聲表面波分支濾波器的製作方法
2023-05-30 07:33:31
專利名稱：聲表面波分支濾波器的製作方法
技術領域：
本發明涉及用作分支濾波器的聲表面波分支濾波器，所述分支濾波器比如連接到無線通信設備的天線部分。具體地說，涉及一種聲表面波分支濾波器，它的結構中具有不同中心頻率的第一和第二聲表面波分支濾波器晶片，經過設在聲表面波分支濾波器晶片上的凸塊接合到設在組合部件上的布線圖形上。
背景技術：
近年來，為了實現進一步的微型化，使用聲表面波分支濾波器的各種不同分支濾波器正在開發當中，以使無線通信設備，如可攜式電話機更加緊湊。
這類聲表面波分支濾波器中，以組合部件的形式安裝具有不同中心頻率的第一和第二聲表面波分支濾波器。這裡特別要求第一和第二聲表面波分支濾波器之間實現更為可靠的隔離。
日本未審專利公開JP 5-167389公開了用於改進隔離的結構的一個例子。於是，有如圖19所示，日本未審專利公開JP 5-167389中描述的聲表面波分支濾波器201中，第一和第二聲表面波分支濾波器晶片203、204被安裝在一個組合部件202上。組合部件202具有信號輸入/輸出端C1、C2、D1、D2。第一聲表面波分支濾波器晶片203具有信號輸入/輸出端A1、A2，第二聲表面波分支濾波器晶片204具有信號輸入/輸出端B1、B2。將信號輸入/輸出端A1、A2、B1、B2、C1、C2、D1、D2布置成，使得連接信號輸入/輸出端A1、A2和C2的信號線與連接信號輸入/輸出端B1、B2和D2的信號線排列成兩條直線(X、Y)，這兩條直線(X、Y)相互交叉基本上成直角。
同時，日本未審專利公開JP 8-18393公開了一種如圖20所示的分支濾波器組件。在這種情況下，第一和第二聲表面波分支濾波器晶片212、213容納在具有多層結構的分支濾波器組件211中。在分支濾波器組件211中嵌入條形線214、215，以構成相位匹配電路。條形線214、215的特性阻抗相對於連接到分支濾波器組件的外部電路的特性阻抗有所增加，並且，在所述組件中，對一個聲表面波分支濾波器晶片要提供至少兩個接地端，以改進衰減。
日本未審專利公開JP 2003-51731公開的聲表面波分支濾波器中，將構成第一和第二聲表面波分支濾波器的聲表面波分支濾波器晶片裝在一個組件內。在這種情況下，第一和第二聲表面波分支濾波器通過焊接線電連接到布置在組件內的終端電極上。在這種聲表面波分支濾波器中，連接到信號終端的焊接線與連接到接地端的焊接線在第一聲表面波分支濾波器中相互交叉，由此改善了隔離和衰減。
日本未審專利公開JP 5-167389中所述的結構中，按照以上所述的方式布置第一和第二聲表面波分支濾波器晶片的信號線，以便可以抑制相互的感應耦合。然而，就這種安排而言，雖然可以將相互感應抑制到某種程度，但是這種抑制還是不夠的。因此，對於聲表面波分支濾波器201而言，所述第一和第二聲表面波分支濾波器晶片之間的隔離，仍舊是不夠充分的。
此外，當第一和第二聲表面波分支濾波器晶片之間發生安裝位移時，就會出現衰減和隔離特性在很大程度上變差的問題。
同時，對於日本未審專利公開JP 8-18393中描述的結構，當應用到具有低感應分量的倒裝晶片焊接系統的組合結構上時，由於它的低感應分量，衰減特性不可能得到充分的改善。
日本未審專利公開JP 2003-51731中描述的聲表面波分支濾波器，通過焊接線的交叉實現由互感產生的電流的相互抵消。但是，這種濾波器由於使用焊接線的結構，所以難以實現聲表面波分支濾波器的微型化。
發明內容
鑑於上述相關領域的情況，本發明的目的在於提供一種聲表面波分支濾波器，具有通過倒裝晶片焊接系統並利用在組合部件內的凸塊安裝的第一和第二聲表面波分支濾波器晶片，所述聲表面波分支濾波器可以實現微型化，可以進一步改善兩個聲表面波分支濾波器晶片之間的隔離特性，實現有益的衰減特性，並使由於聲表面波分支濾波器晶片安裝錯位所引起的特徵改變很小。
按照這種應用的第一發明，一種聲表面波分支濾波器，它包括具有相對較低中心頻率的第一聲表面波分支濾波器晶片，以及具有相對較高中心頻率的第二聲表面波分支濾波器晶片，它們利用設在第一和第二聲表面波分支濾波器晶片上的多個凸塊接合到設在組合部件的晶片安裝表面上的布線圖形上。所述聲表面波分支濾波器包括第一和第二聲表面波分支濾波器晶片以及一個組合部件，第一聲表面波分支濾波器晶片包含多個SAW諧振器，並具有設在下表面上的多個凸塊；第二聲表面波分支濾波器晶片包含多個SAW諧振器，並具有設在下表面上的多個凸塊；組合部件利用多個凸塊與第一和第二聲表面波分支濾波器晶片接合在一起。組合部件的晶片安裝表面至少有一個信號布線圖形和一個地線布線圖形，所述信號布線圖形連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端，地線布線圖形連接到最靠近第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端的SAW諧振器的地電位。晶片安裝表面具有分別連接到信號布線圖形和地線布線圖形並且穿透組合部件的至少一個部分的信號通孔電極和地線通孔電極。將所述信號布線圖形構造成具有這樣一個圖形部分，這一圖形部分比第二聲表面波分支濾波器晶片的凸塊更為靠近所述地線布線圖形，並與信號布線圖形接合在一起。
按照第一發明的一個特定方面，所述信號布線圖形是彎曲的，因此，信號布線圖形接近地線布線圖形。藉此，信號布線圖形具有一個接近地線布線圖形的圖形部分。
按照第一發明的另一特定方面，所述信號布線圖形具有第一、第二、和第三布線圖形部分。第一布線圖形部分在接近地線布線圖形的一個部分內基本上平行於地線布線圖形的邊緣地延伸。第二和第三布線圖形部分從第一布線圖形部分的相對兩端開始沿離開地線布線圖形的方向是彎曲的。
按照第一發明的又一特定方面，將第一布線圖形部分以及第二和第三布線圖形部分布置成，用以形成大致直為角，使信號布線圖形具有大體呈U形的形狀。
按照第一發明的再一特定方面，在第二或第三布線圖形部分上，信號布線圖形經凸塊電連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端上。
按照第二發明，一種聲表面波分支濾波器，它包括具有相對較低中心頻率的第一聲表面波分支濾波器晶片和具有相對較高中心頻率的第二聲表面波分支濾波器晶片，它們利用設在第一和第二聲表面波分支濾波器晶片上的多個凸塊接合到設在組合部件的晶片安裝表面上的布線圖形上。所述聲表面波分支濾波器包括第一和第二聲表面波分支濾波器晶片和一個組合部件；第一聲表面波分支濾波器晶片包含多個SAW諧振器，並具有設在下表面上的多個凸塊，第二聲表面波分支濾波器晶片包含多個SAW諧振器，並具有設在下表面上的多個凸塊；組合部件利用多個凸塊與第一和第二聲表面波分支濾波器晶片接合在一起。組合部件的晶片安裝表面至少有一個信號布線圖形和一個地線布線圖形，所述信號布線圖形連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端，地線布線圖形連接到最靠近第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端的SAW諧振器的地電位。晶片安裝表面具有分別連接到信號布線圖形和地線布線圖形並穿透組合部件的至少一個部分的信號通孔電極和地線通孔電極。在組合部件中，對於通孔電極之間的距離進行安排，並將通孔電極連接到不同的電位，使得在信號通孔電極和地線通孔電極之間的距離為最小。
按照這種應用的第三發明，一種聲表面波分支濾波器，它包括具有相對較低中心頻率的第一聲表面波分支濾波器晶片和具有相對較高中心頻率的第二聲表面波分支濾波器晶片，它們利用設在第一和第二聲表面波分支濾波器晶片上的多個凸塊接合到設在組合部件的晶片安裝表面上的布線圖形上。所述聲表面波分支濾波器包括第一和第二聲表面波分支濾波器晶片以及一個組合部件；第一聲表面波分支濾波器晶片包含多個SAW諧振器，並具有設在下表面上的多個凸塊，第二聲表面波分支濾波器晶片包含多個SAW諧振器，並具有設在下表面上的多個凸塊；組合部件利用多個凸塊與第一和第二聲表面波分支濾波器晶片接合在一起。組合部件的晶片安裝表面至少有一個信號布線圖形和一個地線布線圖形，所述信號布線圖形連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端，地線布線圖形連接到最靠近第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端的SAW諧振器的地電位。給出一個結構，用以抵消磁通量。當由流過第一聲表面波分支濾波器晶片的電信號產生的磁通量在提供信號布線圖形和地線布線圖形的區域內流動時，這個結構可以抵消所述的磁通量。
按照第三發明的一個方面，在用於抵消磁通量的結構中，安排第一和第二通孔電極，使它們至少可以穿過組合部件的一部分，並將它們連接到地線布線圖形上。第一和第二通孔電極分布在一條假想線的相對兩側，所述假想線連接多個凸塊中的第一凸塊和第二凸塊，多個凸塊用於將第二聲表面波分支濾波器晶片接合到組合部件的布線圖形上。第一凸塊連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出電路上，第二凸塊連接到最靠近這個輸出端的SAW諧振器的地電位上。
按照第三發明的另一特定方面，在抵消磁通量的結構中，對於第一和第二通孔電極進行安排，使它們至少可以穿透組合部件一部分的一層，並將它們連接到地線布線圖形上。第一和第二通孔電極分布在一條直線的相對兩側，所述直線連接第一凸塊和多個第二凸塊的中心。第一凸塊連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端，第二凸塊連接到最靠近第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端的SAW諧振器的地端電位。
按照第三發明的又一特定方面，由連接第一通孔電極和第二凸塊的一條直線和連接第二凸塊和第二通孔電極的一條直線形成的角度約為90°或更大。
按照本發明的再一特定方面，由連接第一通孔電極和多個第二凸塊的中心的一條直線和連接多個第二凸塊的中心和第二通孔電極的一條直線形成的角度約為90°或更大。
按照第三發明的再一特定方面，將包括第一和第二通孔電極在內的多個通孔電極設置在組合部件內。將多個通孔電極中的至少一個安排在安裝第二聲表面波分支濾波器晶片區域的下面。另外的通孔電極安排在安裝第二聲表面波分支濾波器晶片區域外部的一個區域內。
在第一到第三發明的聲表面波分支濾波器中，可以作為分開獨立的晶片構成所述第一和第二聲表面波分支濾波器晶片。然而，本發明中的第一和第二聲表面波分支濾波器晶片可以作為一個晶片，被集成並配置在一起。
圖1(a)和1(b)分別是說明本發明第一實施例聲表面波分支濾波器的分解透視圖和前視圖，；圖2是表示本發明第一實施例聲表面波分支濾波器電路結構的示意圖；圖3是表示設置於本發明第一實施例中所用接收側聲表面波分支濾波器晶片的下表面上的電極結構的仰視圖；圖4是說明本發明第一實施例中所用組合部件的上表面上的多個布線圖形的平面示意圖，；圖5是說明為比較而準備的公知聲表面波分支濾波器中的組合部件上表面上所設置的布線圖形的平面示意圖；圖6是表示第一實施例的接收側聲表面波分支濾波器晶片的頻率特性和比較例的聲表面波分支濾波器的接收側聲表面波分支濾波器晶片的頻率特性曲線圖；圖7是表示第二實施例的聲表面波分支濾波器隔離特性和比較例的聲表面波分支濾波器隔離特性的曲線圖，；圖8是說明設在第二實施例聲表面波分支濾波器的組合部件的上表面上的布線圖形的平面示意圖；圖9是說明本發明第三實施例聲表面波分支濾波器中所用組合部件的上表面上的布線圖形的平面示意圖；圖10是表示第三實施例聲表面波分支濾波器中的接收側聲表面波分支濾波器晶片的頻率特性曲線圖；圖11是表示第三實施例聲表面波分支濾波器中的接收側聲表面波分支濾波器晶片的隔離特性曲線圖；圖12是表示比較例聲表面波分支濾波器中的接收側聲表面波分支濾波器晶片的頻率特性曲線圖；圖13是表示比較例聲表面波分支濾波器中的接收側聲表面波分支濾波器晶片的隔離特性曲線圖；
圖14是說明本發明第四實施例聲表面波分支濾波器，並且說明其中所用組合部件上表面上的布線圖形的平面示意圖；圖15是說明第一實施例一種改進的聲表面波分支濾波器內所用組合部件的上表面上的布線圖形的平面示意圖；圖16是安裝在圖15所示組合部件上表面上的接收側聲表面波分支濾波器晶片的仰視圖；圖17是說明第三實施例聲表面波分支濾波器改進形式的聲表面波分支濾波器中所用的組合部件的上表面上的布線圖形的平面示意圖；圖18是說明連接到接收側地線布線圖形的多個通孔電極的位置關係，從而在圖17所示布線圖形中加強了接地的平面示意圖；圖19是說明公知的聲表面波分支濾波器的示意平面剖視圖，；圖20是說明公知的聲表面波分支濾波器的另一舉例的示意主視剖面圖。
具體實施例方式
從下面結合附圖對本發明特定實施例的描述，將使本發明將變得愈為清楚。
圖1(a)和1(b)分別是說明本發明第一實施例聲表面波分支濾波器的分解透視圖和主視圖。圖2是表示該實施例聲表面波分支濾波器電路結構的示意圖。
如圖2所示，聲表面波分支濾波器1具有與天線ANT連接的天線連接終端2。確定第一聲表面波分支濾波器晶片的發送側聲表面波分支濾波器晶片3和確定第二聲表面波分支濾波器晶片的接收側聲表面波分支濾波器晶片4都連接到天線連接終端2。相位匹配元件5連接在天線連接終端2與接收側聲表面波分支濾波器晶片4之間。
如圖所示，每個聲表面波分支濾波器晶片3、4都有與多個SAW諧振器連接而構成梯形電路的結構。具體地說，聲表面波分支濾波器晶片3具有確定串聯臂諧振器的SAW諧振器S1-S6和確定並聯臂諧振器的SAW諧振器P1和P2，聲表面波分支濾波器晶片4具有確定串聯臂諧振器的SAW諧振器S7-S10和確定並聯臂諧振器的SAW諧振器P3-P5。
圖2中定位於聲表面波分支濾波器晶片3、4的天線終端2相對側的信號終端是發送側信號終端6和接收側信號終端7。
SAW諧振器P5最靠近接收側信號終端7，它的一端連接到地電位。這裡，所述接收側聲表面波分支濾波器晶片4的多個SAW諧振器中，連接到SAW諧振器P5的地電位的組合部件的電極結構成為問題的所在。於是，本發明要說明的是，距第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端最近的SAW諧振器的地電位指的是圖2所示SAW諧振器P5的地電位。
如圖1(b)所示，在聲表面波分支濾波器1中，組合部件8的上部內形成一個中空部分。本發明中，將發送側聲表面波分支濾波器晶片3和接收側聲表面波分支濾波器晶片4都安裝在組合部件的晶片安裝表面8b上。這裡的組合部件的晶片安裝表面8b指的是中空部分8a的下表面。本發明中，可以使用沒有中空部分8a的平板組合部件。
在聲表面波分支濾波器1中，固定一個蓋件9，用以覆蓋組合部件8的中空部分8a。
在聲表面波分支濾波器1中，發送側聲表面波分支濾波器晶片3和接收側聲表面波分支濾波器晶片4都被電連接到各個布線圖形，利用示意表示的多個凸塊10、11，將布線圖形設在組合部件8的晶片安裝表面8b上，下面對此還有描述。此外，聲表面波分支濾波器晶片3、4接合到組合部件8的晶片安裝表面8b上。
如圖2所示的相位匹配元件是由如圖1(b)所示的條形線12、13確定的。條形線12、13嵌入組合部件8中，並通過對應的通孔電極14、15電連接到接收側聲表面波分支濾波器晶片4上。
在這種類型的聲表面波分支濾波器1中，發送側聲表面波分支濾波器晶片3和接收側聲表面波分支濾波器晶片4彼此靠近。於是，由流過發送側聲表面波分支濾波器晶片3的電流產生的磁通量就會通過接收側聲表面波分支濾波器晶片4一側。具體地說，所述磁通量要在垂直於接收側聲表面波分支濾波器晶片4的主平面和組合部件9的晶片安裝表面8b的方向上通過。其結果是，由於這樣的磁通量，存在使接收側聲表面波分支濾波器晶片4的頻率特性變差，以及使聲表面波分支濾波器晶片3和4之間的隔離特性變差的問題。
在第一實施例的聲表面波分支濾波器1中，對於在組合部件8的晶片安裝表面8b上形成的布線圖形的形狀應予改進，以防止由於這樣的磁通量引起的特性變差。以下參照附圖1(a)並與圖3和圖4一起描述這種情況。
圖1(a)以分解透視圖示意地表示組合部件8的晶片安裝表面8b上安裝接收側聲表面波分支濾波器晶片4的一部分。在聲表面波分支濾波器晶片4的下表面上設置圖3所示的各個電極。也即在聲表面波分支濾波器晶片4的下表面4a上設置圖2所示的SAW諧振器S7-S10及P3-P5。SAW諧振器S7-S10及P3-P5中的每一個都由單埠SAW諧振器確定，並且在它的結構中，在IDT(叉指式傳感器)的聲表面波傳播方向的相對兩側設置反射器。在聲表面波分支濾波器晶片4的下表面4a上還設置電極連接盤16a-16g。為電極連接盤16a-16g提供對應的金屬凸塊，圖3中沒有示出這些金屬凸塊。所述金屬凸塊比如對應於金屬凸塊10，如圖1(b)所示意地表示的那樣，並且，它們從聲表面波分支濾波器晶片4的下表面4a開始向下突起。
在組合部件8的晶片安裝表面8b上，在與上述金屬凸塊接合的部分設置多個布線圖形。於是，如圖1(a)和4所示，給出天線側信號布線圖形22、天線側地線布線圖形21、中間級地線布線圖形23、接收側信號布線圖形24，以及接收側地線布線圖形25。
這個實施例的特徵在於接收側信號布線圖形24和接收側地線布線圖形25。
接收側信號布線圖形24是與如圖2所示的接收側信號終端7接合的一部分，即設在圖3所示電極連接盤16d上的金屬凸塊。另一方面，接收側地線布線圖形25是與圖2所示SAW諧振器P5的地電位接合的一部分，即設在圖3所示電極連接盤16e上的各個金屬凸塊。
在圖4中用點劃線B表示的部分設置各個布線圖形，它們連接到圖1(b)所示發送側聲表面波分支濾波器晶片3。
在聲表面波分支濾波器1中，組合部件8上設有多個通孔電極V1-V9。每個通孔電極V1-V9的上端連接到布線圖形21-25之一。本實施例中的通孔電極V1-V9延伸穿過組合部件8的至少一部分，即在垂直於晶片安裝表面8b的方向上延伸。通孔電極V4連接到天線的信號布線圖形22，並且電連接到上述的條形線12、13。設置另外的通孔電極，以便延伸到組合部件8的下表面，並且電連接到設置在組合部件8的下表面上的外部連接電極。
同時，多個通孔電極V7-V9電連接到接收側地線布線圖形25。於是，聲表面波分支濾波器1還有一個優點，即通過通孔電極V7-V9可以加強接地。
如上所述，在聲表面波分支濾波器1中，將發送側聲表面波分支濾波器晶片3和接收側聲表面波分支濾波器晶片4布置得彼此靠近。於是，在工作過程中，通過發送側聲表面波分支濾波器晶片3和電連接到發送側聲表面波分支濾波器晶片3的組合部件8上的電極部分的電信號將會產生磁通量。這個磁通量沿著垂直於晶片安裝表面8b的方向通過接收側聲表面波分支濾波器晶片4和組合部件8的晶片安裝表面8b的提供布線圖形21-25的那些部分。
在聲表面波分支濾波器1中，當磁通量通過用於提供接收側信號布線圖形24和接收側地線布線圖形25的那些部分時，會使隔離特性變差。因此，本實施例中的接收側信號布線圖形24是彎曲的，形成大體呈U形的結構，如圖1(a)和4所示。這給出一種結構，其中，接收側信號布線圖形24具有一個布線圖形部分，該部分靠近接收側地線布線圖形25。結果，有可能抑制沿垂直於晶片安裝表面8b方向通過接收側信號布線圖形24和接收側地線布線圖形25之間那一部分的磁通量的影響。
按與圖5所示對應於傳統示例布線圖形的平面形狀比較的方式描述上述這種情況。圖5是為比較所預備的組合部件220的示意平面圖。在這種情況下，像在組合部件8的晶片安裝表面8b中的情況那樣，在組合部件220的晶片安裝表面上提供天線側信號布線圖形222、天線側地線布線圖形221、中間級地線布線圖形223、接收側信號布線圖形224，以及接收側地線布線圖形225。接收側信號布線圖形224與相鄰的布線圖形分隔開，這與布線圖形222和223類似。有如從圖5可以看出的，接收側信號布線圖形224具有大體呈直線的形狀。
對比之下，按照本實施例的聲表面波分支濾波器1，接收側信號布線圖形24是彎曲的，因而具有大體呈U形的結構，並使布線圖形24靠近接收側地線布線圖形25。
具體地說，有如圖4所示，本實施例中的接收側信號布線圖形24具有第一布線圖形部分24a、第二布線圖形部分24b和第三布線圖形部分24c。第一布線圖形部分24a位於與接收側地線布線圖形25相對的部分，因此，可以平行於接收側地線布線圖形25的一個邊緣延伸。第二布線圖形部分24b和第三布線圖形部分24c從第一布線圖形部分24a的相對兩側開始，沿大體上垂直於第一布線圖形部分24a並且離開接收側地線布線圖形25的方向為彎曲的。第二布線圖形部分24b和第三布線圖形部分24c並非必須垂直第一布線圖形部分24a，而可以是彎曲的，從而形成一個除90°之外的角度。
圖6表示使用組合部件8的本實施例聲表面波分支濾波器1的頻率特性曲線和比較例的聲表面波分支濾波器的接收側聲表面波分支濾波器晶片的頻率特性曲線。比較例聲表面波分支濾波器的配置方式與本實施例聲表面波分支濾波器1的配置方式相同，只是使用了圖5所示的組合部件220。圖6中的實線表示第一實施例的結果，虛線表示比較例的結果。
圖7是表示以上所述實施例和比較例聲表面波分支濾波器的隔離特性曲線圖。實線表示本實施例的結果，虛線表示比較例的結果。聲表面波分支濾波器的發送通帶是824-849MHz，接收通帶是869-894MHz。
有如從圖6和7所清晰可見的，與比較例的聲表面波分支濾波器比，本實施例聲表面波分支濾波器在接收側聲表面波分支濾波器的通帶外的頻帶內顯示出有益的隔離特性，並且，因此而在接收側聲表面波分支濾波器晶片中表現出足夠大的帶外衰減。這似乎是因為如上所述的接收側信號布線圖形24靠近接收側地線布線圖形25的緣故，藉此，可以抑制上述穿過二者之間部分的磁通量的影響。
圖8是表示本發明第二實施例聲表面波分支濾波器的組合部件上表面上布線圖形的平面結構示意圖。圖8與表示第一實施例的圖4對應。由於第二實施例的聲表面波分支濾波器的另外的結構類似於第一實施例的聲表面波分支濾波器的結構，所以，這裡要加進有關第一實施例的描述。
在第二實施例的聲表面波分支濾波器中，有如第一實施例中那樣，在組合部件8的晶片安裝表面8b上布置天線側信號布線圖形22、天線側地線布線圖形21、中間級地線布線圖形23和接收側地線布線圖形22。儘管在第一實施例中形成大體呈U形的接收側信號布線圖形24，但在第二實施例中的接收側信號布線圖形31並沒有大體呈U形的結構，而是直線形狀。
通孔電極V6連接到接收側信號布線圖形31上，通孔電極V7連接到接收側地線布線圖形25上。在通孔電極V7-V9中，通孔電極V7最靠近通孔電極V6。在電連接到接收側聲表面波分支濾波器晶片4的通孔電極V1-V9中，設定通通孔電極V6和孔電極V7之間的距離R，使其成為連接到不同電位的通孔電極之間的距離中的最小者。在相鄰的連接到不同電位的其它成對通孔電極中，至少有一對通孔電極之間的距離可以與通通孔電極V6和孔電極V7之間的距離相同。
由於本實施例中有如上述那樣減小了通孔電極V6和通孔電極V7之間的距離，所以，可以抑制上述磁通量穿過接收側信號布線圖形31和接收側地線布線圖形25之間的部分。這是因為本實施例中所提供的通孔電極V6和通孔電極V7從組合部件8的晶片安裝表面8b開始，穿過至少一部分組合部件8，延伸到組合部件8的下表面8c。於是，通孔電極V6和孔電極V7之間距離的減小，就抑制了它們之間的所述磁通量的影響。
以此方式，通過減小通孔電極V6和通孔電極V7之間的距離R，還可以克服由通過發送側聲表面波分支濾波器晶片3和連接到發送側聲表面波分支濾波器晶片3的組合部件8的電極的信號所產生的磁通量的影響。
如上所述，使通孔電極V6靠近通孔電極V7。換句話說，在設置通孔電極V6的部分，使接收側信號布線圖形31靠近接收側地線布線圖形25。即在第二實施例的聲表面波分支濾波器中，接收側聲表面波分支濾波器31還有一個靠近接收側地線布線圖形25的布線圖形部分。
在第二實施例中，由於使通孔電極V6靠近通孔電極V7已經足夠，因此，並不需要信號布線圖形31具有複雜的形狀。但在實踐中，就微型化而言，像在通孔電極V6和通孔電極V7中那樣形成一對彼此靠近的通孔電極是很困難的。因此，就聲表面波分支濾波器的微型化而言，要像第一實施例那樣，使接收側信號布線圖形靠近接收側地線布線圖形，從而可以提供一種結構，即與第二實施例相比，增大了通孔電極V6和通孔電極V7之間的距離。這種結構有利於形成通孔電極V6和V7。於是，當考慮通孔的製造精度時，第一實施例的結構有利於製造，因而，與第二實施例相比是優越的。
圖9是說明本發明第三實施例聲表面波分支濾波器的視圖。具體來說，圖9是表示第三實施例中所用組合部件的晶片安裝表面上的布線圖形結構的平面示意圖，並與結合第一實施例說明的圖4相對應。
由於第三實施例中的其它結構類似於第一實施例的結構，所以這裡將引入第一實施例的說明。
在第三實施例的聲表面波分支濾波器中，在組合部件8的上表面上設置天線側信號布線圖形42、天線側地線布線圖形41、中間級地線布線圖形43、接收側信號布線圖形44和接收側地線布線圖形45。所提供的通孔電極V1-V10要穿過組合部件8的至少一部分。
在第三實施例中，構成接收側信號布線圖形44的方式也與第一實施例相同。即接收側布線圖形44具有彎曲的大體呈U形的結構，因此，具有靠近接收側地線布線圖形45的布線圖形部分。於是，有如第一實施例中那樣，接收側信號布線圖形44的這種形狀可以抑制上述來自發送側聲表面波分支濾波器晶片3一側的磁通量的影響。
此外，在本實施例中，如圖所示那樣布置通孔電極V10和通孔電極V7，以便抵消磁通量，從而進一步改善衰減特性和隔離特性。下面描述通孔電極V7和通孔電極V10的這種布置和結構。
在圖9中，將通孔電極V7和通孔電極V10設在假想線E(連接假想點C和D)的相對兩側。通孔電極V10連接到接收側地線布線圖形45，與通孔電極V7-V9的連接方式相同。假想點D表示與連接到圖1所示聲表面波分支濾波器晶片4的接收側信號終端7的凸塊接合的部分。假想點D表示與連接到圖1所示聲表面波分支濾波器晶片4的SAW諧振器P5的地電位的並在電極連接盤16f上的凸塊接合的部分。也就是說，點D是連接到接收側聲表面波分支濾波器晶片4輸出端的、用於確定第二聲表面波分支濾波器晶片的、並且距信號布線圖形最近的凸塊的接點。點C接合到與SAW諧振器的地電位相連並距所述輸出端最近的凸塊。在連接點C和D的假想線E相對的兩側布置連接到地電位通孔電極V7和通孔電極V10。
使用聲表面波分支濾波器的過程中，當從發送側洩露的磁通量沿垂直組合部件8的上表面方向通過時，圖9中以虛線F和G表示沿環繞磁通量的方向所產生的感應電流。然而，本實施例中，在假想線E的相對兩側布置所述通孔電極7和通孔電極V10。換句話說，流到地電位的電流分流到線H和I，從而使感應電流F、G相互抵消。於是，有可能抑制上述磁通量的影響，並進一步改善頻帶外的衰減特性和隔離特性。下面還要參照圖10-13對此進行描述。圖10和11分別表示第三實施例聲表面波分支濾波器的接收側的頻率特性和隔離特性的曲線圖。圖12和13是表示上述比較例聲表面波分支濾波器的接收側的頻率特性和隔離特性的曲線圖。
每個聲表面波分支濾波器晶片的安裝位置在晶片安裝表面沿水平和垂直方向移動約50微米，其中，發送側聲表面波分支濾波器晶片是固定的，並已得出特性曲線。在圖10-13中，這些特性中的實線表示最佳衰減特性和最佳隔離特性，虛線表示最差衰減特性和最差隔離特性。圖10和11中，即使當接收側聲表面波分支濾波器晶片發生安裝位移時，特性曲線幾乎不發生位移。這樣，實線和虛線相互重疊，以致在它們之間難以區分開來。對比之下，在圖12和13中，當接收側聲表面波分支濾波器晶片發生安裝位移時，衰減特性曲線和隔離特性曲線偏移很大的程度，藉此，加大了實線和虛線之間的差異。
有如從圖10、11、12、13之間的比較所能看出的，在所述比較例中，接收側聲表面波分支濾波器晶片的衰減特性在發送側通頻帶中的變化是4.0分貝，在發送側通頻帶中的隔離特性變化是5.1分貝。對比之下，第三實施例表示出明顯的改進。在發送側聲表面波分支濾波器晶片的通頻帶中，接收側聲表面波分支濾波器晶片的衰減特性是1.2分貝，它在發送側通頻帶內的隔離特性是0.8分貝。
有如從圖10和11以及圖12和13之間的比較所清晰可見的，第三實施例在接收側通頻帶外的頻帶內甚至表示出更為有益的隔離特性，並且能夠在低於頻率特性曲線中通頻帶的頻率下提供充分的衰減。
在第三實施例中，上述假想點C是這樣的部分，該部分與聲表面波分支濾波器晶片4的SAW諧振器P5的地電位連接的電極連接盤16f上的一個凸塊相結合。不過，在連接到聲表面波分支濾波器晶片4的SAW諧振器P5的地電位的電極連接盤上可以形成多個凸塊。在這種情況下，多個凸塊的中心對應於假想點C。也即連接到SAW諧振器P5的地電位並靠近信號布線圖形的凸塊可以由多個凸塊組成。在這種情況下，可以將通孔電極V7和V10布置成使多個凸塊的中心點就是假想點D。
圖14是說明本發明第四實施例聲表面波分支濾波器的平面示意圖。圖14是表示在組合部件8的晶片安裝表面8b上的電極結構的平面示意圖。
第四實施例的聲表面波分支濾波器與上述第二實施例聲表面波分支濾波器的一種改進形式相對應。於是，如圖8所示，在第二實施例中，接收側信號布線圖形31具有大體上呈直線的形狀，並在其輸出端連接到通孔電極V6。雖然第二實施例中形成的信號布線圖形31具有大體上呈直線的形狀，但是也可以形成如圖14所示的L形信號布線圖形，以此作為接收側信號布線圖形32。在這種情況下，同樣是將接收側信號布線圖形32在輸出端連接到通孔電極V6。如在第二實施例中所示的那樣，在與不同電位連接的成對通孔電極之間的距離當中，將與接收側地線布線圖形25連接的通孔電極V6和通孔電極V10之間的距離設定成使其成為最小值。於是，與第二實施例相似，這個實施例也可以提高接收側聲表面波分支濾波器晶片的衰減特性，以及改善隔離特性。
圖15和16是說明本發明第一實施例的另一種改進形式的視圖。圖15是表示這種改進形式所用圖形部件上表面上的布線圖形形狀的視圖。圖16是表示這種改進形式所用聲表面波分支濾波器晶片4下表面上的電極形狀的示意仰視圖。
雖然第一實施例中的所述地線布線圖形25包括一個電極，但是有如圖15所示那樣，接收側地線布線圖形25可以分開，形成地線布線圖形25a和地線布線圖形25b。於是，在第一、第二和第三實施例中每一個實施例中，接收側地線布線圖形同樣都可以分成多個布線圖形。
圖17是表示上述第三實施例聲表面波分支濾波器的一種改進形式的聲表面波分支濾波器的視圖。圖17是與說明第三實施例的圖9相對應的視圖。
這種改進形式的聲表面波分支濾波器的配置方式與第三實施例聲表面波分支濾波器的配置方式相同，只是接收側布線圖形44沒有大體上呈U形的結構。於是，在第三實施例的聲表面波分支濾波器中，有如在第一實施例中所述的那樣，使接收側布線圖形44靠近接收側地線布線圖形45，從而使接收側布線圖形具有大體上呈U形的結構。
與其相反，在這種改進形式的聲表面波分支濾波器中，接收側布線圖形44A沒有大體上呈U形的結構。在這個實施例中，就像第三實施例聲表面波分支濾波器中那樣，如附圖中所示布置通孔電極V10和通孔電極V7。這種布置可以抵消來自發送側聲表面波分支濾波器晶片3一側的磁通量的影響，藉此，可以改進衰減特性和隔離特性。
於是，如圖17所示，其中的接收側信號布線圖形的形狀在第三實施例中發生了改變，如圖所示布置的通孔電極V7和通孔電極V10可以改善衰減特性和隔離特性，但改進的並不像第三實施例那樣多。
此外，如圖18示意地表示的，圖17所示的改進中，在與接收側地線布線圖形的凸塊結合的表面上，由連接假想點D和連接到接收側地線布線圖形的通孔電極V7的直線與連接假想點D和連接到另一地線布線圖形的通孔電極V10的直線所形成的角度最好是90°或更大。結果，加強了接收側地線布線圖形的接地。
在圖18所示虛線J表示的區域中，在組合部件8的晶片安裝表面8b上安裝聲表面波分支濾波器晶片4。有如從圖18所清晰可見的，通孔電極V1-V10分布在安裝接收側聲表面波分支濾波器晶片4區域的內部和外部。換句話說，通孔電極V10分布在安裝接收側聲表面波分支濾波器晶片4的區域的內部，與地電位相連的其它通孔電極V7-V9布置在這個區域的外部。以此方式，至少一個通孔電極V10分布在安裝接收側聲表面波分支濾波器晶片4區域的內部，其它通孔電極V1-V9布置在安裝接收側聲表面波分支濾波器晶片4區域的外部。藉助這種結構，雖然上述實施例和改進形式中第一和第二聲表面波分支濾波器晶片3和4配置在分開的晶片中，但也可以作為單個晶片集成和配置第一和第二聲表面波分支濾波器晶片3和4。
工業實用性在第一發明的聲表面波分支濾波器中，把設置在組合部件的晶片安裝表面上的信號布線圖形配置成使其具有比連接到這個信號布線圖形的第二聲表面波分支濾波器晶片的一個凸塊距地線布線圖形更近的圖形部分。這樣，就能抑制由流過第一聲表面波分支濾波器晶片的信號引起的磁通量通過連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的地線布線圖形和信號布線圖形的部分。於是，就能改善第二聲表面波分支濾波器晶片的通頻帶外的頻帶中的隔離特性，並提供足夠大的第二聲表面波分支濾波器的頻帶外衰減。
信號布線圖形是彎曲的，因此可以接近地線布線圖形，藉此，提供接近地線布線圖形的上述的圖形部分。在這種情況下，只有配置信號布線圖形的平面形狀，才能改善本發明聲表面波分支濾波器晶片一側的隔離特性。
信號布線圖形可以具有第一信號布線圖形部分，該部分在接近地線布線圖形的部分處與地線布線圖形的邊緣平行，以及第二和第三布線圖形部分，它們從第一信號布線圖形的相對兩側開始，沿離開地線布線圖形方向是彎曲。在這種情況下，形成具有這樣一種大體上呈U形結構的信號布線圖形，可以改善本發明的第二聲表面波分支濾波器晶片一側的帶外隔離特性。
在第二和第三布線圖形部分處，信號布線圖形可以藉助一個凸塊與第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端電連接。在這種情況下，即使在為改善隔離特性而使第一布線圖形部分接近地線布線圖形時，也能布置信號布線圖形與遠離地線布線圖形的一個凸塊接合的部分。因此，有可能很容易地利用一個凸塊將第二聲表面波分支濾波器晶片接合到組合部件上。另外，在組合部件中並在第二和第三布線圖形部分上，可以形成一個連接到第二和第三布線圖形部分上的通孔電極。在這種情況下，這個通孔電極和連接到地線布線圖形的通孔電極彼此可以間隔開。於是，為了微型化，可以使兩個通孔電極之間距離足夠大，藉此可以促進通孔電極的形成。
在第二發明的聲表面波分支濾波器中，組合部件的晶片安裝表面具有連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端信號布線圖形，以及具有與最靠近第二聲表面波分支濾波器晶片之輸出端的SAW諧振器相連的地電位的地線布線圖形。晶片安裝表面具有分別連接到信號布線圖形和地線布線圖形、並穿過至少一部分組合部件的信號通孔電極和地線通孔電極。布置在組合部件中並與不同電位相連的通孔電極之間的距離當中，在信號通孔電極和地線通孔電極之間的距離是最小的。就像在第一實施例中那樣，這種布置可以抑制由流過第一聲表面波分支濾波器晶片並通過提供信號布線圖形和地線布線圖形的區域的電流引起的磁通量影響。因此，能夠改善第二聲表面波分支濾波器晶片的頻帶外的隔離特性，並能明顯改善第二聲表面波分支濾波器晶片的頻率特性。
在第三發明的聲表面波分支濾波器中，組合部件的晶片安裝表面至少具有連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端的一個信號布線圖形，以及具有與最靠近第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端的SAW諧振器的地電位相連的一個地線布線圖形。其中，給出一種抵消磁通量的結構。當由流過第一聲表面波分支濾波器晶片的電信號產生的磁通量流入提供信號布線圖形和地線布線圖形的區域時，這個結構可以抵消這個磁通量。如在第一發明中所述的那樣，能夠改善第二聲表面波分支濾波器晶片的帶外隔離特性，並能改善第二聲表面波分支濾波器晶片的頻率特性。
在第三發明中，用於抵消磁通量的結構可以是如下的結構其中將第一和第二通孔電極布置成至少可以穿過部分組合部件，連接到地線布線圖形，並將第一和第二通孔電極布置在連接用於把第二聲表面波分支濾波器晶片結合到組合部件的多個凸塊中的第一凸塊和第二凸塊的一條假想線的相對兩側。第一凸塊連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端，第二凸塊連接到最靠近所述輸出端的SAW諧振器的地電位。在這種情況下，只有調節第一和第二通孔電極的形成位置，才能很容易地給出抵消磁通量的結構。
用於抵消磁通量的結構可以是如下的結構其中將第一和第二通孔電極布置成至少可以穿過部分組合部件的一層，並連接到地線布線圖形。第一和第二通孔電極分布在一條直線的相對兩側，所述直線連接在第二聲表面波分支濾波器晶片上所提供的多個凸塊中的第一凸塊和多個第二凸塊的中心。第一凸塊連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端，第二凸塊連接到最靠近所述輸出端的SAW諧振器的地電位。在這種情況下，同樣是只有調節第一和第二通孔電極的位置，才有可能很容易地在組合部件中安排抵消磁通量的結構。
由連接第一通孔電極和第二凸塊的直線與連接第二凸塊和第二通孔電極的直線形成的角度可以是90°或更大。這樣，就加強了關於組合部件中安裝第二聲表面波分支濾波器晶片的部分的接地。
由連接第一通孔電極和多個第二凸塊中心的直線與連接多個第二凸塊中心和第二通孔電極的直線形成的角度可以是約為90°或更大。這樣，就以同樣的方式加強化了提供地線布線圖形的這部分的接地。
當在組合部件內提供包括第一和第二通孔電極在內的多個通孔電極時，在安裝第二聲表面波分支濾波器晶片的區域下面布置多個通孔電極中的至少一個，其它通孔電極布置在安裝第二聲表面波分支濾波器晶片的一個表面外部的區域，這樣就能加強接地。
權利要求
1.一種聲表面波分支濾波器，它藉助設在第一和第二聲表面波分支濾波器晶片上的多個凸塊，把具有相對較低中心頻率的第一聲表面波分支濾波器晶片和具有相對較高中心頻率的第二聲表面波分支濾波器晶片結合到形成在組合部件的晶片安裝表面上的布線圖形上，所述聲表面波分支濾波器包括第一聲表面波分支濾波器晶片，它包括多個SAW諧振器以及設在下表面上的多個凸塊；第二聲表面波分支濾波器晶片，它包括多個SAW諧振器以及設在它的下表面上的多個凸塊；以及組合部件，利用多個凸塊與第一和第二聲表面波分支濾波器晶片結合；其中，所述組合部件的晶片安裝表面至少具有信號布線圖形，該信號布線圖形連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端；地線布線圖形，它連接到最靠近第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端的SAW諧振器的地電位；以及信號通孔電極和地線通孔電極，它們分別連接到信號布線圖形和地線布線圖形，並至少穿透組合部件的一部分；信號布線圖形具有如下的圖形部分，這個圖形部分比第二聲表面波分支濾波器晶片的凸塊更靠近地線布線圖形，並且所述凸塊與信號布線圖形結合。
2.根據權利要求1所述的聲表面波分支濾波器，其中，所述信號布線圖形是彎曲的，從而信號布線圖形接近地線布線圖形，從而，信號布線圖形具有接近地線布線圖形的圖形部分。
3.根據權利要求2所述的聲表面波分支濾波器，其中，所述信號布線圖形具有第一、第二和第三布線圖形部分，第一布線圖形部分接近地線布線圖形，並平行於地線布線圖形的邊緣的延伸，第二和第三布線圖形部分從第一布線圖形部分的相對兩端開始沿離開地線布線圖形的方向是彎曲的。
4.根據權利要求3所述的聲表面波分支濾波器，其中，在第二或第三布線圖形部分處，信號布線圖形藉助凸塊電連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端。
5.一種聲表面波分支濾波器，它利用設在第一和第二聲表面波分支濾波器晶片上的多個凸塊，把具有相對較低中心頻率的第一聲表面波分支濾波器晶片和具有相對較高中心頻率的第二聲表面波分支濾波器晶片結合到設在組合部件的晶片安裝表面上的布線圖形上，所述聲表面波分支濾波器包括第一聲表面波分支濾波器晶片，它包括多個SAW諧振器並具有設在下表面上的多個凸塊；第二聲表面波分支濾波器晶片，它包括多個SAW諧振器並具有設在下表面上的多個凸塊；以及組合部件，它利用多個凸塊與第一和第二聲表面波分支濾波器晶片結合；其中，所述組合部件的晶片安裝表面至少具有信號布線圖形，它連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端；地線布線圖形，它連接到最靠近第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端的SAW諧振器的地電位；以及信號通孔電極和地線通孔電極，它們分別連接到信號布線圖形和地線布線圖形並至少穿透組合部件的一部分；並且所述信號通孔電極和地線通孔電極之間的距離是布置在組合部件中並與不同電位相連的各通孔電極之間距離的最小者。
6.一種聲表面波分支濾波器，它利用設在第一和第二聲表面波分支濾波器晶片上的多個凸塊，把具有相對較低中心頻率的第一聲表面波分支濾波器晶片和具有相對較高中心頻率的第二聲表面波分支濾波器晶片結合到組合部件的晶片安裝表面上的布線圖形上，所述聲表面波分支濾波器包括第一聲表面波分支濾波器晶片，它包括多個SAW諧振器以及設在下表面上的多個凸塊；第二聲表面波分支濾波器晶片，它包括多個SAW諧振器以及設在它的下表面上的多個凸塊；以及組合部件，它利用多個凸塊與第一和第二聲表面波分支濾波器晶片結合；其中，所述組合部件的晶片安裝表面至少具有信號布線圖形，該信號布線圖形連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端；地線布線圖形，它連接到最靠近第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端的SAW諧振器的地電位；以及用於抵消磁通量的結構；所述磁通量是由流過第一聲表面波分支濾波器晶片的電信號在提供信號布線圖形和地線布線圖形的區域內流動而產生的。
7.根據權利要求6所述的聲表面波分支濾波器，其中，所述抵消磁通量的結構中，將第一和第二通孔電極布置成使它們至少能穿透組合部件的一部分，並將它們連接到地線布線圖形上，並使第一和第二通孔電極分布在一條假想線的相對兩側，所述假想線連接用於接合第二聲表面波分支濾波器晶片到組合部件的晶片安裝表面的多個凸塊中的第一凸塊和第二凸塊，第一凸塊連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端，第二凸塊連接到最靠近所述輸出端的SAW諧振器的地電位。
8.根據權利要求7所述的聲表面波分支濾波器，其中，由連接第一通孔電極和第二凸塊的直線與連接第二凸塊和第二通孔電極的直線確定的角度是90°或更大。
9.根據權利要求6所述的聲表面波分支濾波器，其中，所述抵消磁通量的結構中，將第一和第二通孔電極布置成使它們可以穿透組合部件的至少一部分的一層，並將它們連接到地線布線圖形上，並使第一和第二通孔電極分布在一條假想線的相對兩側，所述假想線連接在第二聲表面波分支濾波器晶片上提供的多個凸塊中的第一凸塊和多個第二凸塊的中心，第一凸塊連接到第二聲表面波分支濾波器晶片的輸出端，第二凸塊連接到最靠近第二聲表面波分支濾波器晶片的所述輸出端的SAW諧振器的地端電位。
10.根據權利要求9所述的聲表面波分支濾波器，其中，由連接第一通孔電極和多個第二凸塊的中心的直線與連接多個第二凸塊的中心和第二通孔電極的直線確定的角度是90°或更大。
11.根據權利要求1-9中任一項所述的聲表面波分支濾波器，其中，包括第一和第二通孔電極在內的多個通孔電極設在組合部件上；多個通孔電極中的至少一個通孔電極設在安裝第二聲表面波分支濾波器晶片表面的下方，其它通孔電極設在安裝第二聲表面波分支濾波器晶片區域外部的一個區域內。
12.根據權利要求1-11中任一項所述的聲表面波分支濾波器，其中，所述第一和第二聲表面波分支濾波器晶片被是集成和配置成一個晶片。
全文摘要
一種聲表面波分支濾波器，其中在組合部件中通過倒裝晶片焊接方法安裝第一和第二聲表面波分支濾波器晶片，使第一和第二聲表面波分支濾波器晶片之間的隔離特性得到改善，並實現有益的衰減特性。第一聲表面波分支濾波器晶片具有較低的中心頻率，第二聲表面波分支濾波器晶片(4)具有較大的中心頻率，它們結合到組合部件(8)的晶片安裝表面上。晶片安裝表面上形成信號布線圖形(24)。第二聲表面波分支濾波器晶片(4)上的凸塊結合到信號布線圖形(24)。部分信號布線圖形(24)比起靠近凸塊來更為接近地線布線圖形(25)。
文檔編號H03H9/25GK1781247SQ20048001134
公開日2006年5月31日 申請日期2004年4月19日 優先權日2003年5月14日
發明者谷口典生, 岸本恭德 申請人:株式會社村田製作所