電晶體篩選儀校準裝置的製作方法
2023-07-08 09:21:16 2
專利名稱：電晶體篩選儀校準裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及儀器校準領域，特別是涉及一種電晶體篩選儀校準裝置。
背景技術：
隨著電子技術的發展，電晶體在電路中的應用十分廣泛。在使用電晶體時通常要知道電晶體是否可用以及電晶體的各種特徵參數，所以使用前一般會使用電晶體篩選儀對電晶體進行篩選。電晶體篩選儀使用時，要保證其本身的測試精度的準確性，所以一般在電晶體篩選儀使用一段時間後需要對其進行校準。因電晶體篩選儀是非標準儀器，法定的計量機構目前無法檢定或校準，一般使用一定數量幾種不同類型的標準電晶體作為標準對電晶體篩選儀手工進行測量和記錄。對電晶體篩選儀進行手工校準比較耗時間，效率低，平均每個測量參數測試時間在I分鐘以上；手工進行校準的測量精度較低，由於是人工進行測量，多人進行測量時的個體差異較大，重複性差。
發明內容
基於此，有必要針對手工進行校準時好事、效率低、個體差異大等問題，提供一種效率高、速度快且精度高的電晶體篩選儀校準裝置。一種電晶體篩選儀校準裝置，用於對電晶體篩選儀進行校準，包括標準電晶體載體，連接有第一數量不同規格的標準電晶體，且具有一一對應每一個標準電晶體的基極和發射極的觸點；第一選擇開關，包括通過總線與所述基極觸點連接的基極開關選擇組及對應的基極選擇鍵，和通過總線與所述發射極觸點連接的發射極開關選擇組及對應的發射極選擇鍵；三個接線柱，分別為與所述基極選擇鍵連接的基極接線柱、與所述發射極選擇鍵連接的發射極接線柱以及與所有標準電晶體的集電極連接的集電極接線柱；所述基極接線柱、發射極接線柱以及集電極接線柱用於分別連接所述電晶體校準儀的三個檢測探針。在其中一個實施例中，所述基極開關選擇組包括第一數量基極選擇級，每個基極選擇級分別對應所述第一數量不同規格的標準電晶體的基極觸點； 所述發射極開關選擇組包括第一數量發射極選擇級，每個發射極選擇級分別對應所述第一數量不同規格的標準電晶體的發射極觸點。在其中一個實施例中，所述基極開關選擇組與所述發射極開關選擇組同級選擇，所述基極選擇鍵接通所述一種規格的標準電晶體的基極引腳時，所述發射極選擇鍵接通相應標準電晶體的發射極引腳。在其中一個實施例中，所述第一數量為6-10。在其中一個實施例中，包括第二數量的標準電晶體載體，每個標準電晶體載體連接第一數量的同種型號的標準電晶體。在其中一個實施例中，還包括第二選擇開關，所述第二選擇開關用於選擇一種型號的標準電晶體，在所述第二選擇開關選擇所述一種型號的標準電晶體後，所述第一選擇開關選擇所述型號的標準電晶體中的一個標準電晶體。在其中一個實施例中，所述第二選擇開關包括基極選組單元和發射極選組單元；所述基極選擇單元包括第二數量的基極選組觸點和基極選組鍵，所述基極選組鍵連接所述基極接線柱，每個基極選組觸點通過第一選擇開關的基極選擇鍵連接每個標準電晶體載體連接的標準電晶體的基極觸點；所述發射極選擇單元包括第二數量的發射極選組觸點和發射極選組鍵，所述發射極選組鍵連接所述發射極接線柱，每個發射極選組觸點通過第一選擇開關的發射極選擇鍵連接每個標準電晶體載體連接的標準電晶體的基極觸點。在其中一個實施例中，對應同一型號標準電晶體的基極選擇單元和發射極選擇單元同級選擇，所述基極選組鍵連接對應一種型號標準電晶體的基極選組觸點時，所述發射極選組鍵選擇連接對應同種型號標準電晶體的發射極選組觸點。在其中一個實施例中，所述第二數量為3-5。上述電晶體篩選儀校準裝置，通過標準電晶體載體將進行電晶體篩選儀校準的標準電晶體進行封裝，在測試時，通過第一選擇開關選擇不同的標準電晶體進行校準。通過使用該電晶體篩選儀校準裝置進行校準避免了手工進行校準時測試速度慢、效率低且人工測量會有個體差異導致測量數據誤差的問題，加快測量速度、提高測量效率且測量精度高重複性好。
圖1為本發明一實施例電晶體篩選儀校準裝置示意圖；圖2為本發明另一實施例電晶體篩選儀校準裝置示意圖。
具體實施例方式一種電晶體篩選儀校準裝置，用於對電晶體篩選儀進行校準，通過將進行校準的幾種不同型號的標準電晶體進行分類封裝，並使用第二選擇開關進行不同型號的選擇，再通過第一選擇開關在一定數量同型號標準電晶體中選擇一個標準電晶體進行校準。通過分型號和分個體選擇開關選擇不同的標準電晶體對電晶體篩選儀進行校準，避免了通過手工測量會產生測量誤差的問題，使校準效率高、精度高並且可重複性好。下面通過附圖和實施例對本發明進行進一步詳細說明。圖1為本發明一實施例電晶體篩選儀校準裝置示意圖。—種電晶體篩選儀校準裝置，包括標準電晶體載體110、第一選擇開關120和接線柱130。標準電晶體載體110連接有第一數量不同規格的標準電晶體，且具有一一對應每一個標準電晶體的基極和發射極的觸點，第一選擇開關120包括通過總線與基極觸點連接的基極開關選擇組122及對應的基極選擇鍵123，和通過總線與發射極觸點連接的發射極開關選擇組124及對應的發射極選擇鍵125。接線柱130包括與基極選擇鍵123連接的基極接線柱132、與發射極選擇鍵125連接的發射極接線柱134以及與所有標準電晶體的集電極連接的集電極接線柱136。基極接線柱132、發射極接線柱134以及集電極接線柱136分別連接電晶體校準儀的三個檢測探針(圖未示)。上述電晶體篩選儀校準裝置通過標準電晶體載體將進行電晶體篩選儀校準的標準電晶體進行封裝，在測試時，電晶體校準儀的三個檢測探針分別接入基極接線柱132、發射極接線柱134以及集電極接線柱136，通過第一選擇開關120分別選擇不同型號的標準電晶體進行校準。通過使用該電晶體篩選儀校準裝置進行校準，完全機器化的測量，避免了手工進行校準時測試速度慢、效率低且人工測量會有個體差異導致測量數據誤差的問題，力口快測量速度、提高測量效率且測量精度高且重複性好。通過標準電晶體載體110將進行校準所需的標準電晶體集中封裝，以便於第一開關120進行選擇。電晶體篩選即測量不同電晶體的不同參數，一般在使用電晶體之前需要對其參數進行測試，保證電晶體能夠有效使用，減少因電晶體損壞或者型號不適產生的不必要的工序。一般的電晶體篩選儀能夠測試多種型號的電晶體參數，所以在對電晶體篩選儀進行校準時，需要使用多種不同型號的標準電晶體進行校準。上述第一數量可為6-10，即將6-10種不同型號的標準電晶體連接在標準電晶體載體110上，測試時，分別選擇其中的一種進行校準。圖1所示，上述基極開關選擇組122包括第一數量的基極選擇級(1-n)，每個基極選擇級分別對應第一數量不同規格的標準電晶體的基極觸點。如圖1所示，基極選擇級I對應連接I號標準電晶體的基極觸點。同樣的，發射極開關選擇組124包括第一數量發射極選擇級(1-n)，每個發射極選擇級分別對應每個標準電晶體的發射極觸點。如圖1所示，發射極選擇級I對應連接I號標準電晶體的發射極觸點。上述電晶體篩選儀校準裝置，在測試時，基極開關選擇組122與發射極開關選擇組124同級選擇，即基極選擇鍵123接通其中一個標準電晶體的基極引腳時，發射極選擇鍵125接通相應標準電晶體的發射極引腳。基極開關選擇組122與發射極開關選擇組124同級選擇，在測試時，通過一次選擇即可選擇一個標準電晶體進行校準。具體的，上述基極開關選擇組122與發射極開關選擇組124可通過設置在同一旋轉軸上，二者同軸轉動，以達到轉動一次即可選擇相應的基極觸點和發射極觸點。校準時，將電晶體篩選儀的三根探針分別連接基極接線柱132、發射極接線柱134以及集電極接線柱136，通過基極選擇鍵123和發射極選擇鍵125選擇一種型號的標準電晶體測試其參數，通過比較測試參數是否符合標準以判斷電晶體篩選儀是否標準。在測試完一種型號的標準電晶體後，通過再次選擇基極選擇鍵123和發射極選擇鍵125以選擇另一種型號的標準電晶體進行測試。進一步的，上述電晶體篩選儀校準裝置包括第二數量的標準電晶體載體，每個標準電晶體載體分別連接第一數量的同種型號的標準電晶體且不同標準電晶體載體連接不同型號的標準電晶體。上述校準時每種型號的標準電晶體只測試一次，難免會產生誤差使測試數據不準確，通過對同一型號的多個標準電晶體進行測量能避免上述一種型號只測試一隻標準電晶體會造成測量誤差使校準不準確的問題，提高校準精度。一般進行多次測量取有效值時，選取6-10個測試體即可，所以上述每種型號的標準電晶體可為6-10個。如圖2所示，對應第二數量的標準電晶體載體，上述電晶體篩選儀校準裝置還包括第二選擇開關140。在第一選擇開關選擇一種型號的標準電晶體後，第二選擇開關140選擇上述型號的標準電晶體中的一個標準電晶體進行校準。第二選擇開關140包括基極選組單元142、發射極選組單元144。基極選組單元142和發射極選組單元144配合用於選擇一種型號的標準電晶體。基極選組單元142包括第二數量的基極選組觸點(圖未標)和基極選組鍵143,基極選組鍵143連接基極接線柱132，每個基極選組觸點通過第一選擇開關120的基極選擇鍵123選擇性連接每個標準電晶體載體連接的標準電晶體的基極觸點。參考圖2，在基極選組鍵143選擇基極選擇觸點I時，電晶體篩選儀的基極探針通過連接基極接線柱132和基極選組鍵143連接第一選擇開關Kl的基極選擇鍵123，並通過基極選擇鍵123選擇連接標準電晶體載體Ql連接的I號標準電晶體的基極觸點。同樣的，發射極選組單元144包括第二數量的發射極選組觸點(l-η)和發射極選組鍵145，發射極選組鍵14·5連接發射極接線柱134，每個發射極選組觸點通過第一選擇開關120的發射極選擇鍵125選擇性連接每個標準電晶體載體連接的標準電晶體的發射極觸點。參考圖2，在發射極選組鍵145選擇發射極選擇觸點I時，電晶體篩選儀的發射極探針通過連接發射極接線柱134和發射極選組鍵145連接第一選擇開關K2的發射極選擇鍵125，並通過發射極選擇鍵125選擇連接標準電晶體載體Ql連接的I號標準電晶體的發射極觸點。上述對應同一型號標準電晶體的基極選擇單元和發射極選擇單元同級選擇，基極選組鍵123連接對應一種型號標準電晶體的基極選組觸點時，發射極選組鍵125選擇連接對應同種型號標準電晶體的發射極選組觸點。即通過對基極選組鍵123或發射極選組鍵125操作一次，即可同時選擇一種型號標準電晶體的基極觸點總線和發射極觸點總線。上述基極選組鍵123與發射極選組鍵125可通過設置在同一旋轉軸上，二者同軸轉動，以達到轉動一次即可選擇相應一種型號標準電晶體的基極觸點總線和發射極觸點總線。上述連接在一個標準電晶體載體上的一種型號的每個標準電晶體的集電極觸點通過集電極觸點連接總線與其他標準電晶體載體上標準電晶體的集電極觸點總線一起連接接線柱130的集電極接線柱136。參考圖2，在第二選擇開關140的基極選組單元142和發射極選組單元144選擇第一級選擇級時，表示選擇對第一標準電晶體載體Ql上的標準電晶體進行測試；再通過第一選擇開關Kl選擇第一標準電晶體載體Ql上的一個標準電晶體進行測試。測試完第一標準電晶體載體Ql上所有的標準電晶體後，通過控制第二選擇開關140選擇另一種型號的電晶體進行測試。參考圖2，通過基極選組鍵143和發射極選組鍵145選擇第二標準電晶體載體Q2，再通過第一選擇開關K2選擇第二標準電晶體載體Q2上的標準電晶體進行測試。一般會設置3-5種不同型號的標準電晶體對電晶體篩選儀進行校準，通過第二選擇開關140對不同型號標準電晶體進行選擇，再通過第一選擇開關120對標準電晶體載體上的每個標準電晶體進行測試，通過測試的數據對所測試的電晶體篩選儀進行校準，提高電晶體篩選儀測試數據的有效性。上述根據標準電晶體的型號設置第一數量的第一選擇開關，進一步的，上述第一數量的第一選擇開關也可為一個單獨的集成開關(圖未示)，第二選擇開關140無論選擇任何一種型號的標準電晶體，都可通過控制上述集成開關選擇相應型號的標準電晶體中單個的標準電晶體進行測試。以上實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對本發明專利範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本發明的保護範圍。因此，本發明專利的保護範圍應以所附權利要求為準。
權利要求
1.一種電晶體篩選儀校準裝置，用於對電晶體篩選儀進行校準，其特徵在於，包括 標準電晶體載體，連接有第一數量不同規格的標準電晶體，且具有一一對應每一個標準電晶體的基極和發射極的觸點； 第一選擇開關，包括通過總線與所述基極觸點連接的基極開關選擇組及對應的基極選擇鍵，和通過總線與所述發射極觸點連接的發射極開關選擇組及對應的發射極選擇鍵； 三個接線柱，分別為與所述基極選擇鍵連接的基極接線柱、與所述發射極選擇鍵連接的發射極接線柱以及與所有標準電晶體的集電極連接的集電極接線柱；所述基極接線柱、發射極接線柱以及集電極接線柱用於分別連接所述電晶體校準儀的三個檢測探針。
2.根據權利要求1所述的電晶體篩選儀校準裝置，其特徵在於， 所述基極開關選擇組包括第一數量基極選擇級，每個基極選擇級分別對應所述第一數量不同規格的標準電晶體的基極觸點； 所述發射極開關選擇組包括第一數量發射極選擇級，每個發射極選擇級分別對應所述第一數量不同規格的標準電晶體的發射極觸點。
3.根據權利要求2所述的電晶體篩選儀校準裝置，其特徵在於，所述基極開關選擇組與所述發射極開關選擇組同級選擇，所述基極選擇鍵接通所述一種規格的標準電晶體的基極引腳時，所述發射極選擇鍵接通相應標準電晶體的發射極引腳。
4.根據權利要求1所述的電晶體篩選儀校準裝置，其特徵在於，所述第一數量為6-10。
5.根據權利要求1所述的電晶體篩選儀校準裝置，其特徵在於，包括第二數量的標準電晶體載體，每個標準電晶體載體連接第一數量的同種型號的標準電晶體。
6.根據權利要求5所述的電晶體篩選儀校準裝置，其特徵在於，還包括第二選擇開關，所述第二選擇開關用於選擇一種型號的標準電晶體，在所述第二選擇開關選擇所述一種型號的標準電晶體後，所述第一選擇開關選擇所述型號的標準電晶體中的一個標準電晶體。
7.根據權利要求6所述的電晶體篩選儀校準裝置，其特徵在於，所述第二選擇開關包括基極選組單元和發射極選組單元； 所述基極選擇單元包括第二數量的基極選組觸點和基極選組鍵，所述基極選組鍵連接所述基極接線柱，每個基極選組觸點通過第一選擇開關的基極選擇鍵連接每個標準電晶體載體連接的標準電晶體的基極觸點； 所述發射極選擇單元包括第二數量的發射極選組觸點和發射極選組鍵，所述發射極選組鍵連接所述發射極接線柱，每個發射極選組觸點通過第一選擇開關的發射極選擇鍵連接每個標準電晶體載體連接的標準電晶體的基極觸點。
8.根據權利要求7所述的電晶體篩選儀校準裝置，其特徵在於，對應同一型號標準電晶體的基極選擇單元和發射極選擇單元同級選擇，所述基極選組鍵連接對應一種型號標準電晶體的基極選組觸點時，所述發射極選組鍵選擇連接對應同種型號標準電晶體的發射極選組觸點。
9.根據權利要求5所述的電晶體篩選儀校準裝置，其特徵在於，所述第二數量為3-5。
全文摘要
本發明公開了一種電晶體篩選儀校準裝置，通過標準電晶體載體將進行電晶體篩選儀校準的標準電晶體進行封裝，在測試時，通過第一選擇開關選擇不同的標準電晶體進行校準。通過使用該電晶體篩選儀校準裝置進行校準避免了手工進行校準時測試速度慢、效率低且人工測量會有個體差異導致測量數據誤差的問題，加快測量速度、提高測量效率且測量精度高、重複性好。
文檔編號G01R35/00GK103048636SQ201210562978
公開日2013年4月17日 申請日期2012年12月21日 優先權日2012年12月21日
發明者王榮 申請人:深圳深愛半導體股份有限公司