半導體封裝用環氧樹脂組合物及半導體裝置的製作方法

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本申請為專利申請201080047226.7(申請日：2010年10月7日，發明創造名稱：半導體封裝用環氧樹脂組合物、半導體裝置及脫模劑)的分案申請。

本發明涉及半導體封裝用環氧樹脂組合物、半導體裝置及脫模劑。

背景技術：

在半導體包裝組裝工序中，通過在半導體晶片的鋁電極和內部引線之間熱壓接金屬線來進行電連接的方法現在成為主流。另外，近年來伴隨著電子器件的小型化、輕量化、高性能化的市場動向，電子部件的高集成化、多引腳化逐年發展。因此，要求比以前更複雜的焊線工序，使用銅製引線框時，由於在200～250℃的高溫狀態長時間暴露，因而銅表面的氧化更加進行。

這種狀況下，即使以往的對於未氧化的銅表面的粘合性優異的半導體封裝材料，對於表面狀態不同的氧化銅也常有粘合性差的情況，從而出現在樹脂封裝後除去鑄模時、回焊時引起剝離的問題。

用於抑制剝離的插入物與封裝材料樹脂的粘合性是與對於模具的脫模性相反的指標，因此，存在如果使粘合性提高則脫模性較差、成型性降低這類問題。採用電子部件的高集成化而銅框的氧化成為問題的以前，為了兼顧粘合性和脫模性，提出了添加氧化聚乙烯蠟以及α烯烴與馬來酸的共聚物的半酯化物作為脫模劑的方法。(例如參照專利文獻1、2。)根據該方法，雖然對未氧化的銅的粘合性和脫模性優異，但由於並用了氧化聚乙烯蠟，因而存在封裝樹脂對被氧化的銅框的粘合性降低的問題。而且，對於α烯烴部分短至碳原子為25個以下的共聚物脫模劑(例如參照專利文獻3)，存在連續成型性(通氣口堵塞等的脫模性)較差的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第3975386號公報

專利文獻2：日本特許第4010176號公報

專利文獻3：日本特公昭61-52862號公報

技術實現要素：

本發明是鑑於所述情況而完成的，要提供對氧化銅的粘合性良好並且脫模性、連續成型性也優異的半導體封裝用環氧樹脂組合物、及具備利用其進行了封裝的元件的半導體裝置以及脫模劑。

本發明人為了解決上述的課題，反覆深入研究，結果發現，通過在半導體封裝用環氧樹脂組合物中使用特定的脫模劑能夠達到上述的目的，至此完成了本發明。

即，本發明如下。

[1]一種半導體封裝用環氧樹脂組合物，其含有(a)環氧樹脂、(b)固化劑、(c)無機填充材料、以及脫模劑，

其中，所述脫模劑含有(d)用碳原子數為10～25的長鏈脂肪族醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物。

[2]根據[1]所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其進一步含有下述通式(ⅰ)表示的矽氧烷加成聚合物改性物。

(式中，r1～r2選自氫原子、碳原子數為1～55的取代或者無取代的烴基、亞烷基氧縮水甘油醚基以及環氧烷基，全部可以相同也可以不同。r3～r4選自氫原子、碳原子數為1～10的取代或者無取代的烴基、氨基、羧基、縮水甘油醚基以及烷基羧酸-4,4』-(1-甲基乙叉基)雙酚縮水二甘油醚基，全部可以相同也可以不同。n表示1～100的整數。)

[3]根據[1]或[2]所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中，相對於所述脫模劑的總量100質量％，所述(d)用碳原子數為10～25的長鏈脂肪族醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物的含量為55質量％～100質量％。

[4]根據[2]所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中，相對於所述半導體封裝用環氧樹脂組合物的總量100質量％，所述矽氧烷加成聚合物改性物的含量為0.1質量％～2質量％。

[5]根據[1]～[4]中任一項所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中，所述(a)環氧樹脂包含選自聯苯型環氧樹脂、對二甲苯型環氧樹脂以及具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂中的至少一種。

[6]根據[1]～[5]中任一項所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其用於具備含銅引線框的半導體裝置中的半導體元件的封裝。

[7]一種半導體裝置，其特徵在於，用[1]～[6]中任一項所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物的固化物封裝半導體元件。

[8]一種脫模劑，其含有(d)用碳原子數為10～25的長鏈脂肪族醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物。

[9]根據[8]所述的脫模劑，其用於半導體封裝用環氧樹脂組合物。

[10]根據[9]所述的脫模劑，其中，所述半導體封裝用環氧樹脂組合物用於具備含銅引線框的半導體裝置中的半導體元件的封裝。

本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物對氧化銅的粘合性、以及成型時的脫模性、連續成型性優異，如果用該半導體封裝用環氧樹脂組合物對ic、lsi等電子部件進行封裝，則能夠獲得可靠性優異的半導體裝置。

附圖說明

上述目的以及其它目的、特徵和優點可通過以下所述的優選實施方式以及附隨的以下附圖來進一步明確。

[圖1]是對使用本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物的半導體裝置的一例顯示出剖面結構的圖。

[圖2]是表示採用用於評價本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物脫模時負荷的評價用模具成型後的中模的狀態的平面簡圖。

[圖3]是表示圖2的中模的成型品附近a部的剖面結構的簡圖。

具體實施方式

本發明所涉及的半導體封裝用環氧樹脂組合物優選含有(a)環氧樹脂、(b)固化劑、(c)無機填充材料、以及脫模劑。該脫模劑優選含有(d)用碳原子數為10～25的長鏈脂肪族醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物。

下面，對各成分進行詳述。

作為在本發明中使用的(a)環氧樹脂，是在半導體封裝用環氧樹脂組合物中通常使用的環氧樹脂，沒有特別限制，可以舉出以苯酚線型酚醛環氧樹脂、鄰甲酚線型酚醛環氧樹脂為代表的將使苯酚、甲酚、二甲酚、間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚a、雙酚f等酚類和/或α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚類與甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、水楊醛等具有醛基的化合物在酸性催化劑下進行縮合或者共縮合而得的線型酚醛清漆樹脂環氧化而得的環氧樹脂；作為雙酚a、雙酚f、雙酚s、雙酚a/d等的二縮水甘油醚，烷基取代或者無取代的聯苯酚的二縮水甘油醚的聯苯型環氧樹脂；由苯酚類和/或萘酚類與二甲氧基對二甲苯或雙(甲氧基甲基)聯苯合成的苯酚芳烷基樹脂的環氧化物；茋型環氧樹脂；對苯二酚型環氧樹脂；通過鄰苯二甲酸、二聚酸等多元酸與表氯醇的反應而得的縮水甘油酯型環氧樹脂；通過二氨基二苯基甲烷、異氰脲酸等多胺與表氯醇的反應而得的縮水甘油胺型環氧樹脂；作為二環戊二烯與酚類的共縮合樹脂的環氧化物的二環戊二烯型環氧樹脂；具有萘環的環氧樹脂；三苯酚甲烷型環氧樹脂；三羥甲基丙烷型環氧樹脂；萜改性環氧樹脂；用過乙酸等過酸對烯鍵進行氧化而得的線狀脂肪族環氧樹脂、脂環族環氧樹脂；以及通過矽酮、丙烯腈、丁二烯、異戊二烯系橡膠、聚醯胺系樹脂等對這些環氧樹脂進行改性而得的環氧樹脂等，可以單獨使用它們，也可以將2種以上組合使用。

它們之中，從對氧化銅的粘合性的觀點考慮，優選下述通式(ⅱ)表示的聯苯型環氧樹脂、下述通式(ⅲ)表示的對二甲苯型環氧樹脂、以及下述通式(iv)表示的具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂。

(通式(ⅱ)中，r1～r4選自氫原子和碳原子數為1～10的取代或者無取代的一價烴基，全部可以相同也可以不同。n表示0～3的整數。)

(通式(ⅲ)中，r選自氫原子和碳原子數為1～10的取代或者無取代的一價烴基，n表示0～20的整數。)

(通式(iv)中，r5～r13選自氫原子和碳原子數為1～10的取代或者無取代的一價烴基，全部可以相同也可以不同。n表示0～3的整數。)

上述通式(ⅱ)中的r1～r4選自氫原子，甲基、乙基、丙基、丁基、異丙基、異丁基等碳原子數為1～10的烷基，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子數為1～10的烷氧基，苯基、甲苯基、二甲苯基等碳原子數為6～10的芳基，以及苄基、苯乙基等碳原子數為6～10的芳烷基等；其中優選氫原子或者甲基。作為上述通式(ⅱ)表示的聯苯型環氧樹脂，可以舉出以4,4』-雙(2,3-環氧丙氧基)聯苯或者4,4』-雙(2,3-環氧丙氧基)-3,3』,5,5』-四甲基聯苯為主成分的環氧樹脂；使氯表醇與4,4』-聯苯酚或者4,4』-(3,3』,5,5』-四甲基)聯苯酚進行反應而得的環氧樹脂等。其中，更優選以4,4』-雙(2,3-環氧丙氧基)-3,3』,5,5』-四甲基聯苯為主成分的環氧樹脂，例如作為市售品可以獲得yx-4000k、yx-4000h(商品名，japanepoxyresin株式會社製造)等。使用該聯苯型環氧樹脂時，對氧化銅的粘合性提高。為了發揮其性能，其配合量相對於環氧樹脂總量優選為20質量％以上，更優選為30質量％以上，進一步優選為50質量％。

上述通式(ⅲ)中的r選自氫原子，甲基、乙基、丙基、丁基、異丙基、異丁基等碳原子數為1～10的烷基，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子數為1～10的烷氧基，苯基、甲苯基、二甲苯基等碳原子數為6～10的芳基，以及苄基、苯乙基等碳原子數為6～10的芳烷基等；其中優選氫原子或者甲基。作為上述通式(ⅲ)表示的對二甲苯型環氧樹脂，更優選以n＝0為主成分的環氧樹脂，例如作為市售品可以獲得nc2000(商品名，日本化藥株式會社製造)等。使用該對二甲苯型環氧樹脂時，為了發揮其性能，其配合量相對於環氧樹脂總量優選為10質量％以上，更優選20質量％以上。

上述通式(iv)中的r5～r13選自氫原子，甲基、乙基、丙基、丁基、異丙基、異丁基等碳原子數為1～10的烷基，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子數為1～10的烷氧基，苯基、甲苯基、二甲苯基等碳原子數為6～10的芳基，以及苄基、苯乙基等碳原子數為6～10的芳烷基等；其中優選氫原子或者甲基。作為上述通式(iv)表示的具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂，更優選以n＝0為主成分的環氧樹脂，例如作為市售品可以獲得nc3000l(商品名，日本化藥株式會社製造)等。使用該具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂時，為了發揮其性能，其配合量相對於環氧樹脂總量優選為10質量％以上，更優選20質量％以上。

上述通式(ⅱ)表示的聯苯型環氧樹脂、上述通式(ⅲ)表示的對二甲苯型環氧樹脂、以及上述通式(iv)表示的具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂可以分別單獨使用，也可以將2種以上並用。在將2種以上並用時，它們的配合量以總計計，相對於(a)環氧樹脂的總量優選為50質量％以上，更優選為70質量％以上。

相對於半導體封裝用環氧樹脂組合物的總量100質量％，本發明所涉及的(a)環氧樹脂的含量沒有特別限定，但優選為0.8質量％～12質量％，更優選為1.5質量％～10質量％。

在本發明中使用的(b)固化劑是在半導體封裝用環氧樹脂組合物中通常使用的固化劑，沒有特別限制，例如可以為酚醛樹脂。這種酚醛樹脂系固化劑是在一分子內具有2個以上酚羥基的單體、低聚物、聚合物全部，不特別限定其分子量、分子結構，例如可以舉出以苯酚線型酚醛樹脂、鄰甲酚線型酚醛樹脂為代表的使苯酚、甲酚、間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚a、雙酚f、苯基苯酚、氨基苯酚等苯酚類和/或α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚類與甲醛等具有醛基的化合物在酸性催化劑下進行縮合或者共縮合而得的樹脂；由苯酚類和/或萘酚類與二甲氧基對二甲苯或雙(甲氧基甲基)聯苯合成的苯酚芳烷基樹脂等，可以分別單獨使用它們，也可以將2種以上並用。

其中，從低粘度化、低吸溼性的觀點考慮，優選下述通式(v)表示的具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型樹脂。

(通式(v)中，r14～r22選自氫原子和碳原子數為1～10的取代或者無取代的一價烴基，全部可以相同也可以不同。n表示0～10的整數。)

上式(v)中的r14～r22全部可以相同也可以不同，選自氫原子，甲基、乙基、丙基、丁基、異丙基、異丁基等碳原子數為1～10的烷基，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子數為1～10的烷氧基，苯基、甲苯基、二甲苯基等碳原子數為6～10的芳基，以及苄基、苯乙基等碳原子數為6～10的芳烷基等碳原子數為1～10的取代或者無取代的一價烴基；其中優選氫原子和甲基。作為上述通式(v)表示的具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基樹脂，例如可以舉出r14～r22全部為氫原子的化合物等，其中，從熔融粘度的觀點考慮，優選含有n為1以上的縮合物50質量％以上的縮合物的混合物。作為這種化合物，作為市售品可以獲得meh-7851ss(商品名，明和化成株式會社製造)。使用該具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基樹脂時，為了發揮其性能，其配合量相對於(b)固化劑的總量優選為50質量％以上，更優選70質量％以上。

本發明所涉及的固化劑(b)的含量沒有特別限定，但相對於半導體封裝用環氧樹脂組合物的總量100質量％優選為0.8質量％～12質量％，更優選為1.5質量％～10質量％。

對於(a)環氧樹脂與(b)固化劑的當量比、即(a)環氧樹脂中的環氧基數/(b)固化劑中的羥基數之比沒有特別限制，但為了將各自的未反應部分抑制得較少，優選設定成0.5～2的範圍，更優選0.6～1.5。為了得到成型性、耐回焊性優異的半導體封裝用環氧樹脂組合物，進一步優選設定成0.8～1.2的範圍。

本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物可以進一步含有(e)固化促進劑。(e)固化促進劑是半導體封裝用環氧樹脂組合物中通常使用的固化促進劑，沒有特別限制，例如可以舉出1,8-二氮雜-雙環(5,4,0)十一碳烯-7、1,5-二氮雜-雙環(4,3,0)壬烯、5,6-二丁基氨基-1,8-二氮雜-雙環(5,4,0)十一碳烯-7等環胺化合物；以及苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺化合物及它們的衍生物；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑等咪唑化合物及它們的衍生物；三丁基膦、甲基二苯基膦、三苯基膦、三(4-甲基苯基)膦、二苯基膦、苯基膦等有機膦、及對這些有機膦加成1,4-苯醌、2,5-甲苯醌、1,4-萘醌、2,3-二甲基苯醌、2,6-二甲基苯醌、2,3-二甲氧基-5-甲基-1,4-苯醌、2,3-二甲氧基-1,4-苯醌、苯基-1,4-苯醌等醌化合物、雙酚a、雙酚f、雙酚s、酚醛樹脂等具有π鍵的化合物而形成的具有分子內極化的化合物等有機磷化合物；四苯基四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等四苯基硼鹽及它們的衍生物等。可以單獨使用它們，也可以將2種以上組合使用。其中，從成型性的觀點考慮，優選有機磷化合物，更優選有機膦和有機膦與醌化合物的加成物，進一步優選三苯基膦、和三苯基膦、三(4-甲基苯基)膦、三(4-甲氧基苯基)膦等叔膦與對苯醌、1,4-萘醌等醌化合物的加成物。

對於(e)固化促進劑的配合量，只要是達到固化促進效果的量，則沒有特別限制，但相對於(a)環氧樹脂的總量100質量％優選為0.1～10質量％，更優選為1～5質量％。低於下限值時，存在短時間內的固化性較差的趨勢，如果超過上限值，則固化速度過快，存在因未填充等而難以獲得良好的成型品的趨勢。

在本發明中使用的(c)無機填充劑是為了降低吸溼性、線膨脹係數、提高熱傳導性及提高強度而在成型材料中配合的物質，例如可以舉出熔融二氧化矽、晶體二氧化矽、氧化鋁、鋯石、矽酸鈣、碳酸鈣、鈦酸鉀、碳化矽、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氧化鈹、氧化鋯、鋯石、鎂橄欖石、皂石、尖晶石、莫來石、二氧化鈦等粉體、或者將它們球形化而成的珠粒、玻璃纖維等。進而，作為具有阻燃效果的無機填充劑，可以舉出氫氧化鋁、氫氧化鎂、硼酸鋅、鉬酸鋅等。這些無機填充劑可以單獨使用，也可以將2種以上組合使用。在上述的(c)無機填充劑之中，從降低線膨脹係數的觀點考慮，優選熔融二氧化矽，從高熱傳導性的觀點考慮，優選氧化鋁，從成型時的流動性和模具磨損性方面考慮，填充劑形狀優選為球形。

從成型性、降低吸溼性、線膨脹係數和提高強度的觀點考慮，(c)無機填充劑的配合量相對於半導體封裝用環氧樹脂組合物的總量100質量％優選為80質量％以上，更優選為82～96質量％的範圍，進一步優選為86～92質量％。低於下限時，存在可靠性降低的趨勢，如果超過上限值，則存在成型性降低的趨勢。

在本發明中使用的脫模劑中，含有(d)用碳原子數為10～25的長鏈脂肪族醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物(以下，有時也稱為(d)化合物)。該(d)化合物在(a)環氧樹脂中的分散性高，對於提高對氧化銅的粘合力、脫模性是有效的。

作為(d)化合物所使用的碳原子數為28～60的α-烯烴，沒有特別限制，例如可以舉出1-二十八碳烯、1-三十碳烯、1-三十一碳烯、1-三十二碳烯、1-三十三碳烯、1-三十四碳烯、1-三十五碳烯、1-三十六碳烯、1-四十碳烯、1-四十一碳烯、1-四十二碳烯、1-四十三碳烯、1-四十四碳烯、1-四十五碳烯、1-五十碳烯、1-五十一碳烯、1-五十二碳烯、1-五十三碳烯、1-五十五碳烯、1-五十六碳烯等直鏈型α-烯烴、3-甲基-1-三十碳烯、3,4-二甲基-三十碳烯、3-甲基-1-四十碳烯、3,4-二甲基-四十碳烯等支鏈型α-烯烴等，可以單獨使用它們，也可以將2種以上組合使用。

(d)化合物所使用的α-烯烴的碳原子數低於下限值時，連續成型性(脫模性)較差，如果超過上限值，則對氧化銅的粘合性降低。

作為(d)化合物所使用的碳原子數為10～25的一元醇，沒有特別限制，例如可以舉出癸醇、十一烷醇、十二烷醇、十三烷醇、十四烷醇、十五烷醇、十六烷醇、十七烷醇、十八烷醇、十九烷醇、二十烷醇等直鏈型或者支鏈型的脂肪族飽和醇；己烯醇、2-己烯-1-醇、1-己烯-3-醇、戊烯醇、2-甲基-1-戊烯醇等直鏈型或者支鏈型的脂肪族不飽和醇；環戊醇、環己醇等脂環式醇；苄醇、肉桂醇等芳香族醇；糠醇等雜環式醇等。可以單獨使用它們，也可以將2種以上組合使用。優選碳原子數為10～22的直鏈型醇，更優選碳原子數為15～20的直鏈型脂肪族飽和醇。

(d)化合物所使用的一元醇的碳原子數低於下限值時，連續成型性(脫模性)較差，如果超過上限值，則對氧化銅的粘合性降低。

對於本發明所涉及的(d)化合物中的碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物，沒有特別限制，例如可以舉出下述通式(ⅵ)表示的化合物、下述通式(ⅶ)表示的化合物等，作為市售品，可以獲得將1-二十八碳烯、1-三十碳烯、1-四十碳烯、1-五十碳烯、1-六十碳烯等用作原料的diacarna(註冊商標)30(商品名，三菱化學株式會社製造)。

上述通式(ⅵ)和(ⅶ)中的r表示碳原子數為26～56的一價脂肪族烴基，n是1以上的整數。m表示α-烯烴與馬來酸酐的共聚比，沒有特別限制，但將α-烯烴設為x摩爾、將馬來酸酐設為y摩爾時，x/y即m優選為1/2～10/1，更優選為大致等摩爾程度的1/1左右。

作為製造碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物的製造方法，沒有特別限制，能夠採用使原材料進行反應等的普通的共聚方法。在反應中，可以使用能夠溶解α-烯烴與馬來酸酐的有機溶劑等。作為有機溶劑沒有特別限制，但優選為甲苯，也能使用芳香族系溶劑、醚系溶劑、滷素系溶劑等。反應溫度根據使用的有機溶劑的種類不同而異，但從反應性、生產率的觀點考慮，優選為50～200℃，更優選為100～150℃。對於反應時間，只要可以獲得共聚物，則沒有特別限制，但從生產率的觀點考慮，優選為1～30小時，更優選為2～15小時，進一步優選為4～10小時。反應結束後，根據需要可以在加熱減壓等條件下除去未反應成分、溶劑等。對於其條件，溫度優選為100～220℃，更優選為120～180℃，壓力優選為13.3×103pa以下，更優選為8×103pa以下，時間優選為0.5～10小時。另外，在反應中，可以根據需要加入偶氮二異丁腈(aibn)、過氧化苯甲醯(bpo)等自由基聚合系引發劑。

作為用碳原子數為10～25的一元醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化的方法，沒有特別限制，可以舉出使一元醇與共聚物進行加成反應等普通方法。對於碳原子數為28～60的α-烯烴和馬來酸酐的共聚物與一元醇的反應摩爾比，沒有特別限制，可以任意地設定，但通過調整該反應摩爾比，能夠控制親水性的程度，因此優選與目標封裝用成型材料相匹配地進行適當設定。在反應中，可以使用能夠溶解α-烯烴和馬來酸酐的有機溶劑等。作為有機溶劑沒有特別限制，但優選甲苯，也能使用芳香族系溶劑、醚系溶劑、滷素系溶劑等。反應溫度根據使用的有機溶劑的種類不同而異，但從反應性、生產率的觀點考慮，優選為50～200℃，更優選為100～150℃。對於反應時間，只要可以獲得共聚物，則沒有特別限制，但從生產率的觀點考慮，優選為1～30小時，更優選為2～15小時，進一步優選為4～10小時。反應結束後，根據需要可以在加熱減壓等條件下除去未反應成分、溶劑等。對於其條件，溫度優選為100～220℃，更優選為120～180℃，壓力優選為13.3×103pa以下，更優選為8×103pa以下，時間優選為0.5～10小時。另外，在反應中，可以根據需要加入三乙胺、n,n-二甲基氨基吡啶等胺系催化劑、硫酸、對甲苯磺酸等酸催化劑等反應催化劑。

作為(d)化合物，例如可以舉出在結構中含有選自下述式(a)或者(b)表示的二酯、以及式(c)～(f)表示的單酯中的1種以上作為重複單元的化合物等，也可以含有式(g)或者(h)表示的非酯。作為這種化合物，可以舉出：在主鏈骨架中(1)由(a)～(f)的任一種單獨構成的化合物，(2)無規地含有(a)～(f)的任兩種以上的化合物、規則地含有(a)～(f)的任兩種以上的化合物、嵌段地含有(a)～(f)的任兩種以上的化合物，(3)無規地含有(a)～(f)的任一種或者任兩種以上與(g)和/或(h)的化合物、規則地含有(a)～(f)的任一種或者任兩種以上與(g)和/或(h)的化合物、嵌段地含有(a)～(f)的任一種或者任兩種以上與(g)和/或(h)的化合物等。可以單獨使用它們，也可以將2種以上組合使用。另外，也可以包含(4)無規地含有(g)和(h)的化合物、規則地含有(g)和(h)的化合物、嵌段地含有(g)和(h)的化合物、和/或(5)由(g)或者(h)分別單獨構成的化合物。從脫模性和粘合性的觀點考慮，(d)成分的酯化率優選為20摩爾％以上，作為(d)化合物，優選含有共計20摩爾％以上的式(c)～(f)表示的單酯中的任一種或者兩種以上的化合物，更優選含有30摩爾％以上的化合物。

上式(a)～(h)中的r1表示碳原子數為26～56的一價脂肪族烴基、r2表示碳原子數為10～25的一價烴基。m表示α-烯烴(x)與馬來酸酐(y)的共聚摩爾比x/y，優選為1/2～10/1，更優選為1/1左右。

對於(d)化合物的數均分子量，只要重複單元是1以上，則沒有特別限制，任何分子量區域均能實現良好的對氧化銅的粘合性和脫模性，優選數均分子量為2000～10000。

即使在(d)化合物中含有0～33質量％的未反應的α-烯烴，連續成型性和對氧化銅的粘合性也不會變化，但如果含量超過上限值，則存在成型品表面的汙垢(封裝汙垢)變得顯著的趨勢。

對於(d)化合物的配合量，沒有特別限制，但優選相對於(a)環氧樹脂的總量100質量％為0.5～10質量％，更優選為1～5質量％。配合量低於下限值時，存在脫模性降低的趨勢，如果超過上限值，則存在對氧化銅的粘合性不夠的趨勢。

對於本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物，作為脫模劑，可以在能夠達成本發明效果的範圍內將巴西棕櫚蠟、褐煤酸、硬脂酸、高級脂肪酸、高級脂肪酸金屬鹽、褐煤酸酯等酯系蠟、聚乙烯、或者聚烯烴系蠟等以往公知的脫模劑與(d)化合物並用。

另外，(d)化合物的含量沒有特別限定，相對於脫模劑的總量100質量％優選為55質量％～100質量％。通過設為這樣的範圍，能夠實現良好的對氧化銅的粘合性和脫模性。

在本發明中使用的矽氧烷加成聚合物改性物是用烷基、環氧基、羧基和氨基等取代基將下述通式(ⅰ)表示的二甲基矽氧烷的甲基取代基的一部分取代而得的改性矽油，由於與樹脂的親和性優異，因而能夠獲得耐焊錫應力性(耐半田ストレス性)和流動性良好的半導體封裝用環氧樹脂組合物。具有使脫模劑進一步在樹脂中分散的效果，也能期望不使粘合性降低地提高脫模效果的效果。上述矽氧烷加成聚合物改性物能夠使用1種或者2種以上混合使用，其用量相對於半導體封裝用環氧樹脂組合物總體為0.1～2質量％。但是，在矽氧烷加成聚合物改性物超過上限值時，容易發生表面汙垢，很可能樹脂滲漏變長，在低於下限值使用時，有時不能獲得足夠的低彈性模量、脫模劑的分散性。

(通式(ⅰ)中，r1～r2選自氫原子、碳原子數為1～55的取代或者無取代的烴基、亞烷基氧縮水甘油醚基以及環氧烷基，全部可以相同也可以不同。r3～r4選自氫原子、碳原子數為1～10的取代或者無取代的烴基、氨基、羧基、縮水甘油醚基以及烷基羧酸-4,4』-(1-甲基乙叉基)雙酚二縮水甘油醚基，全部可以相同也可以不同。n表示1～100的整數。)

從使ic等半導體元件的耐溼性、高溫放置特性提高的觀點考慮，也可以在本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物中添加陰離子交換體。作為陰離子交換體沒有特別限制，能夠使用以往公知的陰離子交換體，例如可以舉出水滑石、選自銻、鉍、鋯、鈦、錫、鎂、鋁中的元素的含水氧化物等，可以單獨使用它們，也可以將2種以上組合使用。其中，優選下述通式(ⅷ)表示的水滑石和鉍的含水氧化物。

mg1-xalx(oh)2(co3)x/2·mh2o(ⅷ)

(0＜x≤0.5，m為正的整數)

對於陰離子交換體的配合量，只要是足以能捕捉滷素離子等離子性雜質的量，則沒有特別限制，但優選相對於(a)環氧樹脂的總量100質量％為0.1～30質量％，更優選為1～10質量％，進一步優選為2～5質量％。配合量低於下限時，存在離子性雜質的捕捉不充分的趨勢，超過上限值時，由於與下限值以下相比效果上沒有大的差別，因此在經濟上是不利的。

為了提高樹脂成分與無機填充劑的粘合性，可以根據需要在本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物中添加環氧基矽烷、巰基矽烷、氨基矽烷、烷基矽烷、脲基矽烷、乙烯基矽烷等各種矽烷系化合物、鈦系化合物、鋁螯合物類、鋁/鋯系化合物等公知的偶聯劑。對這些進行例示，可以舉出乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三乙氧基矽烷、γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、γ-氨基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-氨基丙基三乙氧基矽烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-苯胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、n-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、γ-(β-氨基乙基)氨基丙基二甲氧基甲基矽烷、n-(三甲氧基甲矽烷基丙基)乙二胺、n-(二甲氧基甲基甲矽烷基異丙基)乙二胺、n-β-(n-乙烯基苄基氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、γ-氯丙基三甲氧基矽烷、六甲基二矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷等矽烷系偶聯劑；三異硬脂醯基鈦酸異丙酯、三(焦磷酸二辛酯)鈦酸異丙酯、三(n-氨基乙基-氨基乙基)鈦酸異丙酯、雙(亞磷酸二(十三烷基)酯)鈦酸四辛酯、雙(亞磷酸二(十三烷基)酯)鈦酸四(2,2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)酯、雙(焦磷酸二辛酯)羥乙酸鈦酸酯、雙(焦磷酸二辛酯)鈦酸乙二醇酯、三辛醯基鈦酸異丙酯、二甲基丙烯醯基異硬脂醯基鈦酸異丙酯、三(十二烷基苯磺醯基)鈦酸異丙酯、異硬脂醯基二丙烯醯基鈦酸異丙酯、三(磷酸二辛酯)鈦酸異丙酯、三枯基苯基鈦酸異丙酯、雙(亞磷酸二辛酯)鈦酸四異丙酯等鈦酸酯系偶聯劑等，可以單獨使用它們，也可以將2種以上組合使用。

上述偶聯劑的配合量相對於(c)無機填充劑的總量100質量％優選為0.05～5質量％，更優選為0.1～2.5質量％。低於下限值時，存在耐溼性降低的趨勢，如果超過上限值，則存在封裝的成型性降低的趨勢。

在本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物中，可以根據需要地進一步配合作為其它添加劑的溴化環氧樹脂、三氧化銻、四氧化銻、五氧化銻等含有滷素原子、銻原子、氮原子或者磷原子的公知的有機或者無機的化合物、金屬氫氧化物等阻燃劑，炭黑、有機染料、有機顏料、氧化鈦、鉛丹、氧化鐵紅等著色劑，咪唑、三唑、四唑、三嗪等和它們的衍生物、鄰氨基苯甲酸、沒食子酸、丙二酸、蘋果酸、馬來酸、氨基苯酚、醌等和它們的衍生物、脂肪族醯胺化合物、二硫代氨基甲酸鹽、噻二唑衍生物等粘合促進劑等。

對於本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物，只要能夠均勻地分散混合各種原材料，則也能採用任何方法來製備，作為通常的方法，可以舉出如下方法：通過混合器等將規定配合量的原材料充分混合之後，採用攪拌輥、捏合機、擠塑機等進行熔融混煉，然之進行冷卻、粉碎。按與成型條件相匹配的尺寸和質量進行成片則易於使用。

另外，本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物也可以溶解在各種有機溶劑中作為液狀半導體封裝用環氧樹脂組合物來使用，也可以作為片或者膜狀的半導體封裝用環氧樹脂組合物來使用，所述片或者膜狀的半導體封裝用環氧樹脂組合物是通過將該液狀半導體封裝用環氧樹脂組合物薄薄地塗布在板或者膜上、在樹脂的固化反應沒有怎樣進行的條件下使有機溶劑揮散而得的。

作為用本發明中得到的半導體封裝用環氧樹脂組合物封裝元件而得的半導體裝置，可以舉出在銅引線框的支撐構件上搭載半導體晶片、電晶體、二極體、晶閘管等有源元件、電容器、電阻器、線圈等無源元件等元件並用本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物對需要的部分進行封裝而得的半導體裝置等。作為這種半導體裝置，例如可以舉出在銅引線框上固定半導體元件並利用焊線、焊點將焊墊等元件的端子部與引線部連接後，利用本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物並通過傳遞成型等封裝而成的dip(雙列直插式封裝，dualinlinepackage)、plcc(帶引線的塑料晶片載體，plasticleadedchipcarrier)、qfp(四側引腳扁平封裝，quadflatpackage)、sop(小外形封裝，smalloutlinepackage)、soj(j型引腳小外形封裝，smalloutlinej-leadpackage)、tsop(薄型小外形封裝，thinsmalloutlinepackage)、tqfp(薄四方扁平封裝，thinquadflatpackage)等普通的樹脂封裝型ic。

圖1是對使用本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物的半導體裝置的一例顯示出剖面結構的圖。介由晶片焊接材料固化體2將半導體元件1層疊成兩層地固定在晶片焊墊(ダイパッド)3上。半導體元件1的電極極板(電極パッド)和銅引線框5之間由金屬線4連接。半導體元件1被半導體封裝用樹脂組合物的固化體6封裝。作為銅引線框5，優選在半導體裝置的技術領域中通常使用的通用的含銅引線框。作為該含銅引線框，只要含有銅，則沒有特別限制，優選至少在表面含有銅的引線框、銅合金的引線框或者由銅形成的引線框等。

作為用本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物對元件進行封裝的方法，低壓傳遞成型法是最常見的，也可以使用注射成型法、壓縮成型法等。半導體封裝用環氧樹脂組合物在常溫下為液狀或者糊狀時，可以舉出分配方式、澆鑄方式、印刷方式等。

另外，不僅有對元件直接進行樹脂封裝的普通的封裝方法，還有半導體封裝用環氧樹脂組合物與元件不直接接觸的方式的中空封裝方式，也能很好地用作中空封裝用的半導體封裝用環氧樹脂組合物。

另外，本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物對氧化銅的粘合性、脫模性、連續成型性等優異，如果用該半導體封裝用環氧樹脂組合物對ic、lsi等電子部件進行封裝，則能夠獲得可靠性優異的半導體裝置。

實施例

下面，列舉實施例來對本發明詳細說明，但本發明不限定於此。

合成例1：用碳原子數為18的一元醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物(d)的合成

將300g的1-二十八碳烯、1-三十碳烯、1-四十碳烯、1-五十碳烯、1-六十碳烯等的混合物與馬來酸酐的共聚物(三菱化學株式會社製造，商品名為diacarna(註冊商標)30)、和140g的硬脂醇溶解在500ml甲苯中，於110℃使其反應8小時後，邊階段性升溫到160℃邊除去甲苯，在減壓下於160℃進行6小時反應，由此除去未反應成分，從而得到489g目標的單酯化率100摩爾％的化合物1。以四氫呋喃作為洗脫液，通過按聚苯乙烯換算的凝膠滲透色譜法測定分子量，結果數均分子量(mn)＝4100，分子量分布(mw/mn)＝3.52，未反應的硬脂醇殘留量為化合物1總體的1％以下。

將100g的上述化合物1溶解在400ml丙酮中，添加300ml正己烷。濾出所析出的沉澱物並乾燥，得到了70g化合物1高分子量體。以四氫呋喃作為洗脫液，通過按聚苯乙烯換算的凝膠滲透色譜法測定分子量，結果數均分子量(mn)＝5600，分子量分布(mw/mn)＝1.82。進一步從上清液中蒸餾除去溶劑、並乾燥，從而得到了20g化合物1低分子量體。以四氫呋喃作為洗脫液，通過按聚苯乙烯換算的凝膠滲透色譜法測定分子量，結果數均分子量(mn)＝2400，分子量分布(mw/mn)＝2.21。

合成例2：用碳原子數為12的一元醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物(d)的合成

添加97g的1-十二烷醇代替硬脂醇，除此之外，根據合成例1所記載的方法，得到了385g單酯化率100摩爾％的化合物2。以四氫呋喃作為洗脫液，通過按聚苯乙烯換算的凝膠滲透色譜法測定分子量，結果數均分子量(mn)＝3800，分子量分布(mw/mn)＝3.81，未反應的1-十二烷醇殘留量為化合物2總體的1％以下。

合成例3：用碳原子數為22的一元醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物(d)的合成

添加170g的二十二烷醇(花王株式會社製造，商品名為kalcol220-80)代替硬脂醇，除此之外，根據合成例1所記載的方法，得到了458g單酯化率100摩爾％的化合物3。以四氫呋喃作為洗脫液，通過按聚苯乙烯換算的凝膠滲透色譜法測定分子量，結果數均分子量(mn)＝4400，分子量分布(mw/mn)＝3.55，未反應的二十二烷醇殘留量為化合物3總體的1％以下。

合成例4：用碳原子數為18的一元醇將碳原子數為20～24的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物的合成

將180g的1-二十碳烯、1-二十二碳烯、1-二十四碳烯的混合物(出光興產株式會社製造，商品名為linealene2024)與58g馬來酸酐溶解在500ml甲苯中，在110℃加熱的同時每20分鐘將0.16g的bpo分成3次地添加。將bpo添加完成後，進一步於110℃加熱反應溶液7小時。在該聚合物的甲苯溶液中添加162g硬脂醇並於110℃使其反應8小時後，邊階段性升溫到160℃邊除去甲苯，在減壓下於160℃進行6小時反應，由此除去未反應成分，從而得到380g目標的單酯化率100摩爾％的化合物4。以四氫呋喃作為洗脫液，通過按聚苯乙烯換算的凝膠滲透色譜法測定分子量，結果數均分子量(mn)＝9800，分子量分布(mw/mn)＝2.63，未反應的硬脂醇殘留量為化合物4總體的1％以下。

合成例5：用碳原子數為8的一元醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物的合成

添加68g的1-辛醇代替硬脂醇，除此之外，根據合成例1所記載的方法，得到了340g單酯化率100摩爾％的化合物5。以四氫呋喃作為洗脫液，通過按聚苯乙烯換算的凝膠滲透色譜法測定分子量，結果數均分子量(mn)＝3700，分子量分布(mw/mn)＝3.80，未反應的1-辛醇殘留量為化合物5總體的1％以下。

合成例6：用碳原子數為28的一元醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物(d)的合成

添加214g的二十八烷醇(株式會社素材機能研究所製造，商品名為policosanol(來自米糠))代替硬脂醇，除此之外，根據合成例1所記載的方法，得到了506g單酯化率100摩爾％的化合物6。以四氫呋喃作為洗脫液，通過按聚苯乙烯換算的凝膠滲透色譜法測定分子量，結果數均分子量(mn)＝4800，分子量分布(mw/mn)＝3.91，未反應的二十八烷醇殘留量為化合物6總體的1％以下。

對於在實施例1～10和比較例1～9中使用的成分，示於下面。

(a)成分的環氧樹脂：

環氧當量為185、熔點為108℃的聯苯型環氧樹脂(japanepoxyresin株式會社製造，商品名為epicoatyx-4000k)，

環氧當量為237、軟化點為52℃的對二甲苯型環氧樹脂(日本化藥公司製造，商品名為nc2000)，

環氧當量為273、軟化點為52℃的具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂(簡稱為聯苯芳烷基型環氧樹脂)(日本化藥公司製造，商品名為nc-3000l)

(b)成分的固化劑：

羥基當量為199、軟化點為64℃的具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型酚醛樹脂(簡稱為聯苯芳烷基型樹脂)(明和化成株式會社製造，商品名為meh-7851ss)

(c)成分的無機填充劑：

平均粒徑為10.8μm、比表面積為5.1m2/g的球狀熔融二氧化矽(電氣化學工業株式會社製造，商品名為denkafusedsilica(df)球形粉末型(等級fb-105))

(d)成分的脫模劑：

在上述合成例中得到的化合物1～6，作為其它脫模劑的氧化聚乙烯蠟(clariant公司製造，商品名為ped191)、褐煤酸系蠟(clariant公司製造，商品名為ricowaxe)、α-烯烴單體(chevronphillipschemicalcompany製造，商品名為alphaolefinc30+)

(e)成分的固化促進劑：

三苯基膦與對苯醌的加成物(北興化學株式會社製造，商品名為tpp-bg)

矽氧烷加成聚合物改性物：

矽油a(將下式(ⅸ)表示的化合物(東麗道康寧株式會社製造，by-750，分子量約為1500)與雙酚a型環氧樹脂(japanepoxyresin株式會社製造，jer(註冊商標)yl-6810(環氧當量為172g/eq，熔點為45℃)12質量份於140℃加熱熔融、並添加6質量份g1-1、0.15質量份三苯基膦、於140℃熔融混合30分鐘而得的熔融反應物)

矽油b(下式(x)表示的化合物，式(x)中，m、n、l、a和b是相同或者不同的整數(東麗道康寧株式會社製造，商品名fz-3730))

偶聯劑：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(chisso株式會社製造，商品名為s510＝gps-m)

著色劑：炭黑(三菱化學株式會社製造，商品名為carbon#5)，分別按表1和表2所示的質量份配合上述成分，在混煉溫度為100℃、混煉時間為30分鐘的條件下進行雙軸混煉，冷卻後粉碎，製成半導體封裝用環氧樹脂組合物。此外，比較例4和5的化合物1和化合物4以及氧化聚乙烯蠟與聯苯型環氧樹脂在170℃、6小時的條件下進行預混煉來使用。

[表1]

表1配合組成

[表2]

表2配合組成

將製成的實施例和比較例的半導體封裝用環氧樹脂組合物利用下面的各試驗進行評價。將評價結果示於表3和表4。

(1)粘合性

將氧化銅基材和形成片的半導體封裝用環氧樹脂組合物在175℃、70kg/cm2、2分鐘的條件下進行一體成型而得到截錐形的成型品(上徑2mm×下徑3mm×厚度3mm)後，將得到的各成型品的基材固定，從橫方向壓住半導體封裝用環氧樹脂組合物的固化部位，測定其轉矩(n)。

(2)脫模負荷

脫模時負荷評價用模具由作為傳遞成型鑄模的上模、中模、下模構成。將成型後的中模的平面簡圖示於圖2。成型後附著在中模上的成型品的形狀是直徑為14.0mm、高度為1.5mm厚。在圖2中，11表示中模，12表示餘料(カル)，13表示流道。14表示成型品，15表示通氣口。16表示把手，17表示推拉力計插入用的孔。

用圖2所示的脫模時負荷評價用模具在模具溫度為175℃、注入壓力為6.9mpa、固化時間為1分鐘條件下將評價用材料進行傳遞成型。在成型後吸附於中模11的圓形成型品14上，從中模上部的孔17抵住推拉力計(參照圖3)，在探出成型品時測定所述負荷。接著將評價用材料成型進行20衝後，對一半10衝的成型品進行測定，評價其平均值作為脫模負荷。

(3)連續成型性(通氣口堵塞，模具汙垢和封裝汙垢)

使用低壓自動傳遞成型機(第一精工株式會社製造，gp-elf)，在模具溫度為175℃、注入壓力為9.8mpa、固化時間為70秒鐘條件下，將80引腳四方扁平封裝(80pqfp：cu制引線框，封裝外部尺寸：14mm×20mm×2mm厚，焊墊尺寸：6.5mm×6.5mm，晶片尺寸：6.0mm×6.0mm×0.35mm厚)連續地封裝成型400衝。

對於通氣口堵塞，每50衝目視觀察模具，由此確認有無通氣口堵塞，以下面的4個等級進行評價。

a：至400衝無問題

b：至300衝發生通氣口堵塞

c：至200衝發生通氣口堵塞

d：至100衝發生通氣口堵塞

對於模具汙垢，觀察400衝的模具，由汙垢從澆口蔓延情況的程度，評價為下面的5個等級。

a：無汙垢

b：汙垢蔓延為封裝表面的10面積％以下

c：汙垢蔓延超過封裝表面的10面積％～20面積％以下

d：汙垢蔓延超過封裝表面的20面積％～50面積％以下

e：汙垢蔓延超過封裝表面的50面積％

對於封裝汙垢，觀察400衝的封裝，由汙垢從澆口蔓延情況的程度，評價為下面的5個等級。

a：無汙垢

b：汙垢蔓延為封裝表面的10面積％以下

c：汙垢蔓延超過封裝表面的10面積％～20面積％以下

d：汙垢蔓延超過封裝表面的20面積％～50面積％以下

e：汙垢蔓延超過封裝表面的50面積％

[表3]

表3評價結果

[表4]

表4評價結果

實施例1～5對氧化銅的粘合強度、脫模性(脫模負荷)均是良好的。含有矽油成分作為矽氧烷加成聚合物改性物的實施例6和7對氧化銅的粘合強度、脫模性(脫模負荷)也良好，連續成型性(模具的汙垢)進一步得到改善。作為(a)環氧樹脂全部使用聯苯型環氧樹脂或者具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂(聯苯芳烷基型環氧樹脂)、含有矽油成分的實施例8和實施例9脫模性(脫模負荷)也良好，對氧化銅的粘合強度進一步得到改善。在(d)化合物中含有35質量％的α-烯烴單體的實施例10與比較例相比，對氧化銅的粘合強度、脫模性(脫模負荷)為良好。比較例1～3的脫模性(脫模負荷)較差。另外，並用了氧化聚乙烯蠟作為脫模劑成分的比較例4～5和比較例7表現出連續成型性(通氣口阻塞)不良、對氧化銅的粘合也被阻礙地相當厲害。另外，本比較例5相當於專利文獻1或者2中記載的實施例1。含有褐煤酸系脫模劑的比較例8和9對氧化銅的粘合強度弱，脫模性(脫模負荷)也較差。

本申請以在平成21年10月20日申請的日本專利申請特願2009-241427、平成22年3月25日申請的日本專利申請特願2010-070700以及平成22年4月27日申請的日本專利申請特願2010-102429為基礎要求優先權，並將其公開的全部內容援引於此。