微影投射設備、氣體洗滌方法、裝置製造方法及洗滌氣體的供應系統的製作方法

2023-05-07 02:35:21

專利名稱：：微影投射設備、氣體洗滌方法、裝置製造方法及洗滌氣體的供應系統的製作方法微影投射設備、氣體洗滌方法、裝置製造方法及洗滌氣體的供應系統本申請是原申請的申請日為2007年3月28日，申請號為2007800115338，發明名稱為《微影投射設備、氣體洗滌方法、裝置製造方法及洗滌氣體的供應系統》的中國專利申請的分案申請。本申請案主張2006年4月3日提出申請的美國專利申請案第11/396，823號的利益，且為此美國申請案的連續案；本申請案主張2003年7月21日提出申請的美國專利申請案第10/623，180號的利益，且為此美國申請案的部分連續申請案；且本申請案主張2004年7月21日提出申請的國際專利申請案第PCT/US2004/023490號的利益，且為該國際申請案的部分連續申請案；且本申請案主張2004年7月21日提出申請的美國專利申請案第10/565，486號的利益，且為該美國申請案的部分連續申請案；這些申請案的內容整體以參考的方式加入本文之中。
背景技術：
：出現在一種微影投射設備的組件的表面於使用期間會逐漸受到汙染，即使該設備大部分是在真空下操作也是如此。特別是，在微影投射設備中例如反射鏡的光學元件的汙染對於該設備的操作方面會有不利的影響，因為此種汙染影響到光學元件的光學特性。微影投射設備的光學元件汙染已知會藉由用一種超高純度的氣體洗滌微影投射設備的空間而降低，此種光學元件位在該空間中，該超高純度的氣體被稱為洗滌氣體。該洗滌氣體防止表面的汙染，例如，受到碳氫化合物的分子汙染。這種方法的其中一項缺點是洗滌氣體對用於微影製程的化學活性方面會有不利的影響。因此，需要一種修改的洗滌氣體，其能夠降低在微影投射系統中光學元件的汙染，但是卻不會對用於微影製程的化學活性方面有不利的影響。
發明內容本發明含有一個微影投射設備，其可以包括一個照明器與一個支撐結構，該照明器被建構來提供一道輻射束，而該支撐結構則被建構來支撐一個圖案成形裝置。圖案成形裝置被建構來依據一個想要的圖案使一道投射束形成圖案。一個基板平臺被建構來握持一個基板。一個投射系統被建構來投射被圖案成形過的光束到該基板的目標部分上。至少一個洗滌氣體供應系統被建構來將一種洗滌氣體提供到至少部分的微影投射設備。該至少一個洗滌氣體供應系統具有一個洗滌氣體混合物產生器，而該洗滌氣體混合物產生器則包括一個蒸發器，其被建構來將蒸氣加入到一種洗滌氣體中，以形成一種洗滌氣體混合物。在某些變化形式中，該洗滌氣體主要由該洗滌氣體與一種來自可蒸發液體的蒸氣所組成。在某些實施例中，該洗滌氣體混合物能夠包括一種洗滌氣體與一種來自可蒸發液體的蒸氣。該可蒸發液體形成一種在該洗滌氣體中未受到汙染的蒸氣，而該混合物被用來降低或減少在微影投射設備中的光學元件的汙染，同時維持在一個基板的上的披覆物的化學活性。一個洗滌氣體混合物出口被連接到洗滌氣體混合物產生器，並且能夠被建構來將洗滌氣體混合物供應到至少部分的微影投射設備。在該洗滌氣體混合物產生器中的蒸發器是在高流率下將蒸氣加入到洗滌氣體中，而不會對該洗滌氣體造成超過Ippt(每兆分之一)的汙染物。在某些實施例中，在洗滌氣體混合物產生器中的蒸發器是在高流率下將蒸氣加入到洗滌氣體中，而不會對該洗滌氣體造成超過Ippb(每十億分之一)的汙染物，Ippb的汙染物降低在微影投射系統中光學元件的光學特性。本發明的一個方面是提供一種改良式微影投射設備，特別是使用某種洗滌氣體就能夠降低汙染物，而不會影響光阻劑顯影的一種微影投射設備。依據本發明的一個方面，一種微影投射設備包括一個照明器與一個支撐結構，該照明器被建構來提供一道輻射束，而該支撐結構被建構來支撐一個圖案成形裝置。該圖案成形裝置被建構以依據一個想要的圖案來使一道投射束形成圖案。一個基板平臺被建構來握持一個基板。一個投射系統被建構來投射被圖案成形過的光束到該基板的目標部分的上。至少一個洗滌氣體供應系統被建構來將一種洗滌氣體提供到至少部分的微影投射設備。該至少一個洗滌氣體供應系統具有一個洗滌氣體混合物產生器，而該洗滌氣體混合物產生器則包括一個蒸發器，或者該蒸發器被建構來將溼氣加入到一種洗滌氣體中。該洗滌氣體混合物產生器被建構來產生一種洗滌氣體混合物。該洗滌氣體混合物包括至少一種洗滌氣體與該溼氣。一個洗滌氣體混合物出口被連接到洗滌氣體混合物產生器，並且能夠被建構來將該洗滌氣體混合物供應到至少部分的微影投射設備。因此，存在著溼氣，而化學活性，例如，阻劑的顯影，並不會受到洗滌氣體混合物的影響。依據本發明另一個方面，一種洗滌氣體供應系統，其包含一個洗滌氣體混合物產生器，而該洗滌氣體混合物產生器包括一個霧化器，其被建構來將霧氣增加到一種洗滌氣體中。該洗滌氣體混合物產生器被建構來產生一種洗滌氣體混合物且包括一個洗滌氣體出口，而該洗滌氣體混合物包括至少一種洗滌氣體與霧氣。在某一個實例中，洗滌氣體出口被建構來將洗滌氣體混合物供應到至少一部分的微影投射設備。在本發明的某一型式中，該洗滌氣體混合物是一種由洗滌氣體與霧氣組成的成分，該種成分包含小於大約Ippb的對於光學元件的光學特性方面會有不利影響的汙染物，該等光學元件則與輻射交互作用，以在微影投射設備中的基板形成一個圖案。在一個較佳實施例中，該洗滌氣體混合物供應系統包括一個洗滌氣體源、一個水源、與一個洗滌氣體混合物產生器，而該洗滌氣體混合物產生器具有一個霧化器，其被建構來將霧氣增加到一種洗滌氣體中。選擇上，該供應系統也包括一個用於水的加熱裝置，使得水在進入霧化器時或在進入霧化器前被加熱。在本發明的某個型式中，該蒸發器是用於洗滌氣體供應系統的一種霧化器，而微影投射設備較佳包括一個包含一洗滌氣體流的第一區域與一個包含水的第二區域，第一區域與第二區域是被蒸發器的一個氣體可滲透式薄膜在洗滌氣體供應系統處隔開，該蒸發器實質上可以抵抗可蒸發液體的液體侵入。更佳地，霧化器包含具有一個第一端部與一個第二端部的一束全氟化氣體可滲透式塑料中空纖維薄膜，該等薄膜具有一個外表面與一個內表面，而該內表面包括一個內腔(lumen)，而每一個纖維束的端部是以一個液密式全氟化熱塑性密封件封住(potted)，而形成一個單件式端部結構，而該單件式端部結構具有一個環繞的全氟化熱塑性外罩，纖維端部則對於流體流動開放。該外罩具有一個內壁與一個外壁，而該內壁界定一個在該內壁與該等中空纖維薄膜之間的流量容積；該外罩包括一5個洗滌氣體入口，而該洗滌氣體入口被連接到該洗滌氣體源與一個洗滌氣體混合出口。該外罩包括一個被連接到該水源的水入口及一個水出口，該洗滌氣體入口不是被連接到該纖維束的第一端部且該洗滌氣體混合物出口被連接到該纖維束的第二端部，就是該水入口被連接到該纖維束的第一端部且該水出口被連接到該纖維束的第二端部，其中，該洗滌氣體混合物包含至少一種洗滌氣體與溼氣。依據本發明的另一個方面，一種用於將蒸氣加入洗滌氣體的方法包括將該洗滌氣體輸送通過上述的蒸發器一段足以將蒸氣加入洗滌氣體的時間。含有蒸氣的洗滌氣體被提供到至少一部分的微影投射設備。在一個實施例中，該蒸氣是水蒸氣，且包括藉由將溼氣加入到一種洗滌氣體中的方式來產生一種洗滌氣體混合物的動作，而該洗滌氣體混合物具有至少一種洗滌氣體與溼氣，以及將該洗滌氣體混合物供給到至少一部分的微影投射設備，而該洗滌氣體混合物包括一種洗滌氣體與溼氣。因此，用於該微影投射設備中的化學品並不會受到洗滌氣體的影響。依據本發明進一步的一方面，一種裝置製造的方法包括將上述方法運用到至少部分的基板，而該基板至少部分被一層輻射敏感性材料所覆蓋；投射一個被圖案成形過的輻射光束到該層輻射敏感性材料的一個目標部分上；以及將該洗滌氣體混合物供應到靠近在該裝置製造方法中使用的組件的表面。本發明進一步的細節、該些方面與實施例將僅藉由實例參照附圖來描述。圖1概略地顯示依據本發明某一型式的微影投射設備實施例的實例。圖2顯示依據本發明EUV照射系統與一種微影投射設備的投射用光學元件的側視圖。圖3概略地圖示說明依據本發明實施例的洗滌氣體混合物供給系統的一個實例。圖4概略地顯示適用於圖3實例的霧化器裝置。圖5是能夠使用於圖3實例中的中空纖維薄膜式蒸發器或霧化器的圖示。圖6顯示使用於圖1中薄膜接觸器的測試分歧管線。圖7顯示用於超潔淨幹空氣(XCDA)的氣相色層分析/火焰離子偵測器(GC/FID)的讀數。圖8顯示用於如實例1所示，XCDA的GC/FID的讀數，該XCDA通過一個霧化器。圖9顯示用於XCDA的氣相色層分析/脈衝式火焰離子偵測器(GC/PFID)的讀數。圖10顯示用於如實例1所示，XCDA的GC/PFID的讀數，該XCDA通過一個霧化器。圖11(A)圖標說明一種型式的洗滌氣體供給系統，其具有用於稀釋洗滌氣體混合物的一個洗滌氣體源；也同時顯示一個光學收集器。圖11(B)圖標說明一種型式的洗滌氣體供給系統，其具有用於稀釋洗滌氣體混合物的一個洗滌氣體源與一個用以維持來自蒸發器或霧化器的洗滌氣體混合物的溫度的熱交換器區域。圖12說明相對於在來自一個蒸發器的兩種不同氣體出口壓力下的飽和狀態的蒸氣輸出圖形，其中在ISpsig下的水是可蒸發的液體。圖13(A)說明相對於在來自一個蒸發器的數種不同流率下的飽和狀態以及用於在59psig下於蒸發器中像是水的可蒸發液體的蒸氣輸出圖形。圖13(B)是在蒸發器中於數種不同氣體壓力下的洗滌氣體混合物中所計算出來的蒸氣濃度的圖形。圖14是用於產生洗滌氣體混合物的設備的圖示，而該設備利用一個或更多連接在一起的中空纖維式蒸發器。圖15說明在洗滌氣體中的蒸氣濃度的圖示，該洗滌氣體流過一個中空纖維式蒸發器，而該中空纖維式蒸發器可以被控制在一個基本上與流過該蒸發器的洗滌氣體流率無關的範圍內。主要元部件符號說明1微影投射設備LA輻射源MT光罩臺MA光罩PM定位裝置PL投射透鏡C目標位置W基板LA光源IL照明器EX光束擴展器AM調整裝置IN積光器CO冷凝器PB光束IF幹涉儀WT基板臺Pff定位裝置Ml光罩對準標記M2光罩對準標記XX軸YY軸Pl基板對準標記P2基板對準標記BP底板100洗滌氣體供給系統具體實施例方式在描述本發明的構成與方法前，應該了解到，本發明並未受限於所描述的特定分子、構成、方法或規則，因為這些是會改變的。也應該了解到，用於本發明說明書中的術語僅7是為了描述特定的型式與實施例的目的，並且並未意圖限定本發明的範圍，而本發明則僅由申請專利範圍所限定。也必須注意到，除非內文明確地指出，如在本文中與在申請專利範圍所使用的，單數形式「一個(a、an)」與「該(the)」是包括複數型式。因此，例如提及一「中空纖維」是指一個或更多的中空纖維與熟悉此項技術的人士所知道的均等物等等。除非以其它方式界定，否則使用於本文中的所有技術與科學術語皆具有一種為一般熟悉此項技術的人士所共同了解的相同意義。雖然任何類似或均等於本文中所描述的方法與材料能夠使來實施或測試本發明的實施例，但是現在要描述的是較佳的方法、裝置與材料。本文中所有提到的公開文件皆被併入於本文中作為參考。本文中並無任何事物被建構成承認可藉由早於本發明的揭示內容使本發明不具有專利要件。本發明的數種型式提供用於將蒸氣加到洗滌氣體中的一種設備與一種方法。雖然此種由蒸氣所組成的洗滌氣體或包括蒸氣的洗滌氣體特別有利於微影系統，但是它們的用途並非僅限定於此種系統。藉由本發明的一種方法將蒸氣引入到一個系統中以避免引入可能汙染該洗滌氣體的蒸氣的方法。本發明的某些型式提供用於將水蒸氣加入一洗滌氣體的一種設備與一種方法。雖然此種增溼過的洗滌氣體特別有利於微影系統，但是它們的用途並未受限於此種系統。藉由本發明的方法將水引入一個系統中避免引入可能汙染該洗滌氣體的水的方法。本文中所用的圖案成形裝置一詞應該被廣泛地解釋成一種能夠被用來賦予進來的輻射光束以一種形成圖案的橫剖面，該橫剖面對應於要被建立在基板的目標部分中的圖案。用語「光閥(lightvalve)」也能夠被使用在內文中。通常，該圖案將對應於在一種將在目標區域中要被建立起來的裝置中的某一種特殊功能層(functionallayer)，該裝置例如是集成電路或其它的裝置(請參照下文)。此種圖案成形裝置的實例是光罩。光罩的概念在微影技術方面是眾所熟知的，而光罩類型包括二元(binary)光罩、交替式相改變(alternatingphase-shift)光罩與衰減式相移光罩，以及數種混合式光罩類型。此種光罩在輻射依據在光罩的上的圖案，光束中的擺置會造成照射在光罩上輻射光束的選擇性穿透(在穿透式光罩(transmissivemask)的情況下)或反射(在反射式光罩(reflectivemask)的情況下)。在光罩的情況中，支撐件通常將是一個光罩臺，其確保光罩能夠被保持在進來的輻射光束中的所需位置處，並且如果需要的話，其能夠相對於輻射光束移動。另一個圖案成形裝置的實例是可編程的鏡片數組。此種數組的實例是具有一個黏彈體控制層與一個反射表面的矩陣式可尋址表面。支持著此種設備的基本原理是例如，反射表面的被尋址的區域將入射光反射成繞射光，而未尋址的區域則將入射光反射成非繞射光。利用一種合適的過濾器，非繞射光能夠過濾出被反射的光束，而僅留下繞射的光。以這種方式，依據矩陣式可尋址表面的尋址圖案，光束逐漸形成圖案。替代實施例的一種可編程鏡片數組是利用極小的鏡片(tinymirror)的一種矩陣配置方式，藉由施加一種合適的局部化電場或藉由利用數個壓電致動器，每個微鏡片均能夠分別地對著一個軸傾斜。再次地，該等鏡片是矩陣可尋址式的，使得尋址的鏡片能夠以不同的方向將進來的輻射光束反射到未尋址的鏡片。以這種方式，反射的光束依據矩陣式可尋址鏡片的尋址圖案被形成圖案。使用合適的電子組件，能夠進行所要的矩陣尋址。在上述的兩種情況中，該圖案成形裝置可以包括一個或更多的可編程鏡片數組。更多在本文中所提及的鏡片數組方面的信息能夠見於例如美國專利5，296，891與5，523，193以及PCT公開的WO98/38597與WO98/33096。在一種可編程鏡片數組的情況中，結構可以被實施成一種例如是固定式或移動式的框架或臺桌。一種圖案成形裝置的實例是可編程IXD數組。此種結構的實例揭示在美國專利5，229，872中。如上述，在這個情況中的支撐結構可以被實施成一種可以是固定式或移動式的框架或臺桌。為了簡化的目的，本文的其它部分在某些位置處特別針對數種微影設備(例如，光罩或光罩臺)的實例。然而，在這些實例中討論的一般原則應該會在加入蒸氣到洗滌氣體的更廣的內容中看見，例如本文中所討論的，使用一種洗滌氣體產生器加入水蒸氣以溼潤洗滌氣體。例如，可以在集成電路(IC』S)的製造中使用微影投射設備。在此情況中，圖案成形裝置可以對應於IC的個別層來產生一種電路圖案，而這個圖案能夠被映像到在一個基板(矽晶圓)上的一個目標區域(例如，包括一個或更多的壓模)上，該基板已被塗布一層輻射敏感材料(光阻劑)。在本發明的某些型式中，單一的晶圓將包括相鄰目標區域的一整個網狀結構，而此等目標區域一次一個地經由投射系統而被相繼地輻照。在目前的設備中，藉由一個在光罩臺上的光罩來形成圖案的方式，在兩個不同機器類型間能作出一種區別。在一種類型的微影投射設備中，每個目標區域都是藉由將整個光罩圖案立刻曝光到目標區域上的方式而被輻照。此種設備通常稱為晶圓步進機。在通常稱為步進掃描設備(step-and-scanapparatus)的替代設備中，藉由在輻射光束下以一個給定參考方向(「掃描」方向)漸進地掃描光罩圖案來輻照每個目標區域，同時平行於或反向平行於這個方向而同步地掃描基板臺。一般來說，因為投射系統會具有放大倍率係數M(通常小於1)，所以掃描基板臺的速度將會是係數M乘以掃描光罩臺的速度。更多關於本文所述的微影裝置的信息可以從美國專利6，046，792中看到。在一種使用微影投射設備的已知製程中，一個圖案(例如是在一個光罩中)被映像到一個至少部分由一層輻射敏感材料(光阻劑)所覆蓋的基板上。在這種映像作用前，該基板會經歷數種不同的程序，例如，塗底(priming)、光阻塗布與軟烘烤。在曝光完後，基板會經歷其它製程，例如，曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烤與映射特性方面的量測/檢視。這些使用到的製程序列是當做以圖案成形於一裝置(例如是IC)的一個別層的基礎使用。接著，此圖案成形層會經歷各種製程，例如，蝕刻、離子布植(摻雜作業)、金屬化、氧化、化學機械研磨等等，所有的製程均為了完成個別層的加工。如果需要數層的話，那麼對於每一新的層來說均必須重複整個程序或該程序的變化。各種相迭的層的重迭(並列)容許多層裝置的結構能夠被製造出來。為了這個目的，會在晶圓上的一個或更多位置處提供小參考標記，從而界定在該晶圓上的坐標系統的原點。利用光學與電子裝置並結合基板支託座定位裝置(以下稱為「對準系統」)，每一次有新的層必須被並置在既存的層上時，這個光罩能夠接著被重新定位。最後，這些裝置數組將呈現在基板(晶圓)上。然後，這些裝置藉由一種例如切塊或鋸切的技術而彼此分開，因此，個別的裝置能夠被裝設在一個載體(carrier)上、被連接到銷件上等等。關於這些製程的進一步信息例如從」微晶片製造半導體製程實務導覽，，一書(由McGrawHill出版公司，PetervanZant於1997年所著，ISBN0-07-067250-4第三版)中可以獲知。9為了簡化的目的，投射系統於下文可以稱為「透鏡(lens)」。然而，這個術語應該被廣泛地解釋成含括數種不同的投射系統例如包括折射式光學、反射式光學與反射折射式系統。輻射系統也可以包括依據用於導引、修整或控制輻射光束的任何設計類型而運作的數個組件，並且這些組件在下文中也可以共同或特定地稱為「透鏡」。此外，微影設備可以是一種具有兩個或更多基板臺(及/或兩個或更多的光罩臺)的類型。在此種「多平臺(multiplestage)」裝置中，額外的臺桌可以被使用於可以在一個或更多臺桌上實施的平行或準備步驟中，而一個或更多的其它臺桌將使用於曝光製程。雙平臺型微影設備被描述於例如美國專利5，969，441與6，262，796中。雖然可以特別參照在本文中依據本發明在ICs製造中使用的設備，但是應該明白此種設備具有許多其它可能運用。例如，該設備可以被運用在積體光學系統的製造、用於磁域內存的導引與偵測圖案(guidanceanddetectionpatternsformagneticdomainmemory)、液晶顯不器面板、薄膜式磁頭等等。一般熟習此
技術領域：
的人士將體認到，在此種替代應用的內文中，在文中任何使用」標線片」、」晶圓」或」模具」的術語應該被視為可以分別由更通用的術語」光罩」、」基板」與」目標區域」來取代。在本文件中，」輻射」與」光束」被用來涵蓋被用來使光阻劑在一個基板上形成圖案的所有類型的電磁輻射。上述這些包括x射線、紫外線(UV)(例如，具有365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米的波長)、與極紫外線(EUV)(例如，具有5奈米到20奈米範圍中的波長)以及粒子射束，例如，離子束或電子束。圖1概略地圖示描述依據本發明實施例的微影投射設備1。該微影投射設備1包括一個基座板(baseplate)BP0該設備也可以包括一個輻射源LA(例如，EITV輻射線)。第一物件(光罩)臺MT設有一個被建構以握持一個光罩MA(例如，一個標線片)的光罩支託座(maskholder)，並且被連接到一個相對於一個投射系統或透鏡PL準確地定位光罩的第一定位裝置PM。第二物件(基板)臺WT設有一個被建構以握持一個基板W(例如，塗布光阻劑的矽晶圓)的基板支託座，並且被連接到一個相對於投射系統或透鏡PL準確地定位基板的第二定位裝置PW。該投射系統或透鏡PL(例如，一組鏡片)被建構以將光罩MA的一個輻照部分映射到基板W上的一個目標部分C(例如，包括一個或更多的模具)上。如本文所描述的，該設備屬於一種反射型(也就是說，其具有一個反射式光罩)。然而，一般而言，該設備也可以屬於一種穿透式，例如具有穿透式光罩。再者，該設備可以運用另一種圖案成形裝置，例如上述類型的可編程鏡片數組。該輻射源LA(例如，一個放電或雷射產生的電漿源)產生輻射。該輻射直接地或是在橫越例如一個擴束器(beamexpander)EX的調節裝置(conditioningdevice)之後被供應到一個照明系統(照明器)IL中。該照明器IL可以包括一個調整裝置AM，該調整裝置AM設定在光束中強度分布的外部及/或內部徑向範圍(通常分別稱為s-outer與s-irmer)。此外，其通常將包括各種其它組件，例如積分器(integrator)IN與冷凝器C0。以這種方式，入射到光罩MA上的光束PB具有一種所需的均勻性與在其橫剖面上的強度分布。應該注意到針對圖1，輻射源LA可以在微影投射設備的框罩內，雖然當輻射源LA是例如一個汞燈時，通常是上述的情況，但是該輻射源LA也可以遠離微影投射設備。輻射源LA所產生的輻射線被導入到設備中。後來的情況通常是當輻射源LA是一種準分子雷射(excimerlaser)時的情形。本發明包含這兩種情況。光束PB隨後截住被握持在一個光罩臺MT上的光罩MA。在已經橫過光罩MA之後，光束PB通過透鏡PL，透鏡PL將光束PB聚焦在基板W的一個目標部分C上。由於第二定位裝置PW與幹涉儀IF的輔助，基板臺WT能夠被精確地移動，以例如在光束PB的路徑上定位不同目標區域C。同樣地，例如，在從一個光罩庫(masklibrary)中機械式取出光罩MA後，或在掃描期間，能夠使用第一定位裝置PM以相對於光束PB的路徑準確定位光罩MA。一般而言，對象臺(MT，WT)的移動將藉由一個長行程模塊(粗定位)與一個短行程模塊(細定位)的輔助來實現，該等模塊沒有被明確地描述在圖1中。然而，在一種晶圓步進機(相反於步進掃描設備)的情況中，光罩臺MT可以正好被連接到一個短行程致動器，或者是可以被固定。光罩MA與基板W可以使用光罩對準標記(M1，M2)與基板對準標記(P1，P2)而被對準。所描述的設備可以使用在兩種不同模式中(1)在步進模式中，基本上光罩臺MT被保持固定，且一整個光罩影像立刻地、也就是以單次」閃光」、被投射到一個目標區域C上。基板臺WT接著在X以及/或Y方向上被變換，使得一個不同的目標區域C能夠被光束PB所輻照。(2)在掃描模式中，除了一個給定的目標區域C不會在單次」閃光」中被曝光，基本上應用相同的方案。取代地，光罩臺MT可在一個給定方向上(所謂的」掃描方向」，例如是Y方向)以一個速度ν移動，使得引起輻射PB的光束以掃描過一個光罩影像。同時，基板臺WT同時在相同或相反的方向上以速度V=Mv移動，其中，M是透鏡PL的放大倍數(典型上，M=1/4或1/5)。以這種方式，能夠曝光一個相當大的目標區域C，而不用放棄解析度。圖2顯示能夠使用在圖1微影投射設備1中的投射系統PL與一個輻射系統2。輻射系統2包括一個照明光學單元4。輻射系統2也能夠包括一個光源聚集器模塊(source-collectormodule)或輻射單元3。輻射單元3設有一個由一种放電電漿形成的輻射源LA。輻射源LA可以利用一種氣體或蒸氣，例如氙氣或鋰蒸氣，其中，可以產生一種非常熱的電菜，以發射出在EUV範圍中的電磁頻譜的輻射。藉由導致一種電氣放電的部分離子化電漿崩潰在光學軸0上，可以產生非常熱的電漿。對於有效率地產生輻射，需要分壓0.Imbar的氙氣體、鋰蒸氣或其它合適的氣體或蒸氣。由輻射源LA所發射出的輻射從來源腔(sourcechamber)7，經由一個氣體障壁結構或」箔片捕獲器(foiltrap)9」，通過進入到聚光腔(collectorchamber)8。氣體障壁結構9包括一個信道結構，該信道結構是例如在美國專利6，862，75與6，359，969中所詳細描述的。聚光腔8包括一個輻射聚光器10，其可以是一種掠角射聚光器(grazingincidencecollector)。由聚光器10所傳遞的輻射被反射離開一個光柵光譜濾器(gratingspectralfilter)11，以被聚焦在聚光腔8中的一孔隙處的虛擬源點(virtualsourcepoint)12。從聚光腔8處，投射光束16通過法線入射反射鏡13與14在照明光學單元4中被反射到一個標線片或定位在標線片或光罩臺MT上的光罩上。有圖案的光束17被形成，該光束通過反射式組件18與19而在投射系統PL中被映像到一個晶圓平臺或基板臺WT上。在照明光學單元4與投射系統PL中通常可以存在比所示出的更多的組件。如圖2所示，微影投射設備1包括一個洗滌氣體供應系統100。如圖2所示，洗滌氣體供應系統100的洗滌氣體出口130到133被定位在投射系統PL及照明光學單元4中靠近反射器13與14與反射式組件18與19處。然而，如果需要的話，設備的其它部件同樣可以設有一個洗滌氣體供應系統。例如，微影投射設備的一個標線片與一個或更多個傳感器可以設有一個洗滌氣體供應系統。在圖1與圖2中，洗滌氣體供應系統100定位在微影投射設備1內。洗滌氣體供應系統100能夠利用在微影投射設備1外部的任何裝置、以任何適用於特定實施的方式受到控制。然而，同樣可能將洗滌氣體供應系統100的至少一些組件定位在微影投射設備1外側，例如洗滌氣體混合物產生器120。圖3顯示洗滌氣體供應系統100的實施例。一個洗滌氣體入口110被連接到一個供應一種實質上沒有溼氣的乾燥氣體的洗滌氣體供應設備(未顯示)，該洗滌氣體供應設備例如是一個加壓的氣體供應迴路、一個具有壓縮幹空氣、氮氣、氦氣或其它氣體的汽缸。乾燥氣體被進給通過洗滌氣體混合物產生器120。如於下文中解釋的，乾燥氣體在洗滌氣體混合物產生器120中被進一步純化。此外，洗滌氣體混合物產生器120包括一個蒸發器150，該蒸發器150將蒸氣添加到洗滌氣體中，以形成一種洗滌氣體混合物。例如在本發明的一種型式中，蒸發器是一個霧化器150，其將溼氣添加到用於該洗滌氣體混合物出口130的乾燥氣體。如在這個實施例所示的其它洗滌氣體出口131與132並未連接到霧化器150。在洗滌氣體產生器的實施例中可以存在有洗滌氣體出口與洗滌氣體混合物出口的數種不同的組合。因此，在洗滌氣體混合物出口130處存在有一種包含洗滌氣體與溼氣的洗滌氣體混合物，且在其它洗滌氣體出口131以及132處則僅存在乾燥的洗滌氣體。藉以，可以僅在靠近被提供有需要一種蒸氣(例如水蒸氣)的化學品的表面(例如晶圓臺WT)附近提供洗滌氣體混合物，而微影投射設備1的其它部分則能夠被提供有一種乾燥洗滌氣體，也就是說，沒有類似溼氣的一種蒸氣。然而，本發明並未被限制成產生器僅有一個出口供應洗滌氣體混合物的洗滌氣體混合物產生器。此外，因為類似溼氣的蒸氣被添加到一種洗滌氣體中，所以能夠以優良的準確度控制該洗滌氣體混合物的特性，蒸氣的濃度或純度。例如，優良的準確度可以是在洗滌氣體中的蒸氣濃度，用以形成藉由將洗滌氣體、可蒸發液體或前述兩種的組合的溫度控制於大約士1°C或士rc以下的方式來達成的一種洗滌氣體混合物。在洗滌氣體中的蒸氣濃度能夠藉由維持在氣體與液體間的壓力使得氣體並不會侵入到液體中而受到控制，且在洗滌氣體中的蒸氣濃度實質上是恆定在大約5%或更小的範圍之內。洗滌氣體中的蒸氣濃度藉由控制溫度、壓力、洗滌氣體流率或是上述條件的任意組合而被維持，使得洗滌氣體中的蒸氣濃度實質上是穩定的，例如，在製造洗滌氣體混合物期間，洗滌氣體混合物中的蒸氣濃度變動大約5%或更少，在某些型式中，其變動大約在或更少，而在又另外的型式中，洗滌氣體混合物中的蒸氣濃度小於大約0.5%。洗滌氣體混合物中的溼氣濃度可以是藉由控制洗滌氣體進入蒸發器中的流率、混合有洗滌氣體混合物的稀釋洗滌氣體的流率、或是上述條件的任何組合所達成的，以達成變化在5%或更少的蒸氣濃度。在某些型式中，洗滌氣體中的溼氣濃度能夠藉由一種可蒸發液體的壓力而受到控制，該可蒸發液體的壓力大約為超過洗滌氣體的壓力5psig或更高。在洗滌氣體與液體間的壓力差能夠藉由一個或更多的壓力調節器而受到控制，壓力調節器具有大約5%或更少的重複性，且在某些模式中具有大約小於士0.5%的重複性。來自霧化器下遊處的一個溼氣探針的輸出訊號可以與在一個控制迴路中的一個控制器一起使用，以調節在蒸發器中的洗滌氣體或可蒸發液體的壓力、調節在蒸發器中的可蒸發液體或洗滌氣體的溫度、調節添加到洗滌氣體混合物的稀釋洗滌氣體量、或是上述這些的任何組合，用以在洗滌氣體中達成一蒸氣量，以形成一種洗滌氣體混合物，在本發明的某些型式中該混合物提供一種變動小於5%的蒸氣濃度，在本發明的某些型式中，其變動小於1%，而在其它的型式中，其變動小於0.5%。有利的是，將洗滌氣體的溫度或洗滌氣體混合物的溫度維持在微影製程公差內的一溫度範圍內，用以將微影投射設備中光學元件的熱膨脹與熱收縮減少到最小程度，且降低折射率的變動。有利的是，將在洗滌氣體混合物中的蒸氣濃度維持在這些範圍內，用以最小化在折射率以及在幹涉量測裝置的輸出的變動。有利的是，系統的蒸發器是有彈性的，且例如在水的情況中，該蒸發器容許出現在該洗滌氣體混合物中的水蒸氣的量可以容易地藉由添加更多或更少的水蒸氣到洗滌氣體中而被調iF.ο如其中蒸氣是水蒸氣的圖15所示的，藉由修改蒸發器的溫度與流率，蒸氣濃度能夠被控制在實質與通過蒸發器的洗滌氣體流率無關的範圍內。在某些型式中，蒸氣濃度能夠被控制在小於在洗滌氣體混合物中的蒸氣濃度大約5%的範圍內，而在某些實施例中，小於大約的範圍內，在其它實施例中，則小於大約0.5%的範圍內。如圖15所示，本發明型式的蒸發器所能夠提供的一種洗滌氣體混合物具有在40slm的流量下大約6314ppm的水蒸氣濃度、在80slm的流量下大約6255ppm的溼氣濃度以及在120slm的流量下大約6286ppm的溼氣濃度。在洗滌氣體通過蒸發器的整個流率中，實質固定的溼氣濃度的變動是小於大約0.5%。在某些型式的洗滌氣體混合物產生器120中，該產生器在一個流動方向上能夠包括一個淨化器裝置128、一個流量計量器127、一個閥件125、一個減量器(reducer)129、一個熱交換器126與該霧化器150。用於洗滌氣體的一個氣體源通過洗滌氣體入口110而被供應到淨化器裝置128。例如，一種來自CDA源(未顯示)的壓縮乾燥空氣(CDA)通過洗滌氣體入口110被供應到淨化器裝置128。CDA則受到淨化器128淨化。淨化器128包括兩個平行的流動分歧管線128A與128B，每個流動分歧管線在流動方向上包括一自動閥件1281或1282與一個可再生式淨化器裝置1283或1284。每個可再生式淨化器裝置1283與1284設有一個加熱組件，用以加熱並藉此分別且獨立地再生個別的可再生式淨化器裝置1283與1284。例如，一個淨化器能夠被用來製作洗滌氣體，而其它淨化器則是離線被再生的。該等流動分歧管線被在淨化器裝置1283與1284下遊處被連接到一個能夠被一個氣體淨化度傳感器1286所控制的關斷閥1285。因為淨化器是可再生的，藉由將該等淨化器在它們變得充滿著從洗滌氣體處被移除的化合物的情況下分開地加以再生，該系統能夠使用一段長時間。可再生式淨化器可以是任何合適的類型，例如與發生在一種木炭過濾器中的非可再生式化學製程相反的可再生式過濾器，該可再生式過濾器是從某一種氣體中、藉由一種例如吸附作用、觸媒或其它方式的物理程序移除汙染的化合物或顆粒的。一般而言，可再生式淨化器並不含有有機材料，且可再生式淨化器典型上包含一種適合用來以物理方式結合洗滌氣體的汙染物的材料，例如包含有沸石、氧化鈦、鎵或鈀化合物等等的金屬。較佳的淨化器是惰性氣體與氧兼容式淨化器，例如是可從Mykrolis公司(現在為Entegris公司)購得的AeronexInert或XCDA的淨化器(CE-70KF-I、氧或氮)。在本發明的某些型式中，合適的淨化器提供一種具有小於Ippt的例如碳氫化合物、氮氧化物等等的汙染物的洗滌氣體。淨化器裝置1283與1284能夠交替地處於一種淨化狀態與一種再生狀態，乾淨的乾燥空氣(CDA)或其它氣體在淨化狀態下被淨化。在再生狀態中，淨化器裝置被個別的加熱組件所再生。因此，例如，淨化器裝置1283在淨化CDA時，淨化器裝置1284則被分開地且獨立地再生。淨化器裝置128因此能夠連續地操作，同時維持一種氣體淨化度的穩定位準。自動閥件1281或1282以與淨化器裝置1283與1284的操作一致的方式來操作。因此，當一個淨化器裝置1283或1284被再生時，對應的閥件1281或1282會被關閉。當一個淨化器裝置1283或1284被用來淨化時，對應的閥件1281或1282是打開的。在一個實施例中，例如淨化的CDA的淨化氣體通過關斷閥1285被饋入，該關斷閥1285受到純度傳感器1286的控制。當淨化的CDA的純度低於預定的界限值時，純度傳感器1286會自動關閉關斷閥1285。因此，自動地防止微影投射設備1有具有\過低的純度程度的洗滌氣體的汙染。淨化的CDA的流動能夠通過流動計量器127來監控。閥件125能夠被用來手動地關掉該流動。減量器129在該減量器的出口處提供穩定的壓力，因此一種穩定洗滌氣體的壓力能夠(通過熱交換器126)被提供給限流裝置(restriction)143到145。熱交換器126提供一種在實質固定的溫度下的淨化CDA。熱交換器126吸收熱能或將熱能添加到淨化過的氣體，例如淨化過的CDA，以達成適合於特定實施方式的氣體溫度。在微影投射設備中，例如，使用穩定的處理條件，並且熱交換器因此可以穩定淨化過的CDA的溫度，以具有經過一段時間是不變的或是在預定狹窄溫度範圍內的氣體溫度。對於在微影投射設備中洗滌氣體出口處的洗滌氣體的合適條件可以例如是每分鐘20到30標準升的流量及/或大約22°C的洗滌氣體溫度及/或在30%到60%範圍內的相對溼度。然而，本發明並未被限定於這些條件，並且這些參數的其它數值同樣也可以被使用在依據本發明的系統中。可以使用熱交換器以調整洗滌氣體的溫度，以修改來自一個蒸發器中的可蒸髮式液體的蒸氣的攝入(uptake)。熱交換器126可以通過限流裝置143到145被連接到洗滌氣體出口130到132。限流裝置143到145能夠被用來限制氣體的流動，使得在每個洗滌氣體出口130到132處可以獲得所需要的、固定的洗滌氣體流動與壓力。在洗滌氣體出口處用於洗滌氣體壓力的合適的數值可以例如是IOOmbar。同樣可能使用可調整式限流裝置，用以在每個洗滌氣體出口131到132與洗滌氣體混合物出口處130處提供可調整的氣體流動。蒸發器，例如霧化器150，被連接到在限流裝置143與洗滌氣體出口130間的熱交換器的下遊。洗滌氣體混合物出口130在圖1與圖2的實例中設在靠近晶圓臺WT處。霧化器150添加溼氣或水蒸氣到淨化過的CDA，並因此提供一種洗滌氣體混合物到出口130。在這個實施例中，只會在單一出口處排放洗滌氣體混合物。然而，同樣可能的是例如藉由連接多個洗滌氣體出口到個別的霧化器，或連接兩個或更多的出口到相同的霧化器，而將洗滌氣體混合物排放到兩個或更多的洗滌氣體出口。同樣可能在除了圖3所示之外的洗滌氣體混合物產生器中的不同的位置處提供一個例如霧化器的蒸發器。例如，霧化器150可以放置在洗滌氣體混合物產生器120與閥體143間，而不是在閥體143與洗滌氣體出口13014間。霧化器或其它蒸發器150也能夠當作或操作成一種流量限流裝置，並且如果需要的話，也可以省略連接到霧化器150的限流裝置130。霧化器150可以被實施成例如如圖4所示的。然而，霧化器150同樣可以用不同方式實施，且例如包括將液體蒸發成洗滌氣體流的蒸發器。顯示於圖4中的霧化器150包括一個液體槽151，該液體槽151以一種例如高純度水的可蒸髮式液體巧4裝滿到液體位準A。一個氣體入口1521(以下稱為」溼氣體入口1521」)被放置成使端部沒入可蒸髮式液體154中，也就是低於液體位準A。另一個氣體入口1522(以下稱為」幹氣體入口1522」)被放置成使其端部高於液體位準A，也就是在液體槽151中未充填可蒸髮式液體154的部分。一個氣體出口153將液體槽151在液體巧4上方的部分與洗滌氣體供給系統100的其它部份相連接。在這種型式的蒸發器中，例如淨化過的壓縮幹空氣的洗滌氣體通過溼氣體入口1521被饋送到液體槽151中。因此，在液體IM中產生洗滌氣體的氣泡159。因此，如圖4中由箭頭B所指出的，由於浮力的關係，將溼氣體入口1521放入可蒸髮式液體巧4後氣泡159會向上行進。在不希望被理論所限制下，在此向上行進期間，來自可蒸髮式液體154的溼氣會由於例如擴散過程而進入氣泡159。因此，在氣泡159內的洗滌氣體會與溼氣相混合。在液體表面處，也就是液體位準A處，氣泡159會將其氣態內容物供應到存在液體槽151中在液體IM上方的該或該等氣體。所產生的洗滌氣體混合物通過氣體出口153而從槽排出。溼氣體入口1521可以是具有一個外端部的管件組件，該外端部被連接到液體槽151外側的一個洗滌氣體供給裝置(未顯示)，該洗滌氣體供給裝置例如是圖3的洗滌氣體混合物產生器120。含有蒸氣或溼氣體入口1521在一個定位在液體槽151內側中的內端部處設有過濾器組件1525，該過濾器組件1525具有例如大約0.5微米的小通道。在這整個實施例中，過濾器組件1525至少部分地被放置在液體154中。因此，溼氣體入口1521產生大量的非常小的洗滌氣體氣泡。因為它們的尺寸小(例如大約0.5微米)，該等氣泡159在一段相當短的時間內，也就是氣泡159在通過液體IM的一段相當短的移動距離，被增加水分到飽和。幹氣體入口1522設有一個過濾器組件1524，該過濾器組件15類似於溼氣體入口1521的過濾器組件。從而，通過溼氣體入口1521與幹氣體入口1522的氣體流實質上是相似的，且在氣泡159離開液體154時，在洗滌氣體混合物中的溼氣量實質上是在氣泡159中的溼氣量的一半。也就是說，如果氣泡159中的溼氣是飽和的話，也就是100%的相對溼度(他)，洗滌氣體混合物具有50%的相對溼度。然而，同樣也可能分別通過該溼氣體入口1521與該幹氣體入口1522提供不同比率的氣體流到液體槽中，並且從而在大約0%到大約100%間調整相對溼度。該氣體出口1530.003微米的細網狀過濾器1526，該細網過濾器15能夠被用來將顆粒與小液滴從流出液體槽151的氣體中過濾出來。因此，此等顆粒對被供應有洗滌氣體混合物的表面所造成的汙染會被降低。在洗滌氣體混合物中的溼氣的相對量能夠以不同方式受到控制。舉例而言，例如氣泡所行進的液體高度的液體槽151的參數能夠受到控制。而且，舉例而言，通過幹氣體入口1522被帶到液體槽151中無溼氣的洗滌氣體的量相對於透過溼氣體入口1521所產生的有溼氣的洗滌氣體的量能夠受到控制。液體槽151的控制參數可以例如是在液體中洗滌氣體的內部溫度、流量、壓力與停留時間中的其中一個或更多個。溫度已知具有一種在類似溼氣的蒸氣的飽和量上的影響，該蒸氣例如能夠存在於一種氣體中。為了控制溫度，液體槽151可以設有一個加熱組件，該加熱組件則響應一個溫度訊號而受到一個控制裝置或控制器的控制，該溫度訊號表示在液體槽內側例如由溫度量測裝置所提供的溫度。藉由通過溼氣體入口1521來調整氣泡被置入液體中的位置的方式，可以改變氣泡在可蒸髮式液體巧4中的停留時間。例如，當過濾器1525被進一步定位到液體IM中時，氣泡必須行進到液體位準A的距離會增加，因此停留時間也會增加。氣泡出現在液體IM中的時間愈長，就有越多的蒸氣(例如水蒸氣)能夠被吸收到氣體中。因此，藉由改變停留時間能夠調整氣體的蒸氣內容物，例如溼氣。霧化器裝置150進一步設有一個控制裝置157，在洗滌氣體混合物中例如是水蒸氣的蒸氣的量能夠透過此控制裝置157受到控制。例如，控制裝置157能夠利用一個溼氣控制接觸器1571被連接到在幹氣體入口1522中的一個控制閥件1523，通過該控制閥件1523，被供給到幹氣體入口1522的洗滌氣體的流率能夠受到控制，並且因此相對於溼潤氣體的量控制乾燥的洗滌氣體的量。控制裝置157進一步控制存在於液體槽151中的液體154的量。控制裝置157使用一個液體控制接觸器1572而被連接到一個液體供給裝置156的控制閥1561，並且利用一個溢流接觸器1573而被連接到氣體出口153的控制閥1531。一個液位量測裝置158被連通地連接到控制裝置157。液位量測裝置158提供一個液體位準訊號到控制裝置157，該液體位準訊號代表在液體槽151中的液體位準的特性。控制裝置157響應該可蒸髮式的液位訊號而操作控制閥1561及控制閥1561。在這個實例中，液位量測裝置158包括三個浮控開關1581到1583，這些開關相對於液體槽151的底部而被定位在適合的、不同的高度處。最低的浮控開關1581定位最靠近於底部。當液體位準A系在或低於最低的浮控開關1581時，最低的浮控開關1581提供空的訊號給控制裝置157。響應該空的訊號，控制裝置157會打開控制閥1561，並且自動地將液體供給到槽。在液體位準A到達這個浮控開關1582的高度的情況下，在中間位置的浮控開關1582則會提供滿的訊號。該控制裝置157則響應該滿的訊號而關閉控制閥1561，並藉以關閉液體的供應。一個頂部的浮控開關1583是定位在最遠離底部處。在液體位準A是在或高於頂部的浮控開關1583的情況下，頂部的浮控開關1583會提供滿溢訊號給控制裝置157。響應該滿溢訊號，控制裝置157會關掉氣體出口153的控制閥1531，以防止液體洩漏到微影投射設備1的其它部份。一種具有高於或等於20%(例如等於或高於25%)的相對溼度的洗滌氣體混合物特別能夠提供優良的結果。此外，具有高於25%且低於70%(例如是，60%)的相對溼度的洗滌氣體混合物對於在微影投射設備中的量測系統的準確度方面具有良好的防護效果。此外，也發現到例如大約40%的溼度，其類似於在微影投射設備周圍的例如無塵室的空間中的溼度，提供最理想的結果。在本發明的某些實施例中，例如，當較高的氣體流率、改良的蒸氣濃度控制，或簡16化的操作是相當有利的，一個蒸發器能夠包括一個外罩、一個含有一洗滌氣體流的第一區域及一個含有一可蒸發液體的第二區域，其中第一區域與第二區域是由一種氣體可滲透的中空纖維薄膜所隔開，該纖維薄膜實質上可抵抗液體的侵入。此種蒸發器能夠被利用來將液體蒸氣提供到一種洗滌氣體中，以形成一種洗滌氣體混合物。在某些實施例中，該蒸發器是一種霧化器，該霧化器包括一個外罩、一個含有一洗滌氣體流的第一區域及一個含有水份的第二區域，其中該第一區域與該第二區域由一氣體可滲透薄膜所隔開，該薄膜實質上可以抵抗水份的侵入。用於該等蒸發器薄膜的合適的材質包括熱塑性聚合物，例如聚合物(四氟乙烯-共聚-全氟-3,6-二惡-4-甲基-7-辛烯-磺酸(tetrafluoroethylene-co-perfluoro-3,6-dioxa-4-methyl-7-octenesulfonicacid))與全氟化聚合物(例如聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene))ο例如全氟化聚合物的非可潤溼性聚合物(non-wettablepolymer)是特佳的，特別是適合與高壓流體一起使用且大致上沒有無機氧化物(例如硫化物(SOx)與氮化物(NOx)，x為從1到3的整數)的聚合物。薄膜可以是一種能夠折迭或打褶或能夠在相對的側邊處被接合的薄片，用以形成中空的纖維。在本發明的某些型式中，中空纖維薄膜可以是擠制的多孔中空纖維。與任何用來將薄膜接合到一個外罩的密封劑、罐封樹脂或接著劑結合的薄膜在正常的操作條件下(例如，30psig或更少的壓力)可以防止液體滲透到洗滌氣體中，且減少或消除氣體逸出。該薄膜較佳被建構成將薄膜與洗滌氣體及一種例如水的可蒸發液體相接觸的表面積增加到最大，且將薄膜體積減到最小。如下文所述，每個裝置中，一個霧化器能夠包括一個以上的薄膜。可以使用一種具有形成管子的中空纖維與殼體結構的蒸發器。在某些實施例中，蒸發器被用來將水蒸氣增加到某一種載體氣體中，並且可以被稱為霧化器。例如，具有中空纖維薄膜的蒸發器或霧化器典型上包括a)—束有複數個氣體可滲透中空纖維薄膜，該束氣體可滲透中空纖維薄膜具有第一端部與第二端部，而該等薄膜具有外表面與內表面，且該內表面包圍該第一與第二區域中的其中一者；b)該束中空纖維薄膜的每個端部被罐封(potted)以一種液密密封劑，其形成一種端部結構，該端部結構具有一個環繞的外罩，而纖維端部則對於流體流動開放；c)該外罩具有內壁與外壁，該內壁在該內壁與該等中空纖維薄膜間界定第一與第二區域中的另一個區域；d)該外罩具有被連接到該洗滌氣體源的一洗滌氣體入口與一個洗滌氣體混合物出口；以及e)該外罩具有被連接到可蒸發液體源的一個可蒸發液體入口與一個可蒸發液體出口，其中，該洗滌氣體入口被連接到該束纖維薄膜的第一端部及該洗滌氣體混合物出口被連接到該束纖維薄膜的第二端部，或者該可蒸發液體入口被連接到該束纖維薄膜的第一端部及該可蒸發液體入口被連接到該束纖維薄膜的第二端部。在某些實施例中，該可蒸發液體是水。典型上，具有一般而言適合當做蒸發器或霧化器使用的中空纖維薄膜的裝置被稱為薄膜接觸器，且被描述在美國專利第6，149，817號、第6，235，641號、第6，309，550號、第6，402，818號、第6，474，628號、第6，616，841號、第6，669，177號與第6，702，941號中，這些專利的內容以參考的方式加入本文中。雖然描述在上述專利中的薄膜接觸器有許多是有助於將氣體添加到一種液體(例如水)中或是將氣體從一種液體移除，但是申請人已經發現到薄膜接觸器通常能夠當做蒸發器操作，使得來自一種液體的蒸氣可以被添加到具有降低的或小於大約Ippt的增加的汙染物的洗滌氣體流動。在洗滌氣體混合物產生器中的蒸發器在高流率的下將蒸氣添加到洗滌氣體中，而不會對洗滌氣體造成超過Ippt的汙染物。蒸發器的流出物是例如包含小於Ippt的非甲烷碳氫化合物以及小於Ippt的硫化物。合適的薄膜蒸發器能夠使用在一個淨化器下遊，而不會影響由淨化器所形成的洗滌氣體的完整性。可以使用氣相層析/脈衝火焰游離(gaschromatography/pulsedflameionization)、APMS或其它微量技術(tracetechniques)，以特徵化多孔薄膜蒸發器的清潔性。能夠被製造及/或處理來降低汙染、且適合當做霧化器使用的薄膜接觸器的特定實例包括由I^all公司所販賣的Infuzor薄膜接觸器模塊、由Membrana-Charlotte公司所販賣的Liqui-Cel薄膜接觸器模塊及由PermaPure公司所販賣的Nafion薄膜燃料電池加溼器。特佳的蒸發器或霧化器概略地顯示在圖5中，該蒸發器或霧化器的商業實施例是pHasorπ薄膜接觸器，其由美國麻薩諸塞州Billerica的Mykrolis公司(現在是Entegris公司)所販賣。如圖5所說明的，流體1通過纖維內腔3而進入霧化器2中，在該纖維內腔3內時橫越霧化器2內部，在此處流體被薄膜而與流體4隔開，且通過纖維內腔在連接件40處離開。流體4經由連接件30進入外罩，並且實質充滿在該外罩的內壁與該等纖維的外徑的間的空間，以及經由連接器20處離開。使用在本發明蒸發器或霧化器中的氣體可滲透式中空纖維薄膜典型上是下列其中一個a)具有一個多孔表層內表面、一個多孔外表面及一個介於該內表面與外表面間的多孔支撐結構的中空纖維薄膜；b)具有一個表層非多孔表層內表面、一個多孔外表面以及一個介於該內表面與外表面間的多孔支撐結構的中空纖維薄膜；c)具有一個多孔表層外表面、一個多孔內表面以及一個介於該內表面與外表面間的多孔支撐結構的中空纖維薄膜；或d)具有一個非多孔表層外表面、一個多孔內表面及一個介於該內表面與外表面間的多孔支撐結構的中空纖維薄膜。這些中空纖維薄膜能夠具有大約350微米到大約1450微米的外徑。當這些中空纖維薄膜是具有一個多孔表層內表面、一個多孔外表面及一個介於該內表面與外表面間的多孔支撐結構的中空纖維薄膜、或是具有一個多孔表層外表面、一多孔內表面以及一個介於該內表面與外表面間的多孔型支撐結構的中空纖維薄膜時，該多孔表面的孔的直徑較佳是在從大約0.001微米到大約0.005微米或在它們最大的樣式。在表層表面中的孔較佳的是面向流體的流動。用於這些中空纖維薄膜的合適材料包括全氟化熱塑性聚合物，例如聚(四氟乙烯-共聚-全氟)(烷基乙烯基乙醚(alkylvinylether))(聚PTFE-C0-PFVAE)、聚(四氟乙j；希—共聚—六氣丙j；希(tetrafluoroethylene-co-hexafluoropropylene))(FEP)或其等的混合，因為這些聚合物並不會因為嚴厲的使用條件而有不利的影響。PFA鐵氟龍是聚PTFE-C0-PFVAE的一個實例，其中烷基主要或完全為丙烷基群。FEP鐵氟龍是聚FEP的一個實例。上述兩者均由杜邦公司所製造。NeoflonTM的PFA(DaikinIndustries)是一種類似於杜邦公司的PFA鐵氟龍的聚合物。一種其中烷基群主要為甲基的聚PTFE-C0-PFVAE描述於美國專利第5，463，006號中，該專利的內容以參考的方式加入本文中。一種較佳的聚合物是Hyflon的聚PTFE-C0-PFVA620，其可從美國新澤西Thorofare的AusimontUSA,Inc.購得。將這些聚合物形成為中空纖維薄膜的方法揭示在美國專利第6，582，496號與第4，902，456號中，該等美國專利內容以參考的方式加入本文中。罐封作業(potting)是形成一種在每個纖維周圍具有液密密封作用的管狀薄板的程序。管狀薄板或罐將霧化器的內部與外界環境隔離。罐以熱結合到外罩容器，以產生一個單一端部結構。當纖維與罐被結合到外罩以形成完全由全氟化熱塑性材料所組成的單一全體時，可以獲得單一端部的結構。單一端部的結構包括纖維束被包圍在一個罐封端部、該罐與全氟化熱塑性外罩的端部部分中的部分，其內表面則與該罐一致且被結合到全氟化熱塑性外罩的端部部分。藉由形成單一結構，可以製造出更堅固的蒸發器或霧化器，在該罐與該外罩的接面處較不可能發生洩漏或其它損壞。此外，形成單一結構避免使用例如環氧樹脂的接著劑來將纖維結合在適當位置的需要。典型上，這些接著劑包括則會汙染流過蒸發器或霧化器的洗滌氣體的揮發性碳氫化合物。例如，使用由PermaPure公司銷售的Liqui-cel霧化器而被增溼的洗滌氣體明顯地有環氧樹脂的味道，而清楚地顯示在洗滌氣體中有一種無法令人接受的例如像是數百個PPm的碳氫化合物內容物。該罐封與接合程序是描述在1999年1月四日提出申請的美國專利申請案第60/117，853號中的方法的改良，且被揭示於美國專利第6，582，496號中，該等專利文件的教示以參考的方式加入本文中。該等中空纖維薄膜束較佳地被製備成使得該束中空纖維薄膜的第一端部與第二端部以一種液密的全氟化熱塑性密封見來封罐，而形成單一端部結構，該端部結構包括具有環繞的全氟化熱塑性外罩的第一端部與第二端部兩者，該等端部的纖維以分開方式對於流體流動開放。本發明的一種型式是將蒸氣添加到洗滌氣體中的設備。設備能夠包括一個氣體源入口與一個來自淨化器的洗滌氣體出口，該氣體源入口與一個或更多的可再生淨化器以流體連通，該洗滌氣體出口則與一個蒸發器的洗滌氣體入口以流體連通。淨化器能夠被獨立地再生，並且移除從氣體源入口到淨化器的汙染物，以形成洗滌氣體。蒸發器能夠包括一個外罩以及一個或更多的微孔中空纖維薄膜。外罩具有一個洗滌氣體入口與一個洗滌氣體混合物出口，洗滌氣體混合物出口與微孔型中空纖維薄膜的第一側以流體連通。外罩具有一個用於可蒸發液體的入口與一個與微孔中空纖維的第二側邊以流體連通的用於可蒸發液體的出口。微孔中空纖維薄膜會對一種來自蒸發器的可蒸發液體的蒸氣造成小於Ippb的汙染物，而該汙染物會劣化在微影投射系統中的光學元件的光學特性，而在某些實施例中會有小於IOOppt的這種揮發性汙染物。蒸發器可以被清潔或處理，以降低或移除這些汙染物。微孔中空纖維藉由可蒸發液體抵抗液體的侵入。該設備能夠進一步包括一個溫度調節系統，該溫度調節系統將蒸發器的溫度、洗滌氣體入口的溫度、洗滌氣體混合物出口的溫度或上述這些的組合的溫度維持在一個或更多的設定點範圍內。該溫度調節系統能夠包括一個或更多個溫度量測裝置、一個或更多個能夠修改該設備的一個或更多個區段或區域的溫度的熱交換器及一個控制器。該控制器從溫度量測裝置接收溫度的輸入值，並且藉由控制一個或更多個熱交換器的操作來修改設備的溫度。熱交換器可以包括、但是不會被限定於加熱器、冷激器、珀爾帖冷卻器(peltiercooler)、風扇或其它裝置。該溫度調節系統能夠將蒸發器的溫度、洗滌氣體的溫度、洗滌氣體混合物的溫度或上述的任意組合的溫度維持在大約士5°C或更小的設定點溫度範圍內，在某些實施例中，維持在大約士1°C或更小的設定點溫度範圍內，而其它的實施例則維持在大約士0.5°C或更小的設定點溫度範圍內。該溫度調節系統能夠將洗滌氣體混合物維持在高於蒸氣的凝結溫度以上的溫度，使得可以減少或消除蒸氣的凝結。在某些實施例中，溫度調節系統能夠將在洗滌氣體混合物中的蒸氣溫度維持在蒸氣的凝結溫度以上到大約士i°c或更小的溫度範圍內。該溫度調節系統能夠維持設備的溫度，使得在洗滌氣體、洗滌氣體混合物中的蒸氣濃度濃度的變動小於5%的濃度，在某些實施例中，變動小於的濃度、而在其它的型式中，變動小於0.5%的濃度。溫度調節系統能夠在該設備中維持一種溫度梯度。藉由維持設備的溫度，該溫度調節系統提供一種實質固定的蒸氣濃度。在某些型式中，該溫度調節系統在不同的洗滌氣體流率下將洗滌氣體混合物的溫度維持在一種實質固定的溫度。該設備能夠包括一個壓力調節系統，該壓力調節系統維持可蒸髮式液體的壓力、一洗滌氣體的壓力或是上述任何組合的壓力，以防止在可蒸髮式液體中的洗滌氣體氣泡形成在微孔中空纖維中，並且提供一種在洗滌氣體混合物中濃度變動小於5%的蒸氣，在某些實施例中，濃度變動小於1%的蒸氣，在其它的實施例中，濃度變動小於0.5%的蒸氣。壓力調節系統能夠包括可蒸發液體的加壓源，該加壓源的進給壓力能夠例如藉由加壓氣體或泵浦來修改。壓力調節系統能夠包括壓力轉換器、計量閥與一個控制器，用以量測或修改在蒸發器的中空纖維多孔薄膜的其中一側上可蒸發液體的壓力。壓力調節系統能夠包括一個或更多個壓力轉換器、計量閥與一個控制器，以量測或修改與蒸發器的多孔中空纖維的第二側相接觸的洗滌氣體或洗滌氣體混合物的壓力。該壓力調節系統能夠維持洗滌氣體或洗滌氣體混合物的壓力，並且避免洗滌氣體氣泡形成在該可蒸發液體中。在某些型式的設備中，壓力調節系統將可蒸發液體的壓力維持在大約5psi或高於洗滌氣體的壓力。該壓力調節系統能夠包括一個壓力控制器與一個背壓調節器。在本發明實施例中的設備能夠包括一個流量控制系統，該流量控制系統維持洗滌氣體的流率、一稀釋氣體的流率、來自該設備的洗滌氣體混合物的流率、或上述的任何組合。該流量控制系統能夠包括一個或更多的質量流控制器、一個或更多的蒸氣濃度傳感器與一個控制器。依據一蒸氣濃度或蒸氣飽合設定點的分壓，該控制器能夠從該等蒸氣傳感器取得濃度輸出值，並且修改洗滌氣體與洗滌氣體混合物的混合物，以產生具有所需蒸氣濃度或蒸氣設定點濃度的稀釋的洗滌氣體混合物。流量控制系統能夠在洗滌氣體混合物中提供變動小於5%的蒸氣濃度，在某些實施例中，變動小於1%，而在其它的實施例中，變動小於0.5%。該設備能夠使一種洗滌氣體混合物或是一種稀釋的洗滌氣體混合物有小於Ippb的揮發性雜質，而在某些型式中，小於Ippt的揮發性雜質。在本發明某些型式中，洗滌氣體混合物能夠在大於20slm的洗滌氣體流率下形成，且在來自蒸發器的洗滌氣體混合物中的液體蒸氣量則比在微影投射設備或其它輸送設定點的溫度與壓力下可以使洗滌氣體飽和的量更多大約20%。藉由控制在該設備中洗滌氣體混合物中的蒸氣溫度、壓力、流量或上述任何組合，在洗滌氣體混合物中的蒸氣濃度或組成能夠被修改。藉由以另外的洗滌氣體、利用將來自蒸發器的洗滌氣體混合物出口的洗滌氣體混合物與洗滌氣體混合的步驟或動作來稀釋，可以進一步修改在洗滌氣體混合物中的蒸氣濃度。藉由將含有洗滌氣體的混合物通過一個液體收集器並且移除液體的動作，可以進一步處理洗滌氣體混合物或稀釋的洗滌氣體混合物。可蒸發流體能夠利用一個計量閥，從一個加壓源被進給到中空纖維。或者，可蒸發流體能夠被進給到蒸發器中，而該蒸發器具有以再循環的方式流動或是終端進給(deadendfeed)的可蒸發液體。例如，可蒸發液體可以是在一個溫控式槽內且由一個泵浦進給到蒸發器中，且任何殘存的可蒸發液體則回到槽中進一步加熱。在某些型式中，接觸器液體側的出口能夠被關閉，當可蒸發液體由洗滌氣體所蒸發時，該可蒸發液體從一個加壓液體源被進給到蒸發器。圖Il(A)概略地說明一種洗滌氣體混合物供應系統，該系統進一步調節來自一個來源(未顯示，但可以是一種外罩式氮氣供應裝置(housenitrogensupply)、來自氣瓶的電子級氣體等等)、通過一個調節器1104且進入淨化器1108的氣體1102，用以產生能夠由質量流控制器1112與1116控制的洗滌氣體流1110。該淨化器1108能夠包括一個或更多個獨立且分開的可再生淨化器。也可以存在選擇性的壓力轉換器1114、溫度轉換器1106與蒸氣傳感器(未顯示)。一種無汙染的可蒸發液體1130能夠從一個來源(未顯示)被供應到蒸發器或接觸器1120，該可蒸發液體1130的蒸氣能夠被用來控制、強化或修改光阻劑的活性、其它的微影化學塗布、或其它基板塗布。例如，來自一個來源(未顯示)的像是水的可蒸發液體1130可以流過壓力調節器1128、流過蒸發器或霧化器1120且流過選擇性的流量控制閥11M。相較於沒有蒸氣的洗滌氣體，在洗滌氣體中的蒸氣會強化光阻劑的活性；藉由維持在洗滌氣體中的蒸氣濃度，洗滌氣體混合物能夠被用來控制光阻劑的活性。亦顯示有選擇性的壓力轉換器1126與溫度轉換器1122。水1130能夠以與洗滌氣體流1110的方向逆流的方向流動，該洗滌氣體流1110的方向被圖示為從質量流控制器1112移動通過霧化器1120。在某些型式中，水與氣體能夠以相同的方向流動。來自質量流控制器1112的洗滌氣體1110通過在霧化器1120中抵抗液體的侵入的多孔薄膜取得液體蒸氣，以形成洗滌氣體混合物1140。洗滌氣體能夠被進給，且使用在連接到出口1136的微影投射系統中。洗滌氣體混合物1140能夠被選擇性地與來自第二質量流控制器1116的洗滌氣體相混合且被該洗滌氣體稀釋，以形成稀釋的洗滌氣體混合物1144，該稀釋的洗滌氣體混合物1144能夠被進給且被使用在連接到出口1136的微影投射系統中。這種稀釋能夠被用來將來自質量流控制器1112而通過蒸發器1120的洗滌氣體保持固定的流動，並且有助於蒸發器1120的溫度控制。可以使用其在設備中的位置能夠改變的選擇的捕獲器1132，用以移除霧化器1120的任何液滴或凝結。捕獲器可以是一種粒子過濾器或液體收集器，其位置被選擇以提供在液體或微量顆粒的減少作用。一種蒸氣傳感器1138能夠選擇性地定位在蒸發器1120下遊。選擇地，可以使用控制器來接收蒸氣傳感器1138的輸出，且通過質量流控制器1116來修改洗滌氣體流1110，以修改或維持在稀釋的洗滌氣體混合物1144中的蒸氣濃度。在某些實施例中，蒸氣傳感器是一種溼氣傳感器。該洗滌氣體混合物1144能夠設在一個出口1136處，用於使用在微影投射設備或是其它利用洗滌氣體混合物來洗滌的系統中。圖Il(B)說明一個洗滌氣體混合物供應系統，該系統進一步調節通過一個調節器1150且進入淨化器1158中的來自一個來源(未顯示，但可以是外罩氮氣供應裝置、電子級氣體瓶、氣體產生器或類似者)的氣體1102，用以產生流到質量流控制器1162與1166的洗滌氣體流1160。該淨化器1158能夠包括一個或更多的獨立且分開的可再生淨化器。一個或更多個選擇的壓力轉換器1164、溫度轉換器1156、蒸氣傳感器(未顯示)也能夠定位在蒸發器1170前。一種來自一來源(未顯示)的無汙染可蒸發液體1180、例如水、可以流過壓力調節器1178、流過接觸器或霧化器1170、且通過選擇性的流量控制閥1174。也顯示出選擇的壓力轉換器1176與溫度轉換器1172。如圖所示，可蒸發液體能夠以相對於洗滌氣體流1160方向的逆流方向，從質量流控制器1162流過接觸器1170。來自質量流控制器1162的洗滌氣體通過多孔薄膜取得液體蒸氣，以形成洗滌氣體混合物1190。洗滌氣體混合物1190能夠選擇地與來自第二質量流控制器1166的洗滌氣體1160相混合，且被洗滌氣體1160所稀釋，用以形成一種稀釋的洗滌氣體混合物1194。這種稀釋作用能夠被用來將流過蒸發器1170的洗滌氣體維持在固定流動，且有助於蒸發器的溫度控制。圖Il(B)說明一種熱交換器或溫控環境1192，其能夠用來將所產生的洗滌氣體混合物1194的溫度維持在避免洗滌氣體混合物1190中的蒸氣凝結的溫度範圍內。這種溫度高於在洗滌氣體混合物中的蒸氣凝結點。例如，如果水的分壓接近飽和壓力的話，溫度僅會在水蒸氣轉換成液態時稍微下降。溫控環境1192也能夠用來維持在接觸器中的液體溫度，並且從而將來自蒸發器1170的蒸氣濃度維持在能夠被用來提供光阻劑或其它在基板上形成圖案的塗層的合適反應的範圍內。例如，溫度經調節的具有水蒸氣的洗滌氣體混合物能夠被提供在洗滌氣體混合物出口1186處，用於在圖2的微影投射設備中的照明光學以及/或投射透鏡PL中使用。洗滌氣體混合物能夠被提供在出口1186處，具有或不具有來自質量流控制器1166的洗滌氣體1160的稀釋作用。一個蒸氣傳感器1184能夠選擇性地定位在蒸發器1170下遊處。一個個控制器可以選擇性地被用來接收蒸氣傳感器1184的輸出，並且修改通過質量流控制器1166的洗滌氣體1160，以修改或維持在稀釋的洗滌氣體混合物1194中的蒸氣濃度。在某些型式中，蒸氣傳感器是一種溼氣傳感器。洗滌氣體混合物1194能夠被設在一個出口1186處，用於使用在微影投射系統或是其它利用洗滌氣體混合物來洗滌的系統中。圖14概略圖示一個洗滌氣體混合物供應系統，該系統進一步調節來自一個來源(未顯示)而通過一個調節器1404且進入淨化器1408的氣體1402，用以產生流進質量流控制器1416與1440的洗滌氣體1412。該淨化器1408能夠包括一個或更多的獨立且分開的可再生淨化器。也可以存在有選擇性的壓力轉換器1420、溫度轉換器14M與蒸氣傳感器(未顯示)。一種能夠被用來控制光阻劑活性的可蒸發液體成分1464或是其它微影用化學塗層也能夠從一個來源(未顯示)被供應到一個或更多的蒸發器14與1432。如圖14所示，一個或更多個蒸發器14與1444可以用並聯的關係被建構。或者，該等接觸器能夠以串聯構造連接。例如，一種來自一個來源的類似水的可蒸發液體1464可以流過壓力調節器1460，流過由導管1432互相連接的蒸發器或霧化器14與1444，並且通過選擇的流量控制閥1436。也能夠使用選擇的壓力轉換器1456與溫度轉換器1452。通過蒸發器1428與1444的液體1464能夠以來自質量流控制器1416的洗滌氣體的方向逆向的方向流動。來自質量流控制器1416的洗滌氣體1412通過在蒸發器14與1444中的多孔薄膜取得來自可蒸發液體的蒸氣，以形成洗滌氣體混合物1468。多孔薄膜抵抗液體的侵入。洗滌氣體能夠被進給並使用在被連接到出口1488的微影投射系統中。洗滌氣體混合物1468能夠選擇地與來自一個第二質量流控制器1440的洗滌氣體1412相混合或以該洗滌氣體1412被稀釋，以形成能夠被進給通過壓力調節器1484且被使用在被連接到出口1488的微影投射系統中的稀釋的洗滌氣體1480。這種稀釋被用來將來自質量流控制器1412的經過一個或更多個蒸發器14與1444的洗滌氣體保持在固定的流動，其能夠有助於蒸發器的溫度控制。一個在分歧管線中的位置能夠改變的選擇的捕獲器1488可以被使用來移除來自蒸發器的任何液滴或凝結。該捕獲器可以是一種顆粒過濾器或一種液體收集器。一個蒸氣傳感器1476能夠選擇地被定位在蒸發器下遊處。或者，蒸氣傳感器1476的輸出能夠選擇性地建構成具有質量流控制器1440與一個控制器，用以改變通過質量流控制器1440的洗滌氣體流1412，以修改或維持在稀釋的洗滌氣體混合物1480中的蒸氣濃度。洗滌氣體混合物1480能夠在一個出口1488處提供，用以在微影投射系統或其它利用洗滌氣體混合物來洗滌的系統中使用。洗滌氣體混合物供應系統典型上能夠以每分鐘至少大約30標準升的洗滌氣體流率下運作。能夠選擇設備的溫度，使得可蒸發液體的溫度具有在所需的操作壓力下防止液體侵入薄膜的黏度，且具有一種在運作流率下提供用於洗滌氣體混合物的足夠蒸氣的蒸氣壓力。在某些實施例中，設備的溫度大約為室溫，在某些實施例中，高於大約25°C，在某些實施例中，至少大約30°C，在某些實施例中，大約為35°C，在某些實施例中，至少大約50°C，在某些實施例中，至少大約60°C，而在其它實施例中，則至少大約90°C。通過蒸發器或霧化器的洗滌氣體的流率可以是每分鐘至少大約20標準升(SLM)，在某些實施例中，每分鐘至少為大約60標準升，而在某些實施例中，每分鐘至少為大約120標準升。在其中洗滌氣體混合物含有離開蒸發器的水蒸氣的本發明某些型式中，洗滌氣體具有至少大約20%的相對溼度。依據霧化器的運作條件，至少大約50%、至少大約80%、至少大約90%、至少大約98%或是大約100%的較高相對溼度(用以產生實質上飽和的洗滌氣體)是可能的。例如，藉由加長洗滌氣體停留在霧化器中的時間(例如，藉由減少流率或是增加霧化器的尺寸大小)、或是加熱霧化器抑或至少在霧化器中的水，可以達到較高的穩定相對溼度值。洗滌氣體壓力與越過蒸發器薄膜的水的流動能夠被修改，以改變在洗滌氣體中的水蒸氣量。特別是，降低洗滌氣體的壓力導致洗滌氣體溼度增加。當降低洗滌氣體壓力時，減少了需要加熱水以獲得高相對溼度的情況。如同以圖4所示的霧化器，圖5的霧化器裝置能夠設有一個控制裝置，通過該控制裝置，在洗滌氣體混合物中的溼氣量能夠受到控制。控制裝置利用一個溼氣控制接觸器被連接到一個控制閥，(例如直接從洗滌氣體源)被供應到一個具有離開圖5霧化器的已溼潤洗滌氣體的混合腔室的未溼潤的洗滌氣體流率可通過該控制閥而被控制。這種情況說明於例如圖Il(A)之中。在某些實施例中，在洗滌氣體混合物產生器中的蒸發器是在高流率下將蒸氣添加到洗滌氣體中，而不會對洗滌氣體造成汙染。汙染物可以特徵化成可能是會對與輻射線相互作用以形成在微影投射設備中的基板上的圖案的光學元件的光學特性有不利的影響、或是造成光學元件的光學特性劣化或不受控制的改變的這些材料、原子或分子。本發明的型式提供具有小於Ippb的汙染物的洗滌氣體，該等汙染物會與光學元件的光學特性相互作用且劣化或改變光學元件的光學特性，在其它型式中，洗滌氣體含有小於大約IOOppt的這些汙染物，而其它型式中則含有小於Ippt的這些汙染物。光學元件能夠包括、但未限定於鏡片、透鏡、光束分離器、光柵、光掩膜(pellicle)、標線片或是與圖案成形光束互相作用的其它光學元件或是上述的組合。例如，藉由吸附作用、化學吸收作用(chemisorption)及/或物理吸收作用(physisorption)、化學反應、與輻射束相互作用的化學反應或上述任何組合，汙染物可以進一步特徵化成形成一個或更多的次單層(sub-monolayer)、一個或更多的單層、大約10到大約50個單層、或是是汙染物與光學元件互相作用所產生的較厚薄膜者。薄膜會改變或劣化與光學元件相互作用的輻射的穿透性、反射性、折射性、聚焦深度或吸附性，而需要改變製程參數或替換光學元件，以維持微影程序的產量。藉由隨著時間改變光學元件的光學特性或是藉由其它例如熱吸附作用與氣相色層分析/質譜分析、二次離子質譜(SIMs)的飛行時間分析的方法可以決定這些汙染物的量，或是這些汙染物的累積可以藉由表面聲波或其它的壓電傳感器來決定。本發明的洗滌氣體混合物產生器能夠被處理來減少揮發性汙染物。例如，蒸發器、霧化器與其它流體接觸表面能夠在足以實質上移除在大約100V或更低的溫度下揮發的化合物的溫度下被加熱一段足夠長的時間。蒸發器可以與例如高純度過氧化氫或臭氧氣體的化學兼容的酸、鹽基(bases)、氧化劑或上述任何組合相接觸，用以分解與移除來自蒸發器的殘留物。這些處理容許蒸發器可以被使用在需要基本上無汙染氣體的應用中。為了本發明目的，洗滌氣體被界定成一種不大於大約Ippb汙染程度的氣體或氣體混合物。洗滌氣體包括例如氮氣與氬氣的惰性氣體連同例如壓縮的幹空氣與乾淨的幹空氣的含氧氣體。可以依據所需應用來決定合適的洗滌氣體，以致於例如氧氣的非惰性氣體在某些應用中並非為汙染物，然而在其它應用中被認為是汙染物。較佳的是，洗滌氣體混合物產生器(與蒸發器或霧化器)並不會對洗滌氣體造成汙染。汙染物的實例包括碳氫化合物、氮氧化物NOx、硫化物SOx等等。例如，含有不大於大約Ippb(或是大約IOOOppt)汙染物的洗滌氣體會如同含有不大於大約Ippb(或是大約IOOOppt)汙染物的溼潤洗滌氣體離開該霧化器。已經發現到，本發明的顆粒霧化器(請參照實例1)能夠溼潤洗滌氣體，使得汙染程度維持小於lppt。被蒸發成洗滌氣體的液體能夠被用來維持或強化用在微影製程中的化學物質的活性。使用在霧化器中以形成用於洗滌氣體混合物的水蒸氣的液態水對洗滌氣體混合物造成Ippb或更少的汙染物。在某些型式中，在霧化器中使用以形成用於洗滌氣體混合物的水蒸氣的水造成Ippb或更少的會對在微影投射系統中的光學元件的光學特性有不利影響的汙染物。水可以是、但未被限定於、一種超高純度的水。UHP的水能夠從例如、但被未限定於、能夠選擇地被蒸餾或過濾的MilliposeMimQ水的水源處獲得。流過蒸發器的例如水的可蒸發液體的流率可以是大約Oml/hr或更高；此種低流率會發生在使用靜壓力來補足由洗滌氣體帶走的水的情況(終端流動(deadendflow))。在某些型式中，流過蒸發器的可蒸發液體的流率可以是大約lOOml/hr或更高，而在其它型式中，可以是大約300ml/hr或更高。可以調節例如是水的可蒸發液體的流率，以將所使用的可蒸發液體的量減少到最小程度，可以調節流動以維持在霧化器中的可蒸發液體的溫度，可以調節流動來補足由洗滌氣體所吸取的蒸發液體，或者是上述的任何組合。實例以下的實例是要說明本發明某些實例的特殊觀點。這些實例並不是要限制任何所使用的本發明的特殊實施例的範圍。實例1一種MykrolispHasorII的薄膜接觸器(現在可以從EntegrisInc.公司購得)被當作一種用於釋放非甲烷的碳氫化合物與硫化物的蒸發器測試。一個不釋放汙染物的薄膜接觸器可以被用來將溼氣添加到一種XCDA的氣體流(對於碳氫化合物與硫化物來說小於lppt)中。該pHasor11已被清潔以除去揮發性化合物。圖6表示用於量測來自pHasorII的溼潤洗滌氣體中的汙染物的實驗配置結構。一個壓力調節器被用來維持質量流控制器(MFC)的氣體上遊的壓力。一個MFC被用來維持流過pHasorII的腔側的空氣流率。一個淨化器被用來從pHasorIl的氣體上遊處除去汙染物，以產生XCDA的洗滌氣體。pHasorπ上遊的一壓力規被用來監控入口壓力。一個背壓調節器被用來維持pHasorII的出口壓力。pHasorII的殼體側前方並未充滿水。在這種測試期間，因為高濃度的溼氣將會使偵測器不穩定，所以水被從pHasorIi中除去。一種具有火焰游離偵測器與與脈衝式火焰光度偵測器的氣相層析(GC/FID/PFPD)被用來量測在pHasorII的流出物中的碳氫化合物與硫化物的濃度。一種冷卻補獲器(coldtrap)方法被用來濃縮碳氫化合物與硫化物，其會將最低的偵測極限降低到Ippt的濃度。圖7使用GC/FID表示小於Ippt的碳氫化合物汙染物的空白背景的讀值。圖8表示該pHasorII下遊的GC/FID讀值。如圖所示，兩種讀值基本上是相同的。因此，當XCDA正流過一個PHasorIi時，會維持一種小於Ippt的碳氫化合物的汙染濃度。圖9表示使用GC/PFPD的小於Ippt的硫化物汙染物的乾淨背景的讀數。圖10表示pHasorII下遊的GC/PFPD讀數。如圖所示，兩種讀數基本上是相同的。因此，當XCDA正流過PHasorIi時，則會維持小於Ippt的硫化物的汙染物濃度。pHasorπ的流出物含有小於Ippt的非甲烷碳氫化合物以及小於Ippt的硫化物。因此，pHasorπ能夠使用在淨化器下遊，而不會影響XCDA洗滌氣體的完整性。實例2一個Entegris公司的pHasorII薄膜被用來利用變動的水溫、CDA流率與CDA壓力來溼潤乾淨的幹空氣(CDA)。對於所有的實驗而言，pHasorII被清潔來除去揮發性化合物。一個MFC被用於維持流過pHasorIi的內腔側的空氣流率。去離子水被用作在該pHasorIi的殼體側中的可蒸發液體，其用一個熱交換器來加熱。水的流動是使用在pHasorπ出口側上的一個調節器而受到控制。水溫在pHasorπ的液體側與出口側上被量測，而洗滌氣體的壓力、溫度與相對溼度在pHasorIi的腔出口側上被量測。在第一個實驗中，水溫會隨著CDA不同的流率而改變。用於這個實驗的CDA具有20psi的背壓、19°C的初始溫度與6%的相對溼度。儲存的去離子水在160mL/min的速率下流過該pHasorII。第一次的實驗結果顯示在表1到表3中。表1-具有40SLM流率的CDA的溼潤化權利要求1.一種設備，其包括一洗滌氣體混合物產生器，該洗滌氣體混合物產生器包括一蒸發器，該蒸發器被建構來將一可蒸發液體加入到一洗滌氣體中，以產生一洗滌氣體混合物，其中，該蒸發器包括一含有一洗滌氣體流的第一區域及一含有該可蒸發液體的第二區域，其中該第一區域與第二區域是由一薄膜接觸器所隔開，該蒸發器進一步包含一洗滌氣體混合物出口；一溫度調節系統，該溫度調節系統將該蒸發器的溫度、該洗滌氣體混合物出口的溫度或上述這些的組合的溫度維持在一個或更多的設定點範圍內；以及一壓力調節系統，該壓力調節系統維持可蒸發液體與洗滌氣體的壓力，以防止在該薄膜接觸器中在該可蒸發液體中形成洗滌氣體的氣泡。2.一種設備，其包括一洗滌氣體混合物產生器，該洗滌氣體混合物產生器包括一蒸發器，該蒸發器被建構來將一可蒸發液體加入到一洗滌氣體中，以形成一洗滌氣體混合物，其中，該蒸發器包括一個含有一洗滌氣體流的第一區域及一含有該可蒸發液體的第二區域，其中該第一區域與第二區域是由一薄膜接觸器所隔開，該蒸發器進一步包含一洗滌氣體混合物出口；一溫度調節系統，該溫度調節系統將該蒸發器的溫度、該洗滌氣體混合物出口的溫度或上述這些的組合的溫度維持在一個或更多的設定點範圍內；以及一蒸氣濃度調節系統，其改變或維持洗滌氣體中的蒸氣的濃度。3.如權利要求1或2所述的設備，其中，該溫度調節系統進一步包括一溫度控制器、一個加熱器、冷凝器或是上述的一組合。4.如權利要求1或2所述的設備，其中，該壓力調節系統包括一個壓力控制器與一個背壓調整器。5.如權利要求1或2所述的設備，其中，該壓力調節系統將該可蒸發液體的壓力維持在大約5psi，或是較高於該洗滌氣體壓力。6.如權利要求1或2所述的設備，其中，該溫度調節系統將該洗滌氣體混合物出口的溫度維持在高於凝結點。7.如權利要求1或2所述的設備，其中，該溫度調節系統獨立於該洗滌氣體的流率而維持該洗滌氣體混合物的溫度。8.如權利要求1或2所述的設備，其中，該薄膜接觸器包含一Nafion薄膜。9.如權利要求1或2所述的設備，其中，該薄膜接觸器包含一薄膜，該薄膜包含一適合作為燃料電池加溼器的物質。10.如權利要求9所述的設備，其中，該薄膜接觸器包含一離子聚合物。11.如權利要求10所述的設備，其中，該薄膜接觸器包含一磺酸四氟乙烯聚合物。12.如權利要求1或2所述的設備，其中，該洗滌氣體混合物具有小於Ippb的會劣化在一微影投射系統中光學元件的光學特性的汙染物。13.如權利要求2所述的設備，其中，該溫度調節系統進一步包括一熱交換器或溫控環境，或是其組合。14.如權利要求2所述的設備，其中，該蒸氣濃度調節系統包括一蒸氣傳感器。15.如權利要求14所述的設備，其中，該蒸氣濃度調節系統包括一控制器，其接收蒸氣傳感器的輸出值，並且經由一質量流控制器修改洗滌氣體流量以修改或維持蒸氣的濃度。16.如權利要求14所述的設備，其中，該蒸氣傳感器是一個溼氣傳感器。17.一種方法，其包括利用一個溫度調節系統將一蒸發器的溫度、該蒸發器的一洗滌氣體入口的溫度或是上述的組合的溫度控制在一個或更多的設定點範圍內；利用一個壓力調節系統控制被該蒸發器的一薄膜接觸器所隔開的一可蒸發液體與一洗滌氣體的壓力，以降低在該薄膜接觸器中的可蒸發液體中形成洗滌氣體氣泡；以及將一洗滌氣體與在該蒸發器中的可蒸發液體相接觸，藉此產生洗滌氣體混合物，其中該蒸發器包括一個含有一洗滌氣體流的第一區域及一個含有該可蒸發液體的第二區域，其中該第一區域與第二區域是由該薄膜接觸器所隔開，該蒸發器進一步包含一洗滌氣體混合物出口。18.一種方法，其包括利用一個溫度調節系統將一蒸發器的溫度、該蒸發器的一洗滌氣體入口的溫度或是上述的組合的溫度控制在一個或更多的設定點範圍內；將一洗滌氣體與在一蒸發器中的可蒸發液體相接觸，藉此產生洗滌氣體混合物，其中該蒸發器包括一個含有一洗滌氣體流的第一區域及一個含有該可蒸發液體的第二區域，其中該第一區域與第二區域是由一薄膜接觸器所隔開，該蒸發器進一步包含一洗滌氣體混合物出口；以及使用一蒸氣濃度調節系統以改變或維持洗滌氣體中的蒸氣的濃度。19.如權利要求17或18所述的方法，其中，該壓力調節系統將該可蒸發液體的壓力維持在大約5psi，或是更高於該洗滌氣體壓力。20.如權利要求17或18所述的方法，其中，該溫度調節系統將該洗滌氣體混合物出口的溫度維持在高於蒸氣的凝結點。21.如權利要求17或18所述的方法，其中，該溫度調節系統獨立於該洗滌氣體的流率而維持該洗滌氣體混合物的溫度。22.如權利要求17或18所述的方法，其進一步包括利用來自該蒸發器的洗滌氣體混合物出口的洗滌氣體混合物來混合該洗滌氣體的動作。23.如權利要求17或18所述的方法，其進一步包括將該洗滌氣體混合物通過一個液體捕獲器並且移除液體的動作。24.如權利要求17或18所述的方法，其進一步包括將該可蒸發液體進給到該蒸發器的動作，該可蒸發液體以一種再循環的方式流動。25.如權利要求17或18所述的方法，其中，該洗滌氣體混合物具有小於Ippb的雜質。26.如權利要求17或18所述的方法，其中，該可蒸發液體產生一洗滌氣體混合物，該洗滌氣體混合物包括一在一微影製程中所利用的蒸氣。27.如權利要求17或18所述的方法，其中，該薄膜接觸器包含一Nafion薄膜。28.如權利要求17或18所述的方法，其中，該薄膜接觸器包含一薄膜，該薄膜包含一適合作為燃料電池加溼器的物質。29.如權利要求28所述的方法，其中，該薄膜接觸器包含離子聚合物。30.如權利要求29所述的方法，其中，該薄膜接觸器包含一磺酸四氟乙烯聚合物。31.如權利要求18所述的方法，其中，該蒸氣濃度調節系統接收蒸氣傳感器的輸出值，並且經由一質量流控制器修改洗滌氣體流量以修改或維持洗滌氣體中的蒸氣的濃度。全文摘要一種微影投射設備，包括支撐件，被建構來支撐一圖案成形裝置，該圖案成形裝置被建構以依據一圖案而使一投射光束形成圖案。該設備具有基板平臺，被建構成託住一基板；及投射系統，被建構成投射被圖案成形過的光束到該基板的目標區域之上。該裝置也具有一洗滌氣體供應系統，其被建構來將一種洗滌氣體提供到靠近微影投射設備的一組件的表面。該洗滌氣體供應系統包括洗滌氣體混合物產生器，被建構來產生一洗滌氣體混合物，包括至少一洗滌氣體與霧氣。該洗滌氣體混合物產生器具有一霧化器，被建構來將霧氣加入到洗滌氣體中；以及一洗滌氣體混合物出口，被連接到洗滌氣體混合物產生器，洗滌氣體混合物產生器被建構來將洗滌氣體提供到靠近該表面。文檔編號G02B27/00GK102298270SQ201110211100公開日2011年12月28日申請日期2007年3月28日優先權日2006年4月3日發明者約翰·E.·皮萊恩,羅瑟·J.·霍姆斯申請人:恩特格林斯公司