模具坯、母模具、複製模具和模具坯的製造方法

2023-07-19 10:36:26

模具坯、母模具、複製模具和模具坯的製造方法
【專利摘要】在具有硬掩模層的模具坯中，所述硬掩模層具有包含鉻、氮和氧的組成，並具有這樣的含有率變化結構：所述氮的含有率在層厚方向上連續性地或者階段性地變化，而且所述氧的含有率在所述層厚方向上朝與所述氮實質相反的方向連續性地或者階段性地變化。
【專利說明】模具坯、母模具、複製模具和模具坯的製造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及壓印用模具坯、壓印用模具、壓印用複製模具和壓印用模具坯的製造方法。
【背景技術】
[0002]近年來，作為可應對高記錄密度化的磁介質，提出了將數據磁軌進行磁分離而形成的圖案化介質(pattern media)。作為圖案化介質,公知有:將磁碟的數據磁軌進行磁分離而形成的離散磁軌型介質(Discrete Track Recording Media ;以下稱為「DTR介質」)、為了使該DTR介質進一步高密度化使其發展而將信號記錄為位圖案(點圖案(dot pattern)的位圖案化介質(Bit Patterned Media ;以下稱為「BPM」)。
[0003]DTR介質和BPM之類的圖案化介質一般使用壓印技術(或者「納米壓印技術」)來量產。在壓印技術中，使用母模具(也稱為「原盤」)、或者將該母模具作為模型模具轉印一次或多次而複製成的複製模具(也稱為「工作複製品」)，將該母模具或者複製模具具有的圖案轉印到被轉印體上，從而製作出圖案化介質(例如BPM)。
[0004]母模具是使用在基板上依次形成硬掩模層和抗蝕劑層而成的模具坯來製造的。詳細地說，通過對模具坯中的抗蝕劑層進行預定的圖案曝光和顯像來形成抗蝕劑圖案，並且以該抗蝕劑圖案作為掩模對模具坯中的硬掩模層和基板進行蝕刻，最終在基板上形成預定的凹凸圖案，從而製造出母模具。
[0005]並且，有關複製模具，也與母模具的情況一樣，使用模具坯來製造。不過，在複製模具的情況下，在通過向模具坯中的抗蝕劑層轉印模型模具的凹凸圖案來形成抗蝕劑圖案方面，與母模具的情況不同。
[0006]由於經過這樣的製造步驟，因而有關壓印用模具坯中的硬掩模層，要求在對下層(即基板)進行蝕刻時的耐克蝕性。而且，也要求在以上層(即抗蝕劑層)作為掩模時良好地進行蝕刻(即，確保充分的蝕刻率)。並且，特別是在製造母模具的情況下(即，在對抗蝕劑層進行圖案描繪的情況下)，還要求用於防止電荷增大的導電性確保。
[0007]根據以上，提出的是，有關壓印用模具坯中的硬掩模層，除了使用包含例如鉻(Cr)的材料形成的層以外，還具有使用包含鉭(Ta)的材料形成的導電層，使用它們的層疊膜構成(例如，參照專利文獻I)。
[0008]現有技術文獻
[0009]專利文獻
[0010]專利文獻1:日本特開2011 - 96686號公報
【發明內容】

[0011]發明要解決的問題
[0012]另外,近年來,在圖案化介質中，要求圖案的周期(間距)進而凹凸圖案中的凹部和凸部的寬度的細微化。該細微化的要求水平與日俱增，以BPM為例，最近要求50nm間距(凹:凸=1:1)水平的細微凹凸圖案。為了滿足該要求，在製作BPM時，需要對模型模具中的凹凸圖案進行細微化。進一步說，需要針對成為該模型模具的根本的母模具形成細微凹凸圖案。
[0013]為了應對這樣的凹凸圖案的細微化，期望的是使成為母模具的基礎的壓印用模具坯的硬掩模層薄膜化。具體地說，考慮使硬掩模層的膜厚為例如5nm以下。
[0014]然而，在專利文獻I記載的結構的硬掩模層中，由於層疊膜結構，使得應對上述的水平的薄膜化較困難。這是因為，為了硬掩模層整體的薄膜化，需要使所層疊的各層極其薄。並且，在母模具用途的情況下，在應對薄膜化的同時，還要求用於防止電荷增大的導電性確保。也就是說，在以往結構的硬掩模層中，薄膜化是困難的，並且即使在進行了薄膜化的情況下也要求導電性確保(母模具用途的情況下)，因而很有可能不能良好地應對細微圖案的高精度形成。
[0015]另一方面，有關硬掩模層，需要充分確保上層(即抗蝕劑層)的密合性。特別是，在壓印技術中使用的情況下，存在當不能確保密合性時不能良好地進行圖案轉印的可能性，因而與抗蝕劑層的密合性非常重要。也就是說，在不能確保硬掩模層與抗蝕劑層之間的密合性的情況下，由於抗蝕劑剝落等的發生，很有可能不能良好地應對細微圖案的高精度形成。
[0016]因此，本發明的目的是，在具有硬掩模層的模具坯中，為了在模具製造時能夠實現細微圖案的高精度形成，在應對硬掩模層的薄膜化的同時，為了母模具用途的情況而能夠實現導電性確保，而且能夠實現硬掩模層與其上層之間的密合性確保，其結果，目的是提供高精度地形成有細微凹凸圖案的母模具和複製模具。
[0017]解決問題的手段
[0018]本發明是為了達到上述目的而提出的。
[0019]為了達到該目的，本發明人對在基板上形成硬掩模層而成的模具坯的硬掩模層的薄膜化作了探討。有關這一點，還考慮通過不採用例如以往的層疊膜結構來應對硬掩模層的薄膜化。不過，在該情況下，很有可能由於後述的表面氧化的影響而有損硬掩模層的導電性。該表面氧化的影響特別是會大到在使硬掩模層進行了薄膜化的情況下不可忽視的程度。
[0020]並且，本發明人對在基板上形成硬掩模層而成的模具坯進行了硬掩模層的層厚方向組成分析，對其組成結構作了探討。其結果是判明為，硬掩模層由於在製造工序中進行的處理(例如抗蝕劑塗布前烘烤)的影響而會發生從表面側的氧化。這樣的硬掩模層的氧化由於涉及到有損該硬掩模層的導電性，因而擴展到層厚方向整體，是不優選的。
[0021]然而可知，當對模具坯進行抗蝕劑塗布前烘烤時，與不進行抗蝕劑塗布前烘烤的情況相比，改善了硬掩模層與其上層即抗蝕劑層之間的密合性。因此，硬掩模層的表面氧化在確保與抗蝕劑層的密合性方面可以是有效的。
[0022]由此，本發明人得到以下發現:在要使硬掩模層薄膜化的情況下，當著眼於硬掩模層的氧化的現象時，硬掩模層中的導電性的確保、以及與其上層的密合性的確保會成為互為相反的目的事項。也就是說，在僅使硬掩模層氧化方面，使導電性的確保和密合性的確保同時並存是困難的。
[0023]關於這一點，本發明人進一步反覆積極探討。然後，得到了以下構思:如果在使硬掩模層含有作為氧化抑制材料執行功能的材料的同時，使硬掩模層的各組成物的層厚方向的含有率適當變化，而由此抑制硬掩模層中的氧化向層厚方向整體的擴展的話，則即使發生硬掩模層的表面氧化，也會將該硬掩模層中的導電性保持得較高。
[0024]本發明是根據上述的本發明人的新的構思而作成的。
[0025]本發明的第I方式是一種模具坯，所述模具坯具有:基板、和形成在所述基板上且成為在對所述基板進行蝕刻時的掩模材料的硬掩模層，所述模具坯的特徵在於，所述硬掩模層具有包含鉻、氮和氧的組成，並具有這樣的含有率變化結構:所述氮的含有率在層厚方向上連續性地或者階段性地變化，而且所述氧的含有率在所述層厚方向上朝與所述氮實質相反的方向連續性地或者階段性地變化。
[0026]本發明的第2方式，其特徵在於，在第I方式所述的模具坯中，在所述含有率變化結構中，越是所述基板一側則所述氮的含有率就越高，越是與所述基板相反的表面側則所述氧的含有率就越高。
[0027]本發明的第3方式，其特徵在於，在第2方式所述的模具坯中，所述氮具有抑制層內的氧化的功能，所述氧具有使在表面形成抗蝕劑層時的密合性提高的功能。
[0028]本發明的第4方式，其特徵在於，在第3方式所述的模具坯中，所述硬掩模層的膜厚是5nm以下。
[0029]本發明的第5方式，其特徵在於，在第3方式所述的模具坯中，所述基板是石英或矽。
[0030]本發明的第6方式，其特徵在於，在第3方式所述的模具坯中，所述硬掩模層包含所述氮的含有率是30[at%]以上的部分。
[0031]本發明的第7方式是一種模具坯，所述模具坯具有:基板、和形成在所述基板上且成為在對所述基板進行蝕刻時的掩模材料的硬掩模層，所述模具坯的特徵在於，所述硬掩模層具有包含對所述蝕刻具有耐性並具有導電性的金屬材料的組成，在與所述基板相反側的表面附近區域內形成有氧化部，在所述基板一側的區域內含有抑制所述氧化部向整個層厚方向擴展的氧化抑制材料。
[0032]本發明的第8方式，其特徵在於，在第7方式記載的模具坯中，所述氧化抑制材料是氮。
[0033]本發明的第9方式是一種母模具，其特徵在於，所述母模具具有凹凸圖案，並由第I至第8方式中任一項所述的模具坯形成。
[0034]本發明的第10方式是一種複製模具，其特徵在於，所述複製模具具有凹凸圖案，並由第I至第8方式中任一項所述的模具坯形成。
[0035]本發明的第11方式是一種模具坯的製造方法，所述模具坯具有:基板、和形成在所述基板上且成為在對所述基板進行蝕刻時的掩模材料的硬掩模層，所述模具坯的製造方法的特徵在於，所述模具坯的製造方法具有:第I工序，在所述基板上形成包含鉻和氮的組成的所述硬掩模層；以及第2工序，在所述硬掩模層中的與所述基板相反側的表面附近區域內形成氧化部，並通過使所述氮作為氧化抑制材料發揮功能來抑制所述氧化部向整個層厚方向擴展。
[0036]發明效果
[0037]根據本發明，在具有硬掩模層的模具坯中，即使在應對硬掩模層的薄膜化的情況下，也可以在確保硬掩模層中的導電性的同時，確保與硬掩模層的上層的密合性。其結果是，可以提供高精度地形成有細微凹凸圖案的母模具和複製模具。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1是用於說明本實施方式的模具的製造工序的截面概略圖。
[0039]圖2是例示本實施方式的模具坯中的硬掩模層的層厚方向上的組成分析結果的概要的說明圖。
[0040]圖3是示出有關實施例1、2中的模具形成圖案的掃描型電子顯微鏡觀察結果的說明圖，(a)是示出有關實施例1的觀察結果的圖，(b)是示出有關實施例2的觀察結果的圖。
[0041]圖4是示出實施例1、3、4中的硬掩模層的組成分析結果的說明圖，Ca)是示出有關O的分析結果的圖，(b)是示出有關N的分析結果的圖。
[0042]圖5是示出實施例3、5、6、7中的硬掩模層的組成分析結果的說明圖，Ca)是示出有關實施例5的分析結果的圖，(b)是示出有關實施例6的分析結果的圖，(c)是示出有關實施例3的分析結果的圖，Cd)是示出有關實施例7的分析結果的圖。
[0043]圖6是示出實施例1、4、8、9中的硬掩模層的組成分析結果的說明圖，Ca)是示出有關實施例1的分析結果的圖，(b)是示出有關實施例8的分析結果的圖，(c)是示出有關實施例4的分析結果的圖，Cd)是示出有關實施例9的分析結果的圖。
【具體實施方式】
[0044]以下，根據【專利附圖】

【附圖說明】本發明的實施方式。
[0045]在本實施方式中，按以下順序分項進行說明。
[0046]1.模具坯的結構例
[0047]2.模具坯的製造方法的步驟
[0048]3.使用了模具坯的模具製造方法的步驟
[0049]4.本實施方式的效果
[0050]5.變型例等
[0051]
[0052]如圖1 (C)所示，在本實施方式中舉例的壓印用模具坯(以下簡稱為「模具坯」)10是在基板11上依次形成有硬掩模層12和抗蝕劑層13而成的模具坯。
[0053]基板11是通過如後面詳細所述形成凹凸圖案而成為母模具或複製模具的基板。
[0054]硬掩模層12成為在基板11上通過蝕刻形成凹凸圖案時的掩模材料，是如後面詳細所述在本實施方式的模具坯10中最有特徵的結構要素。
[0055]抗蝕劑層13是通過預定的圖案曝光和顯像、或者從模型模具轉印凹凸圖案而形成有抗蝕劑圖案的抗蝕劑層。根據該抗蝕劑圖案，在基板11上形成凹凸圖案。
[0056]另外，在本實施方式中，列舉模具坯10構成為具有抗蝕劑層13的情況為例。不過，模具坯10隻要是至少在基板11上形成有硬掩模層12而成即可。在該情況下，當使用模具坯10製造母模具或複製模具時，另行在硬掩模層12上形成抗蝕劑層13。
[0057]
[0058]以上結構的模具坯10使用以下所述的步驟來製造。[0059](基板的製備)
[0060]在製造模具坯10時，首先，如圖1 (a)所示，製備基板11。
[0061]基板11隻要是可以用作母模具或者複製模具即可，考慮使用例如石英(SiO2)基板或者矽(Si )基板。更具體地，在例如用作進行光壓印的模具的情況下，從向被轉印材料的光照射的觀點來看，考慮使用作為透光性基板的SiO2基板。並且，在例如用作進行熱壓印的模具的情況下，考慮使用在乾式蝕刻中使用的對氯系玻璃有耐性的Si基板。另外，在熱壓印的情況下，也能夠使用SiC基板而不是Si基板。
[0062]基板11的形狀優選是圓盤形狀。這是因為，在抗蝕劑塗布時，能夠實現利用旋轉的均勻塗布。不過，不限定於圓盤形狀，也可以是矩形、多角形、半圓形等的其它形狀。
[0063](硬掩模層的形成)
[0064]在製備了基板11之後，接下來，如圖1 (b)所示，在基板11上形成硬掩模層12。另外，本實施方式中的「硬掩模層」是指由單一或多個層構成、在基板11上的槽的蝕刻時用作掩模的層狀的硬掩模層。
[0065]在本實施方式中，將硬掩模層12的形成分為第I工序和第2工序進行。
[0066]在第I工序中，將基板11導入濺鍍裝置內，使用氬和氮的混合氣體濺鍍鉻靶，在基板11上使作為硬掩模層12的氮化鉻(CrN)層成膜。也就是說，在第I工序中，將包含鉻(Cr)和氮(N)的組成的CrN層形成在基板11上。另外，CrN層的形成可以使用氮化鉻靶來利用氬氣進行濺鍍而形成。
[0067]採用包含Cr的組成是因為獲得對基板11的蝕刻的耐性，而且是因為可以具有在電子線描繪時為了防止電荷增大(charge up)所需要的導電性。並且，在容易去除(剝離)使用後的硬掩模層12方面包含Cr的組成是優選的。不過，不必限定於Cr，只要是具有對蝕刻的耐性和導電性，也可以具有包含例如Al、Ta、S1、W、Mo、Hf、Ti等的其它金屬材料的組成。
[0068]並且，採用包含N的組成是因為如後所述，氮具有抑制層內氧化的功能。不過，只要是在發揮氧化抑制功能的同時，不阻礙上述的導電性和蝕刻耐性等，也可以使用包含例如H、C、B等的其它元素的組成。假定是硬掩模層12不包含N的結構(例如Cr膜)，則在作為硬掩模層12執行功能的膜厚中，認為層整體被氧化。當硬掩模層12整體被氧化時，儘管可以確保與上層(抗蝕劑)之間的密合性，然而不能確保導電性而使描繪變得困難，並且，當Cr含有量高時，得不到高的蝕刻率，結果是不能形成細微圖案。
[0069]然後，在繼第I工序之後進行的第2工序中，對在第I工序中形成的CrN層進行烘烤處理，使CrN層氧化。此時，CrN層中的N具有抑制層內氧化的功能。因此，CrN層的層內的氧化部不會向整個層厚方向擴展，而停止於CrN層的表面附近區域。也就是說，在第2工序中，在硬掩模層12中與基板11相反側的表面附近區域形成氧化部，並使CrN層內包含的N作為氧化抑制材料執行功能，從而抑制氧化部朝層厚方向整體的擴展。另外，氧化部的形成不必限定於利用烘烤處理，也可以通過例如在CrN層上形成氧化膜而形成。
[0070]通過經過這樣的第I工序和第2工序，硬掩模層12具有這樣的結構:具有包含對蝕刻有耐性和有導電性的金屬材料即Cr的組成，在基板11相反側的表面附近區域形成氧化部，在基板11 一側的區域內含有抑制氧化部向層厚方向整體的擴展的氧化抑制材料即N0
[0071]這裡，有關具有包含上述的Cr、N和氧(O)的組成的硬掩模層12，更詳細說明其層厚方向上的各組成的含有率變化。
[0072]圖2是例示硬掩模層12的層厚方向上的組成分析結果的概要的說明圖。在圖示例中，橫軸表示硬掩模層12的層厚方向深度(nm)，縱軸表示各組成部的含有率(原子百分比，以下記為「at%」)，示出有關N和O的各方的深度方向組成分析結果的概要。
[0073]根據圖示例可知，硬掩模層12的表面附近區域通過氧化而處於含有大量O的狀態(所謂的富氧(O rich)狀態)，而越是為深層側則O的含有量就越減少。這考慮是因為，N發揮作為氧化抑制材料的功能，從而抑制了氧化向整個層厚方向擴展。也就是說，硬掩模層12內包含的O在硬掩模層12的層厚方向上含有率變化，以越是表面側則O的含有率就越高的方式分布。
[0074]另外，在圖示例中，示出含有率的變化是連續的情況，然而例如在通過氧化膜的成膜而不是通過烘烤處理進行了氧化的情況下，含有率的變化不連續而會成為階段性的。這裡所說的「連續性的」是指減少方向或增加方向不產生階梯而是平滑變化的狀態。並且，「階段性的」是指減少方向或增加方向呈具有階梯的階段狀變化的狀態。
[0075]與此相對可知，硬掩模層12內含有的N處于越是硬掩模層12的深層側區域(即基板11側的區域)則含有越多的狀態，而當為表面側時含有量減少。這考慮是因為，伴隨通過表面側的氧化而使O含有量增加，在該表面側的N含有量相對減少。也就是說，硬掩模層12內含有的N在硬掩模層12的層厚方向上含有率連續性地或者階段性地變化，以越是深層側則O含有率就越高的方式分布。
[0076]由此，硬掩模層12可以說具有這樣的含有率變化結構:N含有率在層厚方向上連續性地或者階段性地變化，而且O含有率在層厚方向上朝與N實質相反方向連續性地或者階段性地變化。然後，在該含有率變化結構中，越是硬掩模層12的深層側(即基板11側)則N含有率就越高，越是與基板11相反的表面側，則O含有率就越高。
[0077]另外，這裡說明的「實質相反方向」當然包含各自的含有率變化的方向(增減方向)是完全相反方向的情況，還包含雖然有部分地為處於相同方向的部位而不能說完全相反方向，但是該部位僅存在少量而作為整體即使看作相反方向也沒有障礙的情況。
[0078]具有這樣的含有率變化結構的硬掩模層12，朝層厚方向的氧化進行度根據作為氧化抑制材料發揮功能的N的量而變化。具體地說，N的量越多則越抑制氧化的進行，在硬掩模層12的表面附近區域的氧化部分(氧化層)就越薄。如果表面附近的氧化層薄，則硬掩模層12的導電性和反射率就保持得高。然後，如果導電性保持得高，則在母模具製造中，在防止電子線描繪時的電荷增大方面是非常優選的。而且，如果反射率保持得高，則在母模具製造中，能夠容易進行在電子線描繪時的對焦。根據以上，為了抑制朝層厚方向的氧化進行，有關氧化前的CrN層，優選的是，使N含有率為30 [at%]以上。這樣，在氧化後得到的硬掩模層12包含N含有率是30 [at%]以上的部分，由於存在這樣的氮化度高的部分，因而導電性和反射率保持得高。
[0079]而且，即使由於N的存在而抑制朝層厚方向的氧化的進行，有關表面附近區域，也由於氧化而處於富氧狀態。從導電性的觀點來看，硬掩模層12的氧化不是優選的，然而在與上層的密合性的觀點上會成為優點。因此，只要是具有上述的含有率變化結構的硬掩模層12，就可以通過將氧化的區域限定為表面附近區域，在將導電性和反射率保持得高的同時，充分確保與形成在其上層側的抗蝕劑層13的密合性。這特別是在壓印技術中使用的情況下非常有用。這是因為，在壓印技術中存在當不能確保與抗蝕劑層13的密合性時不能良好進行圖案轉印的可能性。
[0080]並且，有關硬掩模層12的形成膜厚，期望的是，為了應對母模具等中的凹凸圖案的細微化而進行薄膜化。具體地說，期望的是，使硬掩模層的膜厚為例如5nm以下。這是因為，如果是5nm以下，則能夠充分應對細微的凹凸圖案(例如，孔徑25nm、間距50nm的凹凸圖案)的形成，並且如果是細微的凹凸圖案(例如，IOOnm左右的孔深)的蝕刻，則可以充分實現作為掩模的功能，而且硬掩模層12自身的圖案化需要的時間也不會過大。
[0081]在本實施方式中，即使是這樣的膜厚的硬掩模層12，也能夠可靠地實現上述的含有率變化結構。也就是說，在利用N發揮作為氧化抑制材料的功能的同時，通過依次經過第I工序和第2工序，不會對膜厚的薄厚產生影響(即，即使是5nm以下的膜厚)，可以形成上述的含有率變化結構的硬掩模層12。
[0082](抗蝕劑層的形成)
[0083]在如以上形成了硬掩模層12之後，接下來，如圖1 (C)所示，在硬掩模層12上形成抗蝕劑層13。抗蝕劑層13的形成通過例如對硬掩模層12塗布電子線描繪用的抗蝕劑來進行。作為電子線描繪用的抗蝕劑，只要是適合於之後的蝕刻工序的抗蝕劑即可。在該情況下，如果抗蝕劑層13是正型抗蝕劑，則進行了電子線描繪的部位對應於基板11上的槽的位置，如果抗蝕劑層13是負型抗蝕劑，則是其相反的位置。
[0084]另外，抗蝕劑層13無需一定是利用電子線描繪用的抗蝕劑的抗蝕劑層，也可以是例如利用光壓印用的抗蝕劑的抗蝕劑層。作為光壓印用的抗蝕劑，列舉有光硬化性樹脂特別是紫外線硬化性樹脂，其中只要是適合於之後進行的蝕刻工序的抗蝕劑即可。並且，還可以考慮使用熱壓印用的抗蝕劑，而不是光壓印用的抗蝕劑。
[0085]優選的是，抗蝕劑層13的厚度是在硬掩模層12的蝕刻完成之前殘留的程度的厚度。這是因為，在硬掩模層12的圖案化時，抗蝕劑層13由於蝕刻而被減膜，因而有必要採用考慮了這一方面的厚度。
[0086]這樣形成的抗蝕劑層13通過硬掩模層12的表面氧化而充分確保了與該硬掩模層12的密合性。因此，例如即使在壓印技術中使用的情況下，也能良好地進行圖案轉印。
[0087]
[0088]下面，對使用通過以上的步驟的製造方法得到的模具坯10來製造母模具或複製模具的情況的步驟進行說明。
[0089](圖案描繪)
[0090]這裡，首先，對通過電子線描繪形成抗蝕劑圖案的情況進行說明。
[0091]在該情況下，使用電子線描繪器，在模具坯10的抗蝕劑層13上描繪細微圖案。該細微圖案可以使微米級，然而從近年的電子設備的性能的觀點來看，可以是納米級，當考慮最終製品的性能時，這一點是優選的。
[0092]然後，在細微圖案描繪後，如圖1 (d)所示，使抗蝕劑層13顯像，去除抗蝕劑中的進行了電子線描繪的部分，形成與期望的細微圖案對應的抗蝕劑圖案。該描繪的細微圖案的位置對應於最後在基板11上加工的槽的位置。
[0093]另外，在進行了電子線描繪和顯像之後，根據需要，進行去除抗蝕劑殘渣(scum)的除殘渣處理。[0094](圖案轉印)
[0095]接著，對通過來自模型模具的圖案轉印而不是電子線描繪來形成抗蝕劑圖案的情況進行說明。
[0096]在該情況下，在抗蝕劑層13上配置未圖示的模型模具。此時，如果抗蝕劑層13是液狀，則僅載置模型模具即可。並且，如果抗蝕劑層13是固體形狀，則只要使模型模具按壓抗蝕劑層13，將模型模具的細微圖案轉印到抗蝕劑層13上即可。
[0097]之後，如果是例如光壓印，則使用紫外線照射裝置來使光硬化性樹脂硬化，使細微圖案形狀固定在抗蝕劑上。此時，紫外線的照射通常從模型模具側進行，然而在基板11是透光性基板的情況下，可以從基板11側進行。
[0098]另外，在圖案轉印時，為了防止由模型模具和模具坯10之間的位置偏差引起的轉印不良，可以進行在基板上設置對準標記用的槽的準備。具體地說，在細微圖案轉印用的曝光時，將掩模對準器設置在抗蝕劑上。通過從該掩模對準器上進行曝光，可以形成去除了對準標記部分的抗蝕劑的抗蝕劑圖案。
[0099]在細微圖案轉印後，從模具坯10上取下模型模具，將模型模具的圖案轉印到模具坯10上的抗蝕劑。有時在所轉印的抗蝕劑圖案上存在蝕刻硬掩模層12不需要的殘膜，通過使用了氧、臭氧等氣體的等離子體的灰化進行去除。由此，如圖1 (d)所示，形成抗蝕劑圖案。另外，有關該抗蝕劑圖案，在未形成抗蝕劑的部分中，在基板11上形成有槽。
[0100](第I蝕刻)
[0101]在抗蝕劑圖案的形成後，對於電子線描繪或者來自模型模具的圖案轉印的任一情況，將所形成的抗蝕劑圖案作為掩模進行對硬掩模層12的蝕刻。具體地說，將形成了抗蝕劑圖案後的模具坯10導入到乾式蝕刻裝置內，進行利用例如氯氣或包含氯氣的混合氣體的乾式蝕刻，在應對抗蝕劑層13的去除部分的同時部分地去除硬掩模層12。通過這樣對硬掩模層12進行蝕刻，如圖1 (e)所示，在基板11上形成具有細微圖案的硬掩模圖案。另夕卜，此時的蝕刻終點只要通過使用反射光學式的終點檢測器進行判別即可。
[0102](第2蝕刻)
[0103]在硬掩模圖案的形成後，對在上述的第I蝕刻中使用的氣體進行真空排氣之後，在相同的乾式蝕刻裝置內，對基板11進行使用例如氟系氣體的乾式蝕刻。此時，以硬掩模圖案作為掩模對基板11進行蝕刻，對基板11實施與圖1 (f)所示的細微圖案對應的槽加工。另外，在實施了對準標記的情況下，在基板11上也形成有對準標記用的槽。
[0104]作為這裡使用的氟系氣體，列舉有包含CxFy (例如，CF4, C2F6, C3F8), CHF3、它們的混合氣體或者作為它們的添加氣體的稀有氣體(He、Ar、Xe等)的氟系氣體等。
[0105]這樣，對基板11實施與細微圖案對應的槽加工，在基板11的槽以外的部分上形成具有細微圖案的硬掩模層12，使用雙氧水硫酸等的酸溶液去除抗蝕劑，從而如圖1 (f)所示，製作出用於壓印用模具20的殘留硬掩模層去除前模具。另外，可以在基板11的加工前去除抗蝕劑。
[0106](殘留硬掩模層的去除蝕刻)
[0107]之後，對殘留硬掩模層去除前模具進行溼式蝕刻。具體地說，首先，將去除了抗蝕劑後的殘留硬掩模層去除前模具導入到溼式蝕刻裝置內。然後，使用硝酸第二鈰氨溶液進行溼式蝕刻，去除硬掩模圖案(即，殘留在基板11上的硬掩模層12)。此時，可以使用與過氯酸的混合液。另外，除了硝酸第二鈰氨溶液以外，只要是還能夠去除硬掩模層12的溶液即可。在通過蝕刻去除了殘留的硬掩模層12之後，根據需要進行基板11的衝洗等。這樣，完成圖1 (g)所示的壓印用模具(即，母模具或複製模具)20。
[0108](其它蝕刻)
[0109]另外，在本實施方式中，列舉進行第I?第2蝕刻和殘留硬掩模層的去除蝕刻的情況為例，然而可以根據模具坯10的結構物質，在各蝕刻之間另行追加蝕刻。
[0110]並且，有關第I和第2蝕刻，可以採用溼式蝕刻來取代乾式蝕刻。具體地說，在第I蝕刻中，與殘留硬掩模層的去除蝕刻一樣，使用硝酸第二鈰氨溶液和過氯酸的混合液。並且，在第2蝕刻中，在基板11是石英的情況下，可以進行使用了氟酸的溼式蝕刻。以往，溼式蝕刻與乾式蝕刻相比可以說是各向同性的，認為不面向細微圖案的加工方法。然而，只要是本發明那樣的、在層厚方向上組成連續性地、階段性地變化的硬掩模層，就能夠在層厚方向上使蝕刻率變化，因而通過採用從上層部分到下層部分蝕刻率連續性地、階段性地變大的組成，即使是溼式蝕刻也可以實現各向異性的蝕刻，因而能夠在細微圖案加工中採用。實際上，作為本發明的一個方式的「上層:富氧、下層:富氮(N rich)的CrON膜」能夠實現上述的「各向異性的溼式蝕刻」。
[0111]另一方面，有關殘留硬掩模層的去除蝕刻，可以進行乾式蝕刻而不是溼式蝕刻。有關殘留硬掩模層的去除蝕刻的基本步驟、去除硬掩模層12的乾式蝕刻用的氣體、乾式蝕刻進行的機理，與上述的第I蝕刻(乾式蝕刻)相同。
[0112]而且，如本實施方式那樣可以僅使任一蝕刻採用溼式蝕刻，在另一蝕刻中進行乾式蝕刻，也可以在全部蝕刻中進行溼式蝕刻或乾式蝕刻。並且，在圖案尺寸是微米級的情況等下，可以根據圖案尺寸導入溼式蝕刻，以便在微米級階段進行溼式蝕刻，在納米級階段進行乾式蝕刻。
[0113]
[0114]根據在本實施方式中說明的模具坯10及其製造方法，得到以下的效果。
[0115]根據本實施方式，模具坯10中的硬掩模層12具有這樣的含有率變化結構:N含有率在層厚方向上連續性地或者階段性地變化，而且O含有率在層厚方向上朝與N實質相反方向連續性地或者階段性地變化。如果是這樣的含有率變化結構，則即使由於硬掩模層12的氧化而產生O含有率高的部分，也能抑制該氧化朝層厚方向整體的擴展，因而不管硬掩模層12的膜厚(即，無論是何種膜厚)，都能夠使該硬掩模層12中的導電性確保和密合性確保同時並存。
[0116]特別是，如在本實施方式中說明那樣，對于越是基板11側則N含有率就越高、越是與基板11相反的表面側則O含有率就越高的含有率變化結構，可以抑制硬掩模層12的表面氧化的影響向整個層厚方向擴展。因此，在確保硬掩模層12中的導電性的同時、確保與相當於硬掩模層12的上層的抗蝕劑層13的密合性方面是非常優選的。
[0117]這一點如在本實施方式中所說明那樣，是由於N具有抑制硬掩模層12的層內氧化的功能、O具有提高在硬掩模層12的表面形成抗蝕劑層13時的密合性的功能而實現的。也就是說，通過有關硬掩模層12中的N和O採用上述的含有率變化結構，可靠實現在該硬掩模層12中的導電性確保和密合性確保的同時並存。
[0118]並且，上述的含有率變化結構的硬掩模層12與層疊膜結構的情況相比，對薄膜化的應對變得非常容易。因此，如在本實施方式中所說明那樣，使硬掩模層12的膜厚為5nm以下是能夠容易實現的。這樣，如果使硬掩模層12的膜厚為5nm以下，則能夠充分應對在母模具等中的細微凹凸圖案的形成，並且可以針對細微凹凸圖案的蝕刻也充分執行作為掩模的功能，而且硬掩模層12自身的圖案化所需要的時間也不會過大。而且，即使在使膜厚為5nm以下的情況下，只要是在本實施方式中說明的結構的硬掩模層12，就也能夠使硬掩模層12中的導電性確保和密合性確保同時並存。
[0119]並且，如在本實施方式中所說明那樣，如果基板11使用石英或矽，則可以構成適合於製造母模具或複製模具的模具坯10。這是因為，這樣的母模具等可以用於光壓印或熱壓印等，而且也可以應用於納米壓印技術。特別是，可以將本實施方式優選應用於使用納米壓印技術製作的DTR介質或|BPM。
[0120]並且，如在本實施方式中所說明那樣，如果硬掩模層12構成為包含N含有率30[at%]以上的部分，則可將表面附近的氧化部分(氧化層)抑制得薄，因而可將硬掩模層12中的導電性和反射率保持得高。因此，在防止電子線描繪時的電荷增大方面是非常優選的，而且能夠容易進行在電子線描繪時的對焦。
[0121]如在本實施方式中所說明那樣，硬掩模層12是以從抗蝕劑層13形成的抗蝕劑圖案作為掩模來蝕刻的。這裡，通常抗蝕劑層13與硬掩模層12的蝕刻率差比硬掩模層12與基板11的蝕刻率差小。即，在從蝕刻耐性的觀點來探討硬掩模層12的組成的情況下，(與基板11相比)通常著眼於與抗蝕劑層13的蝕刻選擇比來探討。從該觀點來說可知，具有硬掩模層12的N含有率[at%]越大則蝕刻率就越大的傾向。因此，通過增大N含有率[at%]，能夠使抗蝕劑層13相對於硬掩模層12的膜厚薄膜化，從形成細微圖案的觀點來看是優選的。
[0122]得到以上的效果的模具坯10如在本實施方式中所說明那樣，通過經過第I工序和第2工序來形成硬掩模層12，可以容易且可靠製造。S卩，在第I工序中，在基板11上形成CrN層，在第2工序中，使CrN層的表面附近區域氧化，並且將CrN層內包含的N作為氧化抑制材料執行功能來抑制氧化向整個層厚方向擴展。這樣，通過利用N作為氧化抑制材料的功能，容易且可靠地得到使導電性確保和密合性確保同時並存的結構的硬掩模層12。其結果，得到高精度形成有細微凹凸圖案的母模具和複製模具。
[0123]
[0124]以上對本發明的實施方式作了說明，然而上述公開內容表示本發明的例示的實施方式。即，本發明的技術範圍不限定於上述的例示的實施方式。
[0125]以下，對上述的實施方式以外的實施例進行說明。
[0126]在上述的實施方式中，列舉硬掩模層12中的N和O含有率在層厚方向上連續地且階段性地變化、由此使導電性確保和密合性確保同時並存的情況作了說明。不過，硬掩模層12可以不是連續性的或階段性的含有率變化結構，也可以是以下所述的結構的含有率變化結構。即，硬掩模層12可以是這樣的結構:具有包含對在基板11上進行的蝕刻有耐性和導電性的金屬材料即Cr的組成，同時，在與基板11相反側的表面附近區域形成有氧化部，在基板11側的區域含有抑制氧化部向整個層厚方向擴展的氧化抑制材料。這樣的結構，也能夠通過含有氧化抑制材料來確保硬掩模層12中的導電性，並且，由於表面附近區域中的氧化部的存在而確保與抗蝕劑層13的密合性。[0127]在這樣的結構的硬掩模層12中，作為氧化抑制材料，與上述的實施方式的情況一樣，考慮使用N。這是因為，如果是N，則在可靠發揮氧化抑制功能的同時，不妨礙導電性和蝕刻耐性等。而且，這是因為，可以通過濺鍍容易形成含有N的組成的層。
[0128]實施例
[0129]下面，列舉實施例具體說明本發明。不過，當然本發明不限定於以下的實施例。
[0130]
[0131]在實施例1中，作為基板11使用了圓盤狀合成石英基板(外徑150mm、厚度0.7mm)(參照圖1 (a))。將該基板(以下稱為「石英基板」)11導入到濺鍍裝置內。
[0132]然後，不進行大氣暴露，使用氬和氮的混合氣體(Ar:N2流量比=70:30，以下記為「氮流量比率30% 」)對鉻靶進行濺鍍，使由CrN構成的層(以下稱為「CrN層」)以2.3nm的厚度成膜。之後，對所形成的CrN層進行在大氣中200°C、15分鐘的烘烤處理，使CrN層的表面側氧化而形成了硬掩模層12 (參照圖1 (b))。
[0133]在這樣的硬掩模層12形成後，在該硬掩模層12上，將電子線描繪用的抗蝕劑材料(日本七才 > 公司制ZEP520A)通過旋塗塗布成45nm的厚度，進行烘烤處理，形成抗蝕劑層13 (參照圖1 (C))。
[0134]然後，使用電子線描繪器(加壓電壓IOOkV),在形成於硬掩模層12上的抗蝕劑層13上描繪孔徑13.4nm、間距25nm的點圖案，之後使抗蝕劑層13顯像來形成與細微圖案對應的抗蝕劑圖案(參照圖1 (d))。
[0135]然後，將形成有硬掩模層12的石英基板11導入到乾式蝕刻裝置內，進行使用Cl2/O2氣體的乾式蝕刻。由此，去除硬掩模層12中的不需要部分，形成細微圖案(參照圖1(e))。然後，使用由濃硫酸和雙氧水構成的硫酸雙氧水(濃硫酸:雙氧水=2:1 (體積比))來去除抗蝕劑圖案。
[0136]而且，在將針對硬掩模層12的乾式蝕刻中使用的氣體進行了真空排氣後，在相同的蝕刻裝置內，以殘留的硬掩模層12作了掩模的同時，對石英基板11進行使用氟氣的乾式蝕刻(CHF3:Ar = 1:9(體積比))。這裡，以殘留的硬掩模層12作為掩模對石英基板11進行蝕刻加工，在該石英基板11上形成與細微圖案對應的孔(參照圖1 (f))。
[0137]在這樣對石英基板11進行了孔加工之後，對殘留在該石英基板11上的硬掩模層12，進行使用硝酸第二鈰氨的溼式蝕刻。
[0138]經過以上工序，適當進行衝洗處理和乾燥處理等，製作出本實施例中的壓印模具。
[0139]
[0140]在實施例2中，使由CrN (氮流量比率30%)構成的CrN層以2.3nm的厚度成膜，形成硬掩模層12。然後，在硬掩模層12上的抗蝕劑層13上描繪孔徑16.4nm、間距30nm的點圖案，形成抗蝕劑圖案。除此以外，使用與上述的實施例1的情況相同的條件，製作出本實施例中的壓印模具。即，實施例2中的點圖案的孔徑和間距與實施例1的情況不同。
[0141]
[0142]在實施例3中，使由CrN (氮流量比率30%)構成的CrN層以2.8nm的厚度成膜，形成硬掩模層12。除此以外，使用與上述的實施例1的情況相同的條件，製作出本實施例中的壓印模具。即，實施例3中的硬掩模層12的膜厚與實施例1的情況不同。
[0143][0144]在實施例4中，使由CrN (氮流量比率30%)構成的CrN層以10.0nm的厚度成膜，形成硬掩模層12。除此以外，使用與上述的實施例1的情況相同的條件，製作出本實施例中的壓印模具。即，實施例4中的硬掩模層12的膜厚與實施例1的情況不同。
[0145]
[0146]在實施例5中，使由CrN (氮流量比率10%)構成的CrN層以2.8nm的厚度成膜，形成硬掩模層12。除此以外，使用與上述的實施例3的情況相同的條件，製作出本實施例中的壓印模具。即，實施例5中的硬掩模層12中的氮流量比率與實施例3的情況不同。
[0147]
[0148]在實施例6中，使由CrN (氮流量比率20%)構成的CrN層以2.8nm的厚度成膜，形成硬掩模層12。除此以外，使用與上述的實施例3的情況相同的條件，製作出本實施例中的壓印模具。即，實施例6中的硬掩模層12中的氮流量比率與實施例3、5的情況不同。
[0149]
[0150]在實施例7中，使由CrN (氮流量比率50%)構成的CrN層以2.8nm的厚度成膜，形成硬掩模層12。除此以外，使用與上述的實施例3的情況相同的條件，製作出本實施例中的壓印模具。即，實施例7中的硬掩模層12中的氮流量比率與實施例3、5、6的情況不同。
[0151]
[0152]在實施例8中，使由CrN (氮流量比率10%)構成的CrN層以2.3nm的厚度成膜，形成硬掩模層12。除此以外，使用與上述的實施例1的情況相同的條件，製作出本實施例中的壓印模具。即，實施例8中的硬掩模層12中的氮流量比率與實施例1的情況不同。
[0153]
[0154]在實施例9中，使由CrN (氮流量比率10%)構成的CrN層以10.0nm的厚度成膜，形成硬掩模層12。除此以外，使用與上述的實施例4的情況相同的條件，製作出本實施例中的壓印模具。即，實施例9中的硬掩模層12中的氮流量比率與實施例4的情況不同。
[0155]
[0156]有關上述的實施例1、2，使用掃描型電子顯微鏡來觀察石英基板中的形成圖案。
[0157]有關實施例1、2中的石英基板11的形成圖案，從掃描型電子顯微鏡觀察的結果可知，儘管硬掩模層12是2.3nm的厚度，然而如圖3 Ca)和(b)所示，也不發生圖案缺陷，高精度地形成細微凹凸圖案。這認為是因為，在硬掩模層12中，確保了防止電子線描繪時的電荷增大所需要的導電性，而且確保了與抗蝕劑層13或抗蝕劑圖案的密合性。
[0158]
[0159]有關上述的實施例1、3、4，使用X線反射率法(X-ray RefIectometer:以下稱為「XRR」)和高解析度盧瑟福後向反射分析(High resolution Rutherford BackscatteringSpectrometry:以下稱為「HR-RBS」)來分析硬掩模層12的層厚方向上的組成。具體地說，對在石英基板11上形成有硬掩模層12的狀態的試樣進行利用XRR的膜厚測定，而且進行利用HR - RBS的組成分析。HR - RBS分析結果，針對認為石英基板11和硬掩模層12內包含的元素即S1、Cr、O、N以及有在大氣暴露時可能附著的C這5元素進行，求出該5元素中的組成元素含有率。另外，在示出分析結果的圖4中，縱軸表示組成元素的含有率，即在該組成元素的層內的濃度(at%)。並且，有關橫軸，根據利用HR — RBS求出的「Cr」的數據，將Cr濃度為其峰值濃度的一半的位置設定在石英基板11與硬掩模層12的界面，之後根據在利用XRR的膜厚測定中得到的值、和有關石英基板11的假定密度即2.65g/cm3 (出處:理化學詞典)的值，將組成元素的層厚方向的分布位置換算成nm來示出(單位:[轉換後nm(converted nm)])。即，層厚方向的分布位置並不一定與實際的距離[nm] —致，並且，各自的數據中的I[轉換後nm]的範圍並不完全一致。另外，層厚方向深度是O[轉換後nm]相當於硬掩模層12表面。在實施例1、3、4任一硬掩模層12中，表面附近區域都是富氧(Orich)狀態，而且在深層區域中都是富氮(N rich)區域，確認出得到本發明的效果。
[0160]實施例1、3、4中的硬掩模層12的組成，如圖4(a)所示，表面附近區域處於富氧狀態。然後，有關實施例1、3，在O含有率連續性地減少之後，再次轉而增加。這認為是由於在硬掩模層12的下層即石英基板11內包含的O的影響而檢測出的。並且，有關實施例4，在O含有率向深層側連續性地減少之後，不是轉而再次增加，而是以維持低濃度狀態的方式變化。這認為是因為下層(石英基板11)內包含的O的影響越不出現，就越存在硬掩模層12的厚度。
[0161]另一方面,在實施例1、3、4中,有關N含有率,如圖4 (b)所不,處於與硬掩模層12的表面側相比深層側含有得多的狀態。並且，有關實施例1、3，對應於O含有率變化，在N含有率連續性地增加之後，再次轉而減少。有關實施例4，對應於O含有率變化，在N含有率連續性地增加之後，維持高濃度狀態。
[0162]也就是說，從圖4 (a)和(b)所示的組成分析結果可知，在實施例1、3、4任一方中，不管硬掩模層12的膜厚，都具有O和N含有率實質相互反向變化的含有率變化結構。
[0163] [0164]有關上述的實施例3、5、6、7，使用XRR和HR —RBS分析了硬掩模層12的層厚方向上的組成。即，為了調查在使硬掩模層12膜厚一定的情況下的N濃度的變化造成的影響而進行了組成分析。另外，表示分析結果的圖5中的縱軸和橫軸與上述的圖4的情況相同。在實施例3、5、6、7任一方的硬掩模層12中，表面附近區域都是富氧狀態，而且在深層區域中都是富氮區域，確認出得到本發明的效果。
[0165]將圖5 (a)所示的實施例5的組成分析結果、圖5 (b)所示的實施例6的組成分析結果、圖5 (c)所示的實施例3的組成分析結果進行比較可知，實施例6與實施例5相比，可以減少表面附近的氧化部的厚度，而且實施例3與實施例6相比(即氮流量比率越高)，就越可以減少表面附近的氧化部的厚度。不過，將實施例3的組成分析結果和圖5 (d)所示的實施例7的組成分析結果進行比較，表面附近的氧化部的厚度沒有大的差異。由此，在將表面附近的氧化部(氧化層)抑制得薄方面期望的是氮流量比率越多，具體地說，可以說期望的是，氮流量比率是30%以上。在上述的HR - RBS分析結果中的硬掩模層12中的含有N濃度中，可以說期望的是，硬掩模層12中的N含有率是30[at%]以上。
[0166]另外，表面附近的氧化部是指在硬掩模層12中產生氧化且O濃度是預定值以上的部分，氧化部的厚度是指從硬掩模層12的表面到O濃度是預定值的部位的層厚方向深度。有關O濃度的預定值，只要是預定的值即可，也可以使用在層厚方向上變化的O濃度的下限值那樣的可變值，也可以使用O濃度30[at%]之類的固定值。
[0167]
[0168]有關上述的實施例1、3、4、5、8、9的各方，使用父1^和冊一1?5分析了硬掩模層12的層厚方向上的組成。即，有關硬掩模層12的膜厚是2.3nm、2.8nm、10.0nm的各方，為了使氮流量比率是30%的情況和是10%的情況進行對比而進行了組成分析。另外，示出分析結果的圖5、圖6中的縱軸和橫軸與上述的圖4的情況相同。在任一的硬掩模層12中，表面附近區域都是富氧狀態，而且在深層區域中都是富氮區域，確認出得到本發明的效果。
[0169]將圖6 (a)所示的實施例1的組成分析結果和圖6 (b)所示的實施例8的組成分析結果進行比較可知，在膜厚2.3nm的情況下，實施例1的情況可以減少表面附近的氧化部的厚度。
[0170]將圖5 (C)所示的實施例3的組成分析結果和圖5 (b)所示的實施例5的組成分析結果進行比較可知，在膜厚2.Snm的情況下，實施例3的情況可以減少表面附近的氧化部的厚度。
[0171]將圖6 (C)所示的實施例4的組成分析結果和圖6 (d)所示的實施例9的組成分析結果進行比較可知，在膜厚10.0nm的情況下，實施例4的情況可以減少表面附近的氧化部的厚度。
[0172]也就是說，在任一膜厚的情況下，在將表面附近的氧化部分(氧化層)抑制得薄方面，都可以說期望的是N含有量越多。
[0173]
[0174]從上述的評價I?4的結果可知，如果採用實施例1?9那樣的硬掩模層12中的O和N的含有率變化結構，則即使在應對硬掩模層12的薄型化的情況下，也可以使硬掩模層12中的導電性確保和密合性確保同時並存，其結果是，能夠在基板11上高精度地形成細微凹凸圖案。
[0175]標號說明
[0176]10:模具坯；11:基板(石英基板)；12:硬掩模層；13:抗蝕劑層；20:壓印用模具。
【權利要求】
1.一種模具坯，所述模具坯具有:基板、和形成在所述基板上且成為在對所述基板進行蝕刻時的掩模材料的硬掩模層，所述模具坯的特徵在於， 所述硬掩模層具有包含鉻、氮和氧的組成，並具有這樣的含有率變化結構:所述氮的含有率在層厚方向上連續性地或者階段性地變化，而且所述氧的含有率在所述層厚方向上朝與所述氮實質相反的方向連續性地或者階段性地變化。
2.根據權利要求1所述的模具坯，其特徵在於，在所述含有率變化結構中，越是所述基板一側則所述氮的含有率就越高，越是與所述基板相反的表面側則所述氧的含有率就越聞。
3.根據權利要求2所述的模具坯，其特徵在於， 所述氮具有抑制層內的氧化的功能， 所述氧具有使在表面形成抗蝕劑層時的密合性提高的功能。
4.根據權利要求3所述的模具坯，其特徵在於，所述硬掩模層的膜厚是5nm以下。
5.根據權利要求3所述的模具坯，其特徵在於，所述基板是石英或矽。
6.根據權利要求3所述的模具坯，其特徵在於，所述硬掩模層包含所述氮的含有率是30 [at%]以上的部分。
7.一種模具坯，所述模具坯具有:基板、和形成在所述基板上且成為在對所述基板進行蝕刻時的掩模材料的硬掩模層，所述模具坯的特徵在於， 所述硬掩模層具有包含對所述蝕刻具有耐性並具有導電性的金屬材料的組成， 在與所述基板相反側的表面附近區域內形成有氧化部， 在所述基板一側的區域內含有抑制所述氧化部向整個層厚方向擴展的氧化抑制材料。
8.根據權利要求7所述的模具坯，其特徵在於，所述氧化抑制材料是氮。
9.一種母模具，其特徵在於，所述母模具具有凹凸圖案，並由權利要求1至8中任一項所述的模具坯形成。
10.一種複製模具，其特徵在於，所述複製模具具有凹凸圖案，並由權利要求1至8中任一項所述的模具坯形成。
11.一種模具坯的製造方法，所述模具坯具有:基板、和形成在所述基板上且成為在對所述基板進行蝕刻時的掩模材料的硬掩模層，所述模具坯的製造方法的特徵在於，所述模具坯的製造方法具有: 第I工序，在所述基板上形成包含鉻和氮的組成的所述硬掩模層；以及 第2工序，在所述硬掩模層中的與所述基板相反側的表面附近區域內形成氧化部，並通過使所述氮作為氧化抑制材料發揮功能來抑制所述氧化部向整個層厚方向擴展。
【文檔編號】B29C33/38GK103828022SQ201280047339
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2012年9月12日 優先權日:2011年9月30日
【發明者】谷口和丈, 岸本秀司, 佐藤孝 申請人:Hoya株式會社