發光二極體封裝及其製造方法
2023-07-07 00:38:36 4
專利名稱：發光二極體封裝及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種封裝結構與其製造方法，且特別涉及一種發光二極體封裝(light emitting diode package，LED package)及其製造方法。
背景技術：
由於發光二極體具有壽命長、體積小、高耐震性、發熱度小以及耗電量低等優點，發光二極體已被廣泛地應用於家電產品以及各式儀器的指示燈或光源。近年來，還由於發光二極體朝向多色彩以及高亮度化發展，發光二極體的應用範圍已拓展至大型戶外顯示看板及交通信號燈等，未來甚至可以取代鎢絲燈和水銀燈以成為兼具省電和環保功能的照明燈源。
圖1A為公知的一種發光二極體封裝的俯視示意圖，圖1B為圖1A的發光二極體封裝沿著線A-A的剖視示意圖。請同時參照圖1A與圖1B，公知的發光二極體封裝100包括導線架(leadframe)110、封裝殼體(package housing)120、發光二極體晶片130、靜電放電防護元件(ESD protector)140、多條焊線(bonding wire)150與膠體(encapsulant)160。封裝殼體120包覆(encapsulate)部分導線架110，以於導線架110上形成晶片容納空間(chip-accommodatingspace)S。發光二極體晶片130與靜電放電防護元件140設置於導線架110上且位於晶片容納空間S內，並且發光二極體晶片130與靜電放電防護元件140分別通過這些焊線150而與導線架110電連接。此外，膠體160包覆發光二極體晶片130、靜電放電防護元件140與這些焊線150。
當公知的發光二極體封裝100的發光二極體晶片130受電流驅動而發光時，發光二極體晶片130所發出的部分光線會通過白色的封裝殼體120反射後，才從透明的膠體160往遠離導線架110的方向出射。由於公知的發光二極體封裝100的靜電放電防護元件140為非透明元件，所以當發光二極體晶片130受電流驅動而發光時，非透明的靜電放電防護元件140將會吸收發光二極體晶片130所發出的部分光線。因此，公知的發光二極體封裝100的發光強度會受到非透明的靜電放電防護元件140的影響。
發明內容
本發明的目的是提供一種發光二極體封裝，其靜電放電防護元件位於封裝殼體內，使得靜電放電防護元件不會影響發光二極體封裝的發光強度。
本發明的另一目的是提供一種發光二極體封裝的製造方法，使得封裝殼體包覆靜電放電防護元件，以提高發光二極體封裝的發光強度。
為達上述或是其他目的，本發明提出一種發光二極體封裝，其包括承載器、封裝殼體、發光二極體晶片與靜電放電防護元件。封裝殼體包覆部分承載器，以於承載器上形成晶片容納空間。發光二極體晶片設置於承載器上且位於晶片容納空間內，而發光二極體晶片與承載器電連接。靜電放電防護元件設置於承載器上且由封裝殼體所包覆，而靜電放電防護元件與承載器電連接。
在本發明的一實施例中，上述的靜電放電防護元件與發光二極體晶片例如設置於承載器的同一表面上。
在本發明的一實施例中，上述的靜電放電防護元件與發光二極體晶片例如分別設置於承載器的相對兩表面上。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝還包括至少一條焊線，其中靜電放電防護元件可通過焊線而與承載器電連接，且封裝殼體包覆焊線。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝還包括多個凸塊，其中靜電放電防護元件可通過這些凸塊而與承載器電連接，且封裝殼體包覆這些凸塊。
在本發明的一實施例中，上述的靜電放電防護元件可為齊納二極體晶片、紅光發光二極體晶片、表面粘著型齊納二極體封裝、表面粘著型紅光發光二極體封裝、電容器、變阻器或突波吸收器。
在本發明的一實施例中，上述的承載器例如為導線架。
在本發明的一實施例中，上述的承載器例如為導線架。此外，封裝殼體可包覆承載器的相對兩表面的部分區域。
在本發明的一實施例中，上述的承載器例如為封裝基板。
在本發明的一實施例中，上述的承載器例如為封裝基板。此外，封裝殼體可至少包覆承載器的表面的部分區域。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝還包括至少一條焊線，其中發光二極體晶片可通過焊線而與承載器電連接。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝還包括多個凸塊，其中發光二極體晶片可通過這些凸塊而與承載器電連接。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝還包括膠體，其中膠體可包覆發光二極體晶片與由晶片容納空間所暴露的承載器。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝還包括摻雜螢光粉的膠體，其可包覆發光二極體晶片與由晶片容納空間所暴露的承載器。
在本發明的一實施例中，上述的封裝殼體的材質例如為塑膠、金屬或金屬氧化物。
為達上述或是其他目的，本發明提出一種發光二極體封裝的製造方法，其包括下列步驟。首先，提供承載器。接著，將靜電放電防護元件設置於承載器上。接著，電連接靜電放電防護元件與承載器。再者，形成與承載器接合的封裝殼體，其中封裝殼體包覆靜電放電防護元件與部分承載器，以於承載器上形成晶片容納空間。之後，將發光二極體晶片設置於由晶片容納空間所暴露的承載器上。然後，電連接發光二極體晶片與承載器。
在本發明的一實施例中，上述的靜電放電防護元件與發光二極體晶片例如設置於承載器的同一表面上。
在本發明的一實施例中，上述的靜電放電防護元件與發光二極體晶片例如分別設置於承載器的相對兩表面上。
在本發明的一實施例中，上述的靜電放電防護元件例如是通過表面粘著技術而設置於承載器上且電連接至承載器。
在本發明的一實施例中，上述的靜電放電防護元件例如是通過晶片倒裝焊接技術而設置於承載器上且電連接至承載器。
在本發明的一實施例中，上述的靜電放電防護元件例如是通過引線焊接技術而電連接至承載器。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體晶片例如是通過晶片倒裝焊接技術而設置於承載器上且電連接至承載器。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體晶片例如是通過引線焊接技術而電連接至承載器。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝的製造方法在電連接發光二極體晶片與承載器的步驟之後，還包括形成膠體，其可包覆發光二極體晶片與由晶片容納空間所暴露的承載器。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝的製造方法在電連接發光二極體晶片與承載器的步驟之後，還包括形成摻雜螢光粉的膠體，其可包覆發光二極體晶片與由晶片容納空間所暴露的承載器。
基於上述，本發明的發光二極體封裝及其製造方法可通過封裝殼體包覆靜電放電防護元件，所以當發光二極體晶片發光時，非透明的靜電放電防護元件將不會影響發光二極體封裝的發光強度。
為讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合附圖，作詳細說明如下。
圖1A為公知的一種發光二極體封裝的俯視示意圖。
圖1B為圖1A的發光二極體封裝沿著線A-A的剖視示意2A為本發明第一實施例的一種發光二極體封裝的俯視示意圖。
圖2B為圖2A的發光二極體封裝沿著線B-B的剖視示意圖。
圖3為本發明第一實施例的另一種發光二極體封裝的剖視示意圖。
圖4A至圖4E為第一實施例的發光二極體封裝的製造方法的示意圖。
圖5A為本發明第二實施例的一種發光二極體封裝的俯視示意圖。
圖5B為圖5A的發光二極體封裝沿著線C-C的剖視示意圖。
圖6為本發明第三實施例的一種發光二極體封裝的剖視示意圖。
主要元件標記說明100、200、200』、300、400發光二極體封裝110導線架120、220、220』、320封裝殼體130、230、330、430發光二極體晶片140、240、340、440靜電放電防護元件150、250焊線160、260膠體210、210』、310、410承載器212、214、212』、412、414表面370凸塊S晶片容納空間
具體實施例方式
第一實施例圖2A為本發明第一實施例的一種發光二極體封裝的俯視示意圖，圖2B為圖2A的發光二極體封裝沿著線B-B的剖視示意圖。請同時參照圖2A與圖2B，第一實施例的發光二極體封裝200包括承載器(carrier)210(例如為導線架)、封裝殼體220(其材質可為塑膠、金屬或金屬氧化物)、發光二極體晶片230與靜電放電防護元件240。其中，封裝殼體220包覆部分承載器210，以於承載器210上形成晶片容納空間S。發光二極體晶片230設置於承載器210上且位於晶片容納空間S內，而發光二極體晶片230與承載器210電連接。此外，靜電放電防護元件240設置於承載器210上且由封裝殼體220所包覆，而靜電放電防護元件240與承載器210電連接。
在本發明的一實施例中，靜電放電防護元件240可以是單向的靜電放電防護元件。在此情況下，靜電放電防護元件240與發光二極體晶片230為彼此反向並聯。當發光二極體晶片230兩端(正極與負極間)的跨壓尚未超過發光二極體晶片230的操作電壓時，電流會流經發光二極體晶片230而使其發光，此時，與發光二極體晶片230反向並聯的靜電放電防護元件240不會發揮作用。反之，當靜電放電現象發生時，發光二極體晶片230兩端(正極與負極間)的跨壓會超過發光二極體晶片230所能承受的電壓值，此時，靜電放電防護元件240便可很快速地將高電壓的靜電導掉，以避免發光二極體晶片230受到高電壓的靜電的破壞。
承上述，本發明所使用的靜電放電防護元件240也可以是雙向的靜電放電防護元件，其通常是與發光二極體晶片230並聯，以確保發光二極體晶片230不會受到正向靜電與反向靜電的傷害。
當發光二極體封裝200的發光二極體晶片230受電流驅動而發光時，發光二極體晶片230所發出的部分光線會通過通常為白色或其他能夠反射光線的封裝殼體220的反射而往遠離承載器210的方向出射。然而，由於本發明的非透明的靜電放電防護元件240由封裝殼體220所包覆(也即從發光二極體封裝200的外觀視之，靜電放電防護元件240不會被觀察到)，所以當發光二極體晶片230受電流驅動而發光時，非透明的靜電放電防護元件240將不會吸收發光二極體晶片230所發出的光線，因此也就不會影響發光二極體封裝200的發光強度。
詳言之，本實施例的靜電放電防護元件240與發光二極體晶片230可設置於承載器210的同一表面上。由圖2A與圖2B可知，本實施例的發光二極體封裝200可進一步包括至少一條焊線250(圖2A與圖2B中為3條)，其中靜電放電防護元件240與發光二極體晶片230可通過這些焊線250而分別與承載器210電連接，換言之，靜電放電防護元件240與發光二極體晶片230分別是通過引線焊接技術(wire bonding technology)而電連接至承載器210。此外，本實施例的封裝殼體220不但包覆電連接於靜電放電防護元件240與承載器210之間的焊線250，而且還包覆承載器的相對兩表面212與214的部分區域。
靜電放電防護元件240可為齊納二極體晶片(zener diode chip)、紅光發光二極體晶片(red-light LED chip)、表面粘著型齊納二極體封裝(SMD type zener diode package)、表面粘著型紅光發光二極體封裝、電容器、變阻器(varistor)或突波吸收器(surge absorber)。若靜電放電防護元件240為齊納二極體晶片或紅光發光二極體晶片，靜電放電防護元件240可通過引線焊接技術或是晶片倒裝焊接技術(flip chip bonding)與承載器210電連接；若靜電放電防護元件240為表面粘著型齊納二極體封裝或表面粘著型紅光發光二極體封裝，則靜電放電防護元件240可直接通過錫膏(solder paste)而與承載器210電連接。若靜電放電防護元件240為變阻器，則靜電放電防護元件240的功能為提供高電阻保護方式或變電阻保護方式(後者即為在某一電壓時，變電阻為導電性)在此必須說明的是，為了方便說明起見，本實施例以下將以晶片形態的靜電放電防護元件240(也即齊納二極體晶片或紅光發光二極體晶片)為例進行說明。
值得注意的是，第一實施例中，發光二極體晶片230的這些焊墊(bonding pad)232的設置位置與靜電放電防護元件240的焊墊242的設置位置有所不同，然而發光二極體晶片230與靜電放電防護元件240的形態可依照設計需求而有所改變，例如發光二極體晶片230可採用靜電放電防護元件240的形態，而靜電放電防護元件240可採用發光二極體晶片230的形態，但是圖中並未示出。此外，在本實施例中，發光二極體封裝200可進一步包括膠體260，其可包覆發光二極體晶片230以及由晶片容納空間S所暴露的承載器210，並進而包覆電連接於發光二極體晶片230與承載器210之間的這些焊線250。膠體260可保護所包覆的元件以避免受到外界溫度、溼氣與噪音的影響。另外，膠體260可摻雜螢光粉，所以當發光二極體封裝200的發光二極體晶片230發光時，螢光粉受到發光二極體晶片230所發出光線的照射而發出另一顏色的可見光，因此發光二極體封裝200可通過發光二極體晶片230與螢光粉所發出光線的混合而產生混光(例如為白光)的效果。
請參照圖3，其為本發明第一實施例的另一種發光二極體封裝的剖視示意圖。圖3的發光二極體封裝200』與圖2的發光二極體封裝200相似，但二者主要不同之處在於發光二極體封裝200』的承載器210』為封裝基板(package substrate)，且封裝殼體220』僅包覆承載器210』的表面212』的部分區域。在此必須說明的是，為了方便說明起見，本實施例以下將以導線架為例進行說明。
以下將說明發光二極體封裝200的製造方法。圖4A至圖4E為第一實施例的發光二極體封裝的製造方法的示意圖，其中圖4A至圖4E各圖皆為俯視示意圖與其沿著線B-B的剖視示意圖。本實施例的發光二極體封裝200的製造方法包括下列步驟。首先，請參照圖4A，提供承載器210(導線架)，導線架可通過衝壓(punching)工藝或蝕刻(etching)工藝而成型，由於導線架是用來承載發光二極體晶片230，因此導線架通常具有兩引腳。接著，將靜電放電防護元件240設置於承載器210上，靜電放電防護元件240通常具有焊墊242，且靜電放電防護元件240可通過導電膠(例如銀膠) (圖中未示)而設置於承載器210上。接著，例如通過引線焊接技術電連接靜電放電防護元件240與承載器210。因此，靜電放電防護元件240的兩端是分別通過焊線250與導電膠而與承載器210電連接。
再者，請參照圖4B，形成與承載器210接合的封裝殼體220，其中封裝殼體220包覆靜電放電防護元件240與部分承載器210，以於承載器210上形成晶片容納空間S。在第一實施例中，封裝殼體220可通過模具(圖中未示)而進行塑膠射出成型(plastics injectionmolding)工藝或壓鑄成型(die casting molding)工藝來完成，模具內模穴的外形會影響封裝殼體220的外形，所以本實施例的封裝殼體220的外形是用以舉例而非限定本發明。在上述工藝之後，封裝殼體220還可包覆電連接於靜電放電防護元件240與承載器210之間的焊線250。
之後，請參照圖4C，將發光二極體晶片230例如通過導電膠(圖中未示)而設置於由晶片容納空間S所暴露的承載器210上。在此，導電膠是作為發光二極體晶片230導熱於承載器210的媒介。然後，例如通過引線焊接技術電連接發光二極體晶片230與承載器210，也即發光二極體晶片230是通過另外兩焊線250而與承載器210電連接。第一實施例中，靜電放電防護元件240與發光二極體晶片230例如設置於承載器210的同一表面212上。
在上述電連接發光二極體晶片230與承載器210的步驟之後，請參照圖4D，第一實施例的發光二極體封裝200的製造方法還包括例如以點膠(dispensing)的方式而形成膠體260(膠體260可摻雜螢光粉)，其可包覆發光二極體晶片230與由晶片容納空間S所暴露的承載器210，並進而包覆電連接於發光二極體晶片230與承載器210之間的這些焊線250。然後，請參照圖4E，第一實施例的發光二極體封裝200的製造方法再進行剪切(trimming)與成型(forming)步驟。剪切的目的在於將承載器210上已經包覆的多個成品分離開來。成型的目的在於將承載器210外露於封裝殼體220與膠體260之外的部分形成所設計的外形，以便電連接下一層級的電子裝置(圖中未示)。通過上述步驟，發光二極體封裝200即可完成。
必須說明的是，圖4B所示的形成與承載器210接合的封裝殼體220的步驟只需在圖4A所示的三步驟後即可。換言之，舉例而言，在本發明另一實施例中，其製造方式可先於圖4B所示的步驟之前進行圖4C所示的步驟，也即將發光二極體晶片230先設置於預定由晶片容納空間S所暴露的承載器210上，並且電連接發光二極體晶片230與承載器210。接著再形成與承載器210接合的封裝殼體220，其中封裝殼體220包覆靜電放電防護元件240與部分承載器210，以於承載器210上形成晶片容納空間S。
第二實施例圖5A為本發明第二實施例的一種發光二極體封裝的俯視示意圖，圖5B為圖5A的發光二極體封裝沿著線C-C的剖視示意圖。請同時參照圖2A、圖2B、圖5A與圖5B，第二實施例的發光二極體封裝300與第一實施例的發光二極體封裝200的主要不同之處在於，發光二極體封裝300還包括多個凸塊(bump)370，其中靜電放電防護元件340可通過這些凸塊370而與承載器310電連接，且封裝殼體320包覆這些凸塊370。換言之，靜電放電防護元件340是通過晶片倒裝焊接技術而設置於承載器310上且電連接至承載器310。
在此必須說明的是，第二實施例中，發光二極體封裝300的發光二極體晶片330與靜電放電防護元件340與承載器310的電連接方式有所不同，然而這兩者的電連接方式可依照設計需求而有所改變，例如發光二極體晶片330可採用靜電放電防護元件340的電連接方式，而靜電放電防護元件340可採用發光二極體晶片330的電連接方式，但是圖中並未示出。
第三實施例圖6為本發明第三實施例的一種發光二極體封裝的剖視示意圖。請參照圖2A、圖2B與圖6，第三實施例的發光二極體封裝400與第一實施例的發光二極體封裝200的主要不同之處在於，發光二極體晶片430與靜電放電防護元件440例如分別設置於承載器410的相對兩表面412與414上。
綜上所述，本發明的發光二極體封裝及其製造方法至少具有下列優點(一)本發明的發光二極體封裝及其製造方法可通過封裝殼體包覆靜電放電防護元件，所以當發光二極體晶片受電流驅動而發光時，非透明的靜電放電防護元件將不會吸收發光二極體晶片所發出的光線，因此也就不會影響發光二極體封裝的發光強度。
(二)由於靜電放電防護元件體積小，所以本發明的發光二極體封裝的製造方法不用因為將封裝殼體包覆靜電放電防護元件而需調整封裝殼體的尺寸(size)，因此本發明的發光二極體封裝的製造方法可與現有工藝整合而不會增加製造成本。
雖然本發明已以較佳實施例披露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域的技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與改進，因此本發明的保護範圍當視權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種發光二極體封裝，其特徵是包括承載器；封裝殼體，包覆部分該承載器，以於該承載器上形成晶片容納空間；發光二極體晶片，設置於該承載器上且位於該晶片容納空間內，而該發光二極體晶片與該承載器電連接；以及靜電放電防護元件，設置於該承載器上且由該封裝殼體所包覆，而該靜電放電防護元件與該承載器電連接。
2.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，其特徵是該靜電放電防護元件與該發光二極體晶片設置於該承載器的同一表面上。
3.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，其特徵是該靜電放電防護元件與該發光二極體晶片分別設置於該承載器的相對兩表面上。
4.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，還包括至少一條焊線，其特徵是該靜電放電防護元件通過該焊線而與該承載器電連接，且該封裝殼體包覆該焊線。
5.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，還包括多個凸塊，其特徵是該靜電放電防護元件通過上述這些凸塊而與該承載器電連接，且該封裝殼體包覆上述這些凸塊。
6.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，其特徵是該靜電放電防護元件為齊納二極體晶片、紅光發光二極體晶片、表面粘著型齊納二極體封裝、表面粘著型紅光發光二極體封裝、電容器、變阻器或突波吸收器。
7.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，其特徵是該承載器為導線架。
8.根據權利要求7所述的發光二極體封裝，其特徵是該封裝殼體包覆該承載器的相對兩表面的部分區域。
9.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，其特徵是該承載器為封裝基板。
10.根據權利要求9所述的發光二極體封裝，其特徵是該封裝殼體至少包覆該承載器的表面的部分區域。
11.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，還包括至少一條焊線，其特徵是該發光二極體晶片通過該焊線而與該承載器電連接。
12.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，還包括多個凸塊，其特徵是該發光二極體晶片通過上述這些凸塊而與該承載器電連接。
13.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，還包括膠體，其特徵是該膠體包覆該發光二極體晶片與由該晶片容納空間所暴露的該承載器。
14.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，其特徵是還包括摻雜螢光粉的膠體，包覆該發光二極體晶片與由該晶片容納空間所暴露的該承載器。
15.根據權利要求1所述的發光二極體封裝，其特徵是該封裝殼體的材質為塑膠、金屬或金屬氧化物。
16.一種發光二極體封裝的製造方法，其特徵是包括提供承載器；將靜電放電防護元件設置於該承載器上；電連接該靜電放電防護元件與該承載器；形成與該承載器接合的封裝殼體，其中該封裝殼體包覆該靜電放電防護元件與部分該承載器，以於該承載器上形成晶片容納空間；將發光二極體晶片設置於由該晶片容納空間所暴露的該承載器上；以及電連接該發光二極體晶片與該承載器。
17.根據權利要求16所述的發光二極體封裝的製造方法，其特徵是該靜電放電防護元件與該發光二極體晶片設置於該承載器的同一表面上。
18.根據權利要求16所述的發光二極體封裝的製造方法，其特徵是該靜電放電防護元件與該發光二極體晶片分別設置於該承載器的相對兩表面上。
19.根據權利要求16所述的發光二極體封裝的製造方法，其特徵是該靜電放電防護元件是通過表面粘著技術而設置於該承載器上且電連接至該承載器。
20.根據權利要求16所述的發光二極體封裝的製造方法，其特徵是該靜電放電防護元件是通過晶片倒裝焊接技術而設置於該承載器上且電連接至該承載器。
21.根據權利要求16所述的發光二極體封裝的製造方法，其特徵是該靜電放電防護元件是通過引線焊接技術而電連接至該承載器。
22.根據權利要求16所述的發光二極體封裝的製造方法，其特徵是該發光二極體晶片是通過晶片倒裝焊接技術而設置於該承載器上且電連接至該承載器。
23.根據權利要求16所述的發光二極體封裝的製造方法，其特徵是該發光二極體晶片是通過引線焊接技術而電連接至該承載器。
24.根據權利要求16所述的發光二極體封裝的製造方法，其特徵是在電連接該發光二極體晶片與該承載器的步驟之後，還包括形成膠體，包覆該發光二極體晶片與由該晶片容納空間所暴露的該承載器。
25.根據權利要求16所述的發光二極體封裝的製造方法，其特徵是在電連接該發光二極體晶片與該承載器的步驟之後，還包括形成摻雜螢光粉的膠體，包覆該發光二極體晶片與由該晶片容納空間所暴露的該承載器。
26.根據權利要求16所述的發光二極體封裝的製造方法，其特徵是形成與該承載器接合的該封裝殼體的方式為塑膠射出成型工藝或壓鑄成型工藝。
全文摘要
一種發光二極體封裝，其包括承載器、封裝殼體、發光二極體晶片與靜電放電防護元件。封裝殼體包覆部分承載器，以於承載器上形成晶片容納空間。發光二極體晶片設置於承載器上且位於晶片容納空間內，而發光二極體晶片與承載器電連接。靜電放電防護元件設置於承載器上且由封裝殼體所包覆，而靜電放電防護元件與承載器電連接。由於靜電放電防護元件被封裝殼體所包覆，故發光二極體晶片所發出的光線不會被靜電放電防護元件所吸收，使得發光二極體封裝具有良好的發光強度。此外，本發明另提出一種發光二極體封裝的製造方法。
文檔編號H01L21/50GK101030572SQ20061005832
公開日2007年9月5日 申請日期2006年3月1日 優先權日2006年3月1日
發明者賴國瑞, 楊國璽, 何恭琦, 蔡慧珍, 王文娟 申請人:瑞瑩光電股份有限公司