被處理體的取出方法、程序存儲介質及載置機構的製作方法
2023-06-08 19:34:56 2
專利名稱：被處理體的取出方法、程序存儲介質及載置機構的製作方法
技術領域：
本發明涉及從例如適用於半導體製造裝置的從載置臺取出被處理體的方法、程序存儲介質及載置機構，更詳細而言，涉及例如能夠順利且短時間內將真空吸附在載置臺上的被處理體從載置臺取出的被處理體的取出方法，存儲實行該取出方法程序的程序存儲介質，及載置機構。
背景技術：
這種載置機構，用於對晶片等被處理體實施規定的處理的情況。該搬送機構，例如包括載置晶片等被處理體的載置臺，在載置臺的載置面上出沒的多個升降栓銷，和為了將被處理體吸附固定於載置臺的載置面而在載置面上的多處開口的多個流路。通過真空裝置從多個流路排氣至真空，將被處理體吸附固定於載置面。
在對被處理體實施規定處理的情況下，使用搬送單元將被處理體搬送至載置臺，將被處理體轉移到從載置臺上升的多個升降栓銷上，搬送單元從載置臺退出。此時在載置機構中，多個升降栓銷從載置臺的載置面下降，將被處理體載置於載置面，同時將被處理體真空吸附、固定於載置面。一旦對於被處理體的規定處理結束後，將被處理體從載置臺取出。此時，解除載置臺上的被處理體的真空吸附後，使多個升降栓銷從載置臺上升，抬起被處理體，然後通過搬送單元將由多個升降栓銷抬起的被處理體從載置臺取出。
而且，例如在專利文獻1中記載了設置有與上述載置機構不同類型的載置機構(卡盤)的探針(prober)裝置。該探針裝置有具有連接於真空裝置的吸引口的卡盤，上述卡盤的吸引口傾斜配置於裝載側，同時通過切換開關將送風裝置連接於該吸引口。該探針裝置中，在將晶片從卡盤取出時，由送風裝置從吸引口送出空氣，由空氣的送風方向與空氣力使得晶片迅速地從卡盤向裝載側移動。
此外，在專利文獻2中記載了真空臺的吸引、真空裝置。該裝置通過方向切換閥，將泵的排氣側與吸氣側連接於真空臺的腔室，能夠通過切換方向切換閥，選擇泵的排氣側或吸氣側中的任一個與腔室連通。在這種裝置的情況下，將晶片W從真空臺取出時，通過方向切換閥，將真空臺與泵的排氣側連通。
專利文獻1日本特開昭63-142653號公報專利文獻2日本實開昭50-127097號公報發明內容然而，在設置有升降栓銷的現有載置機構的情況下，在將被處理體從載置臺取出時，由於被處理體被真空吸附而與載置面緊密接合，所以在使用多個升降栓銷將被處理體從載置臺的載置面抬起時，緩慢地將外部空氣導入被處理體與載置面之間，不能形成減壓狀態，同時必須用多個升降栓銷以極慢的速度抬起被處理體，取出被處理體需很長時間，例如，在將被處理體從載置面抬起到交接位置時，就需要約6～7秒左右的時間。而且，如果不花費時間，則不能由多個升降栓銷的上升消除被處理體與載置面11之間的減壓狀態，被處理體的中央部比周圍先被抬起，被處理體就會發生大的變形，導致被處理體破損。被處理體越是大型化、薄型化，就越容易破損。而且，在專利文獻1記載的卡盤和專利文獻2記載的裝置的情況下，由於未設置升降栓銷，所以不會產生像設置了升降栓銷的裝置那樣的問題。
本發明是為了解決上述問題而完成的，其目的在於提供一種被處理體的取出方法、程序存儲介質及載置機構。該方法在設置有多個升降栓銷的載置機構中，即使是晶片等被處理體大型化、薄型化，也能夠無損傷地在短時間內順利地將被處理體從載置臺取出。
而且，本發明的發明方面1所述的被處理體的取出方法，用於將真空吸附在載置臺上的上述被處理體取出，其中，上述載置臺具有在其上多處開口的多個氣體流路，上述被處理體的取出方法的特徵在於，包括下述工序(a)在上述多個氣體流路中關閉真空的工序，其中，該真空用於真空吸附上述被處理體；(b)用被處理體抬起單元將上述被處理體從上述載置臺抬起的工序；和(c)在工序(b)中，從上述多個氣體流路中的至少一個向上述載置臺與上述被處理體之間供給氣體的工序。
而且，本發明的發明方面2所述的被處理體的取出方法，其特徵在於在發明方面1所述的發明中，上述抬起工序(b)至少包括抬起速度不同的第一、第二抬起工序，第二抬起工序的抬起速度大於第一工序。
而且，本發明的發明發麵3所述的被處理體的取出方法，其特徵在於在發明方面2所述的發明中，在第一抬起工序中進行上述氣體供給工序(c)。
而且，本發明的發明方面4所述的程序存儲介質，其特徵在於存儲有驅動計算機、執行發明方面1或發明方面2所述的被處理體的取出方法的程序。
本發明的發明方面5所述的載置機構，其特徵在於，包括用於載置被處理體的載置臺；用於在上述載置臺上抬起上述被處理體，出沒於上述載置臺的抬起單元；用於將上述被處理體真空吸附在上述載置臺上，以在上述載置臺的載置面的多處開口的方式設置在上述載置臺上的多個流路；和設置有通過上述多個流路中的至少一個向上述載置臺與上述被處理體之間供給氣體的氣體供給單元。
而且，本發明的發明方面6所述的載置機構，其特徵在於在發明方面5所述的發明中，上述被處理體抬起單元至少具有兩個抬起速度。
而且，本發明的發明方面7所述的載置機構，其特徵在於在發明方面5所述的發明中，上述載置臺能夠載置大小不同的至少兩種被處理體，上述至少一個流路配置於大小不同的上述被處理體中小的被處理體側。
而且，本發明的發明方面8所記述的載置機構，其特徵在於在發明方面7所述的發明中，在上述多個流路中分別連接有排氣單元，在上述氣體供給單元上連接有可與上述排氣單元進行切換的閥門。
而且，本發明的發明方面9所述的載置機構，其特徵在於在發明方面8所述的發明中，上述閥門具有調整上述氣體流量的單元。
根據本發明的發明方面1～9所述的發明，能夠提供一種被處理體的取出方法、程序存儲介質及載置機構。該方法在設置有多個升降栓銷的載置機構中，即使是晶片等被處理體大型化、薄型化，也能夠無損傷地在短時間內順利地將被處理體從載置臺取出。
圖1是表示本發明的載置機構的一種實施方式的結構圖。
圖2(a)～(d)分別是按照工序順序表示使用圖1所示的載置機構的本發明的被處理體的取出方法的一種實施方式的工序圖。
符號說明10載置機構；11載置臺；11A載置面；12交接工具；12C升降驅動機構；13A、13B流路；14控制裝置(計算機)；16第一電磁閥(切換閥)；17第二電磁閥(切換閥)；W晶片(被處理體)。
具體實施例方式
下面，根據圖1、圖2所示的實施方式對本發明加以說明。並且，圖1是表示本發明的載置機構的一種實施方式的結構圖。圖2(a)～(d)分別是按照工序順序表示使用圖1所示的載置機構的本發明的被處理體的取出方法的一種實施方式的工序圖。
例如如圖1所示，本實施方式的載置機構10，包括載置被處理體(例如晶片)W的載置臺11；為了在載置臺11上進行晶片W的交接，出沒於載置臺11的載置面11A的交接工具12；為了將晶片W真空吸附於載置臺11上，以載置臺11的載置面11A上多處開口的方式設置在載置臺11上的多個流路13。構成為在控制裝置14的控制下驅動，將晶片W真空吸附於載置臺11的載置面11A上。該載置機構10，可適用於對半導體製造裝置、例如對晶片W的電氣特性進行檢查的檢查裝置。
載置臺11具有能夠載置大小不同的兩種晶片W、例如直徑為200mm和300mm的晶片W的大小的載置面。如圖1所示，出沒於該載置面11A的交接工具12，例如包括3個升降栓銷12A(圖1中顯示了2個)，和連接這些升降栓銷12A下端的連接部件12B。為通過現有公知的升降驅動機構12C而升降的結構。3個升降栓銷12A，貫通例如以在載置臺11中央部形成正三角形的方式配置的3處貫通孔11B，在上升端進行晶片W的交接。進而，升降驅動機構12C，根據控制裝置14的計算機中收容的程序存儲介質中存儲的序列程序而驅動，使得階段性地切換由3個升降栓銷12A抬起晶片W的速度，在短時間內將晶片W從載置面11A抬起到上升端。
而且，在上述載置臺11的載置面11A上，形成有同心圓狀的多個圓形槽，多個流路13分別在這些圓形槽內開口。多個流路13由在載置200mm的晶片W的部分開口的第一流路13A，和在第一流路13A的外側、載置300mm的晶片W的部分開口的第二流路13B的兩個系統構成。在將300mm的晶片W真空吸附於載置面11A的情況下，使用第一、第二流路13A、13B。而且，第一流路13A開口的多個圓形槽，由徑向的槽相互連通。第二流路13B也是同樣的結構。
在第一流路13A的入口處，經由第一配管15A可切換地與第一、第二電磁閥16、17連接，由第一、第二電磁閥16、17，使得第一配管15A可切換至真空裝置(未圖示)側與空氣供給源(未圖示)側。而且，第二電磁閥17還具有在切換至空氣供給源側時起作用的節流閥17A，由節流閥17A能夠適宜地調節向載置臺11與晶片W之間供給的空氣的量。而且，第二流路13B的入口處，經由第二配管15B與第一配管15A連接，在第二配管15B上配設有第三電磁閥18，第一、第三電磁閥16、18可以根據需要而連動。此外，在第一配管15A上連接有具有開關的真空傳感器19，在開關接通時，檢測載置臺11與晶片W之間的真空度。
所以，將300mm的晶片W真空吸附於載置臺11上時，第一、第三電磁閥16、18勵磁，第一、第二流路13A、13B經由第一、第二配管15A、15B與真空裝置側連通，由真空傳感器19檢測此時的真空度。將晶片W從載置臺11抬起時，第一、第三電磁閥16、18消磁，同時第二電磁閥17勵磁，第一流路13A經由第一配管15A與空氣供給源側連通。
下面，也參照圖2，對載置機構10的動作加以說明。並且，圖2中僅表示了第一流路13A。例如對300mm晶片W實施規定處理的情況下，交接工具12的3個升降栓銷12A處於上升端的狀態下，通過搬送機構將晶片W交接於3個升降栓銷12A，搬送機構從載置臺11後退。在載置臺11上3個升降栓銷12A通過升降驅動機構12C後退在貫通孔11B內，將晶片W載置於載置面11A上。其間，第一、第三電磁閥16、18勵磁，第一、第二流路13A、13B與真空裝置側連通，例如以-40kPa左右的吸引力將晶片W真空吸附於載置面11A。此時，交接工具12的3個升降栓銷12A位於下降端，各自的前端位於載置面11A的下方。而且，一旦對晶片W的規定處理結束後，就將晶片W從載置臺11取出。
將晶片W從載置臺11取出時，根據控制裝置14的序列程序，第一、第二、第三電磁閥16、17、18驅動，同時升降驅動機構12C驅動，交接工具12(3個升降栓銷12A)上升，將晶片W從載置面11A抬起到交接位置。
這樣，首先，由升降驅動機構12C，3個升降栓銷12A上升，各自的上端例如以高速度(例如20mm/秒)從載置臺11的載置面11A上升到圖2(a)所示的下降了1.0mm位置。然後，第一、第二電磁閥16、18消磁，解除對晶片W的真空吸附，同時確認真空傳感器19斷開後，由升降驅動機構12C，3個升降栓銷12A以低的掃描速度(例如1.5mm/s)1秒鐘從圖2(a)所示的位置上升到同圖(b)所示的位置，與晶片W的下面接觸，進而將晶片W從載置面11A抬起0.5mm，處於即使空氣導入，晶片W也不偏移的狀態。
這裡，第二電磁閥17勵磁，將第一流路13A與空氣供給源側連通，將例如0.4～0.45MPa的空氣從空氣供給源經由第二電磁閥17和第一配管15A導入至第一流路13A。在空氣導入50m秒後，在導入了空氣的狀態下，由升降驅動機構12C，3個升降栓銷12A以低掃描速度(例如1.5mm/s)上升1秒鐘，如圖2(c)所示，將晶片W從載置面11A抬起2.0mm，處於外部空氣容易進入晶片W與載置面11A之間的間隙的狀態。並且，導入第一流路13A的空氣量，能夠使用第二電磁閥17的節流閥17A而設定為最佳值。
接著，從空氣供給源向載置面11A與晶片W之間導入空氣，同時3個升降栓銷12A以高速度(例如20mm/秒)上升，用約0.5秒的時間一口氣將晶片W從載置面11A抬起到交接位置(上升端)，例如到達距載置面11A為11.0mm的高度。此時，即使加快晶片W的抬起速度，也不存在空氣從晶片W的周圍流入、並且晶片W與載置面11A之間的間隙處於減壓狀態的顧慮。
所以，在本實施方式中，升降栓銷12A從載置面11A下面1.0mm的位置到達交接位置，上升約2.5秒，能夠將晶片W抬起，與現有的需要6～7秒的時間相比，能夠大幅度地縮短取出晶片W的時間。
如上所述，如果升降栓銷12A在交接晶片W的位置停止，第二電磁閥17消磁，將第一流路13A從空氣供給源側隔斷。在該狀態下，通過搬送機構，將從載置面11A浮起的晶片W取出，與下一個晶片W交換。
在本實施方式中，對於處理300mm的晶片W的情況進行了說明，但處理200mm的晶片W的情況下，除了第三電磁閥18經常消磁，在真空吸附時不使用之外，可以與上述實施方式同樣地實行晶片W的取出。所以，即使在200mm的晶片W的情況下，也能夠得到與上述實施方式相同的作用效果。
根據以上說明的本實施方式，載置機構10包括載置晶片W的載置臺11；為了在該載置臺11上進行晶片W的交接，出沒於載置臺11的交接工具12；為了將晶片W真空吸附於載置臺11上，以載置臺11的載置面11A上多處開口的方式設置在載置臺11上的第一、第二流路13A、13B。由於設置有作為通過第一流路13A向載置臺11與晶片W之間供給空氣的空氣供給單元的空氣供給源，所以將通過載置臺11上多處開口的第一、第二流路13A、13B而被真空吸附的晶片W，通過其交接工具12從載置臺11抬起，從載置臺11取出晶片W時，通過交接工具12抬起晶片W後，能夠從第一流路13A向載置臺11與晶片W之間供給空氣，消除晶片W與載置臺11A之間的減壓狀態。即使晶片W大型化、薄型化，也能夠縮短由交接工具12取出晶片W的時間，而且能夠不損傷晶片W、順利地取出。
此外，根據本實施方式，載置臺11能夠載置200mm、300mm兩種晶片W，由於第一流路13A配置於200mm的晶片W側，所以任意大小的晶片，都能夠確實地縮短從載置臺11取出晶片W的時間。而且，由於第一、第二流路13A、13B分別與真空裝置連接，空氣供給源上連接有可與真空裝置切換的第一、第二電磁閥16、17，所以能夠將第一流路13A從真空裝置側切換至空氣供給源側，順利地將晶片W抬起，縮短晶片W的取出時間。而且，由於第二電磁閥17具有節流閥17A，所以能夠對送到載置臺11與晶片W之間的空氣量進行適當的調節。
此外，根據本實施方式，由於在空氣供給之前，由交接工具12將晶片W從載置臺11的載置面11A稍稍抬起，所以向載置臺11與晶片W之間供給空氣、由交接工具12抬起晶片W時，晶片W不會發生從交接工具12的位置偏移，能夠向正上方抬起。而且，由於在抬起晶片W時，將抬起速度分為兩個階段，先是緩慢地抬起晶片W，然後再加快速度抬起，所以能夠最大限度地抑制晶片W的變形，不損傷晶片W，且順利地在短時間內取出晶片W。
此外，本發明不限於上述各實施方式，可以根據需要，設計變更各構成要素。
產業上的可利用性本發明適用於半導體製造裝置的載置機構。
權利要求
1.一種被處理體的取出方法，用於將真空吸附在載置臺上的所述被處理體取出，其中，所述載置臺具有在其上多處開口的多個氣體流路，所述被處理體的取出方法的特徵在於，包括下述工序(a)在所述多個氣體流路中關閉真空的工序，其中，該真空用於真空吸附所述被處理體；(b)用被處理體抬起單元將所述被處理體從所述載置臺抬起的工序；和(c)在工序(b)中，從所述多個氣體流路中的至少一個向所述載置臺與所述被處理體之間供給氣體的工序。
2.如權利要求1所述的被處理體的取出方法，其特徵在於所述抬起工序(b)至少包括抬起速度不同的第一、第二抬起工序，第二抬起工序的抬起速度大於第一工序。
3.如權利要求2所述的被處理體的取出方法，其特徵在於在第一抬起工序中進行所述氣體供給工序(c)。
4.一種程序存儲介質，其特徵在於存儲有驅動計算機、執行權利要求1或2所述的被處理體的取出方法的程序。
5.一種載置機構，其特徵在於，包括用於載置被處理體的載置臺；用於在所述載置臺上抬起所述被處理體，出沒於所述載置臺的抬起單元；用於將所述被處理體真空吸附在所述載置臺上，以在所述載置臺的載置面的多處開口的方式設置在所述載置臺上的多個流路；和設置有通過所述多個流路中的至少一個向所述載置臺與所述被處理體之間供給氣體的氣體供給單元。
6.如權利要求5所述的載置機構，其特徵在於所述被處理體抬起單元至少具有兩個抬起速度。
7.如權利要求5所述的載置機構，其特徵在於所述載置臺能夠載置大小不同的至少兩種的被處理體，所述至少一個流路配置於大小不同的所述被處理體中小的被處理體側。
8.如權利要求7所述的載置機構，其特徵在於所述多個流路上分別連接有排氣單元，在所述氣體供給單元上連接有可與所述排氣單元切換的閥門。
9.根據權利要求8所述的載置機構，其特徵在於所述閥門具有調節所述氣體流量的單元。
全文摘要
本發明提供一種被處理體的取出方法，用於將真空吸附在載置臺上的上述被處理體取出，其中，上述載置臺具有在其上多處開口的多個氣體流路，上述被處理體的取出方法包括(a)通過上述多個氣體流路關閉用於真空吸附上述被處理體的真空的工序；(b)利用被處理體抬起單元將上述被處理體從上述載置臺抬起的工序；和(c)在工序(b)中，從上述多個氣體流路中的至少一個向上述載置臺與上述被處理體之間供給氣體的工序。此外，本發明還提供一種存儲有用於運行上述取出方法的計算機可執行程序的程序存儲介質。
文檔編號B23Q3/06GK1971870SQ200610149470
公開日2007年5月30日 申請日期2006年11月21日 優先權日2005年11月21日
發明者鈴木勝 申請人:東京毅力科創株式會社