通過鍍覆技術形成元件的製作方法

2023-12-03 15:11:41 1

專利名稱：通過鍍覆技術形成元件的製作方法
技術領域：
本發明主題一般涉及對於多層電子元件的改進的元件形成。更具體地說，本發明主題涉及在如多層電容器或集成的無源元件的接線端和電感元件的形成以及器件互連技術中使用的鍍覆技術。本技術利用暴露的電極接頭的選擇設置以便於鍍覆電連接的形成。
背景技術：
許多現代的電子元件封裝為單片器件，並且在單個晶片封裝中可以包括單個元件或者多個元件。這種單片器件的一個具體例子是多層電容器或電容器陣列，並且對所公開的技術，尤其感興趣的是具有叉指內部電極層和相應的電極接頭的多層電容器。在美國專利Nos.4,831,494(Arnold等人)、5,880,925(DuPré等人)和6,243,253 B1(DuPré等人)中可以找到包含叉指電容器(IDC)技術特徵的多層電容器的例子。其它的單片電子元件對應於將多個無源元件集成為單個晶片結構的器件。這種集成的無源元件可以提供電阻器、電容器、電感器和/或其它無源元件的選擇組合，這些元件形成為多層的結構，並且封裝為單片電子器件。
經常需要選擇性的接線端(selective termination)以便為各個單片電子元件形成電連接。需要多重接線端(multiple termination)以提供與集成單片器件的不同內部電子元件的電連接。還經常將多重接線端與IDC和其它多層陣列結合使用，以便減小不希望的電感量。在多層元件中形成多重接線端的一個典型方式是通過穿過晶片結構的選定區域鑽孔，並且用導電材料填充通孔，使得在器件的選定的電極部分之中形成電連接。
為主題器件形成外部接線端的另一個方式是將玻璃基體中的銀或銅的厚膜帶施用於內部電極層的暴露部分，固化或者燒結該材料，接著在接線端帶(termination stripe)上鍍覆附加的金屬層，使得器件可焊接到基板上。在美國專利No.5,021，921(Sano等人)中公開了具有通過燒結的接線端和在其上鍍覆金屬膜形成的外部電極的電子元件的例子。接線端的施用經常難以控制，並且會成為減小晶片尺寸的障礙。美國專利Nos.6,232,144B1(McLoughlin)和6,214,685 B1(Clinton等人)涉及在電子器件的選定區域上形成接線端的方法。
電子元件尺寸的不斷收縮使其在預定區域以所需的精度印刷接線端帶非常困難。厚膜接線端帶一般用抓牢晶片的機器塗覆，並且用專門設計的輪子塗覆選擇的接線端。美國專利No.5,944,897(Braden)、5,863,331(Braden等人.)、5,753,299(Garcia et al)和5,226,382(Braden)公開了機械部件和關於向晶片結構塗覆接線端帶的步驟。對於電子晶片器件來說，元件尺寸的減小或接線端接點的數量的增加會使傳統接線端加工中的解析度限制變的尤為突出。
當試圖施用選擇性接線端時會出現的其它問題，包括接線端焊盤的偏移、接線端的誤定位使得內部電極接頭完全暴露或是失去，以及遺失在重疊部分周圍(wrap-around)的接線端部分。當塗覆太薄的塗料狀接線端材料塗層時或者當接線端塗層的一部分塗覆到另一個中引起接線端焊盤短路時，還會出現其它的問題。厚膜體系的另一個問題是經常難以僅在器件的選擇側面上例如垂直表面上形成接線端部分。圍繞單片器件的電子接線端設置的這些和其它問題提出需要為電子晶片元件提供便宜和有效的接線端部件。
涉及接線端施用的再一個可選方案包括相對於掩膜對準多個單個襯底元件。可以將部件裝到專門設計的夾具中，例如美國專利No.4,919,076(Lutz等人)所公開的，然後通過掩膜部件濺射。一般這是一個非常昂貴的製造工藝，因此希望其它有效而便宜的接線端設置方案。
美國專利No.5,880,011(Zablotn等人)、5,770,476(Stone)、6,141,846(Miki)和3,258,898(Garibotti)分別涉及各種電子元件的接線端形成的方案。
關於多層陶瓷器件形成方法的其它背景參考包括美國專利No.4,811,164(Ling等人)、4,266,265(Maher)、4,241,378(Dorrian)和3,988,498(Maher)。
雖然各種技術方案和可選擇的特徵在電子元件及其接線端領域是公知的，但還沒有出現一種設計，總體上解決這裡討論的所有問題。這裡，將前面的所有美國專利公開文獻都引入本申請作為參考。

發明內容
本主題認知和解決了前面的各種問題，以及涉及電子接線端及其相關技術的某些方面的其它問題。這樣，廣義上說，現在所公開的技術的一些實施例的主要目的是用於電子元件的改進的接線端部件。更具體地說，所公開的接線端部件僅靠鍍覆形成，並設計為消除或者大大簡化厚膜帶，通常所述厚膜帶為了達到接線端的目的，沿著單片器件的某些部分印刷形成。
本主題的一些實施例的另一個主要目的是提供普通的螺旋形電感元件，用於與多層電子元件集成。更具體地說，可以在各個器件層上設置多個內導電接頭部分，並且暴露在螺旋圖案中。然後可以對暴露的圖案進行鍍覆，或者可以採用其它公開的技術以便形成鍍覆的電感元件。
當前所公開的技術的另一個主要目的是提供一種方式，通過設置內部電極接頭和選擇性地設置附加的錨定接頭，引導鍍覆材料的形成。內部電極接頭和附加的錨定接頭都可以有利於形成安全可靠的外部鍍層。為了增強的外部接線端導電性、更好的機械一體性和鍍覆材料的沉積，可以設置一般不提供內部電連接的錨定接頭。
本主題的一些實施例的再一個主要目的是為電子元件提供接線端部件，從而消除或簡化了一般的厚膜接線端帶，並且僅需要鍍覆的接線端來實現外部電極連接。根據所公開的技術，鍍覆材料可以包括金屬導體、電阻性材料和/或半導電材料。
本主題的一些實施例的另一個主要目的是為電子元件提供接線端部件，從而直接建立球限冶金(BLM)，不需要首先提供接線端帶。根據本技術，能夠以各種預定的形狀和尺寸鍍覆這種球限冶金。
通過所公開主題的一些實施例得到的優點在於，可以形成電子元件的接線端部件而不需要通過接線端機器塗覆，這樣能夠得到具有利用其它方法不可能達到的解析度水平的外部接線端。這種改進的接線端解析度還能夠在給定的元件區域內提供更多的接線端，並且能夠提供具有非常精細的間距的接線端。
本技術的一些實施例的另外的目的是提供接線端部件，該接線端部件能夠提供有效的焊料基層，該焊料基層對焊料浸滲具有減小的敏感性。設計暴露的電極部分和錨定接頭部分的結構，使得用鍍覆的接線端材料覆蓋選定的相鄰的暴露接頭部分，在其它的接線端位置之間不會出現不需要的橋接。實際上，利用本領域現有方法，通過改變鍍覆參數，可以控制鍍層的生長或分布程度，以便橋接暴露的電極部分之間的間隙或者令它們分離。
本主題的再一個目的是可以將所公開的技術應用於各種不同的接線端結構，包括改變的外部接線端的數量和設置。可以根據這裡公開的各種不同的鍍覆技術，在通過在電子元件的周圍提供暴露的導電元件而自確定的位置形成鍍覆的接線端。
本鍍覆的元件形成技術的進一步的目的是便於以有利的和可靠的方式製造更便宜和更高效的電子元件。
通過這裡的詳細描述闡明了本主題的其它目的和優點，這對本領域技術人員來說將是顯而易見的。而且，本領域技術人員應進一步理解，藉助於對本文獻的參考，在不離開其精神和範圍的情況下，在各種實施例中可以對這裡具體說明的、參考的、討論的部件和/或步驟作出修改和變化。這種變化可以包括對那些示出的、參考的或討論的手段、步驟、部件或材料以及各種部分、部件、步驟的功能、操作或位置轉換等的等效代替。
此外，應理解本技術的不同的實施例以及所闡述的不同優選實施例可以包含此處所公開的步驟、部件或元件及其等效物的各種組合或構造(包括詳細描述中沒有提到或者附圖中沒有表示出的部件的組合或結造)。
本主題的主要方面涉及多層電子元件的鍍覆接線端。這種多層電子元件優選可以包括在其中具有插入的多個電極的多個絕緣襯底。選定的多個電極優選具有從選定的部分延伸並且沿著多個襯底的選定的側面暴露的多個接頭部分。選定的暴露的電極接頭部分優選彼此在一定的距離內層疊，使得可以沿著電子元件的周邊形成至少一個鍍覆接線端材料層。
本技術的另外的一般方面涉及用於上述鍍覆接線端的錨定接頭。可以將錨定接頭額外地插入多層電子元件的多個襯底內，並且暴露在預定位置，使得通過暴露的內部電極接頭部分和暴露的錨定接頭的位置引導鍍覆接線端的形成。通過提供充足的暴露接頭的數量，能夠形成鍍覆的接線端。此外，錨定接頭為最後的接線端提供了更大的機械強度。
本技術的第一實施例涉及具有內部電極的多層電子元件，其中選定的內部電極層具有與電極層相關的寬度變化的接頭。本技術的該第一實施例可以包含內部導電通孔，以便連接各個電極層。根據所公開的技術的總的方面，本技術的第一實施例還可以包括錨定接頭，其中錨定接頭的特徵也可以在於變化的寬度。變化的接頭寬度可以便於沿著多層電子元件的周邊形成基本上為圓餅狀的鍍覆層部分。
本技術的第二實施例涉及與第一實施例類似的多層電子元件，並且也包括與電極層相關的附加接頭。該附加接頭沿著與第一實施例所示的選定的電極接頭相反的方向上延伸，並且可以暴露在多層電子元件的選定的表面處。附加接頭優選在選定的外部表面處被鍍覆，或者由標準的厚膜技術所結合，作為多層電子元件的內部電極、測試接線端的連接點，並且作為後面可能的電化學鍍覆工藝的有利措施。
本技術的第三實施例涉及與第一實施例類似的多層電子元件，並且其特徵在於從選定的電極層延伸到多層電子元件的多個選定的側面的附加電極接頭。像第二實施例那樣，這些附加接頭可以從外部鍍覆在多層電子元件上，並且作為內部電極以及多層電子元件的測試接線端的連接點。
本主題的再一個方面可以結合本主題的上述典型實施例中選定的實施例和其它的實施例，該方面包括用於按需要形狀形成鍍覆材料部分的可選擇部件。內部電極結構允許通過向切面逐漸移動成形的圖案而形成要得到的接線端，所述切面形成了接線端的邊緣。例如，如果將接頭的端部成形為半圓形，那麼通過暴露該形狀的截面並且每次以層的厚度將該形狀向將切割的表面移動，直至停止在圓的中心，得到的圖案將繪出半圓。如果該形狀是三角形，那麼得到的接線端將是三角形等等。
可以結合選定的實施例的本主題的另一個方面包括內部電感元件的形成。通過印刷與通孔(後面將鑽的孔)的外直徑相交的多個接頭，並且分別旋轉每個後來層疊在通孔周邊附近的接頭位置，一系列的接頭將被暴露，形成螺旋通路。後來的鍍覆將橋接這些接頭，形成提供電感器的實際的螺旋，添加一個有用的無源元件。
不必在此綜述部分描述的本主題的其它實施例可以包含且結合了上面總結的目的中參考的部件或部分的方案和/或本申請中討論的其它部件或部分。
本主題平等地涉及用於實施和製造這裡參考的所有多層電子元件結構的相應的各種典型方法，以及相關的鍍覆接線端技術。
當瀏覽本說明的剩餘部分時，本領域普通技術人員將更好地理解這些實施例的部件和方案。


參考附圖，本說明書給出了對本領域普通技術人員來說，是對本主題的全面和能夠實現的描述，包含其優選實施方式，其中圖1示出了根據傳統設置的典型多層叉指電容器的側截面圖；圖2示出了用於對應於圖1的設置的多層叉指電容器的多個典型電極層的分解平面圖；圖3示出了具有如圖1和2所示的傳統電極層結構，進一步具有根據本主題更主要的具有用於施用此處公開的鍍覆接線端的暴露的接頭部分的典型多層叉指電容器的前平面圖；圖4示出了具有根據本主題的鍍覆接線端的如圖3所示的典型多層叉指電容器的前平面圖；圖5示出了根據本主題第一實施例的典型多層叉指電容器的側截面圖；圖6示出了根據本主題的用於圖5的多層叉指電容器實施例的多個典型電極層的分解平面圖；圖7示出了根據本主題的用於對應於圖5和6的實施例的多層叉指電容器的典型電極層結構的前平面圖；圖8示出了根據本主題的用於對應於圖5、6和7的實施例的多層叉指電容器的、具有施加的鍍層的典型電極層結構的前平面圖；圖9示出了根據本主題第二實施例的典型多層叉指電容器的側截面圖；圖10示出了根據本主題的用於圖9的多層叉指電容器實施例的多個典型電極層的分解平面圖；圖11示出了根據本主題的具有如圖9和10所示電極層結構的典型多層叉指電容器的後透視圖；圖12示出了根據本主題第三實施例的典型多層叉指電容器的側視圖；圖13示出了根據本主題的用於圖12的多層叉指電容器的多個典型電極層的分解平面圖；圖14示出了根據本主題的具有如圖12和13所示的電極層結構的多層叉指電容器的總前透視圖；圖15示出了根據本主題用於多層叉指電容器實施例的交替電極層和接頭結構的分解平面圖，其中通過如引出接頭所描述的所需形狀的漸進截面實現所需的露出接線端形狀；圖16示出了用於如圖15的電極層中所示的電極接頭的典型劃片進程的詳細平面圖，其產生了用於形成通常的圓形鍍覆層的引出接頭部分；圖17示出了根據圖16所示的典型劃片進程得到的多層電極接頭結構的詳細前平面圖，其具有被定位以形成通常的圓形暴露圖形的層疊的電極層；圖18說明了根據本主題具有分別示於圖15至17的電極層結構和漸進劃片的電極接頭的多層叉指電容器的總前透視圖；圖19說明了用於本主題實施例的多層接頭結構的分解平面圖，其中這些順序的層被設計按所示的順序彼此層疊，得到在公共通孔位置周圍的各個同心定位接頭；圖20說明了在相同的公共通孔位置周圍依次疊置的圖20的典型層的修改平面圖，其中使透視圖捲曲以便示出如果通過公共通孔位置向下看如何可以看到暴露的剖切接頭；以及圖21示出了與圖20的透視圖類似的修改平面圖，其中根據本鍍覆技術在暴露的剖切接頭中形成了連續的螺旋通路，以便產生電感電流通路。
在整個說明書和附圖中附圖標記的重複使用是要表示本發明的相同或者類似的部件或元件。
具體實施例方式
如前面所參考的，本發明主題總的來說涉及用於多層電子元件的改進的元件形成。更具體地說，本發明主題涉及對於如多層電容器或集成的無源元件的接線端和電感元件的形成以及互連技術中利用鍍覆技術。本主題技術利用暴露電極接頭的選擇性設置以便於鍍覆的電連接的形成。本主題涉及利用這種多層元件實施的裝置以及形成這種元件和其鍍覆的部件的對應方法。
本主題元件形成技術利用了如單片電容器陣列、包括那些具有叉指電極結構的那些多層電容器、集成無源元件和其它電子晶片結構的結構的暴露的電極部分。在這種單片元件中可以埋置其它的錨定接頭，以便提供層疊的多個暴露的內導電部分，可以為該暴露的內導電部分形成鍍覆的接線端或互連，並且將其沿器件的外表面牢固定位。
可以依照多個不同的單片元件利用本主題的鍍覆技術和暴露的接頭部件。圖3和4組合了利用本主題的鍍覆接線端技術的多層電容器設計(例如圖1和2所示)的已知方面，以便描繪本主題的更主要的方面。圖5至8分別表示了本技術的第一典型實施例，其以叉指電極層結構為特徵，其中改變寬度的電極接頭通常延伸到並暴露在多層元件的選定側面上。其後利用圖9至11示出了根據本主題的鍍覆接線端的這些和其它方面，其涉及在電容器的兩個選定的側面上具有暴露的導電部分的第二典型多層電容器實施例。圖12至14分別展示了所公開技術的第三例實施例的各個技術方案，其中，電極層結構具有暴露於器件的多個選定側面上的電極接頭。圖15至18分別描述了用於形成暴露接線端的交替部件，該暴露接線端具有分別在圖5至14中描述的變化的寬度。圖19至21描述了通過獨特的幾何手段結合本主題的鍍覆接線端技術形成電感螺旋(inductive spiral)。
應注意這裡列舉的每個典型實施例都不應暗含對所公開的技術的限制。作為一個實施例的一部分而說明或描述的部件可以與其它實施例組合以便得到更多的實施例。此外，一些部件可以與沒有提到的、執行相同、類似或等效功能的類似器件或部件互換。
現在參考附圖，圖2示出了具有各自的電極接頭14和16的電極層10和12的已知典型結構，該結構是用於多層叉指電容器或電容器陣列。電極層通常以層疊多層的形式設置在介電材料體18(例如圖1中的)中，接頭14和16由該多個層延伸，使得由交替電極層10和12延伸的電極接頭在各自的列中對準。圖2的舉例說明中描繪了具有對應接頭14和16的二十個這樣的電極層，但利用本技術的設置在某些情況下會包括更多或更少的電極層和各自的接頭數。該特徵為建立具有大範圍電容值的電容元件提供了可能性(通過選擇相對大的電極數量)。
圖2所列舉的電極層結構沒有表示完成的電容器實施例。實際上，圖2提供了典型的電容器和電容器陣列結構的中間狀態的參考。可以依照如圖1所示的典型的多層叉指電容器那樣地，採用圖2的電極層結構。
叉指電容器一般由如圖2所示的設置在介電材料體18中的多個電極層構成，這可以從圖1的典型叉指電容器(IDC)結構20中看出。電極層10和12設置在介電材料18中，使得電極接頭14和16延伸到並暴露於IDC實施例20的選定側面上。用於這種電極層的典型材料可以包括鉑、鎳、鈀-銀合金或其它適當的導電物質。介電材料18可以包括鈦酸鋇、氧化鋅、具有微火玻璃(low-fire glass)的氧化鋁或其它適當的陶瓷或結合玻璃(glass-bonded)材料。介電材料還可以是有機化合物，例如通常作為電路板材料的環氧樹脂(其中混有或未混有陶瓷，具有或不具有纖維玻璃)或其它作為介電材料而通用的塑料。在這些情況下，導體通常是銅箔，其通過化學蝕刻銅箔來提供圖案。
結合圖2的已知典型電極層結構的多層IDC元件20(如圖1所示)的特徵在於電極部分14和16暴露於IDC元件20的選定的側面上。在多層元件中可以採用其它典型的內電極結構，使得內電極部分暴露於器件側面的不同位置和/或暴露出不同的數量。
例如，考慮圖2的分解圖中所展示的典型內電極層結構。交替電極層10和12配置有均勻寬度的、向單一選定的方向延伸的電極接頭部分14和16。每組交替電極層的電極接頭14和16優選設置為層疊結構，以便例如來自電極層10的接頭14在各自的列中對準，而來自電極層12的接頭16在各自的列中對準，其中這種接頭優選延伸到並暴露在IDC 24的所單一選定的側面上。
再次參考圖1，IDC實施例20和其它單片電子元件的典型傳統接線端包括印刷和燒結的玻璃基體中的銀、銅或其它適當的金屬的厚膜帶22，在其上鍍覆鎳層以便改進浸出電阻，接著鍍覆錫或焊料合金層，該層防止鎳氧化並提供了容易焊接的接線端。
根據這種接線端類型的厚膜帶22一般還需要通過接線端機械和印刷輪或其它適當的部件印刷塗覆，以便輸送載有金屬的膏體。這種印刷硬體會具有解析度限制，使其難以應用厚膜帶，尤其是應用於較小的晶片上。對於IDC 20或其它電子元件來說，沿著兩個相對的側面組的現有典型尺寸是大約一百二十密耳(千分之一英寸)乘以六十密耳，從頂層到底層的厚度大約是三十密耳。當需要將多於四個的接線端應用於具有該尺寸的部件上，或者希望將接線端設置到具有更小尺寸的部件上時，專門的接線端機械的解析度水平經常制約塗覆有效的接線端帶。
前面描述了用於接線端帶22的所謂厚膜製備技術。更普通的方法包含我們下面描述的「薄膜」工藝。根據一個現有技術，該製備中的第一步驟是通過第一次拋光元件20的接觸表面實現的。此後，單片元件通常與許多其它部件一起安裝在專用夾具中，在它們的上面的精確位置放置「掩模」。通過掩膜蒸發或濺射鉻或類似的非焊料浸潤金屬或合金，以便實現接線端帶或島22，與厚膜形式類似。塗覆了接線端帶22之後，通過厚膜或者薄膜技術，單片元件被重新掩膜並放置在另外的蒸髮夾具中，將鉻、銅和金合金(Cr-Cu-Au)層蒸發到前面建立的鉻島上。該蒸發步驟之後進行另外的蒸發步驟，這次蒸發錫/鉛(Sn/Pb)合金。對於這一步來說可選擇的方法是已知的，例如預先電鍍合金或者物理放置焊料球到BLM接點30上。該最後的蒸發步驟之後，在升高的溫度下將單片元件放置到氫或其它還原氣氛中，以便回流錫/鉛層，以利於形成希望的焊料球40。然後檢測和測試根據該工藝製備的單片元件。遺憾的是測試工藝使軟焊料球40變形，使得必須進一步處理測試結果是「好」的元件，以便回流錫/鉛合金，再形成焊料球。應理解，該工序不僅浪費時間，而且進行起來非常昂貴。
本發明主題提供了一種接線端設置，消除或大大簡化了提供這種典型的厚膜接線端帶的設置。通過消除較少控制的厚膜帶，避免了對典型的接線端印刷硬體的需要。根據現有技術的接線端部件更集中在鎳、錫、銅等的鍍覆層上，該鍍覆層一般形成在厚膜接線端帶上。
考慮圖3所示的電容器陣列結構24。電容器陣列24以多個內電極和對應的電極接頭14』和16』(其暴露部分在圖3中由實線表示)為特徵，它們與圖1和2的電極接頭14和16類似，並且埋置在陶瓷材料體18』中。通過使電容器陣列24或其它具有類似的暴露的電極接頭的電子元件浸入化學鍍溶液，例如鎳或銅離子溶液，優選形成了根據本主題的鍍覆接線端26，如圖4所示。暴露於這種溶液能夠使鎳、銅、錫或其它金屬鍍層沉積在暴露的電極接頭14』和16』上。優選所沉積的鍍覆材料足以實現層疊的列中相鄰的電極接頭14』和16』之間的電連接。
在所公開技術的一些典型實施例中，接頭的列中相鄰的電極接頭之間的距離應不大於大約10微米，以便確保適當的和連續的鍍覆。因此，電極接頭相鄰的疊層列之間的距離應比此最小距離至少大到2倍，以便確保不同的接線端26不會跑到一起。在本技術的一些實施例中，暴露金屬的相鄰層疊列之間的距離大約是特定層疊中相鄰的暴露的電極接頭之間距離的四倍。通過控制暴露的內導體部分之間的距離，可以控制接線端的連通性，以便根據希望的接線端結構形成橋接或非橋接接線端。
這樣通過定位暴露的電極接頭14』和16』引導鍍覆的接線端26。因為由在多層元件或電容器陣列24上的選定周邊位置處的暴露的金屬化結構確定鍍覆接線端26的形成，因此以後稱這種現象為「自確定」。暴露的內電極接頭14』和16』還有助於將接線端26機械附著到電容器陣列24的周邊。對完全的鍍層覆蓋和金屬結合的進一步的保證通過在鍍覆溶液中包含抗還原添加劑(resistance-reducing additive)來實現。用於增強形成本主題鍍覆接線端的金屬沉積物的附著力的其它機理是在此後利用如烘焙、雷射照射、UV曝光、微波曝光、弧焊等技術加熱該元件。
對於一些元件鍍覆來說，可以充分形成圖4的鍍覆接線端26，但有時來自內電極接頭的暴露金屬化部分不足以形成本技術的自確定接線端。在這種情況下，提供在多層電容器的選定的部分內埋置的附加錨定接頭是有利的，有時是必要的。錨定接頭是短的導電接頭，一般不對元件提供電功能或內部導電性，但在機械上起成核(nucleate)的作用並確保了沿著單片器件周邊的附加鍍覆接線端。暴露的錨定接頭結合暴露的內電極部分可以提供充分暴露的金屬化部分，以便建立更有效和更均勻成型的自確定接線端。
有幾個不同的技術，潛在地可以用來形成鍍覆接線端，例如圖4的多層電容器實施例24上的接線端26。如前面所強調的，第一種方法對應於電鍍或電化學沉積，其中將具有暴露的導電部分的電子元件暴露於鍍覆液，例如以電偏置為特徵的電解鎳或電解錫。然後將元件自身偏置為與鍍覆溶液的極性相反的極性，鍍覆溶液中的導電元素被吸引到元件的暴露金屬化部分上。這種沒有極性偏置的鍍覆技術稱為電解鍍覆，並且可以與化學鍍溶液例如鎳或銅離子溶液結合使用。
根據電化學沉積和化學鍍覆技術，例如圖4的IDC 24的元件優選浸沒在適當的鍍覆溶液中一定的時間。在本主題的一些實施例中，需要不長於15分鐘的時間，就可以使足夠的鍍覆材料沿著元件沉積在暴露的導電位置，使得累積物足以在垂直方向上將鍍覆材料散布到暴露的導電位置，並且在選定的相鄰暴露導電部分之中建立連接。
根據本主題的鍍覆接線端的形成可以採用的另一種包含鍍覆材料的磁性吸引技術。例如，通過利用鎳的磁性，可以將懸浮在電解溶液中的鎳粒子吸引到多層元件的同樣的導電暴露電極接頭和錨定接頭上。具有同樣磁性能的其它材料也可以在鍍覆接線端的形成中採用。
關於將鍍覆接線端材料施用到多層元件的暴露的電極接頭和錨定接頭的又一種技術包括電泳和靜電學的原理。根據此典型技術，電解溶液包含帶靜電的粒子。然後可以用相反的電荷使具有暴露的導電部分的IDC或其它多層元件偏置，施用電解溶液，使得帶電的粒子沉積在元件上的選定的位置上。該技術在鍍覆玻璃和其它半導電或非導電材料時尤其有用。一旦沉積了這種材料，此後就可以通過對元件充分加熱的中間過程將沉積的材料轉換為導電材料。
根據本技術用於形成鍍覆接線端的一種特殊的方法涉及上面所參考的各種鍍覆技術的組合。可以首先將多層元件浸入化學鍍溶液中，例如銅離子溶液，以便在暴露的接頭部分上沉積銅的初始層，並且提供較大的接觸面積。然後可以將鍍覆技術轉到電化學鍍覆體系，其有利於在該元件的選擇部分上快速累積銅。
根據可利用的將鍍覆材料鍍覆到根據本工藝的多層元件的暴露的金屬化上的不同技術，可以使用不同類型的材料來建立鍍覆接線端並形成與電子元件的內部部件的電連接。例如，可以利用金屬導體例如鎳、銅、錫等，以及適當的電阻性導體或半導電材料，和/或從這些不同類型的材料中選擇的材料的組合。
再一種可選擇的鍍覆方案對應於形成金屬鍍層，然後在這種金屬鍍層上電鍍電阻性合金。可以單獨或組合提供鍍層，以便提供各種不同的鍍覆接線端結構。這種鍍覆接線端的基本原理是通過設計和暴露的導電部分沿著元件周邊的定位來設置自確定鍍覆。
可以在各種不同的結構中提供內電極部分和錨定接頭的這種特別取向，以便於根據本主題的鍍覆接線端的形成。下面介紹本技術的更具體的典型實施例，以便為這種結構的例示提供更詳細的說明。
具體參考圖5至8，圖5至8分別示出了本主題的第一實施例。通過分別比較圖5至6和圖1至2可以很容易看出現有技術和本技術的第一實施例之間的區別。更具體地說，通過其缺少圖1所示的厚或薄膜接線端22來辨別圖5所示的本技術的第一典型實施例100。本技術允許省略接線端帶22部分因為電極接頭114和116的變形結構。
參考圖5、6和7，單片叉指電容器(IDC)100的電極110和112以交替序列的方式層疊，並且構成有向電容器的選定的側面延伸的接頭114和116。接頭114和116長度和寬度都變化。從圖5和6能夠更清楚地看出，來自選定的最上和最下層110和112的接頭114和116比更中間的層的接頭稍短，因此不像更中間的接頭那樣暴露在絕緣材料128的表面處。此外，從圖6和7可以更清楚地看出，製作寬度改變的接頭114和116，使得最中間電極層上的接頭的暴露端面形成各自的圓形圖形，從圖7可以最清楚地看出。
繼續參考圖6和7，圖6和7示出了附加的接頭118和120。這些接頭類似於前面提到的錨定接頭，它們一般與有源電極接頭114和116電絕緣，基本上對IDC沒有貢獻電功能。這些錨定接頭可以按與有源電極接頭類似的方式改變寬度，並且與有源電極接頭一起起作為鍍覆層部分130(圖8的)的錨定點的作用，以及在實際的鍍覆過程中起用於鍍覆層部分的附加成核點的作用。暴露的錨定接頭結合暴露的有源電極部分可以提供充分暴露的金屬化部分，以便建立更有效的自確定鍍覆層130。通過改變有源和錨定接頭寬度而進行自確定圓形鍍層的結果是，以十分容易和便宜的方式直接提供了球限冶金(ball limiting metallurgy)。
再參考圖5和7，如前面提到的，附著於電極110和112的電極接頭114和116部分比其它電極接頭短。這些較短的接頭沒有達到IDC 100的表面，如圖7的虛線122和124所示。為了將與這些較短的接頭相關的電極電連接到IDC 100的其它電極上，提供至少一個內部通孔146。通過在BLM130的選定的部分上提供焊料球140就可以完成IDC 100了。應理解，雖然在圖5中只畫出了一個內部通孔146和一個焊料球140，但在IDC 100上可以優選利用多個這樣的通孔(例如電極接頭114或116的每一列設置一個)和焊料球。
加到鍍覆的BLM部分130上的焊料球140會呈現出與用於將完成的IDC連接到其它部件上的BGA安裝技術相容的部分，所述其它部件包括印刷線路板或其它基板環境。焊料球140可以通過首先將鉛合金蒸發到鍍覆層130上形成，其起到球限冶金的作用。上面已經描述了用於實現該項的可供選擇的方法，包含將焊料合金電鍍到BLM接觸上，或者在其上物理放置焊料。將鉛合金蒸發到鍍層上之後，在氫、還原或中性氣氛中加熱IDC，以便在不氧化的情況下使鉛合金回流。由於熔融材料的表面張力，鉛合金焊料的回流使焊料形成球形。
現在將參考圖9至11描述本主題的第二實施例。參考圖9和10，可以看出本主題的該可選的設置和圖5至8的第一實施例之間的主要差別。具體地說，該第二實施例提供了向IDC 200的兩個相對側面延伸的電極接頭。如圖9和10所示，電極接頭214和216基本上類似於圖5至8所示的IDC實施例100的電極接頭114和116。此外，錨定接頭218和220基本上類似於圖5至8所示的IDC實施例100的錨定接頭118和120。然而，該實施例的特別之處在於電極接頭219和221，它們沿與電極接頭218和220相反的方向上延伸，並且長到可以達到圖11所示的IDC的後面。為了方便，其上附著焊料球240的IDC表面用「前」表面表示，而與前側表面相對的表面用「背」表面表示。採用這種對方向的具體參考僅為了方便，不應構成對本技術的限制。
提供電極接頭219和221的各列以產生多個給定極性的暴露部分中的至少一個和多個相反極性的暴露部分中的至少一個。接頭219和221的暴露部分的每個列可以與圖9所示短接層250電連接在一起。可以通過這裡所述的化學鍍工藝製備這種短接層，或者可以利用常規的厚膜技術將它們形成為帶狀。在任何情況下，這些層250一般是類似於圖4所示的鍍層26的柱，並且執行與本技術的第一實施例的內部通孔146類似的功能。儘管未示出，應理解在層250的形成中也可以採用在本技術鍍層上的錨定接頭。本技術的第二實施例也以球限冶金230和焊料球240為特徵，其分別類似於圖5至8所示的第一實施例的相應部件130和140。
現在參考圖12至14說明本技術的第三實施例。圖12至14的實施例具有前面實施例的許多選定的部件的特徵，而主要區別在於電極接頭和錨定接頭的形成和方向，包括其暴露部分在IDC 300周邊上的位置。在第二具體實施例中，電極接頭219和221延伸到IDC 200的背面，並通過鍍層部分250在那裡互連。在第三實施例300中，從圖13可以看出，起等效作用的電極接頭319和321通常分別按與電極接頭314和316的方向成直角構成，並且向IDC 300的多個選擇的側面延伸而設置。電極接頭319和321具有暴露到IDC 300的相對側表面的長度。如投影圖14所示，接頭321暴露在第一選定側面上，而接頭319到達IDC 300的相對側的表面(未示出)。在類似於前面實施例的方式下，這些電極接頭319和321分別通過位於IDC300相對側面上的分離鍍層350電連接在一起。圖12的側視圖中示出了一個這樣的鍍層350。儘管未示出，應理解用在本技術的鍍層上的錨定接頭也可以在層350的形成中採用。IDC實施例300的前表面也以鍍層330和焊料球340為特徵，類似於其它具體的IDC實施例的相應部件。
根據圖5至14所討論的每個前述實施例採用了具有變化寬度的電極接頭，以便形成希望形狀(例如圓餅狀圖形)的暴露的接頭圖案。在形成這種多層器件時，本領域技術人員應理解希望保持每個內層的緊密重合或對準。在任何方向如果形成的內部電極具有錯誤的寬度或者誤對準太大的距離，會影響暴露接頭和鍍到其上的材料的相應部分的需要位置。在某些情況下，會影響器件的各種機械和電特性的參數變化。在極端的情況下，誤對準電極會導致相鄰接線端之間不希望的短路。
根據鍍覆接線端形成的一些實施例的潛在關係，圖15至18分別示出了根據本主題使用的可選典型電極層和相應接頭結構的技術方案。應理解可以選擇性地採用這種可選擇的形成方式，與本主題的前面描述的任何一個實施例相結合，以便得到進一步的實施例。圖15示出了以依次層疊關係結合在介電材料體內的多個典型電極層的分解平面圖(具有X和Y方向的二維參考系)。電極410與電極412相交替，以提供具有希望電容值的多層結構，這種電極410和412的數量可以變化，以此滿足這種希望的標準。電極接頭414從各個電極410的選定部分延伸，而電極接頭416從各個電極412的選定部分延伸，並且一般引出一種電容結構以便提供與各個電極的電連接。最初優選為每個電極接頭414和416提供相同的形狀，通常每個都具有半圓端部。還為選定的電極層提供各自的錨定接頭418和420，所述選定的電極層具有與電極接頭的端部相匹配。在某些方面，圖15的電極層和接頭結構設置比圖6、10和13的結構更簡單，因為所有的電極接頭和錨定接頭形成有相同的通用形狀。
仍然參考圖15，根據坐標定位電極層和相應的接頭結構，以便在「X」和「Y」方向都對準。然後可以在「Z」方向(垂直於圖)依次層疊這些層。然而，如果接頭的端部成型為半圓形，並且允許其在「X」方向稍微偏移，那麼接著的劃片或切割將出現半圓形的不同部分，結果是暴露的接頭具有各自不同的寬度。圖16更具體地示出了上述情況，圖16示出了典型接頭416及其不同的典型切割位置的詳圖。儘管參考接頭416討論，但應理解類似的切割位置也適用於選定的電極接頭414和錨定接頭418和420。
參考圖16和17，第一電極位置A沒有切割到接頭416或者沒有與接頭416相交，因此在器件的外側上將看不到接頭的任何部分。圖17也示出了這種情況，圖17示出了所有的接頭切割而得到的輪廓。在位置A，沒有暴露部分。在圖16中，如果以等於其上放置每個電極的襯底厚度的增量移動圖形，那麼在位置B將以最微的量切割接頭，將看到短的暴露部分，如圖17所示。這樣，當我們在「X」方向逐漸移動圖案時，每次增加襯底的厚度，我們將繪出通過位置F的半圓形形狀。那麼如果我們掉轉方向，我們將得到圓的另一半，其切口分別在位置E、D、C和B。切口A將再次使接頭的端部隱藏在內部。當希望多個這樣的圖案時，可希望為許多層保持該位置，以便分離圓形圖案。
圖18示出了得到的多層器件400的總前透視圖，其利用了圖15的典型電極層結構，具有圖16和17所示的變化的電極定位。將來自漸進切口的橫切接頭414看作一個極性，416為另一個極性。從圖18還看出已經由圓形圖案418和420形成的錨定接頭。暴露接頭部分的最後定位有利於其上的鍍覆的材料的圓形部分的沉積。應理解，與參考圖15至18所描述的技術類似，通過提供具有變化寬度的接頭或者通過改變三角形接頭的位置，還可以根據本主題形成其它的形式，例如三角形鍍覆部分。
在圖15至18的典型實施例中，內部電極設置有側面接頭419和421，可以將附加的側面接線端鍍覆其上以在相對的內部電極中提供各自的連接。這類似於圖12至14的側面接頭，但是以稍微斜對準為特徵，如圖18中的部分423所示，電極圖案在「X」方向已經偏移。儘管圖15至18的典型實施例示出了連接的側接線端，應理解根據該典型實施例也可以採用其它的連接結構，例如圖5的內部通孔或圖9的背面接線端。
應理解，圖3至18分別示出的多層叉指電容器實施例僅作為所公開技術的例子，包含其中間方案。在大多數例子中，示出了四個或更多個通用電極列，但根據需要的元件結構，也可以具有更少的或更多的電極列數。根據所公開的技術，沿著任何選定元件側的任何選定部分都可以形成鍍覆接線端。這種鍍覆接線端可以包含鍍覆的導電材料、電阻性材料或半導電材料的單層，或者包含從這些材料中選定的材料的多層組合。
上面討論的例示實施例已經利用本鍍覆技術形成了接線端部件。對於其它可用的電子器件目標來說，可以使用相同的技術，這可以在下面的例子中看到。圖19至21描述了可以利用所公開的鍍覆工藝形成的螺旋形電感器的結構。圖19展示了可以層疊並相對於假想圓562對準定位的例示層的分解平面圖。每個層的一部分都由介質材料560構成，並且可以進一步包含印刷的接頭564a至564h(此後統一稱為564)，使其與假想圓562相交。此後，在假想圓位置鑽孔，以便形成穿過多層元件的實際的圓柱形孔。
以參考箭頭555表示的方向為基準，在假想圓562周圍的不同位置示出圖19中的多個接頭。第一層(圖19所示的最底層)包含通常在與參考箭頭555相同的方向上定位的接頭部分564a』。第二層包含由參考方向555順時針轉大約45度定位的接頭部分564b。後面的每個圖案層都由前面的層的接頭方向順時針將接頭部件564旋轉額外的45度，最後完成全部的旋轉，產生在參考方向555定位的另一接頭564a的層。層疊這些層之後，用沒有接頭部件的空白覆蓋層層疊。然後可以在假想的圓內鑽孔以便在通用的圓柱形孔內暴露每個接頭部分。
圖20提供了在圖19的層以相同的假想圓對準並且按順序依次層疊之後，這種多層結構的斜透視圖。為了說明的方便變形了透視圖，以便示出當通過鑽孔向下看時如何能夠看到剖切的接頭。暴露每個接頭564以便示出從孔562的頂部580到孔562的底部582向下的螺旋軌跡。柱狀孔通常在疊層體的整個通路上都具有相同的直徑。燒結該部件之後，可以將孔的內部暴露於化學鍍銅，如前面所述，接頭將連接到連續的通路中，如圖21中的584所示。應理解，也可以使用這裡公開的其它鍍覆溶液和技術，以形成鍍覆的螺旋584。
關於圖19至21的例示實施例，應認識到，儘管為了簡化附圖我們示出了作為隔離開的帶的接頭564，一般還需要提供用於將得到的電感器與電路的其它部分連接的各個端部接頭564a的電接觸，以及該部分被設計為使得化學鍍銅不橋接的用於鍍覆的其它接頭564b至564h的臨時連接的電接觸。
應進一步理解，可以使圖19至21所示的例示結構進行許多變化。例如，我們已經示出了結合的八個接頭部分以便形成單圈螺旋。也可以僅用兩個接頭圖案製作單圈螺旋。此外，通常希望產生最大的電感，這樣需要多圈螺旋。這種情況可以利用所公開的技術通過減少每次旋轉的接頭部分的數量或者增加層數或者兩者兼具而很容易地實現。實際上，由於化學鍍技術具有解析度的限制，因此當用大約10微米厚的材料製作時，四個接頭部分大約是最小的數目。這樣允許在10微米上發生橋接，但在每個相鄰的螺旋圈之間以40微米間隔隔離自身。
與電感元件形成相關的所公開的鍍覆技術的相關優點是，在螺旋通路上可以鍍覆附加的銅(或銀或其它良導體)，以便增加「Q」因子，它是電感性能的一個測量參數。甚至可以將磁性栓塞放到孔562中，以便進一步增加電感。
雖然已經根據具體實施例詳細描述了本主題，但應理解在得到前面的理解後，本領域技術人員很容易將本技術應用到與這些實施例等效的變形中。因此，本說明書的範圍僅作為例子而不是限制，對於本領域技術人員來說顯而易見的是，本公開不排除包含對本主題的這些修改例、變形和/或添加。
權利要求
1.一種多層電子元件，包括多個絕緣襯底，每個都具有上和下表面，所述多個絕緣襯底由邊緣橫向定界；插在所述多個絕緣襯底之間的多個電極，所述多個電極的特徵在於，其具有各自變化寬度，並且沿著所述多個絕緣襯底的至少一個邊緣暴露的接頭部分；以及至少一層鍍覆的接線端材料，連接選定的所述接頭部分。
2.如權利要求1所述的多層電子元件，其中所述至少一層鍍覆的接線端材料形成為普通的圓餅狀結構。
3.如權利要求1所述的多層電子元件，還包括散布於所述多個絕緣襯底中的多個電絕緣的錨定接頭，所述錨定接頭的特徵在於，其具有各自變化的寬度的部分暴露在所述多個絕緣襯底的至少一個邊緣處。
4.如權利要求3所述的多層電子元件，其中所述至少一層鍍覆的接線端材料連接選定的所述多個電極的選定的所述暴露接頭部分與所述多個電絕緣的錨定接頭的選定的暴露部分。
5.如權利要求3所述的多層電子元件，其中在所述多個絕緣襯底的選定的邊緣處，所述選定的電極的選定的所述暴露接頭部分和選定的所述多個電絕緣的錨定接頭沿著列對準。
6.如權利要求3所述的多層電子元件，其中所述至少一層鍍覆的接線端材料包括金屬導電材料，而電極接頭的暴露部分構造為引導所述至少一層鍍覆的接線端材料的形成，從而直接提供球限冶金。
7.如權利要求1所述的多層電子元件，其中所述電極的暴露接頭部分和所述錨定接頭的暴露部分彼此隔開，使得所述接頭作為至少一層鍍覆接線端材料的形成核和引導點。
8.如權利要求1所述的多層電子元件，其中所述至少一層鍍覆的接線端材料包括金屬導電材料、電阻材料或半導電材料。
9.如權利要求1所述的多層電子元件，其中所述至少一層鍍覆的接線端材料包括多個電學性質不同的材料層。
10.如權利要求9所述的多層電子元件，其中所述多個電學性質不同的材料層至少包括夾在導電材料層之間的電阻材料層。
11.一種多層電子元件，包括多個介電層，所述多個介電層的每一個都由邊緣橫向定界；插在所述多個介電層之間的多個電極層，所述多個電極層的選定的一些具有暴露在所述多個介電層的選定的邊緣處的各自變化寬度的接頭部分；多個電絕緣的錨定接頭，具有各自變化的寬度，散布於且暴露在選定的所述多個介電層的選定的邊緣處；以及至少一個接線端層，連接選定的所述多個電絕緣錨定接頭的暴露部分和選定的所述多個電極層的暴露接頭部分。
12.如權利要求11所述的多層電子元件，進一步包括多個接線端層，其中選定的所述多個接線端層連接選定的所述多個電極的選定的所述暴露的變化寬度的接頭部分和選定的所述多個電絕緣的變化寬度的錨定接頭。
13.如權利要求12所述的多層電子元件，其中在所述多個介電層的選定的邊緣處，所述選定的所述電極層的選定的所述暴露的變化寬度的接頭部分與選定的所述多個電絕緣的變化寬度的錨定接頭按列對準。
14.如權利要求11所述的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層形成為普通的圓餅狀結構。
15.如權利要求11所示的多層電子元件，其中暴露的變化寬度的接頭部分和暴露的變化寬度的錨定接頭彼此隔開，使得這種接頭作為至少一個接線端層的形成核和引導點。
16.如權利要求15所示的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層包括金屬導電材料、電阻材料或半導電材料。
17.如權利要求15所述的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層包括金屬導電材料，而電極接頭的暴露部分構造為引導至少一個接線端層的形成，從而直接提供球限冶金。
18.如權利要求15所述的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層包括多個電學性質不同的材料層。
19.如權利要求18所述的多層電子元件，其中所述多個電學性質不同的材料層至少包括夾在導電材料層之間的電阻材料層。
20.一種多層電子元件，包括多個介電層；螺旋地對準並散布於所述多個介電層中的多個導電接頭；以及連接所述多個接頭的接線端材料層。
21.如權利要求20所述的多層電子元件，其中所述接線端材料層包括金屬導電材料。
22.一種製造多層電子元件的方法，包括步驟提供多個介電層；提供螺旋地對準並散布於所述多個介電層中的多個導電接頭；以及在所述導電接頭上鍍敷接線端材料層，從而將所述多個接頭連接在一起。
23.如權利要求22所述的方法，其中提供多個導電接頭的步驟包括在選定的介電層的選定的表面上的選定的位置處印刷單個導電材料層。
24.如權利要求22所述的方法，還包括步驟在鍍覆步驟之前，通過打開穿過多個介電層的通孔露出多個導電接頭的部分。
25.如權利要求22所述的方法，其中所述鍍覆步驟包括將所述導電接頭暴露到化學鍍銅溶液中。
26.一種在多層電子元件中引導鍍覆材料形成的方法，包括步驟在多個介電材料層中的選定的位置處埋入多個導電接頭；以及將多個導電接頭暴露於鍍覆溶液中，從而埋入的導電接頭形成為鍍覆溶液內鍍覆材料的成核點，並且沿著暴露的多個導電接頭引導鍍覆材料的沉積方向。
27.如權利要求26的方法，其中改變暴露的導電接頭的表面積和位置，從而控制鍍覆材料的表面積和幾何形狀。
28.如權利要求27的方法，其中改變暴露的導電接頭的表面積和位置，以便將鍍覆材料的表面區域形成為普通的平面圓餅形狀。
29.如權利要求28所述的方法，其中將鍍覆材料的普通圓餅形式構造為球限冶金。
30.如權利要求27的方法，其中改變暴露的導電接頭的表面積和位置，以便將鍍覆材料的表面區域形成為普通的線性螺旋形狀。
31.如權利要求30的方法，其中普通的線性螺旋形式構造為電感元件。
32.一種多層電子元件的製造方法，包括步驟提供多個絕緣襯底，每個都具有上和下表面，所述襯底每個都由邊緣橫向定界；在選定的所述多個絕緣襯底之間插入多個電極；沿著所述多個襯底的至少一個邊緣暴露所述電極的變化寬度部分；以及在所述電極的暴露部分上鍍覆至少一個接線端材料層。
33.如權利要求32所述的方法，還包括步驟繼續該鍍覆工序直到所述電極的暴露部分連接起來。
34.如權利要求32所述的方法，其中利用化學鍍覆工藝繼以電化學工藝來進行鍍覆步驟。
35.如權利要求32所述的方法，其中利用化學鍍覆工藝進行鍍覆步驟。
36.如權利要求35所述的方法，其中化學鍍覆工藝包括將多層電子元件浸沒在化學鍍銅溶液中，以便形成銅接線端層。
37.如權利要求36所述的方法，還包括用電阻層覆蓋銅接線端層的步驟。
38.如權利要求37所述的方法，還包括用導電層鍍覆電阻層的步驟。
39.如權利要求32所述的方法，其中暴露的步驟包括提供具有不均勻截面的接頭部分的電極；在所述介電層之中的橫向移位的位置處設置電極；以及劈開插入電極和介電層的邊緣，從而暴露電極的接頭部分的變化寬度部分。
40.如權利要求39所述的方法，其中所述提供的步驟包括提供具有圓形接頭部分的電極。
41.一種多層電子元件，包括多個層疊的介電層；定位在所述多個層疊介電層上的選定位置處的多個導電接頭；以及連接選定的所述多個導電接頭的至少一個接線端材料層。
42.如權利要求41所述的多層電子元件，其中所述多個導電接頭定位在所述多個介電層的選定的邊緣處。
43.如權利要求42所述的多層電子元件，其中所述多個導電接頭按列對準。
44.如權利要求42所述的多層電子元件，其中改變多個導電接頭的寬度以形成預定的幾何圖案。
45.如權利要求44所述的多層電子元件，其中所述預定的幾何圖案是從由普通的圓餅狀結構、普通的三角形結構和普通的矩形圖案構成的組中選出的圖案。
46.如權利要求44所述的多層電子元件，其中幾何圖案是普通的圓形，並且連接選定的導電接頭的接線端材料形成用於多層元件的球限冶金。
47.如權利要求42所述的多層電子元件，其中所述多個導電接頭定位在穿過所述多個介電層的中心位置的圓柱形通孔周圍的選定角度的位置處。
48.如權利要求47所述的多層電子元件，其中連接選定的導電接頭的接線端材料是金屬材料，並且在所述圓柱形通孔內形成螺旋電感器。
49.如權利要求41所述的多層電子元件，其中所述多個導電接頭定位在所述多個介電層的選定的中心位置處。
全文摘要
本發明公開了一種鍍覆技術，用於形成多層電子元件的改進的接線端、互連技術和電感元件部件。單片元件設置有鍍覆的接線端，消除或簡化了對厚膜接線端帶的需要。此技術消除了許多接線端問題，並且能夠形成數量大間距小的接線端。通過暴露的變化寬度的內部電極接頭和附加的錨定接頭部分引導和錨定本鍍覆接線端。這種錨定接頭可以相對於晶片結構在內部或在外部定位，成為金屬化鍍覆材料的形成核。最後這種鍍覆材料可以形成普通的球限冶金(BLM)的圓形部分，在其上可以回流焊料球。本技術可用於多種單片多層元件，包括叉指電容器、多層電容器陣列和集成無源元件。在本元件的形成中可以採用各種不同的鍍覆技術和材料。
文檔編號H01G2/06GK1474421SQ0314076
公開日2004年2月11日 申請日期2003年4月15日 優先權日2002年4月15日
發明者約翰·L·高爾瓦格尼, 羅伯特·海斯坦第二, 安德魯·裡特, 賈森·麥克尼爾, 斯裡拉姆·達他古魯, 海斯坦第二, 裡特, 姆 達他古魯, 約翰 L 高爾瓦格尼, 麥克尼爾 申請人:阿維科斯公司