有機電致發光器件及其製作方法

2023-07-04 07:29:26 1

有機電致發光器件及其製作方法
【專利摘要】本發明涉及一種有機電致發光器件，其包括依次層疊設置的抗反射複合層、基底、陽極層、短路減少層、第一有機發光功能層、電荷產生層、第二有機發光功能層及陰極層。其中，抗反射複合層包括白玻璃板以及位於白玻璃板兩側的抗反射膜，基底設在其中一抗反射膜上且與該抗反射膜之間設有出光空隙。該有機電致發光器件，通過在出光面下設置抗反射膜，並且在陽極層上設置短路減少層，整個器件的出光效率大大提高。且上述製作方法簡便，對設備要求低，可以廣泛推廣應用。此外，本發明還是涉及一種有機電致發光器件的製作方法。
【專利說明】有機電致發光器件及其製作方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及電致發光【技術領域】，尤其是涉及一種有機電致發光器件及其製作方法。

【背景技術】
[0002]有機電致發光器件(OLED)具有一些獨特的優點:(I)OLED屬於擴散型面光源，不需要像發光二極體(LED) —樣通過額外的導光系統來獲得大面積的白光光源；(2)由於有機發光材料的多樣性，OLED照明可根據需要設計所需顏色的光，目前無論是小分子0LED，還是聚合物有機發光二極體(PLED)都已獲得了包含白光光譜在內的所有顏色的光；(3)OLED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬或塑料等材料上製作，從而使得設計照明光源時更加自由；(4)採用製作OLED顯示的方式製作OLED照明面板，可在照明的同時顯示信息；(5)OLED在照明系統中還可被用作可控色，允許使用者根據個人需要調節燈光氛圍。然而傳統的OLED普遍存在出光效率不高的問題。


【發明內容】

[0003]基於此，有必要提供一種出光效率較高的有機電致發光器件及其製作方法。
[0004]一種有機電致發光器件，包括依次層疊設置的抗反射複合層、基底、陽極層、短路減少層、第一有機發光功能層、電荷產生層、第二有機發光功能層及陰極層；其中，所述抗反射複合層包括白玻璃板以及位於所述白玻璃板兩側的抗反射膜，所述基底設在其中一抗反射膜上且與該抗反射膜之間設有出光空隙；所述短路減少層的材料為SiGe(鍺化矽)與In2O3(三氧化二銦)、ZnS (硫化鋅)、Sn02 (二氧化錫)或S12 (二氧化矽);所述第一有機發光功能層包括在所述短路減少層上依次層疊設置的第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一紅光發光層、第一綠光發光層、藍光發光層及第一電子傳輸層；所述第二有機發光功能層包括在所述電荷產生層上依次層疊設置的第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二紅光發光層、第二綠光發光層、第二電子傳輸層及電子注入層，所述陰極層設在所述電子注入層上。
[0005]在其中一個實施例中，所述抗反射膜的材料為SiGe (鍺化矽)，厚度為10?20nm。
[0006]在其中一個實施例中，所述基底的材料為聚氨酯，所述基底靠近所述抗反射複合層的一側設有多個均勻分布且與所述基底一體成型的凸起。
[0007]在其中一個實施例中，所述凸起為方型，厚度為5?20 μ m，相鄰凸起之間間距5?20 μ m0
[0008]在其中一個實施例中，所述陽極層為厚度10nm的ITO (氧化銦錫)層。
[0009]在其中一個實施例中，所述第一空穴注入層的材料為MoO3 (三氧化鑰)、WO3 (三氧化鎢)、V205 (五氧化二釩)或ReO3 (三氧化錸)按照25?35%的摻雜質量比摻雜在N，N』-二苯基-N, N，- 二 (1-萘基)-1, I，-聯苯-4，4』 - 二胺(NPB)、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4，- 二(9-咔唑)聯苯(CBP)、N, N，- 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺(TPD)或1，1-二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)中形成的混合材料；
[0010]所述第一空穴傳輸層的材料為N，N』-二苯基-N，N』-二(1-萘基)_1，Γ-聯苯-4，4』 - 二胺、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N，N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷；
[0011]所述第一紅光發光層的材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙醯丙酮)合銥(11*_0)2(&(^))、二[2-苯基喹啉基)州，〇2](乙醯丙酮)合銥(III) (PQIr)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯並咪唑](乙醯丙酮)合銥(III) ((fbi)2Ir(acac))、二 [2- (2-氟苯基)-1,3-苯並噻唑-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III) ( (F-BT)2IHacac) )、二(2-苯並噻吩-2-基-吡啶)(乙醯丙酮)合銥(III) (11"0^?)2(&(^(3))或三(1-苯基-異喹啉)合銥)(Ir (piq) 3)按照0.5?2%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』 』 -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)、9，9』-(I, 3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、4, 4，- 二(9-咔唑)聯苯(CBP)、N, N，- 二(3-甲基苯基)州州』-二苯基-4，4』-聯苯二胺(了?0)、1，1-二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)或9，10-雙(1-萘基)蒽)(ADN)中形成的混合材料；
[0012]所述第一綠光發光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)、乙醯丙酮酸二(2-苯基卩比唳)銥(11'&口7)2(303(3))或三[2-(對甲苯基)卩比唳]合銥(III) (Ir (mppy)3)按照2?10%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺、I，1- 二 [4_[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒或9，10-雙(1-萘基)蒽中形成的混合材料；
[0013]所述藍光發光層的材料包括藍光主體材料、藍光客體材料及電荷產生材料，所述藍光主體材料為4，4』-二(9-咔唑)聯苯、9，9』-(1,3-苯基)二-9!1-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基矽)-9H-咔唑(CzSi)、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)、3, 5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶(35DCzPPY)或 1，4—雙(三苯基矽)苯(UGH2)，所述藍光客體材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲醯合銥(FIrpic)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、三(2- (4』，6』-二氟-5』 -氰基)苯基吡啶-N，C2』 )合銥(FCNIr)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3_(三氟甲基)-5-(批啶-2-基)-1, 2，4-三唑)合銥(FIrtaz)或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥)(FIrN4)，所述電荷產生材料為Mo03、V2O5, WO3或ReO3，所述藍光主體材料、所述藍光客體材料及所述電荷產生材料的質量比為1:5?20:5?10 ;
[0014]所述第一電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4,7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉(BCP)、4_聯苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)或I, 3, 5-三(1-苯基-1H-苯並咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0015]在其中一個實施例中，所述電荷產生層的材料為Mo03、V205、W03*Re03，厚度為5?30nmo
[0016]在其中一個實施例中，所述第二空穴注入層的材料為Mo03、WO3> V2O5或ReO3按照25?35%的摻雜質量比摻雜在N，N』 - 二苯基-N，N』 - 二(1-萘基)-1, I』 -聯苯-4，4』 - 二胺、4，4』，4』』-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』-二(9-咔唑)聯苯、N，N』- 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷中形成的混合材料；
[0017]所述第二空穴傳輸層的材料為N，N』-二苯基-N，N』-二(1-萘基)_1，Γ-聯苯-4，4』 - 二胺、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N，N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷；
[0018]所述第二紅光發光層的材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙醯丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯並咪唑](乙醯丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1，3-苯並噻唑-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III)、二(2-苯並噻吩-2-基-吡啶)(乙醯丙酮)合銥(III)或三(1-苯基-異喹啉)合銥)按照0.5?2%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺、I，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒或9，10-雙(1-萘基)蒽)中形成的混合材料；
[0019]所述第二綠光發光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙醯丙酮酸二(2-苯基吡唆)銥或三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III)按照2?10%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』-二(3-甲基苯基)-N, N』-二苯基-4，4』-聯苯二胺、I，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒或9，10-雙(1-萘基)蒽中形成的混合材料；
[0020]所述第二電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯並咪唑-2-基)苯；
[0021]所述電子注入層的材料為Cs2CO3 (碳酸銫)、CsF (氟化銫)、CsN3 (三氮化銫)、Li2CO3(碳酸鋰)、LiF (氟化鋰)或Li2O (氧化鋰)按照25?35%的摻雜質量比摻雜在4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯並咪唑-2-基)苯中形成的混合材料。
[0022]在其中一個實施例中，所述陰極層的材料為Ag、Al或Au，厚度為50?200nm。
[0023]一種有機電致發光器件的製作方法，包括如下步驟:
[0024]在白玻璃板的兩側分別磁控濺射製備抗反射膜，得到含有兩層抗反射膜的抗反射複合層，同時在基底的一側沉積導電材料製作陽極層，然後將所述基底的另一側疊設在所述抗反射複合層中一側的抗反射膜上且與該抗反射膜之間設有出光空隙；
[0025]採用磁控濺射的方式，在所述陽極層上製備短路減少層，磁控濺射的材料選用SiGe與In2O3、ZnS, SnO2或S12按照質量比1:1的混合材料；
[0026]在所述短路減少層上依次製備第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一紅光發光層、第一綠光發光層、藍光發光層及第一電子傳輸層；
[0027]在所述第一電子傳輸層上蒸鍍製備電荷產生層，所述電荷產生層的材料為Mo03、V205、WO3 或 ReO3 ；
[0028]在所述電荷產生層上依次製備第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二紅光發光層、第二綠光發光層、第二電子傳輸層及電子注入層；
[0029]在所述電子注入層上蒸鍍製備陰極層，得到所述有機電致發光器件。
[0030]上述有機電致發光器件，通過在出光面下設置抗反射膜，並且在陽極層上設置短路減少層，整個器件的出光效率大大提高。且上述製作方法簡便，對設備要求低，可以廣泛推廣應用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為一實施方式的有機電致發光器件的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0032]下面主要結合附圖及具體實施例對有機電致發光器件及其製作方法作進一步詳細的說明。
[0033]如圖1所示，一實施方式的有機電致發光器件100包括依次層疊設置的抗反射複合層110、基底120、陽極層130、短路減少層140、第一有機發光功能層150、電荷產生層160、第二有機發光功能層170及陰極層180。
[0034]抗反射複合層110包括白玻璃板112以及位於白玻璃板112兩側的抗反射膜114。抗反射膜114的材料為SiGe，厚度為10?20nm。
[0035]基底120設在其中一抗反射膜114上且與該抗反射膜114之間設有出光空隙。基底120的材料為聚氨酯。基底120靠近抗反射複合層114的一側設有多個均勻分布且與基底120 —體成型的凸起122。在本實施方式中，凸起122為方型，厚度為5?20 μ m，相鄰凸起122之間間距5?20 μ m。基底120設有凸起122的一側疊設在抗反射複合層110上，從而二者之間形成間隙，光可以從該間隙射出，同時，由於抗反射膜114的存在，出光效率顯著提高。
[0036]陽極層130為覆蓋在基底120上的厚度10nm的ITO層。
[0037]短路減少層140的材料為兩種材料按照質量比1:1形成的混合材料,其中一種材料是SiGe,另一種為In2O3> ZnS, SnO2或S120短路減少層140的厚度為4?10nm。
[0038]第一有機發光功能層150包括在短路減少層140上依次層疊設置的第一空穴注入層151、第一空穴傳輸層152、第一紅光發光層153、第一綠光發光層154、藍光發光層155及第一電子傳輸層156。
[0039]第一空穴注入層151的材料為用於摻雜的Mo03、W03、V205或ReO3按照25?35%的摻雜質量比摻雜在N, N』 - 二苯基-N, N』 - 二 (1-萘基)-1, I，-聯苯-4，4』 - 二胺、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』-二(9-咔唑)聯苯、N, N』-二(3-甲基苯基)-N, N』- 二苯基-4，4』 -聯苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N, - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷等主體材料中形成的混合材料。其中，摻雜質量比數據表示用於摻雜的材料與主體材料的質量比，以下同理。第一空穴注入層151的厚度為10?15nm。
[0040]第一空穴傳輸層152的材料為N，N』-二苯基-N，N』-二(1_萘基)_1，Γ-聯苯-4，4』 - 二胺、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N，N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒。第一空穴傳輸層152的厚度為30?50nm。
[0041]第一紅光發光層153的材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙醯丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯並咪唑](乙醯丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1，3-苯並噻唑-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III)、二(2-苯並噻吩-2-基-吡啶)(乙醯丙酮)合銥(III)或三(1-苯基-異喹啉)合銥)按照0.5?2%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺、I，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒或9，10-雙(1-萘基)蒽)中形成的混合材料。第一紅光發光層153的厚度為10?30nm。
[0042]第一綠光發光層154的材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙醯丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥或三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III)按照2?10%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』』-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N，N』-二苯基-4，4』-聯苯二胺、I，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷或9，10-雙(1-萘基)蒽中形成的混合材料。第一綠光發光層154的厚度為10 ?30nm。
[0043]藍光發光層155的材料包括藍光主體材料、藍光客體材料及電荷產生材料，藍光主體材料為4，4』-二(9-咔唑)聯苯、9，9』-(1,3-苯基)二-9!1-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基矽)-9!1-咔唑、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶或1，4—雙(三苯基矽)苯，藍光客體材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲醯合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2-(4'，6』 - 二氟-5』-氰基)苯基吡啶-N, C2』)合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1, 2，4-三唑)合銥或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥)，電荷產生材料為Mo03、V2O5, WO3或ReO3，藍光主體材料、藍光客體材料及電荷產生材料的質量比為1:5?20:5?10。藍光發光層155的厚度為5?15nm。
[0044]第一電子傳輸層156的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯並咪唑-2-基)苯。第一電子傳輸層156的厚度為10?60nm。
[0045]電荷產生層160的材料為Mo03、V2O5, WO3或ReO3,厚度為5?30nm。
[0046]第二有機發光功能層170包括在電荷產生層160上依次層疊設置的第二空穴注入層171、第二空穴傳輸層172、第二紅光發光層173、第二綠光發光層174、第二電子傳輸層175及電子注入層176。
[0047]第二空穴注入層171的材料為Mo03、WO3> V2O5或ReO3按照25?35%的摻雜質量比摻雜在 N, N』 - 二苯基-N, N』 - 二 (1-萘基)_1，I，-聯苯-4，4』 - 二胺、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺或1，1-二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷中形成的混合材料。第二空穴傳輸層171的厚度為10?15nm。
[0048]第二空穴傳輸層172的材料為N，N』-二苯基-N，N』-二(1_萘基)_1，Γ-聯苯-4，4』 - 二胺、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N，N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷。第二空穴傳輸層172的厚度為30?50nm。
[0049]第二紅光發光層173的材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙醯丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯並咪唑](乙醯丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1，3-苯並噻唑-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III)、二(2-苯並噻吩-2-基-吡啶)(乙醯丙酮)合銥(III)或三(1-苯基-異喹啉)合銥)按照0.5?2%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺、I，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒或9，10-雙(1-萘基)蒽)中形成的混合材料。第二紅光發光層173的厚度為10?30nm。
[0050]第二綠光發光層174的材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙醯丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥或三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III)按照2?10%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』』-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N，N』-二苯基-4，4』-聯苯二胺、I，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷或9，10-雙(1-萘基)蒽中形成的混合材料。第二綠光發光層的厚度為10?30nmo
[0051]第二電子傳輸層175的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 —二苯基一 1，
10一鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯並咪唑-2-基)苯。第二電子傳輸層175的厚度為10?60nm。
[0052]電子注入層176 的材料為 Cs2C03、CsF、CsN3> Li2C03、LiF 或 Li2O 按照 25 ?35% 的摻雜質量比摻雜在4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯並咪唑_2_基)苯中形成的混合材料。電子注入層176的厚度為20?40nm。
[0053]陰極層180設在電子注入層176上。陰極層180的材料為Ag、Al或Au，厚度為50 ?200nm。
[0054]該有機電致發光器件100通過在出光面下設置抗反射膜114，並且在陽極層130上設置短路減少層140，整個器件100的出光效率大大提高。
[0055]此外，本實施方式還提供了一種有機電致發光器件的製作方法，包括如下步驟:
[0056]步驟一:在白玻璃板的兩側分別磁控濺射製備抗反射膜，得到含有兩層抗反射膜的抗反射複合層，同時在基底的一側沉積導電材料製作陽極層，然後將基底的另一側疊設在抗反射複合層中一側的抗反射膜上且與該抗反射膜之間設有出光空隙。
[0057]在本實施方式中，還包括在基底的另一側進行微圖案紋理化製作，並對基底在真空狀態進行乾燥處理以儘量除去水和空氣的步驟。其中，微圖案紋理化製作具體是採用方形治具，在基底的另一側製作出具有多個均勻分布的方形凸起。方形凸起的厚度為5?20 μ m，相鄰凸起之間間距5?20 μ m。
[0058]步驟二:採用磁控濺射的方式，在陽極層上製備短路減少層，磁控濺射的材料選用兩種材料按照質量比1:1形成的混合材料，其中一種材料是SiGe，另一種材料是In203、ZnS、SnO2 或 S12。
[0059]步驟三:在短路減少層上依次製備第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一紅光發光層、第一綠光發光層、藍光發光層及第一電子傳輸層。
[0060]第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一紅光發光層、第一綠光發光層、藍光發光層及第一電子傳輸層的製作主要採用真空蒸鍍的方式。
[0061]步驟四:在第一電子傳輸層上真空蒸鍍製備電荷產生層，電荷產生層的材料為MoO3、V2O5、WO3 或 ReO3。
[0062]步驟五:在電荷產生層上依次製備第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二紅光發光層、第二綠光發光層、第二電子傳輸層及電子注入層。
[0063]第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二紅光發光層、第二綠光發光層、第二電子傳輸層及電子注入層的製作主要採用真空蒸鍍的方式。
[0064]步驟六:在電子注入層上真空蒸鍍製備陰極層，得到有機電致發光器件。
[0065]上述製作方法簡便，對設備要求低，可以廣泛推廣應用。
[0066]以下為具體實施例部分:
[0067]實施例1:
[0068]a)選取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作為高折光指數層。先將厚度10nm的透明ITO陽極沉積在聚氨酯塑料膜的表面，採用方形治具在塑料膜的另一個表面進行微圖案紋理製作，在塑料膜的另一個表面製作厚度為5 μ m,間距為5 μ m的多個均勻分布的方形凸起。
[0069]選取一塊白玻璃板，採用真空濺射的方式在白玻璃板兩面分別濺射一層抗反射膜，抗反射膜的材質為SiGe，本底真空度為I X 10 — 5Pa,厚度20nm。
[0070]將塑料膜具有方形凸起的一側置於白玻璃板一側的抗反射膜上，微圖案化紋理結構連接到了抗反射膜上，二者之間產生了空隙。將得到的結構在80°C下真空乾燥15min，減少剩餘的水和氣體。
[0071]短路減少層的製作:採用磁控濺射的方式在ITO陽極層上製作短路減少層，短路減少層材料為SiGe與In2O3按照質量比1:1的混合材料，本底真空度為1X10 —5Pa,厚度1nm0
[0072]採用真空蒸鍍的方式製備如下各層:
[0073]b)第一空穴注入層的製備:將MoO3摻雜入NPB中作為第一空穴注入層，摻雜濃度30wt% (「wt 「表示質量濃度，以下同理)，厚度12.5nm，真空度5父10-%1，蒸發速度0.5人/3。
[0074]c)第一空穴傳輸層的製備:材料採用NPB，真空度5X10_5Pa，蒸發速度lA/s,蒸發厚度40nm。
[0075]d)第一紅光發光層的製備:主體材料採用TCTA，紅色客體材料採用Ir (MDQ)2(acac);真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S，蒸發厚度20nm，紅色客體材料與主體材料的質量比為1:100。
[0076]e)第一綠光發光層的製備:主體材料採用TCTA,綠色客體材料採用Ir(ppy)3 ;真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S,蒸發厚度20nm，綠色客體材料與主體材料的質量比為6:100。
[0077]f)藍光發光層的製備:主體材料採用CBP、藍色客體材料採用FIrpic、電荷產生材料採用MoO3 ;真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S，蒸發厚度10nm，主體材料、藍色客體材料及電荷產生材料的質量比為100:12.5:7.5。
[0078]g)第一電子傳輸層的製備:電子傳輸材料為Bphen，真空度5X10_5Pa，蒸發速度I A/'s，蒸發厚度35nm。
[0079]h)電荷產生層的製備:採用雙極性電荷產生層MoO3，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S，蒸發厚度 17.5nm。
[0080]i)第二空穴注入層的製備:將MoO3摻雜入NPB中作為第二空穴注入層，摻雜濃度30wt%，厚度12.5nm，真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5人/S,
[0081]j)第二空穴傳輸層的製備:材料採用NPB ;真空度5X 10_5Pa，蒸發速度lA/s,蒸發厚度40nm。
[0082]k)第二紅光發光層的製備:主體材料採用TCTA、紅色客體材料採用Ir (MDQ) 2(acac);真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/s，蒸發厚度20nm，紅色客體材料與主體材料的質量比為1:100。
[0083]I)第二綠光發光層的製備:主體材料採用TCTA、綠色客體材料採用Ir(ppy)3 ;真空度5X10_5Pa，蒸發速度0.5A/S，蒸發厚度20nm，綠色客體材料與主體材料的質量比為6:100。
[0084]m)第二電子傳輸層的製備:材料為Bphen，真空度5X 10_5Pa，蒸發速度lA/s，蒸發厚度35nm。
[0085]η)電子注入層的製備:採用η型材料摻雜入電子傳輸材料中形成電子注入層，η型材料為Cs2CO3,電子傳輸材料採用Bphen，η型材料在電子傳輸材料中的摻雜濃度30wt%，真空度5X 10_5Pa，蒸發速度lA/s，蒸發厚度30nm。
[0086]ο)陰極層的製備:金屬陰極採用銀(Ag),厚度為125nm,真空度5X 10_5Pa,蒸發速度 3A/s。
[0087]實施例2:
[0088]a)選取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作為高折光指數層。先將厚度10nm的透明ITO陽極沉積在聚氨酯塑料膜的表面，採用方形治具在塑料膜的另一個表面進行微圖案紋理製作，在塑料膜的另一個表面製作厚度為10 μ m,間距為10 μ m的多個均勻分布的方形凸起。
[0089]選取一塊白玻璃板，採用真空濺射的方式在白玻璃板兩面分別濺射一層抗反射膜，抗反射膜的材質為SiGe，本底真空度為I X 10 — 5Pa,厚度20nm。
[0090]將塑料膜具有方形凸起的一側置於白玻璃板一側的抗反射膜上，微圖案化紋理結構連接到了抗反射膜上，二者之間產生了空隙。將得到的結構在80°C下真空乾燥15min，減少剩餘的水和氣體。
[0091]短路減少層的製作:採用磁控濺射的方式在ITO陽極層上製作短路減少層，短路減少層的材料選用SiGe與ZnS按照質量比1:1的混合材料，本底真空度為I X 10 — 5Pa,厚度 10nm。
[0092]採用真空蒸鍍的方式製備如下各層:
[0093]b)第一空穴注入層的製備:將WO3摻雜入TCTA中作為第一空穴注入層，摻雜濃度25wt%,厚度10nm，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.1 A/s。
[0094]c)第一空穴傳輸層的製備:材料採用TCTA，真空度5X10_5Pa，蒸發速度0.1人/S，蒸發厚度30nm。
[0095]d)第一紅光發光層的製備:主體材料採用mCP，紅色客體材料採用PQIr ;真空度5X10_5Pa，蒸發速度0.lA/s，蒸發厚度10nm，紅色客體材料與主體材料的質量比為0.5:100。
[0096]e)第一綠光發光層的製備:主體材料採用mCP，綠色客體材料採用Ir (ppy)2(acac);真空度5X 10_5Pa,蒸發速度0.lA/s,蒸發厚度1nm,綠色客體材料與主體材料的質量比為2:100。
[0097]f)藍光發光層的製備:主體材料採用mCP、藍色客體材料採用Fir6、電荷產生材料採用V2O5 ;真空度5\10_午&，蒸發速度0.1人./5，蒸發厚度5nm，主體材料、藍色客體材料及電荷產生材料的質量比為100:5:5。
[0098]g)第一電子傳輸層的製備:電子傳輸材料為BCP，真空度5X10_5Pa，蒸發速度0.1 A.S蒸發厚度1nmo
[0099]h)電荷產生層的製備:採用雙極性電荷產生層V2O5，真空度5X10_5Pa，蒸發速度0.1 A/s，蒸發厚度5nm。
[0100]i)第二空穴注入層的製備:將WO3摻雜入TCTA中作為第二空穴注入層，摻雜濃度25wt%,厚度10nm，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.1 A/s。
[0101]j)第二空穴傳輸層的製備:材料採用TCTA ;真空度5父10_%1，蒸發速度0.丨人/3,蒸發厚度30nm。
[0102]k)第二紅光發光層的製備:主體材料採用mCP、紅色客體材料採用PQIr ;真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.1 A/s,蒸發厚度10nm，紅色客體材料與主體材料的質量比為0.5:100。
[0103]I)第二綠光發光層的製備:主體材料採用mCP、綠色客體材料採用Ir (ppy)3(acac);真空度5X l(T5Pa,蒸發速度0.lA/s,蒸發厚度1nm,綠色客體材料與主體材料的質量比為2:100。
[0104]m)第二電子傳輸層的製備:材料為BCP，真空度5X10_5Pa，蒸發速度0.1人/S，蒸發厚度10nm。
[0105]η)電子注入層的製備:採用η型材料摻雜入電子傳輸材料中形成電子注入層，η型材料為CsF，電子傳輸材料採用BCP，η型材料在電子傳輸材料中的摻雜濃度25wt%，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.1A/S，蒸發厚度20nm。
[0106]ο)陰極層的製備:金屬陰極採用銀(Al),厚度為50nm,真空度5X 10_5Pa,蒸發速度
0.丨 A/s。
[0107]實施例3:
[0108]a)選取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作為高折光指數層。先將厚度10nm的透明ITO陽極沉積在聚氨酯塑料膜的表面，採用方形治具在塑料膜的另一個表面進行微圖案紋理製作，在塑料膜的另一個表面製作厚度為15 μ m,間距為15 μ m的多個均勻分布的方形凸起。
[0109]選取一塊白玻璃板，採用真空濺射的方式在白玻璃板兩面分別濺射一層抗反射膜，抗反射膜的材質為SiGe，本底真空度為I X 10 — 5Pa,厚度20nm。
[0110]將塑料膜具有方形凸起的一側置於白玻璃板一側的抗反射膜上，微圖案化紋理結構連接到了抗反射膜上，二者之間產生了空隙。將得到的結構在80°c下真空乾燥15min，減少剩餘的水和氣體。
[0111]短路減少層的製作:採用磁控濺射的方式在ITO陽極層上製作短路減少層，短路減少層的材料選用SiGe與SnO2按照質量比1:1的混合材料，本底真空度為I X 10 — 5Pa,厚度 10nm。
[0112]採用真空蒸鍍的方式製備如下各層:
[0113]b)第一空穴注入層的製備:將V2O5摻雜入CBP中作為第一空穴注入層，摻雜濃度35wt%，厚度15nm，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度lA/s。
[0114]c)第一空穴傳輸層的製備:材料採用CBP，真空度5父10_中&，蒸發速度2人/8，蒸發厚度50nm。
[0115]d)第一紅光發光層的製備:主體材料採用CBP，紅色客體材料採用(fbi)2Ir (acac);真空度5 X l(T5Pa,蒸發速度lA/s，蒸發厚度30nm,紅色客體材料與主體材料的質量比為2:100。
[0116]e)第一綠光發光層的製備:主體材料採用CBP,綠色客體材料採用Ir(mppy)3 ；真空度5X 10_5Pa，蒸發速度lA/s,蒸發厚度30nm，綠色客體材料與主體材料的質量比為10:100。
[0117]f)藍光發光層的製備:主體材料採用CzS1、藍色客體材料採用FCNIr、電荷產生材料採用WO3 ;真空度5X 10_5Pa，蒸發速度I A/s,蒸發厚度15nm，主體材料、藍色客體材料及電荷產生材料的質量比為100:20:10。
[0118]g)第一電子傳輸層的製備:電子傳輸材料為BAlq，真空度5X 10_5Pa，蒸發速度2A/s,蒸發厚度60nm。
[0119]h)電荷產生層的製備:採用雙極性電荷產生層WO3，真空度5X10_5Pa，蒸發速度I A/s,蒸發厚度30nm。
[0120]i)第二空穴注入層的製備:將V2O5摻雜入CBP中作為第二空穴注入層，摻雜濃度35wt%,厚度15nm，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度I A/s。
[0121]j)第二空穴傳輸層的製備:材料採用CBP ;真空度5父10_中&，蒸發速度21/!>蒸發厚度50nm。
[0122]k)第二紅光發光層的製備:主體材料採用CBP，紅色客體材料採用(fbi)2Ir (acac);真空度5X l(T5Pa,蒸發速度lA/s,蒸發厚度30nm,紅色客體材料與主體材料的質量比為2:100。
[0123]I)第二綠光發光層的製備:主體材料採用CBP,綠色客體材料採用Ir(mppy)3 ；真空度5X10_5Pa，蒸發速度1A/S,蒸發厚度30nm，綠色客體材料與主體材料的質量比為10:100。
[0124]m)第二電子傳輸層的製備:材料為BAlq,真空度5X 10_5Pa,蒸發速度2A/S,蒸發厚度60nm。
[0125]η)電子注入層的製備:採用η型材料摻雜入電子傳輸材料中形成電子注入層，η型材料為CsN3,電子傳輸材料採用BAlq，η型材料在電子傳輸材料中的摻雜濃度35wt%，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度2A/S，蒸發厚度40nm。
[0126]ο)陰極層的製備:金屬陰極採用銀(Au),厚度為200nm,真空度5X l(T5Pa,蒸發速度 5A/s。
[0127]實施例4:
[0128]a)選取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作為高折光指數層。先將厚度10nm的透明ITO陽極沉積在聚氨酯塑料膜的表面，採用方形治具在塑料膜的另一個表面進行微圖案紋理製作，在塑料膜的另一個表面製作厚度為20 μ m,間距為20 μ m的多個均勻分布的方形凸起。
[0129]選取一塊白玻璃板，採用真空濺射的方式在白玻璃板兩面分別濺射一層抗反射膜，抗反射膜的材質為SiGe，本底真空度為1X10 —4Pa,厚度15nm。
[0130]將塑料膜具有方形凸起的一側置於白玻璃板一側的抗反射膜上，微圖案化紋理結構連接到了抗反射膜上，二者之間產生了空隙。將得到的結構在80°C下真空乾燥15min，減少剩餘的水和氣體。
[0131]短路減少層的製作:採用磁控濺射的方式在ITO陽極層上製作短路減少層，短路減少層的材料選用SiGe與S12按照質量比1:1的混合材料，本底真空度為I X 10 — 4Pa,厚度 6nm。
[0132]採用真空蒸鍍的方式製備如下各層:
[0133]b)第一空穴注入層的製備:將ReO3摻雜入TPD中作為第一空穴注入層，摻雜濃度30wt%，厚度13nm，真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S。
[0134]c)第一空穴傳輸層的製備:材料採用TPD，真空度5\10_午&，蒸發速度1人/8,蒸發厚度40nm。
[0135]d)第一紅光發光層的製備:主體材料採用TPD，紅色客體材料採用(F-BT) 2Ir (acac);真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S，蒸發厚度20nm，紅色客體材料與主體材料的質量比為1:100。
[0136]e)第一綠光發光層的製備:主體材料採用TPD,綠色客體材料採用Ir(ppy)3 ;真空度5X10_5Pa，蒸發速度0.5A/S,蒸發厚度20nm，綠色客體材料與主體材料的質量比為5:100。
[0137]f )藍光發光層的製備:主體材料採用26DCzPPY、藍色客體材料採用FIrtaz、電荷產生材料採用ReO3 ;真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5,4/s，蒸發厚度10nm，主體材料、藍色客體材料及電荷產生材料的質量比為100:12:7。
[0138]g)第一電子傳輸層的製備:電子傳輸材料為Alq3,真空度5X 10_5Pa,蒸發速度IA s,蒸發厚度40nm。
[0139]h)電荷產生層的製備:採用雙極性電荷產生層ReO3，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.5 A/s -蒸發厚度20nm。
[0140]i)第二空穴注入層的製備:將ReO3摻雜入TPD中作為第二空穴注入層，摻雜濃度30wt%，厚度12nm，真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5人/S。
[0141]j)第二空穴傳輸層的製備:材料採用TPD，真空度5X10_5Pa，蒸發速度1A/S,蒸發厚度40nm。
[0142]k)第二紅光發光層的製備:主體材料採用TPD，紅色客體材料採用(F-BT) 2Ir (acac);真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S，蒸發厚度20nm，紅色客體材料與主體材料的質量比為1:100。
[0143]I)第二綠光發光層的製備:主體材料採用TPD,綠色客體材料採用Ir(ppy)3 ;真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S,蒸發厚度20nm，綠色客體材料與主體材料的質量比為5:100。
[0144]m)第二電子傳輸層的製備:電子傳輸材料為Alq3,真空度5X 10_5Pa,蒸發速度I A/s，蒸發厚度30nm。
[0145]η)電子注入層的製備:採用η型材料摻雜入電子傳輸材料中形成電子注入層，η型材料為Li2CO3,電子傳輸材料採用Alq3, η型材料在電子傳輸材料中的摻雜濃度30wt%，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度IA/S，蒸發厚度30nm。
[0146]ο)陰極層的製備:金屬陰極採用銀(Ag),厚度為10nm,真空度5X 10_5Pa,蒸發速度 2 A/s。
[0147]實施例5:
[0148]a)選取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作為高折光指數層。先將厚度10nm的透明ITO陽極沉積在聚氨酯塑料膜的表面，採用方形治具在塑料膜的另一個表面進行微圖案紋理製作，在塑料膜的另一個表面製作厚度為11 μ m,間距為11 μ m的多個均勻分布的方形凸起。
[0149]選取一塊白玻璃板，採用真空濺射的方式在白玻璃板兩面分別濺射一層抗反射膜，抗反射膜的材質為SiGe，本底真空度為1X10 —5Pa,厚度15nm。
[0150]將塑料膜具有方形凸起的一側置於白玻璃板一側的抗反射膜上，微圖案化紋理結構連接到了抗反射膜上，二者之間產生了空隙。將得到的結構在80°C下真空乾燥15min，減少剩餘的水和氣體。
[0151]短路減少層的製作:採用磁控濺射的方式在ITO陽極層上製作短路減少層，短路減少層的材料選用SiGe與In2O3按照質量比1:1的混合材料，本底真空度為I X 10 — 4Pa,厚度 6nm。
[0152]採用真空蒸鍍的方式製備如下各層:
[0153]b)第一空穴注入層的製備:將MoO3摻雜入TAPC中作為第一空穴注入層，摻雜濃度25wt%，厚度10nm，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.2A/s。
[0154]c)第一空穴傳輸層的製備:材料採用TAPC，真空度5X10_5Pa，蒸發速度lA/s，蒸發厚度40nm。
[0155]d)第一紅光發光層的製備:主體材料採用TAPC，紅色客體材料採用Ir (btp)2(acac);真空度5 X l(T5Pa,蒸發速度0.5A/S，蒸發厚度20nm,紅色客體材料與主體材料的質量比為1:100。
[0156]e)第一綠光發光層的製備:主體材料採用TAPC，綠色客體材料採用Ir (ppy)2(acac);真空度5X 10_5Pa,蒸發速度0.5A/S,蒸發厚度20nm,綠色客體材料與主體材料的質量比為7:100。
[0157]f)藍光發光層的製備:主體材料採用3?CzPPY、藍色客體材料採用FIrN4、電荷產生材料採用MoO3 ;真空度5X10_5Pa，蒸發速度0.5A/S，蒸發厚度10nm，主體材料、藍色客體材料及電荷產生材料的質量比為100:12:7。
[0158]g)第一電子傳輸層的製備:電子傳輸材料為TAZ,真空度5X 10_5Pa,蒸發速度I A/s，蒸發厚度40nm。
[0159]h)電荷產生層的製備:採用雙極性電荷產生層MoO3，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.4A/s,蒸發厚度20nm。
[0160]i)第二空穴注入層的製備:將MoO3摻雜入TAPC中作為第二空穴注入層，摻雜濃度28wt%，厚度13nm，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S。
[0161]j)第二空穴傳輸層的製備:材料採用TAPC，真空度5X10_5Pa，蒸發速度0.5A/S，蒸發厚度40nm。
[0162]k)第二紅光發光層的製備:主體材料採用TAPC，紅色客體材料採用Ir (btp)2(acac);真空度5 X l(T5Pa,蒸發速度0.5A/S，蒸發厚度20nm,紅色客體材料與主體材料的質量比為1:100。
[0163]I)第二綠光發光層的製備:主體材料採用TAPC,綠色客體材料採用Ir(ppy)2(acac);真空度5X l(T5Pa,蒸發速度0.5人/S，蒸發厚度20nm,綠色客體材料與主體材料的質量比為7:100。
[0164]m)第二電子傳輸層的製備:電子傳輸材料為TAZ,真空度5X 10_5Pa,蒸發速度I A/s,蒸發厚度50nm。
[0165]η)電子注入層的製備:採用η型材料摻雜入電子傳輸材料中形成電子注入層，η型材料為LiF，電子傳輸材料採用ΤΑΖ，η型材料在電子傳輸材料中的摻雜濃度30wt%，真空度5X l(T5Pa,蒸發速度lA/s,蒸發厚度30nm。
[0166]ο)陰極層的製備:金屬陰極採用銀(Al),厚度為10nm,真空度5X l(T5Pa,蒸發速度 2A/S。
[0167]實施例6:
[0168]a)選取具有高折射率透明的聚氨酯塑料膜作為高折光指數層。先將厚度10nm的透明ITO陽極沉積在聚氨酯塑料膜的表面，採用方形治具在塑料膜的另一個表面進行微圖案紋理製作，在塑料膜的另一個表面製作厚度為18 μ m,間距為18 μ m的多個均勻分布的方形凸起。
[0169]選取一塊白玻璃板，採用真空濺射的方式在白玻璃板兩面分別濺射一層抗反射膜，抗反射膜的材質為SiGe，本底真空度為1X10 —3Pa,厚度10nm。
[0170]將塑料膜具有方形凸起的一側置於白玻璃板一側的抗反射膜上，微圖案化紋理結構連接到了抗反射膜上，二者之間產生了空隙。將得到的結構在80°C下真空乾燥15min，減少剩餘的水和氣體。
[0171]短路減少層的製作:採用磁控濺射的方式在ITO陽極層上製作短路減少層，短路減少層的材料選用SiGe與ZnS按照質量比1:1的混合材料，本底真空度為I X 10 — 3Pa,厚度 4nm。
[0172]採用真空蒸鍍的方式製備如下各層:
[0173]b)第一空穴注入層的製備:將WO3摻雜入NPB中作為第一空穴注入層，摻雜濃度30wt%，厚度12nm，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.3 A/s。
[0174]c)第一空穴傳輸層的製備:材料採用NPB，真空度5X10_5Pa，蒸發速度1A/S，蒸發厚度40nm。
[0175]d)第一紅光發光層的製備:主體材料採用ADN,紅色客體材料採用Ir(piq)3 ;真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S,蒸發厚度20nm，紅色客體材料與主體材料的質量比為1:100。
[0176]e)第一綠光發光層的製備:主體材料採用ADN,綠色客體材料採用Ir(mppy)3 ;真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5 A/S,蒸發厚度20nm，綠色客體材料與主體材料的質量比為6:100。
[0177]f)藍光發光層的製備:主體材料採用UGH2、藍色客體材料採用FIrpic、電荷產生材料採用V2O5 ;真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S,蒸發厚度10nm，主體材料、藍色客體材料及電荷產生材料的質量比為100:12:7。
[0178]g)第一電子傳輸層的製備:電子傳輸材料為TPBI，真空度5X 10_5Pa，蒸發速度
Ik S 發厚度40nm。
[0179]h)電荷產生層的製備:採用雙極性電荷產生層V2O5，真空度5X10_5Pa，蒸發速度
0.5A/S,蒸發厚度20nm。
[0180]i)第二空穴注入層的製備:將WO3摻雜入NPB中作為第二空穴注入層，摻雜濃度30wt%，厚度12nm，真空度5 X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S。
[0181]j)第二空穴傳輸層的製備:材料採用NPB，真空度5父10_午&，蒸發速度1力8，蒸發厚度40nm。
[0182]k)第二紅光發光層的製備:主體材料採用ADN,紅色客體材料採用Ir(piq)3 ;真空度5X10_5Pa，蒸發速度0.5A/S,蒸發厚度20nm，紅色客體材料與主體材料的質量比為1:100。
[0183]I)第二綠光發光層的製備:主體材料採用ADN,綠色客體材料採用Ir(mppy)3 ;真空度5X 10_5Pa，蒸發速度0.5A/S,蒸發厚度20nm，綠色客體材料與主體材料的質量比為6:100。
[0184]m)第二電子傳輸層的製備:電子傳輸材料為TPBI，真空度5X 10_5Pa，蒸發速度
IA/s,蒸發厚度30nm。
[0185]η)電子注入層的製備:採用η型材料摻雜入電子傳輸材料中形成電子注入層，η型材料為Li2O,電子傳輸材料採用TPBI，η型材料在電子傳輸材料中的摻雜濃度30wt%，真空度5X 10_5Pa，蒸發速度lA/s，蒸發厚度30nm。
[0186]ο)陰極層的製備:金屬陰極採用銀(Al),厚度為10nm,真空度5X l(T5Pa,蒸發速度 2A/S。
[0187]表2為實施例1-6製作的有機電致發光器件的流明效率測試結果，具體如下:
[0188]表2
[0189]

【權利要求】
1.一種有機電致發光器件，其特徵在於，包括依次層疊設置的抗反射複合層、基底、陽極層、短路減少層、第一有機發光功能層、電荷產生層、第二有機發光功能層及陰極層；其中，所述抗反射複合層包括白玻璃板以及位於所述白玻璃板兩側的抗反射膜，所述基底設在其中一抗反射膜上且與該抗反射膜之間設有出光空隙；所述短路減少層的材料為SiGe與In2O3、ZnS、SnO2或S12按照質量比1:1的混合材料；所述第一有機發光功能層包括在所述短路減少層上依次層疊設置的第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一紅光發光層、第一綠光發光層、藍光發光層及第一電子傳輸層；所述第二有機發光功能層包括在所述電荷產生層上依次層疊設置的第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二紅光發光層、第二綠光發光層、第二電子傳輸層及電子注入層，所述陰極層設在所述電子注入層上。
2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述抗反射膜的材料為SiGe，厚度為10?20nm。
3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述基底的材料為聚氨酯，所述基底靠近所述抗反射複合層的一側設有多個均勻分布且與所述基底一體成型的凸起。
4.如權利要求3所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述凸起為方型，厚度為5?20 μ m，相鄰凸起之間間距5?20 μ m。
5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述陽極層為厚度10nm的ITO 層。
6.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述第一空穴注入層的材料為Mo03、W03、V205或ReO3按照25?35%的摻雜質量比摻雜在N，N』 - 二苯基-N，N』 - 二(1-萘基)-1, I』 -聯苯_4，4』 - 二胺、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』-二(3-甲基苯基)-N, N』-二苯基-4，4』-聯苯二胺或 1，1_ 二 [4_[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒中形成的混合材料； 所述第一空穴傳輸層的材料為N，N』 - 二苯基-N，N』 - 二(1-萘基)-1，I』 -聯苯-4，4』 - 二胺、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N，N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒； 所述第一紅光發光層的材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙醯丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯並咪唑](乙醯丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1，3-苯並噻唑-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III)、二(2-苯並噻吩-2-基-吡啶)(乙醯丙酮)合銥(III)或三(1-苯基-異喹啉)合銥)按照0.5?2%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺、I，1- 二 [4-[N,N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒或9，10-雙(1-萘基)蒽)中形成的混合材料； 所述第一綠光發光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙醯丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥或三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III)按照2?10%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N，N』-二苯基-4，4』-聯苯二胺、I，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷或9，10-雙(1-萘基)蒽中形成的混合材料； 所述藍光發光層的材料包括藍光主體材料、藍光客體材料及電荷產生材料，所述藍光主體材料為4，4』-二(9-咔唑)聯苯、9，9』-(1,3-苯基)二-9!1-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基矽)-9!1-咔唑、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶或1，4一雙(三苯基矽)苯，所述藍光客體材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲醯合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2- (4』，6』-二氟-5』 -氰基)苯基吡啶_N，C2』 )合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)_ (3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5_(吡啶-2-基)-四唑)合銥)，所述電荷產生材料為Mo03、V2O5, WO3或ReO3，所述藍光主體材料、所述藍光客體材料及所述電荷產生材料的質量比為1:5?20:5?10 ; 所述第一電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯並咪唑-2-基)苯。
7.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述電荷產生層的材料為MoO3、V2O5、WO3 或 ReO3,厚度為 5 ?30nm。
8.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述第二空穴注入層的材料為Mo03、W03、V205或ReO3按照25?35%的摻雜質量比摻雜在N，N』 - 二苯基-N，N』 - 二(1-萘基)-1, I』 -聯苯_4，4』 - 二胺、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』-二(3-甲基苯基)-N, N』-二苯基-4，4』-聯苯二胺或 1，1_ 二 [4_[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒中形成的混合材料； 所述第二空穴傳輸層的材料為N，N』 - 二苯基-N，N』 - 二(1-萘基)-1，I』 -聯苯-4，4』 - 二胺、4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N，N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒； 所述第二紅光發光層的材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙醯丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯並咪唑](乙醯丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1，3-苯並噻唑-N，C2](乙醯丙酮)合銥(III)、二(2-苯並噻吩-2-基-吡啶)(乙醯丙酮)合銥(III)或三(1-苯基-異喹啉)合銥)按照0.5?2%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 - (1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N, N』 - 二苯基-4，4』 -聯苯二胺、I，1- 二 [4-[N,N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己燒或9，10-雙(1-萘基)蒽)中形成的混合材料； 所述第二綠光發光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙醯丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥或三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥(III)按照2?10%的摻雜質量比摻雜在4，4』，4』 』 -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9』 - (I, 3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4』 - 二(9-咔唑)聯苯、N, N』 - 二(3-甲基苯基)-N，N』-二苯基-4，4』-聯苯二胺、I，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷或9，10-雙(1-萘基)蒽中形成的混合材料； 所述第二電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯並咪唑-2-基)苯； 所述電子注入層的材料為Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF或Li2O按照25?35%的摻雜質量比摻雜在4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯並咪唑_2_基)苯中形成的混合材料。
9.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述陰極層的材料為Ag、Al或Au,厚度為50?200nm。
10.一種有機電致發光器件的製作方法，其特徵在於，包括如下步驟: 在白玻璃板的兩側分別磁控濺射製備抗反射膜，得到含有兩層抗反射膜的抗反射複合層，同時在基底的一側沉積導電材料製作陽極層，然後將所述基底的另一側疊設在所述抗反射複合層中一側的抗反射膜上且與該抗反射膜之間設有出光空隙； 採用磁控濺射的方式，在所述陽極層上製備短路減少層，磁控濺射的材料選用SiGe與In2O3> ZnS, SnO2或S12按照質量比1:1的混合材料； 在所述短路減少層上依次製備第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一紅光發光層、第一綠光發光層、藍光發光層及第一電子傳輸層； 在所述第一電子傳輸層上蒸鍍製備電荷產生層，所述電荷產生層的材料為Mo03、V205、WO3 或 ReO3 ； 在所述電荷產生層上依次製備第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二紅光發光層、第二綠光發光層、第二電子傳輸層及電子注入層； 在所述電子注入層上蒸鍍製備陰極層，得到所述有機電致發光器件。
【文檔編號】H01L51/52GK104183765SQ201310193553
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月22日 優先權日:2013年5月22日
【發明者】周明傑, 鍾鐵濤, 王平, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司