太陽能電池及其製造方法與流程

2023-12-10 11:26:02 6

本發明的實施方式涉及太陽能電池及其製造方法，並且更具體地，涉及一種背接觸太陽能電池及其製造方法。

背景技術：

近來，由於現有能源資源(諸如石油和煤)的耗盡，對用於代替現有能源資源的替代能源的興趣在增加。最重要的是，太陽能電池是用於將日光轉換成電能的流行的下一代電池。

可以通過基於設計形成各種層和電極來製造太陽能電池。太陽能電池的效率可以由各種層和電極的設計來確定。為了使太陽能電池商業化，需要克服低效率和低生產率的問題，並因此，存在對具有最大效率的太陽能電池的需求。

技術實現要素：

因此，已鑑於上述問題做出本發明的實施方式，並且本發明的實施方式的目的是提供一種具有高效率的太陽能電池及其製造方法。

根據本發明的一個方面，上述及其它目的能夠通過提供一種製造太陽能電池的方法來實現，該方法包括以下步驟：在半導體基板的一個表面上方形成隧道層；在所述隧道層上方形成半導體層；在所述半導體層中形成包括第一導電類型的第一導電區域以及第二導電類型的第二導電區域的導電區域；以及形成包括連接至所述第一導電區域的第一電極以及連接至所述第二導電區域的第二電極的電極，其中，形成所述導電區域的步驟包括以下步驟：在所述半導體層上方形成掩模層；利用雷射在所述掩模層中形成與所述第一導電區域和所述第二導電區域中的至少一個對應的摻雜開口；以及利用所述摻雜開口來執行摻雜。

根據本發明的另一方面，提供了一種太陽能電池，該太陽能電池包括：半導體基板；隧道層，該隧道層形成在所述半導體基板上方；導電區域，該導電區域位於所述 隧道層上方，所述導電區域包括第一導電類型的第一導電區域和第二導電類型的第二導電區域；以及電極，該電極包括連接至所述第一導電區域的第一電極以及連接至所述第二導電區域的第二電極，其中，標記位於所述第一導電區域和所述第二導電區域中的至少一個中，並且具有與所述半導體基板和所述導電區域的晶體平面的形狀不同的形狀，並且其中，所述標記沿著所述第一導電區域和所述第二導電區域中的至少一個的縱向延伸的邊緣而形成。

附圖說明

本發明的實施方式的上述及其它目的、特徵和其它優點從結合附圖進行的以下詳細描述將被更清楚地理解。

圖1是例示了根據本發明的實施方式的太陽能電池的截面圖；

圖2是圖1所例示的太陽能電池的部分平面後視圖；

圖3是例示了根據本發明的實施方式的太陽能電池的顯微照片；

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H、圖4I、圖4J和圖4K是例示了根據本發明的實施方式的製造太陽能電池的方法的截面圖；

圖5例示了製造根據本發明的實施方式的太陽能電池的方法中的雷射消融過程的截面圖；以及

圖6是例示了製造根據本發明的實施方式的太陽能電池的方法中的一個過程的另一示例的截面圖。

具體實施方式

現將詳細地參照本發明的實施方式，其示例被例示在附圖中。然而，應當理解，本發明不應該限於這些實施方式並且可以被以各種方式修改。

在附圖中，為了清楚地且簡要地說明本發明的實施方式，省略與本描述無關的元件的例示，並且相同或基本相似的元件在本說明書中自始至終由相同的附圖標記來標明。另外，在附圖中，為了更清楚的說明，元件的尺寸(諸如厚度、寬度等)被放大或者縮小，並且因此本發明的實施方式的厚度、寬度等不限於附圖的例示。

在整個說明書中，當一個元件被稱為「包括」另一元件時，該元件不應該被理解為排除其它元件，只要不存在特殊衝突描述即可，並且該元件可以包括至少一個其它元 件。另外，應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為「在」另一元件「上」時，它可以直接在另一元件上或者還可以存在中間元件。另一方面，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為「直接在」另一元件「上」時，這意味著在該元件與另一元件之間不存在中間元件。

在下文中，將參照附圖詳細地描述根據本發明的實施方式的太陽能電池及其製造方法。

圖1是例示了根據本發明的實施方式的太陽能電池的截面圖，並且圖2是圖1所例示的太陽能電池的部分平面後視圖。

參照圖1和圖2，根據本實施方式的由附圖標記100標明的太陽能電池包括：半導體基板10；隧道層20，該隧道層20形成在半導體基板10的一個表面(在下文中被稱為「背面」)上方；導電區域32和34，該導電區域32和34被布置在隧道層20上方；以及電極42和44，該電極42和44電連接至導電區域32和34。這裡，導電區域32和34包括第一導電類型的第一導電區域32以及第二導電類型的第二導電區域34，並且電極42和44包括連接至第一導電區域32的第一電極42以及連接至第二導電區域34的第二電極44。這時，在本實施方式中，雷射標記(或標記)38位於第一導電區域32和第二導電區域34中的至少一個中，雷射標記38具有與半導體基板10以及導電區域32和34的晶體平面39的形狀不同的形狀。另外，太陽能電池100還可以包括例如布置在導電區域32和34上方的背面鈍化膜40，以及鈍化膜(在下文中被稱為「正面鈍化膜」)24和抗反射膜26，所述鈍化膜24和抗反射膜26被布置在半導體基板10的另一表面(在下文中被稱為「正面」)上方。將在下面更詳細地描述以上所提及的組件。

半導體基板10可以包括基底區域110，該基底區域110包括相對較低的摻雜濃度的第二導電摻雜劑，並因此具有第二導電類型。基底區域110可以由包括第二導電摻雜劑的晶體半導體形成。在一個示例中，基底區域110可以由包括第二導電摻雜劑的單晶或多晶半導體(例如，單晶矽或多晶矽)形成。具體地，基底區域110可以由包括第二導電摻雜劑的單晶半導體(例如，單晶半導體晶片，以及例如，半導體矽晶片)形成。因此，可以基於具有高結晶性並因此具有少量缺陷的基底區域110或半導體基板10實現極好的電氣特性。

第二導電類型可以是p型或n型。在一個示例中，當基底區域110是n型時，p 型的第一導電區域32可以被廣泛地形成以便與基底區域110一起形成結(例如，pn結，其經由光電轉換產生載流子)，其中，隧道層20插置在所述結與基底區域110之間，這可以導致光電轉換面積增加。在這種情況下，具有寬區域的第一導電區域32可以有效地收集相對較慢地移動的空穴，從而有助於光電轉換效率的進一步改進。然而，本發明的實施方式不限於此。

另外，半導體基板10可以包括布置在半導體基板10的正面上的正面場區域(或場區域)130。該正面場區域130可以是與基底區域110的導電類型相同的導電類型，並且可以具有比基底區域110更高的摻雜濃度。

本實施方式例示了正面場區域130被配置為摻雜區域，該摻雜區域通過用第二導電摻雜劑以相對較高的摻雜濃度對半導體基板10進行摻雜而形成。因此，正面場區域130包括第二導電晶體(單晶或多晶)半導體並構成半導體基板10的一部分。在一個示例中，正面場區域130可以構成第二導電單晶半導體基板(例如，單晶矽晶片基板)的一部分。這時，正面場區域130的摻雜濃度可以小於第二導電區域34的摻雜濃度，所述第二導電區域34是與正面場區域130的第二導電類型相同的第二導電類型。

然而，本發明的實施方式不限於此。因此，正面場區域130可以通過用第二導電摻雜劑對單獨的半導體層(例如，非晶半導體層、微晶半導體層或多晶半導體層)而不是半導體基板10進行摻雜而形成。另選地，正面場區域130可以被配置為靠近半導體基板10形成並被摻雜有固定電荷的場區域，其功能與層(例如，正面鈍化膜24和/或抗反射膜26)相似。例如，當基底區域110是n型時，正面鈍化膜24可以由具有固定負電荷的氧化物(例如，氧化鋁)形成，以便在基底區域110的表面上形成反型層。因此，正面鈍化膜24可以被用作場區域。在這種情況下，半導體基板110可以僅包括沒有單獨的摻雜區域的基底區域110，這可以使半導體基板10的缺陷最小化。可以利用各種其它方法來形成具有各種配置的正面場區域130。

在本實施方式中，半導體基板10的正面可以經受紋理化，並且因此，可以具有例如具有錐形形狀的突起。形成在半導體基板10上的紋理化結構可以具有給定形狀(例如，錐形形狀)，其外表面沿著半導體的特定晶體平面(例如，(111)平面)而形成。在通過經由紋理化在例如半導體基板10的正面上形成突起而增加表面粗糙度的情況下，能夠減小通過半導體基板10的正面引入的光的反射率。以這種方式，到 達由基底區域110和第一導電區域32所形成的pn結的光的量可以增加，這可以使光的損失最小化。

另外，半導體基板10的背面可以經由例如鏡面研磨而形成到具有比正面更低的表面粗糙度的相對較平滑的平面中。這是因為太陽能電池100的特性在第一導電區域32和第二導電區域34二者如在本實施方式中一樣形成在半導體基板10的背面上的情況下可以根據半導體基板10的背面的特性顯著地變化。因此，半導體基板10的背面不設置有通過紋理化而形成的突起，以便實現改進的鈍化，這因此可以改進太陽能電池100的特性。然而，本發明的實施方式不限於此。在一些情況下，半導體基板10的背面可以設置有通過紋理化而形成的突起。各種其它變更或另選方案是可能的。

隧道層20可以形成在半導體基板10的背面上方。在一個示例中，隧道層20可以被形成以便與半導體基板10的背面接觸，這可以導致簡化的配置和改進的隧道效應。然而，本發明的實施方式不限於此。

隧道層20用作電子和空穴的勢壘，從而防止少數載流子藉此通過，並且僅允許聚積在與隧道層20相鄰的一部分處並因此具有給定量的能量或更多能量的多數載流子藉此通過。這時，具有給定量的能量或更多能量的多數載流子可能由於隧道效應而容易地通過隧道層20。另外，隧道層20可以用作擴散勢壘，其防止導電區域32和34的摻雜劑擴散至半導體基板10。隧道層20可以包含各種材料以使得能實現多數載流子的隧道作用。在一個示例中，隧道層20可以包括氧化物、氮化物、半導體和導電聚合物。具體地，隧道層20可以是由氧化矽形成的氧化矽層。這是因為氧化矽層具有極好的鈍化並因此確保載流子的容易隧道作用。

這時，隧道層20可以形成在半導體基板10的整個背面上。因此，可以在沒有附加圖案化的情況下容易地形成隧道層20。

為了實現充分的隧道效應，隧道層20可以比背面鈍化膜40薄。在一個示例中，隧道層20的厚度可以是5nm或更小(例如，2nm或更小，例如，在從0.5nm至2nm的範圍內)。當隧道層20的厚度T超過5nm時，不發生平滑的隧道作用，因此，太陽能電池100不能夠操作。當隧道層20的厚度低於0.5nm時，可能難以形成具有所期望的質量的隧道層20。為了進一步改進隧道效應，隧道層20的厚度可以是2nm或更小(例如，在從0.5nm至2nm的範圍內)。這時，為了確保隧道層20發揮充分的效應，隧道層20的厚度可以是在從0.5nm至1.2nm的範圍內。然而，本發明的實 施方式不限於此，並且隧道層20的厚度可以具有各種值中的任一個。

包括導電區域32和34的半導體層30可以被布置在隧道層20上方。在一個示例中，半導體層30可以被形成以便與隧道層20接觸，這可以導致簡化的配置和最大化的隧道效應。然而，本發明的實施方式不限於此。

在本實施方式中，半導體層30可以包括：第一導電區域32，其包括第一導電摻雜劑並因此展現第一導電類型；以及第二導電區域34，其包括第二導電摻雜劑並因此展現第二導電類型。第一導電區域32和第二導電區域34可以位於隧道層20上方的同一平面中。也就是說，沒有層可以被插置在第一導電區域32及第二導電區域34和隧道層20之間，或者當另一層被插置在第一導電區域32及第二導電區域34和隧道層20之間時，插置在第一導電區域32上方的層的一部分以及插置在第二導電區域34上方的層的一部分可以具有相同的堆疊結構。另外，勢壘區域36可以在與第一導電區域32和第二導電區域34的平面相同的平面中位於第一導電區域32與第二導電區域34之間。

第一導電區域32與基底區域110一起形成pn結(或pn隧道結)，其中隧道層20插置在第一導電區域32與基底區域110之間，從而構成發射極區域，該發射極區域經由光電轉換產生載流子。

這時，第一導電區域32可以包括半導體(例如，矽)，所述半導體包括與基底區域110的導電類型相反的第一導電摻雜劑。在本實施方式中，第一導電區域32由摻雜有第一導電摻雜劑的半導體層形成，該半導體層獨立於半導體基板10形成在半導體基板10上方(更具體地，在隧道層20上方)。因此，第一導電區域32可以由具有與半導體基板10的晶體結構不同的晶體結構的半導體層形成，以便容易地形成在半導體基板10上。例如，第一導電區域32可以通過用第一導電摻雜劑對可以通過諸如例如沉積的各種方法來容易地製造的非晶半導體層、微晶半導體層或多晶半導體層(例如，非晶矽層、微晶矽層或多晶矽層)進行摻雜而形成。通過使用諸如例如熱擴散和離子注入的各種摻雜方法，第一導電摻雜劑可以在形成半導體層的工藝中被添加至半導體層，或者可以在半導體層形成之後被添加至半導體層。

這時，第一導電區域32可以包括與基底區域110的導電類型相反的第一導電摻雜劑。也就是說，當第一導電摻雜劑是p型時，可以從諸如例如硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)和銦(In)的III族元素當中選擇該摻雜劑。當第一導電摻雜劑是n型時， 可以從諸如例如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)和銻(Sb)的V族元素當中選擇該摻雜劑。在一個示例中，第一導電摻雜劑可以是p型的硼(B)。

第二導電區域34是背面場區域，其形成背面場以便防止載流子由於在半導體基板的表面上(更準確地，在半導體基板10的背面上)的複合而導致的損失。

這時，第二導電區域34可以包括包含第二導電摻雜劑的半導體(例如，矽)，該第二導電摻雜劑的導電類型與基底區域110的導電類型相同。在本實施方式中，第二導電區域34由摻雜有第二導電摻雜劑的半導體層形成，該半導體層獨立於半導體基板10形成在半導體基板10上方(更具體地，在隧道層20上方)。因此，第二導電區域34可以由具有與半導體基板10的晶體結構不同的晶體結構的半導體層形成，以便容易地形成在半導體基板10上。例如，第二導電區域34可以通過用第二導電摻雜劑對可以通過諸如例如沉積的各種方法來容易地製造的非晶半導體層、微晶半導體層或多晶半導體層(例如，非晶矽層、微晶矽層或多晶矽層)進行摻雜而形成。通過使用諸如例如熱擴散和離子注入的各種摻雜方法，第二導電摻雜劑可以在形成半導體層的工藝中被添加至半導體層，或者可以在半導體層形成之後被添加至半導體層。

這時，第二導電區域34可以包括第二導電摻雜劑，該第二導電摻雜劑是與基底區域110的導電類型相同的導電類型。也就是說，當第二導電摻雜劑是n型時，可以從諸如例如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)和銻(Sb)的V族元素當中選擇該摻雜劑。當第二導電摻雜劑是p型時，可以從諸如例如硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)和銦(In)的III族元素當中選擇該摻雜劑。在一個示例中，第二導電摻雜劑可以是n型的磷(P)。

另外，勢壘區域36位於第一導電區域32與第二導電區域34之間，使得第一導電區域32和第二導電區域34通過勢壘區域36彼此間隔開。當第一導電區域32和第二導電區域34彼此接觸時，可能發生分流，這導致太陽能電池100的性能劣化。因此，在本實施方式中，勢壘區域36可以位於第一導電區域32與第二導電區域34之間以便防止不必要的分流。

勢壘區域36可以包括可以基本上使第一導電區域32和第二導電區域34彼此絕緣的各種材料中的任一種。也就是說，勢壘區域36可以由例如無摻雜絕緣材料(例如，氧化物或氮化物)形成。另選地，勢壘區域36可以包括本徵半導體。這時，第一導電區域32、第二導電區域34和勢壘區域36由相同的半導體(例如，非晶矽、微晶矽或多晶矽)形成，以便接連形成並在其側面處彼此接觸，並且勢壘區域36可 以由i型(本徵)半導體形成，所述i型(本徵)半導體基本上不包含摻雜劑。在一個示例中，當形成包括半導體材料的半導體層、然後用第一導電摻雜劑對該半導體層的一部分進行摻雜以便形成第一導電區域32並且用第二導電摻雜劑對剩餘半導體層的一部分進行摻雜以便形成第二導電區域34時，未形成有第一導電區域32和第二導電區域34的所得的剩餘部分可以構成勢壘區域36。以這種方式，可以簡化第一導電區域32、第二導電區域34和勢壘區域36的形成。

然而，本發明的實施方式不限於此。因此，當勢壘區域36獨立於第一導電區域32和第二導電區域34形成時，勢壘區域36的厚度可以與第一導電區域32和第二導電區域34的厚度不同。在一個示例中，為了更有效地防止第一導電區域32和第二導電區域34的短路，勢壘區域36可以比第一導電區域32和第二導電區域34厚。另選地，為了減少形成勢壘區域36所需要的材料，墊壘區域36可以比第一導電區域32和第二導電區域34薄。當然，各種其它變更或另選方案是可能的。另外，勢壘區域36的基本構成材料可以與第一導電區域32和第二導電區域34的基本構成材料不同。

另外，本實施方式例示了第一導電區域32和第二導電區域34通過勢壘區域36彼此完全間隔開。然而，本發明的實施方式不限於此。因此，墊壘區域36可以被形成以便使第一導電區域32和第二導電區域34僅在其之間的邊界的一部分處彼此間隔開。從而，第一導電區域32和第二導電區域34可以在其之間的剩餘邊界處彼此接觸。

在這種情況下，與基底區域110的導電類型不同的導電類型的第一導電區域32可以比與基底區域110的導電類型的相同的導電類型的第二導電區域34寬。因此，較寬的pn結可以通過隧道層20形成在基底區域110與第一導電區域32之間。這時，當基底區域110和第二導電區域34的導電類型是n型並且第一導電區域32的導電類型是p型時，相對較慢地移動的空穴可以由寬的第一導電區域32有效地收集。將稍後參照圖2更詳細地描述第一導電區域32、第二導電區域34和勢壘區域36的平面配置。

背面鈍化膜40可以形成在第一導電區域32和第二導電區域34上方並且勢壘區域36形成在半導體基板10的背面上。在一個示例中，背面鈍化膜40可以接觸第一導電區域32和第二導電區域34以及勢壘區域36，以便實現簡化的配置。然而，本發明的實施方式不限於此。

背面鈍化膜40包括用於導電區域32和34以及電極42和44的電連接的接觸部 分402和404。接觸部分402和404包括用於連接第一導電區域32和第一電極42的第一接觸部分402以及用於連接第二導電區域34和第二電極44的第二接觸部分404。因此，背面鈍化膜40用於防止第一導電區域32和第二導電區域34連接至不正確的電極(即，在第一導電區域32的情況下為第二電極44並且在第二導電區域34的情況下為第一電極42)。另外，背面鈍化膜40可以具有第一導電區域32和第二導電區域34和/或勢壘區域36的鈍化效應。

背面鈍化膜40可以是單層膜或多層膜，其包含例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽或非晶矽。

背面鈍化膜40可以位於半導體層30的電極42和44不位於在的一部分上。背面鈍化膜40可以比隧道層20厚。這可能導致改進的絕緣和鈍化特性。各種其它變更或另選方案是可能的。

在一個示例中，在本實施方式中，正面鈍化膜24和/或抗反射膜26以及背面鈍化膜40可以不包括摻雜劑，以便實現極好的絕緣和鈍化特性。

被布置在半導體基板10的背面上的電極42和44包括用電力且以物理方式連接至第一導電區域32的第一電極42，以及用電力且以物理方式連接至第二導電區域34的第二電極44。

第一電極42和第二電極44可以包括各種金屬材料。另外，第一電極42和第二電極44可以具有各種其它平面形狀中的任一種，使得它們彼此不電連接，但是分別連接至第一導電區域32和第二導電區域34，以便收集產生的載流子並將其發送到外部。也就是說，關於第一電極42和第二電極44的平面形狀本發明的實施方式不受限制。

在下文中，將參照圖1和圖2詳細地描述第一導電區域32、第二導電區域34、勢壘區域36以及第一電極42和第二電極44的平面形狀的一個示例。

參照圖1和圖2，在本實施方式中，第一導電區域32和第二導電區域34具有細長形狀以便分別形成帶，並且被交替地布置在與其縱向交叉的方向上。勢壘區域36可以位於第一導電區域32與第二導電區域34之間，使得第一導電區域32和第二導電區域34通過勢壘區域36彼此間隔開。在圖1和圖2中，彼此間隔開的多個第一導電區域32可以在一個邊緣處彼此連接，並且彼此間隔開的多個第二導電區域34可以在相對邊緣處彼此連接。然而，本發明的實施方式不限於此。

這時，如上所述，第一導電區域32可以比第二導電區域34寬。在一個示例中，可以通過提供具有不同寬度的第一導電區域32和第二導電區域34來調整第一導電區域32和第二導電區域34的區域。也就是說，第一導電區域32的寬度W1可以大於第二導電區域34的寬度W2。

另外，第一電極42可以具有帶形狀以便對應於第一導電區域32，並且第二電極44可以具有帶形狀以便對應於第二導電區域34。各種其它變更或另選方案是可能的。另外，在圖1和圖2中，多個第一電極42可以在一端處彼此連接，並且多個第二電極可以在相對邊緣處彼此連接。然而，本發明的實施方式不限於此。

再次參照圖1，正面鈍化膜24和/或抗反射膜26可以被布置在半導體基板10的正面上方(更準確地，在形成在半導體基板10的正面上的正面場區域130上方)。在一些實施方式中，僅正面鈍化膜24可以形成在半導體基板10上方，僅抗反射膜26可以形成在半導體基板10上方，或者正面鈍化膜24和抗反射膜26可以被順序地布置在半導體基板10上方。圖1例示了正面鈍化膜24和抗反射膜26可以順序地形成在半導體基板10上方，使得半導體基板10與正面鈍化膜24接觸。然而，本發明的實施方式不限於此，並且半導體基板10可以與抗反射膜26接觸。各種其它變更或另選方案是可能的。

正面鈍化膜24和抗反射膜26可以順序地形成在半導體基板10的整個正面上。這裡，表達「形成在整個正面上」包括以物理方式完全形成在整個正面上方的含義以及被形成以便必然地排除其一部分的含義。

正面鈍化膜24被形成以便與半導體基板10的正面接觸，從而導致半導體基板10的大部分或正面的缺陷的鈍化。因此，能夠通過去除多數載流子的複合晶格點來增加太陽能電池100的開路電壓。抗反射膜26減小引入到半導體基板10的正面的光的反射率。從而，到達形成在基底區域110與第一導電區域32之間的界面上的pn結的光的量可以增加。這可以增加太陽能電池100的短路電流Isc。如上所述，通過提供正面鈍化膜24和抗反射膜26，太陽能電池100的開路電壓和短路電流可以增加，這可以導致改進的太陽能電池100的效率。

正面鈍化膜24和/或抗反射膜26可以由各種材料形成。在一個示例中，正面鈍化膜24和抗反射膜26可以是單層膜，或具有從氮化矽膜、含氫的氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、碳化矽膜、MgF2、ZnS、TiO2和CeO2的組當中選擇的 兩個或更多個膜的組合的形式的多層膜。在一個示例中，正面鈍化膜24可以是形成在半導體基板10上方的氧化矽膜，並且抗反射膜26可以採取氮化矽膜和碳化矽膜被一個一個往上堆疊的堆疊的形式。

參照圖1和圖2，在本實施方式中，具有與半導體基板10以及第一導電區域32和第二導電區域34的晶體平面39的形狀不同的形狀的雷射標記可以位於第一導電區域32和第二導電區域34中的至少一個中。這是因為當雷射用於使用於第一導電區域32的形成或摻雜的第一摻雜層(參見圖4E中的附圖標記310)和/或用於第二導電區域34的形成或摻雜的掩模層(參見圖4G中的附圖標記314)圖案化時雷射標記38保持在半導體層30中(或見圖4G中的附圖標記300)。將稍後關於製造方法詳細地描述形成第一導電區域32和第二導電區域34的工藝。

在下文中，將通過示例來描述第二開口(參見圖4G中的附圖標記314a)經由雷射蝕刻形成在掩模層314中以便使第二導電區域34的對應部分暴露、從而引起第二導電區域34中的雷射標記38的情況。

雷射標記38是由雷射熔化並然後再次結晶的位置，從而具有與周圍部分的晶體結構和/或晶粒結構不同的晶體結構和/或晶粒結構，並且因此當利用例如顯微鏡時被與周圍部分不同地感知。雷射標記38對半導體層30的特性沒有負面影響。例如，當利用顯微鏡來觀察雷射標記38時，雷射標記38可以具有與半導體基板10和半導體層30(摻雜之後的第一導電區域32和第二導電區域34)的晶體平面39的形狀不同的形狀，並且可以被看見或者感知為比周圍部分暗或亮。

雷射標記38很可能局部地形成在上面輻射有雷射的區域中的一些位置上而不是形成在整個區域上。也就是說，雷射標記38可以主要包括沿著第二導電區域34的邊緣而形成的外雷射標記(或外標記)38a。另外，雷射標記38還可以包括形成在第二導電區域34內部的內雷射標記(或內標記)38b。儘管圖1的放大圓例示了雷射標記38包括存在於導電區域32和34的厚度方向上的任意位置處的外雷射標記38a和內雷射標記38b，這僅僅是用於清楚描述的示意例示，並且本發明的實施方式不限於此。也就是說，可能在實踐中難以檢查導電區域32和34的截面中的雷射標記，並且可以穿過導電區域32和34的整個厚度形成雷射標記38，以便穿透導電區域32和34的厚度。

在本實施方式中，雷射標記38不是在穿透第一電極42和第二電極44以便連接 電極42和44以及導電區域32和34的接觸部分402和404被形成時形成的，而是在導電區域32和34被形成時形成的。因此，可以在與接觸部分402和404沒有關係的情況下形成雷射標記38。具體地，因為外雷射標記38a位於在導電區域32和34的邊緣附近，所以外雷射標記38a可以位於比導電區域32和34小的接觸部分402和404外部，並且可以與接觸部分402和404間隔開。另外，因為內雷射標記38b與接觸部分402和404沒有關係，所以內雷射標記38b可以被設置在形成有接觸部分402和404的位置處，或者可以被設置在未形成有接觸部分402和404的位置處。

然而，本發明的實施方式不限於此。因此，與本實施方式不同，當接觸部分402和404與導電區域32和34相比具有相同或相似的寬度或面積時，外雷射標記38a可以形成在對應於導電區域32和34的邊緣的接觸部分402和404的邊緣附近。

如上所述，在本實施方式中，第一導電區域32和第二導電區域34可以包括彼此平行形成的多個區域，並因此可以具有帶狀布置。在這種情況下，外雷射標記38a可以採取沿著第二導電區域34的相反縱向邊緣延伸一較長長度的線的形式。然而，本發明的實施方式不限於此，並且外雷射標記38a足以沿著第二導電區域34的邊緣而形成。

這時，外雷射標記38a可以沿著第二導電區域34的整個邊緣形成，並且可以在一些部分處斷開。即使外雷射標記38a具有一些斷開部分，外雷射標記38a也可以位於第二導電區域34的邊緣的大部分(即，50％或更多)上。

形成在第二導電區域34內部的內雷射標記38b可以或者可能不存在。

當內雷射標記38b不存在時，這意味著第二導電區域34(或對應半導體層300)的較大部分在雷射圖案化時不經歷晶體結構的變化。因此，可以了解，半導體層300沒有被雷射圖案化大大地影響。因此，可以了解，第二導電區域34的設計特性被維持。

即使當內雷射標記38b存在時，外雷射標記38a也可能不比內雷射標記38b密集。也就是說，外雷射標記38a的密度(即，外雷射標記38a位於其中的部分與第二導電區域34的總邊緣面積的比)大於內雷射標記38b的密度(即，內雷射標記38b位於其中的部分與第二導電區域34的總內面積的比)。儘管不是清楚地可見的，然而似乎內雷射標記38b不大大地形成在上面均勻地輻射有雷射的第二導電區域34內部，而是以相對較高的密度形成在第二導電區域34的邊緣上，所述邊緣是上面輻射有雷射 的部分與上面未輻射有雷射的部分之間的邊界。

內雷射標記38b可以採取與外雷射標記38a交叉的線的形式。當在形成第二導電區域34時使用具有比第二導電區域34小的區域(更具體地，較小長度)的雷射時，如圖5所例示的，雷射束彼此交疊以去除掩模層314，由此第二開口314a被形成以便使與第二導電區域34對應的一部分暴露。因此，內雷射標記38b可以形成在雷射束彼此交疊的位置處。在這種情況下，內雷射標記38b可以被形成為在與外雷射標記38a交叉的方向上延伸的線。然而，本發明的實施方式不限於此，並且內雷射標記38b可以具有視例如雷射束的形狀而定的各種形狀中的任一種。另外，內雷射標記38b可以具有諸如圓形或不規則閉合曲線或多邊形這樣的各種形狀中的任一種形狀。

圖3是例示了根據本發明的實施方式的太陽能電池100的顯微照片。為了更清楚的理解，在圖3中，(a)例示了太陽能電池100的原始顯微照片並且(b)更清楚地例示了雷射標記38。參照圖3，因為錐形突起經由紋理化而形成在半導體基板10的正面上，晶體平面39被看見為具有近似方形形狀以便對應於該錐形突起的底部。另外，可以了解，採取具有與半導體基板10的晶體平面39的形狀不同的形狀的長線的形式的外雷射標記38a以及具有近似圓形形狀的內雷射標記38b被定位。

上述實施方式例示了雷射標記38位於第一導電區域32和第二導電區域34當中的與基底區域110的導電類型不同的導電類型的第二導電區域34中，並且雷射標記38不位於與基底區域110的導電類型相同的導電類型的第一導電區域32中。在這種情況下，雷射可以用於形成第二導電區域32的第二開口314a，該第二導電區域32形成背面場區域並且具有相對較小的面積，這可以減少例如雷射圖案化的處理時間。

然而，本發明的實施方式不限於此。因此，第一導電區域32可以包括雷射標記38並且第二導電區域34可以沒有雷射標記38。也就是說，雷射標記38可以形成在第一導電區域32的邊緣上，而可以不形成在第二導電區域34的邊緣上。這是因為，在形成第一導電區域32時，用於使與第一導電區域32對應的部分暴露的開口是利用雷射來形成的，並且不利用雷射來執行用於形成第二導電區域34的掩模層314的圖案化。另選地，第一導電區域32和第二導電區域34各自可以具有雷射標記38。也就是說，外雷射標記38a可以形成在第一導電區域32和第二導電區域34的邊緣上並且內雷射標記38b可以或者可能不形成在第一導電區域32和第二導電區域34中的至少一個上。各種其它變更或另選方案是可能的。

當光被引入到根據本實施方式的太陽能電池100時，在形成在基底區域110與第一導電區域32之間的pn結處經由光電轉換產生電子和空穴，並且所產生的電子和空穴通過隧穿隧道層20而移動到第一導電區域32和第二導電區域34，並且此後移動到第一電極42和第二電極44。以這種方式，產生了電能。

電極42和44形成在半導體基板10的背面上並且電極不形成在半導體基板10的正面上的背接觸太陽能電池100如在本實施方式中一樣可以使半導體基板10的正面上的屏蔽損失最小化。因此，可以改進太陽能電池100的效率。然而，本發明的實施方式不限於此。

另外，因為第一導電區域32和第二導電區域34形成在具有插置在其之間的隧道層20的半導體基板10上方，所以第一導電區域32和第二導電區域34被配置為與半導體基板10分離的層。因此，與通過用摻雜劑對半導體基板10進行摻雜而形成的摻雜區域被用作導電區域的情況相比，可以使由於複合而導致的光損失最小化。

另外，雷射標記38是在圖案化期間利用雷射而形成在第一導電區域32和第二導電區域34中的至少一個上的，該圖案化被執行來形成第一導電區域32和第二導電區域34中的至少一個。因為即使雷射標記38被做出的損壞與由溼式蝕刻所導致的損壞相比也非常小，所以利用雷射的圖案化可以使對第一導電區域32和第二導電區域34的損壞最小化。因此，可以改進太陽能電池100的效率。另外，雷射的使用可以簡化製造方法，從而導致改進的生產率。將稍後連同製造太陽能電池100的方法對此進行更詳細的描述。

將參照圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H、圖4I、圖4J和圖4K詳細地描述製造具有上述配置的太陽能電池100的方法。圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H、圖4I、圖4J和圖4K是例示了製造根據本發明的實施方式的太陽能電池的方法的截面圖。

首先，如圖4A所例示的，隧道層20形成在半導體基板10的背面上，該半導體基板10包括具有第二導電摻雜劑的基底區域110。

在本實施方式中，半導體基板10可以是具有n型摻雜劑的矽基板(例如，矽晶片)。可以從諸如例如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)和銻(Sb)的V族元素當中選擇n型摻雜劑。然而，本發明的實施方式不限於此，並且基底區域110可以具有p型摻雜劑。

隧道層20可以形成在半導體基板20的整個背面上。這裡，隧道層20可以經由例如熱增長或化學沉積(例如，等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)或低壓化學氣相沉積(LPCVD))而形成。然而，本發明的實施方式不限於此，並且隧道層20可以經由各種其它方法而形成。

儘管圖4A例示了隧道層20僅形成在半導體基板10的背面上，然而本發明的實施方式不限於此。隧道層20可以根據形成隧道層20的方法附加地形成在半導體基板10的正面和/或側面上。可以稍後在單獨的操作中去除形成在例如半導體基板10的正面上的隧道層20。

隨後，如圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G和圖4H所例示的，包括第一導電區域32和第二導電區域34的半導體層30形成在隧道層20上方。然後，紋理和正面場區域130可以形成在半導體基板10的正面上。將在下面對此進行更詳細的描述。

首先，如圖4B所例示的，具有晶體結構並由本徵半導體形成的半導體層300形成在已形成在半導體基板10的背面上的隧道層20上方。半導體層300可以由微晶、非晶或多晶半導體形成。在一個示例中，半導體層300可以經由例如熱增長或化學沉積(例如，PECVD或LPCVD)而形成。然而，本發明的實施方式不限於此，並且半導體層300可以經由各種其它方法而形成。

儘管圖4B例示了半導體層300僅形成在半導體基板10的背面上，然而本發明的實施方式不限於此。根據形成半導體層300的方法，半導體層300可以附加地形成在半導體基板10的正面和/或側面上。可以稍後在單獨的操作中去除形成在例如半導體基板10的正面上的半導體層300。

隨後，如圖4C所例示的，半導體基板10的正面可以經受紋理化，使得突起形成在半導體基板10的正面上。半導體基板10的正面上的紋理化可以是溼式或乾式紋理化。可以通過將半導體基板10浸在紋理化溶液中來執行溼式紋理化。溼式紋理化具有短處理時間的優點。乾式紋理化是利用例如金剛石鑽或雷射來切割半導體基板10的表面的工藝，並且可能導致延長的處理時間並對半導體基板10造成損壞，但是它可能導致均勻突起的形成。另外，可以經由例如反應離子蝕刻(RIE)使半導體基板10紋理化。如上所述，在本發明的實施方式中，可以經由各種方法使半導體基板10紋理化。

本實施方式例示了半導體基板10的正面在半導體層300被形成之後且在第一導電區域32和第二導電區域34被形成之前被紋理化。然而，本發明的實施方式不限於此。因此，可以在半導體層300被形成之前、在第一導電區域32和第二導電區域34被形成之後或者在單獨的工藝中使半導體基板100的正面紋理化。

隨後，如圖4D和圖4E所例示的，包括第一導電摻雜劑並具有第一開口310a的第一摻雜層310形成在半導體層300上方。這時，還可以在第一摻雜層310上布置無摻雜層312。無摻雜層312具有與第一摻雜層310的圖案相同的圖案，並因此具有第一開口312a。

例如，如圖4D所例示的，首先，第一摻雜層310形成在整個半導體層300上方。然後，無摻雜層312可以形成在整個第一摻雜層310上方。

第一摻雜層310包括第一導電摻雜劑，並且用於在摻雜工藝中經由擴散給半導體層300提供第一導電摻雜劑(參見圖4H)。在摻雜工藝中，無摻雜層312用於防止包括在第一摻雜層310中的第一導電摻雜劑向外擴散並且用於防止不必要的外部物質被引入到半導體層300中。

第一摻雜層310可以由包括第一導電摻雜劑的各種材料中的任一種形成。另外，無摻雜層312可以由不包括第一摻雜劑和第二摻雜劑中的任一種的各種材料中的任一種形成。在一個示例中，第一摻雜層310可以包括硼矽酸鹽玻璃(BSG)，並且無摻雜層312可以包括無摻雜矽酸鹽玻璃(USG)。然而，本發明的實施方式不限於此，並且第一摻雜層310和無摻雜層312可以包括排除前述材料的各種其它材料。在一個示例中，當第一摻雜層310是n型時，第一摻雜層310可以包括磷矽酸鹽玻璃(PSG)。

隨後，如圖4E所例示的，使第一摻雜層310和無摻雜層312圖案化以將第一開口310a和312a形成在將形成有至少第二導電區域34的部分中。可以利用各種方法來執行第一摻雜層310和無摻雜層312的圖案化，這可以去除第一摻雜層310和無摻雜層312的部分。在一個示例中，可以經由利用掩模或蝕刻膏的蝕刻來去除第一摻雜層310和無摻雜層312的特定部分。

圖4D和圖4E以及上述描述例示了第一摻雜層310和無摻雜層312被整體地形成，並且此後被圖案化以便在其中具有第一開口310a和312a。然而，本發明的實施方式不限於此。因此，在第一摻雜層310和無摻雜層312的形成期間，可以不形成其與第一開口310a和312a對應的一些部分，使得可以直接形成在其中具有第一開口 310a和312a的第一摻雜層310和無摻雜層312。各種其它變更或另選方案是可能的。

在本實施方式中，第一開口310a和312a可以形成在將形成有第二導電區域34的部分以及將形成有勢壘區域36的部分中。

隨後，如圖4F和圖4G所例示的，在其中具有第二開口314a的掩模層314被形成，以便在覆蓋第一摻雜層310和無摻雜層312的同時使第一開口310a和312a的至少一部分暴露。

如圖4F所例示的，掩模層314形成在基板10的整個背面上方。掩模層314用於防止第二導電摻雜劑在摻雜工藝中擴散至形成有掩模層314的部分。掩模層314可以由各種材料中的任一種材料形成，所述任一種材料是沒有第二導電摻雜劑的無摻雜材料並且能夠防止第二導電摻雜劑的擴散。在一個示例中，掩模層314可以是包含氧化矽、氮化矽、本徵非晶矽或碳化矽(SiC)的單層。具體地，當掩模層314是由碳化矽形成的單層時，掩模層314可以有效地防止摻雜劑的擴散。另外，作為由碳化矽形成的單層的掩模層314可以利用雷射來容易地加工以便具有期望的形狀，並且可以在摻雜工藝之後利用蝕刻溶液(例如，酸溶液，例如，稀氫氟酸(HF))來容易地去除。

在一個示例中，掩模層314可以經由沉積而形成。然而，本發明的實施方式不限於此，並且可以應用各種其它方法來形成掩模層314。

隨後，如圖4G所例示的，使掩模層314圖案化以將第二開口314a形成在將形成有第二導電區域34的部分中。在本實施方式中，可以通過經由利用雷射316的雷射消融來去除掩模層314的一部分來形成第二開口314a。當利用雷射316來使掩模層314圖案化時，可以容易地形成具有小寬度或各種期望圖案中的任一種的第二開口314a。另外，可以基於例如雷射316的種類和波長來使對半導體層300的損壞最小化。

可以選擇雷射316的種類、波長、脈衝寬度和束大小以確保掩模層314的容易圖案化並且防止半導體層300的特性劣化。

在一個示例中，在雷射蝕刻時，雷射316可以具有1064nm或更小的波長。這是因為難以產生具有超過1064nm的波長的雷射316。也就是說，所有波長的紅外光、紫外光和可見光可以被用作雷射316。這時，在一個示例中，雷射316可以是具有從500nm至650nm的範圍內的波長的雷射，即，綠雷射。在本實施方式中，雷射316用於形成第一開口310a及312a和/或第二開口314a，所述第一開口310a及312a和/或第二開口314a是形成具有比接觸部分(參見圖4K中的附圖標記402和404)更大 的面積的第一導電區域32和/或第二導電區域34所需要的。因此，雷射316可以是具有從500nm至650nm的範圍內的波長的綠雷射，其適合於輻射大面積並且能夠被大量定向，以便使例如半導體層300的晶體結構和形狀的變形最小化。以這種方式，內雷射標記38b不可以位於第二導電區域34內部。另一方面，因為在形成具有極小面積的接觸部分402和404時主要使用紫外雷射，所以在例如半導體層300的晶體結構和形狀方面發生主變形，從而在大多數情況下留下內部雷射標記。

另外，雷射316可以具有範圍從飛秒(fs)至納秒(ns)的脈衝寬度，從而促進蝕刻。另外，雷射316的雷射束模式可以是單次發射或突發發射。突發發射是作為多個發射而劃分並發射的單個雷射束。突發發射的使用可以使對半導體層300的損壞最小化。另外，雷射316的雷射束的大小可以是在從10μm至2mm的範圍內。當雷射316的雷射束的大小(更具體地，束的長度)比第二導電區域34小時，如圖5所例示的，可以通過在縱向上使雷射束彼此交疊來執行蝕刻。外雷射標記(參見圖2中的附圖標記38a)可以由雷射束的外邊緣形成，所述外邊緣是雷射束所位於的部分與雷射束沒有位於的部分之間的邊界，並且內雷射標記(參見圖2中的附圖標記38b)可以沿著雷射束彼此交疊所在的部分而形成。雷射束的形狀可以具有各種形狀中的任一種，諸如矩形形狀、圓形形狀、橢圓形狀，或具有相反修圓的端的形狀，如圖5的(a)至(d)所例示的。另外，雷射束可以具有例如方形或八角形形狀。例如，當雷射束具有矩形形狀時，如圖5的(a)所例示的，內雷射標記38b可以採取與外雷射標記38a交叉的線的形式。然而，本發明的實施方式不限於此，並且可以使用各種雷射形狀。

形成在掩模層314中的第二開口314a是用於對第二導電區域34進行摻雜的摻雜開口，並且第二開口314a的形狀可以對應於或者符合第二導電區域34的形狀。在本實施方式中，通過在簡化工藝中利用雷射316來形成作為摻雜開口的第二開口314a，能夠使在形成第二開口314a期間對半導體層300的損壞最小化。

另一方面，例如，已按照慣例使用溼式蝕刻以便形成摻雜開口。溼式蝕刻可以導致在摻雜開口被形成之後對半導體層(更具體地，無摻雜本徵半導體層)的蝕刻，從而導致對半導體層的損壞或半導體層的特性劣化。另外，溼式蝕刻例如導致底切現象，從而使得難以將摻雜開口精確地形成為期望的形狀。另外，必須執行通過針對溼式蝕刻應用膏來使掩模層圖案化並然後去除該膏的工藝，這可能由於複雜的圖案化而使製造工藝複雜化。在第一導電區域和第二導電區域二者位於半導體基板的背面上的背接 觸配置中，對於第一導電區域和第二導電區域的摻雜，可以形成並使用於相應導電區域的摻雜層和/或掩模層圖案化。在這種情況下，製造工藝可能是非常複雜的。

在本實施方式中，掩模層314可以包括勢壘部分，該勢壘部分被定位靠近第一摻雜層310和無摻雜層312並且覆蓋形成在第一摻雜層310和無摻雜層312中的第一開口310a和312a的各部分。在一個示例中，勢壘部分可以沿著形成在第一摻雜層310在第一摻雜層310中的第一開口310a的邊緣處的邊緣而形成。因此，形成在掩模層314中的第二開口314a的面積可以比形成第一摻雜層310和無摻雜層312中的第一開口310a和312a的面積小。勢壘部分用於形成勢壘區域(參見圖4G中的附圖標記36)。將稍後對此進行更詳細的描述。

然而，本發明的實施方式不限於此。因此，第二開口314a可以具有與第一開口310a和312a的面積相同的面積，以便在不用形成勢壘部分的情況下使整個第一開口310a和312a暴露。

隨後，如圖4H所例示的，在摻雜工藝中經由熱處理形成第一導電區域32和第二導電區域34。例如，在摻雜工藝中，可以在包含第二導電摻雜劑的氣氛中執行熱處理。可以利用包含第二導電摻雜劑的各種氣體來創建該氣氛。在一個示例中，當第二導電摻雜劑是磷(P)時，氣氛可以包括三氯氧化磷(POCl3)。

從而，包含在第一摻雜層310中的第一導電摻雜劑擴散至半導體層(參見圖4G中的附圖標記300)，從而形成第一導電區域32。然後，第二導電摻雜劑通過第二開口314a從半導體基板10的背面熱擴散至半導體層300，從而形成第二導電區域34。

這時，半導體基板10的正面可以在形成導電區域32和34的摻雜工藝期間被摻雜有第二導電摻雜劑。從而，還可以在摻雜工藝期間形成正面場區域130。然而，本發明的實施方式不限於此。因此，在摻雜工藝中，抗反射膜可以單獨地形成在半導體基板10的正面上方，使得不在摻雜工藝中形成正面場區域130。在這種情況下，可以在從包括例如離子注入、熱擴散和雷射摻雜的各種工藝當中選擇的單獨的工藝中形成正面場區域130。

如上所述，在本實施方式中，第一導電區域32利用包括在第一摻雜層310中的第一導電摻雜劑來形成，並且第二導電區域34利用包含第二導電摻雜劑的氣體經由第二導電摻雜劑的熱擴散而形成。以這種方式，可以經由簡化工藝形成第一導電區域32和第二導電區域34。

另外，因為第一導電摻雜劑和第二導電摻雜劑未擴散至半導體層300的對應於勢壘部分的部分，所以由本徵多晶半導體形成的勢壘區域36被設置在半導體層300的該部分處。以這種方式，可以經由簡化工藝形成包括勢壘區域36的半導體層30。

儘管本實施方式例示了第二導電區域34是經由第二導電摻雜劑的熱擴散而形成的，然而本發明的實施方式不限於此。

在另一示例中，如圖6所例示的，在形成掩模層314的工藝與摻雜工藝之間，包括第二導電摻雜劑的第二摻雜層318可以被形成以便填充至少形成在掩模層314中的第二開口314a。在一個示例中，第二摻雜層318可以形成在整個掩模層314上方以便填充第二開口314a。另外，第二摻雜層318可以由磷矽酸鹽玻璃形成。儘管圖6例示了形成在半導體基板10的背面上的第二摻雜層318的截面，然而本發明的實施方式不限於此。因此，第二摻雜層318可以經由例如雙面沉積形成在半導體基板10的正面上，並且各種其它變更或另選方案是可能的。在這種情況下，包含在第二摻雜層318中的第二導電摻雜劑在摻雜工藝中經由熱處理擴散至半導體層300，從由形成第二導電區域34。因此，可以不在摻雜工藝中使用包含第二導電摻雜劑的氣體。

另外，各種其它的已知方法可以用於形成導電區域32和34以及勢壘區域36。另外，各種變更或另選方案(諸如未形成有勢壘區域36的變更或另選方案)是可能的。

隨後，如圖4I所例示的，第一摻雜層310、無摻雜層312和掩模層314被去除。各種已知方法可以用於去除第一摻雜層310、無摻雜層312和掩模層314。在一個示例中，可以使用蝕刻溶液，諸如例如稀氫氟酸(HF)或緩衝氧化物蝕刻(BOE)溶液。通過使用以上所描述的蝕刻溶液，可以容易地去除由例如摻硼或磷的矽酸鹽玻璃、無摻雜矽酸鹽玻璃或碳化矽形成的第一摻雜層310、無摻雜層312和掩模層314。這時，因為半導體層30被摻雜，所以即使執行了溼式蝕刻，半導體層30也未被大大地損壞。然而，本發明的實施方式不限於此，並且可以利用各種其它方法來去除掩模層314。

隨後，如圖4J所例示的，絕緣膜形成在半導體基板10的正面和背面上。也就是說，正面鈍化膜24和抗反射膜26形成在半導體基板10的正面上，並且背面鈍化膜40形成在半導體基板10的背面上。

例如，正面鈍化膜24和抗反射膜26形成在半導體基板10的整個正面上方，並 且背面鈍化膜40形成在半導體基板10的整個背面上。正面鈍化膜24、抗反射膜26或背面鈍化膜40可以經由諸如例如真空沉積、化學氣相沉積、旋塗、絲網印刷或噴塗的各種方法來形成。未限定形成正面鈍化膜24、抗反射膜26和背面鈍化膜40的順序。

隨後，如圖4K所例示的，分別連接至第一導電區域32和第二導電區域34的第一電極42和第二電極44被形成。

在一個示例中，第一接觸部分402和第二接觸部分404經由圖案化而形成在背面鈍化膜40中，並且此後第一接觸部分402和第二接觸部分404未充滿第一電極42和第二電極44。這時，第一接觸部分402和第二接觸部分404可以經由諸如利用雷射的雷射消融或者利用蝕刻溶液或蝕刻膏的蝕刻的各種方法來形成。另外，第一電極42和第二電極44可以經由諸如例如電鍍或沉積的各種其它方法來形成。

在另一示例中，可以通過經由例如絲網印刷對背面鈍化膜40施加膏以用於形成第一電極42和第二電極44並且此後執行例如過火或雷射培燒接觸來形成具有上述形狀的第一電極42和第二電極44。在這種情況下，因為第一接觸部分402和第二接觸部分404是在第一電極42和第二電極44被形成時形成的，所以形成第一接觸部分402和第二接觸部分404的單獨的工藝是不必要的。

這時，在本實施方式中，當第一接觸部分402和第二接觸部分404被形成時或者當第一電極42和第二電極44被形成或者圖案化時，形成在第一導電區域32和第二導電區域34中的至少一個中的雷射標記38可以被用作對準標記。這是因為雷射標記38被形成以便對應於第一導電區域32和第二導電區域34中的至少一個。具體地，因為外雷射標記38a沿著第一導電區域32和第二導電區域34中的至少一個的邊緣而形成，所以外雷射標記38a可以有效地用作以上所描述的對準標記。當雷射標記38被用作對準標記時，可以在無需單獨的工藝的情況下實現改進的對準。

根據本實施方式，包括第一導電區域32和第二導電區域34的半導體層30可以具有極好的特性，由此可以經由簡化工藝製造具有極好的效率的太陽能電池100。以這種方式，可以改進太陽能電池100的效率和生產率。

上述特徵、配置、效果等被包括在本發明的實施方式中的至少一個中，並且不應該限於僅一個實施方式。另外，如各個實施方式所例示的特徵、配置、效果等可以在它們被彼此組合或者由本領域技術人員修改時關於其它實施方式被實現。因此，與這 些組合和修改有關的內容應該被解釋為包括在如所附權利要求所公開的本發明的範圍和精神中。

相關申請的交叉引用

本申請要求於2015年5月28日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2015-0075206號的優先權權益，通過引用將其公開內容併入本文。