平行度調整裝置和平行度調整方法

2023-11-05 05:51:07 2

平行度調整裝置和平行度調整方法
【專利摘要】本發明提供一種平行度調整裝置和平行度調整方法，能夠減輕對半導體的負載來調整半導體的表面與電極的表面之間的平行度，並使工作速度高速化來縮短循環時間。探頭裝置（1）調整功率半導體（100）的表面（100f）和與該表面（100f）接觸並加壓的同時施加電流的接觸體（2）的接觸部（21）的表面（21f）之間的平行度，探頭裝置（1）具有按壓體組合體（3），所述按壓體組合體（3）以規定的按壓力按壓接觸體（2），直到功率半導體（100）的表面（100f）與接觸體（2）的接觸部（21）的表面（21f）接觸來調整平行度，之後以比規定的按壓力大的按壓力按壓接觸體（2）。
【專利說明】平行度調整裝置和平行度調整方法

【技術領域】
[0001] 本發明涉及平行度調整裝置和平行度調整方法。特別是涉及在有必要調整功率半 導體的表面和電極的表面之間的平行度的功率半導體的檢查中使用的平行度調整裝置和 平行度調整方法。

【背景技術】
[0002] 以往，公知有涉及使探頭頭部的前端與半導體抵接來通電的大電流用探頭引腳的 技術(例如，參照專利文獻1)。在專利文獻1公開的技術中，探頭引腳具有：抵接部件，其 形成有電氣通電用的接觸部而分散配置；插棒，其由棒狀的導電體構成，前端安裝有抵接部 件，並且後端與電線端部連接；以及螺旋彈簧，其以使抵接部件抵接於半導體的方式對插棒 進行施力。並且，抵接部件的周緣部呈放射狀進行分支而形成接觸部，抵接部件的中央部使 用在插棒的前端面的凹部中插入到緊固件貫穿插入孔內的緊固件固定在插棒上，接觸部延 伸到比凹部的內周緣靠外周側的位置。
[0003] 根據該專利文獻1的技術，抵接部件的接觸部當與半導體抵接時以凹部的內周緣 為支承點以蹺蹺板的方式擺動。並且，在擺動時，由於抵接部件的接觸部的靠中央部的部分 的變形而緩解了接觸壓力的變動，即使在半導體的表面的探頭引腳抵接部位有少許的凹凸 和起伏，抵接部件的多數的接觸部與半導體的表面的接觸狀態一致穩定。
[0004] 專利文獻1 :日本特開2011 - 137791號公報
[0005] 近年，半導體的薄層化和內部結構的複雜化得到進展，半導體面對物理負載變得 脆弱。因此，當使半導體的表面與上述抵接部件那樣的電極的表面接觸時，探頭裝置為了減 輕對半導體的由載荷集中而引起的負載，有必要精密地控制接觸動作。因此，對探頭裝置要 求慎重的動作，探頭裝置的工作速度變慢。其結果是，存在不能縮短作為每1個半導體所花 費的檢查時間的循環時間的課題。


【發明內容】

[0006] 本發明是為了解決上述課題而作成的，本發明的目的是提供一種減輕對半導體的 負載來調整半導體的表面和電極的表面之間的平行度、使工作速度高速化來縮短循環時間 的平行度調整裝置和平行度調整方法。
[0007] (1) -種平行度調整裝置，所述平行度調整裝置(例如，後述的探頭裝置1)調整半 導體(例如，後述的功率半導體100)的表面(例如，後述的表面l〇〇f)與接觸該表面而進行 加壓同時施加電流的電極(例如，後述的接觸體2)的表面(例如，後述的表面21f)之間的 平行度，其特徵在於，所述平行度調整裝置具有按壓體(例如，後述的按壓體組合體3)，當所 述半導體的表面與所述電極的表面接觸時，所述按壓體能夠順著所述半導體的表面的傾斜 使所述電極的表面傾斜，而且將所述電極按壓於所述半導體而使得能夠通電，所述按壓體 以規定的按壓力按壓所述電極，直到所述半導體的表面與所述電極的表面接觸來調整平行 度，之後以比所述規定的按壓力大的按壓力按壓所述電極。
[0008] 根據（1)的發明，按壓體以規定的按壓力按壓電極，直到半導體的表面與電極的表 面接觸來調整平行度，之後以比規定的按壓力大的按壓力按壓電極。由此，半導體的表面和 電極的表面之間的平行度調整以規定的按壓力而不是過度的按壓力來實施。因此，以規定 的按壓力被按壓的電極的表面容易順著半導體的表面而傾斜。並且，就在半導體的表面和 電極的表面的一部分彼此接觸之後，即使工作速度是恆定的，以規定的按壓力被按壓的電 極的表面也從半導體的表面逃逸，使半導體的表面與電極的表面的相對距離接近的速度變 慢。因此，半導體的表面與電極的表面的接觸在調整平行度的同時順利地進行。
[0009] 然後，以比規定的按壓力大的按壓力來實施平行度調整後的電流施加。因此，通過 在調整了平行度之後以比規定的按壓力大的按壓力按壓電極，針對半導體使載荷集中最小 從而減輕了負載。並且，有必要在加壓的同時施加的電流良好地從電極流入半導體。
[0010] 這樣，可減輕對半導體的負載，並且即使工作速度是恆定的，也可減慢使半導體的 表面與電極的表面的相對距離接近的速度。因此，無需精密地控制接觸動作。因此，可減輕 對半導體的負載來調整半導體的表面與電極的表面的平行度，可使工作速度高速化來縮短 循環時間。
[0011] (2)根據（1)所述的平行度調整裝置，其特徵在於，所述按壓體具有多個彈性體(例 如，後述的第1按壓引腳31a、第2按壓引腳31b)，當所述半導體的表面和所述電極的表面 接觸時，所述多個彈性體以能夠順著所述半導體的表面的傾斜使所述電極的表面傾斜的方 式壓縮，所述多個彈性體中的一部分彈性體(例如，後述的第1按壓引腳31a)在所述半導體 的表面與所述電極的表面接觸之前就與所述電極接觸並以所述規定的按壓力按壓所述電 極，所述多個彈性體中的一部分以外的彈性體(例如，後述的第2按壓引腳31b)在所述半導 體的表面與所述電極的表面接觸之後與所述電極接觸並以比所述規定的按壓力大的按壓 力按壓所述電極。
[0012] 根據（2)的發明，一部分彈性體在半導體的表面與電極的表面接觸之前就與電極 接觸並以規定的按壓力按壓電極，多個彈性體中的一部分以外的彈性體在半導體的表面與 電極的表面接觸之後與電極接觸並以比規定的按壓力大的按壓力按壓電極。由此，半導體 的表面與電極的表面的平行度調整以一部分彈性體的規定的按壓力來實施。並且，在以包 含一部分彈性體的多個彈性體的比規定的按壓力大的按壓力按壓電極的同時，實施平行度 調整後的電流施加。
[0013] (3)根據（2)所述的平行度調整裝置，其特徵在於，所述電極的表面具有四方形狀， 所述一部分彈性體對應於所述電極的表面的四角而分散配置。
[0014] 根據（3)的發明，一部分彈性體對應於電極的表面的四角而分散配置。由此，對應 於電極的表面的四角而分散配置的一部分彈性體針對電極平衡地發揮規定的按壓力，可容 易實施電極的表面與半導體的表面的平行度調整。
[0015] (4)根據（1)?（3)中任一項所述的平行度調整裝置，其特徵在於，所述平行度調整 裝置具有對所述半導體進行彈性支撐的彈性支撐體(例如，後述的彈性支撐體組合體220)。
[0016] 根據（4)的發明，彈性支撐體對半導體進行彈性支撐。由此，當半導體的表面和電 極的表面接觸時，對半導體的衝擊由彈性支撐體吸收，進一步減輕了對半導體的負載，提高 了半導體對衝擊載荷的耐性。因此，可使工作速度進一步高速化而進一步縮短循環時間。
[0017] (5)-種平行度調整方法，所述平行度調整方法調整半導體(例如，功率半導體 100)的表面(例如，表面lOOf)與接觸該表面而進行加壓同時施加電流的電極(例如，接觸體 2)的表面(例如，表面21f)之間的平行度，其特徵在於，所述平行度調整方法包括：移動工 序(例如，後述的步驟SI、S2)，使所述半導體的表面與所述電極的表面的相對距離接近，直 到兩表面的一部分彼此接觸；平行度調整工序(例如，後述的步驟S3)，在使所述相對距離 接近的同時，順著所述半導體的表面的傾斜使所述電極的表面傾斜；以及加壓工序(例如， 後述的步驟S4)，使用所述電極的表面對所述半導體的表面進行加壓，在所述平行度調整工 序中，以規定的按壓力將所述電極的表面按壓於所述半導體的表面，在所述加壓工序中，以 比所述規定的按壓力大的按壓力將所述電極的表面按壓於所述半導體的表面。
[0018] 根據（5)的發明，取得與（1)的發明相同的作用和效果。
[0019] (6)根據（5)所述的平行度調整方法，其特徵在於，在所述移動工序中，使所述相對 距離以規定速度接近，在所述平行度調整工序中，使所述相對距離以比所述規定的速度慢 的速度接近。
[0020] 根據（6)的發明，在移動工序中，使相對距離以與工作速度一致的規定的速度接 近。在平行度調整工序中，由於以規定的按壓力被按壓的電極的表面從半導體的表面逃逸， 電極的表面的移動相對於工作速度變得緩慢，因而使相對距離以比規定的速度慢的速度接 近。
[0021] 根據本發明，可提供一種減輕對半導體的負載來調整半導體的表面和電極的表面 之間的平行度、使工作速度高速化來縮短循環時間的平行度調整裝置和平行度調整方法。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 圖1是示出本發明的實施方式涉及的探頭裝置的概略結構的立體圖，圖1的（a)是 分解圖，圖1的（b)是整體圖。
[0023] 圖2是上述實施方式涉及的探頭裝置的圖1的（b)的AA剖視圖。
[0024] 圖3是使用上述實施方式涉及的探頭裝置的半導體檢查的工序圖。
[0025] 圖4是使用上述實施方式涉及的探頭裝置的半導體檢查的各工序的狀態圖1，圖4 的（a)是等待狀態圖，圖4的（b)是第1信號引腳和功率半導體的接觸狀態圖，圖4的（c) 是第2信號引腳和功率半導體的接觸狀態圖，圖4的（d)是接觸體和功率半導體的接觸狀 態圖，圖4的（e)是接觸體和功率半導體的壓接狀態圖。
[0026] 圖5是使用上述實施方式涉及的探頭裝置的半導體檢查的各工序的狀態圖2,圖5 的（a)是接觸體和功率半導體的接觸狀態圖，圖5的（b)是接觸體和功率半導體的分離狀態 圖，圖5的（c)是第2信號引腳和功率半導體的分離狀態圖，圖5的（d)是第1信號引腳和 功率半導體的分離狀態圖。
[0027] 圖6是本發明的第2實施方式涉及的探頭裝置的圖1的（a)的AA剖視圖。

【具體實施方式】
[0028] 以下，說明本發明的實施方式。
[0029] 〈第1實施方式〉
[0030] 圖1是示出本發明的第1實施方式涉及的作為電流施加裝置的探頭裝置1的概略 結構的立體圖，圖1的（a)是分解圖，圖1的（b)是整體圖。圖2是本實施方式涉及的探頭 裝置1的圖1的（b)的AA剖視圖。圖1的（a)的AA截面為了容易理解探頭裝置1的截面 結構而在途中變更了截面位置。
[0031] 圖1所示的探頭裝置1應用於用於檢測在400?2000A的大電流的開關動作中使 用的功率半導體（IGBT、M0S、二極體等)100的半導體檢查裝置，與功率半導體100壓接來施 加大電流。
[0032] 探頭裝置1具有：接觸體2、按壓體組合體3、絕緣板4、固定蓋5、以及基體6。
[0033] 如圖1所示，接觸體2是圓盤狀，在中央具有比四方形狀的功率半導體100小一圈 的四方形狀的接觸部21，該接觸部21突出到功率半導體100側。接觸體2由鎳構成。
[0034] 接觸體2在接觸部21的附近具有為了使定位棒71貫穿插入而在其厚度方向上貫 通的1個定位用孔22。另外，接觸體2的定位用孔22的口徑與定位棒71的外徑相比大出 規定的間隙，並不對後述的接觸體2的接觸部21的表面21f與功率半導體100的表面100f 之間的平行度的調整進行限制。
[0035] 接觸體2在相對於接觸部21與定位用孔22相反的一側具有為了使第1信號引腳 32和第2信號引腳33分別貫穿插入而在其厚度方向上貫通的2個第1信號引腳用孔23和 第2信號引腳用孔24。
[0036] 接觸部21具有與功率半導體100面接觸的表面21f。表面21f具有僅插入到功率 半導體100的表層的表面電極層內的多個微小突起25。接觸部21即使具有多個微小突起 25,表面21f與多個微小突起25相比也為寬大的平坦面。
[0037] 多個微小突起25通過電鑄形成為如下高度，該高度比功率半導體100的表面電 極層的層厚即約10 μ m小、而且比形成在表面電極層的表面上的氧化膜的膜厚即約0. 1 μ m 大。
[0038] 如圖2所示，按壓體組合體3具有：4根第1按壓引腳31a、多個第2按壓引腳31b、 第1信號引腳32、第2信號引腳33、以及殼體34。
[0039] 按壓體組合體3是這樣的結構：當功率半導體100的表面100f與接觸體2的接觸 部21的表面21f接觸時，能夠順著功率半導體100的表面100f的傾斜使接觸體2的接觸 部21的表面21f傾斜，而且將接觸體2按壓於功率半導體100而使得能夠通電。
[0040] 並且，4根第1按壓引腳31a和多個第2按壓引腳31b是這樣的結構：當功率半導 體100的表面l〇〇f與接觸體2的接觸部21的表面21f接觸時，這些按壓引腳以能夠順著 功率半導體1〇〇的表面l〇〇f的傾斜使接觸體2的接觸部21的表面21f傾斜的方式壓縮。
[0041] 4根第1按壓引腳31a分別為棒狀，具有導電性。4根第1按壓引腳31a的各自的 前端31at和後端31ab形成為半球狀，使摩擦阻力下降。4根第1按壓引腳31a的各自的中 央部具有進行彈性反彈的彈簧部31ac。第1按壓引腳31a的彈簧部31ac的外徑比第1按 壓引腳31的彈簧部31ac以外的棒狀的前端部31as和後端部的外徑大。
[0042] 第1按壓引腳31a通過從殼體34突出的前端31at與接觸體2的背面2b接觸，其 接觸位置可移動。第1按壓引腳31a對應於接觸部21的四角而配置在接觸體2的背面2b， 向接觸體2中的接觸部21的四角分別賦予按壓力F。
[0043] 第1按壓引腳31a通過從殼體34突出的後端31ab與基體6的按壓引腳用電極61 的表面61f接觸，第2電流可從基體6的按壓引腳用電極61流入。
[0044] 多個第2按壓引腳31b分別為與第1按壓引腳31a相同的結構。對於第2按壓引 腳31b來說，彈簧部31bc的前端側的棒狀的前端部31bs的長度比第1按壓引腳31a的棒 狀的前端部31as的長度短。
[0045] 第2按壓引腳31b通過從殼體34突出的前端31bt而能夠與接觸體2的背面2b 接觸，其接觸位置可移動。第2按壓引腳31b在平面方向上等間隔地排列在以4根第1按 壓引腳31a作為角部的接觸體2的背面2b，可向接觸體2的多個分區分別賦予按壓力F。
[0046] 第2按壓引腳31b通過從殼體34突出的後端31bb與基體6的按壓引腳用電極61 的表面61f接觸，第2電流可從基體6的按壓引腳用電極61流入。
[0047] 接觸體2使背面2b與跟接觸部21的四角對應的4根第1按壓引腳31a的前端 31at接觸，由4根第1按壓引腳31a以規定的按壓力按壓。另一方面，接觸體2在背面2b 和多個第2按壓引腳31b的前端31bt之間具有間隙，不使兩者接觸。
[0048] 第1信號引腳32是棒狀，具有導電性。第1信號引腳32的前端32t和後端32b形 成為半球狀，使摩擦阻力下降。第1信號引腳32的中央部具有進行彈性反彈的彈簧部32c。 第1信號引腳32的彈簧部32c的外徑比第1信號引腳32的彈簧部32c以外的棒狀的前端 部32s和後端部的外徑大。對於第1信號引腳32來說，彈簧部32c的前端側的棒狀的前端 部32s的長度比第1按壓引腳31a的棒狀的前端部31as的長度長。
[0049] 第1信號引腳32將針對功率半導體100的發射極的第1電流輸入到功率半導體 100。
[0050] 第1信號引腳32通過從殼體34突出的前端32t與功率半導體100的表面100f 接觸，其接觸位置可移動。
[0051] 第1信號引腳32通過從殼體34突出的後端32b與基體6的第1信號引腳用電極 62的表面62f接觸，能夠交換基體6的第1信號引腳用電極62的電信號。
[0052] 第2信號引腳33是棒狀，具有導電性。第2信號引腳33的前端33t和後端33b形 成為半球狀，使摩擦阻力下降。第2信號引腳33的中央部具有進行彈性反彈的彈簧部33c。 第2信號引腳33的彈簧部33c的外徑比第2信號引腳33的彈簧部33c以外的棒狀的前端 部33s和後端部的外徑大。對於第2信號引腳33來說，彈簧部33c的前端側的棒狀的前端 部33s的長度比第1按壓引腳31a的棒狀的前端部31as的長度長，比第1信號引腳32的 棒狀的前端部32s的長度短。
[0053] 第2信號引腳33將針對功率半導體100的柵極的、控制功率半導體100的接通斷 開的控制信號輸入到功率半導體100。
[0054] 第2信號引腳33通過從殼體34突出的前端33t與功率半導體100的表面100f 接觸，其接觸位置可移動。
[0055] 第2信號引腳33通過從殼體34突出的後端33b與基體6的第2信號引腳用電極 63的表面63f接觸，能夠交換基體6的第2信號引腳用電極63的電信號。
[0056] 如圖2所示，在探頭裝置1中，第1信號引腳32的前端32t最突出，第2信號引腳 33的前端33t次於第1信號引腳32的前端32t突出，接觸體2的接觸部21的表面21f次 於以上第1信號引腳32的前端32t和第2信號引腳33的前端33t突出。
[0057] 殼體34由圖2所示的一對圓板材的2個殼體部件34a、34b構成，具有：4個第1按 壓引腳用孔341a、多個第2按壓引腳用孔341b、第1信號引腳用孔342、和第2信號引腳用 孔 343。
[0058] 4根第1按壓引腳31a、多個第2按壓引腳31b、第1信號引腳32和第2信號引腳 33通過在對殼體34進行了 2分割後的一個殼體部件34a上，將各引腳31a、31b、32、33的彈 簧部31&〇、311^、32(3、33(3收容在各孔341 &、34113、342、343的彈簧部用的空洞部內而配置在 殼體部件34a上，之後使2個殼體部件34a、34b合併而一體化，從而構成按壓體組合體3。
[0059] 如圖1所示，殼體34在多個第2按壓引腳用孔341b的周圍具有為了使定位棒71 貫穿插入而在其厚度方向上貫通的1個定位用孔344、和為了使固定螺栓72貫穿插入而在 其厚度方向上貫通的2個固定用孔345。固定用孔345具有對固定螺栓72的頭部進行收容 的收容部，2個固定用孔345在通過殼體34的中心點的直線上隔著多個第2按壓引腳用孔 341b分離地配置。
[0060] 殼體34在前端側的表面具有為了引導接觸體2的外周而突出到功率半導體100 側的環狀凸部34c。環狀凸部34c可在內側收容接觸體2,其內周面寬鬆地限制接觸體2的 移動。
[0061] 殼體34在外周面具有螺紋部34d。
[0062] 如圖2所示，4個第1按壓引腳用孔341a分別對應於接觸體2的接觸部21的四 角而就位。4個第1按壓引腳用孔341a分別在殼體34的厚度方向上貫通，其內配置有第 1按壓引腳31a。即，第1按壓引腳用孔341a的中央部形成為與第1按壓引腳31a的彈簧 部31ac的大小吻合的、比其它部分內徑大的空洞部，通過在該空洞部內收容第1按壓引腳 31a的彈簧部31ac，使得第1按壓引腳31a配置在第1按壓引腳用孔341a內。收容在第1 按壓引腳用孔341內的第1按壓引腳31a經由貫穿插入在第1按壓引腳用孔341a內的棒 狀的前端部31as和後端部而使前端31at和後端31ab突出到殼體34的外側。優選的是， 4個第1按壓引腳用孔341a分別以第1按壓引腳31a可在第1按壓引腳用孔341a內順利 移動的方式平滑地形成其內表面。
[0063] 多個第2按壓引腳用孔341b與第1按壓引腳用孔341a結構相同。
[0064] 這裡，第1按壓引腳31a可與第2按壓引腳31b更換，可取代第2按壓引腳31b而 配置在第2按壓引腳用孔341b內。然後例如，可以使由多根構成的第1按壓引腳31a的組 分別與接觸體2中的接觸部21的四角對應來進行配置。並且，可以將多個第1按壓引腳31a 沿著接觸體2中的接觸部21的周緣配置，或者從中央隔開等距離而配置成圓環狀。除此以 夕卜，還可以使多個第1按壓引腳31a相對於接觸體2以按壓力均等分散的方式平衡地配置。 據此，可使第1按壓引腳31a的數目增加，可提高多個第1按壓引腳31a的按壓力（規定的 按壓力）。因此，僅通過第1按壓引腳31a和第2按壓引腳31b的更換，就可容易地調整當 在平行度調整工序中調整平行度時的規定的按壓力。
[0065] 第1信號引腳用孔342形成在多個第2按壓引腳用孔341b的相鄰區域內的1個 部位。第1信號引腳用孔342在殼體34的厚度方向上貫通，其內配置有第1信號引腳32。 艮P，第1信號引腳用孔342的中央部形成為與第1信號引腳32的彈簧部32c的大小吻合 的、比其它部分內徑大的空洞部，通過在該空洞部內收容第1信號引腳32的彈簧部32c，使 得第1信號引腳32配置在第1信號引腳用孔342內。收容在第1信號引腳用孔342內的 第1信號引腳32經由貫穿插入在第1信號引腳用孔342內的棒狀的前端部32s和後端部 而使前端32t和後端32b突出到殼體34的外側。優選的是，多個第1信號引腳用孔342分 別以第1信號引腳32可在第1信號引腳用孔342內順利地移動的方式平滑地形成其內表 面。
[0066] 第2信號引腳用孔343與第1信號引腳用孔342並排形成在多個第2按壓引腳用 孔341b的相鄰區域內的1個部位。第2信號引腳用孔343與第1信號引腳用孔342結構 相同。
[0067] 如圖1所示，絕緣板4是圓盤狀，由絕緣部件構成，當組裝了探頭裝置1時，絕緣板 4位於探頭裝置1的前端。
[0068] 絕緣板4在中央具有開口 41。絕緣板4覆蓋接觸體2的接觸部21的周圍的表面 2f，另一方面，通過開口 41使接觸體2的接觸部21突出到功率半導體10(H則。
[0069] 絕緣板4在開口 41的附近具有使第1信號引腳32和第2信號引腳33分別貫穿 插入的第1信號引腳用孔42和第2信號引腳用孔43。
[0070] 如圖1所示，固定蓋5是環狀部件，具有圓環部5a和圓筒部5b。圓環部5a在內側 具有比絕緣板4的外徑小且比絕緣板4的開口 41大的孔51。圓筒部5b從圓環部5a向基 體6方向延伸，在內周面具有螺紋部5c。形成在固定蓋5的圓筒部5b的內周面上的螺紋部 5c與形成在按壓體組合體3的殼體34的外周面上的螺紋部34d螺合。
[0071] 如圖2所不，基體6是與固定蓋5相同直徑的圓盤狀。基體6具有：按壓引腳用電 極61、第1信號引腳用電極62和第2信號引腳用電極63。
[0072] 按壓引腳用電極61形成在4根第1按壓引腳31a和多個第2按壓引腳31b的後 端31ab、31bb突出的範圍內，與第2電流的電流供給源64連接。按壓引腳用電極61的表 面61f平滑地形成，當組裝了探頭裝置1時，與後端31ab、31bb接觸。
[0073] 第1信號引腳用電極62形成在第1信號引腳32的後端32b突出的位置，與供給 第1電流並連接於接地部65a而接地的第1信號電路65連接。第1信號引腳用電極62的 表面62f平滑地形成，當組裝了探頭裝置1時，與第1信號引腳32的後端32b接觸。
[0074] 第2信號引腳用電極63形成在第2信號引腳33的後端33b突出的位置，與供給 控制信號的第2信號電路66連接。第2信號引腳用電極63的表面63f平滑地形成，當組 裝了探頭裝置1時，與第2信號引腳33的後端33b接觸。
[0075] 按壓引腳用電極61、第1信號引腳用電極62和第2信號引腳用電極63分別以不 相互導通的方式在基體6的內部隔著絕緣部件67而分斷。
[0076] 如圖1所示，基體6具有使定位棒71貫穿插入的1個定位用孔68、和供固定螺栓 72固定的2個固定用孔69。固定用孔69構成為與固定螺栓72的螺紋部螺合的螺紋孔。
[0077] 探頭裝置1使用1根定位棒71和2根固定螺栓72,通過安裝固定蓋5來組裝。
[0078] 具體地說，使按壓體組合體3位於基體6上，使定位棒71貫穿插入到按壓體組合 體3的定位用孔344內並也貫穿插入到基體6的定位用孔68內。並且，使固定螺栓72貫 穿插入到按壓體組合體3的固定用孔345內並也貫穿插入到基體6的固定用孔69內。由 此，規定基體6和按壓體組合體3的位置關係。
[0079] 然後，使固定螺栓72與基體6的固定用孔69螺合，使按壓體組合體3固定在基體 6上。在該狀態下，定位棒71的前端從按壓體組合體3的表面突出。通過使該突出的定位 棒71的前端貫穿插入到接觸體2的定位用孔22內，使接觸體2配置在殼體34的環狀凸部 34c的內側，來寬鬆地定位接觸體2。此時，接觸體2的背面2b與按壓體組合體3的突出的 4根第1按壓引腳31a的前端31at接觸，不與多個第2按壓引腳31b的前端31bt接觸。接 觸體2即使在定位的狀態下也可移動。
[0080] 然後，使絕緣板4覆蓋接觸體2,在該狀態下使形成在固定蓋5的圓筒部5b的內周 面上的螺紋部5c與形成在按壓體組合體3的外周面上的螺紋部34d螺合，使固定蓋5固定 在按壓體組合體3上。此時，接觸體2的表面2f被固定蓋5的圓環部5a向基體6的方向 按壓，並且接觸體2的背面2b從4根第1按壓引腳31a的前端31at向與固定蓋5的按壓 方向相反的方向被按壓。
[0081] 另外,接觸體2在半導體檢查中檢測出功率半導體100的異常時被破壞。因此，接 觸體2與其它部件的更換頻度不同。在探頭裝置1中，與上述說明的探頭裝置1的組裝相 反，只需使形成在固定蓋5的圓筒部5b的內周面上的螺紋部5c相對於形成在按壓體組合 體3的外周面上的螺紋部34d放鬆，並取下固定蓋5,就可更換接觸體2。
[0082] 下面，對功率半導體100進行說明。
[0083] 功率半導體100是在400?2000A的大電流的開關動作中使用的IGBT、M0S、二極 管等。功率半導體1〇〇配置在未圖示的載置臺上。載置臺與未圖示的缸體連接，缸體使載 置臺上的功率半導體100按壓於探頭裝置1。
[0084] 功率半導體100構成為四方形狀，在內側具有接觸體用接觸區域101、第1信號引 腳用接觸區域102和第2信號引腳用接觸區域103。
[0085] 接觸體用接觸區域101形成在與接觸體2的接觸部21接觸的範圍內，成為功率半 導體100的發射極，從探頭裝置1被輸入第2電流。
[0086] 第1信號引腳用接觸區域102形成在與第1信號引腳32接觸的範圍內，成為功率 半導體100的發射極，從探頭裝置1被輸入第1電流。
[0087] 第2信號引腳用接觸區域103形成在與第2信號引腳33接觸的範圍內，成為功率 半導體100的柵極，從探頭裝置1被輸入控制信號。
[0088] 功率半導體100具有表面電鍍層、半導體層和背面電鍍層。
[0089] 表面電鍍層由金層、鎳層和鋁層構成。金層和鎳層由使用聚醯亞胺的絕緣體絕緣， 使接觸體用接觸區域101和第1信號引腳用接觸區域102隔離。另一方面，鋁層不由使用 聚醯亞胺的絕緣體絕緣，而使得接觸體用接觸區域101和第1信號引腳用接觸區域102電 連接(導通)。
[0090] 半導體層是矽層。半導體層在表面側包含發射器和柵極，在背面側包含集電極。
[0091] 背面電鍍層由金層、鎳層和鋁層構成。背面電鍍層不具有使用聚醯亞胺的絕緣體。
[0092] 下面，對使用探頭裝置1的功率半導體100的檢查進行說明。
[0093] 圖3是使用本實施方式涉及的探頭裝置1的半導體檢查的工序圖。
[0094] 圖4是使用本實施方式涉及的探頭裝置1的半導體檢查的各工序的狀態圖1，圖4 的（a)是等待狀態圖，圖4的（b)是第1信號引腳32和功率半導體100的接觸狀態圖，圖4 的（c)是第2信號引腳33和功率半導體100的接觸狀態圖，圖4的（d)是接觸體2和功率 半導體100的接觸狀態圖，圖4的（e)是接觸體2和功率半導體100的壓接狀態圖。
[0095] 圖5是使用本實施方式涉及的探頭裝置1的半導體檢查的各工序的狀態圖2,圖5 的（a)是接觸體2和功率半導體100的接觸狀態圖，圖5的（b)是接觸體2和功率半導體 100的分離狀態圖，圖5的（c)是第2信號引腳33和功率半導體100的分離狀態圖，圖5的 (d)是第1信號引腳32和功率半導體100的分離狀態圖。
[0096] 如圖4的（a)所示，探頭裝置1當初處於與功率半導體100分離的等待狀態。
[0097] 載置了功率半導體100的載置臺當開始檢查時，首先，通過缸體向探頭裝置1的方 向前進。載置臺前進的工作速度是恆定的。
[0098] 如圖4的（b)所示，在步驟S1中，伴隨載置臺的前進，第1信號引腳32的前端32t 與功率半導體1〇〇的第1信號引腳用接觸區域102接觸(第1信號引腳接觸工序)。
[0099] 與第1信號引腳用電極62連接的第1信號電路65與接地部65a連接而接地。因 此，當第1信號引腳32的前端32t與功率半導體100的第1信號引腳用接觸區域102接觸 時，殘留在第1信號引腳用接觸區域102內的殘留電流到第1信號電路65的接地部65a而 被去除。並且，由於第1信號引腳用接觸區域102通過表面電鍍層中的鋁層與接觸體用接 觸區域101電連接，因而殘留在接觸體用接觸區域101內的殘留電也流到第1信號電路65 的接地部65a而被去除。
[0100] 如圖4的（c)所示，在步驟S2中，伴隨載置臺的前進，第2信號引腳33的前端33t 與功率半導體1〇〇的第2信號引腳用接觸區域103接觸(第2信號引腳接觸工序)。
[0101] 這裡，使第2信號引腳33與基體6的第2信號引腳用電極63的表面63f接觸而 連接的第2信號電路66是施加控制信號的電路，不接地。因此，當第2信號引腳33與第1 信號引腳32同時或者比第1信號引腳32先與功率半導體100接觸時，很有可能對利用第 1信號引腳32實現的、殘留在接觸體用接觸區域101內的殘留電的去除產生不良影響。因 此，不使第2信號引腳33的前端33t與第1信號引腳32的前端32t相比突出，第2信號引 腳33的前端33t比第1信號引腳32的前端32t後與功率半導體100接觸。並且，當第2 信號引腳33比接觸體2的接觸部21的表面21f先與功率半導體100接觸時，能夠考慮到 第2信號引腳33與功率半導體100的接觸壓力而使接觸體2的接觸部21的表面21f最後 與功率半導體1〇〇接觸，接觸體2相對於功率半導體100容易調整平行度。
[0102] 如圖4的（d)所示，在步驟S3中，伴隨載置臺的前進，接觸體2的接觸部21的表 面21f的一部分與功率半導體100的接觸體用接觸區域101接觸，4根第1按壓引腳31a的 按壓力參與(平行度調整工序)。
[0103] 具體地說，首先，將多個微小突起25僅插入到功率半導體100的表層的表面電極 層內。由此，多個微小突起25起到尖端的作用，接觸體2相對於功率半導體100的位置被 定位。
[0104] 而且當功率半導體100通過缸體按壓於探頭裝置1時，接觸體2與固定蓋5分離， 處於由4根第1按壓引腳31a分別按壓接觸部21的四角的浮起狀態。並且，就在功率半導 體100的表面l〇〇f和接觸體2的接觸部21的表面21f的一部分彼此接觸之後，即使載置 臺的工作速度是恆定的，以規定的按壓力被按壓的接觸體2的接觸部21的表面21f也從功 率半導體1〇〇的表面l〇〇f逃逸，使功率半導體1〇〇的表面l〇〇f與接觸體2的接觸部21的 表面21f的相對距離接近的速度變慢。然後，接觸體2順著功率半導體100的表面100f的 傾斜而傾斜，強按壓的第1按壓引腳31a收縮，弱按壓的第1按壓引腳31a發揮按壓力，各 第1按壓引腳31a取得按壓力F和收縮的平衡。由此，4根第1按壓引腳31a調整接觸體2 與功率半導體1〇〇的表面l〇〇f的平行度。
[0105] 特別是，接觸體2是背面2b整體被4根第1按壓引腳31a按壓的一個部件，對應 於接觸體2中的接觸部21的四角而分別配置的4根第1按壓引腳31a的舉動被反映而敏 捷地擺動，與功率半導體100的表面l〇〇f的平行度被調整。
[0106] 如圖4的（e)所示，在步驟S4中，伴隨載置臺的前進，接觸體2的接觸部21的表 面21f與功率半導體100的接觸體用接觸區域101接觸，4根第1按壓引腳31a和多個第2 按壓引腳31b的按壓力參與(接觸體加壓工序)。
[0107] 具體地說，多個第2按壓引腳31b的前端31bt與被調整了平行度的接觸體2的背 面2b接觸並通過4根第1按壓引腳31a和多個第2按壓引腳31b的按壓力使接觸面壓均 勻。並且，接觸體2的接觸部21的表面21f與功率半導體100的表面100f均勻接觸而受 到按壓。
[0108] 此時，在載置臺上有時發生通過缸體按壓於探頭裝置1時的橫向錯開、扭轉和振 動等。與此相對，第1按壓引腳31a和第2按壓引腳31b由於前端31at、31bt是半球形狀， 因而摩擦阻力小，可通過與接觸體2的背面2b接觸的前端31at、31bt的接觸位置的錯開來 吸收在載置臺上產生的橫向錯開、扭轉和振動等。由此，接觸體2與功率半導體100的表面 l〇〇f的接觸狀態不受橫向錯開、扭轉和振動等的影響，多個微小突起25不會因為接觸體2 的位置錯開而切削功率半導體100的表面l〇〇f。
[0109] 並且，接觸體2的接觸部21的表面21f是與多個微小突起25相比寬大的平坦面 並成為限制由多個微小突起25引起的向表面電極層的插入的限制面。因此，即使在多個微 小突起25被插入到功率半導體100的表面電極層內之後進一步施加了壓力的情況下，表面 21f也維持與功率半導體100的抵接狀態，限制由多個微小突起25引起的向表面電極層的 過量插入。
[0110] 在步驟S5中，基體6的後方的電流供給源64經由4根第1按壓引腳31a和多個 第2按壓引腳31b向接觸體2供給作為大電流的第2電流，基體6的後方的第1信號電路 65向第1信號引腳32供給第1電流，基體6的後方的第2信號電路66向第2信號引腳33 輸入控制功率半導體100的接通斷開的控制信號，執行功率半導體100的檢查(通電工序)。 [0111] 在檢查執行後，載置臺通過缸體向與探頭裝置1相反的方向後退。載置臺後退的 工作速度是恆定的。
[0112] 如圖5的（a)、（b)所示，在步驟S6中，伴隨載置臺的後退，接觸體2的接觸部21 的表面21f與功率半導體100的接觸體用接觸區域101分離(接觸體分離工序)。
[0113] 如圖5的（c)所示，在步驟S7中，伴隨載置臺的後退，第2信號引腳33的前端33t 與功率半導體1〇〇的第2信號引腳用接觸區域103分離(第2信號引腳分離工序)。
[0114] 這裡，與第2信號引腳用接觸區域103連接的第2信號電路66是施加控制信號的 電路，不接地。因此，當第2信號引腳33與第1信號引腳32同時或者比第1信號引腳32後 與功率半導體1〇〇分離時，很有可能對利用第1信號引腳32實現的、殘留在接觸體用接觸 區域101內的殘留電的去除產生不良影響。因此，不使第2信號引腳33的前端33t與第1 信號引腳32的前端32t相比突出，使得第2信號引腳33的前端33t比第1信號引腳32的 前端32t先與功率半導體100分離。並且，當第2信號引腳33的前端33t比接觸體2的接 觸部21的表面21f後與功率半導體100分離時，可使接觸體2先與功率半導體100分離， 由於不受第2信號引腳33分離時的衝擊和接觸壓力的變更的影響，因而接觸體2的多個微 小突起25不會使功率半導體100的表面100f損傷。
[0115] 如圖5的（d)所示，在步驟S8中，伴隨載置臺的後退，第1信號引腳32的前端32t 與功率半導體100的第1信號引腳用接觸區域102分離(第1信號引腳分離工序)。
[0116] 這裡，與第1信號引腳用接觸區域102連接的第1信號電路65與接地部65a連接 而接地。因此，當第1信號引腳32的前端32t與功率半導體100的第1信號引腳用接觸區 域102最後分離時，在檢查中殘留在第1信號引腳用接觸區域102和與該第1信號引腳用 接觸區域102電連接的接觸體用接觸區域101內的殘留電能夠流入第1信號電路65的接 地部65a而最後被去除。
[0117] 然後，探頭裝置1回到等待狀態。
[0118] 根據以上的本實施方式涉及的探頭裝置1，取得以下效果。
[0119] (1)與本實施方式不同，在探頭裝置1的等待狀態中多個第2按壓引腳31b按壓接 觸體2的背面2b的情況下，當接觸體2的接觸部21的表面21f和功率半導體100的表面 l〇〇f接觸時，載荷集中於接觸部分，產生大的摩擦力。因此，接觸體2難以順著功率半導體 100的表面而傾斜，存在難以調整平行度的課題。
[0120] 並且，與本實施方式不同，在探頭裝置1的等待狀態中4根第1按壓引腳31a未按 壓接觸體2的背面2b的情況下，當功率半導體100在接觸時急劇頂起接觸體2時，4根第1 按壓引腳31a和多個第2按壓引腳31b受到衝擊而被破壞。因此，有必要使接觸體2的接 觸部21的表面21f和功率半導體100的表面100f慢慢接觸，存在每1個功率半導體1的 檢查時間即循環時間延長的課題。
[0121] 與此相對，在本實施方式中，按壓體組合體3以4根第1按壓引腳31a的按壓力按 壓接觸體2,直到功率半導體100的表面100f和接觸體2的接觸部21的表面21f接觸來調 整平行度，之後以比4根第1按壓引腳31a的按壓力大的4根第1按壓引腳31a和多個第 2按壓引腳31b的按壓力按壓接觸體2。
[0122] S卩，在平行度調整工序中，以4根第1按壓引腳31a的按壓力將接觸體2的接觸部 21的表面21f按壓於功率半導體100的表面100f，在加壓工序中，以比4根第1按壓引腳 31a的按壓力大的4根第1按壓引腳31a和多個第2按壓引腳31b的按壓力將接觸體2的 接觸部21的表面21f按壓於功率半導體100的表面100f。
[0123] 由此，功率半導體100的表面100f與接觸體2的接觸部21的表面21f的平行度 調整是以4根第1按壓引腳31a的按壓力而不是過度的按壓力來實施的。因此，以4根第 1按壓引腳31a的按壓力被按壓的接觸體2的接觸部21的表面21f容易順著功率半導體 100的表面l〇〇f而傾斜。並且，就在功率半導體100的表面l〇〇f和接觸體2的接觸部21 的表面21f的一部分彼此接觸之後，即使載置臺的工作速度是恆定的，以規定的按壓力被 按壓的接觸體2的接觸部21的表面21f也從功率半導體100的表面100f逃逸，使功率半 導體100的表面l〇〇f與接觸體2的接觸部21的表面21f的相對距離接近的速度變慢。因 此，功率半導體100的表面l〇〇f與接觸體2的接觸部21的表面21f的接觸在調整平行度 的同時順利地進行。
[0124] 然後，以比4根第1按壓引腳31a的按壓力大的4根第1按壓引腳31a和多個第2 按壓引腳31b的按壓力來實施平行度調整後的電流施加。因此，通過在調整了平行度之後 以比4根第1按壓引腳31a的按壓力大的4根第1按壓引腳31a和多個第2按壓引腳31b 的按壓力按壓接觸體2,針對功率半導體100使載荷集中最小從而減輕了負載。另外，有必 要在加壓的同時施加的電流良好地從接觸體2流入功率半導體100。
[0125] 這樣，可減輕對功率半導體100的負載，並且即使載置臺的工作速度是恆定的，也 可減慢使功率半導體1〇〇的表面100f與接觸體2的接觸部21的表面21f的相對距離接近 的速度。因此，無需精密地控制接觸動作。因此，可減輕對功率半導體100的負載來調整功 率半導體1〇〇的表面l〇〇f與接觸體2的接觸部21的表面21f的平行度，可使載置臺的工 作速度高速化來縮短循環時間。
[0126] (2)4根第1按壓引腳31a在功率半導體100的表面100f與接觸體2的接觸部21 的表面21f接觸之前就與接觸體2接觸並以規定的按壓力按壓接觸體2,多個第2按壓引腳 31b在功率半導體100的表面100f與接觸體2的接觸部21的表面21f接觸之後與接觸體 2接觸並以比規定的按壓力大的按壓力按壓接觸體2。由此，功率半導體100的表面100f 與接觸體2的接觸部21的表面21f的平行度調整以4根第1按壓引腳31a的預定的按壓 力來實施。另外，在以比規定的按壓力大的4根第1按壓引腳31a和多個第2按壓引腳31b 的按壓力按壓接觸體2的同時，實施平行度調整後的電流施加。
[0127] (3)4根第1按壓引腳31a對應於接觸體2的四方形狀的接觸部21中的表面21f 的四角而分散配置。由此，對應於接觸體2的四方形狀的接觸部21中的表面21f的四角而 分散配置的4根第1按壓引腳31a針對接觸體2平衡地發揮規定的按壓力，可容易地實施 接觸體2的接觸部21的表面21f與功率半導體100的表面100f的平行度調整。
[0128] (4)在步驟S1、S2中，使相對距離以與載置臺的工作速度一致的規定的速度接近。 在步驟S3中，由於以4根第1按壓引腳31a的規定的按壓力被按壓的接觸體2的接觸部21 的表面21f從功率半導體100的表面100f逃逸，接觸體2的接觸部21的表面21f的移動 相對於載置臺的工作速度變得緩慢，因而使相對距離以比規定的速度慢的速度接近。
[0129]
[0130] 下面，說明第2實施方式。在第2實施方式中，由於載置功率半導體100的載置臺 200的結構與上述實施方式不同，然而其它部分相同，因而對其特徵部分進行說明，對相同 結構省略說明。
[0131] 圖6是本實施方式涉及的探頭裝置1A的圖1的（a)的AA剖視圖。圖1的（a)的 AA截面為了容易理解探頭裝置1A的截面結構而在途中變更了截面位置。
[0132] 載置臺200具有工作檯210、彈性支撐體組合體220和基部230。
[0133] 工作檯210是具有導電性的板狀部件，在表面210f上配置有功率半導體100。
[0134] 彈性支撐體組合體220具有多個彈性支撐引腳221和殼體222。
[0135] 多個彈性支撐引腳221分別為棒狀，具有導電性。多個彈性支撐引腳221的各自 的中央部具有進行彈性反彈的彈簧部221c。彈性支撐引腳221的彈簧部221c的外徑比彈 性支撐引腳221的彈簧部221c以外的棒狀的前端部和後端部的外徑大。
[0136] 殼體222由一對板材即2個殼體部件222a、222b構成，具有多個彈性支撐引腳用 孔 223。
[0137] 殼體222使用未圖示的螺栓固定在基部230上。
[0138] 多個彈性支撐引腳用孔223在工作檯210的下表面沿平面方向等間隔地排列。多 個彈性支撐引腳用孔223分別在殼體222的厚度方向上貫通，其內配置有彈性支撐引腳 221。即，彈性支撐引腳用孔223的中央部形成為與彈性支撐引腳221的彈簧部221c的大 小吻合的、比其它部分內徑大的空洞部，通過在該空洞部內收容彈性支撐引腳221的彈簧 部221c，使得彈性支撐引腳221配置在彈性支撐引腳用孔223內。收容在彈性支撐引腳用 孔223內的彈性支撐引腳221經由貫穿插入在彈性支撐引腳用孔223內的棒狀的前端部和 後端部而使前端221t和後端221b突出到殼體222的外側。優選的是，多個彈性支撐引腳 用孔223分別以彈性支撐引腳221可在彈性支撐引腳用孔223內順利移動的方式平滑地形 成其內表面。
[0139] 彈性支撐引腳221通過從殼體222突出的前端221t可與工作檯210的下表面210b 接觸。彈性支撐引腳221沿平面方向等間隔地排列在配置有功率半導體100的工作檯210 的區域內，能夠以規定的按壓力對工作檯210的下表面210b中的多個分區分別進行彈性支 撐。
[0140] 彈性支撐引腳221通過從殼體222突出的後端221b與基部230的未圖示的彈性 支撐引腳用電極的表面接觸，電流可從基部230的彈性支撐引腳用電極流入。
[0141] 對於載置臺200來說，當接觸體2的接觸部21的表面21f與功率半導體100的接 觸體用接觸區域接觸時，對功率半導體100的衝擊吸收彈性支撐引腳221的收縮。因此，針 對功率半導體100進一步減少載荷集中而進一步減輕了負載。
[0142] 根據以上的本實施方式涉及的探頭裝置1A，取得與上述實施方式相同的（1)? (4)的效果，並取得以下效果。
[0143] (5)彈性支撐體組合體220對功率半導體100進行彈性支撐。由此，當功率半導體 100的表面l〇〇f和接觸體2的接觸部21的表面21f接觸時，對功率半導體100的衝擊由彈 性支撐體組合體220吸收，進一步減輕了對功率半導體100的負載，提高了功率半導體100 對衝擊載荷的耐性。因此，可使以往1. 7rnrn/sec的工作速度高速化為5mm/sec而進一步縮 短循環時間。
[0144] 另外，本發明不限定於上述實施方式，即使在可達到本發明目的的範圍內進行變 型、改良等，也包含在本發明的範圍內。
[0145] 在上述實施方式中，使4根第1按壓引腳31a分別對應於接觸體2中的接觸部21 的四角來配置。然而，本發明不限於此。例如，可以如上述實施方式所述那樣使由多根構成 的第1按壓引腳31a的組分別對應於接觸體2中的接觸部21的四角來配置。並且，可以使 多個第1按壓引腳31a沿著接觸體2中的接觸部21的周緣來配置，或者從中央隔開等距離 配置成圓環狀。除此以外，還可以使多個第1按壓引腳31a相對於接觸體2以按壓力均等 分散的方式平衡地配置。
【權利要求】
1. 一種平行度調整裝置，所述平行度調整裝置調整半導體的表面與接觸該表面而進行 加壓同時施加電流的電極的表面之間的平行度，其特徵在於， 所述平行度調整裝置具有按壓體，當所述半導體的表面與所述電極的表面接觸時，所 述按壓體能夠順著所述半導體的表面的傾斜使所述電極的表面傾斜，而且能夠將所述電極 按壓於所述半導體而使得能夠通電， 所述按壓體以規定的按壓力按壓所述電極，直到所述半導體的表面與所述電極的表面 接觸來調整平行度，之後以比所述規定的按壓力大的按壓力按壓所述電極。
2. 根據權利要求1所述的平行度調整裝置，其特徵在於， 所述按壓體具有多個彈性體，當所述半導體的表面與所述電極的表面接觸時，所述多 個彈性體以能夠順著所述半導體的表面的傾斜使所述電極的表面傾斜的方式壓縮， 所述多個彈性體中的一部分彈性體在所述半導體的表面與所述電極的表面接觸之前 就與所述電極接觸並以所述規定的按壓力按壓所述電極， 所述多個彈性體中的一部分以外的彈性體在所述半導體的表面與所述電極的表面接 觸之後與所述電極接觸並以比所述規定的按壓力大的按壓力按壓所述電極。
3. 根據權利要求2所述的平行度調整裝置，其特徵在於， 所述電極的表面具有四方形狀， 所述一部分彈性體對應於所述電極的表面的四角而分散配置。
4. 根據權利要求1至3中任一項所述的平行度調整裝置，其特徵在於， 所述平行度調整裝置具有對所述半導體進行彈性支撐的彈性支撐體。
5. -種平行度調整方法，所述平行度調整方法調整半導體的表面與接觸該表面而進行 加壓同時施加電流的電極的表面之間的平行度，其特徵在於，所述平行度調整方法包括： 移動工序，使所述半導體的表面與所述電極的表面的相對距離接近，直到兩表面的一 部分彼此接觸； 平行度調整工序，在使所述相對距離接近的同時，順著所述半導體的表面的傾斜使所 述電極的表面傾斜；以及 加壓工序，使用所述電極的表面對所述半導體的表面進行加壓， 在所述平行度調整工序中，以規定的按壓力將所述電極的表面按壓於所述半導體的表 面， 在所述加壓工序中，以比所述規定的按壓力大的按壓力將所述電極的表面按壓於所述 半導體的表面。
6. 根據權利要求5所述的平行度調整方法，其特徵在於， 在所述移動工序中，使所述相對距離以規定的速度接近， 在所述平行度調整工序中，使所述相對距離以比所述規定的速度慢的速度接近。
【文檔編號】G01R1/02GK104142411SQ201410123849
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年3月28日 優先權日:2013年5月8日
【發明者】赤堀重人, 神原將郎 申請人:本田技研工業株式會社