個輸入引線圖案和多個輸出引線圖案。該襯底包括暴露輸入和輸出引線圖案的末端的保護層。每個輸入引線圖案基本沿直線延伸。
通過參考結合附圖對本發明的詳細描述，將更容易理解本發明的示範性實施例，在附圖中相同的參考標號指代相同的結構元件。
附圖僅用於示例的目的且不是按照比例畫的。減小、放大或重新安排了各個實施例中所示的元件的空間關係和相對尺寸，以參考相應的描述提高附圖的清晰度。因此，附圖不應理解為精確反應了根據本發明的示範性實施例製造的實際器件所包括的相應結構元件的實際尺寸或位置。
圖1是常規條帶封裝的平面圖；圖2是沿圖1的線II-II所取的剖面圖；圖3是圖1的條帶封裝的半導體晶片的平面圖；圖4是在圖1的條帶封裝的操作中發生的熱的溫度分布圖；圖5A是根據本發明的示範性實施例的半導體晶片的平面圖；圖5B是圖5A的局部放大視圖；圖6是具有根據本發明的示範性實施例的圖5的具有半導體晶片的條帶封裝的平面圖；圖7是沿圖6的線VII-VII所取的剖面圖；圖8是具有圖5的半導體晶片另一示範性條帶封裝的平面圖；圖9A是具有圖5的半導體晶片的另一示範性條帶封裝的平面圖；圖9B是圖9A中的功率和接地引線圖案的局部放大視圖；圖10是具有圖5的半導體晶片的另一示範性條帶封裝的局部放大視圖；圖11是具有圖5的半導體晶片的另一示範性條帶封裝的局部放大視圖；圖12是具有圖5的半導體晶片的另一示範性條帶封裝的局部放大視圖；圖13是具有根據本發明的另一示範性實施例的半導體晶片的條帶封裝的平面圖。
具體實施方式現在將參考附圖詳細描述本發明的示例、非限制實施例。然而，本發明可以實施為許多不同的形式且不應理解為局限於此處給出的示範性實施例。而是，提供所公開的示範性實施例使得本公開充分和完整，並將向本領域的技術人員充分傳達本發明的範疇。本發明可以實施為多個不同的實施例而不脫離本發明的範疇。
應該理解，附圖旨在示出本發明的示範性實施例的方法和器件的一般特性，為了在此處描述這些示範性實施例的目的。然而，附圖不是成比例的，且不能精確反應任何給定的實施例的特性，並不應理解為限定或限制本發明範疇內的示範性實施例的值或性質的範圍。而是，為了說明的簡化和清楚，誇大了一些元件相對於其他元件的尺寸。
而且，沒有詳細描述或示出公知的結構和工藝，以避免模糊本發明。相同的參考標號用於各個附圖中相同或相應的部分。
圖5A是根據本發明的示範性實施例的半導體晶片110的平面圖。圖5B是圖5A中的部分A的局部放大視圖。雖然為了說明的簡化圖5A示出了單個功率焊盤113和單個接地焊盤115，但例如圖5B中所示，可以提供一組四個功率焊盤113和一組四個接地焊盤115。
參考圖5A和5B，半導體晶片110包括沿有源表面111的邊緣排列的多個輸入焊盤112和輸出焊盤116。輸入焊盤112可以沿有源表面111的邊緣排列。
輸入焊盤112可以包括功率焊盤114和接地焊盤115。功率焊盤114和接地焊盤115可以位於圖5A所示的一邊的中心區域，沿下邊中心排列。連接到輸入焊盤112的輸入引線圖案的長度可以減小以從半導體晶片10直接輻射熱。
例如，半導體晶片110可以具有有源表面111，該有源表面具有相對的長邊。包括信號焊盤113、功率焊盤114和接地焊盤115的輸入焊盤112可以沿有源表面111的一長邊排列。功率焊盤114和接地焊盤115可以位於一長邊的中心區域。信號焊盤113可以排列在提供有功率和接地焊盤114和115的中心區域的兩側之一。
每個功率焊盤114和接地焊盤115可以根據使用的電壓而分組。例如，如果半導體晶片110使用1.5V(V1)和5V(V2)，使用1.5V的功率焊盤114a可以是VDD1，使用5V的功率焊盤114b可以是VDD2，使用1.5V的接地焊盤115a可以是VSS1且使用5V的接地焊盤115b可以是VSS2。VDD1可以位於靠近VSS1，且VDD2可以位於靠近VSS2。雖然此示範性實施例示出了以VDD1、VSS1、VDD2和VSS2順序的排列，但該順序可以改變。例如，其他可能的順序包括VDD1、VSS1、VSS2和VDD2，VSS1、VDD1、VSS2和VDD2，VDD2、VSS2、VDD1和VSS1，VDD2、VSS2、VSS1和VDD1，或者VSS2、VDD2、VSS1和VDD1。雖然這些示範性實施例示出了一組四個功率焊盤和一組四個接地焊盤，功率焊盤或接地焊盤的數目可以不限於此。
輸出焊盤116可以沿除去輸入焊盤排列之外的有源表面111的邊緣排列。雖然此示範性實施例示出了沿有源表面111的邊緣排列的輸入和輸出焊盤112和116，輸入焊盤112可以沿有源表面111的一長邊排列，且輸出焊盤116可以沿有源表面111的相對長邊排列。
圖6是具有根據本發明示範性實施例的圖5的半導體晶片110的條帶封裝200的平面圖；且圖7是沿圖6的線VII-VII所取的剖面圖。
參考圖6和7，作為COF封裝的條帶封裝200可以包括條帶引線襯底120和使用凸塊118倒裝晶片鍵合到條帶引線襯底120的半導體晶片110。密封物130可以通過底部填料(underfill)工藝密封倒裝晶片鍵合部分。半導體晶片110倒裝晶片鍵合到條帶引線襯底120，使得輸入焊盤112和輸出焊盤116的一部分以及引線圖案123和128的一部分實際位於半導體晶片110之下。圖6示出了輸入焊盤112和輸出焊盤116與引線圖案123和128之間的互聯。
條帶引線襯底120可以具有基膜121，該基膜121上具有引線圖案123和128。引線圖案123和128可以通過構圖基膜121上表面上的金屬層而形成。基膜121可以具有在其中心的晶片安裝區。鏈輪齒(sprocket)孔122可以沿基膜21的相對邊緣以規則間距排列。晶片安裝區可以垂直與鏈輪齒孔排列的方向。基膜121可以由絕緣合成樹脂形成，例如聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚碸樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂或聚氯乙烯樹脂。在一個示例中，聚醯亞胺樹脂用作基膜121。在另一示例中，條帶封裝200應用到安裝環境，鏈輪齒孔形成區域可以被除去且封裝區域可以基本用作基膜121。
引線圖案123和128可以使用基膜121的上表面上的Cu箔並使用光刻工藝構圖該Cu箔而形成。引線圖案123和128可以通過凸塊118連接到輸入焊盤112和輸出焊盤116。引線圖案123和128可以圍繞晶片安裝區設置。引線圖案123包括從晶片安裝區延伸到基膜121一側的輸入引線圖案123，以及從晶片安裝區延伸到基膜121另一側的輸出引線圖案128。輸入引線圖案123和輸出引線圖案128可以平行於鏈輪齒孔排列延伸。輸入引線圖案123可以連接到印刷電路板且輸出引線圖案128可以連接到面板。
輸入引線圖案123可以包括連接到功率焊盤114的功率引線圖案125、連接到接地焊盤115的接地引線圖案126和連接到信號焊盤113的信號引線圖案124。由於功率引線圖案125和接地引線圖案126位於基膜121的中心區，給定功率引線圖案125和給定接地引線圖案126的長度可以短於給定信號引線圖案124的長度。
引線圖案123、128可以由具有期望電導率的材料形成，例如Cu、Ni、Au、焊料或其合金。雖然此示範性實施例示出了設置在基膜121上表面上的引線圖案123和128，引線圖案123、128可以設置在基膜121下表面上或上下表面上。
保護層129例如焊料抗蝕劑可以提供在基膜121上以保護引線圖案123、128。輸入焊盤112和輸出焊盤116以及引線圖案123、128的末端可以通過保護層129暴露。
輸入引線圖案123可以包括襯底焊盤123a、中間部分123b和連接焊盤123c。襯底焊盤123a可以通過凸塊118連接到輸入焊盤112。中間部分123b可以從襯底焊盤123a延伸並覆蓋有保護層129。連接焊盤123c可以從中間部分123b延伸並通過保護層129暴露。連接焊盤123c可以連接到印刷電路板。保護層129可以具有開口129a，通過該開口可以暴露輸入引線圖案123的連接焊盤123c。以與輸入引線圖案123相同的方式，輸出引線圖案128可以包括襯底焊盤、中間部分和連接焊盤。
在此示範性實施例中，功率焊盤114和接地焊盤115可以設置在半導體晶片110的有源表面111的一邊的中心區中。功率引線圖案125和接地引線圖案126具有相對短的長度，並可以連接到功率焊盤114和接地焊盤115。因此從半導體晶片110產生的熱可以通過功率引線圖案125和接地引線圖案126輻射。雖然此示範性實施例示出了COF封裝作為條帶封裝200，但TCP可以應用到條帶封裝200。
圖8是具有圖5的半導體晶片的條帶封裝300的另一示例。條帶封裝300可以與條帶封裝200相同，除了輸入引線圖案的形狀。這裡為了簡化省略了輸出引線圖案的詳細描述；在圖8中示出了具有輸入引線圖案的條帶封裝300。
參考圖8，條帶封裝300可以具有功率引線圖案225和接地引線圖案226。每個功率引線圖案225和接地引線圖案226可以基本形成為直線，從而構建條帶封裝300以提高通過功率引線圖案225和接地引線圖案226的熱輻射。
熱傳送或輻射的路徑與距離相關。為了有效的熱輻射，功率引線圖案225和接地引線圖案226可以由直線形成。功率引線圖案225和接地引線圖案226可以在連接焊盤225c和226c之前直線延伸，該連接焊盤通過保護層229的開口229a暴露。信號引線圖案224也可以形成為直線。
圖9A是具有圖5的半導體晶片110的條帶封裝400的另一示例的平面圖；且圖9B是圖9A中的功率和接地引線圖案325和326的局部放大視圖。參考圖9A和9B，條帶封裝400可以具有功率引線圖案325和接地引線圖案326。功率和接地引線圖案325、326的寬度可以形成為寬於信號引線圖案324的寬度。熱傳送或輻射的路徑可以與面積相關。功率和接地引線圖案325、326增加的面積可以導致提高條帶封裝400的熱輻射特性。
由於功率引線圖案325和接地引線圖案326的襯底焊盤325a、325b連接到半導體晶片110的功率焊盤114和接地焊盤115，襯底焊盤325a和325b對增加的寬度具有限制。然而，覆蓋有保護層329的中間部分325b和326b可以具有增加寬度的可能。功率引線圖案325和接地引線圖案326的中間部分325b和326b的寬度可以大於襯底焊盤325a和326a的寬度。保護層129離開標準水平329b可以具有±150μm的標準偏差。中間部分325b和326b的增加的寬度可以從標準水平329b偏離約150μm。
作為選擇，信號引線圖案324的中間部分的寬度可以大於襯底焊盤325a、325b。
圖10是具有圖5的半導體晶片110的另一示範性條帶封裝500的局部放大視圖。參考圖10，條帶封裝500可以包括可以在同一組中一體形成的功率引線圖案425和/或接地引線圖案426。如上所述，半導體晶片110的功率焊盤114和接地焊盤115可以根據使用的電壓分組。連接到至少一組中的輸入焊盤的輸入引線圖案的中間部分可以一體形成。輸入焊盤可以是功率焊盤或接地焊盤，且輸入引線圖案可以是功率引線圖案或接地引線圖案。各組可以彼此分開。在此示例中，功率引線圖案425的中間部分425b可以與相鄰接地引線圖案426的中間部分426b一體形成並分開。
圖11是具有圖5的半導體晶片的條帶封裝600的另一示例的局部放大視圖。參考圖11，條帶封裝600可以包括功率引線圖案525的整體連接焊盤525c。因此從半導體晶片110產生的熱可以通過功率引線圖案525和接地引線圖案526有效輻射。
功率引線圖案525的連接焊盤525c可以與接地引線圖案526的連接焊盤526c分開。雖然此示例示出功率引線圖案525的整體連接焊盤525c，但可以不限於此。
圖12是具有圖5的半導體晶片110的條帶封裝700的另一示例的局部放大視圖。參考圖12，條帶封裝700可以包括功率引線圖案625的整體中間部分625b和連接焊盤625c。雖然此示例示出了功率引線圖案625的整體中間部分625b和連接焊盤625c，但可以不限於此。功率引線圖案625的中間部分625b和連接焊盤625c可以與相鄰接地引線圖案626的中間部分626b和連接焊盤626c分開。
圖13是具有根據本發明另一示範性實施例的半導體晶片210的條帶封裝800的平面圖。參考圖13，條帶封裝800可以包括半導體晶片210和倒裝晶片鍵合到半導體晶片210的條帶引線襯底720。
半導體晶片210的輸入焊盤212可以包括至少一個功率耗散焊盤217。功率耗散焊盤217可以與功率焊盤214和接地焊盤215分開。例如，功率耗散焊盤217可以設置在功率和接地焊盤214、215兩側之一。
條帶引線襯底720的輸入引線圖案723可以包括內引線圖案727。內引線圖案727把功率耗散焊盤217連接到功率焊盤214。在一個示例中，內引線圖案727可以形成在晶片安裝區內。內引線圖案727的一端可以連接到功率引線圖案725的襯底焊盤725a，且內引線圖案727的另一端可以使用凸塊連接到功率耗散焊盤217。內引線圖案727除了其末端之外可以覆蓋有保護層。
內引線圖案727從功率焊盤214向功率耗散焊盤217提供功率，因此向有源表面211的邊緣穩定提供功率。內引線圖案727也可以將從功率耗散焊盤217產生的熱輻射到功率引線圖案725。條帶引線襯底720可以與圖6到12的條帶引線襯底相同，除了具有內引線圖案727之外。
根據本發明的示範性實施例，半導體晶片的輸入焊盤可以包括設置在半導體晶片的有源表面的一長邊的中心區的功率焊盤和接地焊盤。連接到功率焊盤和接地焊盤的功率引線圖案和接地引線圖案可以具有減小的長度和增加的寬度。從半導體晶片產生的熱可以通過連接到功率焊盤和接地焊盤的功率引線圖案和接地引線圖案有效地輻射到外部。
功率焊盤和接地焊盤可以根據使用的電壓而分組。連接到至少一組輸入焊盤的輸入引線圖案的中間部分和/或連接焊盤可以一體形成，因此把半導體晶片產生的熱有效輻射到外部環境。
雖然上面詳細描述了本發明的示例、非限制實施例，但本領域的技術人員應該理解，此處教導的基本發明概念的許多變化和/改進將落入由所附權利要求
所限定的本發明的精神和範疇內。
權利要求
1.一種半導體晶片，包括沿有源表面至少一邊的多個輸入焊盤，所述輸入焊盤包括功率焊盤和接地焊盤；和沿所述有源表面的邊緣的多個輸出焊盤，在所述輸入焊盤之外，其中所述功率焊盤和接地焊盤位於所述至少一邊的中心區域。
2.根據權利要求
1所述的半導體晶片，其中所述輸入焊盤包括至少一個信號焊盤，和所述信號焊盤設置在所述功率和接地焊盤兩者之一側。
3.根據權利要求
1所述的半導體晶片，其中每個功率焊盤和接地焊盤根據使用的電壓分組。
4.根據權利要求
1所述的半導體晶片，其中所述有源表面具有相對的長邊，和所述輸入焊盤設置在所述相對長邊之一。
5.根據權利要求
4所述的半導體晶片，其中所述輸入焊盤包括至少一個功率耗散焊盤，和所述功率耗散焊盤與所述功率焊盤和接地焊盤所處的一邊的中心區域分隔開。
6.一種載帶封裝，包括根據權利要求
1所述的半導體晶片，條帶引線襯底，包括具有晶片安裝區域的基膜，引線圖案，通過凸塊連接到所述輸入和輸出焊盤，並包括從所述晶片安裝區域延伸到所述基膜一邊的輸入引線圖案，以及從所述晶片安裝區域延伸到所述基膜另一邊的輸出引線圖案，和保護層，設置在所述引線圖案上以暴露所述引線圖案的末端，和密封所述半導體晶片和條帶引線襯底的鍵合部分的封裝物。
7.根據權利要求
6所述的封裝，其中給定輸入焊盤包括至少一個信號焊盤，和所述信號焊盤設置在所述功率和接地焊盤兩者之一側。
8.根據權利要求
7所述的封裝，其中所述輸入引線圖案包括連接到功率焊盤的功率引線圖案，連接到接地焊盤的接地引線圖案和連接到信號焊盤的信號引線圖案，設置每個功率圖案和接地圖案以基本沿直線延伸。
9.根據權利要求
8所述的封裝，其中所述輸入引線圖案包括通過所述凸塊連接到所述輸入焊盤的襯底焊盤，從所述襯底焊盤延伸並覆蓋有保護層的中間部分，和從所述中間部分延伸並通過保護層暴露的連接焊盤，所述連接焊盤連接到印刷電路板，和所述中間部分的寬度大於所述襯底焊盤的寬度。
10.根據權利要求
9所述的封裝，其中所述功率引線圖案和接地引線圖案的中間部分的寬度大於所述功率引線圖案和接地引線圖案的襯底焊盤的寬度。
11.根據權利要求
9所述的封裝，其中所述每個功率焊盤和接地焊盤根據使用的給定電壓分組。
12.根據權利要求
11所述的封裝，其中連接到至少一組輸入焊盤的所述輸入引線圖案的中間部分一體形成。
13.根據權利要求
11所述的封裝，其中連接到至少一組輸入焊盤的所述輸入引線圖案的連接焊盤一體形成。
14.根據權利要求
11所述的封裝，其中連接到至少一組輸入焊盤的所述輸入引線圖案的中間部分和連接焊盤一體形成。
15.根據權利要求
9所述的封裝，其中所述輸入焊盤還包括至少一個功率耗散焊盤，和所述功率耗散焊盤位於離開功率焊盤和接地焊盤所處的一邊的中心區域的給定距離。
16.根據權利要求
15所述的封裝，其中給定輸入引線圖案還包括形成在晶片安裝區域內的內引線圖案，所述內引線圖案通過凸塊連接到功率引線圖案的襯底焊盤和功率耗散焊盤。
17.根據權利要求
16所述的封裝，其中所述功率耗散焊盤位於所述一邊的中心區域的兩側之一。
18.一種用於具有設置在有源表面上的輸入焊盤和輸出焊盤的半導體晶片的條帶引線襯底，輸入焊盤設置在有源表面的一邊上，輸入焊盤包括功率焊盤和接地焊盤，功率和接地焊盤設置在一邊的中心區域，所述條帶引線襯底包括具有晶片安裝區域的基膜；引線圖案，通過凸塊連接到多個輸入和輸出焊盤，所述引線圖案包括從晶片安裝區域延伸到基膜一側的多個輸入引線圖案，以及從晶片安裝區域延伸到基膜另一側的多個輸出引線圖案；和保護層，設置在所述引線圖案上，暴露所述引線圖案的末端，其中每個輸入引線圖案基本沿直線延伸。
19.根據權利要求
18所述的條帶引線襯底，其中給定輸入引線圖案包括連接到功率焊盤的多個引線圖案，連接到接地焊盤的多個接地引線圖案，和連接到信號焊盤的信號引線圖案，和設置每個功率引線圖案和接地引線圖案以基本沿直線延伸。
20.根據權利要求
19所述的條帶引線襯底，其中給定輸入引線圖案包括通過凸塊連接到輸入焊盤的襯底焊盤，從襯底焊盤延伸並覆蓋有保護層的中間部分，和從中間部分延伸並通過保護層暴露的連接焊盤，所述連接焊盤連接到印刷電路板，和所述輸入引線圖案的中間部分的寬度大於所述襯底焊盤的寬度。
21.根據權利要求
20所述的條帶引線襯底，其中所述功率引線圖案和接地引線圖案的中間部分的寬度大於所述功率引線圖案和接地引線圖案的襯底焊盤的寬度。
22.根據權利要求
21所述的條帶引線襯底，其中每個功率焊盤和接地焊盤根據使用的給定電壓而分組。
23.根據權利要求
22所述的條帶引線襯底，其中至少一組輸入引線圖案的中間部分彼此集成。
24.根據權利要求
22所述的條帶引線襯底，其中至少一組輸入引線圖案的連接焊盤彼此集成。
25.根據權利要求
22所述的條帶引線襯底，其中至少一組輸入引線圖案的中間部分和連接焊盤一體形成。
26.根據權利要求
19所述的條帶引線襯底，其中給定輸入引線圖案還包括形成在所述晶片安裝區域中的內引線圖案；和所述內引線圖案通過凸塊連接到所述功率引線圖案的襯底焊盤和功率耗散焊盤。
27.一種半導體晶片，包括多個功率焊盤和接地焊盤，位於有源表面的一邊的中心區域，輸入焊盤包括功率焊盤和接地焊盤；和沿所述有源表面外圍的多個輸出焊盤。
28.根據權利要求
27所述的半導體晶片，還包括至少一個信號焊盤，設置在所述功率焊盤和接地焊盤兩者之一側。
29.根據權利要求
27所述的半導體晶片，其中每個功率焊盤和接地焊盤根據使用的電壓而分組。
30.一種條帶封裝，包括半導體晶片，包括沿有源表面邊緣的輸入焊盤和輸出焊盤，所述輸入焊盤位於有源表面一邊並包括中心位於所述一邊的功率焊盤和接地焊盤，條帶引線襯底，通過凸塊連接到半導體晶片的輸入和輸出焊盤，和密封半導體晶片和條帶引線襯底的鍵合部分的密封物。
31.根據權利要求
30所述的封裝，其中給定輸入焊盤包括至少一個信號焊盤，和所述信號焊盤設置在功率和接地焊盤的兩者之一側。
32.根據權利要求
31所述的封裝，其中條帶引線襯底包括具有連接到功率焊盤的多個功率引線圖案的輸入引線圖案，連接到接地焊盤的多個接地引線圖案和連接到信號焊盤的多個信號引線圖案，設置每個功率圖案和接地圖案使基本沿直線延伸。
33.一種用於半導體晶片的條帶引線襯底，包括通過凸塊連接到半導體晶片的多個輸入焊盤和輸出焊盤的引線圖案，所述引線圖案包括多個輸入引線圖案和多個輸出引線圖案，和保護層，暴露輸入和輸出引線圖案的末端，其中每個輸入引線圖案基本沿直線延伸。
34.根據權利要求
33所述的襯底，其中給定輸入引線圖案包括連接到功率焊盤的多個引線圖案，連接到接地焊盤的多個接地引線圖案，和連接到信號焊盤的多個信號引線圖案，和設置每個功率引線圖案和接地引線圖案使基本沿直線延伸。
專利摘要
本發明提供了一種半導體晶片、該晶片的條帶封裝和該晶片的條帶引線襯底，從而通過連接到特定焊盤的特定引線圖案將晶片產生的熱有效輻射到外部。在示例中，晶片可以包括沿有源表面至少一邊的多個輸入焊盤。所述輸入焊盤可以包括功率焊盤和接地焊盤。該晶片可以包括沿所述有源表面的邊緣的多個輸出焊盤，在所述輸入焊盤之外。所述功率焊盤和接地焊盤可以位於所述至少一邊的中心區域。
文檔編號H01L23/488GK1992247SQ200610135993
公開日2007年7月4日 申請日期2006年10月16日
發明者趙暎相, 金東漢 申請人:三星電子株式會社導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan