設備控制方法和電子設備的製作方法
2023-06-01 06:26:31 2
設備控制方法和電子設備的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種設備控制方法及相應的電子設備。該設備控制方法應用於具有快閃記憶體存儲盤的電子設備，所述方法包括：檢測是否存在附加存儲盤的插入；以及當檢測到存在附加存儲盤的插入時，檢索所述快閃記憶體存儲盤中滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊，以及將滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊中的數據複製到所述附加盤中。通過本發明的設備控制方法可以改善具有快閃記憶體存儲盤的電子設備的存儲系統的整體性能和壽命。
【專利說明】設備控制方法和電子設備
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種設備控制方法及電子設備，並具體涉及應用於具有快閃記憶體存儲盤的電子設備中的設備控制方法及相應的電子設備。
【背景技術】
[0002]目前，基於快閃記憶體(例如NANDFLASH)存儲器的存儲盤(下文簡稱為快閃記憶體存儲盤，例如，固態硬碟)在諸如計算機的電子設備中得到了廣泛的應用，其具有讀取速度快，沒有噪聲等優點。然而，由於快閃記憶體存儲介質存在壽命問題，所以隨著快閃記憶體存儲盤使用時間的增加，性能惡化的數據塊或壞塊的數量不斷增加，這不僅導致實際存儲容量的下降，而且還導致存儲系統的可靠性和數據讀寫速度不斷下降。
[0003]迄今為止，不論是存儲盤控制器廠商還是快閃記憶體存儲盤廠商都未能很好地解決上述問題，因此，為了進一步提高電子設備的壽命和性能，需要改善具有快閃記憶體存儲盤的電子設備的存儲系統的性能。
【發明內容】
[0004]鑑於現有技術的缺陷，本發明構思出一種通過添加附加的存儲盤並將性能惡化的數據塊的數據自動轉移到新插入的附加存儲盤上來改善具有快閃記憶體存儲盤的電子設備的存儲系統的性能的設備控制方法。根據本發明的設備控制方法會檢索所述快閃記憶體存儲盤中滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊，並將滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊中的數據複製到所述附加盤中，以便改善電子設備的存儲系統的整體性能。
[0005]根據本發明的第一方面，提供了一種設備控制方法，應用於具有快閃記憶體存儲盤的電子設備，所述方法包括:檢測是否存在附加存儲盤的插入；以及當檢測到存在附加存儲盤的插入時，檢索所述快閃記憶體存儲盤中滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊，以及將滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊中的數據複製到所述附加盤中。
[0006]利用上述設備控制方法，可以在快閃記憶體存儲盤的性能惡化後提高存儲系統的可靠性以及數據的讀寫速度，並可以擴展電子設備的存儲容量，從而改善具有快閃記憶體存儲盤的電子設備的存儲系統的整體性能。
[0007]優選地，上述設備控制方法還包括:檢測所述快閃記憶體存儲盤的性能是否下降到滿足預定整盤性能惡化條件；以及當檢測到所述快閃記憶體存儲盤的性能下降到滿足所述預定整盤性能惡化條件時，提示用戶插入所述附加存儲盤。
[0008]通過上述優選步驟，電子設備可以在快閃記憶體存儲盤的性能惡化到一定程度時提醒用戶插入附加存儲盤，以使得用戶能夠知道電子設備性能惡化的原因，並通過插入附加存儲盤改善設備性能。
[0009]優選地，上述設備控制方法還包括利用所複製的數據在所述附加盤中的新地址替換所複製的數據在所述快閃記憶體存儲盤中的原地址作為所複製的數據的尋址地址。通過該優選步驟可以使電子設備中運行的軟體方便地找到數據移動後的新位置。
[0010]優選地，在上述設備控制方法中，所述預定整盤性能惡化條件包括:壞數據塊的數目大於一預定值；單位時間內產生壞數據塊的速度大於一預定值；滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的數目大於一預定值；單位時間內產生滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的速度大於一預定值；或者以上各項的任意組合。通過規定這些整盤性能惡化條件，可以使得用戶能夠在電子設備出現相應的性能惡化時插入附加存儲盤來改善電子設備的性能。
[0011]優選地，在上述設備控制方法中，所述預定數據塊性能惡化條件包括:數據塊的讀寫速度低於一預定值；數據塊中的錯誤位的數目大於一預定值；對數據塊每次操作的平均重試次數大於一預定值；或者以上各項的任意組合。通過規定這些數據塊性能惡化條件，可以使得電子設備在數據塊出現相應的性能惡化時將對應數據塊上的數據複製到附加存儲盤上，以提高存儲系統的可靠性和讀寫速度。
[0012]特別地，所述快閃記憶體存儲盤為固態硬碟；以及所述附加存儲盤為固態硬碟、優盤、或磁硬碟等。
[0013]根據本發明的第二方面，提供了一種電子設備，所述電子設備包括:快閃記憶體存儲盤；接口單元，配置為檢測是否存在附加存儲盤的插入；以及數據檢索與複製單元，配置為:當所述接口單元檢測到存在附加存儲盤的插入時，檢索所述快閃記憶體存儲盤中滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊，以及將滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊中的數據複製到所述附加盤中。
[0014]優選地，所述電子設備還可以包括:存儲盤檢測單元，配置為檢測所述快閃記憶體存儲盤的性能是否下降到滿足預定整盤性能惡化條件；以及提示單元，配置為:當所述存儲盤檢測單元檢測到所述快閃記憶體存儲盤的性能下降到滿足所述預定整盤性能惡化條件時，提示用戶插入所述附加存儲盤。
[0015]優選地，所述電子設備還可以包括:地址替換單元，配置為利用所複製的數據在所述附加盤中的新地址替換所複製的數據在所述快閃記憶體存儲盤中的原地址作為所複製的數據的尋址地址。
[0016]本發明的第一方面的上述優點以及優選實施方式也同樣適用於第二方面。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例的描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。當然，以下描述的附圖僅僅是本發明的示例性實施例。
[0018]圖1示出了根據本發明的第一實施例的設備控制方法的流程圖；
[0019]圖2示出了用於說明本發明的實施例的示意圖；
[0020]圖3示出了根據本發明的第一實施例的設備控制方法的優選示例的流程圖；
[0021]圖4示出了根據本發明的第一實施例的設備控制方法的另一優選示例的流程圖；
[0022]圖5示出了根據本發明的第二實施例的電子設備的示意框圖；
[0023]圖6示出了根據本發明的第二實施例的電子設備的優選示例的示意框圖；以及
[0024]圖7示出了根據本發明的第二實施例的電子設備的另一優選示例的示意框圖。
【具體實施方式】
[0025]在下文中，將參考附圖詳細描述本發明的優選實施例。注意，在本說明書和附圖中，基本相同的步驟和元素用相同或相似的附圖標記來表示，且對這些步驟和元素的重複說明將被省略。
[0026]在本發明的以下實施例中，電子設備是指任何具有快閃記憶體存儲器的電子設備，其具體形式包括但不限於個人計算機、智能電視、平板電腦、行動電話、數位相機、個人數字助手、可攜式計算機、遊戲機等。電子設備的具體類型不構成對本發明的限定。
[0027]圖1示出了根據本發明的第一實施例的設備控制方法100的流程圖。該設備控制方法100應用於具有快閃記憶體存儲盤的電子設備。這裡，快閃記憶體存儲盤是指包括快閃記憶體存儲器(例如，NAND FLASH)的任何存儲盤，例如固態硬碟SSD。設備控制方法100用於在例如快閃記憶體存儲盤的性能出現下降時利用附加存儲盤來提高存儲系統的性能。
[0028]下面參照圖1具體描述設備控制方法100的各個步驟。
[0029]在步驟SlOl中，檢測是否存在附加存儲盤的插入。這裡，附加存儲盤可以是任意非易失性存儲介質盤，例如，固態硬碟、優盤、或磁硬碟等。根據電子設備和附加存儲盤的類型，附加存儲盤可以通過各種接口插入或附加到電子設備中，例如USB接口、SATA硬碟接口等。另外，電子設備檢測附加存儲盤的插入的具體方法可以使用本領域中常用的檢測方法，諸如現有計算機系統中檢測新硬碟或識別USB優盤的方法，這裡不再累述。
[0030]接著，在步驟S102中，當檢測到存在附加存儲盤的插入時，檢索所述快閃記憶體存儲盤中滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊；以及將滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊中的數據複製到所述附加盤中。為了改善電子設備的存儲系統的性能，首先需要找到快閃記憶體存儲盤中已經惡化而影響電子設備的存儲性能的數據塊，即滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊。這裡，該預定數據塊性能惡化條件可以根據電子設備對存儲器的具體要求而設定。例如，所述預定數據塊性能惡化條件可以包括:數據塊的讀寫速度低於一預定值；數據塊中的錯誤位的數目大於一預定值；對數據塊每次操作的平均重試次數大於一預定值；或者以上各項的任意組合。數據塊性能的惡化通常包括下列情況:(1)快閃記憶體顆粒老化後，數據的讀寫速度會下降，因此，可以將數據塊的讀寫速度低於某一預定值作為數據塊性能惡化條件，每個數據塊的讀寫速度可以在控制器中統計出來，單位是ΜΒ/s (兆字節每秒)，該值越小，性能越差；(2)快閃記憶體顆粒老化後，容易出現錯誤位，這樣就必須有糾錯單元來糾錯，甚至會需要非常複雜的糾錯算法，因而會導致時間上的花費和性能的下降，因此，可以將據塊中的錯誤位的數目大於某一預定值作為數據塊性能惡化條件，對於每個數據塊發生的錯誤位，可以通過位數來記錄，單位是bit (位)，該值越大，數據塊的性能越差，越容易變壞塊(壞塊是指不能再進行讀取操作的數據塊)；(3)有些數據塊經過一段時間後，對數據塊中的數據進行操作的時候，總是需要重試，這嚴重影響存儲盤的整體讀寫性能，因此可以將對數據塊每次操作的平均重試次數大於一預定值作為數據塊性能惡化條件，該指標可以通過平均每次操作的重試次數來衡量，例如，如果對某一數據塊進行100次操作，產生10次重試操作，那麼該數據塊的平均重試次數是0.1，該值越大，數據塊的性能越差，越容易變壞塊。在上述數據塊性能惡化條件中，具體預定值可以根據實際應用的需要而設定。當然，需要注意的是，雖然上面舉例說明了幾種具體的數據塊性能惡化條件和檢測相應性能參數的方法，但本公開並不限於此，針對不同的快閃記憶體存儲盤和實際應用，可以設定不同數據塊性能惡化條件，並且不同的快閃記憶體存儲盤控制器也可以有不同的數據塊性能檢測方法。
[0031]在尋找到滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊後，為了提高存儲系統的性能，將滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊中的數據複製到所述附加盤中。根據以上對示例性的數據塊性能惡化情況的分析可知，數據塊性能惡化後，一方面數據讀寫速度下降，另一方面數據塊變為壞塊的概率增大，因此，為了避免數據塊變為壞塊而丟失數據，將性能惡化的數據塊的數據複製到附加存儲盤中，使得電子設備的存儲系統更可靠。此外，在性能惡化的數據塊上的數據被複製到附加存儲盤後，電子設備可以直接讀寫附加存儲盤上的對應數據，因而提高了存儲系統的整體讀寫性能。
[0032]圖2示出了用於說明本發明的實施例的示意圖。在圖2中，201示意性地表示快閃記憶體存儲盤的存儲空間，其中陰影方塊為滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊，202表示附加存儲盤的存儲空間。在控制器203的控制下，存儲空間201中滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊的數據自動複製到存儲空間202的相應位置中。如上所述，通過該複製操作，可以提高電子設備的存儲系統的可靠性和讀寫性能。
[0033]對於本發明的上述第一實施例，還可以進一步改進上述設備控制方法100。圖3和圖4示出了根據本發明的第一實施例的設備控制方法的兩個改進的優選示例的流程圖。
[0034]圖3示出了設備控制方法300的流程圖。設備控制方法300與設備控制方法100的區別僅在於增加了步驟S301和S302，而步驟S303與S304分別與設備控制方法100的步驟SlOl和S102完全一致。根據圖3所示的示例，電子設備可以提示用戶快閃記憶體存儲盤的性能已經惡化而需要插入附加存儲盤進行改善。在步驟S301中，檢測所述快閃記憶體存儲盤的性能是否下降到滿足預定整盤性能惡化條件。電子設備可以通過相應的接口獲取到快閃記憶體存儲盤的整體性能，例如，諸如計算機的電子設備可以通過信息獲取接口得到諸如固態硬碟的快閃記憶體存儲盤的工作狀態，諸如壞數據塊的數量，性能評分等結果。示例性地，獲取存儲盤整體性能的具體操作可以是:計算機發送查詢命令，固態硬碟控制器獲取並解析查詢命令，並進而將相關信息(例如壞數據塊的數量，各個單獨數據塊的性能參數等)返回給計算機。當通過合適的方法獲取到快閃記憶體存儲盤的相關性能參數後，可以判斷這些參數是否滿足預定整盤性能惡化條件。至於具體採用快閃記憶體存儲盤的哪些性能參數以及採用何種整盤性能惡化條件，可以根據具體應用的需要而設定。例如，所述預定整盤性能惡化條件可以包括:壞數據塊的數目大於一預定值；單位時間內產生壞數據塊的速度大於一預定值；滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的數目大於一預定值；單位時間內產生滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的速度大於一預定值；或者以上各項的任意組合。如上所述，這裡所列舉的各種整盤性能參數(壞數據塊的數目、單位時間內產生壞數據塊的速度、滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的數目、單位時間內產生滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的速度大於一預定值)都可以通過相應的接口直接或間接地得到。例如，可以從快閃記憶體存儲盤控制器(諸如固態硬碟控制器)直接提取壞數據塊的數目，通過在一定時間間隔上兩次或多次提取壞數據塊的數目可以計算得到單位時間內產生壞數據塊的速度，通過上文說明的判斷數據塊滿足預定數據塊性能惡化條件的方法可以獲得滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊的數目，以及通過在一定時間間隔上兩次或多次獲取滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊的數目可以計算得到單位時間內產生滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的速度。需要說明的是，雖然上面舉例說明了幾種具體的整盤性能惡化條件和檢測相應整盤性能參數的方法，但本公開並不限於此，針對不同的快閃記憶體存儲盤和實際應用，可以設定不同的整盤性能惡化條件，並且不同的快閃記憶體存儲盤控制器也可以有不同的整盤性能檢測方法。
[0035]然後，在步驟S302中，當檢測到所述快閃記憶體存儲盤的性能下降到滿足所述預定整盤性能惡化條件時，提示用戶插入所述附加存儲盤。通過步驟S302，電子設備可以在快閃記憶體存儲盤的性能惡化到一定程度時提醒用戶插入附加存儲盤，以使得用戶能夠知道電子設備性能惡化的原因，並通過插入附加存儲盤來改善設備性能。需要說明的是，雖然在圖3中，步驟S303和S304位於步驟S301和S302之後，但並不意味著它們之間必然存在先後關係，例如，在未檢測到快閃記憶體存儲盤的整盤性能惡化時也可以檢測是否插入了附加存儲盤，即步驟S303和S304相對於步驟S301和S302在時間順序上是獨立的，並不一定存在先後關係。當然，也可以設定步驟S303必須在S302之後執行，這樣的方案也涵蓋在本公開的範圍中。
[0036]圖4示出了根據本發明的第一實施例的另一優選示例的設備控制方法400的流程圖。設備控制方法400與設備控制方法100的區別僅在於增加了步驟S403，而步驟S401和S402分別與設備控制方法100的步驟SlOl和S102完全一致。根據圖4所示的示例，在S402中將滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊中的數據複製到所述附加盤中，還在S403中利用所複製的數據在所述附加盤中的新地址替換所複製的數據在所述快閃記憶體存儲盤中的原地址作為所複製的數據的尋址地址。步驟S403可以通過修改電子設備的地址映射表等方式來實現。通過步驟S403可以使電子設備的應用軟體方便地找到數據移動後的新位置。需要說明的是，圖3和圖4所示的示例可以組合使用，即，同時包含圖3和圖4的步驟的技術方案也涵蓋在本公開的範圍內。
[0037]下面參照圖5對根據本發明的第二實施例的電子設備500進行說明。以下所描述的電子設備中的相關單元所執行的功能與以上實施例的設備控制方法相對應，關於設備控制方法所描述的各個方面同樣適用於這裡的電子設備，因此，不再對其詳細說明。
[0038]圖5示出了根據本發明的第二實施例的電子設備500的示意框圖。如上所述，電子設備500是指任何具有快閃記憶體存儲器的電子設備，其具體形式包括但不限於個人計算機、智能電視、平板電腦、行動電話、數位相機、個人數字助手、可攜式計算機、遊戲機等。電子設備的具體類型不構成對本發明的限定。電子設備500包括:快閃記憶體存儲盤501 ;接口單元502，配置為檢測是否存在附加存儲盤的插入；以及數據檢索與複製單元503，配置為:當所述接口單元檢測到存在附加存儲盤的插入時，檢索所述快閃記憶體存儲盤中滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊，以及將滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊中的數據複製到所述附加盤中。
[0039]本領域的技術人員可以理解，上述實施例的電子設備500的接口單元502和數據檢索與複製單元503可以是獨立的單元，也可以是與其它單元一起形成的組合單元。並且，圖5所示出的單元可以僅是電子設備500的部分單元，電子設備500還可能包括其它單元，例如中央處理單元、存儲單元，等等。
[0040]優選地，上述電子設備500還可以包括:存儲盤檢測單元604，配置為檢測所述快閃記憶體存儲盤的性能是否下降到滿足預定整盤性能惡化條件；以及提示單元605，配置為:當所述存儲盤檢測單元檢測到所述快閃記憶體存儲盤的性能下降到滿足所述預定整盤性能惡化條件時，提示用戶插入所述附加存儲盤。電子設備500的該優選示例表示在圖6中。
[0041]優選地，上述電子設備500還可以包括:地址替換單元706，配置為利用所複製的數據在所述附加盤中的新地址替換所複製的數據在所述快閃記憶體存儲盤中的原地址作為所複製的數據的尋址地址。電子設備500的該優選示例表示在圖7中。此外，電子設備500還可以同時包括存儲盤檢測單元604、提示單元605和地址替換單元706。
[0042]優選地，所述預定整盤性能惡化條件包括:壞數據塊的數目大於一預定值；單位時間內產生壞數據塊的速度大於一預定值；滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的數目大於一預定值；單位時間內產生滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的速度大於一預定值；或者以上各項的任意組合。
[0043]優選地，所述預定數據塊性能惡化條件包括:數據塊的讀寫速度低於一預定值；數據塊中的錯誤位的數目大於一預定值；對數據塊每次操作的平均重試次數大於一預定值；或者以上各項的任意組合。
[0044]通過本發明的第二實施例的電子設備500可以在快閃記憶體存儲盤的性能惡化後提高存儲系統的可靠性以及數據的讀寫速度，並可以擴展電子設備的存儲容量，從而改善具有快閃記憶體存儲盤的電子設備的存儲系統的整體性能。
[0045]本領域普通技術人員可以意識到，結合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬體、計算機軟體或者二者的結合來實現。並且軟體模塊可以置於任意形式的計算機存儲介質中。為了清楚地說明硬體和軟體的可互換性，在上述說明中已經按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬體還是軟體方式來執行，取決於技術方案的特定應用和設計約束條件。本領域技術人員可以對每個特定的應用來使用不同方法來實現所描述的功能，但是這種實現不應認為超出本發明的範圍。
[0046]本領域技術人員應該理解，可依賴於設計需求和其它因素對本發明進行各種修改、組合、部分組合和替換，只要它們在所附權利要求或其等同的範圍內。
【權利要求】
1.一種設備控制方法，應用於具有快閃記憶體存儲盤的電子設備，所述方法包括: 檢測是否存在附加存儲盤的插入；以及 當檢測到存在附加存儲盤的插入時， 檢索所述快閃記憶體存儲盤中滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊；以及 將滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊中的數據複製到所述附加盤中。
2.如權利要求1所述的設備控制方法，還包括: 檢測所述快閃記憶體存儲盤的性能是否下降到滿足預定整盤性能惡化條件；以及當檢測到所述快閃記憶體存儲盤的性能下降到滿足所述預定整盤性能惡化條件時，提示用戶插入所述附加存儲盤。
3.如權利要求1或2所述的設備控制方法，還包括: 利用所複製的數據在所述附加盤中的新地址替換所複製的數據在所述快閃記憶體存儲盤中的原地址作為所複製的數據的尋址地址。
4.如權利要求2所述的設備控制方法，其中所述預定整盤性能惡化條件包括: 壞數據塊的數目大於一預定值； 單位時間內產生壞數據塊的速度大於一預定值； 滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的數目大於一預定值； 單位時間內產生滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的速度大於一預定值；或者 以上各項的任意組合。
5.如權利要求1所述的設備控制方法，其中所述預定數據塊性能惡化條件包括: 數據塊的讀寫速度低於一預定值； 數據塊中的錯誤位的數目大於一預定值； 對數據塊每次操作的平均重試次數大於一預定值；或者 以上各項的任意組合。
6.如權利要求1所述的設備控制方法，其中 所述快閃記憶體存儲盤為固態硬碟；以及 所述附加存儲盤為固態硬碟、優盤、或磁硬碟。
7.一種電子設備，所述電子設備包括: 快閃記憶體存儲盤； 接口單元，配置為檢測是否存在附加存儲盤的插入；以及 數據檢索與複製單元，配置為:當所述接口單元檢測到存在附加存儲盤的插入時，檢索所述快閃記憶體存儲盤中滿足預定數據塊性能惡化條件的數據塊，以及將滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊中的數據複製到所述附加盤中。
8.如權利要求7所述的電子設備，還包括: 存儲盤檢測單元，配置為檢測所述快閃記憶體存儲盤的性能是否下降到滿足預定整盤性能惡化條件；以及 提示單元，配置為:當所述存儲盤檢測單元檢測到所述快閃記憶體存儲盤的性能下降到滿足所述預定整盤性能惡化條件時，提示用戶插入所述附加存儲盤。
9.如權利要求7或8所述的電子設備，還包括: 地址替換單元，配置為利用所複製的數據在所述附加盤中的新地址替換所複製的數據在所述快閃記憶體存儲盤中的原地址作為所複製的數據的尋址地址。
10.如權利要求8所述的電子設備，其中所述預定整盤性能惡化條件包括: 壞數據塊的數目大於一預定值； 單位時間內產生壞數據塊的速度大於一預定值； 滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的數目大於一預定值； 單位時間內產生滿足所述預定數據塊性能惡化條件的數據塊的速度大於一預定值；或者 以上各項的任意組合。
11.如權利要求7所述的電子設備，其中所述預定數據塊性能惡化條件包括: 數據塊的讀寫速度低於一預定值； 數據塊中的錯誤位的數目大於一預定值； 對數據塊每次操作的平均重試次數大於一預定值；或者 以上各項的任意組合。
【文檔編號】G06F12/08GK104375953SQ201310356348
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年8月15日 優先權日:2013年8月15日
【發明者】孫清濤 申請人:聯想(北京)有限公司