生長氮化物半導體的方法及由其形成的氮化物半導體襯底的製作方法

2023-06-06 15:44:21

專利名稱：生長氮化物半導體的方法及由其形成的氮化物半導體襯底的製作方法
技術領域：
本公開涉及生長氮化物半導體層的方法和使用該方法形成的氮化物半導體襯底。
背景技術：
使用氮化物半導體的電子工業已被視為發展和促進綠色工業的合適領域。特別地，鎵氮化物(GaN)作為一種氮化物半導體廣泛用於藍色發光二極體的製造中，藍色發光二極體是高功率電子器件的核心部件之一。高功率電子器件一般包括紅、綠和/或藍發光二極體(LED)作為核心部件。與用鋅硒化物(ZnSe)製造的常規藍色發光器件相比，由於 GaN的優良物理屬性和化學屬性，用GaN製造的藍LED具有優異的亮度、壽命和內部量子效率。GaN具有直接躍遷帶隙結構(direct transition bandgap structure)，且通過使用合金諸如InGaN或AlGaN，帶隙可在從約1. 9到約6. 2eV的範圍調節。因此，GaN可用於光器件。此外，GaN具有高擊穿電壓且在高溫下是穩定的，因此可用在各種領域，諸如高功率器件和高溫電子器件。例如，GaN可應用在使用全色顯示的大型電子標誌、交通燈、光學記錄介質的光源、以及交通工具引擎的高功率電晶體中。使用GaN襯底製造的LED具有更少的缺陷、GaN襯底和器件層中相同的折射率、以及是藍寶石的四倍大的熱導率。因此，GaN是用於製造高功率LED的重要元件。

發明內容
本發明提供一種生長氮化物半導體層的方法，該方法可生長氮化物半導體層而不形成裂紋。裂紋由於界面上的應變而產生，界面上的應變由氮化物半導體層和襯底的晶格常數或熱膨脹係數之間的差異導致。氮化物半導體襯底可通過該生長方法獲得。其它方面將部分闡述於下面的說明中，以及部分地將從該說明變得顯然，或者可通過實踐給出的實施方式而習得。根據本發明一方面，生長氮化物半導體層的方法包括準備襯底；在該襯底上形成氮化物半導體點(dot)；以及在該氮化物半導體點上生長氮化物半導體層。該方法還可包括在該氮化物半導體層的生長期間形成應力釋放層，在該應力釋放層中氮化物半導體點彼此連接。該氮化物半導體層可具有一厚度，該厚度等於或大於該應力釋放層的厚度。該應力釋放層的厚度可為約1 μ m至100 μ m。該氮化物半導體層可利用滷化物氣相外延(HVPE)法形成。該氮化物半導體點可在利用HVPE法在該襯底上生長該氮化物半導體層時原位形成。該氮化物半導體點可沿一個方向布置。所生長的氮化物半導體層的厚度可依賴於所述氮化物半導體點的尺寸。該氮化物半導體點大多數可具有約0. 4 μ m或更大的尺寸。該氮化物半導體點大多數可具有約0. 4 μ m至約0. 8 μ m的尺寸。這裡，所生長的氮化物半導體層的厚度可為約100 μ m至約1000 μ m。該氮化物半導體點大多數可具有約0.4μπι或更小的尺寸。這裡，所生長的氮化物半導體層的厚度可為約10 μ m或更小。該氮化物半導體層和該氮化物半導體點可包括鎵氮化物(GaN)。該氮化物半導體點可具有六角晶體結構。該襯底可以是藍寶石襯底。該氮化物半導體層可通過雷射浮脫法(liftoff method)從該襯底分離從而用作氮化物半導體襯底。該氮化物半導體襯底可以是GaN襯底。該氮化物半導體點可在該氮化物半導體層的表面上或附近。根據本發明的另一方面，一種氮化物半導體襯底包括氮化物半導體點；以及在該氮化物半導體點上生長的氮化物半導體層。該氮化物半導體襯底還可包括在該氮化物半導體層的生長期間形成的應力釋放層，在該應力釋放層中該氮化物半導體點彼此連接。該氮化物半導體層可具有一厚度，該厚度等於或大於該應力釋放層的厚度。該應力釋放層的厚度可為約1 μ m至100 μ m。該氮化物半導體點可沿一個方向布置在該氮化物半導體層的表面上或附近。該氮化物半導體點大多數可具有約0. 4 μ m至約0. 8 μ m的尺寸。所生長的氮化物半導體層的厚度可為約100 μ m至約1000 μ m。該氮化物半導體點大多數可具有約0. 4 μ m或更小的尺寸。所生長的氮化物半導體層的厚度可為約10 μ m.該半導體點可在該氮化物半導體層的表面上具有六角晶體結構。


這些和/或其它方面將從下面結合附圖對實施方式的描述變得顯然且更易於理解，附圖中圖1是示意圖，示出根據本發明的實施方式的生長氮化物半導體層的方法在藍寶石襯底上生長GaN的方法；圖2是與藍寶石襯底分離的GaN層的示意圖；圖3是形成在藍寶石襯底上的GaN點的示意圖；圖4A和4B是掃描電子顯微(SEM)圖像，示出生長在藍寶石襯底上的GaN點；圖5是示出當使用GaN點作為核在藍寶石襯底上生長GaN層時形成在GaN點和 GaN層之間的應力緩衝層的圖；以及圖6是示意性示出根據本實施方式的生長氮化物半導體層的方法從GaN點生長的具有3英寸和4英寸直徑的厚GaN/藍寶石層的圖像。本領域技術人員將意識到，圖無意按任何特定比例繪製，圖也無意示出本發明的每種實施方式。本發明不限於圖中繪示的示範性實施方式或者圖中示出的特定部件、形狀、 相對尺寸、裝飾外觀或比例。
具體實施例方式現在將參照附圖更全面地描述各種示例實施方式，圖中示出一些示例實施方式。 然而，這裡公開的具體的結構和功能細節僅是代表性的以用於描述示例實施方式。因此，本發明能以各種替換形式體現且不應解釋為僅局限於這裡闡述的示例實施方式。因此，應理解，無意將示例實施方式限制到所公開的特定形式，而是相反，示例實施方式將覆蓋落入本發明的範圍內的所有的變型、等價物和替代。在圖中，層的厚度和區域可為了清晰而被誇大，在對圖的描述中相似的附圖標記始終表示相似的元件。儘管術語第一、第二等可在這裡用來描述各種元件，但是這些元件不應被這些術語限制。這些術語僅用於將一個元件與另一元件區別開。例如，第一元件可被稱為第二元件，類似地，第二元件可被稱為第一元件，而不偏離示例實施方式的範圍。這裡使用時，術語 「和/或」包括相關所列項的一種或更多的任何和全部組合。將理解，如果元件被稱為「連接」或「耦接」到另一元件，則它能直接連接或耦接到另一元件，或者可存在居間元件。相反，如果元件被稱為「直接連接」或「直接耦接」到另一元件，則沒有居間元件存在。用於描述元件之間的關係的其它措辭應以類似方式理解(例如「在...之間」與「直接在...之間」，「相鄰」與「直接相鄰」等)。這裡使用的術語僅用於描述特定實施方式，無意成為對示例實施方式的限制。這裡使用時，單數形式「一」、「一個」和「該/所述」旨在也包括複數形式，除非上下文清楚地另外表明。還將理解，如果用在這裡，則術語「包括」和/或「包含」指明所述特徵、整體、步驟、 操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或更多其它特徵、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或添加。空間相對術語(例如之下、下方、下、上方、上等)可為了描述容易而在這裡用來描述一個元件或者特徵與另一元件或特徵之間的如圖所示的關係。將理解，空間相對術語旨在涵蓋除了圖示取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，如果圖中的器件被倒置， 則描述為在其他元件或特徵下方或之下的元件將取向為在其他元件或特徵上方。因此，例如，術語「之下」能涵蓋「之上」和「之下」兩種取向。器件可以另外地取向(旋轉90度或者以其他取向觀察或參考)，這裡使用的空間相對描述語將被相應地理解。這裡參照橫截面圖描述示例實施方式，所述橫截面圖是理想化實施方式(以及中間結構)的示意圖。這樣，由於例如製造技術和/或容差，圖示形狀的變化是可以預期的。 因此，示例實施方式不應解釋為局限於這裡示出的區域的特定形狀，而是可包括例如製造導致的形狀偏差。例如，示出為矩形的注入區可具有圓化或彎曲特徵和/或在其邊緣的梯度(例如注入濃度的梯度)，而不是從注入區到非注入區的突變。類似地，通過注入形成的掩埋區可在掩埋區和可通過其發生注入的表面之間的區域中導致一些注入。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，它們的形狀不是必須示出器件的區域的實際形狀且不限制範圍。還將注意，在一些替代實施中，記錄的功能/動作可不按照圖中記錄的順序發生。 例如，取決於所涉及的功能/動作，順序示出的兩幅圖可實際上基本同時執行或者有時候可以以相反順序執行。除非另外定義，否則這裡使用的全部術語(包括技術和科學術語)具有與示例實
6施方式所屬領域的普通技術人員一般理解的含義相同的含義。還將理解，術語，諸如一般使用的字典中定義的那些，應理解為具有與它們在相關領域的背景中的含義一致的含義，且不在理想化或過於正式的意義上解釋，除非這裡清楚地如此定義。為了更具體地描述示例實施方式，將參照附圖詳細地描述各方面。然而，本發明不限於這裡描述的示例實施方式。鎵氮化物(GaN)作為一種氮化物半導體具有約3. 39eV的帶隙能且是直接躍遷型寬帶隙材料。因此，GaN適於短波長發光器件。GaN單晶的液相生長一般需要約1500°C或更高的高溫和約20000atm的氮氣氛以在熔點獲得高的氮蒸汽壓。因此，難以使用液相生長方法批量製造GaN單晶。此外，當前通過液相生長方法可獲得的單晶GaN尺寸為約100mm2，這可能不足夠大以用於發光器件的製造中。也採用異質襯底通過氣相沉積法生長GaN薄膜，諸如金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD)法或者氫化物或滷化物氣相外延(HVPE)法。藍寶石通常用於GaN薄膜製造中的異質襯底，因為藍寶石在高溫下是穩定的且它相對便宜。然而，由於藍寶石襯底與GaN薄膜的約16%的晶格常數差異和約35%的熱膨脹係數差異，所以難以在藍寶石襯底上生長高質量GaN膜。由於所述差異，在藍寶石襯底與GaN 薄膜之間的界面上存在應變，這導致GaN晶體中的晶格缺陷或界面中的裂紋，且導致在GaN 薄膜上製造的器件的壽命縮短。此外，藍寶石襯底上製造的發光二極體(LED)的發光效率由於藍寶石襯底和GaN薄膜的折射率之間的差異以及GaN晶體中應力引發的缺陷而受到限制。為了解決上述問題，期望使用具有與GaN薄膜類似或相同特性的襯底，諸如GaN襯底， 且期望通過同質外延工藝在氮化物半導體襯底(GaN襯底)上製造器件。根據本發明一實施方式中的生長氮化物半導體層的方法，通過消除襯底與通過 HVPE法形成的氮化物半導體層之間的晶格常數和熱膨脹係數的差異，氮化物半導體層可生長在襯底上而沒有裂紋。準備襯底以生長氮化物半導體層。氮化物半導體點形成在襯底上。氮化物半導體點可沿一個方向布置。氮化物半導體點可減少由於襯底與氮化物半導體層/膜的晶格常數和/或熱膨脹係數之間的差異而產生的裂紋。氮化物半導體層可通過使用氮化物半導體點作為核而生長為單晶。氮化物半導體層的垂直和水平生長速度可通過調節III-V族半導體材料的比率和生長溫度來得到控制。由於氮化物半導體點被形成且沿一個方向布置，所以氮化物半導體層可生長為單晶。氮化物半導體層可生長至一厚度，該厚度等於或大於應力釋放厚度。在氮化物半導體層生長為單晶時，氮化物半導體點被彼此連接。生長期間，應力釋放層可形成在氮化物半導體點和氮化物半導體層之間。應力釋放層在與氮化物半導體層生長的溫度相同的溫度下與氮化物半導體層連續生長。在應力釋放層中，氮化物半導體點和氮化物半導體層之間的界面上產生的電勢相接且部分減少。作為示例，應力釋放層可具有約Iym至約 100 μ m的厚度，例如約40 μ m至約50 μ m。應力釋放層的厚度可對應於應力釋放厚度，在應力釋放厚度氮化物半導體點彼此連接。氮化物半導體層可通過使用工業中公知的技術之一從襯底分離，諸如雷射浮脫 (laser liftoff)法，於是獲得獨立的氮化物半導體襯底。獨立的氮化物半導體襯底包括氮化物半導體層和氮化物半導體點，氮化物半導體點可存在於氮化物半導體層的表面附近。 應力釋放層可存在於氮化物半導體層和氮化物半導體點之間。在獨立的氮化物半導體襯底中，氮化物半導體點可具有六角晶體結構且存在於氮化物半導體層的表面上或表面附近， 所述表面最初與襯底(例如藍寶石)接界且從該襯底分離。根據本示範性實施方式的生長氮化物半導體層的方法，厚的GaN通過使用HVPE法生長在藍寶石襯底上從而製造GaN襯底。藍寶石襯底可用作異質襯底以用於生長厚GaN。因為藍寶石具有與GaN類似的六角晶體結構，且藍寶石便宜並在高溫下是穩定的。然而，如上所述，由於GaN和藍寶石的晶格常數和熱膨脹係數之間的差異，藍寶石可能在界面處產生應變。界面應變在晶體中產生晶格缺陷和裂紋。因此，當GaN層形成在藍寶石襯底上時，裂紋可能形成在GaN層中。根據本示範性實施方式，沿一個方向布置的GaN點用來消除形成應力引起的裂紋的可能性。為了獲得厚的GaN層，GaN沿垂直和水平方向從GaN點生長。厚GaN層的厚度可基於GaN點的尺寸來確定。圖1是示意圖，示出根據本示範性實施方式的生長氮化物半導體層的方法在藍寶石襯底10上生長GaN的方法。圖2示意性示出獨立的GaN襯底，該獨立的GaN襯底通過在圖1所示的結構中從藍寶石襯底10分離厚GaN層50而獲得。參照圖1，準備藍寶石襯底10以生長GaN，GaN是氮化物半導體中的一種。如圖3所示，GaN點35形成在藍寶石襯底10上。GaN點35可減少應力引起的裂紋，該裂紋由於藍寶石襯底10和厚GaN層50的晶格常數或熱膨脹係數之間的差異而產生。 GaN點35可表示為GaN點層30，如圖1所示。作為形成GaN點35的示範性工藝，藍寶石襯底10安裝在HVPE反應器中，然後在高溫下從氯化氫(HCl)和鎵(Ga)金屬獲得feiCl。feiCl用NH3進一步處理以在藍寶石襯底 10上生長GaN點35。更詳細地，安裝在HVPE反應器中的藍寶石襯底10用HC1+NH3處理以從藍寶石襯底的表面去除氧。然後，其上生長GaN點35的鋁氮化物(AlN)種子可在GaN生長之前形成在表面上。在該狀態下，HCl和( 彼此反應以形成GaCl，GaCl與NH3反應。然後，GaN可從AlN種籽生長，於是GaN點35形成在藍寶石襯底上。GaN點35可在高溫例如約900°C下生長。參照圖3，生長的GaN點35具有六角晶體結構且沿一個方向布置，例如沿c軸方向。圖4A和4B是掃描電子顯微鏡(SEM)圖像，其示出形成在藍寶石襯底10上的GaN點 35。SEM圖像示出GaN點35良好地沿c軸方向布置。GaN層50可生長在GaN點35上，GaN點35用作核，沿垂直和水平方向的生長速度通過調節III-V族半導體材料的比率或生長溫度來得到控制。由於具有六角晶體結構的 GaN點35沿一個方向布置，所以GaN層可生長為單晶。GaN層50生長至一厚度，該厚度等於或大於在GaN層50的生長期間GaN點35在其中彼此連接的應力釋放厚度。應力釋放層(參照圖5中的40)可在GaN層50的生長期間形成在GaN點35和GaN層50之間。圖5示出當使用GaN點35作為核在藍寶石襯底上生長GaN層50時形成在GaN點35和GaN層50之間的應力釋放層40。應力釋放層40在與生長GaN層50的溫度相同的溫度下連續生長。當GaN層50 生長在GaN點35上時，在GaN點35的界面上產生電勢。GaN從每個GaN點/核30生長且在某時刻彼此連接，此時電勢被部分去除且形成應力釋放層40。應力釋放層40可具有約 1 μ m至約100 μ m的厚度，例如約40 μ m至約50 μ m,如上所述。應力釋放層40的厚度可依賴於GaN點35的尺寸而改變。當利用大多數具有0. 4 μ m或更大尺寸的GaN點生長GaN時，核在其中彼此接觸的應力釋放厚度(聚結(coalescence))為約40 μ m至約50 μ m。應力釋放層40的厚度可對應於應力釋放厚度。因此，當GaN層50的厚度為至少約60 μ m至約70 μ m或更大時，GaN層50幾乎具有鏡面且沒有應力引發的裂紋。如上所述，當GaN層50生長至應力釋放厚度或更大時，可獲得具有期望的厚度範圍的晶體中沒有裂紋或缺陷的GaN層50。在圖2中，示出包括GaN層50和GaN點35的獨立GaN襯底，其可通過用雷射浮脫方法從藍寶石襯底10分離具有期望厚度的GaN層50來獲得。高效率的LED可製造在從GaN 點35形成的沒有應力引發的裂紋和缺陷的獨立GaN襯底上。獨立GaN層包括一表面，該表面初始與藍寶石襯底10接界且通過分離工藝而變成開放表面(open surface)。GaN點35 可存在於獨立GaN層的該表面上/附近且具有六角晶體結構。在雷射浮脫方法中，採用具有短於約360nm波長的雷射束。GaN層50可被雷射束照射從而與藍寶石襯底10分離。用於進行雷射浮脫的雷射光源可以是具有約1064nm波長的Nd: YAG雷射器的三倍頻(third harmonicgeneration)(約321nm)、具有約M8nm波長的 KrF受激準分子雷射器、或者具有約330nm波長的XeCl受激準分子雷射器。當具有約360nm 或更短波長的雷射束照射在藍寶石襯底10和形成在襯底10上的GaN層50上時，GaN層50 與藍寶石襯底10之間的界面吸收雷射束。界面上的GaN變成&1+1/2N2，這導致GaN層50 與藍寶石襯底10分離。應力釋放層未示出在圖1和2中，因為應力釋放層可於在GaN點35上生長GaN層 50的工藝期間形成至期望的厚度。應力釋放層的厚度可根據GaN點35的尺寸而改變。因此，應力釋放層可以不歸類為單獨的層。在根據本示範性實施方式的生長氮化物半導體層的方法中，氮化物半導體可利用 HVPE法生長。當GaN通過HVPE法生長在藍寶石襯底10上時，GaN點35可原位生長。如前所述，利用GaN點35在藍寶石襯底10上生長GaN的方法可提供高質量的厚的GaN層50而沒有由於藍寶石襯底和GaN的晶格常數和熱膨脹係數之間的差異而會產生的裂紋或缺陷。圖4A和4B是SEM圖像，示出為了生長GaN而形成在藍寶石襯底上的GaN點。在圖4A中，大多數GaN點(約90%的GaN點)具有約0. 4 μ m或更小的尺寸。在圖4B中，大多數GaN點(約90 %的GaN點)具有約0. 4 μ m至約0. 8 μ m的尺寸。如圖4A所示的具有較小尺寸的GaN點可以在較低的生長溫度下形成，例如約 980°C至約990°C。如圖4B所示的具有較大尺寸的GaN點可以在較高的生長溫度下形成，例如約1040°C。當在不同條件下進行生長時，用於期望尺寸的GaN點的溫度可變化，因為GaN 點的尺寸依賴於各種因素。當GaN點具有約0. 4 μ m或更小的尺寸時(如圖4A所示)，則利用較精細尺寸的 GaN點作為核生長的GaN層以約ΙΟμπι(或更大)的厚度變成鏡狀表面。因此，採用較精細尺寸的GaN點，可獲得具有約10 μ m厚度的較薄GaN層。當GaN點具有例如約0. 4 μ m或更大(更具體地，約0. 4 μ m至約0. 8 μ m)的尺寸時，利用較粗尺寸的GaN點作為核生長的GaN層可生長至較大厚度，例如約100 μ m至約 1000 μ m。該較厚的GaN層可用作獨立GaN襯底以用於製造高效率LED。根據本實施方式的生長氮化物半導體層的方法，GaN層可生長至約300 μ m或更大 (更具體地，約300 μ m至約400 μ m)的厚度。如上所述，當利用較粗尺寸的GaN點(例如，約0. 4 μ m至約0. 8 μ m)生長GaN層時，GaN層可具有約300 μ m或更大的大厚度。該較厚的GaN層可從藍寶石襯底分離，可獲得具有足夠厚度的獨立GaN襯底且用於在它上面製造器件。當需要時，GaN層可以生長得較薄(例如約300 μ m或更小的厚度)，不產生應力引發的裂紋和/或缺陷。因此，根據本實施方式的生長氮化物半導體層的方法利用GaN點可獲得具有任意期望厚度的高質量GaN層以及獨立GaN襯底。當GaN層利用較粗尺寸的GaN點(例如約0. 4 μ m或更大)作為核生長時，其中核彼此連接的應力釋放厚度(聚結)為約40 μ m至約50 μ m。因此，當GaN層利用較粗糙尺寸的GaN點作為核生長時，GaN層在較低厚度(例如約60 μ m至約70 μ m)變成鏡狀狀態而沒有形成裂紋。如上所述，在GaN點的給定尺寸下，當GaN層的厚度等於或大於應力釋放層(聚結)的厚度時，能獲得沒有裂紋或缺陷的高質量GaN層。圖6是示出具有3英寸和4英寸直徑的厚GaN/藍寶石結構的圖像。GaN/藍寶石結構根據本實施方式的生長氮化物半導體層的方法利用GaN點生長。圖6中清楚示出，根據本實施方式的生長氮化物半導體層的方法生長的氮化物半導體層(即GaN層)沒有裂紋。上面已經參照示範性實施方式描述了利用根據本發明的實施方式的生長氮化物半導體層的方法在藍寶石襯底上生長的GaN層，但是這些僅應在說明的意義上理解，而不是用於限制。對每個實施方式中的特徵和方面的描述通常應視為可用於其它實施方式中的其它類似特徵或方面。雖然已經描述了示範性實施方式，但是顯然的是，對其的修改和變型是可行的，全部修改和變型落入本發明的真實思想和範圍內。於是，參照上面的描述將意識到，本發明的部件和步驟的最優關係，包括操作和製造方法的順序、形式、內容、功能、方式， 被認為對本領域技術人員而言是容易顯見且明顯的，圖中示出的和說明書中描述的那些的全部等效關係旨在被本發明所涵蓋。上面的描述和圖說明可進行變型而不偏離本發明，本發明的範圍僅由所附權利要求書限定。因此，前面的內容僅視為本發明原理的說明。此外，由於本領域技術人員易於想到許多變型和改變，所以不期望將本發明限制到所示出和描述的精確構造和操作，因此，所有合適的變型和等價物旨在落入所要求保護的本發明的範圍內。
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權利要求
1.一種生長氮化物半導體層的方法，該方法包括 準備襯底；在該襯底上形成氮化物半導體點；以及在該氮化物半導體點上生長氮化物半導體層。
2.如權利要求1所述的方法，還包括在該氮化物半導體層的生長期間形成應力釋放層，在該應力釋放層中該氮化物半導體點彼此連接。
3.如權利要求2所述的方法，其中該氮化物半導體層具有一厚度，該厚度等於或大於該應力釋放層的厚度。
4.如權利要求2所述的方法，其中該應力釋放層的厚度為約1μ m至100 μ m。
5.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體層利用滷化物氣相外延法形成。
6.如權利要求5所述的方法，其中在利用滷化物氣相外延法在該襯底上生長該氮化物半導體層時該氮化物半導體點原位形成。
7.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體點沿一個方向布置。
8.如權利要求1所述的方法，其中所生長的氮化物半導體層的厚度依賴於所述氮化物半導體點的尺寸。
9.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體點大多數具有約0.4 μ m或更大的尺寸。
10.如權利要求9所述的方法，其中該氮化物半導體點大多數具有0.4 μ m至0. 8 μ m的尺寸。
11.如權利要求10所述的方法，其中所生長的氮化物半導體層的厚度為 οομπι至 1000 μ Hlo
12.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體點大多數具有約0.4μπι或更小的尺寸。
13.如權利要求12所述的方法，其中所生長的氮化物半導體層的厚度為約10μ m或更
14.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體層和該氮化物半導體點包括鎵氮化物。
15.如權利要求14所述的方法，其中該氮化物半導體點具有六角晶體結構。
16.如權利要求14所述的方法，其中該襯底是藍寶石襯底。
17.如權利要求1所述的方法，其中該氮化物半導體層通過雷射浮脫法從該襯底分離從而用作氮化物半導體襯底。
18.如權利要求17所述的方法，其中該氮化物半導體襯底是GaN襯底。
19.如權利要求17所述的方法，其中該氮化物半導體點在該氮化物半導體層的表面上或附近。
20.一種氮化物半導體襯底，包括 氮化物半導體點；以及在該氮化物半導體點上生長的氮化物半導體層。
21.如權利要求20所述的氮化物半導體襯底，還包括應力釋放層，在該氮化物半導體層的生長期間該氮化物半導體點在該應力釋放層中彼此連接。
22.如權利要求21所述的氮化物半導體襯底，其中該氮化物半導體層具有一厚度，該厚度等於或大於該應力釋放層的厚度。
23.如權利要求21所述的氮化物半導體襯底，其中該應力釋放層的厚度為Ιμπι至 100 μ m0
24.如權利要求20所述的氮化物半導體襯底，其中該氮化物半導體點沿一個方向布置在該氮化物半導體層的表面上或附近。
25.如權利要求20所述的氮化物半導體襯底，其中該氮化物半導體點大多數具有 0. 4μπι至 0. 8μπι 的尺寸。
26.如權利要求25所述的氮化物半導體襯底，其中所生長的氮化物半導體層的厚度為 IOOymM 1000 μ m0
27.如權利要求20所述的氮化物半導體襯底，其中該氮化物半導體點大多數具有約 0. 4μπ 或更小的尺寸。
28.如權利要求27所述的氮化物半導體襯底，其中所生長的氮化物半導體層的厚度為約 10 μ m.
29.如權利要求20所述的氮化物半導體襯底，其中該半導體點在該氮化物半導體層的表面上具有六角晶體結構。
全文摘要
本發明涉及生長氮化物半導體的方法及由其形成的氮化物半導體襯底。一種生長氮化物半導體層的方法包括準備襯底；在該襯底上形成氮化物半導體點；以及在該氮化物半導體點上生長氮化物半導體層。該氮化物半導體層可從該襯底分離以用作氮化物半導體襯底。
文檔編號H01L33/02GK102191539SQ20111004154
公開日2011年9月21日 申請日期2011年2月21日 優先權日2010年2月19日
發明者樸性秀, 李文相 申請人:三星電子株式會社