基於雙模光子晶體光纖的橫向應力傳感系統及實現方法
2023-06-13 09:27:56
專利名稱：基於雙模光子晶體光纖的橫向應力傳感系統及實現方法
技術領域：
本發明涉及一種準確而靈敏的光纖傳感系統以測量橫向應力或應變，特別是基於零雙折射雙模光子晶體光纖或高雙折射雙模光子晶體光纖的基於雙模光子晶體光纖的橫向應力(應變)傳感系統及實現方法。
背景技術：
建築物的安全與質量監測，主要是檢測在外力作用下的應力和形變。一般的檢測方法是在建築材料內安裝大量分布式應變片或者其它應變感受纖維，由於纖維材料與建築材料構成的複合結構能夠適當提高建築材料的強度，因此，使用複合纖維材料進行建築物的載荷與形變檢測是比較常用的方法。在建築材料或者建築物內埋置光導纖維，形成智能複合結構(也叫靈巧複合結構)，當建築材料或者建築物發生形變的時候，埋置在其中的光纖會感受到相應的應力和應變，其光學特性(主要是傳輸特性)能立即發生變化，因此對光纖中傳輸的光信號進行檢測，就能實時監測建築物內的形變和載荷變化情況，從而實現對建築物的安全監測。這種方法不僅可以用於建築物的檢測，而且在機械、生物醫學、航空航天等領域也有廣泛應用前景。利用光纖進行應力傳感與檢測，不僅具有光纖固有的優越性，如抗電磁幹擾，機械強度高等，還可以實現分布式檢測，而且靈敏度非常高。
光纖應力傳感與檢測技術已經經歷了將近20年的發展，目前已有多種基於普通石英光纖的應力傳感器。光纖應力傳感器按照被檢測應力的方向可分為縱向應力傳感器和橫向應力傳感器，按照基本工作原理可以分為兩大類，一是光纖型應力傳感器，二是光柵型應力傳感器。光纖型應力傳感器就是光纖在外力作用下發生形變，改變其模式的傳輸特性，對傳輸光進行檢測即可得到形變或者外力的變化情況。光柵型應力傳感器是利用光纖光柵(包括光纖布拉格光柵FBG和長周期光柵LPG)的周期(縱向)或對稱性(橫向)隨外力改變，從而改變光柵的透射譜或反射譜，實現對外力變化的檢測。
光纖型應力傳感器對縱向應力的檢測一般都基於雙模光纖或者少模光纖(few-mode fiber)中多個模式之間的幹涉作用。當光纖拉伸時，不同模式之間的相位關係發生變化，因而輸出端光場(強度)發生相應變化，根據強度變化的周期性，可以得到相位變化，從而得到光纖的形變或者應力。當普通圓光纖受到橫向應力時，一般檢測背向反射光的兩個偏振分量的光程差和相干性，可以確定應力施加在光纖長度上的位置，但是很難確定應力大小。
由於光纖光柵的光譜特性對光纖結構和光柵周期的敏感性很高，所以，自從二十世紀九十年代初光柵問世以來，基於普通階躍折射率石英光纖的布拉格光柵和長周期光柵的傳感器(包括應力傳感器和溫度傳感器)得到了廣泛的研究與應用。當光纖受到縱向拉力而伸長時，在芯區寫入的光柵周期會相應增大，對於布拉格光柵，其峰值反射波長向長波長移動；對於長周期光柵，其透射譜向長波長方向移動。當光纖受到橫向壓力的時候，不妨假定壓力沿x方向施加於光纖側面，那麼光纖x方向尺寸將縮小，而y方向尺寸將擴大。對於圓光纖，將產生固有雙折射；對於雙折射光纖，其雙折射特性將發生變化。在這種具有雙折射的光纖中寫入的布拉格光柵或者長周期光柵的反射譜或透射譜發生分裂，出現兩個反射峰或者兩組透射譜，它們分別與兩組偏振方向正交的模式對應。當加在光纖上的橫向應力發生變化時，光纖的雙折射特性隨即改變，一般情況下，橫向應力的變化與光柵譜的波長移動量成正比，因此，檢測布拉格光柵的兩個反射峰值波長的移動，或者檢測長周期光柵兩組透射譜的移動，就能及時檢測到橫向應力的變化。
「光纖光柵橫向應變傳感器系統」中國專利CN1155798C中，介紹了基於普通光纖裡的布拉格光柵的橫向應變傳感器系統，而且可以同時測量不同地點的溫度或受力。
光纖的縱向應變靈敏度一般為0.8×10-6με-1，溫度靈敏度為6×10-6℃-1；利用布拉格光柵進行橫向應力傳感與檢測，實驗室靈敏度可以達到0.344nm/(N.mm-1)；利用長周期光柵進行橫向應力傳感與檢測的實驗室靈敏度則已經達到了50nm/(N.mm-1)。
光纖應力傳感器的靈敏度由光纖的主要材料石英(SiO2)決定。SiO2的楊氏模量非常大，一般都超過70GPa(具體數值與石英光纖中的摻雜有關，非摻雜包層約72GPa，3％摻Ge約為70.8GPa)，在外力作用下，其形變一般都很小，因此對光纖應力傳感器的工藝要求比較高。為了改變光纖橫向應力傳感器的靈敏度對石英材料楊氏模量的單一依賴性，人們試圖改變光纖結構，從而改變光纖在外力作用下的形變量，以此來改進光纖橫向應力傳感與檢測的精度與靈敏度。
利用多芯光纖中的布拉格光柵進行橫向應力檢測，雖然是最近才開展的研究工作，但是也已經展現出其誘人的優勢，利用4芯光纖的橫向應力傳感器靈敏度已經達到0.24nm/(N.mm-1)。
利用旁孔光纖及其中的布拉格光柵進行橫向應力檢測則得到了更多的關注，人們不僅從理論和實驗上證實了這種光纖對橫向應力的靈敏度可以達到2.0nm/(N.mm-1)以上，而且也研究了其動態測量範圍，可以在0～38.08MPa範圍內實現0.03MPa解析度的高精度壓力測量。
本發明基於雙模光子晶體光纖的橫向應力(應變)傳感系統，利用新型的光子晶體光纖(PCFPhotonic Crystal Fiber)對橫向應力(應變)進行傳感與檢測。
在光子晶體光纖包層區域，沿縱向排列著大量空氣孔。根據導光機理，可將其分為兩類，即折射率導光和光子帶隙(PBGPhotonic Band Gap)導光。典型的折射率導光型光子晶體光纖的芯區是實心石英，包層是多孔結構。包層中的空氣孔降低了包層的有效折射率，從而滿足全反射(TIRTotal InternalReflection)條件，光束縛在芯區傳輸。光子帶隙導光光纖的包層區域是周期性結構，它產生的光子帶隙可將光束縛在光纖芯區傳輸。光子帶隙導光光纖包層周期性結構是一個二維光子晶體，折射率只在橫截面內周期性變化。沿著光纖縱向，折射率是均勻的，光沿縱向傳輸時不會受到限制。但是橫向周期性結構的布拉格反射會產生橫向諧振，形成頻域(波長)帶隙。如果引入一個線缺陷破壞二維光子晶體的周期性，就會在包層結構的光子帶隙內產生一個缺陷模式，並能束縛在芯區內沿光纖傳輸。這種新型導光機理可在光纖的低折射率區域(如空氣芯)實現導光，這類光纖不可能基於全反射導光，它的許多新特性可廣泛應用於光纖傳感和光纖通信中。
迄今為止，人們已經利用純石英、非石英玻璃(如硫化物玻璃、Schott玻璃)和聚合物等各種材料製備光子晶體光纖。折射率導光的光子晶體光纖的芯區可摻雜鍺(Ge)、硼(B)和鉺、鐿、釹(Er3+，Yb3+，Nd3+)等稀土元素離子，從而改變折射率分布或者製作光纖放大器和雷射器等有源器件。光子晶體光纖還有許多其它新的特性，如無盡單模，大模場面積單模光纖，高非線性光纖，高雙折射光纖，色散可控光纖，等等。
折射率導光光子晶體光纖中，如果沿不同方向的空氣孔尺寸不同，或者孔形狀是橢圓而不是圓形，或者空氣孔位置不對稱，可以獲得高雙折射。這些高雙折射光子晶體光纖的雙折射可比傳統的熊貓光纖高一個量級。Ning Guan報導了一種高雙折射光子晶體光纖，在480nm到1620nm範圍內保偏，而且偏振串擾優於-25dB，在1300nm到1620nm範圍內串擾大約只有-45dB，即使光纖彎曲半徑只有10mm時偏振串擾也不會惡化。Crystal Fibre A/S(收購Blazephotonics後PCF產品更全面)公司提供的高雙折射光子晶體光纖長度超過100m的偏振耦合優於30dB，而且雙折射的溫度係數顯著低於普通高雙折射光纖。這些性質可用於開發新型特性的傳感器。在一些波長時能支持雙模工作(導模只有LP01模和LP11偶模)的高雙折射光子晶體光纖，可實現模式幹涉或偏振幹涉，用於應力和溫度傳感測量。
目前利用PCF進行溫度和應力傳感的研究已經開始，但是由於光子晶體光纖的應用剛剛起步，而且橫向應力的檢測難度比較大，所以現在仍然沒有看到基於光子晶體光纖的橫向應力傳感與檢測的相關報導。我們對光子晶體光纖和普通光纖的在外力作用下的形變情況進行了研究，結果表明，空氣孔有利於增強光纖對外力的應變，孔越大，應變越大。如果增加空氣孔數量，應變將進一步增大。應變大小對光子晶體光纖的結構有很強的依賴關係，因此，可以通過選擇不同的光子晶體光纖來獲取最好的應變參數，不僅降低檢測難度，提高檢測靈敏度，而且能獲得橫向應力的最佳檢測條件。
雙模光子晶體光纖進行傳感與檢測，利用不同模式之間的幹涉或者不同偏振態之間的幹涉，不僅可以通過檢測光強變化等簡單方法進行測量，而且由於光子晶體光纖可以獲得更高的雙折射，模式之間的拍長更短，能夠大大提高測量精度。
本發明——基於雙模光子晶體光纖的橫向應力(應變)傳感系統，利用光子晶體光纖對外力的更高敏感性，採取零雙折射雙模光子晶體光纖和高雙折射雙模光子晶體光纖對施加在光纖橫向的應力進行實時高精度檢測。
進一步的研究，可以基於上述內容，實現分布式橫向應力(應變)傳感與檢測系統或者傳感器網絡，對大型建築進行大面積整體應變情況的實時監測。
發明內容
基於雙模光子晶體光纖的橫向應力傳感系統含有一種零雙折射雙模光子晶體光纖橫向應力(應變)傳感系統，進一步實現分布式傳感系統或傳感器網絡，用於測量與受力方向無關的橫向應力或應變；和一種高雙折射雙模光子晶體光纖橫向應力(應變)傳感系統，進一步實現分布式傳感系統或傳感器網絡，用於測量方向相關的橫向應力或應變。
本發明的原理是利用雙模光子晶體光纖裡兩個模式之間的關係進行橫向應力(應變)傳感與檢測。無論是零雙折射還是高雙折射光子晶體光纖，都存在一定帶寬的波段，在該波段內支持雙模傳輸，即同時有基模和二階偶模存在。附圖6是三角周期的零雙折射光子晶體光纖的工作區域理論分析結果，顯然，當光纖中的空氣孔相對大小處於0.45和0.65之間時，光纖是雙模光纖。
一種基於雙模光子晶體光纖的橫向應力(應變)傳感系統，主要包括雷射器光源，普通單模光纖，零雙折射雙模光子晶體光纖或高雙折射雙模光子晶體光纖，偏振控制器，受力單元，遠場光斑檢測器，信號處理與顯示單元，雷射器光源輸出光經偏振控制器後，採用橫向錯位方式耦合進入零雙折射或高雙折射雙模光子晶體光纖，雙模光子晶體光纖安放在受力單元內，便於感受施加的外部橫向應力，遠場光斑檢測器檢測雙模幹涉形成的空間光場，並將檢測到的信息送給信號處理和顯示單元，得到橫向應力的檢測結果。
一種基於雙模光子晶體光纖的橫向應力(應變)傳感系統實現方法，主要有以下步驟第一，選用零雙折射或高雙折射光子晶體光纖，根據光纖結構確定其雙模工作波長範圍。
第二，在雙模光子晶體光纖工作波長範圍內選擇雷射器工作波長，並確定相應系統使用的雷射器光源和遠場光斑檢測器。
第三，雙模光子晶體光纖安放在受力單元內，便於對光纖施加外部橫向應力。
第四，雷射器光源輸出光經偏振控制器後，將其耦合進入光子晶體光纖，採用橫向錯位方式使基模與二階偶模功率基本相同。
第五，連接傳感系統光路，並精確調整，使系統響應、靈敏度、精度等最好。
第六，調試信號處理與顯示單元，對檢測信號進行處理並顯示在終端設備上，實現橫向應力的實時檢測。
本發明的解決方案主要有幾個關鍵技術。
第一，零雙折射雙模光子晶體光纖的選用。由於製作工藝的不完美，一般情況下不可能得到完全沒有雙折射的光纖，但是本發明使用偏振控制器抑制其中一個偏振方向的模式，所以，由於工藝缺陷引起的光纖固有雙折射問題可以避免。
第二，高雙折射雙模光子晶體光纖的選用。選用高雙折射光纖，二階模式在光纖裡傳輸過程中，它的光斑沿某一方向固定，不會發生隨機旋轉，與基模的耦合更充分。
第三，多種雙模光子晶體光纖的選用。為了適應不同環境和不同傳感要求，本發明提供多種零雙折射或高雙折射雙模光子晶體光纖的選用，而且使用不同光纖時的傳感器特性都繼續保持。
第四，偏振控制器的選用。不論是零雙折射還是高雙折射雙模光子晶體光纖傳感器系統，本發明都選用偏振控制器，抑制某個方向偏振的模式，削弱不同偏振態之間的耦合或偏振模色散對傳感器靈敏度的影響。
第五，錯位耦合技術的使用。雷射器輸出的光耦合進入傳感器使用的雙模光子晶體光纖，如果採用通常的對準方式耦合，光纖裡基模和二階偶模的模式能量相差很大，它們的耦合輸出光斑隨橫向應力的變化不明顯，因此傳感器的靈敏度很低。本發明採用錯位耦合技術，使雷射器輸出光纖與雙模光子晶體光纖的端面沿橫向錯位，調整錯位位移量，使雙模光子晶體光纖裡基模和二階偶模的能量接近，從而大大提高傳感器的靈敏度。當基模和二階偶模的能量正好相等時，靈敏度最高。
第六，遠場光斑光探測器的選用。本發明的基本原理是利用基模與二階偶模的耦合輸出光場隨橫向外力的變化來實現橫向應力的檢測，因此準確、靈敏地檢測光纖輸出端的遠場光斑是本發明的關鍵。本發明採用遠場光斑探測器，檢測光強度在探測器位置的空間分布變化情況，並將檢測到的光強轉換為電信號，送給後續的信號處理與顯示部分，完成傳感器系統的全部功能。
本發明的技術效果在實際傳感器應用中能得到體現。零雙折射雙模光子晶體光纖橫向應力(應變)傳感器，因使用的光纖不具有固有雙折射，無論從哪個方向施加的橫向應力，產生的橫向形變和折射率變化對輸出光信號的影響都是一樣的，因此不能區分橫向應力來自的方向。該傳感器系統只能用於與方向無關的橫向應力檢測。高雙折射雙模光子晶體光纖橫向應力(應變)傳感器，因使用的光纖具有較高的固有雙折射，不同方向施加的橫向應力產生的橫向形變和折射率變化對輸出光信號的影響不同，因此該傳感器系統能用於方向相關的橫向應力檢測。
零雙折射或高雙折射雙模光子晶體光纖橫向應力(應變)傳感器的技術效果還可以通過以下手段得到提高。
第一，選用雙模光子晶體光纖時，考慮基模與二階偶模之間的模式折射率關係，如果相差較大，可以提高傳感器靈敏度。
第二，調整雷射器輸出光到光子晶體光纖的耦合結構，如果橫向錯位使基模與二階偶模的光功率接近，可以提高傳感器靈敏度。
第三，調整雷射器輸出光到光子晶體光纖的耦合結構，如果兩光纖中心軸線不平行，可以增強光子晶體光纖對橫向應力的敏感性，提高傳感器系統的靈敏度，但是這一手段降低了光功率。
第四，選用遠場光斑探測器時，如果其探測陣列解析度高，或者響應度高，或者靈敏度高，都能提高傳感器系統的靈敏度。
第五，傳感器系統其它信號處理部分的功能改善，也有利於提高傳感器的技術效果。
第六，傳感器系統其它部分的功能改善，器件性能提高，都有利於提高傳感器系統的技術效果。
至此，給出並介紹了基於雙模光子晶體光纖的橫向應力(應變)傳感系統。考慮本發明的詳細介紹和附圖，那些專業技術人員將明顯看到本發明的這些和其它目的以及優點。顯而易見地，專業技術人員能比較容易地對本發明進行修改、改變、變化、使用和應用，所有那些沒有遠離本發明實質的修改、改變、變化、使用和應用都包括在本發明之內。
圖1零雙折射雙模光子晶體光纖橫向應力傳感系統框圖；圖2高雙折射雙模光子晶體光纖橫向應力傳感系統框圖；圖3三角周期的零雙折射雙模光子晶體光纖結構；圖4四方周期的零雙折射雙模光子晶體光纖結構；圖5蜂窩周期的零雙折射雙模光子晶體光纖結構；圖6三角周期的零雙折射光子晶體光纖的工作區域劃分；圖7零雙折射雙模光子晶體光纖裡兩個正交偏振的基模的模場分布；圖8零雙折射雙模光子晶體光纖裡四個二次模的模場分布；圖9第一種高雙折射雙模光子晶體光纖結構；圖10第二種高雙折射雙模光子晶體光纖結構；圖11第三種高雙折射雙模光子晶體光纖結構；圖12第四種高雙折射雙模光子晶體光纖結構；圖13高雙折射雙模光子晶體光纖裡兩個基模的模場分布；圖14高雙折射雙模光子晶體光纖裡兩個二階偶模的模場分布；圖15零雙折射光子晶體光纖受力示意圖；圖16高雙折射光子晶體光纖受力示意圖；圖17高雙折射雙模光纖裡一個基模和二階偶模的遠場光斑；圖18壓力變化時，遠場光斑的周期變化情況。經偏振控制器後，假定輸入端，基模和二階偶模的y分量進入光纖橫向應力傳感區，而且兩個模式的功率相等，那麼輸出端遠場光斑的將隨外部施加在受力單元上的應力大小而周期性變化，從主要集中在上半部，到主要集中在下半部，這是基模和二階偶模之間的相位差變化π的結果，如果相位差繼續增大，光能量將從下半部逐漸轉移到上半部。
具體實施例方式
為了更清楚地說明本發明，下面結合實施案例和附圖對本發明做進一步說明，但不應以此限制本發明的保護範圍。
實施例1；零雙折射雙模光子晶體光纖橫向應力(應變)傳感系統；附圖1所示，圖中光纖是零雙折射光子晶體光纖，光源(雷射器)輸出光波長為633nm，該波長處光纖是雙模工作狀態，支持基模和二階偶模；利用普通單模光纖傳輸至橫向應力檢測區，經偏振控制器後，只剩下x方向偏振的基模和二階偶模；錯位耦合進入光子晶體光纖，錯位位移經過調節後，基模與二階偶模功率接近相等；光在橫向應力作用下通過光纖，並輸出至遠場光斑探測器(可以是高靈敏度的CCD陣列)，將空間光強分布轉換為電信號；經信號採樣、處理、顯示，輸出橫向應力檢測的圖形與數據結果。
實施例2；高雙折射雙模光子晶體光纖橫向應力(應變)傳感系統；附圖2所示，圖中光纖是高雙折射光子晶體光纖，光源(雷射器)輸出光波長為1310nm，該波長處光纖是雙模工作狀態，支持基模和二階偶模；利用普通單模光纖傳輸至橫向應力檢測區，經偏振控制器後，只剩下y方向偏振的基模和二階偶模；錯位耦合進入光子晶體光纖，錯位位移經過調節後，基模與二階偶模功率接近相等；光在橫向應力作用下通過光纖，並輸出至遠場光斑探測器(可以是高靈敏度的CCD陣列)，將空間光強分布轉換為電信號；經信號採樣、處理、顯示，輸出橫向應力檢測的圖形與數據結果。
因為高雙折射光子晶體光纖的固有雙折射的改變與外力方向有關，因此改變橫向應力方向會改變光纖輸出端的遠場光場，從而改變光探測器的輸出信號，經信號採樣、處理、顯示，輸出橫向應力的大小和方向的結果。
實施例3；附圖3、4、5是三種典型的零雙折射雙模光子晶體光纖，其中的基模的兩個偏振分量(附圖7)之間沒有雙折射，二階模包括四個近似簡併模式(附圖8)，實際光纖裡傳輸的二階模是由這四個模式組合而成的，因此，在光纖裡傳輸時，二階模光斑方向隨機旋轉。在光纖入射端加入一偏振控制器，保持光纖裡只傳輸一個方向偏振的光，這樣，基模只有一個分量傳輸，二階模也只有一個偏振方向的光能夠傳輸，而且光斑方向不再旋轉，能夠形成穩定的模場。
外力通過受力單元施加在零雙折射光子晶體光纖橫向(附圖15)，使光纖產生橫向應變，不僅改變光纖的對稱性，也改變光纖裡空氣孔的形狀，而且使石英材料折射率因壓力而發生變化，從而改變光纖的傳輸特性。第一，原來的零雙折射光子晶體光纖不再是零雙折射，會產生新的雙折射，雙折射大小與外力大小有關；第二，同階模式的兩個正交偏振分量的傳輸常數和模式折射率發生變化，經過偏振控制器後，雖然只有一個偏振分量進入光纖，其模式折射率的變化將影響輸出光信號；第三，基模和二階模的相同方向的偏振分量之間的模式折射率差發生變化，從而決定它們之間的相位關係和耦合情況，最終決定光纖的輸出光信號和傳感器檢測到的信號。
附圖9、10、11、12是幾種典型的高雙折射光子晶體光纖，這些光纖裡任何模式都不再簡併。基模的兩個偏振分量(附圖13)簡併被打破，二階模則包括偶模(附圖14)和奇模，它們的光斑取向分別沿光纖的慢軸(對應較大的模式折射率)和快軸(對應較小的模式折射率)，而且偶模和奇模都包含兩個方向偏振的模式。高雙折射雙模光子晶體光纖只支持基模和二階偶模傳輸，經過偏振控制器後，進入光纖的光只能激勵基模和二階偶模的一個相同方向偏振的模式分量。這兩個模式在光纖裡傳輸時發生耦合，耦合情況由它們之間的模式折射率關係決定，從而影響輸出光信號。
外力通過施力單元施加在高雙折射光子晶體光纖橫向(附圖16)，如果外力沿快軸方向，隨著外力增大，雙折射增大；如果外力沿慢軸方向，外力增大時雙折射減小。因此，可以根據雙折射的變化判斷外力方向和大小。橫向應力使光纖產生橫向應變，不僅改變光纖的對稱性，也改變光纖裡空氣孔的形狀，而且使石英材料折射率因壓力而發生變化，從而改變光纖的傳輸特性，主要是改變各模式的傳輸常數和模式折射率，因而改變光纖的雙折射。雙折射變化後，高雙折射雙模光子晶體光纖中傳輸的基模和二階偶模之間的相位關係也發生相應變化，輸出端光信號的模斑隨之改變。附圖17是基模和二階偶模的遠場光斑，附圖18是橫向壓力變化時遠場光斑的周期變化。
零雙折射或高雙折射的雙模光子晶體光纖傳感器系統結構基本相同，主要區別在於傳感器部分使用不同光纖。系統採用普通雷射光源，要求輸出功率穩定，波長處於所用光纖的雙模波段內。輸出光經過一個偏振控制器，在光纖裡激勵單一偏振分量的基模和二階偶模，經過光纖橫向受力區域，在外加橫向應力的作用下，兩個模式電場在光纖裡的耦合情況隨橫向應力而改變，輸出光場在光探測器處的強度空間分布發生變化，通過檢測輸出的光強度空間分布，即可檢測施加在光纖上的橫向應力。
權利要求
1.一種基於雙模光子晶體光纖的橫向應力應變傳感系統，主要包括雷射器光源，普通單模光纖，零雙折射雙模光子晶體光纖或高雙折射雙模光子晶體光纖，偏振控制器，受力單元，遠場光斑檢測器，信號處理與顯示單元，其特徵在於雷射器光源輸出光經偏振控制器後，採用橫向錯位方式耦合進入零雙折射或高雙折射雙模光子晶體光纖，雙模光子晶體光纖安放在受力單元內，便於感受施加的外部橫向應力，遠場光斑檢測器檢測雙模幹涉形成的空間光場，並將檢測到的信息送給信號處理和顯示單元，得到橫向應力的檢測結果。
2.根據權利要求1所述的一種基於雙模光子晶體光纖的橫向應力應變傳感系統，其特徵在於檢測雙模光子晶體光纖中傳輸的雙模幹涉形成的遠場光斑變化。
3.根據權利要求1所述的一種基於雙模光子晶體光纖的橫向應力應變傳感系統，其特徵在於雷射器輸出光波長和遠場光斑檢測器的工作波段與光子晶體光纖的雙模工作波段對應。
4.根據權利要求1或2所述的一種基於雙模光子晶體光纖的橫向應力應變傳感系統，其特徵在於雙模光子晶體光纖穿過受力單元的部分在受力單元內部固定。
5.根據權利要求1或3所述的一種基於雙模光子晶體光纖的橫向應力應變傳感系統，其特徵在於遠場光斑檢測器檢測光纖輸出端光功率在橫向的空間分布，直接探測光斑形狀，並將探測到的信息轉換為電信號輸出至信號處理與顯示單元。
6.基於雙模光子晶體光纖的橫向應力應變傳感系統實現方法，其特徵在於有以下步驟第一，選用零雙折射或高雙折射光子晶體光纖，根據光纖結構確定其雙模工作波長範圍；第二，在雙模光子晶體光纖工作波長範圍內選擇雷射器工作波長，並確定相應系統使用的雷射器光源和遠場光斑檢測器；第三，雙模光子晶體光纖安放在受力單元內，對光纖施加外部橫向應力；第四，雷射器光源輸出光經偏振控制器後，將其耦合進入光子晶體光纖，採用橫向錯位方式使基模與二階偶模功率基本相同；第五，連接傳感系統光路，並精確調整；第六，調試信號處理與顯示單元，對檢測信號進行處理並顯示在終端設備上，實現橫向應力的實時檢測。
全文摘要
一種基於雙模光子晶體光纖的橫向應力傳感系統及實現方法，包括雷射器光源，普通單模光纖，零雙折射雙模光子晶體光纖，高雙折射雙模光子晶體光纖，偏振控制器，受力單元，遠場光斑檢測器，信號處理與顯示單元。雷射器光源輸出光經偏振控制器後，採用橫向錯位方式耦合進入零雙折射或高雙折射雙模光子晶體光纖，雙模光子晶體光纖安放在受力單元內，便於感受施加的外部橫向應力，遠場光斑檢測器檢測雙模幹涉形成的空間光場，並將檢測到的信息送給信號處理和顯示單元，得到橫向應力的檢測結果。此光纖傳感系統可實現實時分布式橫向應力檢測。
文檔編號G02B6/02GK1831486SQ200610076339
公開日2006年9月13日 申請日期2006年4月21日 優先權日2006年4月21日
發明者王智, 王擁軍, 吳重慶 申請人:北京交通大學