磁場傳感器的製作方法
2023-08-08 10:58:46 2
技術領域
本發明的實施例涉及包括磁體的磁場傳感器，該磁體也被稱為背偏置磁體。
背景技術：
在許多技術領域中，磁場傳感器被採用來例如檢測對象的運動。在一些應用中，作用在磁場傳感器上的磁場受相應的對象的運動影響，使得在對象的運動方面可以在通過磁場傳感器檢測的磁場的改變的基礎上得出結論。
尤其在汽車應用的領域中找到示例，在ABS應用（ABS=防抱系統）例如使用相應的磁場傳感器監視車輪的運動。汽車技術領域中的其他應用包括觀察或監視曲軸、凸輪軸和機動車輛領域中的其他軸的運動。
取決於相應磁場傳感器的特定實施方式，它們包括所謂的背偏置磁體，其位於關於磁場傳感器的實際磁場傳感器元件的固定布置中。在這種磁場傳感器中，通過磁場傳感器自身檢測的磁場因此可以是至少部分地由背偏置磁體引起的。其運動例如經由磁場傳感器監視的對象通過其自身的磁體或磁場分量可能地影響或補充大部分磁場，其然後將通過磁場傳感器來檢測。
取決於在實際磁場傳感器元件的上下文中採用的技術，被經常實施為永久磁體的背偏置磁體具有不同的需求。這可尤其計及下述事實：一些磁場傳感器元件技術對不同的磁場分量敏感，展示對磁場的不同響應以及包括特定於相應類型的不同磁場邊界。
技術實現要素：
磁場傳感器的一個實施例包括磁場傳感器布置和磁性體，其包括相對於延伸通過磁性體的橫截面的非凸橫截面區域，該磁性體包括非均勻磁化。
磁場傳感器的另一實施例包括磁場傳感器布置、包括第一磁化方向的第一磁性體以及包括第二磁化方向的第二磁性體，第一和第二磁化方向不同於彼此。
產生磁場傳感器的方法的一個實施例包括：提供磁性體，該磁性體包括相對於延伸通過磁性體的橫截面平面的非凸橫截面區域，該磁性體具有非均勻磁化；關於磁性體的第一和第二空間區域存在，使得在第一空間區域中由磁性體引起的磁通量密度關於預定空間方向在第一通量密度範圍內，並且使得在第二空間區域中由磁性體關於預定空間方向引起在第二通量密度範圍內的磁通量密度；以及布置包括第一和第二磁場傳感器元件的磁場傳感器布置，使得在第一空間區域中布置第一磁場傳感器元件並且在第二空間區域中布置第二磁場傳感器元件。
產生磁場傳感器的方法的另一實施例包括：提供具有第一磁化方向的第一磁性體以及具有第二磁化方向的第二磁性體；第一和第二磁化方向不同；關於第一磁性體和第二磁性體的第一空間區域和第二空間區域存在，使得在第一空間區域中由第一磁性體和第二磁性體關於預定空間方向引起在第一通量密度範圍內的磁通量密度，並且使得在第二空間區域中由第一磁性體和第二磁性體關於預定空間方向引起在第二通量密度範圍內的磁通量密度；以及提供包括第一和第二磁場傳感器元件的磁場傳感器布置，使得在第一空間區域中布置第一磁場傳感器元件並且在第二空間區域中布置第二磁場傳感器元件。
附圖說明
本發明的實施例將隨後參考附圖被詳述，在附圖中：
圖1a示出磁場傳感器的第一實施例的橫截面視圖；
圖1b示出磁場傳感器的另一實施例的橫截面視圖；
圖2示出磁場傳感器的實施例的使用的潛在示例的示意性表示；
圖3a和圖3b示出磁場傳感器的另外的實施例的橫截面視圖；
圖4示出在磁場傳感器及其背偏置磁體的實施例的情況下的所得到的磁流體密度的數值模擬的結果；
圖5示出在圖4中示出的背偏置磁體的情況下的磁通量密度的x分量的表示；
圖6a和圖6b示出磁場傳感器的另外的實施例的橫截面視圖；
圖7示出針對磁場傳感器或其背偏置磁體的實施例的磁通量密度的數值模擬的結果；
圖8示出針對在圖7中示出的數值模擬的磁通量密度的x分量的曲線；
圖9示出圖8中示出的曲線的放大表示；
圖10a和圖10b示出磁場傳感器的另外的實施例的橫截面視圖；
圖11示出關於磁場傳感器的實施例的磁通量密度的數值模擬的結果；
圖12a和12b示出針對圖11中示出的數值模擬的磁流體密度的x分量的各種曲線；
圖13示出磁場傳感器的另一實施例的橫截面表示；
圖14A圖示根據本公開的另一非均勻磁體的橫截面視圖；
圖14B圖示另一非均勻磁體的示例性形狀的空間視圖；
圖14C圖示結合裸片傳感器的非均勻背偏置磁體；
圖14D圖示根據本公開的非均勻背偏置磁體的另一實施方式；
圖15圖示針對非均勻和均勻磁場的Bx分量；
圖16圖示針對另一非均勻磁體的磁化的模擬分布；以及
圖17圖示針對指示另一磁體的不同非均勻磁化水平的不同角度α的模擬的Bx分量。
具體實施方式
圖1a至13示出具有其磁性體或背偏置磁體的磁場傳感器以及形式為曲線或其他表示的數值模擬的結果的各種實施例的示意性表示。然而，在圖2的上下文中給出磁場傳感器的潛在應用場景的更詳細描述之前，描述將在圖1a的上下文中由磁場傳感器連同磁性體或背偏置磁體的第一實施例初始地給出。
圖1a示出包括磁性體或背偏置磁體110和磁場傳感器布置120的磁場傳感器100的第一實施例。圖1a中的磁性體包括凹部130，其面向磁場傳感器布置120並且具有關於延伸通過磁性體的橫截面的多邊形橫截面，如在圖1a中描繪的那樣。
在這裡，凹部130在圖1a示出的實施例中具有帶有總共七個頂點140-1至140-7的多邊形橫截面。不同於在圖1a中示出的磁性體110的橫截面形狀，在磁場傳感器100的其他實施例中，磁性體110的凹部130也可以包括偏離七的頂點140的數目。例如，在三角形凹部的情況下，關於延伸通過磁性體110的相應橫截面平面，該凹部也可以僅包括三個頂點140。然而，原則上，任何數目的頂點140可以定義相對於橫截面平面的凹部130的相應的橫截面形狀。
在垂直於圖1a中示出的橫截面平面的磁性體110的形狀和延伸方面，相應的磁性體110可以包括例如關於突出超過圖1a中示出的橫截面平面或與其垂直的橫截面平面的相同橫截面平面。換言之，取決於凹部130的特定實施方式，關於延伸通過中心點或任何其他指定點的橫截面平面的相同形狀可以產生。例如，在這種情況下，所有潛在頂點140的集合將關於垂直於圖1a中示出的平面的平面形成點的圓形和/或橢圓形集合，或者可能地形成具有部分圓形或部分橢圓形的形狀的點的集合。
在磁場傳感器100的其他實施例中，磁性體110可以展示關於不是橫截面平面的平面的凹部130的其他形狀。例如，這種凹部130可以關於垂直於圖1a中示出的平面的平面包括與其偏離的橫截面形狀。因此，有可能例如相應凹部130以磁性體110內的凹槽的形狀來實施，使得在該情況下通過相應磁性體110的相應橫截面具有例如矩形形狀、方形形狀或任何其他形狀，其是凸的。
當然，存在磁場傳感器100的實施例的磁性體110的其他配置，其中垂直於圖1a中示出的平面的相應橫截面也具有多邊形、橢圓形或任何其他橫截面形狀。
另外，以非均勻方式磁化的磁性體110的其他配置也可以自然地被採用在磁場傳感器100的實施例中。例如，關於被繪製為圖1a中的虛線的直連接線160和/或關於通常在本文中定義的非凸橫截面平面形狀，以非均勻方式磁化的磁性體110也可以呈現「被視為與其鏡像」的橫截面形狀，只要磁性體110以非均勻方式磁化。
然而，在以下提出的實施例中，應特別參考非凸磁性體110，以便簡化描述，然而，隨後說明可適用於實質上所有磁性體110，其以非均勻方式磁化。
如例如在圖1a中描繪的磁性體110因此包括關於延伸通過磁性體110的橫截面平面的非凸橫截面平面150。在該上下文中，平面（即，例如還有橫截面區域諸如橫截面區域150）內的點的集合精確地在對於相應量的分別的任何兩個點誠然也是這兩個點之間的直接直連接線完全延伸在相應量內即在橫截面區域150內時是凸的。換言之，平面內的量精確地在相應量的所有潛在點的所有潛在直連接線完全延伸在該量內時是凸的。
如以上解釋的，磁性體110的橫截面區域150是非凸的，因為例如被繪製為圖1a中的虛線的直連接線160（其端點兩者都位於橫截面區域150內是相應量的元件）即是相應量的元件，然而不完全位於相應量內，即在橫截面區域150內。相反，直連接線160與凹部130相交。因此，橫截面區域150是非凸的，使得其也可以被稱為凹面。術語凹和非凸因此可以可能地被同義地使用。
圖1a中示出的磁場傳感器100的實施例的磁性體110可以例如由永久磁性材料製成。取決於在其上磁場傳感器的實施例不要被採用的邊界條件，即尤其關於潛在溫度的使用、成本、有用磁場和其他參數，磁性體110也可以例如由以下各項製成：鐵、鈷鎳或其他相對複雜化合物和合金，其可能地包括以上提及的金屬作為成分。原則上，相應的磁性體或背偏置磁體110可以從鐵氧體、鋁-鎳-鈷（AlNiCo）、還有釤-鈷(SmCo)或釹-鐵-硼（NdFeB）製造。當然，其他材料組合或材料作為針對相應磁性體110的應用領域也是可行的。
如在圖1a中由箭頭170指示的，磁性體或背偏置磁體110具有非均勻磁化。磁性體110的磁化M在這裡已經被特別生成為非均勻的、各種磁化發生在各種點處特別是在橫截面區域150內，該磁化至少關於其幅值或強度和/或其方向而不同。
換言之，磁性體的磁化在其大部分不是均勻時是非均勻的，均勻磁化被理解為在本申請的上下文中意指關於其方向和強度是恆定和單向的磁化。換種說法，磁性體110具有如箭頭170示出的非均勻磁化，因為磁性體110的磁化不具有在向量意義上跨整個磁性體或跨整個磁性體的主要部分的磁化M的恆定方向和/或恆定幅值。在本申請的上下文中，整個磁性體110或磁性體110的主要部分被理解為意指範圍從50%到100%即例如95%、90%、80%、75%、70%或60%的磁性體110的體積分數，有可能相應體積分數根據磁場傳感器的實施例的應用和實施方式的相應領域而產生。
另外，應當在這裡指出的是，對於在整體體積中包括在幅值和方向方面是恆定的磁化的許多磁體，即以均勻方式磁化的磁體而言，從其產生的磁場可以在磁體的外部和內部兩者上是非均勻的。換言之，在磁體的外部和/或內部上的非均勻磁場的存在不需要是磁化也是非均勻的指示。在許多情況下，均勻磁化是特別有吸引力的，因為它們可以以相當簡單和廉價方式製造。
如例如圖5a中示出的磁場傳感器100的實施例的磁性體110或背偏置磁體110經常包括取決於使用的示例範圍從幾百毫特斯拉（≥100 mT）到幾特斯拉（3T）的剩餘磁通量密度。取決於磁場傳感器110的實施例的特定實施方式和規範，磁性體100因此可以包括例如典型地為500 mT或1 T的「磁化」或剩餘磁通量密度Brem，其因為磁化而存在。然而，應當在該上下文中指出的是，以上提及的通量密度範圍不要以限制意義進行理解。相反，它們僅僅是如可以用在磁場傳感器100的實施例的應用的一些領域中的示例。原則上，其他的磁化可以根據各種參數，即，例如個體磁場傳感器元件技術的參數、相應的磁場傳感器的尺寸和其他參數而被使用。
除了磁性體之外或背偏置磁體110之外，圖1a中示出的磁場傳感器100的實施例也包括磁場傳感器布置120，其包括例如襯底或晶片180和一個或幾個磁場傳感器元件190作為可選部件。在圖1a中示出的實施例中，傳感器布置120包括在圖1a中繪製的至少兩個磁場傳感器元件190-1、190-2。取決於所使用的技術，磁場傳感器元件190可以是磁阻傳感器元件（xMR傳感器元件）、霍爾傳感器元件、或對磁影響進行反應的其他傳感器元件，諸如磁二極體或磁電晶體。
關於本發明，應當指出的是，磁場傳感器元件可以特別地以展示飽和特性的這種傳感器或傳感器元件（即，例如xMR傳感器元件）被有利地採用。
相比之下，霍爾探頭例如幾乎沒有飽和。然而，由於從霍爾探頭下遊連接的放大器展示飽和特性（因為放大器在其動態範圍之外變得飽和），還可能有利的是，以霍爾探頭使用在這裡描述的磁性體。
磁阻傳感器元件尤其包括AMR傳感器元件(AMR = 各向異性磁阻)、GMR傳感器元件(GMR = 巨磁阻)、CMR傳感器元件(CMR = 龐磁阻)、EMR傳感器元件(EMR = 非凡的磁阻)、TMR傳感器元件(TMR = 隧道磁阻)、或自旋閥傳感器元件。霍爾傳感器可以是水平或垂直的霍爾傳感器。
取決於特定的實施方式，磁場傳感器布置120可以包括另外的部件，諸如評價電路、傳感器電路或用於保護個體的磁場傳感器元件190的相應包封材料。
在磁場傳感器100的一些實施例中，如圖1a所示，例如，磁化M關於在磁化M的x分量Mx的x坐標(x = 0)和磁化的y分量My的圖1a所示的對稱線195具有以下的對稱條件：
Mx(x) = -Mx(-x)
My(x) = My(x) (1)。
這意味著磁化的x分量Mx關於x = 0處的對稱線195具有奇對稱性，並且y分量My關於x坐標和對稱線195具有偶對稱性。更一般地說，磁化M在磁場傳感器的一些實施例中關於相對於部件的相關聯的磁性體110具有奇對稱關係，並且關於另一部件具有偶對稱關係。更具體地說，在磁場傳感器的一些實施例中，磁性體110的磁化M關於矢量分量具有偶對稱關係，並且關於垂直於該矢量分量的矢量分量具有奇對稱關係。
在將結合圖1b到13描述和解釋磁場傳感器的另外的實施例之前，應當指出的是，具有相同或類似功能屬性和特徵的對象、結構和部件由相同參考標記指定。除非另外明確聲明，否則，具有類似或相同功能屬性和特徵的對象、結構和部件的描述可以互換。另外，在本申請的另外的過程中，概述參考標記應當用於在一個實施例中以相同或類似的方式出現幾次的或在不同附圖、實施例中以類似方式出現的對象、結構和部件，除非解釋和討論了非常特定的對象、結構或部件的特徵或屬性。概述參考標記的利用因此能夠實現對本發明的實施例的更簡潔和更清楚的描述。
圖1b示出僅略微不同於圖1a中示出的實施例的磁場傳感器100的另一實施例。圖1b中示出的磁場傳感器100的實施例再次包括磁性體110，磁性體110的磁化M再次由箭頭170指示。在圖1b中描繪的實施例中，磁化M在磁性體的大部分中也是非均勻的，如由箭頭170的軌跡指示的那樣。更具體地說，磁性體110的磁化M再次具有結合方程(1)描述的對稱條件。
不同於圖1a中描繪的實施例，圖1b中示出的磁場傳感器100的實施例的磁性體110具有關於上邊緣不同的軌跡。更具體地說，在圖1a描繪的實施例中，磁性體110的上邊緣由直線定界，而在圖1b中的磁性體110中，磁性體向上延伸超出在圖1b中表示的區域。然而，不管其圖1b中描繪的磁性體中，橫截面區域150關於圖1b中重現的橫截面平面是非凸的，因為其端點位於橫截面區域150內的直接直連接線160再次自身與凹部130相交，並且因此位於橫截面區域150內。換言之，不管上形狀或外形狀，磁性體110的橫截面區域150是非凸的，不管磁性體110的外、上或橫向界限區域的特定形狀。
另外，圖1b中描繪的實施例關於凹部130而不同。雖然在圖1a中示出的實施例中凹部具有多邊形橫截面，但是在圖1b中示出的實施例中，在那裡示出的凹部的橫截面是橢圓形的。
除此以外，在圖1a和1b中示出的磁場傳感器100的實施例幾乎沒有不同。在圖1b中示出的實施例中，磁性體110的橫截面可以包括關於垂直於圖1b中示出的橫截面平面的平面不同形狀、類似的形狀或甚至相同的形狀。
在圖1a和1b所示的兩個實施例中，相對於磁性體110布置磁場傳感器布置120，使得也理想地定位布置120以使得其也在對稱線195上具有磁場傳感器布置120的重心點或中心點。另外，相對於對稱線195理想地對準磁場傳感器布置120，使得在那裡示出的兩個磁場傳感器元件190的圖1a和1b中未繪製的連接線以直角與對稱線195相交。換言之，理想地布置磁場傳感器布置120，使得其複製或採用磁性體110的磁化M的以上描述的對稱性。當然，在磁場傳感器100的相應實施例的實際實施方式的情況下，偏差可以關於x方向上和/或y方向上的偏移並且關於繞任何這些軸或與其垂直的任何軸的旋轉而出現。
如將在本申請的另外過程中解釋的，磁性體110的該恰好是以上描述的非均勻磁化M在磁場傳感器的一些實施例中結合其橫截面形狀同時考慮磁場傳感器元件190所使用的技術能夠實現磁場傳感器布置120關於磁性體110的定位公差的增加的改進。換言之，在磁場傳感器100的一些實施例中，更大的公差可以相對於磁場傳感器布置120的精確布局被實現，而沒有必要在磁場傳感器100的實施例的隨後操作中接受涉及測量精度、功能性或其他參數的不利效果，其可以可能地由磁場傳感器元件190引起，磁場傳感器元件190關於磁性體110不利地定位。
特別是在磁阻磁場傳感器元件190的情況下，在磁場傳感器100的一些實施例中，將如被包括在實施例的框架中的磁性體110可能是有利的。如以下將解釋的，在一些實施例中，相應的磁阻傳感器元件190的過載可以可能地被抑制，和/或相應的傳感器元件的定位公差可以可能地增加，而沒有或幾乎沒有任何負面後果對於實際測量操作是預期的。
圖2示出結合確定軸的旋轉速率或旋轉速度的磁場傳感器100的實施例的使用的典型領域。更具體地說，圖2示出磁場傳感器100的實施例，除了可以被實施例如為永久磁體的磁性體110和磁場傳感器布置120以外，磁場傳感器100包括在磁場傳感器100中包括的保護外殼。如以上已經解釋的，磁場傳感器布置120另外包括兩個磁場傳感器元件190，其例如可以是磁阻、磁敏感傳感器元件。如以上解釋的，磁性體110已經以簡化的方式被繪製在圖2中，而不表示相對於圖2中描繪的橫截面平面的橫截面和關於磁化的磁性體的以上解釋的特徵。特徵不僅僅被再現在圖2中，以便簡化表示。
在離磁場傳感器元件190的平面一距離處，距離在圖2中由箭頭200標記並且也被稱為磁氣隙或氣隙，在磁場傳感器100的實施例下面安裝發電機對象210，其是有齒的輪，其有時也被稱為可透過的發電機輪。其他發電機對象210包括鑽輪、磁體輪或考慮它們選擇的材料和/或它們的拓撲適合的其他圓形或橢圓形對象，以影響磁場，其在發電機對象210的運動發生時由磁性體110生成，並且可能地在磁體輪的情況下生成其自身的磁通量密度。
取決於特定實施方式和應用場景，磁場傳感器100的實施例也可以結合其他發電機對象210來採用。例如，相應的實施例可以結合磁體杆、鑽杆或齒條被採用作為發電機對象210，例如以檢測線性運動或致使其可檢測。在很多情況下，發電機對象210包括關於磁化、拓撲或其他特徵的周期結構，使得在發電機對象210的運動的情況下，引起磁場（尤其是磁性體110的磁場）的周期改變。相應的發電機對象210經常被實施為相應運動部件的部分或者被連接到該部分。
在作為發電機對象210的有齒的輪的情況下，如圖2所示，其可以例如被耦合到軸（即，曲軸或凸輪軸）或者被耦合到。如果使發電機對象210運動，即在圖2描繪的有齒的輪的情況下旋轉，如由箭頭220指示的，則這引起可以由磁場傳感器100檢測的磁場的改變。
取決於應用磁場傳感器100的實施例的領域中設想的目標，輪的運動因此可以例如藉助於磁傳感器檢測，如可以例如在ABS系統的上下文中期望的。磁場傳感器100的其他實施例可以例如在引擎控制和監視的領域中被採用例如作為曲軸傳感器或凸輪軸傳感器。在該上下文中，有齒的輪210尤其結合小的永久磁體使用作為實際傳感器或磁場傳感器布置120的後側上的磁性體110。使輪運動或旋轉然後導致磁場元件190的區域中的正弦磁場，磁場的分量在磁阻傳感器（xMR傳感器）的情況下以晶片級或襯底級來評估。同時，輪的旋轉運動的方向也可以可能地通過另一傳感器或藉助於其他技術測量來評估和檢測。
在許多應用中，小的永久磁體因此作為磁性體110被安裝在磁場傳感器布置120上，使得兩者可以被布置在有齒的輪形的可透過圓盤之前，如在圖2中示意性描繪的。當圓盤旋轉時，有齒的輪210的齒以磁氣隙的距離通過磁場傳感器元件190的平面並且因此生成小的場變化，其可以通過磁場傳感器100的實施例檢測並且包括關於圓盤的角度位置和旋轉速度的信息。在許多情況下，磁場變化的波形幾乎是正弦的，並且其幅度根據增加的（磁）氣隙急劇減少。
在作為發電機對象210的有齒的輪的情況下，如在圖2中描繪的，波形的幅度經常根據磁氣隙和所謂節距的比率（可能地乘以倍）粗略地指數地減少。在該上下文中，所謂節距被定義為有齒的輪的半圓周除以齒數的商，如果其等距地分布跨有齒的輪的圓周。因此，節距表示有齒的輪的半周期。出於這個原因，可能可取的是，在磁場傳感器100的一些實施例中並且在磁場傳感器的應用的各種領域中，儘可能靠近發電機對象190操作實施例以便繞開和防止例如磁氣隙大於齒的近似寬度。從大約一個齒的寬度到齒的寬度的大約150%的磁氣隙的增加可以例如取決於特定環境將磁場幅度減少為小於原來的1/5。例如，幅度取決於 exp(-2Pi*z/lamda)，lamda是磁周期，即，lamda/2是齒的寬度或兩個齒之間的間隙的寬度。如果z = lamda/2增加到z = 1.5*lamda/2，則幅度因此將改變為原來的exp(-Pi)/exp(-Pi*1.5) = 4.8倍。
在磁阻傳感器元件即例如GMR傳感器元件190的情況下，可能發生相應磁體布置關於襯底或晶片的平面中的磁場分量過載個體GMR傳感器元件190。在這種情況下，可能發生所涉及的（多個）磁場傳感器元件190將不提供任何測量信號，或幾乎不可用的測量信號。
因此，甚至如果例如有齒的輪210對稱地定位到磁場傳感器布置120的晶片，即如果例如有齒的輪210的齒中心或間隙中心直接在也在圖2中繪製的(xx = 0)位置，則可能發生磁體的磁通線發散，根據其不可接受地大的Bx分量將作用在圖2中示出的兩個（磁阻）磁場傳感器元件190上。如已經結合圖1a和1b解釋的，（x=0）位置在這裡由對稱線195定義，對稱線195結合圖2與精確地位於圖2中示出的兩個磁阻傳感器元件190之間的位置相關。
在這種情況下，兩個磁阻傳感器元件190被驅動成飽和，並且能夠不再放出任何（可用）信號。在其中採用磁場傳感器100的實施例的一些應用中，所使用的磁性體或背偏置磁體110的共同剩磁在正好在1特斯拉（T）以上的範圍中。作為發電機對象210的典型有齒的輪包括近似3 mm寬的齒和間隙，間隙的深度也對應於大約3 mm。當然，相應有齒的輪或其他發電機對象的其他標示尺寸可以在使用的其他示例中出現。而且，磁場傳感器100的相應實施例不限於這些值。應當指出的是，在本發明的上下文中，可以例如使用大的磁體或使用大的剩磁或使用小的退磁因子實現xMR元件處的大的磁場。
取決於特定應用，磁阻傳感器元件190典型地布置在磁體或磁性體110之前的大約1 mm的範圍內，並且有齒的輪其自身布置在磁阻傳感器元件190之前的大約1到4 mm，使得磁氣隙也在該範圍內。在一些應用中並且因此在磁場傳感器100的一些實施例中，磁體或磁性體110具有x方向上的5 mm以及y方向上的6 mm的橫截面，晶片處的磁阻傳感器元件190間隔開大約2.5 mm。在這種情況下，可能發生兩個磁場元件190的右手的一個上的磁場強度的Bx分量範圍從大約95到117 mT，不同值根據（磁）氣隙產生。因此，在對稱布局的情況下，範圍從-95到-117 mT的Bx分量作用在左手的傳感器元件190上。取決於磁場傳感器元件190的特定實施方式，特別是在GMR磁場傳感器元件的情況下，這種傳感器元件經常具有高達+/- 15 mT的線性驅動範圍。如果這種GMR傳感器元件190由磁體高度過驅動，則它將不再以有用的方式起作用，並且將不再能夠提供有用的測量信號。
利用其他GMR傳感器元件190，可能發生它們在大約10 mT的磁通量密度下已經變得飽和。因此，如果在GMR傳感器元件190的位置處存在大於100 mT的磁場分量或磁通量密度分量，則後者將被驅動為飽和，使得如可以由發電機對象210引起的小的重疊交變磁場不再可檢測。因此在這種情況下可能有用的是，將以上描述的磁通量密度減少為原來的1/15。
如果例如僅僅由齒在GMR傳感器元件的大約10 mT的飽和場強度下引起12 mT和14 mT之間的調製，則相應的GMR傳感器元件在許多情況下可能不再提供可用的輸出信號，使得傳感器總體可能不再能夠檢測發電機對象210的旋轉。
如以上已經解釋的，以上數字指示特別服務圖示並且不要以限制意義來理解。磁場傳感器100的實施例可以被採用在非常寬範圍的磁體或磁性體100內以及在非常寬範圍的不同磁場傳感器元件190內。而且，在相應應用場景的情況下，可以將實施例與很多不同發電機對象210組合，以便形成速度傳感器例如或其他基於磁的傳感器。
圖3a和3b示出磁場傳感器100的兩個另外的實施例。更具體地說，兩個實施例分別連同發電機對象210來描繪，有可能發電機對象210是齒條或有齒的輪，例如其在圖3a和3b中被描繪成沒有任何彎曲以便簡化表示。
圖3a和3b中描繪的磁場傳感器100的實施例因此各自包括磁性體110，其關於圖3a和3b中示出的橫截面平面再次包括具有凹部130的非凸橫截面，凹部130被配置成在圖3a和3b中示出的實施例中是圓形的。當然，在該上下文中可以指出的是，指定的圓形或橢圓形也可以被應用到相應的幾何圖形即圓形或橢圓形的相應扇區或部分。
在圖3a和3b中描繪的磁場傳感器100的實施例中，磁性體110或兩個背偏置磁體110再次具有非均勻磁化，如在兩個附圖中由箭頭170描繪的。取決於實施例的特定實施方式，在這裡，除了晶片或襯底180和（磁阻）磁場傳感器元件190即例如GMR磁場傳感器元件以外，磁場傳感器布置120也可以可能地包括也被稱為封裝的外殼。
在圖3a和3b描繪的實施例中，磁體或磁性體110被配置為環的一部分並且實質上是徑向磁化的，如由箭頭170指示的。更具體地說，磁性體110在這裡具有環形的形狀，但在磁場傳感器100的其它實施例中，它也可以具有其他的形狀，諸如扁平或直立的橢圓的形狀。如圖1b的上下文中已經解釋的，它可能滿足磁性體110的需要，以包括內凹部，使得可以執行以上描述的磁性體110的磁化。基本上，因此可以原則上提供所需任何外界限曲線。如之前解釋的，在磁場傳感器100的一些實施例中，內凹部可能是圓形、橢圓形或多邊形的。換言之，在磁場傳感器的不同實施例中，磁性體可以具有與橫截面平面相關的非凸的橫截面或非凸的橫截面區域。
因此，圖3a示出其中磁性體110在180°內延伸並配置為環帶的實施例。相比之下，在圖3b描繪的實施例中，描繪為環帶的磁性體110延伸在小於180°內。取決於特定實施方式，磁性體110也可以在超過180°內延伸。
可以使傳感器IC(IC = 集成電路)或磁場傳感器布置120運動或轉移既「到磁體內」又到凹部130的區域，如圖3a中描繪的。在相對小的磁體110的情況下或者甚至在有限的設計空間的情況下，磁體110也可以被放置在傳感器IC的背面上，其中取決於磁場傳感器100的實施例的特定實施方式，IC 120的前側和底側可以在許多情況下關於所描述的固定同樣地被很好地使用。
然而，在應用的許多情況下，可能可取的是，使GMR傳感器元件190運動得儘可能靠近有齒的輪或發電機對象210，使得可以可能地在這種情況下可取的是，將磁體110固設在不包含部件（例如，磁場傳感器元件190）的晶片120的該側上。因此，在這種情況下，可能可取的是將磁場傳感器布置120固設到磁性體110，使得其與圖3a和3b的表示相比以在此的關係旋轉180°，即，以正好相反的方式固設它到圖3a和3b中描繪的磁性體。磁場傳感器元件190因此可以被定位成使得它們相對於襯底180和發電機對象210旋轉180°。
取決於特定的實施方式，典型的尺寸因此可以在圖3a和3b中示出的實施例的情況下包括相對於磁性體110的形狀的大約9 mm的外部直徑和大約5 mm的內部直徑。取決於實施例的特定實施方式，剩餘磁化的強度再次可以高於大約500 mT或高於大約1 mT。
在一些實施例中，兩個傳感器元件190之間的間距大約是發電機對象210的齒或齒間隙的大小。在一些實施例中或在一些應用情況下，這對於圖3a和3b中示出的兩個外傳感器元件之間的距離可以例如是2.5 mm。取決於特定的實施方式，中央傳感器元件可以被採用例如用於檢測方向，有可能將中央傳感器元件布置在左手和右手的傳感器元件之間的中心。然而，在一些應用領域中，傳感器元件190之間的其他距離是有用的。也可以使用其他的距離，例如1.7 mm。
在許多情況下，晶片180的表面以範圍從大約0.5 mm到大約2 mm的距離被布置在磁體110之前，大約0.7 mm的距離經常表示有用的折衷，因為在一方面，磁體110應當被定位成儘可能靠近晶片180，並且因此靠近磁體輪210，以及在另一方面，安裝部件的厚度（封裝底部、引線框架厚度、管芯附著厚度和矽厚度）經常在大約0.7 mm的範圍中。晶片180與發電機對象210的距離（也被稱為氣隙）可以總計為數十毫米作為最小值，但作為最大值在一些應用領域中應當不超過大約四個齒或四個齒間隙的寬度的間距，因為在更大的氣隙的情況下，磁場信號幅度將指數地減少。
圖4示出如在如在圖3a的上下文在那裡討論的實施例中描述的磁性體110的情況下產生的磁場線的磁場強度曲線的數值模擬的結果。如已經引起例如圖4中示出的磁場曲線的計算磁場在許多情況下一點兒也不複雜，並且基本上歸結為求解四個麥克斯韋微分方程。確實存在針對特殊情況的簡化形式，其可能地可以以封閉形式求解，但特別用於計算磁場、磁通量密度以及在本申請的上下文中討論的其他曲線和特性，可以例如基於使用有限元方法的二維或三維模擬來執行的數值模擬一般是不可缺少的。可以例如基於以下方程執行相應的模擬和計算：
同時考慮到相應的邊界條件，B是磁感應或磁通量密度作為矢量的量，μ0指定真空的磁導率，red M指定（矢量）磁化的旋轉，degreeAr指定位置坐標關於起點A的梯度，並且r是起點和源點之間的距離。跨整個空間，即不僅在磁性體110的材料內而且跨其表面執行積分，該表面由方程(2)中的「積分邊界」V指示。
除了磁性體110以外，圖4也示意性描繪了圖3a和3b中示出的發電機對象210。除了大量的場線230以外，對於一些區域，0.2 T到0.5 T的最大值之間的相應磁通量密度被另外描繪在圖4中。在這裡，在圖4中的表示的內部分的箭頭240標記如由圖例的區域中的箭頭250描繪的磁場強度的減少。
圖4因此表示形式為在180°內延伸的環帶並且在徑向方向上被磁化的磁性體的橫截面，如已經結合圖3a描述的。作為發電機對象210的有齒的輪在這裡被對稱地定位到磁體110。在這個位置，在磁場傳感器元件190（不被示出在圖4中）的位置處的磁通密度的Bx分量應當理想地儘可能靠近零，但至少在GMR傳感器元件的線性控制範圍內，即例如在近似-15 mT和+15 mT之間。
關於磁性體110，數值模擬的結果（被示出在圖4中）基於磁性體110剩磁1 T，剩磁在幅值方面均勻地跨整個磁性體110延伸。然而，由於其徑向性質而不均勻的磁化的方向由此免除。
另外，圖4具有在磁體的端面之間（在線260的區域中）繪製的水平線260，磁場強度Bx已經根據下面的圖5中表示的曲線的上下文中的x坐標來評估。
圖5描繪針對圖4中表示的線260再現以特斯拉（T）為單位的磁通量密度Bx的總共七條曲線270-1到270-11。曲線270在這裡以升序對應於其在參考標記的上下文中的連字號後面指示到y位置（y= -0.5 mm、-0.4 mm、-0,3 mm、-0.2 mm、-0.1 mm、0 mm、+0.1 mm、+0.2 mm、+0.3 mm、+0.4 mm、+0.5 mm）的數字。
曲線270示出由於布置的對稱性，磁通量密度Bx的x分量對x坐標x對於y= 0的情況幾乎消失（曲線270-6），並且因此將表示針對GMR傳感器元件的基本上理想的位置。如果例如磁場傳感器元件190被定位成使得它們以1.25 mm的距離對稱地分布在x = 0周圍，即在x位置（x = +/- 1.25 mm），則範圍從y=-0.1 mm到y = +0.1 mm的y位置相當適合於確保在幅值方面小於20 mT的磁場強度的x分量(< 20 mT)，如針對y位置的y = 0.1 mm、0 mm、+0.1 mm的曲線270-5、270-6、270-7示出的那樣。曲線270實質上包括關於點(x，Bx) = (0m， 0T)的鏡像對稱。與具有連續地均勻磁化的簡單立方磁體相比，磁通量密度Bx的x分量的減少可能因此通過採用磁場傳感器100的實施例來實現，有時有可能減少總計為與一個數量級那麼高的量。
圖6a和6b示出磁場傳感器100的另外的實施例，其類似於圖3a和3b的實施例但與圖3a和3b的實施例，而不同在於磁性體110以方位角的方式被磁化，如由箭頭170指示的。具有磁場傳感器100的實施例的這種可能性，如例如在圖6a中描繪的，磁性體110可以包括在180°內延伸的環形橫截面。同樣地，如在圖6b中描繪的，其可以包括在小於180°內延伸的橫截面。在圖6b中示出的實施例的磁體110因此可以被視為「在徑向方向上切斷」，磁性體110的其他形狀當然也是可能的。例如，其中端面例如在x方向或y方向上被切斷的磁性體110也是可設想的。以上在圖1a、1b、3a和3b的上下文中已經解釋的，磁性體的外部形狀在該上下文是欠決定性的。因此，對以上提及的方向傾斜的其他方向作為磁性體110的「截面方向」也是可能的。
除了如在圖6a和6b中由箭頭170描繪的磁化M以外，在附圖中示出的磁場傳感器100的實施例幾乎沒有不同，或者在另外的分量的方面根本沒有不同於圖3a和3b中示出的實施例。出於此原因，應當參考其相應描述，特別是關於另外的分量參考其相應描述。
如在圖6a和6b中描繪的磁性體110的磁化因此關於x分量Mx(x)和分量My(x)服從以下的對稱條件:
Mx(x) = Mx(-x)
My(x) = -My(-x) (3) 。
這意味著，在這種情況下，磁化的x分量關於對稱線195（x=0）具有偶對稱關係，而磁化的y分量在這種情況下滿足關於x的奇對稱關係。在這種情況下，在磁場傳感器100的一些實施例中也可以陳述兩個磁化分量Mx和My中的一個滿足關於x的奇對稱關係，而另一個滿足關於x坐標的偶對稱關係。
圖7示出基於磁性體110的數值模擬的結果的表示，該磁性體110包括大於180°的延伸並且在方位角方向上被磁化，磁化的量值被設置為跨磁性體110的體積恆定。換言之，圖7中示出大的模擬結果基於包括磁性體110的磁場傳感器的實施例，該磁性體110在方位角方向上以恆定幅值被磁化，使得磁化再次由於其的改變方向是非均勻的。在這裡，圖7再次以對應於沿著範圍從0.5 T到0.2 T的減少的磁通量密度的方向（如也由箭頭250指示的）的表示的內部分示出多個場線230以及箭頭240。另外，在圖7中再次繪製不同線260，其與在圖8和9中再現的曲線270相關。換言之，在以下的圖8和9的上下文內，關於針對磁場傳感器元件190的潛在位置的不同線260的適合性被檢查。
圖8示出針對不同y坐標的根據x坐標的磁通量密度Bx的x分量的曲線270-1到270-8。更具體地說，曲線270-1在這裡對應於y=-0.80 mm的y坐標，y坐標在每種情況下隨著相應曲線的數字增加減少0.1 mm，曲線在參考標記的上下文中在連字號之後被再現。因此，曲線270-2對應於y = -0.9 mm的y坐標，並且，例如曲線270-8對應於y = -1.50 mm的y坐標。在這裡，圖8初始地在從x = -2 mm到x = +2 mm的範圍中的粗尺度上示出相應曲線270，而圖9表示從大約x = 1.0 mm到x = 1.85 mm的表示範圍的放大。
因此，圖8初始地示出幾乎獨立於在每種情況下選擇的y參數，在從大約x = 1.3 mm和x = 1.4 mm之間的範圍中，所有曲線270具有範圍從大約+/-(20 mT–40 mT)的磁通量密度Bx的x分量。在離磁體或磁性體110較小距離處，即對於更高的y值，曲線270在x = +/- 1.4 mm附近的範圍中延伸通過Bx = 0線，使得這可以例如表示針對磁阻傳感器元件190即GMR傳感器元件190的相當合適的位置。
因此，在圖9中，圖8中描繪的曲線的範圍以放大的方式被表示在x = 1.4 mm附近的範圍中。例如，圖9示出特別地對應於y參數（y = -0.9 mm、-1.0 mm和–1.1 mm）的曲線270-2、270-3和270-4在x = 1.4 mm附近的範圍中與「Bx=0」線相交，如在圖9中由詳細圖示出的。
在將在圖10a和10b的上下文中描述磁場傳感器100的另外的實施例之前，將給出方法的簡短概述，用該方法可以實現在前述附圖中討論的非均勻磁化。在包括如例如在圖1a、1b、3a和3b中示出的徑向或準徑向磁化的磁性體110的情況下，適當地成形和由鐵製成的配對物例如可以被插入到相應的磁性體的凹部180中，配對物無縫地鄰接磁性體110的適當地成形的表面。而且，適當地成形的鐵部分可以從外部被放置到外表面中，使得另一磁性體110從外部和內部被相應的鐵部分覆蓋。隨後，兩個鐵部分可以通過夾具互連，該夾具可以具有所期望的幾乎任何形狀。繞組可以纏繞在夾具周圍，繞組具有應用於其的電流，以便生成磁化。
在具有方位角磁化的磁性體的情況下，圓形導體可以被放置在磁體內部即在磁性體110的凹部130中，並且圓形導體可以被緊密地、理想無縫地在外部固定到磁性體110。如果在內金屬導體中流動的電流從圖6a和圖6b中繪製的繪圖平面被發送出，相應地，以及如果在外導體中對應的電流被發送到繪圖平面中，則磁體110內的相應磁化將以逆時針方式在方位角方向上對準。
圖10a和10b示出磁場傳感器300的另外的實施例，其不同於相應磁場傳感器100的以上示出的實施例在於在這裡示出的實施例包括第一磁性體310和第二磁性體320，第一磁性體310包括分別在圖10a和10b中由箭頭330特徵化的第一磁化方向。同樣地，第二磁性體320具有分別在圖10a和10b中由箭頭340標繪的磁化方向。兩個磁性體310、320的兩個磁化方向彼此不同並且與彼此形成角度。
關於再次對應於x= 0的x坐標的對稱線195，取決於磁場傳感器300及其規範的相應實施例的特定實施方式，兩個磁性體310、320的磁化方向（箭頭330、340）各自與對稱線195形成角度，該角度對於兩個磁性體310、320在幅值方面是相同的或者與彼此不偏離典型地大於20°、10°、5°或2°。換言之，兩個磁性體310、320在磁場傳感器300的許多實施例中包括關於對稱線195的對稱磁化。
另外，在圖10a和10b中描繪的磁場傳感器300的實施例再次各自包括磁場傳感器布置120，其具有襯底180和一個或多個磁場傳感器元件190。如已經結合磁場傳感器100的以上解釋的實施例描述的，磁場傳感器布置可以包括單個磁場傳感器元件190或多個相應的磁場傳感器元件190。在圖10a和10b中示出的實施例中，磁場傳感器布置120在每種情況下包括實質上對於對稱線195對稱布置的兩個磁場傳感器元件190，其例如藉助於以上已經討論的潛在的磁場傳感器元件技術來製造。在這種情況下，磁場傳感器元件也可以包括霍爾傳感器元件、磁阻傳感器元件或其他相應的磁場傳感器元件。
在該上下文中應該指出的是，因為在磁場傳感器100、300的實施例的實際實施方式的情況下的定位公差的以上描述的問題，所以各種分量的以上描述的對稱屬性可以關於對稱線195偏離僅在預定義的公差極限內即例如在定位公差內，該定位公差在橫向方向上或在垂直方向上取決於應用。換言之，如果對稱線195與磁場傳感器布置120的襯底180上的例如兩個磁場傳感器元件190的中心相關，則與其一起形成背偏置磁體的兩個磁性體310、320可以可能地在預定義的定位公差內偏離於其相應位置。在許多情況下，相應的定位公差是應用特定的，並且確實受例如所使用的磁場傳感器元件190的技術的影響。
另外，發電機對象210再次被繪製在圖10a和10b中，發電機對象210再次例如是齒條、磁體杆、鑽杆、有齒的輪、鑽輪或磁體輪。取決於特定應用，也可以採用其他發電機對象210，取決於特定實施方式，在許多情況下可能有用的是，配置相應發電機對象210使得其能夠引起磁場的調製，例如周期或正弦調製，該磁場（尤其）在這種情況下通過經常配置為永久磁體的第一磁性體310以及背偏置磁體的或者背偏置磁體布置的第二磁性體320生成。
關於對稱線195，在磁場傳感器300的許多實施例中，第一磁性體310和第二磁性體320被配置或布置成對於其是對稱的。除了關於磁場傳感器元件190的中心位置執行對稱線195的定義的以上提及的可能性以外，如果該磁場傳感器元件190以對應數目和布局存在，則自然地也存在關於相對於襯底180的中心點或任何其他對應的線或標記定義對稱線195的可能性。在考慮到例如製造公差引起的個體磁性體310、320的定位偏差或定位公差的同時，它們各自具有關於對稱線195的對稱安裝位置。
如之前解釋的，取決於對稱線195的位置的特定定義，兩個磁性體310、320和/或個體磁場傳感器元件190的位置可以包括關於對稱線195的對應安裝公差或定位公差。換言之，兩個磁性體310、320的重心可以與對稱線195間隔開典型地小於對應定位公差的距離。
這同樣適用不僅在x方向上，而且在與x方向垂直的y方向上，如在圖10a和10b中繪製的。取決於所使用的生產技術，特別是關於磁場傳感器布置120固設磁性體的技術，範圍從幾百µm到幾毫米的定位誤差因此不能出現在x方向和/或y方向以及z方向上，z方向未被示出在圖10a和10b中。換言之，相應定位公差可以在高達幾百µm的範圍中即在高達大約1000 µm的範圍中或在高達大約2 mm的範圍中。
關於個體磁場傳感器元件190分別相對於兩個磁性體310、320的一個磁性體的定位，在相應磁場傳感器300的許多實施例中，假如磁場傳感器元件190和/或磁性體310、320被對稱地布置，則磁場傳感器元件190各自包括兩個磁性體310、320中的一個的x坐標的範圍內的x坐標。換言之，在磁場傳感器300的這種實施例中，相關聯的磁場傳感器元件190定位在相應的磁性體310、320之上或之下。
相對於由個體磁性體310、320的磁化方向和對稱線195或線350形成的角度，線350垂直於線195延伸並且也被繪製在圖10a和10b中，在磁場傳感器300的許多實施例中，兩個磁性體310中的一個的磁化的角度與對稱線195形成在幅值方面在10°和80°之間的角度。在磁場傳感器300的許多實施例中，對稱線195垂直於具有布置在其上的磁場傳感器元件190的襯底180的主表面或表面延伸。因此，相應的磁化也關於線350形成在幅值方面範圍從10°到80°的角度。另外，在兩個磁性體310、320的對稱設計的情況下，相應的磁化在每種情況下與彼此形成在幅值方面範圍從20°到160°的角度。取決於特定的應用領域，應當在數值模擬的上下文中在本申請的另外過程中更詳細解釋的其他的角度範圍也可以出現在磁場傳感器300的實施例中。
在圖10a和10b中描繪的磁場傳感器300的實施例實質上關於兩個磁性體310、320相對於彼此的布置而不同。雖然在圖10a中示出的實施例中兩個磁性體310、320緊密地彼此鄰接，例如因為它們藉助於膠合來固定，但是在圖10b示出的實施例中，兩個磁性體310、320彼此分離相應間隙。兩個磁性體310、320之間的間隙可以例如填充有磁性或非磁性材料，其例如服務用於附著或服務磁場傳感器300的實施例的總體架構。例如，塑料附著物可以部分或完全插入在兩個磁性體310、320之間，將兩個磁性體310、320膠合或以其他方式附著到該塑料附著物。可替換地或附加地，兩個磁性體310、320也可以在磁場傳感器布置120的總體安裝的框架內被固定到彼此，使得包封材料至少部分地進入到兩個磁性體310、320之間的間隙中。
如已經在磁場傳感器100的圖3a、3b中示出的實施例的上下文中闡述的，在磁場傳感器300的實施例中，具有其襯底180和磁場傳感器元件190的磁場傳感器布置120也可以針對其部分包括封裝。
當然，原則上，也有可能沒有固體材料插入在兩個磁性體310、320之間，如在圖10b中示出的，但是相反兩個磁性體310、320直接連接或膠合到磁場傳感器布置120。在這種情況下，在兩個磁性體310、320之間引入材料可以可能地被免除。
在圖10a和10b中示出的磁場傳感器300的實施例中，作為磁性體310、320的兩個個體磁體被裝配以形成新的磁體或背偏置磁體，使得再次在方程（1）中給出的對稱條件適用於兩個磁性體的總體布置的磁化分量。這也再次對應於關於兩個磁性體310、320的總體布置的非均勻（大部分）磁化。更具體地說，這對應於非均勻磁化的大部分磁體，該磁體的體積的每一半分別由一個均勻磁化的磁性體或一個均勻區域構成。在圖10a和10b中，在那裡示出的磁場傳感器的實施例中，第二立方體相應地與傾斜的磁化結合，作為可能是最簡單的示例。
取決於特定實施方式，例如，兩個磁性體310、320可以被配置為具有大約2 mm的寬度和大約5 mm的高度的兩個塊磁體，並且可以背對背結合到彼此。再次取決於特定實施方式，兩個個體磁性體310、320在該上下文中被均勻磁化，大約Brem = 1 T的剩磁主要在由磁化或箭頭330、340示出的相應方向上。在一些實施例中，磁化方向可以包括例如相對於對稱線195，即垂直方向+/-50°的角度。
對應於圖10a和10b的布置的磁場傳感器300的一些實施例提供關於與包括磁阻傳感器元件的磁場傳感器布置的組合的非常好的結果。另外，它們可以經常以特別簡單的方式來製造，因為作為均勻磁化的個體磁體的相應磁性體310、320可以以相當簡單的方式來製造。
已經在圖3a和3b中示出的磁場傳感器300的實施例的上下文中情況正是如此，取決於特定實施方式，在這種情況下也可能有用的是，實施磁場傳感器布置120使得其相對於線350是鏡像的，從而結合完成的磁場傳感器的磁場傳感器元件190面向發電機對象210。
如在圖10b中示意性描繪的，兩個磁性體310、320也可以彼此間隔開非磁性的間隙。取決於特定的實施方式，這可能有助於安裝，例如，由於相應的距離可以被配置為粘合表面。另外，也存在以下可能性：通過引入這種非磁性間隙影響兩個磁性體310、320的相互作用，使得它們可以不重疊或影響彼此至如此大的程度。
因此，關於由兩個磁性體310、320形成的背偏置磁體的磁場傳感器300的一些實施例基於以下想法：當磁體的場線發散時，第二磁體可以被布置成接近該磁體，第二磁體抵消第一磁體的不期望的分量。
圖11示出如在圖10a中示意性示出的磁場傳感器300的實施例的磁通量密度分布的數值模擬的結果。除了許多場線230以外，圖11示出在兩個磁性體310、320的區域中計算的並且範圍從0.2到0.5 T的磁通量密度分布。如在圖10a中已經示意性示出的，兩個磁性體310、320具有帶有Brem = 1 T的剩磁的磁化，這在圖11中也由箭頭330、340指明。由此產生的磁通量密度分布根據在圖11中描繪的灰度分布被再現，最大磁通量密度主要在兩個磁性體310、320的接觸區域處，而磁通量密度清楚地小於主要在兩個磁性體310、320外部的磁通量密度。
另外，圖11描繪線260，關於線260圖12a針對y = -1 mm的y坐標示出從x = -2 mm到x = +2 mm的範圍中的磁通量密度Bx的x分量。在這裡，在圖11中示出的數值模擬基於各自具有均勻磁化的兩個立方磁體或磁性體310、320，然而，均勻磁化與向下垂直延伸的y或By軸形成+/-35°的角度。因此，在兩個磁性體310、320的兩個磁化和水平線之間存在在幅值方面為55°的角度。
如以上簡要地指示的，圖12a針對y = -1 mm的y值示出根據x坐標的x分量Bx，其對應於圖11中示出的線260。隨後，圖12b針對y = -1.5 mm的y值示出根據x坐標的磁通量密度的對應的x分量Bx，其然而未被繪製在圖11中。
在y = -1 mm的y值的情況下，圖12a針對兩個磁性體310、320的磁化的各種角度示出從x = -2 mm到x = +2 mm的範圍中的磁通量密度的x分量Bx。在這裡，模擬基於兩個磁性體310、320的磁化方向的以上解釋的對稱性，兩個磁性體310、320的每一個在每種情況下與水平線在量值方面形成角度，該角度使用個體曲線270的參考標記被再現。曲線270-70基於兩個磁性體310、320的磁化與水平線的70°的角度，使得對於該模擬或計算，兩個磁性體的磁化與圖10a的對稱線195形成20°的角度。因此，曲線270-55對應於在垂直對稱線195和水平線之間的35°的角度的圖11中示出的情況，或者對應於磁化和水平線和55°的角度。
因此，圖12b示出針對範圍從40°到70°的角度的幾個曲線270，該角度通過兩個磁性體310、320的磁化和水平線形成。因此，在圖12b中描繪的曲線270-40到270-70對應於磁性體310、320的磁化相對於圖10a中示出的垂直對稱線195的範圍從20°(曲線270-70)到50°(曲線270-40)的角度。特別是在磁場傳感器元件190離兩個磁性體310、320的下邊緣1.5 mm的垂直距離（y = -1.5 mm；磁體結束在y = 0 mm處）的圖12b中示出的情況下，可以看到條件 < 20mT在y = -1.5 mm的情況下在x坐標的另外範圍內被滿足。因為這也可以在另外的x坐標的範圍中針對圖12a中示出的情況被滿足，因此，特別地存在以下可能性：使用如例如在圖10a或10b中示意性示出的磁場傳感器300的實施例實施磁阻磁場傳感器元件190，而不通過由磁性體310、320引起的磁場的相應的x分量驅動磁場傳感器元件190為飽和。
換言之，使用磁場傳感器300的實施例，可以在x和y坐標的相當寬的範圍內創建磁通量密度的水平分量Bx（例如，x分量），該分量不引起磁阻傳感器元件190的飽和。在GMR傳感器元件的情況下，圖12a和12b因此示出適用於許多GMR傳感器元件的條件 < 20mT可以在x和y坐標的寬的範圍內被滿足。
另外，圖12a和12b示出通過改變兩個磁性體310、320的方向，可以使相應的範圍轉移，使得可以在磁場傳感器元件190之間實現不同距離。因此，有可能提供具有磁場傳感器元件190的不同相互距離的磁場傳感器300的不同實施例。
總之，可以陳述通過使用包括（至少）兩個磁性體310、320的磁場傳感器300的對應實施例，磁性系統可以被建立，使得相應的磁場傳感器元件190例如甚至在敏感磁阻傳感器元件即GMR傳感器元件的情況下不被驅動為飽和。
圖13示出磁場傳感器300的另一實施例，其不同於磁場傳感器300的圖10a和10b中示出的實施例實質上在於兩個磁性體310、320關於其幾何形狀不再包括傾斜磁化，而是相反地關於正面垂直地磁化。在這種情況下，兩個磁性體310、320不再相對於其側面平行布置，正如在圖10a和10b中的實施例中的情況。相反，為了實現兩個磁性體310、320的兩個不同磁化方向，它們現在針對它們的部分以相對於對稱線195或與對稱線195垂直的線350的相應角度布置。
因此，在這種情況下，第一磁性體310和第二磁性體320也分別包括不同的第一和第二磁化方向。因此，也在磁性體310、320的這種布置的情況下通過疊加兩個（均勻磁化的）磁性體310、320的磁場實現非均勻的大部分磁化。
換言之，分別包括不同磁化方向的磁性體310、320的相應布置可以採用兩個立方磁體或磁性體而不是使用兩個斜的或傾斜磁化的磁性體310、320來找到，該兩個立方磁體或磁性體在縱向方向上被磁化並且被實施和安裝成，使得它們相對於y軸傾斜相應的角度，例如+/-35°。換言之，對於磁場傳感器300的實施例而言，如由箭頭330和340表示的兩個磁性體310、320的兩個不同磁化方向是否通過使用包括不同、傾斜的磁化的磁性體被創建是不相關的，或者是否採用包括相同磁化的磁性體是不相關的，其然而在磁場傳感器300的相應實施例的上下文中以相應傾斜的方式或使用對應的安裝方向被建立。
關於如在圖13中描繪的實施例中的個體磁性體310、320的更具體安裝位置，以上解釋也將適用，當然，在這種情況下唯一不同是相應磁性體310、320現在相應地旋轉。
實際上，關於個體磁性體310、320的具體形狀存在非常大的自由度。原則上，可以使用任何形狀可設想的相應的磁性體。例如，立方、圓柱形和其他磁性體（例如，逐漸變細的磁性體）是可行的。另外，當然，不僅可以在如在先前描述的實施例中隱式假設的兩個磁性體310、320的上下文中使用均勻磁化的磁性體，而且使用可以自然地由非均勻磁化的磁性體做出。換言之，磁性體310、320也可以關於其磁化方向和其磁化強度被非均勻地實施。
磁場傳感器100、300的實施例因此能夠實現通過使用磁性體110或背偏置磁體的非均勻磁化減少磁通量密度的水平磁場分量或水平分量，後者包括至少兩個磁性體310、320至這樣的程度使得例如磁阻傳感器（xMR傳感器）不再被過載即被驅動為飽和。如以上已經解釋的，磁場傳感器100的實施例因此能夠實現藉助於所描述的非均勻磁化減少在本申請的上下文中也被臨時地稱為背偏置磁體的Bx場的通量密度分量至這種程度，使得傳感器或傳感器元件的相應過載將不出現。
形式為磁場傳感器100、300的本發明的實施例實現所期望的場線曲線，因為尤其所得到的磁通量密度的相應分量被磁性體110、310、320的非均勻磁化限制。因此，也可以可能地在不實施具有及其細小的形狀或凹部的磁性體的情況下產生磁場傳感器100、300的實施例，或者也可以可能地在不使用高度可透過部分作為用於場線變形的磁透鏡發展和建立磁場傳感器100、300的相應的實施例。相應的磁場傳感器100、300的實施例可以尤其用於磁阻速度傳感器，同時採用形式為磁性體110、310、320的相應的背偏置磁體電路。磁場傳感器的相應實施例的使用的示例在汽車業以及其他行業，諸如機械工程、工廠工程、飛機構造、造船和其中需要檢測磁場的其他技術領域中找到。
圖14A圖示適合作為要結合如以上討論的磁傳感器120使用的背偏置磁體的非均勻磁體400的另一實施例的橫截面視圖。非均勻磁體400稍微類似於磁體110或磁性體310、320。然而，要指出的是，非均勻磁體400不包括基本上均勻磁化的兩個不同磁性體，其結合在一起或在特定角度下接觸，從而導致以上描述的非均勻磁化度。與此相反，非均勻磁體400可模製為單一構件，其還包括如由表示磁體400的橫截面視圖內的特定位置處的磁化的方向的箭頭14-1、14-2、14-3指示的非均勻磁化。圖14A的橫截面視圖被示出沿著x-z平面，這也是說在圖的底部處指示磁化的Bx分量，而磁化的Bz分量被指示至圖的左邊。將領會的是，這種選擇服務說明性目的並且磁體400可以代替地包括其他橫截面內的非均勻磁化。圖14A中圖示的磁化被描繪成與如由點虛線表示的對稱線14-0。
雖然圖14A的非均勻磁化被圖示為完全關於對稱線14-0對稱，但是將領會的是，對於非均勻磁體400的實際橫截面而言，各種影響可以打破橫截面內的磁化的對稱性，使得該磁化不再完全對稱。這種影響可以是限制磁體400的面、磁體400內的（磁性）雜質、和/或充分地靠近磁體的磁性物質但不限於其。對於本公開而言，磁化應被視為在橫截面內對稱的，即使僅90%、80%或50%的橫截面區域實際上在橫截面內展示關於對稱線14-0的對稱磁化。
針對本公開（磁化（如圖14中圖示的）），要理解的是，該對稱線14-0可以指示磁體400的鏡像對稱磁化。未限制地，如在圖14A的橫截面中指出的對稱線14-0可以指示磁體400的更高階對稱性，比如說三階或更高階的對稱性。更高階對稱性的對象包括多於一個橫截面平面，對象的一些屬性（比如說，例如礦物的對象或晶體結構的磁化）關於該橫截面平面是對稱的或者在該橫截面平面內是對稱的。所以對於更高階的對稱線而言，可能存在所呈現的多於一個橫截面，對稱對象的屬性關於該橫截面是對稱的或者在該橫截面內是對稱的，而多於一個橫截面實際上在更高階對稱線處相交。
將進一步領會的是，如在圖14A中顯示的磁體400的對稱線14-0可以實際上指示旋轉或橢圓形對稱軸。所以普通技術人員將容易領會到，背偏置磁體400也可以具有旋轉對稱性。因此，關於非均勻（背偏置)磁體諸如背偏置磁體400的任何公開可以被轉移到旋轉對稱性的對象。磁體的旋轉或橢圓形對稱性可以取決於環境而受關注。將領會的是，橢圓形對稱軸對應於旋轉對稱性，其中不僅一個半徑而是第一和第二半徑之間的旋轉在基本上垂直於對稱線14-0的橫截面中被觀看時產生總體橢圓形特性。
正如之前橫截面內的更高階對稱性、旋轉對稱性或橢圓形對稱性的磁化應仍被視為對於更高階對稱性、旋轉對稱性或橢圓形對稱性是對稱的，即使僅90%、80%或50%的橫截面區域實際上展示關於對稱線14-0的更高對稱性的磁化。類似地，背偏置磁體的磁化應被視為更高階的對稱性、旋轉對稱性或橢圓形對稱性，即使僅90%、80%或50%體積的磁體事實上展示關於對稱線14-0的更高對稱性的磁化。
將指出的是，在橫截面視圖的下部分（低於或零z值），磁體400的磁化幾乎完全沿著z軸對準。然而，隨著增加的z坐標，磁化是不斷增加非均勻的。這也就是說，z坐標越高，z方向和磁化的取向之間的角度α就越大，如在針對增加的z坐標比較角度α時可以從圖14A看到的。顯然地，磁化沿著對稱軸140-0平行對準。當平行於對稱線14-0但不是在對稱線上行走（其對於給定的x坐標在z方向上）時，角度α將基本上隨著增加的z值而增加。這種特性可以被稱為單調、更確切地來說單調地增加。
如果要沿著垂直於對稱線14-0的路逕行走，則可以體驗角度α的非單調特性。這也就是說，當平行於對稱線14-0行走時，角度α可以首先減少，直到對稱線14-0被達到並且將在經過對稱線之後再次增加。垂直走向對稱線14-0在圖14A中將對應於沿著橫截面針對給定z值行走在x方向上。
同樣地，當針對不在圖14的下部分處磁體400的那些部分在水平方向（恆定的z坐標）走向遠離對稱線時，磁化的角度α增加。不斷增加非均勻的磁化在針對箭頭14-1、14-2和14-3比較角度α時被最佳看到。描述在沿著z方向（除了沿著對稱線14-0以外）行走時的不斷增加非均勻的磁化的可替換方式是視其不斷增加發散。將領會的是，磁化的橫截面分布服務僅僅用於說明性目的，並且不以任何方式限制本公開的教導。
本領域普通技術人員將領會的是，使用模製過程產生包括如圖14A中圖示的非均勻磁化的大部分磁體是可行的。根據這種模製過程的第一變體，並且稍微類似於關於徑向磁化的磁體（分別在圖3a、3b中）的產生的討論，模製工具可以被配置成生成工具內部的空間變化的磁通量密度，同時可磁化的模製材料被注入到模製工具中和/或被熔化在模製工具內部。模製工具內部的空間變化的磁通量密度將投射到可磁化的模製材料上，並且一旦模製過程完成應存留，從而產生具有非均勻磁化的大部分磁體400作為單一構件。實際上，模製工具、可磁化的模製材料和工具內部的空間變化的磁通量密度可以被選擇成一旦完成模製過程幾乎實現磁體400內部的任何期望的空間變化的磁通量密度。
將領會的是，可以使用可替換的模製過程來產生包括如圖14A中圖示的非均勻磁化的大部分磁體。模製工具可以填充有標準可磁化或磁性模製材料，並且可以以要產生的非均勻磁體的期望形式硬化。可設想到，在要產生的非均勻磁體的硬化期間，沒有外部磁場或均勻的外部磁場可以被應用。這將導致示出或多或少的消失磁化或均勻磁化的磁體。一旦可磁化模製材料硬化，非均勻的外部磁場可以以要產生的非均勻的磁體的形狀被應用到硬化的模製材料。可以有利的是，在硬化的模製材料仍在模製工具中時，將非均勻磁場應用到硬化的模製材料。這種方法在非均勻磁體400離開模製工具時可能具有優勢。可以用該方法增加模製工具內部的每單位所需的權衡時間。取決於環境，然而，可能受關注的是，以非均勻磁體的形狀使硬化的模製材料運動到磁化設備中，該磁化設備提供充分大的非均勻磁場以非均勻磁體的形狀投射到可磁化的硬化模製材料上；由此完成根據本公開的非均勻磁體400的製造。
圖14B圖示根據本公開的非均勻磁體400的示例性形狀。可能方便的是，以磚型即立方形狀或稍微錐形的磚型形狀提供磁體400，如在圖14B中顯示的。這種形狀可能受關注，以便用可模製的非均勻磁體400替換已知的背偏置磁體。背偏置磁體供應商將典型地過模製背偏置磁體400和傳感器布置120（未示出），以便建立被銷售到供應商的客戶的模塊，該模塊現在包括從傳感器元件到ECU的通信手段，其不關於本公開進行詳細討論。
沒有限制地，由汽車供應商建立的傳感器100（見圖2）也可以具有如圖14B中示出的磚型形狀，而從傳感器元件到ECU的通信手段未示出。傳感器100也可以具有旋轉對稱或橢圓形對稱的形狀。旋轉或橢圓形對稱的傳感器100可以可選地取決於環境採取截錐形狀。普通技術人員將理解的是，傳感器100的橢圓形形狀可以具有以下優勢：傳感器100的在安裝時的旋轉僅通過在匹配橢圓形形狀並且由此將傳感器100布置在預期位置中的車輛內提供的某一外殼被容易地防止。
如果傳感器100仍然具有旋轉對稱性，則可以提供傳感器的面處的凹槽或凹口，以便提供如對於橢圓形形狀可實現的傳感器的布置。可能有優勢的是，將凹槽或凹口布置成遠離磁場傳感器布置120，以便凹槽或凹口不影響靠近磁場傳感器布置120（未示出）的磁場分布。
圖14C圖示針對傳感器100的這種形狀，傳感器100包括遠離感測元件190的凹槽101。這種凹口可以緊密配合在使用傳感器的設備（諸如，車輛）中提供的傳感器100的外殼內的突出物。作為對凹口的替代，截錐形的傳感器100可以包括非平行的頂部和底部面（更一般地說，非平行的非圓周面），使得傳感器100將僅緊密配合定義的圓周位置中的對應外殼。定位對應外殼內的旋轉對稱的傳感器100的其他選項對本領域普通技術人員將是顯而易見的，並且因此應在這裡不進行任何進一步解釋。
圖14C公開實施傳感器100的另一替代方案。在圖2的實施方式中，傳感器元件190被布置在形成磁場傳感器布置120的傳感器封裝中。不像在圖2中，圖14C的傳感器100不包括形成磁場傳感器布置120的封裝。將指出的是，一個包裝/模製步驟可以通過在沒有封裝的情況下實施使用承載傳感器元件190的裸片晶片195的傳感器100來節約。傳感器100的這種實施方式對於（汽車）供應商將是更合算的。作為一種權衡，需要關心的是，感測元件190和因此裸片晶片195關於背偏置磁體400空間正確地布置。雖然它們在傳感器100的先前實施方式中正確對準是通過晶片製造商迎合的，但是正確對準現在將是留給供應商的任務。
雖然在圖14C中的背偏置磁體400和裸片晶片195之間存在空間距離，但是將領會的是，背偏置磁體400的非均勻磁化可以被設計成使得裸片晶片195可以被直接放置到背偏置磁體400上。普通技術人員將領會的是，裸片晶片195典型地需要一些耦合構件，以便提供從裸片晶片195到其外部的電氣通信。提供電氣通信的這種手段可以以引線框架的形式，但不限於其。普通技術人員將領會用於提供電氣通信的其他選項，其不限制本公開的教導並且因此不進行進一步詳細描述。對於本公開的剩餘部分，裸片晶片195應被解釋為可選地包括耦合構件。在各種實施例中，背偏置磁體400的裸片晶片195設計促進裸片晶片195相對於背偏置磁體400的正確空間布置。
圖14D圖示實施包括背偏置磁體400的傳感器100的另一替代方案。實際上，對於圖14D的實施方式而言，非均勻磁體400也充當傳感器100的外殼。通過適當地控制磁體400的非均勻磁化的空間分布和裸片晶片195相對於非均勻磁化的定位兩者，可以節約覆蓋感測元件190的封裝和提供外殼的另外模製材料。在圖14D中，磁化的空間分布基本上對於對稱線14-0對稱，對稱線14-0示出關於角度α的不同程度的非均勻性14-1、14-2、14-3，如關於圖14解釋的。
將領會的是，非均勻磁體400當與磁場傳感器布置120一起使用時具有優勢，因為需要較少磁性材料，以便實現傳感器元件190處的可比的非均勻磁通量密度。這是由於以下事實：磁體400（見圖14A、C、D）可以被布置成更靠近磁場傳感器布置120，其中比如說第一和第二傳感器元件190-1、190-2（見圖2、14C、14D）被放置用於作為磁體400的不具有凸形狀的磁體布置。
作為磁體400的另一益處，傳感器100和/或磁體400比包括非凸磁體（諸如例如，圖1A的磁體150，圖3A、3B、6A或6B的磁體110）的那些系統需要更少的空間。在空間約束的環境諸如汽車領域中的內燃機的發動機空間中，更小尺寸的背偏置傳感器系統受關注。
要指出的是，在方向220上旋轉的運動目標輪僅在圖14C和14D中被示出用於說明性目的，並且不形成所描述的（背偏置）傳感器100的部分。
本領域普通技術人員將領會的是，非均勻磁體400可以分別使用以下各項來形成：硬鐵氧體材料或稀土材料作為可磁化模製材料，諸如鐵氧體、鋁-鎳-鈷（AlNiCo）、或釤鈷(SmCo)或釹-鐵-硼（NdFeB），以舉一些非限制示例。
一般來說，硬鐵氧體磁體比基於稀土的磁體便宜，這照此將減少磁體成本，然而硬鐵氧體磁體具有更弱磁矩，因此，當與基於稀土的磁體相比時，針對相同尺寸的均勻磁體將產生更弱的均勻磁場。為了補償該權衡，根據本公開的非均勻硬鐵氧體磁體的使用有助於在硬鐵氧體磁體的成本益處下增加其匹配稀土磁體的磁場強度的相應磁場。在過去，稀土磁體方便地用於以上描述的非凸磁體（見例如圖1A的磁體150，圖3A、3B、6A或6B的磁體110）。因此，採用硬鐵氧體材料的非均勻磁體400自帶優於由諸如釤鈷(SmCo)或釹-鐵-硼 (NdFeB)的稀土磁體材料製成的非凸磁體的另一優勢。
圖15示意性圖示針對給定的y坐標的相對於磁體的對稱線(x = 0)的Bx分量。在這方面，圖15的圖示稍微對應於如以上解釋的圖5中描繪的情況。變得明顯的是，雖然針對均勻磁體的Bx分量（見實線15-3）具有關於x = 0 的奇對稱性，但是針對非均勻磁體（比如說，如以上討論的磁體400）的Bx分量在x坐標的大的範圍內幾乎消失，如可以從長虛線15-4看到的。短虛線15-1和15-2指示針對磁阻傳感器諸如GMR感測元件的典型位置。
正如之前討關於曲線270-6（見圖5）討論的，非均勻磁體400的Bx分量示出增加的線性範圍，並且因此將表示針對GMR傳感器元件的優選位置。磁場傳感器元件190(即，圖 2)可以在比針對均勻磁體（見圖15的線15-3）更寬的x範圍內被方便地定位成關於x = 0對稱，如分別由位置線15-1、15-2指示的。在圖15中，對於針對均勻和非均勻磁體的模擬磁場分量（見線15-3和15-4），具有傳感器元件的傳感器平面的距離在z方向上在磁體以上是0.7mm。如所指示的，傳感器元件示出x方向上的2.5 mm的傳感器節距或距離。
圖16圖示針對使用標準聚合物鍵合硬鐵氧體模製材料的圖14的非均勻磁體400的磁化的示例性模擬的3D繪圖。這些模製材料典型地示出大約270-280 mT的剩磁磁場，以及180 kA/m的對應抗磁度。如可以清楚地看到，磁體400內的磁化的空間分布是不均勻的，如已經關於圖14A示意性討論的。圖16的右邊的標度上指示的顏色編碼圖示磁化的強度和方向。將領會的是，非均勻（背偏置）磁體400的磁化將在磁體400外部激起磁通量密度，不同於所謂的Halbach磁體布置，其表示具有限制在Halbach磁體內部的幾乎所有磁通量密度的磁體配置。磁通量到磁體的內部的這種限制將用非Halbach磁體而可實現，如果磁體將是無限長、高和/或寬的話。還根據圖16，本領域普通技術人員將容易領會的是，可以生成磁體400內的磁化的幾乎任何期望的非均勻分布，如以上已經解釋的。
圖17圖示從圖16的模擬得到的進一步細節。顯示的是，針對傳感器元件分別在y和z方向上離以對稱線（見圖14的14-0）為中心的磁體400的表面的實際距離的由磁體400產生的磁場的以mT為單位的模擬Bx分量。假設的距離在z方向上是0.7mm並且在y方向上居中放置（y = 0mm）。
線17-1圖示針對基本上均勻磁體的Bx分量，而線17-2、17-3和17-4示出針對不斷增加非均勻磁體400的Bx分量。針對線17-2、17-3、17-4示出的不斷增加非均勻性可以由與線14-0到14-1、14-2和14-3相關聯的增加的角度α（見圖14）表示。如針對圖15已經討論的，如在圖17中針對線17-2、17-3、17-4示出的不斷增加非均勻磁化如分別由虛線15-1、15-2指示的要放置在x方向上的磁阻傳感器元件190（未示出）的線性範圍。
因為針對由線17-4表示的最強非均勻性的Bx分量分別在傳感器位置15-1、15-2處幾乎消失，所以Bx分量的該非均勻性量將使傳感器位置15-1和15-2為理想位置用於在x方向上放置傳感器元件，如之前關於圖5描述的。
本領域普通技術人員將領會的是，僅僅出於說明性目的，本公開描繪非均勻磁體的橫截面諸如xy或xz平面內的磁體400的非均勻磁化（見，圖1A、1B、3A、3B、4-14、14A、14D、15-17）。然而，公開的非均勻磁體絕不限於這種情況。磁體因此可以包括磁體的另外的橫截面內的另外的非均勻磁化貢獻，另外的橫截面與在本公開的附圖中描繪的那些垂直。
取決於條件，發明方法的實施例可以用硬體或軟體實施。實施方式可以被執行在數字存儲介質，特別是包括電子可讀控制信號的磁碟、CD或DVD，其可以與可編程計算機系統協作，使得發明方法的實施例被執行。一般地，本發明的實施例因此也存在於軟體程序產品、或電腦程式產品、或包括程序代碼的程序產品，該程序代碼被存儲在機器可讀載體上用於當軟體程序產品運行在計算機或處理器上時執行發明方法的實施例。換言之，本申請的實施例因此可以被實現為電腦程式、或軟體程序、或包括程序代碼的程度，該程序代碼用於當程序運行在處理器上時執行方法的實施例。處理器可以分別通過計算機、晶片卡（智慧卡）、中央處理器（CPU=中央處理單元）、專用集成電路（ASIC）或任何其他集成電路形成。
電腦程式、軟體程序或程序可以被採用例如在製造過程的上下文中即例如用於控制磁場傳感器的相應實施例的製造。相應的程序因此可以被採用和使用在用於控制其的製造工廠的上下文中，但也在設計的上下文中以及在磁場傳感器的布置相應的實施例的上下文中。如以上列表已經示出的，處理器不要僅以經典計算機處理的意義進行理解，而且以如例如發生在機械工具和其他生產相關的安裝的上下文中的專用處理器的意義進行理解。
雖然已經根據幾個實施例來描述本發明，但是存在落在本發明的範圍內的修改、排列和等同物。也應當指出的是，存在實施本發明的方法和組成的許多可替換的方式。因此，所附權利要求書應被解釋為落在本發明的真正的精神和範圍內的所有這種修改、排列和等同物。