用於製造半導體器件和接線鍵合器的方法

2023-06-27 17:21:16

專利名稱：用於製造半導體器件和接線鍵合器的方法
技術領域：
本發明涉及用於製造半導體器件的技術，並且具體涉及有效地應用於降低接線鍵 合過程中的引線框顫動的技術。
背景技術：
日本專利公開號2001-110840描述了一種技術，其中在接線鍵合期間，半導體芯 片及其安裝部件之間的接線連接部分被有效地加熱，而在接線連接之後，接線連接的部件 在短時間內冷卻。

發明內容
在利用接線(例如，金接線)對半導體晶片的電極焊塊與引線框的內部引線進行 電連接的接線鍵合器中，接線鍵合這樣來完成利用框保持部件來按壓內部引線，使得內部 弓丨線無法在執行接線鍵合的加熱塊之上擺動。在上述接線鍵合器中，接線鍵合是在加熱塊之上完成的，其中引線框被加熱到約 230到240°C，此後，在框保持部件提升之後釋放引線框。在釋放引線框時，條狀的引線框將 彎曲(形變)，從而由於熱收縮而相對於寬度方向向上突出。在此狀態下，在接線鍵合器中 沿著引線框饋送方向將引線框饋送至接線鍵合部分的後臺。由於接線鍵合部分的背面不存 在加熱塊，因此安裝有半導體器件的引線框的器件區開始突然冷卻。發明人發現，引線框繼 而擺動(也即，顫動)，因為由於突然冷卻，因加熱而形變(拉伸)的部分傾向於回歸原始狀 態。特別地，發明人發現，內部引線的顫動(擺動)使接線搖擺和形變。此外，在接線是金接線的情況下，如果為了降低成本而嘗試減小接線直徑，並且得 到直徑等於或小於例如20μπι的接線，則會出現以下問題由於內部引線的顫動，會明顯出 現接線形變，並且隨後發生接線間短路、接線與晶片間短路等。通過研究引線框顫動的原因，發明人找到了以下原因。第一個原因被認為是因加熱而拉伸的內部引線被突然冷卻以回歸原始狀態時的 熱收縮，以及由於該熱收縮而導致的顫動。此外，第二個原因被認為是每個位置的應力差，這是由內部引線突然冷卻時各內 部引線的熱輻射路徑差異所引起的溫度變化分散導致的，並且認為顫動是由每個位置的該 應力差造成的。而且，在使用日本專利公開號2001-110840中記載的接線鍵合技術的情況下，半 導體晶片及其保持部件之間的接線連接部分在接線鍵合期間被加熱，並且在接線連接之後，接線連接的部件在短時間內突然冷卻。由此，在接線鍵合之後，器件區被淬火，這被認為導致了引線框(內部引線)的顫動，並繼而導致了接線的形變。本發明是鑑於上述情況做出的，並且提供了一種能夠實現接線鍵合的質量改進的 技術。本發明的另一目的是提供一種能夠實現接線鍵合的可靠性改進的技術。通過本說明書的描述以及附圖，本發明的其它目的和新穎特徵將變得清楚。下文主要闡述了本申請所公開的發明中的典型發明的概況。換言之，按照本發明的一個方面，一種製造半導體晶片的方法，包括步驟(a)準 備引線框，其中並排形成有多個器件區，半導體晶片安裝在每個器件區中，並且其中在各器 件區中提供多個引線；(b)將半導體晶片安裝在引線框的器件區中；(C)將引線框部署在接 線鍵合器的加熱塊之上，並且在利用框保持部件按壓引線的情況下，對安裝在器件區中的 半導體晶片與引線進行接線鍵合；以及(d)在步驟(c)之後，冷卻引線框，從而使其溫度可 以逐步降低。按照本發明的另一方面，一種製造半導體晶片的方法，包括步驟(a)準備引線 框，其中並排形成有多個器件區，半導體晶片安裝在每個器件區中，並且在各器件區中提供 多個引線；(b)將半導體晶片安裝在引線框的器件區中；(c)將引線框部署在接線鍵合器的 加熱塊之上，並且在利用框保持部件按壓引線的情況下，對安裝在器件區中的半導體晶片 與引線進行接線鍵合；以及(d)在步驟(c)之後，在引線框的饋送方向上按壓框保持部件的 後臺部分。按照本發明的又一方面，提供一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝 該半導體晶片的引線框的器件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包 括加熱塊，用於支撐其中並排形成有器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加熱該引 線框；框保持部件，用於按壓部署在加熱塊之上的引線框的引線；毛細管，用於引導接線， 該毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具；以及引導部件，其被部署為在加熱塊之上的引線 框的前表面和後表面兩側上都沿著引線框的縱向與引線框的器件區的外部接觸。按照本發明的又一方面，提供一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝 該半導體晶片的引線框的器件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包 括加熱塊，用於支撐其中並排形成有器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加熱該引 線框；框保持部件，用於按壓部署在加熱塊之上的引線框的引線；毛細管，用於引導接線， 該毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具；以及彈性裝置，其被部署為在加熱塊之上的引線 框的前表面側上與引線框的器件區的外部接觸。按照本發明的又一方面，提供一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝 該半導體晶片的引線框的器件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包 括加熱塊，用於支撐其中並排形成有器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加熱該引 線框；框保持部件，用於按壓部署在加熱塊之上的引線框的引線；毛細管，用於引導接線， 該毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具；以及滾軸裝置，其可旋轉地布置，以便在加熱塊之 上的引線框的前表面和後表面兩側上都與引線框的器件區的外部接觸。按照本發明的又一方面，提供一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝 該半導體晶片的引線框的器件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包括加熱塊，用於支撐其中並排形成有器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加熱該引線框；框保持部件，用於按壓部署在加熱塊之上的引線框的引線；毛細管，用於引導接線，該毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具；以及慢冷卻部件，用於冷卻經過接線鍵合的引線 框，使其溫度可以逐步降低。按照本發明的又一方面，提供一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝該半導體晶片的引線框的器件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包括加熱塊，用於支撐其中並排形成有器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加熱該引線框；框保持部件，其能夠按壓部署在加熱塊之上的引線框的引線，並且還能夠按壓部署在 引線框的行和列的矩陣中的器件區中的引線；以及毛細管，用於引導接線，該毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具。按照本發明的又一方面，提供一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝該半導體晶片的引線框的器件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包 括加熱塊，用於支撐其中並排形成有器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加熱該引線框；框保持部件，用於按壓部署在加熱塊之上的引線框的引線；毛細管，用於引導接線， 該毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具；以及多個吸附裝置，其能夠吸附和支撐加熱塊之上的引線框的多個管芯焊塊。按照本發明的另一方面，一種製造半導體晶片的方法，包括步驟(a)準備布線襯底，其中並排形成有多個器件區，半導體晶片安裝在每個器件區中，並且其中在各器件區中形成有多個鍵合引線；(b)將半導體晶片安裝在布線襯底的器件區中；(c)將布線襯底部署在接線鍵合器的加熱塊之上，並且對器件區中安裝的半導體晶片與鍵合引線進行接線鍵 合；(d)在步驟(c)之後，冷卻布線襯底，使其溫度可以逐步降低。下文主要闡釋本申請所公開的發明中的典型發明所取得的效果。通過降低接線鍵合之後引線框或者布線襯底的顫動，可以實現接線鍵合的質量改進。通過降低接線鍵合之後引線框或者布線襯底的顫動，可以實現接線鍵合的可靠性改進。


圖1是本發明第一實施方式的半導體器件的結構示例的平面圖；圖2是示出沿圖中所示的A-A線獲得的結構的剖面圖；圖3是示出圖1中所示的半導體器件的組裝過程的示例的製造流程圖；圖4是示出在組裝圖1中所示的半導體器件中使用的引線框的結構示例的放大部分平面圖；圖5是示出在圖1中所示半導體器件的組裝中的管芯鍵合之後的結構示例的部分截面圖；圖6是示出在圖1中所示半導體器件的組裝中的接線鍵合之後的結構示例的部分截面圖；圖7是示出在圖1中所示半導體器件的組裝中的接線鍵合步驟中使用的接線鍵合器的主要部分的結構示例的剖面圖8是從B方向查看時圖7中所示接線鍵合器的主要部分的結構示例的箭頭B上的視圖；圖9是示出圖7中所示接線鍵合器的主要部分的A部分的結構示例的放大的局部剖面圖；圖10是示出通過使用圖7中所示的接線鍵合器在接線鍵合期間的結構示例的放大的局部剖面圖；圖11是示出圖7所示的接線鍵合器的主要部分的結構示例的平面圖；圖12是示出沿圖11中所示的A-A線獲得的結構的剖面圖；圖13是示出圖1中所示半導體器件的組裝中的樹脂模製之後的結構示例的局部截面圖；圖14是示出圖1中所示半導體器件的組裝中的切割和成型後的結構示例的局部截面圖；圖15是示出本發明第一實施方式的第一修改的結構的平面圖；圖16是示出沿圖15中所示的A-A線獲得的結構的剖面圖；圖17是示出本發明第一實施方式的第二修改的結構的平面圖；圖18是示出沿圖17中所示的A-A線獲得的結構的剖面圖；圖19是示出本發明第一實施方式的第三修改的結構的平面圖；圖20是示出沿圖19中的A-A線獲得的結構的剖面圖；圖21是示出本發明第一實施方式的第四修改的結構的平面圖；圖22是示出在按照本發明第二實施方式的半導體器件的組裝中使用的接線鍵合 器的主要部分的結構示例的剖面圖；圖23是示出在圖22中所示的接線鍵合器中的接線鍵合之後的引線框溫度變化的 示例的溫度數據；圖24是示出在按照本發明第三實施方式的半導體器件的組裝中使用的接線鍵合 器的主要部分的結構示例的部分截面圖；圖25是示出本發明第三實施方式的第一修改的結構的局部截面圖；圖26是示出本發明另一實施方式的半導體器件(BGA)的結構示例的剖面圖；以及圖27是示出在圖26中的半導體器件的組裝中使用的布線襯底的結構示例的平面 圖。
具體實施例方式在下面的實施方式中，除非特別需要，否則不會重複說明相同或者相似的部分。此外，如果為了方便，將會把下面的實施方式劃分為多個部分或者實施方式來說 明。除了特別地明確示出的情況之外，這些部分或實施方式並不彼此相關，並且一個部分或 實施方式與其它或者所有部分或實施方式的關係可以是諸如修改、詳述和補充說明。而且，在下面的實施方式中，當提及元件的數目等時(包括數目、數值、數量、範圍 等)，除了特別明確指定的情況以及這些數目在理論上明顯限於特定數目的情況之外，其並 不限於特定的數目，而是可以大於或者小於特定的數目。此外，在下面的實施方式中，元件(包括要素步驟等)顯然未必是不可或缺的，除非特別明確地指定或者從理論的角度考慮其為明顯不可或缺的情況等。而且，在下面的實施方式中，在關於某元件等描述「包括A」、「具有A」或者「包含 A」時，除非特別明確地聲明「僅包含特定元件」，否則顯然並不排除該元件之外的元件。類 似地，在下面的實施方式中，當提及元件等的形狀、位置關係等時，應當包括與該形狀基本 上相近或類似的形狀，除非特別地明確指定以及從理論的角度看其明顯不正確的情況。這 一聲明同樣適用於上面所述的數值和範圍。此後，將根據附圖詳細描述本發明的實施方式。而且，貫穿用於描述實施方式的附 圖，為具有相同功能的相同部件給予相同的參考標號，以省去重複的說明。圖1是示出按照本發明第一實施方式的半導體器件的結構示例的平面圖，圖2是 示出沿著圖1中所示的A-A線獲得的結構的剖面圖。第一實施方式的半導體器件是使用引線框組裝的多管腳、樹脂密封型的半導體封 裝。在第一實施方式中，使用圖1中所示的多管腳QFP(四方扁平封裝)作為半導體器件的 示例以便進行說明。參考圖1和圖2，QFP1包括半導體晶片4，其中形成有半導體集成電路；多個內部 引線(引線)2a，其呈放射狀地部署在半導體晶片4周圍；多個外部引線2b，其與內部引線 2a整體式形成；以及多個接線5 (諸如金接線)，用於將電極焊塊4a連接至相應的內部引線 2a，其中電極焊塊4a是在半導體晶片4的主表面4a中形成的表面電極。QFPl還包括小片(tab)(管芯焊塊)2c，其充當晶片安裝部分，半導體晶片4通過 諸如銀膏的管芯鍵合材料固定在其上；以及密封體3，其用於密封晶片4、小片2c、接線5以 及內部引線2a，密封體3是通過樹脂模製而由密封樹脂等形成的。由於這是QFP封裝，分別 與內部引線2a整體式成型的外部引線2b從密封體3的四側向外伸出，其中每個外部引線 2b都是彎曲的，並形成鷗翼形狀。在此，在QFPl上安裝的半導體晶片4中，以例如等於或者小於50 μ m的狹窄焊塊節距來提供在主表面4a中形成的多個電極焊塊4c。這使得例如可以將接線直徑等於或小 於20 μ m的金接線用於接線5，並且由此可以實現QFPl的成本降低，並且還可以實現高管腳 數的QFPl。此外，使用銅接線代替金接線作為接線5與金接線情況相比可以實現QFPl的成本 降低，並且還可以實現導電性的改進。而且，內部引線2a、外部引線2b以及小片2c是通過由銅合金等製造的薄板型部件 形成的，並且密封體3例如包括熱固化環氧樹脂等，並且通過樹脂模製形成。接下來，將按照圖3中所示的流程圖來說明第一實施方式的製造半導體器件 (QFPl)的方法。圖3是示出圖1中所示的半導體器件的組裝過程的示例的製造流程圖，圖4是示 出在圖1中所示半導體器件的組裝中使用的引線框的結構示例的放大局部平面圖，圖5是 示出在圖1所示半導體器件的組裝中的管芯鍵合之後的結構示例的局部截面圖，而圖6是 示出圖1中所示半導體器件的組裝中的接線鍵合後的結構示例的局部截面圖。而且，圖7 是示出在圖1中所示半導體器件的組裝中的接線鍵合步驟中使用的接線鍵合器的主要部 分的結構示例的剖面圖，圖8是從B方向查看時圖7中所示接線鍵合器的主要部分的結構 示例的箭頭B上的視圖，圖9是示出圖7中所示接線鍵合器的主要部分的A部分的結構示例的放大局部剖面圖，而圖10是示出通過使用圖7中所示的接線鍵合器在接線鍵合期間的 結構示例的放大局部剖面圖。此外，圖11是示出圖7所示的接線鍵合器的主要部分的結構 示例的平面圖，圖12是示出沿圖11中所示的A-A線獲得的結構的剖面圖，圖13是示出圖 1中所示半導體器件的組裝中的樹脂模製之後的結構示例的局部截面圖，而14是示出圖1 中所示半導體器件的組裝中的切割和成型後的結構示例的局部截面圖。首先，在圖3的步驟S 1中，準備引線框。這裡，準備矩陣框2，其是圖4中所示的 引線框的示例。在矩陣框2中，並排形成有多個器件區2d，半導體晶片4安裝在每個器件區 中，並且在各器件區2d中還提供內部引線2a和外部引線2b。在第一實施方式中使用的圖4所示的矩陣框2中，按照多行X多列(例如，圖4 中的2行X2列)的布置形成器件區2d，每個器件區2d充當形成一個QFPl的區域，其中， 在每個器件區2d中形成一個小片(管芯焊塊)2c、內部引線2a、外部引線2b等。而且，矩陣框2是由例如銅合金形成的矩形薄板材料，其中小片2c、內部引線2a和 外部引線2b整體式成型。在圖4所示的矩陣框2中，X方向表示矩形的長度方向，而Y方 向表示矩形的寬度方向。而且，在矩陣框2的寬度方向的兩端處的框部分2e處，提供有在安裝過程中使用 的多個定位長孔2g和引導中導孔2f。注意，儘管圖4中所示的矩陣框2中的一個器件區2d的內部引線2a的數目不同 於圖1中所示的QFPl中的外部引線2b的數目，但這是為了清晰地示出矩陣框2的引線部 分的形狀。顯然，用於組裝QFPl的矩陣框2的一個器件區2d的內部引線2a的數目與外部 引線2b的數目相同。此後，執行圖3的步驟S2中所示的管芯鍵合。這裡，如圖5所示，通過管芯鍵合材 料將半導體晶片4安裝在矩陣框2的器件區2d的小片2c上。也就是說，通過使用管芯鍵 合材料將半導體晶片4的背表面4b鍵合到小片2c。此後，執行圖3的步驟S3中所示的接線鍵合。也就是說，如圖6所示，通過使用接 線5，將半導體晶片4的主表面4a中的電極焊塊4c電連接至相應的內部引線2a。注意，接 線5例如是具有縮減的直徑的金接線，並且是接線直徑等於或者小於20 μ m的金接線。現在，將描述圖7和圖8中所示的在接線鍵合步驟S3中使用的接線鍵合器6。接線鍵合器6包括以下作為其主要部分加熱塊6b，用於支撐執行接線鍵合的接 線鍵合部分6a中所安裝的矩陣框2，矩陣框2具有並排形成在其中的器件區2d，並且加熱 塊6b還用於在接線鍵合期間加熱矩陣框2 ；部署在加熱塊6b之之上的壓板6c，該壓板能夠 響應於其矩陣框2的形狀來支撐矩陣框2 ；以及包含在加熱塊6b中的加熱器6f。也就是說，通過使用包含在加熱塊6b中的加熱器6f，在接線鍵合期間，矩陣框2和 在器件區2d的小片2c之上安裝的半導體晶片4通過部署在加熱塊6b之上的壓板6c被加 熱到預期溫度。在接線鍵合期間，加熱器6f的溫度始終設置為例如230°C，從而加熱矩陣框 2和半導體晶片4。　注意，壓板6c與矩陣框2的形狀相適應，並且是用於支撐矩陣框2並且將熱從加 熱塊6b傳導到矩陣框2和半導體晶片4的塊材料。例如，壓板6c對應於引線框的下部小 片或者凸起小片的形狀。而且，接線鍵合器6包括框保持部件6d，用於按壓接線鍵合部分6a中的加熱塊6b之上部署的矩陣框2的內部引線2a ；用於引導接線5的毛細管6j，毛細管6j是用於接 線鍵合的鍵合工具；以及軌道6e，其充當引導，並且在矩陣框2被轉移到饋送方向6g時引 導矩陣框2。如圖11所示，框保持部件6d具有形成在其中的開口窗6k，其對應於矩陣框2的器 件區2d。也就是說，如圖9和圖10所示，在接線鍵合期間，通過使用框保持部件6d的突出 部分6m從上按壓內部引線2a，使得內部引線2a無法擺動，並且通過操作開口 6k中的毛細 管6j來執行接線鍵合。由此，如圖11所示，當矩形矩陣框2的寬度方向(圖4中所示的Y 方向)中的器件區2的列數為2時，在框保持部件6d中形成兩個開口窗6k，其分別對應於 器件區2d的兩列。注意，用於按壓內部引線2a的框保持部件6d的突出部分6m形成為沿 著開口窗6k的框形。 而且，如圖7、圖11和圖12所示，在加熱塊6b之上的矩陣框2的前表面和後表面 二者上，接線鍵合器6包括充當延長引導部件的上部引導6h和下部引導6i，部署它們是為 了與沿矩陣框2的長度方向(圖4中所示的X方向)的相應器件區2d的外部接觸。也就是說，上部引導6h和下部引導6i分別與加熱塊6b之上的矩陣框2的前面側 (安裝半導體晶片4的一側)以及背面側(沒有安裝半導體晶片4的一側)接觸，從而減小 矩陣框2在接線鍵合期間以及接線鍵合之後的顫動。由此，上部引導6h和下部引導6i優 選地形成為延長杆狀，因為其按壓矩陣框2的相應器件區2d之間的區域。此外，上部引導 6h和下部引導6i優選地形成為具有的長度等於或者略微大於矩陣框2在長度方向上的長 度。然而，上部引導6h和下部引導6i可以形成為具有如下長度，使得上部引導6h和下部 引導6i僅在矩陣框2的饋送方向6g中與框保持部件6d後臺部分的鄰域相接觸，從而至少 在接線鍵合之後能夠抑制矩陣框2的顫動。通過將上部引導6h和下部引導6i的長度設為等於或者大於矩陣框2的長度方向 的長度，可以抑制框的整體顫動。注意，在第一實施方式的圖11和圖12所示的示例中，上部引導6h與矩陣框2的 前表面側接觸，而下部引導6i與背表面側接觸。然而，可以僅提供上部引導6h和下部引導 6i中的任意一個，或者提供這二者。而且，例如，上部引導6h由框保持部件6d支撐，而下部引導6i由壓板6c支撐。然 而，二者可以都由軌道6e等支撐。此外，當矩陣框2的寬度方向上的器件區2d的列數為3或更多時，與器件區2d之 間的區域相接觸的上部引導6h和下部引導6i的數目可以增加。而且，上部引導6h和下部引導6i的鏡面拋光可以降低由於上部引導6h和下部引 導6i與矩陣框2相接觸而導致的粉塵。通過使用如上所述的接線鍵合器6來執行接線鍵合。也就是說，在將矩陣框2部 署到接線鍵合器6的加熱塊6b之上之後，將圖6中所示的安裝在小片2c中的半導體晶片4 的電極焊塊4c接線鍵合至內部引線2a，其中內部引線2a由框保持部件6d的突出部分6m 按壓，如圖10所示。在這種情況下，矩陣框2被接線鍵合至由上部引導6h按壓的前表面側 和由下部引導6i按壓的背表面側。 在接線鍵合之後，框保持部件6d向上升，從而釋放矩陣框2。在這種情況下，可以 抑制矩陣框2的顫動，因為矩陣框的背表面側由下部引導6i按壓。
此後，將矩陣框2向饋送方向6g傳送一個器件區，並且以類似的方式執行下一器 件區2d的接線鍵合。通過以此方式順序地執行接線鍵合，將會完成與一個矩陣框2的接線鍵合。在接線鍵合過程完成之後，執行圖3的步驟S4中所示的樹脂模製。這裡，使用樹脂成型模具(未示出)，通過使用密封樹脂將圖13中所示的小片2c、半導體晶片4、內部引 線2a以及接線5進行樹脂密封，並且由此形成密封體3。注意，密封樹脂例如是熱固化環氧 樹脂等。此後，執行圖3的步驟S5中所示的切割和成型。這裡，對矩陣框2進行切割並且 將其分為個體封裝單元。在這種情況下，如圖14所示，從密封體3突出的每個外部引線2b 彎曲並形成鷗翼形，QFPl的組裝繼而完成。按照第一實施方式的製造半導體器件的方法和接線鍵合器6，在加熱塊6b之上的 矩陣框2的前表面側和後表面側，都部署有上部引導6h和下部引導6i，從而沿著矩陣框2 的長度方向(圖4中所示的X方向)接觸，並且由此可以降低矩陣框2在接線鍵合期間和 接線鍵合之後的顫動。由此，可以實現接線鍵合質量的改進。此外，可以實現接線鍵合可靠性的改進。也就是說，在接線鍵合之後的矩陣框2中，即使在由於加熱而拉伸的引線框內部 引線2a被突然冷卻返回其原始狀態時發生熱收縮，這種情況下的顫動也可以減小，因為矩 陣框2由上部引導6h和下部引導6i按壓。而且，在接線鍵合之後的矩陣框2中，即使由於各內部引線突然冷卻時的熱輻射 路徑差異而引起溫度變化的分散從而導致每個位置處的壓力出現差異，這種情況下的顫動 也可以減小，因為矩陣框2類似地由上部引導6h和下部引導6i按壓。注意，在第一實施方式的QFPl的情況下，由於接線5使用金接線，採用了直徑降低 到20 μ m或更小的接線5。而且在這種情況下，還可以減小接線5的形變，因為矩陣框2在 接線鍵合之後的顫動可被減小，由此，可以抑制接線間短路和接線與晶片間的短路。而且，在第一實施方式的QFPl的情況下，使用包含銅合金的矩陣框2作為示例，並 且這種矩陣框2的形變相對比較容易。然而，在第一實施方式的接線鍵合器6中，由於矩陣 框2由上部引導6h和下部引導6i按壓，還可以抑制矩陣框2在接線鍵合之後的形變。此外，在第一實施方式的矩形矩陣框2的情況下，寬度方向的長度比框的單行的 長度要長，因為區2d也是在寬度方向(圖4的Y方向)上形成的。由此，在矩陣框2的情 況下，矩陣框2在寬度方向上也會容易形變。然而，在第一實施方式的接線鍵合器6中，由 於矩陣框2被上部引導6h和下部引導6i按壓(如同上文的情況)，還可以抑制矩陣框2在 接線鍵合之後的形變。接下來，將描述第一實施方式的第一修改。圖15是是示出本發明第一實施方式的第一修改的結構的平面圖，圖16是示出沿 圖15中所示的A-A線獲得的結構的剖面圖，圖17是示出本發明第一實施方式的第二修改 的結構的平面圖，而圖18是示出沿圖17中所示的A-A線獲得的結構的剖面圖。而且，圖19 是示出本發明第一實施方式的第三修改的結構的平面圖，圖20是示出沿圖19中的A-A線 獲得的結構的剖面圖，而圖21是示出本發明第一實施方式的第四修改的結構的平面圖。
按照圖15和圖16中所示的第一修改，在圖7所示的接線鍵合器6中，可旋轉地部 署有滾軸(滾軸裝置)6η，從而在加熱塊6b之上的矩陣框2的前表面側和後表面側上都與 矩陣框2的器件區2d的外部相接觸。也就是說，在矩陣框2的前表面側和後表面側二者上都提供有可旋轉滾軸6η，從而在矩陣框2的饋送方向6g上與框保持部件6d的後臺部分的鄰域中的相應器件區2d的 外部相接觸。通過滾軸6η從矩陣框2的前表面側和後表面側二者按壓矩陣框2，從而抑制 矩陣框2的顫動。例如，滾軸6η由滾軸保持器6ρ可旋轉地支撐，此外滾軸保持器6ρ由軌 道6e支撐。由此，在滾軸6η在矩陣框2的前表面側和後表面側上都與矩陣框2的相應器件區 2d的外部相接觸的情況下，執行接線鍵合以及接線鍵合之後框的傳送。注意，由於滾軸6η的按壓，可以通過精確的方式按壓矩陣框2顫動最嚴重的部分。由於滾軸6η的按壓以及接觸部分的旋轉，可以抑制由於與矩陣框2的摩擦而造成 的粉塵。此外，使用滾軸6η可以降低傳動框的阻力並且可以減少傳動框的不便之處。注意， 當滾軸6η部署在器件區2d的行之間時，部署在行之間的滾軸6η的數目可以是1或者可以 大於1。如上所述並且通過圖15和圖16中所示的第一修改，可以降低矩陣框2在接線鍵 合期間以及接線鍵合之後的顫動。由此，可以實現接線鍵合質量的改進。而且，可以實現接線鍵合可靠性的改進。此外，由於圖15和圖16中所示的第一修改所取得的效果與圖11和圖12中所示 的上部引導6h和下部引導6i所取得的效果相同，省略了重複的說明。接下來，按照圖17和圖18所示的第二修改，在圖7中所示的接線鍵合器6中，部 署有片簧部件(彈性裝置)6q,從而在加熱塊6b之上的矩陣框2的前表面側上與矩陣框2 的相應器件區2d的外部相接觸。也就是說，在矩陣框2的前表面(晶片安裝表面)側上，提供片簧部件6q，從而在 矩陣框2的饋送方向6g上與框保持部件6d的後臺部分鄰域中的相應器件區2d的外部相 接觸。片簧部件6q附接至框保持部件6d，使得即使是在框保持部件6d抬起的情況下，也可 以通過彈力來按壓矩陣框2。由此，在矩陣框2的前表面側上，可以利用始終與矩陣框2的相應器件區2d的外 部相接觸的片簧部件6q來執行接線鍵合和接線鍵合之後的框傳送。注意，與滾軸6η的按壓一樣，在片簧部件6q按壓的情況下，也可以按照精確的方 式來按壓矩陣框架2顫動最嚴重的部分。接下來，按照圖19和圖20中所示的第三修改，在圖7中所示的接線鍵合器6中， 部署有減震器部件(彈性部件)6r，從而在加熱塊6b之上的矩陣框2的前表面側與矩陣框 2的相應器件區2d的外部相接觸。也就是說，作為替代圖18中所示片簧部件6q的彈性裝置，採用其中內嵌有卷簧的 減震器部件6r。如圖20所示，在矩陣框2的前表面側，提供有減震器部件6r，從而在矩陣 框2的饋送方向6g上與框保持部件6d的後臺部分鄰域中的相應器件區2d的外部相接觸。 與片簧部件6q —樣，減震器部件6r附接至框保持部件6d，使得即使是在框保持部件6d抬起的情況下也可以利用彈力來按壓矩陣框2。由此，在矩陣框2的前表面側上，可以在減震器部件6r始終與矩陣框2的相應器件區2d的外部相接觸的情況下，執行接線鍵合以及接線鍵合之後框的傳送。注意，與片簧部件6q的情況一樣，在使用減震器部件6r時，也可以按照精確的方 式來按壓矩陣框2顫動最嚴重的部分。而且，在採用片簧部件6q或者減震器部件6r時，也可以抑制由於與矩陣框2的摩 擦而導致的粉塵，這是因為與矩陣框2的接觸部分甚少。此外，在採用諸如片簧部件6q或者減震器部件6r的彈性裝置時，可以更為有效地 執行對矩陣框2的顫動的吸收，因為這些彈性裝置可以始終與矩陣框2的表面相接觸。注意，還是在諸如片簧部件6q或者減震器部件6r的彈性裝置的情況下，儘管彈性 裝置部署在器件區2d的行之間，但是部署在行之間的彈性裝置的數目可以為1或者可以大 於1。接下來，按照圖21所示的第四修改，圖7中所示的接線鍵合器6具有框保持部件 6d，其能夠按壓部署在加熱塊6b之上的矩陣框2的內部引線2a，並且能夠按壓布置在矩陣 框2的矩陣中的器件區2d的內部引線2a。也就是說，接線鍵合器6具有長框保持部件6d，其能夠一起按壓多行X多列的相 應器件區2d的內部引線2a。在矩陣框2的前表面和後表面側上都提供這種長框保持部件 6cL由於長框保持部件6d機械地按壓矩陣框2的前表面和後表面二者，因此可以進一 步降低矩陣框2的顫動。在圖21中所示的框保持部件6d的情況下，通過採用夾住和傳送整個矩陣框的結 構(載體傳送)，可以取得關於矩陣框2顫動的顯著效果。如上所述，通過使用圖17和圖18中所示的第二修改、圖19和圖20中所示的第三 修改以及圖21中所示的第四修改，也可以降低矩陣框2在接線鍵合期間以及接線鍵合之後 的顫動。由此，可以實現接線鍵合質量的改進。此外，可以實現接線鍵合可靠性的改進。此外，由於圖17和圖18中所示的第二修改、圖19和圖20中所示的第三修改以及 圖21中所示的第四修改所實現的其它效果與圖11和圖12中所示的上部引導6h和下部引 導6i實現的效果相同，省略了重複的說明。(第二實施方式)圖22是示出在按照本發明第二實施方式的半導體器件的組裝中使用的接線鍵合 器的主要部分的結構示例的剖面圖，而圖23是示出在圖22中所示的接線鍵合器中的接線 鍵合之後的弓I線框溫度變化的示例的溫度數據。在第二實施方式中，由於用來降低接線鍵合之後的引線框顫動的裝置與第一實施 方式中的按壓引線框(矩陣框2)不同，通過冷卻引線框從而使其溫度可以在接線鍵合之後 逐步降低來減小引線框的顫動。也就是說，弓丨線框在接線鍵合之後顫動的成因之一可以是由於加熱而拉伸的內部 引線被突然冷卻返回到原始狀態時的熱收縮，並且該熱收縮可以導致顫動。由此，有效的是在溫度控制下冷卻經過接線鍵合的引線框，從而使其溫度可以逐漸地逐步降低。由此，可以抑制在接線鍵合之後發生弓I線框顫動。這裡，將描述圖22中所示的第二實施方式的接線鍵合器6的主要部分。在接線鍵合器6的接線鍵合部分6a中的加熱塊6b之上，提供有冷卻風機6s，其是慢冷卻裝置，用於 冷卻經過接線鍵合的引線框從而使其溫度可以逐步降低，而且，執行對矩陣框2的溫度控 制，從而使矩陣框2的溫度在接線鍵合之後可以逐步降低。注意，圖22中的接線鍵合器6 的其它結構與圖7中所示的第一實施方式的接線鍵合器6的主要部分的結構相同。然而， 圖7中所示的框保持部件6d下部署的上引導6h和下引導6i可以提供也可以不提供。在接線鍵合過程中，使用圖22中所示的接線鍵合器6來執行接線鍵合，其中內部引線2a由框保持部件6d按壓，此後，通過從冷卻風機6吹到矩陣框2的冷空氣，逐步地(逐 漸地)降低矩陣框2的溫度。在這種情況下，優選地，在利用框保持部件6d按壓內部引線2的情況下冷卻矩陣框2，此後，在釋放框保持部件6d之後將矩陣框2傳送至後臺。圖23對在具有冷卻風機的情況下(Q)和不具有冷卻風機的情況下(R)的接線鍵合之後的引線框溫度進行了比較。在圖23所示的示例中，在接線鍵合之後，在啟動冷卻風 機6s的鼓風之後大約3到4秒，冷卻風機6s停止，此後，抬高框保持部件6d以釋放弓I線框。 這裡，在範圍P(大約3到4秒)執行冷卻鼓風。此外，在範圍P內，不是突然降低引線框的 溫度，而是這樣來執行冷卻鼓風使引線框的溫度可以逐漸地逐步降低。作為在這種條件下執行測試的結果，在具有冷卻風機6s的情況下(Q)，可以確認引線框顫動的減小。另一方面，在沒有冷卻風機6s的情況下(R)，無法獲得顫動的減小效 果，這是因為引線框的溫度無法降低。顯然，範圍P的時間長度以及逐步降溫的方法(溫度漸變的角度)不限於圖23中所示的值，而是可以適當地修改。如上所述，在按照第二實施方式的製造半導體器件的方法中，在突然冷卻加熱的矩陣框2使其返回原始狀態時出現的熱收縮可以這樣來抑制冷卻矩陣框2使其溫度可以 在接線鍵合之後逐漸降低。由此，可以減小矩陣框2在接線鍵合之後的顫動。也就是說，在接線鍵合之後，在溫度控制下冷卻矩陣框2，使其溫度可以逐漸地而不是突然地降低，由此可以減小矩陣框2在接線鍵合之後的顫動。由此，可以實現接線鍵合質量的改進。此外，可以實現接線鍵合可靠性的改進。注意，在冷卻矩陣框2使其溫度可以逐步降低時，執行接線鍵合，其中通過框保持 部件6d按壓內部引線2a ；而且，在接線鍵合之後冷卻矩陣框2時，冷卻實際上是在通過框 保持部件6d來按壓內部引線2a的情況下執行的。由此，可以進一步減少矩陣框2中熱收 縮(顫動)的發生。由此，優選地，將矩陣框2冷卻幾秒鐘(例如，大約3到4秒)，使其溫度可以逐步降低，其中利用框保持部件6d來按壓內部引線2a，此後，在釋放框保持部件6d之後傳送框。此外，由於按照第二實施方式的製造半導體器件的方法所取得的效果與按照第一實施方式的製造半導體器件的方法所取得的效果相同，因此省去重複的說明。(第三實施方式)
圖24是示出在按照本發明第三實施方式的半導體器件的組裝中使用的接線鍵合 器的主要部分的結構示例的局部截面圖，而圖25是示出本發明第三實施方式的第一修改 的結構的局部截面圖。按照實施方式3，如圖24和圖25所示，在接線鍵合器6的主要部分中，在加熱塊6b之上的矩陣框2的背表面側上(參見圖7)，提供有多個吸附焊塊(吸附裝置)6t，其能夠 吸附和支撐矩陣框2的多個小片(管芯焊塊)2c。首先，在圖24所示的結構中，根據矩陣框2的小片2c的布置(小片2c布置在矩 陣中)，提供吸附焊塊6t，其能夠從背表面側吸附和支撐這些小片2c。吸附焊塊6t分別由 焊塊保持器6u支撐，提供焊塊保持器6u是為了在饋送方向6g上可移動。這使得有可能在接線鍵合期間以及接線鍵合之後吸附和支撐矩陣框的所有小片 2c，並且由此可以減小接線鍵合期間和接線鍵合之後矩陣框2的顫動。特別地，由於這是機 械吸附和支撐操作，可以進一步減小矩陣框2的顫動。由此，可以實現接線鍵合質量的改進。此外，可以實現接線鍵合穩定性的改進。而且，由於按照第三實施方式的製造半導體器件的方法所取得的其它效果與按照 第一實施方式的製造半導體器件的方法所取得的效果相同，因此省卻了重複的說明。接下來，圖25示出了第三實施方式的第一修改。與圖24結構的不同實際上在於， 與圖24的吸附焊塊6t相同的吸附焊塊6t嵌入在接線鍵合期間支撐小片2c的壓板6c中。這使得有可能還通過壓板6c來吸附和支持小片2c，因此也可以在釋放框保持部 件6d之後的第一框傳送中降低矩陣框2的顫動。此外，由於圖25中所示的第三實施方式的第一修改所取得的其它效果與圖24中 所示結構所取得的效果相同，因此省去重複的說明。以上基於實施方式具體地描述了發明人的本發明。然而，顯然，本發明不限於上文 描述的實施方式，在不脫離本發明範圍的情況下，各種修改是可能的。例如，上文描述的第一到第三實施方式是關於QFP 1的情況說明的，其中半導體 器件是通過使用引線框(矩陣框2)來組裝的。然而，半導體器件不限於通過引線框來組裝 的半導體器件，而是例如可以是圖26中所示的BGA (球柵陣列)7，其通過使用襯底(布線襯 底)以及通過被接線鍵合來組裝。圖26中所示的BGA (半導體器件)7包括半導體晶片4，其通過諸如樹脂膏狀材料 10的管芯鍵合材料安裝在BGA襯底(布線襯底)8的主表面8a之上。這裡，半導體晶片4 的表面電極通過多個接線5電連接至BGA襯底8的主表面8a的鍵合引線Sc。此外，半導體 晶片4和接線5由密封體3進行樹脂密封，密封體3包括BGA襯底8的主表面8a之上的密 封樹脂。而且，在BGA襯底8的背表面8b側，以網格形式(以柵格形式)提供有充當外部 連接端子的多個焊料球11。圖27示出了在具有這種結構的BGA 7的組裝中使用的多分塊襯底(布線襯底)9 的結構，其中在該結構的主表面9d中，以矩陣陣列的方式提供有多個器件區9a，每個器件 區中組裝一個BGA 7。各器件區9a由分割線9b來劃分。注意，在多分塊襯底9的主表面 9d的外圓周部分中，形成有多個通孔9c，以便在傳送襯底時供定位和引導之用。
而且，在通過使用這種多分塊襯底9以及通過接線鍵合來組裝的BGA7中，例如， 通過使用按照第二實施方式的半導體器件組裝中的接線鍵合之後的冷卻方法，也即，通過 在接線鍵合之後冷卻多分塊襯底9使其溫度可以逐步降低，可以減小多分塊襯底9的顫動， 並且可以實現上文描述的第二實施方式所取得的那些效果。而且，在上文描述的第一到第三實施方式中，已經獨立地說明了用於減小接線鍵 合之後的引線框顫動的每個裝置，但是，可以對第一到第三實施方式的這些裝置的任意兩 個或更多裝置進行組合。例如，還可以這樣來減小接線鍵合之後矩陣框2的顫動利用諸如框保持部件6d、 引導部件、滾軸部件或者彈性部件的保持工具來固定經過接線鍵合的矩陣框2，直到冷卻完 成。本發明適於其中要執行接線鍵合的電子器件的組裝。
權利要求
一種製造半導體器件的方法，包括步驟(a)準備引線框，其中並排形成有多個器件區，半導體晶片安裝在每個所述器件區中，並且其中在各器件區中提供多個引線；(b)將所述半導體晶片安裝在所述引線框的所述器件區中；(c)將所述引線框部署在接線鍵合器的加熱塊之上，並且在利用框保持部件按壓所述引線的情況下，對安裝在所述器件區中的所述半導體晶片與所述引線進行接線鍵合；以及(d)在步驟(c)之後，冷卻所述引線框，使其溫度可以逐步降低。
2.根據權利要求1所述的製造半導體器件的方法，其中在步驟(d)中，在利用所述框保 持部件按壓所述引線的情況下冷卻所述引線框，此後，在釋放所述框保持部件之後傳送所 述引線框。
3.根據權利要求2所述的製造半導體器件的方法，其中所述引線框是矩陣框，其中所 述器件區形成為矩陣陣列。
4.根據權利要求3所述的製造半導體器件的方法，其中在所述接線鍵合中使用的接線 是金接線或者銅接線，並且所述弓I線框包括銅合金。
5.根據權利要求1所述的製造半導體器件的方法，其中在步驟(d)中，在所述引線框的 前表面和後表面兩側上，弓丨導部件沿著所述弓I線框的長度方向與所述引線框的相應器件區 的外部接觸。
6.根據權利要求1所述的製造半導體器件的方法，其中在步驟(d)中，在所述引線框的 前表面側，彈性裝置與所述引線框的相應器件區的外部接觸。
7.根據權利要求1所述的製造半導體器件的方法，其中在步驟(d)中，在所述引線框的 前表面和後表面兩側上，可旋轉滾軸與所述引線框的相應器件區的外部接觸。
8.—種製造半導體器件的方法，包括步驟(a)準備引線框，其中並排形成有多個器件區，半導體晶片安裝在每個器件區中，並且 在各器件區中提供多個引線；(b)將所述半導體晶片安裝在所述引線框的所述器件區中；(c)將所述引線框部署在接線鍵合器的加熱塊之上，並且在利用框保持部件按壓所述 引線的情況下，對安裝在所述器件區中的所述半導體晶片與所述引線進行接線鍵合；以及(d)在步驟(c)之後，在所述引線框的饋送方向上按壓所述框保持部件的後臺部分。
9.根據權利要求8所述的製造半導體器件的方法，其中在步驟(c)中，在利用所述框保 持部件按壓所述引線、並且所述引線框饋送方向上的所述框保持部件的所述後臺部分被按 壓的情況下，執行接線鍵合。
10.一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝所述半導體晶片的引線框的器 件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包括加熱塊，用於支撐其中並排形成有所述器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加 熱所述引線框；框保持部件，用於按壓部署在所述加熱塊之上的所述弓I線框的所述引線；毛細管，用於引導接線，所述毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具；以及引導部件，其被部署為在所述加熱塊之上的所述引線框的前表面和後邊面兩側上，都沿所述引線框的長度方向與所述引線框的各器件區的外部接觸。
11.根據權利要求10所述的接線鍵合器，其中所述引線框的所述器件區形成為矩陣陣列。
12.—種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝所述半導體晶片的引線框的器 件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包括加熱塊，用於支撐其中並排形成有所述器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加 熱所述引線框；框保持部件，用於按壓部署在所述加熱塊之上的所述弓I線框的所述引線； 毛細管，用於引導接線，所述毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具；以及 彈性裝置，其被部署為在所述加熱塊之上的所述引線框的前表面側上與所述引線框的 各器件區的外部接觸。
13.根據權利要求12所述的接線鍵合器，其中所述引線框的所述器件區形成為矩陣陣列。
14.一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝所述半導體晶片的引線框的器 件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包括加熱塊，用於支撐其中並排形成有所述器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加 熱所述引線框；框保持部件，用於按壓部署在所述加熱塊之上的所述弓I線框的所述引線；毛細管，用於引導接線，所述毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具；以及 滾軸裝置，其可旋轉地布置，以便在所述加熱塊之上的所述引線框的前表面和後表面兩側上都與所述引線框的各器件區的外部接觸。
15.根據權利要求14所述的接線鍵合器，其中所述引線框的所述器件區形成為矩陣陣列。
16.一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝所述半導體晶片的引線框的器件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包括加熱塊，用於支撐其中並排形成有所述器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加熱所述引線框；框保持部件，用於按壓部署在所述加熱塊之上的所述弓I線框的所述引線； 毛細管，用於引導接線，所述毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具；以及 慢冷卻部件，用於冷卻經過接線鍵合的所述引線框，使其溫度可以逐步降低。
17.根據權利要求16所述的接線鍵合器，其中所述引線框的所述器件區形成為矩陣陣列。
18.一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝所述半導體晶片的引線框的器件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包括加熱塊，用於支撐其中並排形成有所述器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加熱所述引線框；框保持部件，能夠按壓部署在所述加熱塊之上的所述引線框的所述引線並且還按壓在所述引線框的行和列的矩陣中安排的所述器件區中的所述引線；以及 毛細管，用於引導接線，所述毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具。
19.根據權利要求18所述的接線鍵合器，其中所述引線框的所述器件區形成為矩陣陣列。
20.一種接線鍵合器，用於對半導體晶片與在其中安裝所述半導體晶片的引線框的器 件區中所提供的多個引線進行接線鍵合，所述接線鍵合器包括加熱塊，用於支撐其中並排形成有所述器件區的引線框，以及用於在接線鍵合期間加 熱所述引線框；框保持部件，用於按壓部署在所述加熱塊之上的所述弓I線框的所述引線； 毛細管，用於引導接線，所述毛細管充當用於接線鍵合的鍵合工具；以及 多個吸附裝置，其能夠吸附和支撐所述加熱塊之上的所述引線框的多個管芯焊塊。
21.根據權利要求20所述的接線鍵合器，其中所述引線框的所述器件區形成為矩陣陣列。
22.一種製造半導體器件的方法，包括步驟(a)準備布線襯底，其中並排形成有多個器件區，半導體晶片安裝在每個器件區中，並 且其中在各器件區中形成有多個鍵合引線；(b)將所述半導體晶片安裝在所述布線襯底的所述器件區中；(c)將所述布線襯底部署在接線鍵合器的加熱塊之上，並且對所述器件區中安裝的所 述半導體晶片與所述鍵合引線進行接線鍵合；(d)在步驟(c)之後，冷卻所述布線襯底，使其溫度可以逐步降低。
全文摘要
本發明涉及用於製造半導體器件和接線鍵合器的方法。具體地，通過減小引線框或者布線襯底在接線鍵合之後的顫動，實現了接線鍵合質量的改進。在接線鍵合器的接線鍵合部分的加熱塊之上，提供冷卻風機，用於冷卻經過接線鍵合的矩陣框，從而使其溫度可以逐步降低。在接線鍵合之後，冷空氣從冷卻風機吹送到矩陣框，並且執行對矩陣框的溫度控制，從而使矩陣框的溫度在接線鍵合之後可以逐步降低。或者，利用諸如框保持部件、引導部件、滾軸裝置或者彈性裝置的保持工具來固定經過接線鍵合的矩陣框，直到冷卻完成。
文檔編號H01L21/50GK101800182SQ200910263609
公開日2010年8月11日 申請日期2009年12月23日 優先權日2009年2月6日
發明者三角和幸, 山內俊治, 新川秀之, 青木滿 申請人:株式會社瑞薩科技